JP2005204042A - 弾性表面波共振子および弾性表面波フィルタ - Google Patents
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Abstract
【課題】弾性表面波共振子および共振子型のSAWフィルタにおいて、縦高次モードスプリアスを抑圧した共振子および、縦高次モードスプリアスによる帯域外減衰量の増大を抑圧したSAWフィルタを提供する。
【解決手段】 圧電体平板上の伝播方向xに弾性表面波を励振する1個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した1対の反射器とからなる弾性表面波共振子において、前記すだれ状電極の領域内に、少なくとも1つの制御領域を設けて、前記制御領域に区分されたすだれ状電極の配列周期長PT2と、前記制御領域以外のすだれ状電極の配列周期長PT1の関係を、PT2>PT1の関係に設定し、素子の縦方向xに複数のエネルギ閉じ込め状態の変位関数を生じさせて、複数の共振子が縦に接続した状態となして高次縦モードスプリアスを抑圧したことを特徴とする弾性表面波共振子。
【選択図】 図1
【解決手段】 圧電体平板上の伝播方向xに弾性表面波を励振する1個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した1対の反射器とからなる弾性表面波共振子において、前記すだれ状電極の領域内に、少なくとも1つの制御領域を設けて、前記制御領域に区分されたすだれ状電極の配列周期長PT2と、前記制御領域以外のすだれ状電極の配列周期長PT1の関係を、PT2>PT1の関係に設定し、素子の縦方向xに複数のエネルギ閉じ込め状態の変位関数を生じさせて、複数の共振子が縦に接続した状態となして高次縦モードスプリアスを抑圧したことを特徴とする弾性表面波共振子。
【選択図】 図1
Description
本発明は、水晶等の圧電体平板上に、レイリー型とかSTW(Surface Transversal Wave)型の弾性表面波を利用して、縦高次モードスプリアスの無い弾性表面波共振子(以降省略して、SAW共振子と称する)、および前記の弾性表面波共振子を横に複数個近接配置してなる横多重モード型SAWフィルタ(以降省略して、SAWフィルタと称する)に関する。
従来、圧電気を有する水晶STカット基板(圧電体平板の一例)を用いて構成するSAW共振子は、その周波数温度特性が零温度係数をもち精度が良いために、各種高速ネットワーク系のデータ伝送用水晶発振器の発振素子として使用されているが、これはジッタが無く位相ノイズに優れた信号が高信頼性かつ低コストに容易に得られるという長所があるためである。
前記のSTカット水晶板については、すでによく知られているものであり、水晶結晶の基本軸である電気軸X,機械軸Y,光軸Zからなる直交座標系において、機械軸Yに直交するY板を電気軸X回りにθ度(特に零温度係数が得られるθ=31度から42度)回転した基板において、電機軸方向Xに伝播するレイリー型弾性表面波を利用したものである。
前記のST基板を利用したSAW共振子については、例えば金属アルミニウムからなる多数の平行導体の電極指を周期的に配置したすだれ状電極(以下略してIDT:Interdegital Transducerと称す)を形成し、さらにその両側に一対の反射器を多数のストリップ形状からなる電極導体を平行にかつ周期的に配置して構成し、1ポート型のSAW共振子を形成できる。より詳細には、前記IDTを構成する際の要点として、正電極と負電極を1対としてM対としたときに、IDTの電極指全体でのトータル反射係数Гを次式(1)の通り定義した上で、10>Г>0.8とすれば、振動エネルギーが共振子の中央に集中した、いわゆるエネルギー閉込型SAW共振子(非特許文献1:エネルギー閉じ込め弾性表面波共振子,信学技法US87−36,pp9−16(1987.9.))を実現できることが知られている。
〔数1〕
Г = 4MbH/λ (1)
