JP6045993B2 - プローブ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の両面に電極を有するパワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行うためのプローブ装置に関する。
半導体デバイスの製造プロセスでは、前工程または後工程の最後に、半導体試験装置により半導体デバイスの基本的な電気的特性が検査され、チップの良否判定が行われる。このような半導体試験装置において、プローブ装置は、ウエハ状態またはウエハレベルで検査を行う際に、半導体ウエハ上の各チップと信号処理の一切を担うテスタとをインタフェースするハンドリング装置として機能する。通常、プローブ装置は、半導体ウエハを載せて支持する可動の載置台(チャックトップ)と、各チップの電極にプローブ針を当ててテスタとの電気的導通をとるプローブカードと、一定位置に固定されたプローブカードないしプローブ針に対して検査対象のチップを位置合わせするために載置台を移動させる移動機構とを備えている。
ところで、パワーMOSFETやIGBTのような電力用の半導体デバイスいわゆるパワーデバイスは、高電圧で大電流を扱うために、チップの両面に電極を設けて、チップの厚さ方向に電流を流すようになっている。たとえば、パワーMOSFETは、チップのおもて面にソース電極とゲート電極を設けるとともに、チップの裏面にドレイン電極を設け、ゲート電極に一定の制御電圧を印加されると、ソース電極とドレイン電極との間で大きな電流を流せるようになっている。また、IGBTは、チップのおもて面にエミッタ電極とゲート電極を設ける一方で、チップの裏面にコレクタ電極を設け、ゲート電極に一定の制御電圧を印加されると、エミッタ電極とコレクタ電極との間でパワーMOSFETよりも更に大きな電流を流せるようになっている。
このようにチップの両面に電極を有するパワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行うためのプローブ装置は、検査対象となる個々のチップまたはパワーデバイスとテスタとの間で電気的導通をとるために、半導体ウエハのおもて側の電極(ゲート電極およびソース電極/エミッタ電極)に対しては通常通り上方のプローブカードよりプローブ針を当てる一方で、半導体ウエハの裏側の電極(ドレイン電極/コレクタ電極)に対しては載置台の上面を導体つまり載置面導体で構成し、ウエハ裏側の電極と載置面導体との間で直接接触の電気的接続を形成するようにしている。そして、載置台の載置面導体とテスタの対応する端子との間にはパワーデバイスの出力信号を伝送するための線路または測定ラインを設けている。
この場合、被検査チップの位置合わせのために行われる載置台の移動を邪魔しないように、載置台の周辺で測定ラインの引き回しを工夫する必要があり、従来のプローブ装置の多くはケーブルベア(登録商標)に装入された数m以上の長い電気ケーブルを引き回している。しかしながら、そのように数m以上の長い電気ケーブルが用いられると、そのインダクタンスが無視できなくなる。一般に、動特性の検査では、マイクロ秒単位の矩形波パルスが用いられる。この場合、測定ラインのインダクタンスが大きいと、インピーダンスも比例して高くなり、パワーデバイスよりテスタに取り込まれるパルスの波形がなまる。このことによって、たとえばターンオン時間や立ち上がり時間等の測定精度が低下する。
この問題に対しては、載置台の上方に、通常はプローブ針と干渉しないようにそれよりも横方向の外側でプローブカードより低い位置に、水平方向に一定の拡がりを有する平板の導体を固定配置するとともに、載置台側にはその可動範囲内の任意の位置で平板導体の下面と接触できる昇降可能な接触子を載置台の側面に取り付ける構成のプローブ装置が既に考案されている(特許文献1参照)。
この方式のプローブ装置においては、載置面導体と接触子は載置台の周辺エッジ付近でインダクタンスを無視できる接続導体たとえば短いハードワイヤによって電気的に接続される。そして、位置合わせが完了した載置台の傍らで接触子が原位置から一定の高さ位置まで上昇移動すると、接触子の上端が平板導体の下面に当接して両者間に電気的な接続状態が形成され、ひいてはパワーデバイスの裏側電極とテスタとの間で電気的導通状態が確立される。こうして、載置台の載置面導体から平板導体までの区間では電気ケーブルの引き回しが不要となる。
特開2012−58225号公報
しかしながら、上記のようにパワーデバイスの裏側電極とテスタとの間で電気的導通状態を確立するための中継手段として載置台の上方に平板導体を配置する従来のプローブ装置においては、載置面導体から平板導体までの線路ではインダクタンスないしインピーダンスを顕著に低減することはできても、平板導体のインピーダンスが高いために、載置面導体からテスタに至る測定ラインの総インピーダンスは大して低減しない。このため、パワーデバイスの動特性試験においてテスタに取り込まれるパルスの波形のなまりを効果的に小さくすることができない。
