JP6318911B2 - 半導体素子の検査回路および検査方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1に示されるように、電源1には、DUT2、保護素子3としての保護ダイオード素子3a、スイッチ4としてのスイッチング素子4aが直列に接続されている。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してDUT2、保護ダイオード素子3a、スイッチング素子4aの配列を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対してDUT2、保護素子3、スイッチ4の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2a ダイオード素子
3 保護素子
3a 保護ダイオード素子
4 スイッチ
4a スイッチング素子
5 コイル
Claims (3)
- ダイオード素子(2a)を有する検査対象としての半導体素子(2)と、
前記半導体素子に対して直列に接続され、前記ダイオード素子よりも破壊耐量が大きい保護ダイオード素子(3a)を有する保護素子(3)と、
前記半導体素子および前記保護素子と直列に接続されたスイッチング素子(4a)を有するスイッチ(4)と、
前記スイッチング素子がオフされているとき、前記半導体素子および前記保護素子と共にループ経路を構成するコイル(5)と、を備えていることを特徴とする半導体素子の検査回路。 - 前記保護ダイオード素子は、前記ダイオード素子のリカバリ電流のピーク値に対する当該保護ダイオード素子のリカバリ電流のピーク値の比が2以上とされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の検査回路。
- ダイオード素子(2a)を有する検査対象としての半導体素子(2)を検査する半導体素子の検査方法において、
前記ダイオード素子よりも破壊耐量が大きい保護ダイオード素子(3a)を有する保護素子(3)およびスイッチング素子(4a)を有するスイッチ(4)を前記半導体素子と直列に接続されるように配置すると共に、前記スイッチング素子をオフしたときに、前記半導体素子および前記保護素子と共にループ経路を構成するようにコイル(5)を配置し、
前記スイッチング素子のオン、オフを繰り返し行うことにより、前記半導体素子の検査を行うことを特徴とする半導体素子の検査方法。
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