JP5177230B2 - 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 - Google Patents
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Description
近年、携帯機器の普及により、これらに使用される弾性表面波共振子の小型化が要求されている。弾性表面波共振子の小型化にあたり、Q値の低下あるいはCI(Crystal Impedance)値の増加が生じ、弾性表面波共振子の特性が充分に得られないという問題がある。
この対策として、例えば特許文献1には、すだれ状電極の電極指幅と電極指のピッチとの比である線幅比(ライン占有率)を、すだれ状電極の中央部から両端に近づくに従って小さくして、Q値を向上させる技術が開示されている。
さらに、ライン占有率に加えて、IDTの中央部で電極指間隔が一様な領域を備え、IDTの中央部に隣在する領域からIDTの両端部に向かい電極指間隔が順次大きくなる領域を備えている。
弾性表面波共振子に生ずる弾性表面波の定在波は、IDTの中央部で振動変位が大きくなり、その両外側の端部では振動変位が小さい。振動変位の大きい中央部においては、CI値の上昇を抑制するため電気機械結合係数の高まるライン占有率を選択し、振動変位の小さい端部においてはIDT内への振動エネルギーの閉じ込め効果を高めるために、弾性表面波の反射を大きくするライン占有率を選択する。また、IDTの中央部で電極指間隔を一様にすることで、IDT中央部では振動変位を大きく保つことができるとともに、IDT両端部に向かい電極指間隔を大きくすることでIDT両端部の周波数を低下させて振動エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。これにより、CI値とQ値の両方が良好な弾性表面波共振子を実現することができる。
このことから、Q値を向上させて弾性表面波共振子の小型化を可能にし、CI値を低減して消費電力の少ない弾性表面波共振子を提供することができる。
の電極指間隔PTsと、前記IDTにおける中央部の電極指間隔PTとの比PTs/PTcが、1.004≦PTs/PTc≦1.0315、であることが望ましい。
共振子と回路素子とが配置されているパッケージを備えていることを特徴とする。
(比較例としての弾性表面波共振子)
最初に、本発明の理解と実施形態との比較のため、比較例としての弾性表面波共振子について説明する。
図21は、一般的な弾性表面波共振子の概略を示す説明図である。
弾性表面波共振子100は、圧電基板としての水晶基板101上にすだれ状電極からなるIDT102と、弾性表面波が伝播する方向(矢印H方向)にIDT102を両側から挟むように形成された1対の反射器103と、を有している。
IDT102は、電気的な極性が異なる電極指102a,102bが交互に配列されて形成されている。この2本の電極指102a,102bを1対の電極指と呼ぶ。
また、隣接する電極指102aと電極指102bの中心と中心との間隔である電極指間隔PTは、IDT内で一様に形成されている。
反射器103は電極指103aが多数配列され、電気的に中立となるように形成されている。また、隣接する電極指103aの中心と中心との間隔である電極指間隔PTrは、反射器103内で一様に形成されている。
電極指102a,102bの線幅をL、隣接する電極指との間(電極指が形成されていないスペース部分)の寸法をS、隣接する電極指との間隔の中心線と中心線との間の寸法を電極指間隔PTとする。また、隣接する電極指との間の寸法の中心線と中心線との間の寸法をHとする。ライン占有率は、η=L/H=L/(L+1/2(S+S))=L/(L+S)、である。なお、このように同じ線幅の電極指が等ピッチで並んでいる場合には、電極指間隔PT=L+S=H、である。
弾性表面波共振子100のライン占有率ηは、IDT102、反射器103は共に同じライン占有率であり、η=0.5に設定されている。
なお、IDT102と反射器103は金属材料のアルミニウム(Al)で形成され、所定の膜厚(0.06λ:λは弾性表面波の波長)に設定されている。そして、電極指の線幅は0.25λに設定されている。また、IDT102における電極指の対数は136対、反射器103はそれぞれ57対に設定されている(総対数250対)。
以上のような弾性表面波共振子100において、IDT102にレイリー波が励振され、特性としてQ値9000を実現している。
(第1の実施形態)
図1は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図2は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図3は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。図4は水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向を示す説明図である。図5はライン占有率を説明する模式図である。
図4に示すように、水晶の結晶軸はX軸(電気軸)、Y軸(機械軸)およびZ軸(光軸)によって定義され、オイラー角(0°,0°,0°)はZ軸に垂直な水晶Z板8となる。ここで、オイラー角のφ(図示せず)は水晶Z板8の第1の回転に関するものであり、Z軸を回転軸とし、+X軸から+Y軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第1回転角度である。オイラー角のθは水晶Z板8の第1の回転後に行う第2の回転に関するものであり、第1の回転後のX軸を回転軸とし、第1の回転後の+Y軸から+Z軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第2回転角度である。水晶基板11のカット面は第1回転角度φと第2回転角度θとで決定される。オイラー角のψは水晶Z板8の第2の回転後に行う第3の回転に関するものであり、第2の回転後のZ軸を回転軸とし、第2の回転後の+X軸から第2の回転後の+Y軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第3回転角度である。弾性表面波の伝搬方向は第2の回転後のX軸に対する第3回転角度ψで表される。弾性表面波共振子1は、第1回転角度φを−1°〜+1°とし、第2回転角度θを113°〜135°とした水晶基板11が用いられている。さらに、弾性表面波の伝搬方向がψ=±(40°〜49°)の範囲となるようにIDT12が配置されている。この角度ψは面内回転角とも呼ばれている。この水晶基板は温度変化に対する周波数変動が小さく、周波数温度特性が良好である。
ここで、隣接する電極指12aと電極指12bの中心と中心との間隔を電極指間隔とする。IDT12の電極指間隔は、図2に示すようにPTcで一定である。
また、電極指E0と電極指E1との間(電極指が形成されていないスペース部分)の寸法をSL、電極指E1と電極指E2との間の寸法をSR、電極指E0と電極指E1との電極指間隔をPT1、電極指E1と電極指E2との電極指間隔をPT2とする。また、隣接する電極指E0とE1、E1とE2との間の寸法の中心線と中心線との間の寸法をHとする。
このとき、電極指E1のライン占有率ηは、η=L1/H=L1/(L1+(SL/2+SR/2))、となる。
電極指間隔PT1=SL+(L0+L1)/2、PT2=SR+(L1+L2)/2、である。なお、本実施形態では、電極指間隔は一定であり、PT1=PT2である。
隣接する電極指13aの中心と中心との間隔である電極指間隔はPTrで一様である。また、反射器13のライン占有率は、IDT12の中央部のライン占有率と同じに設定されている。
反射器13において、隣接する2本の電極指13aをもって1対の電極指と数え、本実施形態では左右それぞれ57対の電極指13aが配置されている。