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、基板を載置する載置台の載置面導体からテスタに至る測定ラインのインピーダンスを低減して、基板の両面に電極を有するパワーデバイスに対する電気的特性検査(特に動特性検査)の測定精度を向上させるプローブ装置を提供する。
本発明のプローブ装置は、被検査基板上に形成され前記基板の両面に電極を有するパワーデバイスの電気的特性を検査するためのプローブ装置であって、前記基板を載せて支持する移動可能な載置台と、前記載置台と向かい合ってその上方に配置され、前記載置台に支持されている前記基板のおもて面に露出している前記パワーデバイスのおもて側電極にその先端にて接触可能なプローブ針を支持するプローブカードと、前記プローブ針とテスタの対応する第1の端子とを電気的に繋ぐ第1の接続導体と、前記載置台の載置面を形成し、前記載置台に支持されている前記基板の裏面に露出している前記パワーデバイスの裏側電極と接触する載置面導体と、前記載置台に取り付けられ、前記載置面導体に電気的に接続されている昇降移動可能な接触子と、前記プローブカードよりも低い位置で前記載置台の上方に配置され、その下面にて前記接触子と接触可能な導電性のコンタクトプレートと、前記コンタクトプレートと前記テスタの対応する第2の端子とを電気的に繋ぐ第2の接続導体とを有し、前記コンタクトプレートが、網状に広がって、または枝状に分かれて延びる信号伝送路を有する。
上記の装置構成においては、コンタクトプレートが、検査対象のパワーデバイスの裏側電極とテスタとの間で電気的導通状態を確立するための中継手段として、プローブカードより低い位置で載置台の上方に配置され、検査時には下方から上昇移動する接触子と接触する。このコンタクトプレートが網状に広がって、または枝状に分かれて延びる信号伝送路を有することにより、接触子からコンタクトプレートの下面に入った電流は、パルスの高調波成分であっても、コンタクトプレートの網状または枝状の信号伝送路を流れながら、コンタクトプレートを板厚方向に貫通して、第2の接続導体へ抜け出ることにより、コンタクトプレートを低いインピーダンスで通過することができる。その結果、パワーデバイスの裏側電極とテスタの対応する端子との間で電気的導通状態を形成する測定ラインの総インピーダンスも低くなり、テスタに取り込まれるパルスの波形のなまりが減少する。
本発明のプローブ装置によれば、上記のような構成および作用により、基板を載置する載置台の載置面導体からテスタに至る測定ラインのインピーダンスを大幅に低減して、基板の両面に電極を有するパワーデバイスに対する電気的特性検査(特に動特性検査)の測定精度を大きく向上させることができる。
本発明の一実施形態におけるプローブ装置の構成を示す一部断面正面図である。 上記プローブ装置の要部を斜め下方から見た斜視図である。 載置台および接触子が中心の基準位置にある場合のコンタクトプレートと接触子との位置関係を示す略平面図である。 載置台および接触子が−X方向に最大シフトした場合のコンタクトプレートと接触子との位置関係を示す略平面図である。 載置台および接触子の+X方向に最大シフトした場合のコンタクトプレートと接触子との位置関係を示す略平面図である。 載置台および接触子の+Y方向に最大シフト場合のコンタクトプレートと接触子との位置関係を示す略平面図である。 載置台および接触子の−Y方向に最大シフトした場合のコンタクトプレートと接触子との位置関係を示す略平面図である。 全チップ検査においてコンタクトプレート上で接触子が接触する領域を示す略平面図である。 一実施例におけるコンタクトプレートの構成を示す斜視図である。 実施例におけるコンタクトプレート上でパルスの電流(特に高次の高調波)が流れる経路を模式的に示す断面図である。 比較例におけるコンタクトプレート上でパルスの電流(特に高次の高調波)が流れる経路を模式的に示す断面図である。 一変形例におけるコンタクトプレートのメッシュ構造を示す部分拡大平面図である。 別の実施例におけるコンタクトプレートの一形態を示す一部拡大断面図である。 別の実施例におけるコンタクトプレートの別の形態を示す一部拡大断面図である。 別の実施例におけるコンタクトプレートの別の形態を示す一部拡大断面図である。 別の実施例におけるコンタクトプレートの全体構造を示す斜視図である。 図9のコンタクトプレートの一部を拡大して示す部分拡大斜視図である。 図9のコンタクトプレートの積層構造を示す側面図である。
以下、添付図を参照して本発明の実施形態を説明する。

[プローブ装置全体の構成及び作用]
図1に、本発明の一実施形態におけるプローブ装置の構成を示す。図2に、このプローブ装置において斜め下方から見た要部の構成を示す。
