JP5185829B2 - 希土類活性化アルミニウム窒化物粉末およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2006年1月31日出願の米国仮出願番号60/763,689の利益を請求する。本願は、2005年8月2日出願の同時継続出願である米国出願第11/161、403号の一部継続出願であり、その出願は、2004年8月13日出願の米国出願第60/601,382号の非仮出願である。これらの内容は、本願に参照をもって開示されたものとする。
本発明は、DOEによって授与されたDE−FC26−04NT42274のもとでの政府支援によって成された。
本発明は発光ダイオード(LED)、より具体的には白色光発光する発光ダイオードに関する。
固体照明は白色光の生成にいくつかの方法を使用する。混色法では、赤色、緑色、青色の単色LEDからの発光を組み合わせて白色光を生成している。各単色LED光源は高い内部量子効率を有しているため、そのような素子では比較的高いルーメンパーワットの白色光が生成される。しかしながら、3つのLEDに必要とされる空間が厄介であり、それらを一緒に設置するようにパッケージングすることは煩わしい。波長変換法は、紫外(UV)発光LEDを使用し、UV光(一般的に約380nmから420nm)を生成しており、その光はUV光によって励起される3色混合の蛍光体システムを用いて白色光に変換される。これは既知の水銀放電蛍光灯内で白色光を生成する様式と類似している。しかしながら、多くの従来のフォトルミネッセンス蛍光体は、水銀の放電で発光する254nmの放射光による励起用に最適化され、LEDの長い波長のUV放射光用には最適化されていない。UV発光LEDを使用するためのすべての領域の蛍光体を開発するには、さらなる取り組みが必要である。3番目の方法は、青色発光がGaInN LEDによって得られ、青色発光の一部分が蛍光体によって相補発光に変換される混合型である。本設計に基づく白色光源は、広帯域発光体、特にセリウム活性化イットリウム・アルミニウム・ガーネット、Y3Al5O12:Ce3+ (YAG:Ce3+)を用いて開発されている。本設計では、380nmでの高エネルギーUVフォトンが、可視フォトンに変換されることに関連する、大きなストークスシフトが避けられる。受動層として知られる第二の半導体層を用いた類似の設計が提案されており、それは部分的に450nmのInGaNの発光をInGaP合金により620nm付近の赤色フォトンに変換する。これは本質的には、活性層としてのInGaNと受動層としてのInGaPとの2層ヘテロ接合構造であり、InGaPは蛍光体として働く。
好ましい実施態様において、米国特許出願公開番号2005/0253162に、窒化物ベースの発光ダイオード(LED)を用いた白色光の生成方法が記載されており、ここでは1つあるいは複数の窒化物ベースの層に、適したルミネッセントイオンがドープされる。そのような固体光源では、順方向バイアス下で本領域に導入された電子とホールの再結合によって生成された光を変換するために蛍光体の外部塗布を必要としない。さらには、フォトンの放射効率は蛍光体を用いたバンド端発光の白色光への変換と比べて高く、その理由は活性化イオンでの電子-ホール(e−h)対の再結合で放出されたフォトンが著しくストークスシフトしているためである。それらのフォトンの有するエネルギーは、吸収係数の低いホスト材料のバンドギャップよりも遙かに低い。窒化物内で生成されたフォトンは、材料の誘電率が高く、内部で全反射するために、材料内での閉じこめ時間が長い。バンド端付近で発光が生じるとき、励起子あるいはホスト発光の場合のように、発光されたフォトンのごく一部だけが、再吸収によって窒化物ホストを抜け出せる。これは、励起子あるいはホスト発光によって窒化物層で発光されたフォトンの抽出係数が低いことの原因と考えられている。しかしながら、希土類元素イオンからの発光は、バンドギャップよりも遙かに低いエネルギーで起きる可能性がある。ゆえに、内部での全反射による残留時間の長さにもかかわらず、それらのフォトンは素子から抜け出す可能性が高く、固体光源の全体としての効率は向上すると考えられる。