但し、ここでMは前記IDTの対数、bは電極1本当たりの弾性表面波の反射係数率、Hは前記導体の膜厚、λは利用する弾性表面波の波長である。
Г = 4MbH/λ (1)
但し、ここでMは前記IDTの対数、bは電極1本当たりの弾性表面波の反射係数率、Hは前記導体の膜厚、λは利用する弾性表面波の波長である。
例えば、STカット水晶板で前記アルミニウム導体で形成されたIDTであれば、b=0.255、H/λ=0.03(3%)としてM=80対とすれば、QおよびCI特性が良好な従来型の1ポート型SAW共振子を構成できる。このとき前記Γ=2.448程度となる。なお一般的に言われている電極1本当りの反射係数γは、このSTカット水晶板の場合、前述の式(1)からγ=b(H/λ)=Г/(4M)=0.00765(0.76%)となる(特許文献1:特開昭57−73513公報)。
しかしながら、前述の従来技術を使用し、同一のSAW共振子の構成をとった場合において、主共振モードの下側に縦高次モード(A0,S1,A1,・・・)のスプリアスが発生しこれらが、SAW共振子を使用した発振器あるいは周波数可変型の電圧制御発振器を製作する場合において、周波数ジャンプ現象となって問題となる。あるいはまた、従来のSAW共振子を用いてSAWフィルタを構成した場合には、フィルタの通過特性において、通過帯域の近傍の減衰領域に無視できないスプリアスが発生して通信品質劣化の原因となることがあった。
そこで本発明は、“周波数ポテンシャル設計手法”を活用して、このような問題点を解決するものである。前記“周波数ポテンシャル設計手法”を簡単に言えば、周波数ポテンシャル関数FP(X)、弾性表面波の速度Vs、素子の空間波長2P(X)の関係式 FP(X)=Vs/{2P(X)} を振動変位の制御に利用するものである。
その目的とするところは、ST基板等を利用し、周波数温度特性が優れかつ材料のQ値が優れた水晶基板を用いてSAW共振子を構成し、さらにこれを用いて小型で高Q値かつスプリアスの無いSAW共振子を実現して、これ等を使用した低ジッタかつ低位相ノイズなクロック信号源であるSAW発振器および電圧制御型SAW発振器をギガビット系の高速有線通信市場に提供すること、
さらには、前記のSAW共振子をSAWフィルタ等に応用して、最近とみに各種通信方式が導入された結果として電波干渉による通信品質の劣化対策が求められる状況にあって、フィルタの通過特性の改善が要求される状況に対応して、通過帯域の近傍の減衰領域の抑圧特性を向上することにある。
さらには、前記のSAW共振子をSAWフィルタ等に応用して、最近とみに各種通信方式が導入された結果として電波干渉による通信品質の劣化対策が求められる状況にあって、フィルタの通過特性の改善が要求される状況に対応して、通過帯域の近傍の減衰領域の抑圧特性を向上することにある。
(1)本発明の弾性表面波共振子は、圧電体平板上の伝播方向xに弾性表面波を励振する1個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した1対の反射器とからなる弾性表面波共振子において、前記すだれ状電極の領域内に、少なくとも1つの制御領域を設けて、
前記制御領域に区分されたすだれ状電極の配列周期長PTcと、前記制御領域以外のすだれ状電極の配列周期長PT、さらに反射器の配列周期長PRの寸法の関係を、PTc>PTの関係に設定し、PTc/PTの比Rが、1.0<R<1.04の範囲であり、PR/PTは1.0から1.02の範囲であり、
前記制御領域のすだれ状電極の対数Mcと、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.3の範囲であることを特徴とする。
前記制御領域に区分されたすだれ状電極の配列周期長PTcと、前記制御領域以外のすだれ状電極の配列周期長PT、さらに反射器の配列周期長PRの寸法の関係を、PTc>PTの関係に設定し、PTc/PTの比Rが、1.0<R<1.04の範囲であり、PR/PTは1.0から1.02の範囲であり、
