JP4854807B2 - フリップチップ実装用接着剤、フリップチップ実装用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置 - Google Patents
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Description
しかしながら、従来の接着剤には、硬化物の線膨張率を低下させて高い接合信頼性を実現するために多量の無機フィラーが混入されており、透明性低下の原因となっている。そのため、カメラによるパターン又は位置表示の認識が困難となって、半導体装置の生産性の向上が妨げられることが問題となっている。
これに対し、本発明者らは、エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有する半導体接合用接着剤において、無機フィラーの半導体接合用接着剤中の含有量を所定の範囲とし、更に、所定の平均粒子径を有する2種類の無機フィラーを所定の重量比で用いることにより、優れた塗工性、高い接合信頼性及び高い透明性を同時に実現することができることを見出した。本発明者らは、このような半導体接合用接着剤は、透明性が高いため、カメラによる半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとすることを見出し、本発明1を完成させるに至った。
本発明者らは、エポキシ樹脂と、無機フィラーと、硬化剤とを含有する半導体接合用接着剤において、エポキシ樹脂と無機フィラーとの屈折率の差を0.1以下とすることにより、半導体接合用接着剤を透過する光の散乱を抑制することができ、透明性の高い半導体接合用接着剤が得られることを見出した。本発明者らは、このような半導体接合用接着剤を用いることにより、半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識が容易となることを見出し、本発明2を完成させるに至った。
なお、本明細書において本発明1と本発明2とに共通する事項については、単に「本発明」として説明する。
上記エポキシ樹脂は特に限定されないが、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を含有することが好ましい。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を含有することで、得られる半導体接合用接着剤の硬化物は、剛直で分子の運動が阻害されるため優れた機械的強度及び耐熱性を発現し、また、吸水性が低くなるため優れた耐湿性を発現する。
これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、2種類以上が併用されてもよく、また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等の汎用されるエポキシ樹脂と併用されてもよい。
上記高分子化合物は特に限定されないが、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する高分子化合物が好ましい。
上記エポキシ樹脂と反応する官能基を有する高分子化合物は特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有する高分子化合物が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子化合物が好ましい。
上記高分子化合物が上記光硬化性官能基を有することで、得られる半導体接合用接着剤に光硬化性を付与し、光照射によって半硬化することが可能となり、このような半導体接合用接着剤からなる接着剤層等の粘着力又は接着力を光照射によって制御することが可能となる。
上記光硬化性官能基は特に限定されず、例えば、アクリル基、メタクリル基等が挙げられる。
上記無機フィラーを含有することで、得られる半導体接合用接着剤の硬化物の線膨張率を低下させ、高い接合信頼性を実現することができる。
このような2種類の無機フィラーを含有することで、高い接合信頼性を維持しながら、得られる半導体接合用接着剤の粘度の増大、及び、該粘度の増大による流動性の低下を抑制し、塗工性を向上させることができ、同時に、透明性を高め、カメラによる半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとし、半導体装置の生産性を向上させることができる。
また、半導体接合用接着剤の粘度の増大、及び、該粘度の増大による流動性の低下を抑制することで、表面に突起電極を有するウエハに対する半導体接合用接着剤からなる接着剤層の追従性を向上させることもできる。
