CN101903437B - 密封填充用膜状树脂组合物、使用该树脂组合物的半导体封装体和半导体装置的制造方法、以及半导体装置 - Google Patents

密封填充用膜状树脂组合物、使用该树脂组合物的半导体封装体和半导体装置的制造方法、以及半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101903437B
CN101903437B CN2008801210902A CN200880121090A CN101903437B CN 101903437 B CN101903437 B CN 101903437B CN 2008801210902 A CN2008801210902 A CN 2008801210902A CN 200880121090 A CN200880121090 A CN 200880121090A CN 101903437 B CN101903437 B CN 101903437B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
epoxy resin
sealing
membranaceous
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008801210902A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101903437A (zh
Inventor
榎本哲也
永井朗
本田一尊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of CN101903437A publication Critical patent/CN101903437A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101903437B publication Critical patent/CN101903437B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/90—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies using means for bonding not being attached to, or not being formed on, the body surface to be connected, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2650/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2650/28—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type
    • C08G2650/56—Polyhydroxyethers, e.g. phenoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • H01L2224/83907—Intermediate bonding, i.e. intermediate bonding step for temporarily bonding the semiconductor or solid-state body, followed by at least a further bonding step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种密封填充用膜状树脂组合物，其含有(a)热塑性树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)具有2个以上酚羟基的化合物。

Description

密封填充用膜状树脂组合物、使用该树脂组合物的半导体封装体和半导体装置的制造方法、以及半导体装置
技术领域
本发明涉及一种密封填充用膜状树脂组合物、使用该树脂组合物的半导体封装体和半导体装置的制造方法、以及半导体装置。
背景技术
近年来，随着电子机器小型化、高功能化的进展，对于半导体装置来说，不断要求小型化、薄型化以及电气特性的提高(针对高频传送的应对等)，并且开始由以往通过引线接合将半导体芯片安装在基板上的方式，向在半导体芯片上形成称为凸块的导电性突起而与基板电极直接连接的倒装芯片连接方式转变。
作为倒装芯片连接方式，已知有使用焊锡或锡等进行金属接合的方法、施加超声波振动进行金属接合的方法、利用树脂的收缩力而保持机械接触的方法等，其中，从生产性和连接可靠性的观点考虑，广泛采用使用焊锡或锡等进行金属接合的方法，特别是使用焊锡的方法，由于其显示出了高连接可靠性，因此适用于MPU(Micro Processing Unit)等的安装。
倒装芯片连接方式中，存在有半导体芯片和基板的热膨胀系数差引起的热应力集中在连接部，从而使连接部损坏的风险，因此，为了分散该热应力，提高连接可靠性，需要用树脂对半导体芯片和基板间的空隙进行密封填充。作为树脂的密封填充方式，一般采用使用焊锡等连接半导体芯片和基板后，再利用毛细管现象，向空隙中注入液状密封树脂的方式。