前記制御領域のすだれ状電極の対数Mcと、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.3の範囲であることを特徴とする。
上記(1)の構成によれば、従来の弾性表面波共振子において、主共振振動周波数fsの下側数1000ppm範囲に発生していた高次縦モードスプリアスを十分に小さく抑圧あるいは消滅できる。これによって、本発明の弾性表面波共振子を用いて電圧制御発振器を構成するに際して、伸張コイルをもちいて周波数可変範囲を伸張する必要がある場合において、不要なスプリアス発振現象を回避することができるという効果がある。
(2)本発明の弾性表面波フィルタは、前記制御領域に区分されたすだれ状電極を有する弾性表面波共振子を、弾性表面波共振子の長手軸Xをほぼ平行にして2個平行に近接配置して、前記弾性表面波共振子の幅方向に定在する対称(ψ0,ψ0)と斜対称(ψ0,-ψ0)の2つの基本波モードで動作する、横2重モード型の共振子フィルタを構成したことを特徴とする。
上記(2)の構成であれば、縦高次モードスプリアスが存在しない弾性表面波共振子を用いて、横2重モード型の共振子フィルタを構成しているために、通過帯域の下側数%範囲のスプリアスを大幅に抑圧でき、最近とみに各種通信方式が導入された結果として電波干渉による通信品質の劣化がすすんでいる狭帯域通信器のS/N向上が実現できる。
(3)本発明の弾性表面波フィルタは、前記制御領域に区分されたすだれ状電極を有する弾性表面波共振子を、弾性表面波共振子の長手軸Xをほぼ平行にして2個平行に近接配置して、前記弾性表面波共振子の幅方向に定在する対称(ψ1,ψ1)と斜対称(ψ1,-ψ1)の2つの1次モードで動作する、横2重モード型の共振子フィルタを構成したことを特徴とする。
上記(3)の構成であれば、基本波モードを用いたものより、通過帯域幅が3割(300ppm)広くでき、周波数温度係数が水晶STカットより悪いが電気機械結合係数k2の大きなLiTaO3基板等を利用した低挿入損失なSAWフィルタにおいて、縦高次モードスプリアスが存在しない弾性表面波共振子を用いて、横2重モード型の共振子フィルタを構成しているために、通過帯域の下側数%範囲のスプリアスを大幅に抑圧でき、最近とみに各種通信方式が導入された結果として電波干渉による通信品質の劣化がすすんでいる狭帯域通信器のS/N向上が実現できる。
(4)本発明の弾性表面波フィルタは、前記制御領域に区分されたすだれ状電極を有する弾性表面波共振子を、弾性表面波共振子の長手軸Xをほぼ平行にして2個平行に近接配置して、前記弾性表面波共振子の幅方向に定在する対称(ψ1,ψ1)と斜対称(ψ1,-ψ1)の2つの1次モードで動作する、横2重モード型の共振子フィルタを、WAVE電極により動作させる構成したことを特徴とする。
上記(4)の構成とすれば、各電極指間を接続する電極パターンの形状が単純となるため設計コストの低減の他、シンプルで均整の取れたSAWフィルタのため、複数の素子の集積化が容易であるとか、電極パターンの酸化絶縁処理が容易であるという効果を有する。
(5)本発明の弾性表面波共振子は、前記圧電体平板は、水晶回転Y板を電気軸(X軸)回りに反時計方向に回転角θ=31度から42度回転したSTカット水晶板において、すだれじょう電極の全対数Mが100から140対の範囲である請求項1記載の弾性表面波共振子であることを特徴とする。
上記(5)の構成とすれば、1次モード(S1)以上の縦高次モードスプリアスのカットオフ領域にて使用することが可能となりこれらのスプリアスが存在しなくなる。これによって、本発明の弾性表面波共振子を用いて電圧制御発振器を構成するに際して、伸張コイルをもちいて周波数可変範囲を伸張する必要がある場合において、不要なスプリアス発振現象を回避することができるという効果がある。
水晶からなる圧電体材料から前述のSTカットを切り出して、その表面を鏡面研磨した後、レイリー型あるいはSTW型弾性表面波の位相伝搬方向xに対して直交して、例えば金属アルミニウムからなる多数の平行導体の電極指を周期的に配置したIDTを形成し、さらには、その両側に一対の反射器を多数のストリップ形状からなる電極導体を平行にかつ周期的に配置して構成し、1ポート型のSAW共振子を形成する。