電極指間隔はPTc=7.498μm、PTr=7.574μm、である。また、ライン占有率はηc=0.35、ηe=0.21、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子1において、IDT12にレイリー波が励振され、特性としてQ値24000を実現している。
図6はIDTにおけるライン占有率と実効的結合係数との関係を示すグラフである。
弾性表面波共振子において、Q値と共に、CI値または等価抵抗R1が重要な特性であり、これを低くすることで消費電力を低く抑えることができる。このCI値または等価抵抗R1を低下させるためには、電気機械結合係数K2を高める必要がある。
電気機械結合係数K2は、次式から求めることができる。
K2=(2(Vo−Vs)/Vo)×100 〔%〕
ただし、VoはIDTの各電極指を互いに電気的開放状態にした場合における弾性表面波の伝搬速度、VsはIDTの各電極指を互いに電気的短絡状態にした場合における弾性表面波の伝搬速度である。
ライン占有率ηを変えたときの電気機械結合係数は、IDT開放時と短絡時との規格化した速度の差より求まり、ここでは実効的結合係数として示した。
ライン占有率ηが、0.21≦η≦0.55の範囲では実効的結合係数が0.0567%以上となり、実用的な範囲である。
本実施形態では、IDT12の中央部のライン占有率ηcには、大きな実効的結合係数を有するライン占有率として、0.3以上0.5以下の範囲を選択している。
Q値はライン占有率ηが0.15から大きくなるに従い上昇して、ライン占有率ηが約0.2で最大になる。このときのQ値はおよそ20000である。そして、ライン占有率ηが0.2からさらに大きくなるとQ値は低下していく。
Q値と反射量は相関関係にあり、本願発明者はQ値が最大となるとき反射量もほぼ最大になることを確認している。
つまり、反射量はライン占有率ηが約0.2で弾性表面波の反射がほぼ最大となり、このとき、共振子における振動エネルギーの閉じ込めが良好になり、Q値が最大となる。
このことから、本実施形態では、IDT12の端部のライン占有率ηeとして、大きな反射を有するライン占有率として、0.15≦ηe<0.3の範囲を選択している。
IDT12の中央部において、実効的結合係数の大きなライン占有率である0.3以上0.5以下の範囲とし、IDT12の両方の端部では反射が大きくなるようにライン占有率を0.15以上0.3未満としている。
この図のように、ライン占有率ηが0.15から大きくなるに従い、周波数変動量は小さくなっていき、ライン占有率ηが約0.4において、ライン占有率ηが変動したときの周波数変動量が最小となる。
このため、IDT12の中央部に周波数変動量が小さいライン占有率ηの範囲を選択すれば、ライン占有率ηが変動したときの周波数変動量を小さくすることができる。
本実施形態では実効的結合係数の大きなライン占有率ηcとして、0.3以上0.5以下を選択しており、周波数変動量の小さいライン占有率とほぼ一致している。
従って、本実施形態では製造時の周波数ばらつきを低減でき、周波数精度の高い弾性表面波共振子1を得ることができる。
このグラフは、IDTの中央部のライン占有率ηc=0.35とし、IDTの端部のライン占有率ηeを0.14〜0.35(ηe/ηc=0.4〜1.0)まで変化させている。
ηe/ηc=0.6のときはηc=0.35であるから、ηe=0.21のときにIDTの端部で反射が高まりQ値は最大になる。そして、IDTの中央部および端部のライン占有率の比ηe/ηcが、0.34<ηe/ηc<1.0の範囲にあれば、9300以上のQ値を得ることができ、ライン占有率で重み付けを施さない場合(ηe/ηc=1.0)よりもQ値が向上する。
また、0.46≦ηe/ηc≦0.8の範囲では、Q値が14400以上の、良好な特性が得られる。
別の観点からすると、振動変位の大きいIDT12の中央部において電気機械結合係数の高まるライン占有率を選択することにより、IDT12の中央部における弾性表面波の反射は小さくなってしまい、さらには、振動変位の小さいIDT12の両端部において弾性表面波の反射を大きくするライン占有率を選択することにより、IDT12の両端部における電気機械結合係数が低下してしまう。しかしながら、本願発明者は、IDT12の中央部での弾性表面波の反射の低下及びIDT12の両端部での電気機械結合係数の低下が伴ってでも、IDT12の中央部では弾性表面波の反射よりも電気機械結合係数を重視し、且つIDT12の両端部では電気機械結合係数よりも弾性表面波の反射を重視した構造とすることで、弾性表面波共振子1のQ値の向上やCI値の低減が実現できることを新たに見出した。
このことから、Q値を向上させて弾性表面波共振子1の小型化を可能にし、CI値を低減して消費電力の少ない弾性表面波共振子1を提供することができる。
IDT12と反射器13は金属材料のアルミニウム(Al)で形成され、所定の膜厚は0.04λ(λは弾性表面波の波長)に設定されている。
(第2の実施形態)
図10は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図11は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図12は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。
IDT22のライン占有率ηは、IDT22の中央部のライン占有率ηをηc、IDT22の端部のライン占有率ηをηeとすると、ηc>ηeという関係にある。図12に示すように、中央部のライン占有率ηcからIDT22の両方の端部に向かい、順次小さくなるように変化している。
隣接する電極指23aの中心と中心との間隔である電極指間隔はPTrで一様である。また、反射器23のライン占有率は、IDT22の中央部のライン占有率ηcと同じに設定されている。
反射器23において、隣接する2本の電極指23aをもって1対の電極指と数え、本実施形態では左右それぞれ57対の電極指23aが配置されている。
電極指間隔はPTc=7.498μm、PTs=7.618μm、PTr=7.574μm、である。
また、ライン占有率はηc=0.35、ηe=0.21、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子2において、IDT22にレイリー波が励振され、特性としてQ値24000を実現している。
このグラフは、IDTの端部の電極指間隔PTsと中央部の電極指間隔PTcの比をPTs/PTc=1.016として、IDTの中央部と端部の間の電極指間隔を徐々に変化させる電極指間隔重み付けを行った場合において、ηe/ηcを変化させてライン占有率にも重み付けを行うときのQ値の変化を表している。IDTの中央部のライン占有率ηc=0.35とし、IDTの端部のライン占有率ηeを0.14〜0.35(ηe/ηc=0.4〜1.0)まで変化させている。
ηe/ηc=0.6のときは、ηc=0.35であるから、ηe=0.21でIDT端部の反射が高まりQ値は最大になる。そして、IDTの中央部および端部のライン占有率の比ηe/ηcが、0.4≦ηe/ηc<1.0の範囲にあれば、20000以上のQ値を得ることができる。
電極指間隔に重み付けを施さない場合(PTs/PTc=1.0)において、ライン占有率にも重み付けを行うと(ηe/ηc<1.0)、IDT端部の周波数が上昇して、弾性表面波の閉じ込めに劣化が生ずるが、電極指間隔に重み付けを施した結果、IDT端部の周波数が低下して、弾性表面波の閉じ込めが充分になされ、Q値が向上する。
このグラフは、IDTの端部のライン占有率ηeと中央部のライン占有率ηcの比をηe/ηc=0.6として、IDTの中央部と端部の間のライン占有率を徐々に変化させるライン占有率重み付けを行った場合において、PTs/PTcを変化させて電極指間隔にも重み付けを行うときのQ値の変化を示す。
電極指間隔に重み付けをしていないPTs/PTc=1.0では、Q値は12630であり、1.0<PTs/PTc<1.0355の範囲において、電極指間隔に重み付けをする効果があり、Q値が向上する。