このプローブ装置は、半導体プロセスの前工程を終えた半導体ウエハWを被検査基板とし、この半導体ウエハW上に形成され、チップ(つまりウエハ)の両面に電極が形成されている多数のパワーデバイス(たとえばIGBT)について、ウエハレベルでチップ毎の電気的特性、特に動特性の検査を行えるように構成されている。
このプローブ装置は、テスタの本体(図示せず)の傍に設置され、筺体(図示せず)により画成されるプローブ室10の中で、載置台(チャックトップ)12を移動ステージ14に搭載するとともに、載置台12の上方にプローブカード16をプローブカードホルダ18により水平に支持(固定)し、プローブカード16およびプローブカードホルダ18の上でテスタのテストヘッド20と着脱可能にドッキングできるようになっている。
より詳細には、載置台12は、被検査基板の半導体ウエハWを水平に載せて支持する載置面を有し、この載置面を電気伝導率の高い板状または膜状の導体つまり載置面導体22で構成している。この載置面導体22の上に半導体ウエハWを載せると、半導体ウエハW上の裏面にチップ単位で露出している電極(コレクタ電極)が載置面導体22に直接の接触で電気的に接続されるようになっている。
載置台12は、載置面導体22上で半導体ウエハWを吸着して保持するためのバキューム機構(図示せず)に接続されており、載置面導体22には真空吸着用の多数の孔または溝が形成されている。また、載置面導体22には、載置台12上で半導体ウエハWのローディング/アンローディングを行うために昇降移動する複数本のリフトピン(図示せず)を通すための孔も形成されている。
移動ステージ14は、載置台12を水平(XY)方向、鉛直(Z)方向および周回(θ)方向に移動させ、かつ可動範囲内の任意の位置で固定(静止)できるように構成されている。
プローブカード16は、プリント配線板の一種として作製され、半導体ウエハW上のおもて面にチップ単位で露出している電極(ゲート電極,エミッタ電極)に個別接触または共通接触するための1本または複数本のプローブ針24G,24Eを下面に取り付けている。より詳しくは、各プローブ針24は、その基端部または根元にてプローブカード16の対応する接続導体26G,26Eの下端に接合されるとともに、中間部にてプローブカード16の下面より突出する絶縁体の支持部28に支持され、先端部(自由端)にて半導体ウエハWのおもて面に露出している対応する電極(ゲート電極,エミッタ電極)に接触するようになっている。
各接続導体26G,26Eは、プローブカード16の貫通孔(スルーホール)30G,30Eを鉛直方向に貫通してプローブカード16の上下に露出または突出し、図示のようにドッキング状態ではその上端または頂面にてテストヘッド20の対応する端子32G,32Eとそれぞれ直接の接触で電気的に接続するようになっている。なお、ドッキング状態においてテストヘッド20とプローブカード16との間で安定な電気的接続を得るために、たとえばテストヘッド20側の端子32G,32E側にバネ(図示せず)を付けてもよい。
プローブカードホルダ18は、プローブ室10の上面を構成する堅固な金属板であり、プローブカード16を囲んでその周囲に水平に延びており、その中心部に形成される開口の中にプローブカード16を着脱可能または交換可能に取り付けるようになっている。
さらに、プローブカードホルダ18は、その下面から離して導電性のコンタクトプレート34を支持する。この実施形態では、プローブカード16のプローブ針24G,24Eと干渉しないようにその左右両側に分かれて一対のコンタクトプレート34がプローブカードホルダ18と載置台12との間で水平に配置される。プローブカードホルダ18の貫通孔に上から絶縁性のボルト36が差し込まれ、このボルト36の先端部がコンタクトプレート34のネジ穴35に螺合しており、コンタクトプレート34は水平に支持される。
コンタクトプレート34の上面には、その中央部にパッド状のプレート上面端子38が形成され、このプレート上面端子38の上に鉛直方向に延びる棒状またはブロック状の接続導体40の下端が直接接触または半田接合等で電気的に接続されている。この接続導体40は、プローブカードホルダ18の貫通孔(スルーホール)42を貫通してプローブカードホルダ18の上にも露出または突出している。そして、図1に示すように、テストヘッド20とのドッキング状態において、接続導体40は、その上端または頂面にてテストヘッド20の対応する端子32Cと直接の接触で電気的に接続するようになっている。
ドッキング状態で安定な電気的接続を得るために、たとえばテストヘッド20側の端子32C側にバネ(図示せず)を付けてもよい。また、接続導体40をプローブカードホルダ18に支持させるように、貫通孔42の中に絶縁体のスリーブまたはパッキン(図示せず)を挿入してもよい。なお、一対のコンタクトプレート34に対応するテストヘッド20の左右一対の端子32Cは、テストヘッド20の中では電気的に共通接続されている。
