JPH08290969A - 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法並びに窒化アルミニウム回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 ＩＣの絶縁基板、パッケージ材料などに使用
される窒化アルミニウム焼結体の提供。 【構成】 窒化アルミニウムに希土類酸化物、アルカリ
土類酸化物のいずれかを含有し、その酸化物の元素をＭ
としたとき、ｍＭＯ・ｎＡｌ₂Ｏ₃で表わされる焼結体中
の生成物においてｎ／ｍが１／２以上の生成物だけから
なり、この生成物の焼結体内の体積分率が０．０１〜
２．５ｖｏｌ％の範囲で、１〜２０ＧＨｚ全域の誘電率
が９．０以下、かつ誘電損失が０．０１５以下であるも
の、又、かかる焼結体を用いた回路基板、さらには金属
不純物０．１ｗｔ％以下の窒化アルミニウム粉末に希土
類酸化物、アルカリ土類酸化物のいずれかを０．０１〜
１．５％混合し、成形し、非酸化物雰囲気中で１５００
〜２１００℃で焼結する製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はＩＣの絶縁基板材料、
パッケージ材料などに使用される窒化アルミニウム焼結
体に関し、特に高熱伝導性を有し、マイクロ波帯などの
高周波帯での誘電率、誘電損失が低い窒化アルミニウム
焼結体並びにそれを用いた回路基板に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、大規模集積回路装置（ＬＳＩ）の
高集積化、高密度化の進歩は目覚ましく、これに伴いＬ
ＳＩが搭載されるパッケージ単位の発熱量が増大してい
る。このため半導体装置用パッケージなどに用いられる
基板材料の放熱性が重要視されるようになってきた。基
板材料として従来はアルミナ焼結体が広く用いられてき
たが、アルミナの熱伝導率では放熱性が充分ではなくＬ
ＳＩチップの発熱量の増大に対応できなくなっている。
このため高熱伝導性を有するベリリア（ＢｅＯ）が検討
されているが、毒性が強いため取扱いが困難であるとい
う欠点を有する。これに対して窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）焼結体は高熱伝導性、高絶縁性を有し、毒性もない
ため半導体装置用の回路基板材料、あるいはパッケージ
材料として注目を集めている。ところが窒化アルミニウ
ムは本来難焼結性であり、加圧焼結によって単体での焼
結体は得られるが高熱伝導性を有する高密度焼結体は得
られないことから、焼結助剤を添加して高熱伝導性の高
密度焼結体を得る方法が採用されている。焼結助剤とし
ては希土類元素、アルカリ土類元素などの酸化物が用い
られている。