前記方法におけるフッ化物前駆体の使用により、窒化物粉末合成において欠陥の主な要因である最終のアンモニア分解段階での酸素源を避けることができる。さらには、アルミニウム窒化物は混合水酸化物の共沈物から形成されるため、表面のドーパント濃度のほうが高いと考えられるAlN薄膜のドーピングのためのイオン注入と比べて、前記粉末中のドーパントの分布は粒子内において実質的に均一である。
(a) アルミニウムと希土類金属を含有する水性混合物を形成し、
(b) アルミニウムと前記希土類金属の混合水酸化物を沈殿させ、
(c) 前記混合水酸化物とフッ化アンモニウムとを反応させてアルミニウムと希土類金属のフッ化物化合物を形成し、
(d) 前記フッ化物化合物を乾燥させ、
(e) 前記の乾燥させたフッ化物化合物とアンモニアガスとを反応させて前記希土類活性化アルミニウム窒化物を形成させることを含む方法が提供される。
希土類のドーパントが各粒子内に実質的に均一に分布しているアルミニウム窒化物の粒子を含む希土類活性化アルミニウム窒化物粉末が提供される。好ましくは、希土類ドーパントはDy、Tb、Eu、Tm、Ho、Sm、Er、Nd、Pr、Gdおよびそれらの組み合わせから選択される。より好ましくは、前記希土類ドーパントはTb、Eu、Tm、Dyおよびそれらの組み合わせから選択される。前記材料群は、フォトルミネッセンス特性を示し、窒化物ベースのLEDの製造、好ましくは白色光の生成に用いられてもよい。
図1はノンドープAlNと比較したAlN:Dyの室温フォトルミネッセンス(PL)スペクトルである。
本発明を、その更なる他の目的、利点および特性と共により良く理解するために、以下の開示及び特許請求の範囲を、前記の図面と一緒に参照されたい。
AlN:Dy (Dy 1原子濃度)粉末試料を下記の工程によって合成した。第一の段階では(式4)、アルミニウムとジスプロシウムの硝酸塩を脱イオン水に溶解する。次いで、そこに所要量の水酸化アンモニウムを添加し、アルミニウム-ジスプロシウムの水酸化物から成る半固形のゲルが形成させ、それを濾過によって分離する。前記の水酸化物を、次に前記濾液のpHに変化がなくなるまで脱イオン水ですすぐ。
上記で論じられたAlN:Dy試料と同様に、AlN:Tm粉末試料を合成した。ツリウム窒化物、Tm(NO3)3をDy(NO3)3の代わりに用いた。図3に、同様の方法により製造した、ノンドープAlNと比較したAlN:Tm試料の室温PLスペクトルを示す。励起波長は250nmである。図3に示されるように、Tm3+の光学遷移が明確に観察される。Tm3+遷移の特定は、薄膜AlN:Tmに関する文献(J.B.Gruber, U.Vetter, H.Hofsaess, B Zandi, and M.F.Reid, Phys.Rev.B.70,245108(2004))と、YVO4:Tm(H.Zhang, Solid State Commun. 132,527(2004))粉末試料のデータとの対比によって行われた。これらの結果は、合成された粉末試料において、Tmドーパントが3価の状態で光学的に活性であることを示している。TmドープのAlN試料では、ノンドープのAlNと比較して、欠陥による発光は効果的に消滅されていることは注目されるべきである。
上記で論じられたAlN:Dy試料と同様に、AlN:Tb粉末試料を合成した。テルビウム窒化物、Tb(NO3)3をDy(NO3)3の代わりに用いた。
a) Tbに関連する発光
図7は同様の方法で作製されたノンドープAlNと比較した波長領域300から600nmでのAlN:Tb,Euの室温PLスペクトルを示す。励起波長は250nmである。図7に示されるように、Tb3+に関連する光学遷移が明確に観察される。前記の300から600nmの間のスペクトルは、Tb3+の内部配向f−f殻遷移によって決定される。TbドープのAlN試料では、ノンドープのAlNと比較して、欠陥による発光は効果的に消滅されていることは注目されるべきである。