该方式中，在连接芯片和基板时，为了还原除去焊锡等表面上的氧化膜来使金属接合变得容易，使用由松香或有机酸等所形成的焊剂，而如果焊剂残渣残留，则在注入液状树脂时会成为产生被称为空孔的气泡的原因，或者由于酸成分而产生配线的腐蚀，连接可靠性下降，因此，需要洗涤残渣的工序。
然而，近年来，随着连接间距的窄间距化，半导体芯片和基板间的空隙变得狭窄，因此会产生难以洗净焊剂残渣的情况。进一步，向半导体芯片和基板间的狭窄空隙中注入液状树脂，需要很长时间，因此生产性降低。
因此，需要一种显示出能够还原除去焊锡等金属表面上所存在的氧化膜的性质(以下，记作焊剂活性)的密封树脂。通过使用这种密封树脂，可以认为在将密封树脂供给至基板后，连接半导体芯片和基板的同时，能够由该树脂对半导体芯片和基板间的空隙进行密封填充，并且能够省略焊剂残渣的洗涤。另外，作为与焊剂活性有关的内容，已知有以下的公开公报。
[专利文献1]日本特开2001-223227号公报
[专利文献2]日本特开2005-272547号公报
[专利文献3]日本特开2006-169407号公报
发明公开
发明要解决的问题
作为显示出焊剂活性的密封树脂，正在研究配合有羧酸等有机酸的材料，但由于有机酸可以用作广泛用于密封树脂的环氧树脂的固化剂，因此难以控制反应性以及确保其保存稳定性，或者存在有由于酸成分而产生配线的腐蚀，导致绝缘可靠性下降的情况。此外，在密封树脂为液状的情况下，在使用分配器等将树脂涂布在基板上时，由于树脂粘度的经时变化，而存在有难以稳定地控制供给量的情况。
本发明目的在于提供一种显示出良好的保存稳定性和焊剂活性，能够制造连接可靠性优异的半导体制品(半导体封装体和半导体装置等)的密封填充用膜状树脂组合物。本发明的目的还在于提供一种使用该树脂组合物的半导体制品及其制造方法。
用于解决问题的方法
本发明提供一种含有(a)热塑性树脂、(b)坏氧树脂、(c)固化剂和(d)具有2个以上酚羟基的化合物的密封填充用膜状树脂组合物。
本发明的密封填充用膜状树脂组合物，显示出良好的保存稳定性和焊剂活性，通过使用该组合物，能够制造连接可靠性优异的半导体制品(半导体封装体和半导体装置等)。另外，由于上述组合物为膜状，因此，和液状密封树脂相比，其处理性、操作性格外优异。此外，本发明者并未局限于特定理论，而认为能够提高焊剂活性而防止连接可靠性下降的主要原因，是由于本发明的密封填充用膜状树脂组合物含有具有2个以上酚羟基的化合物。
另外，本发明的密封填充用膜状树脂组合物，还可以理解为含有(a)热塑性树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)具有2个以上酚羟基的化合物的膜状密封填充材料(膜状密封材料或膜状填充材料)。
(d)具有2个以上酚羟基的化合物，优选为具有1个以上酚羟基的化合物和选自由具有2个卤代甲基、烷氧基甲基或羟基甲基的芳香族化合物、二乙烯基苯和醛化合物组成的组中的至少1种以上的化合物的缩聚物。作为缩聚物，例如为苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、萘酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂等。
(d)具有2个以上酚羟基的化合物优选为在120～300℃(优选120～220℃，更优选180～220℃)时呈液状的化合物。也就是说，该化合物优选为在对应于低熔点焊锡熔融温度的120℃至对应于高熔点焊锡熔融温度的300℃的范围内，以液体形式存在的化合物(在该温度范围以下也可以为液状)。通过这种构成，可以更均匀地除去焊锡表面的氧化膜。
(c)固化剂优选为咪唑化合物。通过使用咪唑化合物作为固化剂，可以同时提高作为密封填充用膜状树脂组合物的保存稳定性和固化物的耐热性。
本发明的密封填充用膜状树脂组合物优选进一步含有无机填料。通过含有无机填料，例如，可以使密封填充用膜状树脂组合物的粘度调整变得容易，还能够控制固化物性。
本发明还提供一种通过上述密封填充用膜状树脂组合物，对半导体芯片和基板进行倒装芯片连接的半导体封装体的制造方法。
本发明进一步提供一种通过密封填充用膜状树脂组合物来连接半导体封装体和基板的半导体装置的制造方法。
这些制造方法，与使用注入液状密封树脂方式的以往制造方法相比，金属接合变得容易，能够得到连接可靠性优异的半导体封装体和半导体装置。
本发明还提供一种具有使用上述密封填充用膜状树脂组合物连接的基板的半导体装置。
具有使用上述密封填充用膜状树脂组合物连接的基板的半导体装置，与使用注入液状密封树脂方式所制造的半导体装置相比，其连接可靠性格外优异。
发明效果
根据本发明，可以提供一种显示出良好的保存稳定性和焊剂活性，能够制造连接可靠性优异的半导体制品(半导体封装体和半导体装置等)的密封填充用膜状树脂组合物。此外，还提供一种使用了该树脂组合物的、连接可靠性格外优异的半导体制品及其制造方法。
附图的简单说明
[图1]是表示使用密封填充用膜状树脂组合物的半导体封装体的一种实施方式的截面图。
[图2]是表示使用密封填充用膜状树脂组合物的半导体装置的一种实施方式的截面图。
[图3]是表示使用密封填充用膜状树脂组合物的半导体封装体的制造方法的一种实施方式的截面图。
符号说明