コンタクトプレート34はこの実施形態の主たる特徴部分であり、その構成および作用は後に詳細に説明する。
載置台12の側面には、左右一対のコンタクトプレート34とそれぞれ独立に接触可能な一対の接触子44が左右に分かれて取り付けられている。載置台12がその可動範囲内の如何なる位置に在っても、その位置で少なくとも一方の接触子44が原位置から一定の高さ位置まで上昇移動(往動)すると、その上端または頂面が対向するコンタクトプレート34の下面に当接するようになっている。
この実施形態では、接触子44がたとえばプローブピンからなり、移動ステージ14から独立して接触子44の昇降移動および昇降位置を制御できる昇降機構45が備わっている。また、接触子44とコンタクトプレート34との間で安定な電気的接触を得るために、接触子44にバネ(図示せず)を付けることができる。各々の接触子44は、載置台12の周辺エッジから外に延びる可撓性の接続導体たとえばハードワイヤ46を介して載置面導体22に電気的に接続されている。
このプローブ装置において、半導体ウエハW上の各チップ(パワーデバイス)について動特性の検査を行うには、図1に示すようにテスタのテストヘッド20がドッキングしており、プローブ針24G,24Eの先端から半導体ウエハWが下に離れており、かつ接触子44がコンタクトプレート34から下に離れている状態の下で、先ずプローブカード16ないしプローブ針24G,24Eに対する半導体ウエハW上の被検査チップ(パワーデバイス)の位置合わせが行われる。この位置合わせでは、移動ステージ14上で載置台12が水平(XY)方向に移動して、被検査チップのおもて側電極(ゲート電極,エミッタ電極)がそれぞれ対応するプローブ針24G,24Eの先端の真下に位置決めされる。
次いで、載置台12が垂直上方に一定ストロークだけ上昇して、被検査チップのおもて側電極(ゲート電極,エミッタ電極)をそれぞれ対応するプローブ針24G,24Eの先端に下から押し当てる。これにより、被検査チップのおもて側電極(ゲート電極,エミッタ電極)とテストヘッド20の対応する端子32G,32Eとの間で、プローブカード16の接続導体26G,26Eおよびプローブ針24G,24Eからなる第1の測定ラインを介して、電気的導通状態が確立される。
一方、片側または両側の接触子44を上昇移動(往動)させて、その上端または頂面をコンタクトプレート34の下面に接触させる。これによって、被検査チップの裏側電極(コレクタ電極)とテストヘッド20の対応する少なくとも一方の端子32Cとの間で、載置台12の載置面導体22、ハードワイヤ46、少なくとも一方の接触子44、少なくとも一方のコンタクトプレート34および少なくとも一方の接続導体40からなる第2の測定ラインを介して、電気的導通状態が確立される。
上記のようにして、半導体ウエハW上の被検査チップつまりパワーデバイスの各電極(ゲート電極,エミッタ電極,コレクタ電極)とテストヘッド20の各対応する端子32G,32E,32Cとの間で電気的導通状態がとられる。そして、この状態の下で、テスタから第1および第2の測定ラインを介して当該パワーデバイスのエミッタ電極およびコレクタ電極間に所定の高電圧が印加され、ゲート電極に所定の制御パルスが印加されると、当該パワーデバイスより大電流のパルスが出力され、この大電流のパルスが第1および第2の測定ラインを流れてテスタに取り込まれる。テスタは、テストヘッド20の端子32Cに取り込んだパルスを基に、所定の信号処理により、たとえばターンオン時間やターンオフ時間、あるいは立ち上がり時間や立ち下がり時間等を測定して、動特性を評価し、当該パワーデバイスの良否判定を行う。
図3A〜図3Eに、半導体ウエハW上の全てのチップに対して上記のような動特性検査を行う場合に、載置台12および接触子44が移動範囲内の中心基準位置または一方向に最大シフトした場合のコンタクトプレートと接触子との位置関係を示す。なお、図示の例では、電流容量を大きくするために、並列に3個の接触子44を設けている。
すなわち、図3Aは、半導体ウエハW上の中心のチップについて検査を行うために、載置台12がXY方向の中心位置または基準位置(0,0)に在る場合である。この場合は、左右両側の接触子44がそれぞれ左右両側のコンタクトプレート34の下に位置する。この位置で、左右両側の接触子44は、原位置から上昇(往動)することで、左右両側のコンタクトプレート34の下面にそれぞれ接触することができる。こうして、第2の測定ラインは左右両側の2系統(あるいは左右いずれかの一系統)で構築または結線される。