以下本発明の1ポート型のSAW共振子の実施の形態について、まず理解を容易ならしめるために、図1によって具体的な実施例の構成を説明した後、図6、図7、図8、図9、図10において、本発明のSAW共振子が有する特性を詳細に説明する。
さらに、前記本発明のSAW共振子を利用したSAWフィルタの例を、横2重モード型について、図2と図3に具体的な実施例の構成をもちいて説明した後、図4と図5にその特性を詳細に説明する。
図1は請求項1と請求項5の発明に係わるSAW共振子(以下略して本素子と称す)の一実施例について、圧電体平板上に形成した電極パターンを図示したものである。
図1中の各部位の名称は、100は水晶、LiTaO3等からなる圧電体平板、圧電体平板上の1091は本素子に利用する弾性表面波の伝播方向であるx軸(1091)である。破線で区分された区間において形成された電極パターンの全体からなる各々の部位は、左側の101と右側の103は本素子の反射器1と反射器2であり、102はすだれ状電極(以下略してIDT:Interdegital Transducerと称す)を構成する。前記のIDTは3個の領域に区分されており、1021は端部IDT1、1023を端部IDT2、1022を制御IDTと呼ぶことにする。反射器1と反射器2およびIDTにおける、1040と1041、104、105等はアルミニウム金属からなる電極導体ストリップ群であって、摂動効果により弾性表面波を反射する役目を果たす。前記IDTにおける、104、105等は正負の電極指であって、正極と負極を1対として全体でM対、制御IDTではMc対、端部IDT1と端部IDT2では各々(M-Mc)/2対が形成されている。前記3個のIDT 1021、1022、1023の電極指群104、105等を縦に一体化して接続する106は給電導体(ブスバー)と呼ばれるものである。
また図1中の記号PRは、反射器1、反射器2の導体ストリップの配列周期長であり、導体ストリップの幅LRと導体ストリップ間のすきま長SRの和、PR=LR+SRである。また、寸法記号LTとSTは、各々前記IDTにおける電極指の線幅LTとそれらの間隙長(スペース)STである。さらに、PTとPTcで指定される配列周期長は、PTが端部IDT1およびIDT2であり、PTcが制御IDTの配列周期長であり、それらは前記電極指の線幅LTとそれらの間隙長(スペース)STの和となる。 つぎに本素子における前記記号PR、PT、PTcで表わされるの寸法値の適正な設定について説明する。図1の本素子の下部に配置して図示した横軸Xと縦軸P(X)からなる図は、本素子のx座標位置に対応した前記配列周期長P(X)の関数関係、すなはちPR、PT、PTc、PT、PRに各々対応するの寸法比較特性線1080、1090、110あるいは111、1091、1081を表している。寸法長PR、PT、PTcは各区間において一定であり、従ってP(X)は階段状の関数で表される。また、すだれ状電極の線幅Lについては、前記の寸法LT/ST比もIDTの3区間とも一定値とする場合には、すだれ状電極の各線幅Lは各区間内では加工バラツキを除けば対応した一定値をとる。さらに特別には、線幅比PTc/PTが1に近いことから、線幅LをIDTの3区間とも一定とすることもできる。前記IDTの線幅Lは、電極1本当りの反射係数率bが最大となるような値に設定することが多い。さらには面内回転STカット水晶板については、全IDTと反射器ともLT/ST比は0.42から0.67範囲とすることがある。弾性表面波の波長λの1/4また膜厚Hも加工バラツキを除けば同様に一定値に設定する。