1...焊球、2...电极衬垫、3，19...凸块、4，11，14...配线、5，18...半导体芯片、6，12，16...密封填充用膜状树脂组合物、7，15...基板、8...母插板、9...内层配线、10...通道、13...通孔、17...连接头、20...台板、100...半导体封装体、200...半导体装置。
用于实施发明的最佳方式
以下，通过优选实施方式详细说明本发明。
本发明的密封填充用膜状树脂组合物含有(a)热塑性树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)具有2个以上酚羟基的化合物。以下，对各成分进行说明。
(a)热塑性树脂
本发明中所用的(a)热塑性树脂是在密封填充用膜状树脂组合物的保存温度(25℃以下)时为固体，至少在密封填充用膜状树脂组合物的适用温度(100℃以上)时为熔融状态的树脂。
作为(a)热塑性树脂，可以列举苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚碳化二亚胺树脂、氰酸酯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚醚砜树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸橡胶等，其中优选耐热性和成膜性优异的苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸酯树脂、聚碳化二亚胺树脂等，更优选苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂。特别优选分子内具有芴骨架的苯氧基树脂。这种苯氧基树脂的玻璃化温度约为90℃，并且比不具有芴骨架的其它苯氧基树脂(约为60℃)高，因此，在形成膜状密封用树脂组合物时，能够提高玻璃化温度，提高耐热性。
(a)热塑性树脂的重均分子量优选为大于5000，更优选为10000以上，进一步优选为20000以上。当重均分子量为5000以下时，存在有成膜能力下降的情况。另外，重均分子量是使用GPC(Gel Permeation Chromatography)，并由聚苯乙烯换算所测定的值。此外，这些热塑性树脂可以单独使用，或作为2种以上的混合物或共聚物使用。
(b)环氧树脂
本发明中所用的(b)环氧树脂是具有2个以上环氧基(环氧乙烷环，oxirane)(2官能以上)的化合物。
作为(b)环氧树脂，例如，可以使用双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、对苯二酚型环氧树脂、含有二苯硫醚骨架的环氧树脂、苯酚芳烷基型多官能环氧树脂、含有萘骨架的多官能环氧树脂、含有二环戊二烯骨架的多官能环氧树脂、含有三苯甲烷骨架的多官能环氧树脂、氨基苯酚型环氧树脂、二氨基二苯基甲烷型环氧树脂、其它各种多官能环氧树脂等。
其中，从低粘度化、低吸水率、高耐热性的观点考虑，优选使用双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、含有萘骨架的多官能环氧树脂、含有二环戊二烯骨架的多官能环氧树脂、含有三苯甲烷骨架的多官能环氧树脂等。此外，作为这些环氧树脂的性状，在25℃时为液状或固体都可以，而对于固体的环氧树脂，在例如加热熔融焊锡而进行连接时，优选使用其熔点或软化点比焊锡熔点更低的树脂。此外，这些环氧树脂可以单独使用，或将2种以上混合使用。
另外，在适用本发明的密封填充用膜状树脂组合物的半导体制品(半导体封装体和半导体装置等)中所用的焊锡，可以是含铅焊锡，也可以是无铅焊锡(例如，SnAgCu系、SnZnBi系、SnCu系)。此外，可以是低熔点焊锡(熔点：120～150℃左右)，也可以是高熔点焊锡(熔点：180～300℃左右)。
(c)固化剂
本发明中使用的(c)固化剂是指固化(b)环氧树脂的固化剂，其也可以是也使(b)环氧树脂以外的成分(例如，具有2个以上酚羟基的化合物)产生固化反应的物质。
作为(c)固化剂，可以使用咪唑化合物、酸酐类、胺类、酰肼类、聚硫醇类、路易斯酸-胺配位化合物等。其中，最好是保存稳定性和固化物的耐热性优异的咪唑化合物。当固化剂为咪唑化合物时，例如，可以列举2MZ、C11Z、2PZ、2E4MZ、2P4MZ、1B2MZ、1B2PZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、2PZ-CN、C11Z-CN、2PZ-CNS、C11Z-CNS、2MZ-A、C11Z-A、2E4MZ-A、2P4MHZ、2PHZ、2MA-OK、2PZ-OK(四国化成工业株式会社制，产品名)等，以及使这些咪唑化合物与环氧树脂加成所得的化合物。此外，用聚氨酯系、聚酯系高分子物质等包覆这些固化剂而微胶囊化的材料，由于延长了适用期，因此优选。这些物质可以单独使用，或将2种以上混合使用。
(d)具有2个以上酚羟基的化合物
本发明中所用的(d)具有2个以上(意思是每1分子具有2个以上)酚羟基的化合物，是具有2个以上酚羟基即与苯环连接的羟基的化合物。也就是说，(d)具有2个以上酚羟基的化合物，是具有至少1个苯环，并具有至少2个与苯环(也可以形成缩合环)连接的羟基的化合物。