図3Bは、半導体ウエハW上の図の右端のチップについて検査を行うために、載置台12がXY方向の中心位置(0,0)から−X方向に約D/2(Dはウエハの直径)だけシフトした場合である。この場合は、左側の接触子44が左側のコンタクトプレート34の外(左)に位置しており、両者間で電気的接触は得られない。しかし、右側の接触子44は右側のコンタクトプレート34の下に位置しているので、両者間の電気的接触は得られる。したがって、第2の測定ラインは、左側系統では結線されないが、右側系統では結線される。
図3Cは、半導体ウエハW上の図の左端のチップについて検査を行うために、載置台12がXY方向の中心位置(0,0)から+X方向に約D/2だけシフトした場合である。この場合は、図3Bの場合と逆になり、第2の測定ラインは、右側系統では結線されないが、左側系統では結線される。
図3Dは、半導体ウエハW上の図の下端のチップについて検査を行うために、載置台12がXY方向の中心位置(0,0)から+Y方向に約D/2だけシフトした場合である。また、図3Eは、半導体ウエハW上の図の上端のチップについて検査を行うために、載置台12がXY方向の中心位置(0,0)から−X方向に約D/2だけシフトした場合である。いずれの場合でも、第2の測定ラインは、左右両側の2系統(あるいは左右いずれかの一系統)で結線される。
図4に、全チップ検査のために載置台12を移動させた場合に、右側の接触子44が右側のコンタクトプレート34に接触する領域CEを斜線部分で示す。図示のように、コンタクトプレート34上で接触子44が接触する領域CEは、コンタクトプレート34の略全面積に重なっている。左側の接触子44と左側のコンタクトプレート34との間でも同じである。
すなわち、この実施形態では、全チップ検査で載置台12の位置が変わる度に接触子44とコンタクトプレート34との間の接触位置が変わり、コンタクトプレート34のインピーダンス(より正確には接触子44と接続導体40との間のインピーダンス)も変化する中で、そのインピーダンス平均値を可及的に低くするように、コンタクトプレート34の形状および面積を必要最小限に設計している。もっとも、第2の測定ラインが常に左右両側の2系統で結線されるように、コンタクトプレート34のサイズ(面積)を図の左右の方向(X方向)で拡張する構成も可能である。
上記したように、このプローブ装置では、検査対象のパワーデバイスの各電極とテストヘッド20の各対応する端子との間で電気的導通状態を形成する第1および第2の測定ラインを可及的に短くしている。特に、第1の測定ラインにおいて、プローブ針24G,24Eの基端とテストヘッド20の対応する端子32G,32Eとは、鉛直方向で真正面に向かい合い、プローブカード16の接続導体26G,26Eを介して最短距離で電気的に接続されている。また、第2の測定ラインにおいて、コンタクトプレート34のプレート上面端子38とテストヘッド20の対応する端子32Cとは、鉛直方向で真正面に向かい合い、プローブカードホルダ18の貫通孔42を電気的に非接触で貫通する棒状(またはブロック状)の接続導体40を介して最短距離で電気的に接続されている。このように第1および第2の測定ラインの線路長を可及的に短くすることによって、動特性検査の際に第1および第2の測定ラインを流れるパルスの電流が受けるインピーダンスを従来より格段に低くしている。
そして、以下に述べるように、コンタクトプレート34上でパルスの電流が受けるインピーダンス(より正確には接触子44と接続導体40との間のインピーダンス)を可及的に低くするための特殊なプレート構造をコンタクトプレート34に持たせているので、第2の測定ラインの総インピーダンスをより一層低減している。このことにより、テスタに取り込まれるパルスの波形に生じるなまりを可及的に小さくして、動特性検査における測定の精度ないし判定性能を大きく向上させることができる。

[コンタクトプレートの構成及び作用]
図5に、一実施例におけるコンタクトプレート34の構成を示す。図示のように、コンタクトプレート34は、撓みの無い水平な姿勢を安定に保つため、ボード並みの板厚(たとえば5mm〜10mm)を有している。ただし、コンタクトプレート34は、従来のような平板ではなく、メッシュ構造を有している。図示の例は、格子状のメッシュ構造であり、透かし部(開口部)50を縦横に区切っている非透かし部(骨格部)52が信号伝送路(つまり第2の測定ラインの一部)を形成している。
このようにコンタクトプレート34がメッシュ構造を有することにより、動特性検査において半導体ウエハW上の被検査パワーデバイスより出力されたパルスの電流iは、第2の測定ライン上でコンタクトプレート34を低いインピーダンスで通過することができる。すなわち、図6Aに示すように、接触子44よりコンタクトプレート34の下面に入った電流iは、その付近の透かし部(開口部)50あるいは接触子44とプレート上面端子38とを結ぶ直線に沿って分布する任意の透かし部50を通り抜けて、コンタクトプレート34の上面に出る。そして、コンタクトプレート34の上面に出た電流iは、非透かし部(骨格部)52を通ってプレート上面端子38に至り、そこから接続導体40を通ってテストヘッド20の端子32Cに入る(図1)。