【０００３】一方、ＬＳＩの発熱量増加の動向は、一般
的にコンピュータに代表される情報処理装置で顕著であ
るが、その他にも通信機器分野、特にマイクロ波と呼ば
れる１ＧＨｚ（１×１０⁹Ｈｚ）以上の周波数帯を用い
る通信機器分野でも大きな問題となっている。この分野
において基板材料に求められる特性は、放熱性、絶縁性
が高いことだけでなく、マイクロ波信号を最小の損失で
伝送するために誘電率、誘電損失（ｔａｎδ）が低いこ
とが要求される。従来は基板材料としてアルミナを用い
てきたが、アルミナにおいて絶縁性、誘電率、誘電損失
という電気特性の点では問題はないものの、前述のよう
に放熱性が充分でないことが重要な問題となってきた。
ところがＡｌＮのマイクロ波帯での誘電率、誘電損失を
低減した基板は今まで検討されていないのが現状であ
る。例えば特開平４−２７５９８１、特開平４−２８５
０７３には誘電率、誘電損失を低く抑えて低温焼結を得
る方法が開示されているが、対象となる周波数はたかだ
か１ＭＨｚ（１×１０⁶Ｈｚ）であり、マイクロ波帯で
の検討は成されていない。１ＭＨｚでは波長が数ｍなの
に対して、マイクロ波帯では波長が数ｃｍと回路基板や
パッケージ寸法と同じオーダーの長さとなり、回路基板
材料やパッケージ材料に求められる誘電率、誘電損失も
より厳しいものとなる。また、誘電率、誘電損失の１Ｍ
Ｈｚでの測定値と１ＧＨｚの測定値は一般的に異なって
おり、１ＭＨｚでの測定値の良否はマイクロ波帯での特
性の良否と関係が無い。また、特開昭６３−１６６７６
４、特開昭６３−２３３０８１にも誘電損失の測定の記
録があるが１ＭＨｚでの測定であり同様にマイクロ波帯
での検討は成されていない。特開平４−１４４９６７に
は誘電率を積極的に低減させる方法が提案されている
が、これも１ＭＨｚでの測定であり同様にマイクロ波帯
での検討は成されていない。特開平２−２６８７２では
マイクロ波透過用窓材としてＡｌＮを使用することを提
案し、誘電率が１０以下、誘電損失が０．００１以下の
ものが望ましいと記されているが、測定した周波数が明
記されておらず、また誘電率、誘電損失を低減させる方
法について何ら教示も示唆もされていない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】希土類元素、アルカリ
土類元素などの酸化物を焼結助剤として添加した窒化ア
ルミニウム焼結体のマイクロ波帯における誘電率や誘電
損失は、焼結助剤を添加せず加圧焼結にて得られた焼結
体より高い値を取る。これは焼結助剤として添加される
化合物（アルカリ土類、希土類元素の酸化物）と窒化ア
ルミニウム中に存在するアルミナとが焼結過程において
反応し、これにより生じた生成物が高い誘電率、誘電損
失を有することに起因する。一方、焼結助剤を添加しな
い窒化アルミニウムの誘電率、誘電損失は我々の測定で
は１〜２０ＧＨｚにおいて誘電率８．５〜８．６、誘電
損失の最大値が０．０１であり、現状マイクロ波帯の基
板として用いられているアルミナの誘電率１０、誘電損
失の最大値が０．０１と同程度の値となり、マイクロ波
帯用基板として充分使用できることを示唆している。た
だし、助剤無添加の窒化アルミニウムの熱伝導率は５０
〜６０Ｗ／ｍＫであり、１２０Ｗ／ｍＫ以上の高い熱伝
導率を有する窒化アルミニウムの焼結体を得ることがで
きない。よって、この発明の目的は１〜２０ＧＨｚとい
うマイクロ波帯において低い誘電率、誘電損失を有する
とともに、高い熱伝導率をも備えた窒化アルミニウム焼
結体及び基板及び多層基板及びパッケージを提供するこ
とにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題に
対して検討を重ねた結果、焼結助剤無添加の窒化アルミ
ニウムに比べて、焼結助剤を添加した窒化アルミニウム
焼結体の誘電率、誘電損失が上昇する割合は、焼結体中
の焼結助剤と窒化アルミニウム中に存在するアルミナと
が焼結過程において反応し生じた生成物の種類、及び生
成物の焼結体中における体積分率とに大きく関係するこ
とを見出した。また、焼結助剤を添加した窒化アルミニ
ウム焼結体の誘電損失についてはマイクロ波帯で周波数
依存性が顕著であり、一般的に１〜５ＧＨｚで極大とな
り、その値は０．０２を越えるが、その値を０．０１５
以下に抑えることにより、１〜２０ＧＨｚ中での極大と
なる周波数以外における誘電損失を０．０１以下に抑え
ることができること、さらにこの誘電損失特性を実現
し、かつ誘電率を９．０以下に抑えることにより、アル
ミナ焼結体と同等の電気特性を有することを見出した。
すなわち、本発明の窒化アルミニウム焼結体は、焼結助
剤として希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物の少な
くともいずれかを含有し、この元素をＭとした時、ｍＭ
Ｏ・ｎＡｌ₂Ｏ₃（ｍ，ｎは整数）で表わされる焼結体中
の生成物においてｎ／ｍの値が１／２以上の生成物だけ
からなり、この生成物の焼結体内の体積分率が０．０１
〜２．５ｖｏｌ％、好ましくは０．０１〜２．０ｖｏｌ
％であり、焼結体の室温における１〜２０ＧＨｚ全域に
わたっての誘電率が９．０以下、誘電損失が０．０１５
以下であることを特徴とするものである。又、本発明は
かかる焼結体の表面および内部の少なくともいずれかに
同時焼成により導電層を形成した基板である。