作为这种化合物，例如，可以列举邻苯二酚、间苯二酚、对苯二酚、联苯二酚、二羟基萘、羟基对苯二酚、邻苯三酚、甲撑双酚(双酚F)、亚异丙基双酚(双酚A)、亚乙基双酚(双酚AD)、1，1，1-三(4-羟基苯基)乙烷、三羟基二苯甲酮、三羟基苯乙酮、聚对乙烯基苯酚、含有三苯酚甲烷骨架的多官能酚化合物等。
进一步，作为具有2个以上酚羟基的化合物，还可以使用具有1个以上酚羟基的化合物和选自具有2个卤代甲基、烷氧基甲基或羟基甲基的芳香族化合物、二乙烯基苯和醛化合物组成的组中的至少1种以上的化合物的缩聚物。
作为具有1个以上酚羟基的化合物，例如，可以列举苯酚、烷基苯酚、萘酚、甲酚、邻苯二酚、间苯二酚、对苯二酚、联苯二酚、二羟基萘、羟基对苯二酚、邻苯三酚、甲撑双酚(双酚F)、亚异丙基双酚(双酚A)、亚乙基双酚(双酚AD)、1，1，1-三(4-羟基苯基)乙烷、三羟基二苯甲酮、三羟基苯乙酮、聚对乙烯基苯酚等。
作为具有2个卤代甲基、烷氧基甲基或羟基甲基的芳香族化合物，例如，可以列举1，2-二(氯甲基)苯、1，3-二(氯甲基)苯、1，4-二(氯甲基)苯、1，2-二(甲氧基甲基)苯、1，3-二(甲氧基甲基)苯、1，4-二(甲氧基甲基)苯、1，2-二(羟基甲基)苯、1，3-二(羟基甲基)苯、1，4-二(羟基甲基)苯、二(氯甲基)联苯、二(甲氧基甲基)联苯等。通过使具有2个卤代甲基、烷氧基甲基或羟基甲基的芳香族化合物和二乙烯基苯中的任一种和具有1个以上酚羟基的化合物反应，也能够形成具有2个以上酚羟基的化合物，并且表现出焊剂活性提高的同样效果。
作为醛化合物，可以列举甲醛(作为其水溶液的***)、多聚甲醛、三噁烷、六亚甲基四胺等。
作为上述缩聚物，例如，可以列举作为苯酚和甲醛的缩聚物的苯酚酚醛清漆树脂、作为甲酚和甲醛的缩聚物的甲酚酚醛清漆树脂、作为萘酚类和甲醛的缩聚物的萘酚酚醛清漆树脂、作为苯酚和1，4-二(甲氧基甲基)苯的缩聚物的苯酚芳烷基树脂、双酚A和甲醛的缩聚物、苯酚和二乙烯基苯的缩聚物、甲酚、萘酚和甲醛的缩聚物等，还可以是这些缩聚物的橡胶改性的化合物或向分子骨架内导入了氨基三嗪骨架或二环戊二烯骨架的物质。
此外，作为这些化合物的性状，在室温下为固体状或液状都可以，但为了均匀地还原除去金属表面的氧化膜，并且不损害焊锡的润湿性，优选使用液状物质，例如，作为通过对这些具有酚羟基的化合物进行烯丙基化而形成为液状的物质，可以列举烯丙基化苯酚酚醛清漆树脂、二烯丙基双酚A、二烯丙基双酚F、二烯丙基联苯二酚等。这些化合物可以单独使用，或将2种以上组合使用。
进一步，例如，在通过加热熔融焊锡而进行连接时，为了赋予焊剂活性而添加的化合物必须在加热时不分解和挥发，并且残留在粘接剂(密封填充用膜状树脂组合物)中。也就是说，为了赋予焊剂活性而添加的化合物，其通过TGA(Thermal  Gravimetory Analysis)法所测定的热重量变化率为0％(残存重量为0)的最低温度，优选比焊锡的熔融温度高。此外，作为为了赋予焊剂活性而添加的化合物，使用常温下为固体状的物质时，优选该化合物的熔融温度比焊锡的熔融温度低，也就是说，为了均匀地除去焊锡表面的氧化膜，在焊锡的熔融温度下，化合物优选具有流动性，即以液体形式或熔融状态存在。
另外，本发明中所谓的焊剂活性，是指能够还原除去金属表面的氧化膜，从而使金属容易熔融，并且不会阻碍熔融金属润湿扩展，可以获得形成金属接合部的状态的性能，例如，是指在铜板等之上加热熔融焊球而进行连接时，焊球尺寸相比于初期直径变大，在铜表面上润湿扩展，并且在对熔融后的焊球进行剪切试验时，能够获得焊锡与铜的界面上未产生断裂，而焊球涨大破损的状态。
此外，在将熔融后的焊球相对于其初期直径的变化率定义为后述的焊锡润湿扩展率时，为了实现良好的焊剂活性，焊锡润湿扩展率优选为20％以上，更优选为30％以上，并进一步优选为40％以上。
(a)热塑性树脂的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，优选为5～50重量份，更优选为5～40重量份，特别优选为10～35重量份。当该配合量不到5重量份时，存在有难以成膜的倾向，当其超过50重量份时，存在有粘度变高，产生连接不良的风险。
(b)环氧树脂的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，优选为10～90重量份，更优选为15～90重量份，并进一步优选为20～80重量份。当该配合量不到10重量份时，存在有固化物的耐热性下降的倾向，而当其超过90重量份时，存在有成膜性下降的风险。
(c)固化剂的配合量，根据固化剂的种类而不同，一般来说，相对于(b)环氧树脂100重量份，为0.05～30重量份。当固化剂为咪唑化合物时，相对于(b)环氧树脂100重量份，优选为0.1～20重量份，并更优选为1～10重量份。当该配合量不到0.1重量份时，固化不充分。此外，当其多于20重量份时，存在有固化物的耐热性下降的情况。
(d)具有2个以上酚羟基的化合物的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，优选为0.5～20重量份，并更优选为1～15重量份。当该配合量不到0.5重量份时，存在有焊剂活性不足的情况，而当其超过20重量份时，则并非环氧树脂单独的固化体系，而是形成了环氧树脂和酚类的固化体系(在固化物的网络中***了酚类)，因此存在有由于所用的具有酚羟基的化合物，导致无法充分表现出环氧树脂的特性，固化物的耐热性下降的风险。