すなわち、動特性検査において被検査パワーデバイスより出力されるパルス(通常は矩形波のパルス)は、基本波と多数の高調波とからなり、高次の高調波はコンタクトプレート34上では表皮効果によりプレート表層部を伝播する。しかし、コンタクトプレート34はメッシュ構造になっているので、接触子44よりコンタクトプレート34の下面に入ったパルスの高次の高調波は、透かし部(開口部)50の内壁または非透かし部52の側面表層部を伝播して、コンタクトプレート34を板厚方向に貫通する。このことによって、被検査パワーデバイスより出力されたパルスの電流(特に高調波成分)iは、コンタクトプレート34を低いインピーダンスで通過することができる。その結果、第2の測定ラインの総インピーダンスも低くなり、テスタに取り込まれるパルスの波形のなまりが著しく減少する。
これに対して、比較例として、平板のコンタクトプレート34'の場合は、図6Bに示すように、接触子44よりコンタクトプレート34'の下面に入ったパルスの電流(特に高調波成分)i'は、表皮効果によりコンタクトプレート34'の周縁エッジを迂回してプレート上面端子38に辿り着くことになるため、コンタクトプレート34を高いインピーダンスで通過することになる。その結果、第2の測定ラインの総インピーダンスが高くなり、テスタに取り込まれるパルスの波形のなまりを効果的に除去ないし低減するのが困難になる。

[コンタクトプレートに関する他の実施例又は変形例]
コンタクトプレート34の上記実施例における格子状のメッシュ構造は一例であり、コンタクトプレート34は任意の網目模様のメッシュ構造を有することができる。したがって、たとえば図7に示すように、プレート上面端子38を中心としてその周りに透かし部50が放射状に分布するようなメッシュ構造も可能であり、この場合も非透かし部(骨格部)52が信号伝送路を形成する。
さらに、コンタクトプレート34は、メッシュ以外の構成によっても、網状に広がる信号伝送路を有することができる。すなわち、図8A,図8Bおよび図8Cに示すように、コンタクトプレート34は、肉薄部50'および肉厚部52'をメッシュの透かし部50および非透かし部52にそれぞれ対応させて配置する繰り返し模様の凹凸面54を両面または片面に有してもよい。
この場合は、肉厚部52'が信号伝送路を形成する。すなわち、接触子44よりコンタクトプレート34の下面に入ったパルスの高次の高調波は、肉薄部50'の厚さがスキンデップスよりも小さければ、そこを貫通して上面に抜けることができる。これによって、メッシュの場合と同様に、パワーデバイスより出力されたパルスの電流(特に高調波成分)iは、コンタクトプレート34を低いインピーダンスで通過することができる。
さらに、別の実施例として、コンタクトプレート34は、上記のような網状に広がる信号伝送路の代わりに、枝状に分かれて延びる信号伝送路を有することもできる。
具体的には、図9〜図11に示すように、この実施例におけるコンタクトプレート34は、信号伝送路を構成する多数の板片CPが多層構造(図示の例は6層構造)で分岐している板片複合体を有している。ここで、図9はコンタクトプレート34の全体構成を示す斜視図、図10は部分拡大斜視図、および図11は側面図である。
この多層構造の板片複合体において、第1層(最上層)には、プレート上面端子38の両側でY方向にまっすぐ延びる最大面積のI型板片CP1が1個設けられている。
第2層には、X方向にまっすぐ延びる「I」型の板片CP2Aと、Y方向にまっすぐ延びる1本の長尺状板片部とX方向にまっすぐ延びる1本の長尺状板片部とが一体に組み合わさった「T」型の板片CP2Bがそれぞれ2個設けられている。ここで、I型板片CP2AおよびT型板片CP2Bはいずれも第1層のI型板片CP1より小さい(数分の1程度の)面積を有している。そして、各々のI型板片CP2Aはその中心部にて第1層のI型板片CP1の中間部に接続され、各々のT型板片CP2BはそのY方向の延びる長尺状板片部の先端部にて第1層のI型板片CP1の先端部に接続されている。
第3層には、Y方向にまっすぐ延びる1本の長尺状板片部とX方向にまっすぐ延びる2本の長尺状板片部とが一体に組み合わさった「H」型または略「H」型のCP3が8個設けられている。ここで、H型または略「H」型板片CP3は第2層のI型板片CP2AおよびT型板片CP2Bより小さい(数分の1程度の)面積を有している。そして、各々のH型または略「H」型板片CP3は、その中心部にて第2層のいずれかのI型板片CP2AまたはT型板片CP2Bの一端部に接続されている。
第4層には、Y方向にまっすぐ延びる1本の長尺状板片部とX方向にまっすぐ延びる2本の長尺状板片部とが一体に組み合わさった「H」型の板片部CP4が多数(30個以上)設けられている。ここで、第4層のH型板片部CP4は第3層のH型板片部CP3より小さい(数分の1程度の)面積を有している。そして、第4層の各々のH型板片部CP4は、その中心部にて第3層のいずれかのH型板片部CP3の一端部に接続されている。