上記フィラーBの平均粒子径は、0.15μm以上であることが好ましい。また、上記フィラーBの平均粒子径は、0.8μm未満であることが好ましい。
なお、本明細書中、平均粒子径とは、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積平均での粒度分布測定結果から求められる平均粒子径を意味する。
上記フィラーAは、上記フィラーBに対する重量比のより好ましい下限が2/8、より好ましい上限が5/5である。
上記球状シリカを用いることで、得られる半導体接合用接着剤の接合信頼性を更に高めることができ、また、粘度の増大、及び、該粘度の増大による流動性の低下を更に抑制し、塗工性、及び、表面に突起電極を有するウエハに対する半導体接合用接着剤からなる接着剤層の追従性を更に向上させることができる。
上記エポキシ樹脂と上記無機フィラーとの屈折率の差は、0.05以下であることが好ましい。
なかでも、一般的に無機フィラーとして用いられるシリカに類似した物性を有することから、ケイ素−アルミニウム−ホウ素複合酸化物、ケイ素−チタン複合酸化物、シリカ−チタニア複合酸化物がより好ましい。
特に、平均粒子径が0.5μm〜5μmの無機フィラーを用いることで、半導体接合用接着剤の透明性を更に高めることができる。また、必要に応じて、上記無機フィラーとして、平均粒子径がナノメートルサイズの無機フィラーを用いてもよい。
表面処理することで、上記無機フィラーの凝集を抑制し、上記エポキシ樹脂等の樹脂との親和性を高めることができる。これにより、得られる半導体接合用接着剤の接合信頼性を更に高めることができ、また、粘度の増大、及び、該粘度の増大による流動性の低下を更に抑制し、塗工性、及び、表面に突起電極を有するウエハに対する半導体接合用接着剤からなる接着剤層の追従性を更に向上させることができる。
上記アルコキシシランは特に限定されないが、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランが特に好ましい。
これらのカップリング剤は、単独で用いられてもよく、2種類以上が併用されてもよい。
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、酸無水物系硬化剤が好ましい。
上記酸無水物系硬化剤を用いることで、得られる半導体接合用接着剤の硬化物の酸性度を中和することができ、電極の信頼性を高めることができる。また、上記酸無水物系硬化剤は熱硬化速度が速いため、得られる半導体接合用接着剤の硬化物におけるボイドの発生を効果的に低減することができ、高い接合信頼性を実現することができる。
上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、3級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。これらの硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。
また、上述のように上記常温で液状のイミダゾール化合物は、立体的に嵩高いビシクロ骨格を有する酸無水物と併用して使用されることが好ましい。これにより、得られる半導体接合用接着剤の貯蔵安定性及び熱安定性を高めることができる。
更に、上記常温で液状のイミダゾール化合物を用いることで、イミダゾール化合物を微小に粉砕する必要がなく、より容易に半導体接合用接着剤を製造することができる。
上記誘導体は特に限定されず、例えば、カルボン酸塩、イソシアヌル酸塩、リン酸塩、ホスホン酸塩等の塩、エポキシ化合物との付加物等が挙げられる。
これらは単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、2−エチル−4−メチルイミダゾール及びその誘導体が好ましい。
上記常温で液状のイミダゾール化合物の配合量は、上記硬化剤100重量部に対するより好ましい下限が10重量部、より好ましい上限が30重量部である。
上記光重合開始剤は特に限定されず、例えば、250〜800nmの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。このような光重合開始剤として、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス(η5−シクロペンタジエニル)チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記範囲のヘイズ値とすることで、半導体接合用接着剤の透明性を高め、カメラによる半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとし、半導体装置の生産性を向上させることができる。