另外，(d)具有2个以上酚羟基的化合物的种类以及最适合的配合量，不仅考虑有无焊剂活性，而且考虑成膜性、膜制造时的操作性(清漆的粘度变化等)、膜的处理性(粘性、冲裁或切割等加工性等)等，进行设定。
本发明的密封填充用膜状树脂组合物，优选还含有无机填料。通过含有无机填料，例如，可以使密封填充用膜状树脂组合物的粘度调整变得容易，还可以控制固化物性。此外，还能够抑制在连接半导体芯片和基板时产生空隙以及抑制吸湿率。
作为无机填料，没有特别限定，例如，可以列举玻璃、二氧化硅(silica)、氧化铝(alumina)、氧化钛(titania)、氧化镁(magnesia)、碳黑、云母、硫酸钡等。这些填料可以单独使用，或者将2种以上混合使用。此外，还可以是含有2种以上金属氧化物的复合氧化物(不是2种以上金属氧化物简单混合所形成的材料，而是金属氧化物彼此之间化学结合而形成无法分离状态的材料)，例如，可以列举二氧化硅和氧化钛、二氧化硅和氧化铝、氧化硼和氧化铝、二氧化硅和氧化铝和氧化镁等所形成的复合氧化物。此外，就填料的粒径而言，为了防止在进行倒装芯片连接时填料被连接部捕捉而阻碍电连接，优选其平均粒径为10μm以下。进一步，为了调整粘度以及固化物物性，还可以将2种以上粒径不同的填料组合使用。
本发明中填料的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，优选为200重量份以下，更优选为150重量份以下。当该配合量多于200重量份时，存在有粘接剂的粘度变高，发生连接不良的风险，此外，还存在有膜的挠性下降而变脆的倾向。
此外，在含有无机填料时，通过使无机填料和树脂的折射率大致相同，可以实现对波长为555nm的光，至少10％以上的透过率。通过具有这种透过率，在将密封填充用膜状树脂组合物粘贴至基板或半导体芯片后进行单片化的方法中，很容易透过密封填充用膜状树脂组合物来识别用于进行单片化位置与基板和半导体芯片的位置重合的位置重合标记。
在使用环氧树脂作为树脂时，无机填料的折射率相对于约1.6的环氧树脂的折射率，优选为1.53～1.65。作为显示出这种折射率的无机填料，可以列举硫酸钡、氧化镁、二氧化硅和氧化钛所形成的复合氧化物、二氧化硅和氧化铝所形成的复合氧化物、氧化硼和氧化铝所形成的复合氧化物、二氧化硅和氧化铝和氧化镁所形成的复合氧化物等。
另外，使用本发明的密封填充用膜状树脂组合物来连接半导体芯片和基板时，可以将切割为单片的密封填充用膜状树脂组合物粘贴在基板上，也可以粘贴在半导体芯片的形成了凸块的面上。此外，也可以在将基板单片化之前，在多个基板连在一起的状态下，将密封填充用膜状树脂组合物粘贴在基板整体上，在连接半导体芯片后，进行单片化。此外，还可以将密封填充用膜状树脂组合物粘贴在单片化为半导体芯片前的半导体晶片上，通过切割将其单片化为半导体芯片。
进一步，本发明的密封填充用膜状树脂组合物中，还可以配合固化促进剂、硅烷偶联剂、钛偶联剂、抗氧剂、流平剂、离子捕捉剂等添加剂。这些添加剂可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。对于配合量，调整至能够表现出各添加剂的效果即可。
本发明的密封填充用膜状树脂组合物的粘度，优选在150℃时为50Pa·s以下，更优选为40Pa·s以下，进一步优选为30Pa·s以下。当粘度高于50Pa·s时，会有产生连接不良的情况。粘度的测定方法，可以使用剪切粘弹性测定装置(例如，TA仪器公司制ARES)，将膜夹在直径为8～25mm的平行圆板间，并在规定的温度下，在频率为1～10Hz的条件下能够测定，并且测定可以全自动地进行。
此外，还可以通过以下方法算出：将冲裁为圆形的密封填充用膜状树脂组合物夹在玻璃板之间，并在规定的温度、规定的压力下加压规定的时间，由加压前后树脂厚度的变化进行计算。也就是说，可以通过下式(1)(涉及平行板间的单轴压缩流动的希雷(ヒ一リ一)公式)算出。
η＝8πFtZ4Z0 4/3V2(Z0 4-Z4)...(1)
η：粘度(Pa·s)
F：荷重(N)
t：加压时间(s)
Z：加压后的树脂厚度(m)
Z0：加压前的树脂厚度(m)
V：树脂的体积(m3)
本发明的密封填充用膜状树脂组合物在260℃时的凝胶化时间，优选为1～60s，更优选为3～40s，并进一步优选为5～30s。当其短于1s时，焊锡等在熔融前就固化了，存在有产生连接不良的风险，而当其多于60s时，存在有生产性下降，或固化变得不充分而导致可靠性下降的风险。另外，凝胶化时间，是指将本发明的密封填充用膜状树脂组合物放置在设定为260℃的热板上，并用刮刀等进行搅拌，直到无法搅拌的时间。
本发明的密封填充用膜状树脂组合物，例如，可以如下制造。也就是说，在甲苯、乙酸乙酯、甲基乙基酮等有机溶剂中，混合(a)热塑性树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂、(d)具有2个以上酚羟基的化合物、无机填料以及其它添加剂，制作清漆，使用刮刀涂布器或辊涂机将该清漆涂布在实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂等膜基材上，然后干燥除去有机溶剂，从而进行制造。