また、1.004≦PTs/PTc≦1.0315の範囲で、Q値が17340以上の良好な特性を実現できる。
このことから、Q値を向上させて弾性表面波共振子2の小型化を可能にする。
(第3の実施形態)
図15は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図16は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図17は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。
IDT32のライン占有率ηは、IDT32の中央部のライン占有率ηをηc、IDT32の端部のライン占有率ηをηeとすると、ηc>ηeという関係にある。図17に示すように、中央部のライン占有率ηcからIDT32の両方の端部に向かい、順次小さくなるように変化している。
隣接する電極指33aの中心と中心との間隔である電極指間隔はPTrで一様である。また、反射器33のライン占有率は、IDT32の中央部のライン占有率と同じに設定されている。
反射器33において、隣接する2本の電極指33aをもって1対の電極指と数え、本実施形態では左右それぞれ57対の電極指33aが配置されている。
電極指間隔はPTc=7.498μm、PTs=7.618μm、PTr=7.574μm、である。
また、ライン占有率はηc=0.35、ηe=0.21、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子3において、IDT32にレイリー波が励振され、特性としてQ値24400を実現している。
このグラフから、Nf/Nが0より大きくなるに従いQ値は大きくなり、Nf/Nがおよそ0.15のときにQ値は最大になる。そして、Nf/Nが0.15より大きくなるに従い、Q値は小さくなっていく。
IDTの中央部にライン占有率が一様な領域を備えないNf/N=0では、Q値は23260であり、0<Nf/N<0.36において、ライン占有率が一様な領域を設けた効果があり、Q値が向上する。
このことから、Q値を向上させて弾性表面波共振子3の小型化を可能にする。
さらに、第1、第2、第3の実施形態では、IDTの電極の膜厚をそれぞれ0.06λ(λは弾性表面波の波長)としたが、これ以外の電極膜厚でも、同様な効果が得られることを確認した。
また、第1、第2、第3の実施形態では、反射器のライン占有率は、IDTの中央部のライン占有率と同じに設定しているが、本発明はこれに限定されず、反射器のライン占有率とIDTの中央部のライン占有率を異ならせても良い。また、反射器のライン占有率は、IDT端部のライン占有率ηeと同じに設定しても良い。
また、第1、第2、第3の実施形態では、反射器がIDTの左右で同じ対数になっているが、反射器の対数はIDTの左右で異なっていても良い。
また、第1、第2、第3の実施形態では、IDTの両側に反射器を設けた構成としたが、反射器のない構成としても、同様な効果を得ることができる。
(第4の実施形態)
図19は弾性表面波共振子をパッケージ内に搭載した弾性表面波発振器を示す概略断面図である。
弾性表面波発振器40は、セラミックパッケージ41、ICチップ42、弾性表面波共振子1、蓋体47などを備えている。
セラミックパッケージ41は、セラミックシートを積層して開口された凹部48が形成されている。また、セラミックパッケージ41には開口を囲むようにコバールなどの金属材料で形成されたシームリング45が設けられている。さらに、セラミックパッケージ41の外周面には、回路基板などの外部との接続を果たす外部接続電極46が形成されている。なお、図示しないが外部接続電極46とセラミックパッケージ41の凹部48内とを接続する配線が設けられている。
このように、Q値が向上しCI値が低減した弾性表面波共振子1をセラミックパッケージ41内に搭載していることから、弾性表面波の励振が安定し、消費電力が低下した弾性表面波発振器40を得ることができる。
(第5の実施形態)
図20は弾性表面波モジュール装置の一例として、回路基板に弾性表面波共振子を搭載して受信機モジュールを構成した回路ブロック図である。
受信アンテナ51はLNA52を介して混合器53の入力に接続している。また、局部発振器54も混合器53の入力に接続している。この局部発振器54は、弾性表面波共振子と弾性表面波共振子を励振させる発振回路を備えている。これにより、局部発振器54は、周波数信号を混合器53に確実に出力できる。そして、混合器53の出力には、IF増幅器55と検波器56が直列に接続している。
なお、上記の受信機モジュールを外装などに取り付けて、電子機器として構成することも可能である。
Claims (11)
- 圧電基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するIDTが設けられており、
前記電極指のうちの一つの電極指の幅を、前記一つの電極指の中心と前記一つの電極指の一方の側に隣在する電極指の中心との間隔の中心線と、前記一つの電極指の中心と前記一方の電極指の他方の側に隣在する電極指の中心との間隔の中心線との間の寸法で除した値をライン占有率とし、
前記IDTにおける電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、前記弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、
前記IDTの中央部では前記IDTの弾性表面波が伝搬する方向に沿った方向の両端部に比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、
前記両端部では前記中央部に比べて前記弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有し、
前記IDTの隣接する前記電極指の中心間距離である電極指間隔が、前記中央部で一様な領域を備え、弾性表面波が伝搬する方向に沿って前記一様な領域に隣在している領域から前記両端部に向かい順次大きくなることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1に記載の弾性表面波共振子において、
前記中央部から前記両端部に向かい前記ライン占有率が順次変化することを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1または2に記載の弾性表面波共振子において、
前記圧電基板がオイラー角(−1°〜+1°,113°〜135°,±(40°〜49°))の水晶基板であり、
前記中央部のライン占有率ηcが、0.3≦ηc≦0.5、かつ、
前記両端部のライン占有率ηeが、0.15≦ηe<0.3、であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項3に記載の弾性表面波共振子において、
両端部のライン占有率ηeと前記中央部のライン占有率ηcとの比ηe/ηcが、0.34<ηe/ηc<1.0、であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項4に記載の弾性表面波共振子において、
前記両端部のライン占有率ηeと前記中央部のライン占有率ηcとの比ηe/ηcが、0.46≦ηe/ηc≦0.8、であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
前記両端部の電極指間隔PTsと、前記中央部の電極指間隔PTcとの比PTs/PTcが、1<PTs/PTc<1.0355、であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項6に記載の弾性表面波共振子において、
前記両端部の電極指間隔PTsと、前記中央部の電極指間隔PTcとの比PTs/PTcが、1.004≦PTs/PTc≦1.0315、であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