なお、本明細書中、半導体接合用接着剤のヘイズ値とは、該半導体接合用接着剤からなる厚み40μmの接着剤層の両面を、2枚の厚み25μmのPETフィルム間に挟み込んで得られた半導体接合用接着フィルムを、村上色彩技術研究所社製「HM−150」等のヘイズメータを用いて測定したときのヘイズ値(%)を意味する。
本発明の半導体接合用接着剤は透明性が高いことから、本発明の半導体接合用接着剤を用いて半導体チップをボンディングする際には、カメラによるパターン又は位置表示の認識が容易となり、半導体装置の生産性を向上させることができる。
本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層と、基材層とを有する半導体接合用接着フィルムもまた、本発明の1つである。
なお、本明細書中、バックグラインドテープ機能を備えた非導電性フィルム(BG−NCF)とは、少なくとも基材層と接着剤層とを有するフィルムであって、表面に電極として複数の突起(バンプ)を有するウエハの突起電極を有する面に貼付されてバックグラインドテープとして用いられ、その後、基材層だけが剥離され、ウエハ上に残った接着剤層は半導体チップを基板又は他の半導体チップにボンディングする際に用いられるフィルムをいう。
上記塗工する方法は特に限定されず、例えば、コンマコート、グラビアコート、キャスティング等を用いる方法が挙げられる。なお、上述のように、本発明の半導体接合用接着剤は、所定の無機フィラーを所定量含有することで粘度の増大、及び、該粘度の増大による流動性の低下を抑制することができるため、本発明の半導体接合用接着剤を含有する半導体接合用接着剤溶液は、塗工性に優れる。
なお、このような半導体チップの実装方法によって実装される表面に突起電極を有する半導体チップとして、例えば、フリップチップ、TSV等が挙げられる。
上記ウエハは特に限定されず、例えば、シリコン、ガリウム砒素等の半導体からなり、金、銅、銀−錫ハンダ、アルミニウム、ニッケル等からなる突起電極を有するウエハが挙げられる。
上記貼り合わせる方法は特に限定されないが、ラミネーターを用いる方法が好ましい。
また、上記工程2を行う前には、上記突起電極は上記接着剤層中に埋もれている。そして、上記工程2の研削時にかかる圧力によって上記突起電極の頂部から接着剤が押し除かれ、これにより、後の工程において上記基材層を剥離した後には、上記突起電極の頂部が上記接着剤層から露出することができる。
エネルギー線を照射して上記接着剤層を半硬化させることにより、上記接着剤層の粘着力が低下し、後の工程における上記基材層の剥離が容易になる。また、このとき、上記接着剤層は完全な硬化ではなく「半硬化」することから、上記接着剤層は、後の工程における基板又は他の半導体チップとの接着時には、なお充分な接着力を発揮することができる。なお、本明細書において「半硬化」とは、ゲル分率が10〜60重量%であることを意味する。
このとき、上記接着剤層の接着剤は、上記突起電極の表面よりも上記基材層側に付着しやすいことから、上記突起電極の表面に残存する接着剤の量は抑制される。
上記ダイシングの方法は特に限定されず、例えば、従来公知の砥石等を用いて切断分離する方法等が挙げられる。
なお、本明細書中、半導体チップの実装とは、基板上に半導体チップを実装する場合と、基板上に実装されている1以上の半導体チップ上に、更に半導体チップを実装する場合との両方を含む。
この他の態様として、工程3で得られた接着剤層が付着したウエハ上に、接着剤層を介して他のウエハを積層してウエハ積層体を製造し、得られたウエハ積層体を一括的にダイシングして、接着剤層が付着した半導体チップの積層体を得てもよい。
また、本発明の半導体接合用接着フィルムは、上記接着剤層の硬化物の線膨張率が低く、高い接合信頼性を実現することができる。従って、本発明の半導体チップの実装方法によれば、接合信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
本発明の半導体チップの実装方法を用いて製造される半導体チップ実装体もまた、本発明の1つである。
(1)半導体接合用接着フィルムの製造
表1及び表2の組成に従って、下記に示す材料をメチルエチルケトンに加えて固形分濃度が50重量%となるように調整し、ホモディスパーを用いて攪拌混合することにより、半導体接合用接着剤溶液を調製した。得られた半導体接合用接着剤溶液を、基材層としての厚み25μmの離型処理したPETフィルム上にアプリケーター(テスター産業社製)を用いて塗工し、100℃で5分間乾燥させることにより、厚み40μmの接着剤層を有する半導体接合用接着フィルムを得た。