图1是表示使用本发明的密封填充用膜状树脂组合物制造的半导体封装体的一种实施方式的截面图。图1所示的半导体封装体100具有如下结构：一面上具有凸块3(焊锡凸块等)的半导体芯片5和一面上具有配线4、另一面上具有形成有焊球1的电极衬垫2的基板7，通过密封填充用膜状树脂组合物6接合，使得凸块3和配线4被电连接。在半导体封装体100中，半导体芯片5和基板7之间的间隙以及半导体芯片5的周围通过密封填充用膜状树脂组合物6进行密封或填充。
作为半导体芯片5，没有特别限定，可以使用硅、锗等元素半导体、砷化镓、磷化铟等化合物半导体等各种半导体。
作为基板7，可以是通常的电路基板，或者也可以是半导体芯片。电路基板的场合，可以使用将在玻璃环氧树脂、聚酰亚胺、聚酯、陶瓷等绝缘基板表面上形成的铜等金属层中不需要的位置蚀刻除去而形成了配线图案的基板、通过镀铜在绝缘基板表面上形成了配线图案的基板、在绝缘基板表面上印刷导电性物质而形成了配线图案的基板等。在配线图案(配线4)的表面上，可以形成由低熔点焊锡、高熔点焊锡、锡、铟、金、镍、银、铜、钯等所构成的金属层，该金属层可以仅由单一的成分构成，也可以由多种成分构成。此外，还可以形成多个金属层叠层而成的结构。
作为称作凸块3的导电性突起的材质，可以使用由低熔点焊锡、高熔点焊锡、锡、铟、金、银、铜等所构成的材料，其可以仅由单一的成分构成，也可以由多种成分构成。此外，还可以形成为这些金属叠层而成的结构。凸块可以在半导体芯片5上形成，也可以在基板7上形成，并且还可以在半导体芯片5和基板7这两者上形成。
作为半导体封装体，是在被称作内插板(interposer)的基板上搭载半导体芯片，并进行树脂密封所形成的封装体，例如，可以列举CSP(芯片尺寸封装)或BGA(球栅阵列)等。此外，作为通过在半导体芯片表面上对半导体芯片的电极部进行再配线从而无需内插板就能够搭载于基板上的半导体封装体，例如，可以列举被称为晶片级封装的封装体。作为搭载半导体封装体的基板，可以是通常的电路基板，相对于内插板，可以称为母插板。
图2是表示使用本发明的密封填充用膜状树脂组合物制造的半导体装置的一种实施方式的截面图。图2所示的半导体装置200具有如下结构：母插板8和半导体封装体100(参见图1)通过密封填充用膜状树脂组合物12进行接合，使得焊球1和配线11被电连接，所述母插板8形成有内层配线9、通道10以及通孔13并且在一面上具有配线11。在半导体装置200中，基板7和母插板8之间的间隙以及半导体封装体100的周围通过密封填充用膜状树脂组合物12进行密封或填充。
接着，对本发明的半导体封装体的制造方法进行说明。图3是表示使用本发明的密封填充用膜状树脂组合物的半导体芯片制造方法的一种实施方式的截面图。
(1)首先，准备如图3(a)所示的形成有配线14的基板15。然后，如图3(b)所示，在基板15上叠层并粘贴密封填充用膜状树脂组合物16使其覆盖配线14。粘贴可以通过热压机、辊式层压机、真空层压机等进行。密封填充用膜状树脂组合物16的供给量根据粘贴面积和膜厚度来设定，并通过半导体芯片18的尺寸、凸块高度(凸块19从半导体芯片18表面起的高度)等进行规定，即使粘度等产生经时变化，也可以很容易地控制供给量。
另外，可以将密封填充用膜状树脂组合物16粘贴在半导体芯片18上，或者也可以将密封填充用膜状树脂组合物16粘贴在半导体晶片上后进行切割，将其单片化为半导体芯片18，从而可以制作粘贴有密封填充用膜状树脂组合物16的半导体芯片18。
(2)接着，如图3(c)所示，将具有凸块19(焊锡凸块)的半导体芯片18安装在倒装芯片接合器等连接装置的连接头17上，另一方面，将粘贴有密封填充用膜状树脂组合物16并且带有配线14的基板15安装在同一连接装置的台板20上，进行位置对齐，然后一边以凸块19熔点以上的温度来加热半导体芯片18和基板15，一边进行挤压。接着，如图3(d)所示，通过接合凸块19和配线14，使半导体芯片18和基板15电连接，同时，由熔融的密封填充用膜状树脂组合物16密封填充半导体芯片18和基板15间的空隙。这时，由于密封填充用膜状树脂组合物16的焊剂活性，凸块19表面的氧化膜被还原除去，凸块19熔融，通过金属接合而形成连接部。
此外，虽然图3中未记载，但也可以通过使半导体芯片和基板位置对齐，一边以凸块(焊锡凸块)不熔融的温度来加热，一边进行挤压，由此使密封填充用膜状树脂组合物熔融，除去半导体芯片的凸块和基板电极间的树脂，并同时密封填充半导体芯片和基板间的空隙，临时固定半导体芯片和基板，然后通过在回流炉中进行加热处理，使凸块熔融，连接半导体芯片和基板，由此制造半导体封装体。
(3)进一步，为了提高连接可靠性，还可以在加热烘箱等中对上述半导体封装体进行加热处理，进一步进行密封填充用膜状树脂组合物的固化。
使用本发明的密封填充用膜状树脂组合物的半导体装置的制造方法，可以和上述半导体芯片的制造方法大致同样地进行实施。也就是说，使用图1的半导体封装体100代替图3中的具有凸块19的半导体芯片18，使用图2中的形成有内层配线9、通道10以及通孔13并且在一面上具有配线11的母插板8代替图3中的形成有配线14的基板15，并使密封填充用膜状树脂组合物16介于两者之间，一边将半导体封装体100和母插板8加热至焊球1的熔点以上，一边加压接合这两者。
实施例
以下，通过参考例、实施例和比较例说明本发明，但本发明的范围并不由此限定。