【０００６】以下、本発明を詳述する。本発明の焼結体
は焼結助剤として少なくともアルカリ土類か希土類元素
のいずれかからなる酸化物を含有する。これらの焼結助
剤は焼結過程において、窒化アルミニウム中に存在する
アルミナと反応し、アルカリ土類元素及び希土類元素を
Ｍとした時に、ｍＭＯ・ｎＡｌ₂Ｏ₃（ｍ，ｎは整数）で
表わされる複合酸化物を生成する。本発明によればｍＭ
Ｏ・ｎＡｌ₂Ｏ₃（ｍ，ｎは整数）でｎ／ｍの値が小さく
なると、同じ体積分率の生成物であってもＡｌＮ焼結体
の誘電損失が悪化する現象が認められ、ｎ／ｍが１／２
より小さくなると、マイクロ波での電気特性が著しく悪
化するため、ｎ／ｍを１／２以上に制御し、かつ、この
焼結体内に生成された複合酸化物の体積分率が２．５ｖ
ｏｌ％以下になるように制御することにより、マイクロ
波における誘電損失が改善できる。ただし、０．０１ｖ
ｏｌ％より少ないと系の焼結性が著しく低下し緻密化が
達成されない。また、複合酸化物のｎ／ｍは焼結炉の形
態の違いなどによる焼結中の雰囲気の変化で容易に変化
し、酸化物の一部分のｎ／ｍが１／２より小さくなるこ
とがある。この現象は複合酸化物が２．０ｖｏｌ％以上
になると顕著になるため、窒化アルミニウム焼結体中の
複合酸化物は好ましくは０．０１〜２．０ｖｏｌ％が望
ましい。

【０００７】一方、誘電率については誘電損失ほどの悪
化は認められず、誘電損失を０．０１５以下にできる上
記の生成物の体積分率、すなわち０．０１〜２．５ｖｏ
ｌ％であれば、充分に誘電率を９．０以下にすることが
でき、実際には０．０１〜４．０ｖｏｌ％の範囲で誘電
率を９．０以下にすることができる。次に本発明の窒化
アルミニウム焼結体の作成方法について説明する。ま
ず、窒化アルミニウム原料粉末としては、直接窒化法、
アルミナ還元法など公知の方法で製造したもので、金属
不純物含有量が０．１ｗｔ％以下の粉末を用いる。不純
物含有量が０．１ｗｔ％を越えると焼結体のマイクロ波
における電気特性が著しく低下する。

【０００８】焼結助剤としては希土類元素かアルカリ土
類元素の少なくともいずれかからなる酸化物を用い、焼
結後の焼結助剤、すなわち窒化アルミニウム中に存在す
るアルミナと反応した複合酸化物が２．５ｖｏｌ％以下
となるように添加する。焼結前の添加量を多くすると焼
結後の複合酸化物が２．５ｖｏｌ％以上になるだけでな
く、複合酸化物の組成のｍＭＯ・ｎＡｌ₂Ｏ₃においてｎ
／ｍが１／２より小さくなり、マイクロ波における電気
特性を悪化させる。例えば焼結助剤として希土類酸化
物、例えばＹ₂Ｏ₃を用いた場合は添加量を１．５ｗｔ％
以下にすると好適な焼結体を得ることができるが、焼結
炉の形態によってｎ／ｍが１／２より小さくなることが
あり、より好ましくは１．０ｗｔ％以下が望ましい。ま
た、添加量を０．０１ｗｔ％以下にすると焼結性が著し
く低下する。得られた混合粉末は必要により有機溶媒中
に有機結合剤などと混合し、金型もしくは静水圧を用い
たプレス成形、シート成形、押し出し成形などの公知の
成形方法により所望の形状に成形した後焼成を行う。