具体的な構成条件としては、前記すだれ状電極(IDT)の配列周期長PT、PTc、反射器の配列周期長PRの寸法を、PTc>PTの関係に設定し、PTc/PTの比Rが1.0<R<1.04の範囲であり、PR/PTは1.0から1.02の範囲であり、前記中央に配置したすだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.3の範囲とする。この構成条件の根拠については、後述の特性図において示す。
ここで、本発明の実現性を判断する要因である‘前記線幅比R=PTc/PTが1.0<R<1.04の範囲’についての加工の可否につき言及する。素子周波数f(MHz)と前記寸法PT,PTc(μm)の間には、たとえば利用する弾性表面波の速度Vsを5000 m/s(水晶STWカット)として、PTcおよびPT=Vs/(2f)の関係がある。本発明がことに高周波数において加工上不利であることは明らかである。一例として、f=1GHzにすると、PTが2.5μm、PTcはPTの1.02として2.55μmとなる。両者の差は0.05μmとなる。この加工精度分解能は、5倍に縮小露光可能な投影機に使用するマスク精度に換算すると、0.25μmとなって、電子ビーム露光機の現行分解能0.01μmに対して十分な大きさとなって実現可能である。寸法PTcの制御IDT領域の対数Mcが20対であれば、該当する領域の5倍となるマスク寸法差は0.05×20×2×5=10μmとなって現行の計測器にて十分に識別可能である。
さらに詳細に構成条件を規定すれば、つぎのように言える。前記すだれ状電極と反射器はアルミニウム金属からなり、また前記すだれ状電極は正負電極指を1対としてM対として、Mが100から140対の範囲であり、
前記電極1本当りの弾性表面波の反射係数γが0.01から0.03の範囲として、すだれ状電極全体が有するトータル反射係数Гを10>Γ>0.8であり、
前記反射器と前記すだれ状電極間の最も近接した平行導体間の距離は、すだれ状電極の1周期長が有するラインLTとスペースSTのうちスペースSTからなり、
前記すだれ状電極の配列周期長PT、PTc、反射器の配列周期長PRの寸法を、PTc>PTの関係に設定し、PTc/PTの比Rが1.0<R<1.04の範囲であり、PR/PTは1.0から1.02の範囲であり、前記中央に配置した制御用すだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.3の範囲である。
前記電極1本当りの弾性表面波の反射係数γが0.01から0.03の範囲として、すだれ状電極全体が有するトータル反射係数Гを10>Γ>0.8であり、
前記反射器と前記すだれ状電極間の最も近接した平行導体間の距離は、すだれ状電極の1周期長が有するラインLTとスペースSTのうちスペースSTからなり、
前記すだれ状電極の配列周期長PT、PTc、反射器の配列周期長PRの寸法を、PTc>PTの関係に設定し、PTc/PTの比Rが1.0<R<1.04の範囲であり、PR/PTは1.0から1.02の範囲であり、前記中央に配置した制御用すだれ状電極の対数をMcとし、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.3の範囲である。
またあらためて、前記圧電体平板の条件として、水晶Y板を電気軸(X軸)回りに反時計方向に回転角θ=31度から42度回転し、かつ弾性表面波の伝播方向を、前記電気軸(X軸)より0度としたSTカット、あるいは40度から46度の範囲で面内回転した回転STカット水晶板を使用する。
つぎに、本発明の図1が示すSAW共振子の動作および特性につき図6、図7、図8、図9、図10を用いて詳細に説明する。