前記中央部の電極指間隔が一様な領域の電極指の対数Nfと、前記IDTの対数Nとの比Nf/Nが、0<Nf/N<0.36、であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
弾性表面波が伝搬する方向に沿って前記IDTを挟むように配置された一対の反射器を備えていることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子と回路素子とが配置されているパッケージを備えていることを特徴とする弾性表面波発振器。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子を搭載した回路基板を備えていることを特徴とする弾性表面波モジュール装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016158051A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ及びデュプレクサ |
Families Citing this family (98)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5239741B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2013-07-17 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
EP2403141B1 (en) | 2009-02-27 | 2018-10-24 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic device |
JP5678486B2 (ja) | 2010-06-17 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 |
JP2012049818A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器 |
JP2012049817A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP5934464B2 (ja) | 2010-08-26 | 2016-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012060417A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060420A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP6013829B2 (ja) * | 2012-08-17 | 2016-10-25 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ、デュプレクサ及びモジュール |
WO2015080278A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子、分波器および通信装置 |
JP6388029B2 (ja) * | 2014-06-26 | 2018-09-12 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ |
DE102014111828A1 (de) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Epcos Ag | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitender Eintorresonator |
CN104734665B (zh) * | 2015-04-01 | 2018-02-02 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 声表面波换能器及含该声表面波换能器的滤波器 |
US20170104470A1 (en) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Interdigitated transducers and reflectors for surface acoustic wave devices with non-uniformly spaced elements |
JP6632481B2 (ja) * | 2016-06-22 | 2020-01-22 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2018051597A1 (ja) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
US12040779B2 (en) | 2020-04-20 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced Q-factor |
US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US10911023B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer |
US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US10756697B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US10637438B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-04-28 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications |
US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
US11996827B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US20220247384A1 (en) * | 2021-02-03 | 2022-08-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-mark interdigital transducer |
US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
DE102018108961A1 (de) * | 2018-04-16 | 2019-10-17 | RF360 Europe GmbH | TF-SAW-Resonator mit verbessertem Gütefaktor, HF-Filter und Verfahren zur Herstellung eines TF-SAW-Resonators |
US10797675B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-10-06 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate |
US11171629B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-11-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
US10985728B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-20 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer |
US11323095B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices |
US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US11228296B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter |
US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
US11349450B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes |
US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
US11201601B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-12-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US12040781B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
US11967945B2 (en) * | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US12009798B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes |
US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11329628B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US20240022234A1 (en) * | 2018-06-15 | 2024-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filters using transversly-excited film bulk acoustic resonators with frequency-setting dielectric layers |
US12021496B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US11996825B2 (en) | 2020-06-17 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US10917072B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
US11728785B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
US11121700B2 (en) * | 2018-11-20 | 2021-09-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter and multiplexer |
CN113508496B (zh) * | 2019-03-06 | 2023-01-06 | 株式会社村田制作所 | 滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 |
US11901873B2 (en) | 2019-03-14 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors |
WO2020186261A1 (en) | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with half-lambda dielectric layer |
DE102019108843A1 (de) | 2019-04-04 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Modifizierter SAW-Wandler, SAW-Resonator und SAW-Filter, das diese umfasst |
US12034423B2 (en) | 2019-06-27 | 2024-07-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd | XBAR frontside etch process using polysilicon sacrificial layer |
US10911021B2 (en) | 2019-06-27 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with lateral etch stop |
KR102656794B1 (ko) * | 2019-07-17 | 2024-04-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 필터 및 멀티플렉서 |
US11329625B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer |
US10862454B1 (en) | 2019-07-18 | 2020-12-08 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers |
US20210273629A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
US20220116020A1 (en) | 2020-04-20 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Low loss transversely-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US11469733B2 (en) | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
US10992282B1 (en) | 2020-06-18 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width |
US11742828B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm |
US11482981B2 (en) | 2020-07-09 | 2022-10-25 | Resonanat Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
US11671070B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
US11894835B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sandwiched XBAR for third harmonic operation |
US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
US11405019B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters |
US11728784B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters |
US11929733B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements |
US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
