JP5929612B2 - 半導体装置の測定方法、測定器 - Google Patents
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Description
に取り付けられた接続部までの抵抗値であるステージ抵抗値を取得し、該ステージ抵抗値
を評価部へ伝送する工程と、該ステージの上面に半導体装置の裏面を接触させ、該半導体
装置の上面にプローブをあてる工程と、該評価部が、該プローブから該半導体装置、該ス
テージ、及び該接続部を経由して該評価部に至る経路に電流を流して該半導体装置の測定
結果を取得する工程と、該評価部が、該ステージ抵抗値の該測定結果への影響を排除する
ように該測定結果を修正した修正測定結果を演算する工程と、を備え、該ステージ抵抗値は、該ステージの上面上の異なる位置で複数取得し、該測定結果は、該ステージの上面上の異なる位置で複数取得し、該修正測定結果の演算は、該測定結果の得られた該ステージ上の位置における該ステージ抵抗値を用いて行うことを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る測定器を示す図である。測定器10は、プローブカード12を備えている。プローブカード12の下面にはプローブ14が固定されている。プローブ14は、大電流に対応できるようにプローブカード12に複数固定されている。複数のプローブ14のそれぞれに流れる電流が略一致するようにしておくことが好ましい。プローブカード12の上面にはプローブカード接続部16が取り付けられている。プローブカード接続部16はプローブ14と電気的に接続されている。
修正測定結果=測定結果−(ステージ抵抗値×バイアス電流)・・・数式1
数式1に基づく修正測定結果の演算では、「ステージ抵抗値」を取得した場所の座標と「測定結果」を取得した場所の座標が一致する。このような修正測定結果の算出は、ステージ抵抗値を測定した場所ごとに実施する。最後に、評価部28の出力部28dが、修正測定結果を外部に出力する。
本発明の実施の形態2に係る半導体装置の測定方法、及び測定器は、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図7は、本発明の実施の形態2に係る測定器を示す図である。プローブカード12には抵抗測定用プローブ60が取り付けられている。本発明の実施の形態2に係る測定器は、抵抗測定用プローブ60を用いてステージ抵抗値を測定することを特徴とする。
本発明の実施の形態3に係る半導体装置の測定方法、及び測定器は、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図8は、本発明の実施の形態3に係る測定器を示す図である。ステージ18の側面には端子70aが取り付けられている。本発明の実施の形態3に係る測定器は、ステージ18に取り付けられた端子を用いてステージ抵抗値を測定することを特徴とする。
本発明の実施の形態4に係る半導体装置の測定方法、及び測定器は、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図10は、本発明の実施の形態4に係る測定器を示す図である。ステージ18の側面には温度センサー80が取り付けられている。本発明の実施の形態4に係る測定器は、温度センサー80で得たステージ18の温度を利用してステージ抵抗値を修正することを特徴とする。
ステージ抵抗値=第1温度におけるステージ抵抗値+変化分・・・数式2
このステージ抵抗値は、測定結果が得られた場所ごとに生成する。次いで、ステップ94で生成したステージ抵抗値を利用して修正測定結果を算出する(ステップ96)。
Claims (9)
- ステージの上面の所定位置から前記ステージに取り付けられた接続部までの抵抗値であるステージ抵抗値を取得し、前記ステージ抵抗値を評価部へ伝送する工程と、
前記ステージの上面に半導体装置の裏面を接触させ、前記半導体装置の上面にプローブをあてる工程と、
前記評価部が、前記プローブから前記半導体装置、前記ステージ、及び前記接続部を経由して前記評価部に至る経路に電流を流して前記半導体装置の測定結果を取得する工程と、
前記評価部が、前記ステージ抵抗値の前記測定結果への影響を排除するように前記測定結果を修正した修正測定結果を演算する工程と、を備え、
前記ステージ抵抗値は、前記ステージの上面上の異なる位置で複数取得し、
前記測定結果は、前記ステージの上面上の異なる位置で複数取得し、
前記修正測定結果の演算は、前記測定結果の得られた前記ステージ上の位置における前記ステージ抵抗値を用いて行うことを特徴とする半導体装置の測定方法。 - 前記プローブを前記半導体装置の上面にあてる位置は、前記所定位置の直上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の測定方法。
- 前記ステージ抵抗値は、前記プローブを前記ステージにあてて、前記プローブと前記接続部の間に電流を流して取得することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の測定方法。
- 前記ステージ抵抗値は、抵抗測定用プローブを前記ステージにあてて、前記抵抗測定用プローブと前記接続部の間に電流を流して取得することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の測定方法。
- 前記ステージ抵抗値は、前記ステージに取り付けられた端子と前記接続部の間に電流を流して取得することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の測定方法。
- 前記ステージ抵抗値は前記ステージが第1温度のときに測定し、
前記測定結果は、前記ステージを前記第1温度と異なる第2温度とした状態で取得し、
前記評価部は、前記ステージの温度を前記第1温度から前記第2温度へ変化させたときの前記ステージ抵抗値の変化分を、前記ステージ抵抗値に付加したステージ抵抗値を生成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の測定方法。 - ステージの上面の所定位置から前記ステージに取り付けられた接続部までの抵抗値であるステージ抵抗値を取得し、前記ステージ抵抗値を評価部へ伝送する工程と、
前記ステージの上面に半導体装置の裏面を接触させ、前記半導体装置の上面にプローブをあてる工程と、
前記評価部が、前記プローブから前記半導体装置、前記ステージ、及び前記接続部を経由して前記評価部に至る経路に電流を流して前記半導体装置の測定結果を取得する工程と、
前記評価部が、前記ステージ抵抗値の前記測定結果への影響を排除するように前記測定結果を修正した修正測定結果を演算する工程と、を備え、
前記ステージ抵抗値は、前記プローブを前記ステージにあてて、前記プローブと前記接続部の間に電流を流して取得することを特徴とする半導体装置の測定方法。 - プローブカードに固定されたプローブと、
導電材で形成されたステージと、
前記ステージに取り付けされた接続部と、
前記プローブ及び前記接続部と接続され、前記ステージの上面の所定位置から前記接続部までの抵抗値であるステージ抵抗値を取得する評価部と、を備え、
前記評価部は、前記プローブから、前記ステージの上面にのせられた半導体装置、前記ステージ、及び前記接続部を経由する経路に電流を流して得られた測定結果を、前記ステージ抵抗値の影響を排除するように修正し、
前記プローブカードに取り付けられた抵抗測定用プローブを備え、
前記抵抗測定用プローブの先端は前記ステージと面接触可能な形状であり、
前記抵抗測定用プローブは、前記プローブカードから取り外し可能又は折りたたみ可能となっていることを特徴とする測定器。 - プローブカードに固定されたプローブと、
導電材で形成されたステージと、
前記ステージに取り付けされた接続部と、
前記プローブ及び前記接続部と接続され、前記ステージの上面の所定位置から前記接続部までの抵抗値であるステージ抵抗値を取得する評価部と、を備え、
前記評価部は、前記プローブから、前記ステージの上面にのせられた半導体装置、前記ステージ、及び前記接続部を経由する経路に電流を流して得られた測定結果を、前記ステージ抵抗値の影響を排除するように修正し、
前記ステージに取り付けられた端子と、
前記端子と前記評価部を接続する信号線と、を備え、
前記評価部は、前記端子と前記接続部の間に電流を流して前記ステージ抵抗値を取得することを特徴とする測定器。
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