得られたヘイズ値(%)を表1、表2に示す。
・HP−7200HH(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、DIC社製)
・EXA−4710(ナフタレン型エポキシ樹脂、DIC社製)
・SK−2−78(2−エチルヘキシルアクリレートと、イソボルニルアクリレートと、ヒドロキシエチルアクリレートと、グリシジルメタクリレートとの共重合体に2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加させたもの、分子量52万、二重結合当量0.9meq/g、エポキシ当量1650、新中村化学社製)
・YH−309(酸無水物系硬化剤、JER社製)
・フジキュア7000(常温で液状のイミダゾール化合物、富士化成社製)
(1)フィラーA
・SX009−MJF(フェニルトリメトキシシラン表面処理球状シリカ、平均粒子径0.05μm、アドマテックス社製)
(2)フィラーB
・SE−1050−SPT(フェニルトリメトキシシラン表面処理球状シリカ、平均粒子径0.3μm、アドマテックス社製)
・SE−2050−SPJ(フェニルトリメトキシシラン表面処理球状シリカ、平均粒子径0.5μm、アドマテックス社製)
(3)その他の無機フィラー
・SE−4050−SPE(フェニルトリメトキシシラン表面処理球状シリカ、平均粒子径1μm、アドマテックス社製)
・AC4030(応力緩和ゴム系高分子、ガンツ化成社製)
直径20cm、厚み700μmであり、表面に高さ40μm、幅100μm×100μmの正方形の銅バンプが400μmピッチで多数形成されている半導体ウエハ(シリコンウエハ)を用意した。半導体接合用接着フィルムから接着剤層を保護するPETフィルムを剥がし、真空ラミネーターを用いて、真空下(1torr)、70℃で半導体ウエハの銅バンプを有する面に半導体接合用接着フィルムを貼り付けた。
実施例、比較例で得られた半導体接合用接着剤溶液、半導体接合用接着フィルム及び半導体チップ実装体について以下の評価を行った。結果を表2に示す。
(1−1)溶液粘度測定
半導体接合用接着剤溶液について、E型粘度計(VISCOMETER TV−22、東機産業社製、使用ローターφ48mm、設定温度25℃)を用いて、回転数5rpmにおける粘度(mPa・s)を測定した。
半導体接合用接着フィルムの状態を目視にて観察し、塗工スジが見られず外観が良好であった場合を○、塗工スジが発生していたものを×とした。
半導体接合用接着フィルムを、真空ラミネーター(ATM−812、タカトリ社製)を用いて半導体ウエハの銅バンプを有する面に貼り合わせ、試験サンプルを得た。10個の試験サンプルについて、自動ダイシング装置(DFT6361、DISCO社製)で個片化した後、自動ボンディング装置(FC3000S、東レエンジニアリング社製)にマウントし、カメラによって半導体チップのパターンを認識可能か否かについて観察した。
10個全ての試験サンプルで半導体チップのパターンを認識可能であった場合を○、7〜9個の試験サンプルで半導体チップのパターンを認識可能であった場合を△、6個以下の試験サンプルで半導体チップのパターンを認識可能であった場合を×とした。
(3−1)線膨張率測定
半導体接合用接着フィルムを190℃30分で硬化させ、測定装置「TMA/SS6000」(Seiko Instruments社製)を用いて、引張りモード、30〜300℃(5℃/min)×2サイクル、チャック間距離10mmの測定条件で、得られた硬化物の線膨張率を測定した。
2サイクル目のデータから40℃接点における線膨張率(ppm)を読み取り、α1とした。
半導体チップ実装体を120℃、85RH%に96時間放置して吸湿させた後、半田リフロー炉(プレヒート150℃×100秒、リフロー[最高温度260℃])に3回通過させた後、半導体チップの基板からの剥離が発生した半導体チップ実装体の個数を確認した。
20個の半導体チップ実装体のうち、剥離が発生した半導体チップ実装体が0個であった場合を○、1〜3個であった場合を△、4〜20個であった場合を×とした。
表3、表4の組成に従って、下記に示す各材料を、ホモディスパーを用いて攪拌混合して半導体接合用接着剤を調製した。なお、エポキシ樹脂と無機フィラーとの屈折率の差を表3、表4に示す。
・ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(HP−7200HH、DIC社製)
・ビスフェノールA型エポキシ樹脂(1004AF、ジャパンエポキシレジン社製)
・ナフタレン型エポキシ樹脂(上記一般式(1)において、R1及びR2がH、m及びnが1である化合物、EXA−4710、DIC社製)