(参考例)
将作为(a)热塑性树脂的25重量份苯氧基树脂FX293(东都化成株式会社制，制品名)，作为(b)环氧树脂的30重量份固形多官能环氧树脂EP1032H60(日本环氧树脂公司制，制品名)和45重量份液状双酚A型环氧树脂EP828(日本环氧树脂公司制，制品名)，作为(d)具有2个以上酚羟基的化合物的5重量份表1所示的化合物，作为球状二氧化硅填料的100重量份SE6050(Admatechs公司制，制品名，平均粒径2μm)在甲苯-乙酸乙酯溶剂中溶解混合，使固体成分浓度为60～70％，制作清漆。使用刮刀涂布器将该清漆涂布在隔膜(PET膜)上，然后在70℃的烘箱中干燥10分钟，由此制作厚度为40～45μm的参考例1～7的膜状树脂组合物。在使用时，通过热辊层压机将其2片叠合在一起，并调整厚度为80～90μm进行使用。
(焊剂活性评价方法)
按照以下程序，评价参考例的焊剂活性。
在切割为25mm见方的两面贴有铜箔的玻璃环氧基板(日立化成工业株式会社制，制品名：MCL-E-679F，厚度为0.3mm，经过了脱脂和酸洗处理)的铜表面上，粘附切割为10mm见方的膜状树脂组合物，剥离隔膜，然后在膜状树脂组合物上配置5个焊球(千住金属工业株式会社制，制品名：M705(Sn-3Ag-0.5Cu)，球直径为0.4mm，熔点为217～220℃)，并进一步设置覆盖玻璃(尺寸为18mm见方，厚度为0.17mm)，制作评价用样品，并且，对于各种膜状树脂组合物，使用2个评价用样品进行评价。
将该评价用样品在加热至160℃的热板上放置30秒钟，并继续在加热至260℃的热板上放置30秒钟，再返回至室温，然后将评价用样品浸渍在甲基乙基酮中，溶解除去膜状树脂组合物，测定残留在玻璃环氧基板表面上的焊球数量和直径。焊锡润湿扩展率根据下式(2)算出。
焊锡润湿扩展率(％)＝(残留在基板表面上的焊球直径-初期焊球直径)/初期焊球直径×100...(2)
进一步，对玻璃环氧基板表面残留的焊球实施剪切试验，结果，将在焊球与铜箔的界面上产生断裂的情况记作“B”，焊球本体破坏破损的情况为焊剂活性充分，记作“A”。另外，剪切试验，使用接合测试仪系列4000(DAGE社制，制品名)，在室温下，剪切高度为50μm，剪切速度为100μm/s的条件下进行。
(挥发结束温度的测定)
化合物的挥发结束温度(热重量变化率为0％时的最低温度)的测定是使用TG/DTA6300(精工仪器公司制，制品名)，在升温速度为10℃/min，空气流量为200ml/min，测定温度范围为30～300℃，样品重量为5～10mg的条件下进行。
焊剂活性的评价结果示于表1。(另外，表1内的“≥”表示“以上”，“＜”表示“不到”。)
[表1]
  化合物名  性状   酚羟基数量   挥发结束温度(℃)   焊球残存数   焊锡润湿扩展率(％)   剪切试验断裂模式   备注(制造商)
  参考例1   无  -   -   -   3/10   59   A和B混合存在    -
  参考例2   对-(α-枯基)苯酚  固体状(熔点：75℃)   1   258.7   4/10   50   A和B混合存在   关东化学株式会社
  参考例3   苯酚酚醛清漆树脂  固体状(软化点：80℃)   ≥2   ＜300   8/10   65   A   日立化成工业株式会社HP-850(制品名)
  参考例4   苯酚芳烷基树脂  固体状(软化   ≥2   ＜300   7/10   64   A   三井化学工业株式会社
 点：70℃)   XLC-3L(制品名)
  参考例5   烯丙基化苯酚酚醛清漆树脂  液状   ≥2   ＜300   9/10   71   A   明和化成工业株式会社MEH8000H(制品名)
  参考例6   2，2’-二烯丙基双酚A  液状   2   ＜300   8/10   50   A   西格玛奥德里奇公司
  参考例7   2，5-二羟基苯甲酸  固体状(熔点：95℃)   2   ＜300   8/10   48   A   绿化学株式会社龙胆酸(制品名)
在参考例1中，虽然可以观察到被认为是起因于苯氧基树脂和环氧树脂中所存在的醇羟基的焊剂活性，但其效果并不充分，而在参考例2中，也未显示出充分的焊剂活性。如参考例3～6所示，通过使用具有2个以上酚羟基的化合物，和参考例1、2相比，焊球残存率或焊锡润湿扩展率提高，在剪切试验中，在焊球与铜箔的界面上未产生断裂，而发生涨大破损，显示出了和作为有机酸的2，5-二羟基苯甲酸(参考例7)同样的焊剂活性。
(实施例1～4和比较例1、2)
将作为(a)热塑性树脂的25重量份苯氧基树脂FX293(东都化成株式会社制，制品名)，作为(b)环氧树脂的30重量份固形多官能环氧树脂EP1032H60(日本环氧树脂公司制，制品名)和45重量份液状双酚A型环氧树脂EP828(日本环氧树脂公司制，制品名)，作为(c)固化剂的3重量份2，4-二羟基甲基-5-苯基咪唑2PHZ(四国化成株式会社制，制品名)，作为(d)具有2个以上酚羟基的化合物的5重量份表2所示的化合物，以及作为无机填料的100重量份作为球状二氧化硅填料的SE6050(Admatechs公司制，制品名)，在甲苯-乙酸乙酯溶剂中溶解混合，使固体成分浓度为60～70％，制作清漆。使用刮刀涂布器将该清漆涂布在隔膜(PET膜)上，然后在70℃的烘箱中干燥10分钟，由此制作厚度为40～45μm的实施例1～4和比较例1～3所示的密封填充用膜状树脂组合物。在使用时，通过热辊层压机将其2片叠合在一起，并调整厚度为80～90μm进行使用。