まず図6は、本発明のSAW共振子における素子の縦方向x座標に対する振動変位の包絡線振幅U(X)の相対形状を図示したものである。図中の曲線600はPTc/PTの比Rが1.0の場合のU(X)であり、従来品の相対変位に対応する。また、曲線601は、Rが1.02の場合におけるU(X)であり、曲線602はRが1.04の場合のU(X)である。さらに、図の下部に配置した図は電極周期長関数P(X)の相対値とX座標関係を示しており、604と608が反射器1と反射器2の領域のP(X)であり、605と607は端部IDT1とIDT2のPTであり、6060、6061、6062は制御IDTのPTcである。6062はU(X)曲線600に対応しており、6061はU(X)曲線601(R=1.02)に対応しており、6060はU(X)曲線602(R=1.04)に対応している。見てのとおり比Rが大きくなるほど、U(X)は左右のエネルギ閉じこめ状態が分離した双方の変位分布を呈することとなる。ただし、Mc/Mは0.2とした。さらに複数の制御IDTが存在する場合には、複数のピークをもつ変位状態となることがわかった。
つぎに図7において、PTc=PTとした従来品のSAW共振子が有するアドミタンスY(f)の周波数特性(共振特性)を示す。上段は従来品の構成条件がIDTの対数M=120対、反射器本数N=100本であり、下段は従来品の構成条件がIDTの対数M=60対、反射器本数N=100本である。同図の横軸は周波数であるが、周波数変化率df/f(ppm単位)で表示してあり、縦軸はSAW共振子のアドミタンスY(f)の対数表示(20LOG10Y(f))である。まず、上段の従来品において700がY(f)特性、Y(f)の最大ピークの共振周波数が基本波モードLS0であり、この下側9000ppmにあるモードLS1は、1次の高次縦モードである。
また、下段の従来品においては、701がY(f)特性、Y(f)の最大ピークの共振周波数が基本波モードLS0であり、この下側40000ppm範囲には顕著な縦高次モードが存在しないことがわかる。
前述のような確認をIDTの対数Mに対して、基本波LS0および対称な高次縦モードLS1、LS2、LS3の発生周波数配置状況を調査して図示したものが図8である。縦軸は10の4乗ppmの単位で示した。図中、800がLS0モード、801がLS1モード、802がLS2モード、803がLS3モードである。2点鎖線で囲まれた領域804は、前記LS1、LS2、LS3モードが消滅するMの範囲である。図8に示すとおり、Mが70以下であればこれら縦高次モードは消滅する。従ってこの事実を本発明に利用すると、本発明は複数の共振振幅を縦方向Xに従属に接続してなるものと解釈できるから、制御IDTが1個の場合には、IDTの適切な対数としては、Mが70の2倍である140以下であればスプリアスを消滅できることになる。かつMは大きい程挿入損失が小さいから経験的にみてM=100以上が望ましいことになる。
図8において、図7のSAW共振子はM=60と120に該当する。ちなみに反射器1と反射器2の本数Nは100本の場合である。
つぎに、図9および図10は本発明の図1において、構成条件としてIDT対数M=120対、反射器本数N=75本、ETA=Mc/M=0.1、R=PTc/PT=1.01とした場合のアドミタンス特性Y(f)である。 同図の横軸は、周波数であるが周波数変化率df/f(ppm単位)で表示してあり、縦軸はSAW共振子のアドミタンスY(f)の対数表示(20LOG10Y(f))である。図中の900は主共振状態Aであり、Aより1500ppm下側に存在する901のBは高次縦モードではないと見なされる特異な共振現象である。また、前記のETAとしては、0.1から0.3の範囲で十分な変位の制御効果が得られる。
さらに図10は、図9中の共振Aに対応する相対振動変位U(X)の計算結果である(曲線1000)。変位U(X)は中央位置X=200において、極小な2山な形状を呈していることがわかる。
以上は本発明になる弾性表面波共振子に関する説明であるが以降は、この応用例であるSAWフィルタについての説明を行う。
まず図2に本発明になる図1の弾性表面波共振子の長手軸Xをほぼ平行にして2個平行に近接配置して、前記弾性表面波共振子の幅方向に定在する対称(ψ0,ψ0)と斜対称(ψ0,-ψ0)の2つの基本波モードで動作する、横2重モード型の共振子フィルタの構成を示したものである。図中の200は圧電帯平板、201と202は前記の本発明になる弾性表面波共振子の電極パターンの構成を示す平面図である。さらに、下段に示した関数P(X)は、反射器1とIDTが有する電極周期長P(X)の状態203である。前記の2個のSAW共振子は204で示される数波長(ほぼ1波長=2PR)のGap間隔をもって平行に配置される。