US11463066B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
US12003226B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US12028039B2 (en) | 2020-11-13 | 2024-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Forming XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
US11405020B2 (en) | 2020-11-26 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage |
US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
WO2023139819A1 (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-27 | 株式会社村田製作所 | 水晶共振子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63135010A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-07 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
JP2004363641A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子 |
JP2005086233A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置の周波数温度特性調整方法および弾性表面波装置 |
JP2006067211A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置および弾性表面波装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0815247B2 (ja) | 1985-03-27 | 1996-02-14 | 日本電気株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP2938478B2 (ja) | 1989-10-24 | 1999-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
JP2847438B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1999-01-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 弾性表面波素子 |
JP3310132B2 (ja) | 1995-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波装置及びそれを用いたアンテナ分波器 |
JP3379383B2 (ja) | 1997-05-29 | 2003-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置 |
DE19849782B4 (de) * | 1998-10-28 | 2004-09-30 | Epcos Ag | Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen |
DE10111959B4 (de) * | 2001-03-13 | 2014-11-20 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitende Wandlerstruktur |
JP3724575B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2005-12-07 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP2003198317A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
JP2003258595A (ja) | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置 |
JP4059152B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子 |
CN100586011C (zh) * | 2003-02-10 | 2010-01-27 | 株式会社村田制作所 | 边界声波器件 |
JP2005086223A (ja) | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 中継装置 |
JP2005204042A (ja) | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子および弾性表面波フィルタ |
-
2009
- 2009-10-22 KR KR1020117011697A patent/KR20110081865A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-10-22 US US13/125,239 patent/US8344815B2/en active Active
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- 2009-10-22 WO PCT/JP2009/005541 patent/WO2010047114A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63135010A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-07 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
JP2004363641A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子 |
JP2005086233A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置の周波数温度特性調整方法および弾性表面波装置 |
JP2006067211A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置および弾性表面波装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016158051A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ及びデュプレクサ |
JPWO2016158051A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2017-10-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ及びデュプレクサ |
US10298205B2 (en) | 2015-03-27 | 2019-05-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave resonator, elastic wave filter, and duplexer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102197590B (zh) | 2014-12-24 |
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