【０００９】焼成は窒素ガスを含有する非酸化性雰囲気
中で行う。緻密化するために必要な焼成温度は用いる焼
結助剤とその添加量により異なるが１５００〜２１００
℃で焼成する。焼成炉の形態は焼成温度により異なり、
１７００℃までは焼成炉のヒーターとしてタングステン
やモリブデンなどの金属を用いることができるが、１７
００℃を越えると一般的にカーボンヒーターを用いる。
上記焼結体を多層基板などに用いる場合、金属導体層を
形成する必要があるが、導体の形成方法としては、前記
方法により得られた焼結体の成形体に対してＷ，Ｍｏ，
Ｍｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉなどの金属粉を含有する
メタライズペーストをスクリーン印刷法などによって塗
布し、６００〜１７００℃で熱処理するか、スパッタリ
ング法などの手段により金属薄膜を被着形成することに
より導体層を形成できる。このようにして回路基板を得
ることができる。また、前記焼結体の製法において、成
形体の表面にＷ，Ｍｏなどの金属粉を含有するペースト
を塗布し、１５００〜２１００℃の非酸化性雰囲気中で
同時焼成することもでき、このようにして回路基板を得
ることができ、さらに積層を行うことにより多層基板を
得ることができる。また、上記回路基板もしくは多層基
板のメタライズ部分にＮｉめっきなどを施すことにより
金属部品と銀ろう付け、はんだ付けなどを行うことがで
き、低融点ガラスなどにより金属を基板に接着すること
も可能で、これによりセラミックパッケージを得ること
ができる。

【００１０】

【作用】窒化アルミニウムに焼結助剤として希土類酸化
物及びアルカリ土類酸化物の少なくともいずれかを含有
し、焼結後の焼結助剤、すなわち窒化アルミニウム中に
存在するアルミナと反応したｍＭＯ・ｎＡｌ₂Ｏ₃（ｍ，
ｎは整数）で表わされる複合酸化物が２．５ｖｏｌ％以
下となるように添加し、かつｎ／ｍを１／２以上に制御
することにより絶縁性に優れ、熱伝導率１２０Ｗ／ｍＫ
以上の特性を維持しつつ、焼結体の室温における１〜２
０ＧＨｚというマイクロ波帯全域にわたっての誘電率が
９．０以下、誘電損失が０．０１５以下の優れた電気特
性が得られる。

【００１１】

【実施例】

実施例１ 窒化アルミニウム原料粉末として平均粒径が０．８μ
ｍ、酸素含有量が１．０ｗｔ％、金属不純物含有量が
０．１ｗｔ％以下の市販の粉末を用い、焼結助剤として
Ｙ₂Ｏ₃を焼結後の複合酸化物の組成、量が表１に示す割
合になるように添加し十分混合した。このようにして得
られたスラリーをドクターブレード法でシート成形を行
った。得られたグリーンシートを窒素雰囲気中で１９０
０℃の温度で３時間焼成することによって窒化アルミニ
ウム焼結体が得られた。得られた窒化アルミニウム焼結
体の熱伝導率、誘電率、誘電損失を測定した。この結果
を表１に示す。全ての試料について熱伝導率は１２０Ｗ
／ｍＫ以上で、体積固有抵抗も１０¹⁰Ω以上であり、良
好な絶縁性を示した。本発明の範囲外の試料では良好な
誘電率、誘電損失をともに得ることはできなかった。

【００１２】

【表１】

【００１３】＊印は本発明の範囲外の試料を示す。 実施例２ 実施例１と同じ窒化アルミニウム原料粉末を用い、焼結
助剤として表２に示す元素の酸化物を用い、実施例１と
同様に焼結し、熱伝導率、誘電率、誘電損失を測定し
た。全ての試料について熱伝導率は１２０Ｗ／ｍＫ以上
で、体積固有抵抗も１０¹⁰Ω以上であり、良好な絶縁性
を示した。本発明の範囲外の試料では、良好な誘電率、
誘電損失をともに得ることはできなかった。

【００１４】

【表２】

【００１５】＊印は本発明の範囲外の試料を示す。 実施例３ 窒化アルミニウム原料粉末として、平均粒径が０．８μ
ｍ、酸素含有量が１．０ｗｔ％、表３に示す金属不純物
含有量の粉末を用い、焼結助剤としてＹ₂Ｏ₃を焼結後の
複合酸化物の組成のｎ／ｍが１／２、体積分率が１．０
ｖｏｌ％となるように添加して十分混合し、実施例１と
同様に焼結し、熱伝導率、誘電率、誘電損失を測定し
た。本発明の範囲外の試料では、良好な誘電率、誘電損
失を得ることはできず、熱伝導率も低く、体積固有抵抗
も１０¹⁰Ω以下であり、良好な特性を得ることはできな
かった。