・光硬化性官能基と熱硬化性官能基とを有するアクリル樹脂(2−エチルヘキシルアクリレートと、イソボルニルアクリレートと、ヒドロキシエチルアクリレートと、グリシジルメタクリレートとの共重合体に2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加させたもの、分子量52万、二重結合当量0.9meq/g、エポキシ当量1650、SK−2−78、新中村化学社製)
・酸無水物(YH−307、ジャパンエポキシレジン社製)
・光ラジカル発生剤(Esacure1001、Lamberti社製)
・シリカ−チタニア複合酸化物(トクヤマ社製、TSP0452、平均粒子径0.4μm)
・パイレックス(登録商標)ガラス1(ユニチカ社製、UBS0010E、平均粒子径4μm)
・パイレックス(登録商標)ガラス2(日本フリットガラス社製、CF0033−05、平均粒子径4μm)
・球状シリカ1(トクヤマ社製、0.4SS04、平均粒子径0.4μm)
・球状シリカ2(アドマテックス社製、SE4050MO、平均粒子径1μm)
・球状シリカ3(トクヤマ社製、UF305、平均粒子径3μm)
・イミダゾール化合物(2MA−OK、四国化成工業社製)
・応力緩和ゴム系高分子(AC4030、ガンツ化成社製)
・イミダゾールシランカップリング剤(SP−1000、日鉱マテリアル社製)
参考例、比較例で得られた半導体接合用接着剤を溶剤で希釈した接着剤組成物を、離型処理したPETフィルム上にアプリケーター(テスター産業社製)で塗工し、乾燥させて、標準品として厚み40μmの接着フィルムを得た。
得られた接着フィルムを用いて以下の評価を行った。結果を表3及び表4に示す。
得られた厚み40μmの接着フィルムの両面を、2枚の厚み25μmのPETフィルム間に挟み込んで試片を得た。得られた試片をヘイズメータ(HM−150、村上色彩技術研究所社製)に設置し、ヘイズ値(%)を測定した。ヘイズ値が0%以上60%未満であった場合を○、60%以上100%以下であった場合を×として評価した。
得られた厚み40μmの接着フィルムを真空ラミネーター(ATM−812、タカトリ社製)を用いて半導体ウエハに貼り合わせて試験サンプルを得た。10個の試験サンプルについて、自動ダイシング装置(DFT6361、DISCO社製)で個片化した後、自動ボンディング装置(FC3000S、東レエンジニアリング社製)にマウントし、カメラによって半導体チップのパターンを認識可能か否かについて観察した。10個全ての試験サンプルで半導体チップのパターンを認識可能であった場合を○、7〜9個の試験サンプルで半導体チップのパターンを認識可能であった場合を△、6個以下の試験サンプルで半導体チップのパターンを認識可能であった場合を×として評価した。
表5に示す組成に従って下記に示す材料を固形分濃度50重量%となるようにメチルエチルケトンに加え、ホモディスパーを用いて攪拌混合して、熱硬化性樹脂組成物の配合液を調製した。
・HP−7200HH(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、DIC社製)
・EXA−4710(ナフタレン型エポキシ樹脂、DIC社製)
・SK−2−78(2−エチルヘキシルアクリレートと、イソボルニルアクリレートと、ヒドロキシエチルアクリレートと、グリシジルメタクリレートとの共重合体に2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加させたもの、分子量52万、二重結合当量0.9meq/g、エポキシ当量1650、新中村化学社製)
・YH−306(ビシクロ骨格をもたない酸無水物、JER社製)
・YH−309(ビシクロ骨格を有する酸無水物、JER社製)
・HNA−100(ビシクロ骨格を有する酸無水物、新日本理化社製)
・2MAOK−DS(常温で固体のイミダゾール化合物、四国化成工業社製)
・フジキュア7000(常温で液状のイミダゾール化合物、富士化成社製)
・MT−10(フュームドシリカ、トクヤマ社製)
・AC4030(応力緩和ゴム系高分子、ガンツ化成社製)
参考例で得られた熱硬化性樹脂組成物の配合液を、離型処理したPETフィルム上にアプリケーター(テスター産業社製)を用いて塗工し、100℃、5分で乾燥させて、厚み40μmの接着フィルムを得た。得られた接着フィルムについて、以下の評価を行った。
結果を表5に示す。
貯蔵安定性は、下記手順にて室温で2週間保管した後のゲル分率(重量%)を測定することにより評価を行った。