第5層および第6層(最下層)にも、Y方向にまっすぐ延びる1本の長尺状板片部とX方向にまっすぐ延びる2本の長尺状板片部とが一体に組み合わさった「H」型の板片部CP5,CP6がそれぞれ多数(CP5は100個以上、CP6は数100個以上)設けられている。ここで、第5層のH型板片部CP5は第4層のH型板片部CP4より小さい(数分の1程度の)面積を有し、第6層のH型板片部CP6は第5層のH型板片部CP5より小さい(数分の1程度の)面積を有している。そして、第5層の各々のH型板片部CP5はその中心部にて第4層のいずれかのH型板片部CP4の一端部に接続され、第6層の各々のH型板片部CP6はその中心部にて第5層のいずれかのH型板片部CP5の一端部に接続されている。
上記のように、この多層構造の板片複合体においては、上層から下層にいくほど、板片の一個当たりの面積が減少するとともに、板片の一層当たりの個数が増して、上下で連続する2層の間で分岐する数も増大し、板片の一層内に分布する領域が拡大している。したがって、1層当たりの個数および領域(面積)が最小である最上層の板片CP1がコンタクトプレート34の上面を形成し、1層当たりの個数および領域(面積)が最大である最下層の板片CP6がコンタクトプレート34の下面を形成する。
動特性検査において、接触子44は、コンタクトプレート34内のいずれかの位置で最下層つまり第6層の板片CP6に接触する。そして、接触子44よりコンタクトプレート34の下面に入った電流iは、第5層の板片CP5、第4層の板片CP4、第3層の板片CP3、第2層の板片CP2A、T型板片CP2Bおよび第1層の板片CP1の順に流れて各所で分流または合流を行いながら、上面プレート端子38に辿り着く。
このように多層構造の板片複合体からなるコンタクトプレート34においては、接触子44が上面プレート端子38から離れているほど、接触子44から上面プレート端子38に向かう電流が広い領域で細かく分流し、次第に大きな合流を形成するので、コンタクトプレート34上の各位置で均一化されたインピーダンスが得られる。

[コンタクトプレート以外の他の実施形態又は変形例]
本発明のプローブ装置においては、コンタクトプレート34以外の部分でも他の実施例または変形例が可能である。
たとえば、上記実施形態においては、上述したように、第1の測定ラインにおいては、プローブ針24G,24Eの基端とテストヘッド20の対応する端子32G,32Eとが、鉛直方向で真正面に向かい合い、プローブカード16の接続導体26G,26Eを介して最短距離で電気的に接続されている。また、第2の測定ラインにおいては、コンタクトプレート34のプレート上面端子38とテストヘッド20の対応する端子32Cとが、鉛直方向で真正面に向かい合い、プローブカードホルダ18の貫通孔42を電気的に非接触で貫通する棒状(またはブロック状)の接続導体40を介して最短距離で電気的に接続されている。
しかし、インピーダンスの増加を伴うが、たとえば第1の測定ラインにおいて、プローブ針24G,24Eの基端とテストヘッド20の対応する端子32G,32Eとの間に介在する接続導体として、プローブカード16の上記単体の接続導体26G,26Eを複合的な接続導体、あるいは被直線的な接続導体に変更することや、電気ケーブルを用いることも可能である。同様に、第2の測定ラインにおいて、コンタクトプレート34のプレート上面端子38とテストヘッド20の対応する端子32Cとの間に介在する接続導体として、単体の接続導体40を複合的な接続導体、あるいは被直線的な接続導体に変更することや、電気ケーブルを用いることも可能である。
また、コンタクトプレート34は、上記実施形態のような2分割タイプのものに限定されない。たとえば、プローブ針と干渉しないようにその全周囲に延びる一体型または単体のコンタクトプレートであってもよい。接触子44も、上記実施形態のようなプロープピンに限定されず、たとえば上記特許文献1に開示されるようなミアンダ型または揺動型のものも使用可能である。上記実施形態におけるプローブ装置は、上記のような動特性の検査に限らず、静特性の検査にも使用できるのは勿論である。
12 載置台
14 移動ステージ
16 プローブカード
18 プローブカードホルダ
20 テストヘッド
22 載置面導体
24G,24E プローブ針
26G,26E 接続導体
32G,32E,32C テストヘッドの端子
34 コンタクトプレート
38 プレート上面端子
40 接続導体
44 接触子
46 ハードワイヤ
50 透かし部(開口部)
52 非透かし部(骨格部)
50' 肉薄部
52' 肉厚部
54 凹凸面
CP1,CP2,CP3,CP4,CP5,CP6 板片

Claims (16)