【００１６】

【表３】

【００１７】＊印は本発明の範囲外の試料を示す。

【００１８】実施例４ 実施例１と同じ窒化アルミニウム原料粉末を用い、実施
例１と同様に焼結助剤としてＹ₂Ｏ₃を焼結後の複合酸化
物の組成、量が表４に示す割合になるように添加し十分
混合し、ドクターブレード法でシート成形を行い、その
後窒素雰囲気中で１９００℃の温度で３時間焼成するこ
とによって窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた焼
結体表面にＷを含有するメタライズペーストをスクリー
ン印刷法で塗布し、非酸化性雰囲気中で１６００℃の温
度で１時間焼成することによって導電層を形成し窒化ア
ルミニウム回路基板が得られた。本基板の熱伝導率、誘
電率、誘電損失を測定した。本基板においては窒化アル
ミニウムとＷを合わせた特性を測定することになるが、
Ｗだけの特性をあらかじめ測定しておくことによって、
窒化アルミニウムの特性を算出した。全ての試料につい
て熱伝導率は１２０Ｗ／ｍＫ以上で、体積固有抵抗も１
０¹⁰Ω以上であり、良好な絶縁性を示した。本発明の範
囲外の試料では、良好な誘電率、誘電損失をともに得る
ことはできなかった。

【００１９】

【表４】

【００２０】＊印は本発明の範囲外の試料を示す。

【００２１】実施例５ 実施例４と同様に窒化アルミニウム焼結体を作成し、得
られた焼結体表面にスパッタリングにてＴｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕの導電層を形成し窒化アルミニウム回路基板が得られ
た。本基板の熱伝導率、誘電率、誘電損失を測定した。
結果を表５に示す。本基板においては窒化アルミニウム
とＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの導電層を合わせた特性を測定する
ことになるが、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの導電層だけの特性を
あらかじめ測定しておくことによって、窒化アルミニウ
ムの特性を算出した。全ての試料について熱伝導率は１
２０Ｗ／ｍＫ以上で、体積固有抵抗も１０¹⁰Ω以上であ
り、良好な絶縁性を示した。本発明の範囲外の試料では
良好な誘電率、誘電損失をともに得ることはできなかっ
た。

【００２２】

【表５】

【００２３】＊印は本発明の範囲外の試料を示す。

【００２４】実施例６ 実施例１と同じ窒化アルミニウム原料粉末を用い、実施
例１と同様に焼結助剤としてＹ₂Ｏ₃を焼結後の複合酸化
物の組成、量が表６に示す割合になるように添加し十分
混合し、ドクターブレード法でシート成形を行った。得
られたグリーンシート表面にＷを含有するメタライズペ
ーストをスクリーン印刷法で塗布することによって導電
層を形成し、その後窒素雰囲気中で１９００℃の温度で
３時間焼成することによって窒化アルミニウム回路基板
を得られた。本基板の熱伝導率、誘電率、誘電損失を測
定した。本基板においては、窒化アルミニウムとＷを合
わせた特性を測定することになるが、Ｗだけの特性をあ
らかじめ測定しておくことによって、窒化アルミニウム
の特性を算出した。全ての試料について熱伝導率は１２
０Ｗ／ｍＫ以上で、体積固有抵抗も１０¹⁰Ω以上であ
り、良好な絶縁性を示した。本発明の範囲外の試料では
良好な誘電率、誘電損失をともに得ることはできなかっ
た。

【００２５】

【表６】

【００２６】＊印は本発明の範囲外の試料を示す。

【００２７】実施例７ 実施例６と同様に導電層を形成した窒化アルミニウムシ
ートを作成し、そのシートを６層積層し、その後窒素雰
囲気中で１９００℃の温度で３時間焼成することによっ
て窒化アルミニウム多層回路基板が得られた。本基板の
熱伝導率、誘電率、誘電損失を測定した。結果を表７に
示す。本基板においては窒化アルミニウムとＷを合わせ
た特性を測定することになるが、Ｗだけの特性をあらか
じめ測定しておくことによって、窒化アルミニウムの特
性を算出した。全ての試料について熱伝導率は１２０Ｗ
／ｍＫ以上で、体積固有抵抗も１０¹⁰Ω以上であり、良
好な絶縁性を示した。本発明の範囲外の試料では、良好
な誘電率、誘電損失をともに得ることはできなかった。