得られた接着フィルムを室温で2週間保管した後、50mm×100mmの平面長方形状の試験片を切り出し、重量を測定した。この試験片を酢酸エチル中に投入し、室温で24時間浸漬した後、試験片を酢酸エチルから取り出して、110℃の条件下で1時間乾燥させた。乾燥後の試験片の重量を測定し、下記式(1)を用いてゲル分率(重量%)を算出した。
ゲル分率(重量%)=W2/W1×100 (1)
式(1)中、W1は浸漬前の試験片の重量を表し、W2は浸漬、乾燥後の試験片の重量を表す。ゲル分率が10重量%未満であった場合を○、10重量%以上であった場合を×として評価した。
得られた接着フィルムを一部採取し、測定装置「DSC6220」(Seiko Instruments社製)を用いて、30〜300℃(5℃/min)、N2=50ml/minの測定条件でDSC測定を行った。
発熱ピークの立ち上がりを観測し、発熱開始温度が100℃以上であった場合を○、100℃未満であった場合を×として評価した。
Claims (12)
- パターン又は位置表示の認識をカメラによる自動認識により行う実装工程を有する、表面に電極として複数の突起を有する半導体チップを実装する方法に用いるフリップチップ実装用接着剤であって、
エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有し、
前記無機フィラーは、フリップチップ実装用接着剤中の含有量が30〜70重量%であり、かつ、平均粒子径が0.08μm未満のフィラーAと、平均粒子径が0.1μm以上0.8μm未満のフィラーBとを含有し、
前記フィラーAは、前記フィラーBに対する重量比が1/9〜6/4であり、
かつ、前記フリップチップ実装用接着剤のヘイズ値が70%以下であり、フリップチップ実装時のパターン又は位置表示の認識が、カメラによる自動認識可能となされた
ことを特徴とする、フリップチップ実装用接着剤。 - フィラーAは、フィラーBに対する重量比が2/8〜5/5であることを特徴とする、請求項1記載のフリップチップ実装用接着剤。
- 無機フィラーは、球状シリカであることを特徴とする請求項1又は2記載のフリップチップ実装用接着剤。
- 無機フィラーは、カップリング剤により表面処理されていることを特徴とする請求項1、2又は3記載のフリップチップ実装用接着剤。
- 硬化剤がビシクロ骨格を有する酸無水物であって、更に硬化促進剤として常温で液状のイミダゾール化合物を含有することを特徴とする請求項1、2、3又は4記載のフリップチップ実装用接着剤。
- 更に、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する高分子化合物を含有することを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載のフリップチップ実装用接着剤。
- 更に、常温で液状のイミダゾール化合物を含有することを特徴とする、請求項1、2、3、4、5、6又は7記載のフリップチップ実装用接着剤。
- 請求項1、2、3、4、5、6、7、又は8記載のフリップチップ実装用接着剤からなる接着剤層と、基材層とを有することを特徴とするフリップチップ実装用接着フィルム。
- 請求項1、2、3、4、5、6、7、又は8記載のフリップチップ実装用接着剤からなる接着剤層と、基材層とを有するフリップチップ実装用接着フィルムを用いる半導体チップの実装方法であって、
前記フリップチップ実装用接着フィルムの接着剤層と、表面に突起電極が形成されているウエハの突起電極形成面とを貼り合わせる工程1と、
前記ウエハを、前記フリップチップ実装用接着フィルムに固定した状態で裏面から研削する工程2と、
前記研削後のウエハに貼り合わせられた前記フリップチップ実装用接着フィルムから、基材フィルムを剥離して、接着剤層が付着したウエハを得る工程3と、
前記接着剤層が付着したウエハ表面の切断線を、カメラに自動的に認識させて、前記接着剤層が付着したウエハを前記切断線に沿ってダイシングして、接着剤層が付着した半導体チップに個片化する工程4と、
前記接着剤層が付着した半導体チップのパターン又は位置表示と、基板又は他の半導体チップのパターン又は位置表示とを、カメラに自動的に認識させて位置合わせを行い、前記接着剤層が付着した半導体チップを、接着剤層を介して前記基板又は他の半導体チップに接着して半導体チップを実装する工程5とを有する
ことを特徴とする半導体チップの実装方法。 - 更に、工程5により半導体チップを実装した後、加熱することにより接着剤層を完全に硬化させる工程6を有することを特徴とする請求項10記載の半導体チップの実装方法。
- 請求項10又は11記載の半導体チップの実装方法を用いて製造されることを特徴とする半導体装置。
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