  1. 被検査基板上に形成され前記基板の両面に電極を有するパワーデバイスの電気的特性を検査するためのプローブ装置であって、
    前記基板を載せて支持する移動可能な載置台と、
    前記載置台と向かい合ってその上方に配置され、前記載置台に支持されている前記基板のおもて面に露出している前記パワーデバイスのおもて側電極にその先端にて接触可能なプローブ針を支持するプローブカードと、
    前記プローブ針とテスタの対応する第1の端子とを電気的に繋ぐ第1の接続導体と、
    前記載置台の載置面を形成し、前記載置台に支持されている前記基板の裏面に露出している前記パワーデバイスの裏側電極と接触する載置面導体と、
    前記載置台に取り付けられ、前記載置面導体に電気的に接続されている昇降移動可能な接触子と、
    前記プローブカードよりも低い位置で前記載置台の上方に配置され、その下面にて前記接触子と接触可能な導電性のコンタクトプレートと、
    前記コンタクトプレートと前記テスタの対応する第2の端子とを電気的に繋ぐ第2の接続導体と
    を有し、
    前記コンタクトプレートが、網状に広がって、または枝状に分かれて延びる信号伝送路を有する、プローブ装置。
  2. 前記コンタクトプレートの上面に、前記第2の接続導体に接続されるプレート上面端子が設けられ、
    前記コンタクトプレート上で、前記信号伝送路の任意の箇所が前記プレート上面端子に電気的に通じている、
    請求項1に記載のプローブ装置。
  3. 前記プレート上面端子は、前記コンタクトプレートの中央部に設けられる、請求項2に記載のプローブ装置。
  4. 前記コンタクトプレートの前記プレート上面端子と前記テスタの前記第2の端子とは、鉛直方向で真正面に向かい合い、前記第2の接続導体は鉛直方向にまっすぐ延びる、請求項2または請求項3に記載のプローブ装置。
  5. 前記第2の接続導体は、前記プローブカードを支持するために前記プローブカードの周辺に延びているプローブカードホルダに形成されている第2の貫通孔を貫通して鉛直方向にまっすぐ延びる、請求項4に記載のプローブ装置。
  6. 前記第2の接続導体は、その上端にて前記テスタの前記第2の端子と着脱可能に直に接触する、請求項4または請求項5に記載のプローブ装置。
  7. 前記コンタクトプレートはメッシュ構造を有し、そのメッシュ構造の非透かし部が前記信号伝送路を形成する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプローブ装置。
  8. 前記コンタクトプレートは、透かし部が格子状に分布するメッシュ構造を有する、請求項7に記載のプローブ装置。
  9. 前記コンタクトプレートは、前記プレート上面端子を中心としてその周りに透かし部が放射状に分布するメッシュ構造を有し、そのメッシュ構造の非透かし部が前記信号伝送路を形成する、請求項2〜6のいずれか一項に記載のプローブ装置。
  10. 前記コンタクトプレートは、肉薄部および肉厚部をメッシュの透かし部および非透かし部にそれぞれ対応させて配置する繰り返し模様の凹凸面を有し、前記肉厚部が前記信号伝送路を形成する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプローブ装置。
  11. 前記コンタクトプレートは、前記信号伝送路を構成する多数の板片が多層構造で分岐している板片複合体を有し、
    上層から下層にいくほど、前記板片の一層当たりの個数が増して、前記板片の一層内に分布する領域が拡大するとともに、前記板片の一個当たりの面積が減少する、
    請求項1〜6のいずれか一項に記載のプローブ装置。
  12. 前記板片複合体の多層構造において、最上層以外の各層に含まれる各々の前記板片は、前記コンタクトプレートの面内で第1の方向に直線状に延びる第1の長尺状板片部と、前記第1の長尺状板片部の一端または両端から前記第1の方向と交差する第2の方向に直線状に延びる第2の長尺状板片部とを有する、請求項11に記載のプローブ装置。
  13. 前記第1の長尺状板片部の中心部が、当該層の1つ上の層に含まれるいずれか1つの前記板片の一端部に接続される、請求項12に記載のプローブ装置。
  14. 前記プローブ針の基端と前記テスタの前記第1の端子とは鉛直方向で真正面に向かい合い、前記第1の接続導体は鉛直方向にまっすぐ延びる、請求項1〜13のいずれか一項に記載のプローブ装置。
  15. 前記第1の接続導体の少なくとも一部は、前記プローブカードに形成されている第1の貫通孔に取り付けられている、請求項14に記載のプローブ装置。
  16. 前記第1の接続導体は、その上端にて前記テスタの前記第1の端子と着脱可能に直に接触する、請求項14または請求項15に記載のプローブ装置。
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