本SAWフィルタは、対称な205の振動変位状態(ψ0,ψ0)と斜対称な206の振動変位状態(ψ0,-ψ0)の2つの基本波モードの合成で動作する。
さらに図3に本発明になる他のSAWフィルタの一実施例を示す。本発明は斜対称基本波モードTA0にて動作する弾性表面波共振子のIDTに、前述のP(X)なる関数にて電極周期長を規定したものである。SAWフィルタの構成方法は、前記の弾性表面波共振子の長手軸Xをほぼ平行にして2個平行に近接配置して、前記弾性表面波共振子の幅方向に定在する対称(ψ1,ψ1)と斜対称(ψ1,-ψ1)の2つの斜対称基本波モードで動作する、O/T駆動横2重モード型の共振子フィルタである(O/T駆動:インハーモニック高調波駆動の意味)。
図中の300は圧電帯平板、301と302は前記の本発明になるSAW共振子の電極パターンの構成を示す平面図である。さらに、下段に示した関数P(X)は、反射器1および反射器2とIDTが有する電極周期長P(X)の状態303である。前記の2個の共振子は304で示される数波長(ほぼ1波長=2PR)のGap間隔をもって平行に配置される。
本SAWフィルタは、対称な305の振動変位状態(ψ1,ψ1)と斜対称な306の振動変位状態(ψ1,-ψ1)の2つの斜対称基本波モードで動作する。
ちなみに図3にみられるとおり、IDTの電極パターンが波(Wave)のようにみえるので“WAVE電極”と呼ぶことにした。前記のWAVE電極は、1個のSAW共振子内における隣接するトラック間のIDT電極の正負極性を反転するために便利な電極パターンの構成方法を提供するものである。
つぎに、図4と図5は本発明の実施例3が有する300MHzのSAWフィルタの50(Ω)終端伝送特性である(実験値)。まず図4の特性は、従来技術によるPTc=PTの場合であって、横軸は周波数軸で中心周波数f0からのオフセット周波数にて表示されており、縦軸は減衰量Sbの対数表示(dB)である。図中のうすい曲線300は伝送特性の計算結果、濃い実線301は実測値である。SAWフィルタの通過帯域を構成する304の下側302(実測)および303(計算)が問題の1次の高次縦モードLS1が作るスプリアスであり、-40dBに近づくほどに大きなものであり無視できない。
つぎに、図5は本発明の実施例3によるSAWフィルタの伝送特性を示したものである。その構成条件は、前記圧電体平板は、水晶回転Y板を電気軸(X軸)回りに反時計方向に回転角θ=31度から42度回転したSTカット水晶板を利用して、すだれじょう電極の全対数Mが140とした。また同図の横軸は周波数軸で中心周波数f0からのオフセット周波数にて表示されており、縦軸は減衰量Sb(dB)である。図中のうすい曲線500は特性の計算結果、濃い実線501は実測値である。SAWフィルタの通過帯域を構成する504の下側の周波数領域に配置した503(実測)および502(計算)は、f0-1MHz(−3000ppm)に存在しており、高次縦モードではなく、図9に示した特異なスプリアスBに該当すると推測される(弾性表面波共振子として換算するとM=70対に該当するためスプリアス発生周波数は通過帯域から遠ざかる)。ちなみにこの場合の3dB通過帯域幅は、本フィルタがO/T駆動方式であり基本波利用に対して広帯域幅が確保できるため1000から1200ppmとなっている。
以上のとおり、本発明が水晶のみからなる基板について、レイリー型及びSTW型の弾性表面波を利用した弾性表面波共振子の構成および特性につき説明したが、前記基板が水晶以外の材料からなるものでも、また基板表面にSiO2、ZnO等の薄膜が本素子の特性を損なわない程度に形成されても、本発明の構成条件が満足される範囲であれば有効であることを付け加える。