【００２８】

【表７】

【００２９】＊印は本発明の範囲外の試料を示す。

【００３０】実施例８ 実施例７と同様に窒化アルミニウム多層回路基板を作成
し、その後メタライズ部分にＮｉメッキを施し、Ｆｅ−
Ｎｉ系の合金製の金属リードをメタライズ部分に銀ろう
付けした。本基板の熱伝導率、誘電率、誘電損失を測定
した。結果を表８に示す。本基板においては窒化アルミ
ニウムとＷ及び金属リードを合わせた特性を測定するこ
とになるが、Ｗ、金属リードだけの特性をあらかじめ測
定しておくことによって、窒化アルミニウムの特性を算
出した。全ての試料について熱伝導率は１２０Ｗ／ｍＫ
以上で、体積固有抵抗も１０¹⁰Ω以上であり、良好な絶
縁性を示した。本発明の範囲外の試料では良好な誘電
率、誘電損失をともに得ることはできなかった。

【００３１】

【表８】

【００３２】＊印は本発明の範囲外の試料を示す。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明は窒化アルミ
ニウムに焼結助剤として希土類酸化物及びアルカリ土類
酸化物の少なくともいずれかを含有し、焼結後の焼結助
剤、すなわち窒化アルミニウム中に存在するアルミナと
反応したｍＭＯ・ｎＡｌ₂Ｏ₃（ｍ，ｎは整数）で表わさ
れる複合酸化物が２．５ｖｏｌ％以下となるように添加
し、かつｎ／ｍを１／２以上に制御することにより絶縁
性、高熱伝導率の特性を維持しつつ、焼結体の室温にお
ける１〜２０ＧＨｚというマイクロ波帯全域にわたっ
て、誘電率、誘電損失の電気特性に優れた焼結体を得る
ことができる。よってこの焼結体の表面に金属導体層を
形成するか、同時焼成によって金属導体層を形成するこ
とにより、例えば多層基板としてマイクロ波信号の損失
を小さくすることができる。これにより通信分野で用い
られるＬＳＩを搭載する基板、多層基板、パッケージな
どとして好適に用いることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 正策 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒化アルミニウムを主体とし、希土類酸
   化物およびアルカリ土類酸化物の少なくともいずれかを
   含有し、その酸化物の元素をＭとした時、ｍＭＯ・ｎＡ
   ｌ₂Ｏ₃（ｍ，ｎは整数）で表わされる焼結体中の生成物
   においてｎ／ｍの値が１／２以上の生成物だけからな
   り、かつ、この生成物の焼結体内の体積分率が０．０１
   〜２．５ｖｏｌ％の組成領域からなるとともに、焼結体
   の室温における１〜２０ＧＨｚ全域にわたっての誘電率
   が９．０以下、かつ誘電損失が０．０１５以下であるこ
   とを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の窒化アルミニウム焼結
   体で、焼結体中の生成物の体積分率が０．０１〜２．０
   ｖｏｌ％の組成領域からなる窒化アルミニウム焼結体。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の窒化アルミニウム焼結
   体の表面に導電層を形成させたことを特徴とする窒化ア
   ルミニウム回路基板。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の窒化アルミニウム焼結
   体の表面及び内部の少なくともいずれかに同時焼成によ
   り導電層を形成させたことを特徴とする窒化アルミニウ
   ム回路多層基板。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の窒化アルミニウム焼結
   体と半導体素子と金属部品からなるセラミックパッケー
   ジ。
6. 【請求項６】 金属不純物０．１ｗｔ％以下の窒化アル
   ミニウム粉末を準備する工程と、希土類酸化物およびア
   ルカリ土類酸化物の少なくともいずれかを０．０１〜
   １．５ｗｔ％添加して混合する工程と、前記混合物を成
   形体に成形する工程と、前記成形体を非酸化性雰囲気中
   で１５００〜２１００℃の温度で焼結する工程を備えた
   窒化アルミニウム焼結体の製造方法。