AlN:Tb,Euでは、Eu3+イオンの強いルミネッセンス特性も観察される。図8は同様の方法で作製されたノンドープAlNと比較した波長領域580から750nmでのAlN:Tb,Eu試料の室温PLスペクトルを示す。励起波長は250nmである。図8に示されるように、Eu3+に関連する光学遷移が明確に観察される。Eu3+遷移の特定は、LaF3:Eu単結晶に関する文献(W.T.Carnall, G.L.Goodman, K.Rajnak, and R.S.Rana, J.Chem.Phys. 90,3443 (1989))のデータとの対比によって行われた。Euイオンは3価の状態で光学的に活性である。ノンドープのAlNと比較して、欠陥による発光は効果的に消滅されていることは注目されるべきである。5D0- 7F2 f−f遷移による610nm付近の赤色発光は、固体光源用途における赤色発光体として前記材料を適用するのに有用であろう。
図10にAlN:Eu粉末試料の室温PLスペクトルを示す。励起波長は250nm(実線)と464nm(破線)に固定された。議論された他の試料と対比して、欠陥状態からの発光が250nm励起で極めて強く現れている。それにもかかわらず、550nmから700nmのスペクトル領域で、f−マニフォールド内での鋭い多重項遷移が観察される。基底準位7F0から励起準位5D2への転移に対応する464nmでのEu3+の直接励起では、AlN内のEu3+のわかりやすく明確なスペクトルが、欠陥による発光がほとんどない状態で得られる。
Claims (16)
- 希土類活性化アルミニウム窒化物の製造方法において、
(a) アルミニウムと希土類金属を含有する水性混合物を形成し、
(b) アルミニウムと前記希土類金属の混合水酸化物を沈殿させ、
(c) 前記混合水酸化物とフッ化アンモニウムとを反応させてアルミニウムと希土類金属のフッ化物化合物を形成させ、
(d) 前記フッ化物化合物を乾燥し、
(e) 前記の乾燥されたフッ化物化合物とアンモニアガスとを反応させて前記希土類活性化アルミニウム窒化物を形成させることを含む方法。 - 希土類金属がDy、Tb、Eu、Tm、Ho、Sm、Er、Nd、Pr、Gdおよびそれらの組み合わせから選択される請求項1に記載の方法。
- 希土類金属がDy、Tb、Eu、Tmおよびそれらの組み合わせから選択される請求項1に記載の方法。
- 水性混合物がアルミニウム硝酸塩と希土類金属の硝酸塩の溶解によって形成される請求項1に記載の方法。
- 混合水酸化物を、水酸化アンモニウムの水性混合物への添加により沈殿させる請求項4に記載の方法。
- 混合水酸化物を、80℃で化学量論的過剰なフッ化アンモニウムと反応させる請求項1に記載の方法。
- フッ化物化合物を900℃でアンモニアガスと反応させる請求項1に記載の方法。
- フッ化物化合物が6フッ化物化合物である請求項1に記載の方法。
- 混合水酸化物を、濾過して濾液を生成し、前記濾液のpHに変化がなくなるまですすぐ請求項1に記載の方法。
- 希土類活性化アルミニウム窒化物の製造方法において、
(a) アルミニウム硝酸塩と希土類金属の硝酸塩の溶解によって水性混合物を形成させ、
(b) 水酸化アンモニウムの前記水性混合物への添加によって、アルミニウムと希土類金属の混合水酸化物を沈殿させ、
(c) 高められた温度で、前記混合水酸化物と化学量論的過剰なフッ化アンモニウムとを反応させて、アルミニウムと希土類金属の6フッ化物化合物を形成させ
(d) 前記6フッ化物化合物を乾燥させ、
(e) 前記の乾燥させた6フッ化物化合物とアンモニアガスとを反応させて、前記希土類活性化アルミニウム窒化物を形成させることを含む方法。 - 希土類金属がDy、Tb、Eu、Tm、Ho、Sm、Er、Nd、Pr、Gdおよびそれらの組み合わせから選択される請求項10に記載の方法。
- 希土類金属がDy、Tb、Eu、Tmおよびそれらの組み合わせから選択される請求項10に記載の方法。
- 6フッ化物化合物を900℃でアンモニアガスと反応させる請求項10に記載の方法。
- 混合水酸化物を過剰なフッ化アンモニウムと80℃で反応させる請求項13に記載の方法。
- 希土類金属が、Dy、Tb、Eu、Tmおよびそれらの組み合わせから選択される請求項14に記載の方法。
- 混合水酸化物を濾過して濾液を生成させ、そして濾液のpHに変化がなくなるまですすぐ請求項10に記載の方法。
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