本発明の弾性表面波共振子および弾性表面波フィルタは、ST基板等を利用し、周波数温度特性が優れかつ材料のQ値が優れた水晶基板を用いてSAW共振子を構成し、さらにこれを用いて小型で高Q値かつスプリアスの無いSAW共振子を実現して、これ等を使用した低ジッタかつ低位相ノイズなクロック信号源であるSAW発振器および電圧制御型SAW発振器をギガビット系の高速有線通信市場に利用することができる。
さらには、前記のSAW共振子をSAWフィルタ等に応用して、最近とみに各種通信方式が導入された結果として電波干渉による通信品質の劣化対策が求められる状況にあって、フィルタの通過特性の改善が要求される状況に対応して、通過帯域の近傍の減衰領域の抑圧特性を向上に供することができる。
100 圧電体平板
101 反射器1
103 反射器2
1021 端部IDT1
1022 制御IDT
1023 端部IDT2
110 周波数ポテンシャル関数
101 反射器1
103 反射器2
1021 端部IDT1
1022 制御IDT
1023 端部IDT2
110 周波数ポテンシャル関数
Claims (5)
- 圧電体平板上の伝播方向xに弾性表面波を励振する1個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した1対の反射器とからなる弾性表面波共振子において、前記すだれ状電極の領域内に、少なくとも1つの制御領域を設けて、
前記制御領域に区分されたすだれ状電極の配列周期長PTcと、前記制御領域以外のすだれ状電極の配列周期長PT、さらに反射器の配列周期長PRの寸法の関係を、PTc>PTの関係に設定し、PTc/PTの比Rが、1.0<R<1.04の範囲であり、PR/PTは1.0から1.02の範囲であり、
前記制御領域のすだれ状電極の対数Mcと、全体の対数Mとの比であるMc/Mが0.1から0.3の範囲であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 前記制御領域に区分されたすだれ状電極を有する弾性表面波共振子を、弾性表面波共振子の長手軸Xをほぼ平行にして2個平行に近接配置して、前記弾性表面波共振子の幅方向に定在する対称(ψ0,ψ0)と斜対称(ψ0,-ψ0)の2つの基本波モードで動作する、横2重モード型の共振子フィルタを構成したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
- 前記制御領域に区分されたすだれ状電極を有する弾性表面波共振子を、弾性表面波共振子の長手軸Xをほぼ平行にして2個平行に近接配置して、前記弾性表面波共振子の幅方向に定在する対称(ψ1,ψ1)と斜対称(ψ1,-ψ1)の2つの1次モードで動作する、横2重モード型の共振子フィルタを構成したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
- 前記制御領域に区分されたすだれ状電極を有する弾性表面波共振子を、弾性表面波共振子の長手軸Xをほぼ平行にして2個平行に近接配置して、前記弾性表面波共振子の幅方向に定在する対称(ψ1,ψ1)と斜対称(ψ1,-ψ1)の2つの1次モードで動作する、横2重モード型の共振子フィルタを、WAVE電極により動作させる構成したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
- 前記圧電体平板は、水晶回転Y板を電気軸(X軸)回りに反時計方向に回転角θ=31度から42度回転したSTカット水晶板において、すだれじょう電極の全対数Mが100から140対の範囲であることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波共振子。
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-
2004
- 2004-01-15 JP JP2004007990A patent/JP2005204042A/ja not_active Withdrawn
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