(比较例3)
除了使无机填料的配合量为220重量份以外，和实施例1～4以及比较例1、2同样地进行制作。
密封填充用膜状树脂组合物的固化物的物性，如下测定。
(平均线膨胀系数的测定)
制备将在200℃/1h的加热条件下进行了处理的样品切割为3.0mm×25mm尺寸的材料，并使用TMA/SS6000(精工仪器公司制，制品名)，在夹盘间距为15mm、测定温度范围为20～300℃、升温速度为5℃/min、相对于膜的截面积为0.5MPa的拉伸荷重的条件下进行测定，算出40～100℃温度范围内的平均线膨胀系数。
(弹性模量和玻璃化温度(Tg)的测定)
制备将在200℃/1h的加热条件下进行了处理的样品切割为5.0mm×45mm尺寸的材料，并使用DMS6100(精工仪器公司制，制品名)，在夹盘间距为20mm、频率为1Hz、测定温度范围为20～300℃、升温速度为5.0℃/min的条件下，进行储能模量、损耗模量以及tanδ的测定，读取40℃时的储能模量和作为玻璃化温度(Tg)的tanδ的峰值温度。
(粘度测定)
准备如下制备的材料：将冲裁为直径为4mm圆形的密封填充用膜状树脂组合物粘贴在15mm见方(厚度为0.7mm)的玻璃板上，剥离隔膜，然后放置覆盖玻璃(尺寸为18mm见方，厚度为0.17mm)以覆盖密封填充用膜状树脂组合物。将上述制备的材料配置在倒装芯片接合器FCB3(松下生产科技公司制，制品名)上，并在机头温度为185℃、台板温度为50℃、荷重为12.6N、加压时间为1s(至150℃)的条件下进行加热、加压。在假设树脂体积一定时，下式(3)的关系成立，因此，用显微镜测定加压后的半径，并根据前式(1)，算出150℃时的粘度。
Z/Z0＝(r0/r)2...(3)
Z0：加压前的树脂厚度
Z：加压后的树脂厚度
r0：加压前的树脂的半径(由于以直径为4mm进行冲裁，因此为2mm)
r：加压后的树脂的半径
(保存稳定性)
将密封填充用膜状树脂组合物放置在40℃的恒温槽中，6天后的粘度为初期粘度2倍以下的材料具有保存稳定性，将其记作“A”，而大于2倍的材料不具有保存稳定性，将其记作“B”。粘度测定使用前述方法进行测定。
(凝胶化时间的测定)
将剥离了隔板的密封填充用膜状树脂组合物配置在260℃的热板上，将用刮刀搅拌至无法搅拌的时间作为凝胶化时间。
(连接样品的制作)
在铜配线表面上形成有Sn-3.0Ag-0.5Cu的支撑焊锡层的印刷基板JKITTYPE III(日立超LSI***公司制，制品名)的芯片搭载区域上，在80℃/50N/5s的条件下粘贴已切割为10mm见方的密封填充用膜状树脂组合物后，剥离隔膜，使用倒装芯片接合器FCB3(松下生产科技公司制，制品名)进行形成有高熔点焊锡凸块(95Pb-5Sn)的芯片Phase2E175(日立超LSI***公司制，制品名、尺寸为10mm见方、厚度为550μm、凸块数为832、凸块间距为175μm)和印刷基板的位置对齐，一边以5N的荷重进行加压，一边以180℃/5～30s+230～280℃/5s的温度曲线进行加热，连接芯片和基板。然后，在165℃的烘箱中进行2小时加热处理，制作连接样品。
(焊锡接合性)
进行连接样品的导通检查，将能够导通的材料记作“A”。然后，观察连接部的截面，将凸块与支撑焊锡均匀润湿并接合的材料记作“A”，将未均匀润湿的材料记作“B”。
(耐湿可靠性)
将连接样品在设定为温度130℃/相对湿度85％的试验槽内放置100小时后，进行导通检查，与放置前的连接电阻进行比较，电阻变化率为±10％以内的材料具有耐湿可靠性，将其记作“A”。
(绝缘可靠性)
在具有以配线宽为20μm、配线间距为40μm所形成的铜配线的梳型图案的聚酰亚胺基板上，在80℃/100N/5s的条件下粘贴密封填充用膜状树脂组合物，以覆盖梳型图案，剥离隔膜，然后在165℃的烘箱中进行2小时加热处理，制作评价用样品。将样品放置在设定至温度130℃/相对湿度85％的试验槽内，并对样品施加5V的直流电压，使用migration tester MIG-8600(IMV社制，制品名)连续测定试验槽内的绝缘电阻。将在100小时的测定中保持106Ω以上绝缘电阻的材料记作“A”，将绝缘电阻不到106Ω的材料记作“B”。
(综合判定)
作为依据上述各评价指标的综合评价，将具有作为密封填充用膜状树脂组合物的连接可靠性的材料记作“A”，将不具有连接可靠性的材料记作“B”。
评价结果示于表2。
由表2所示结果可知，在实施例1～4中，显示出了良好的保存稳定性、焊锡接合性、耐湿可靠性以及绝缘可靠性。另一方面，在比较例1中，在截面观察中，凸块和支撑焊锡未均匀润湿，焊剂活性不足。在比较例2中，虽然焊锡接合性良好，但保存稳定性差，在绝缘可靠性评价中，在测定80小时后产生不良。在比较例3中，可以认为保存稳定性差，并且，凸块和支撑焊锡未均匀润湿，膜状树脂组合物的粘度高，因此阻碍了熔融焊锡的润湿扩展。
如上所述，根据本发明，可以得到一种显示出良好的保存稳定性和焊剂活性，并且连接可靠性优异的密封填充用膜状树脂组合物。此外，通过使用本发明的密封填充用膜状树脂组合物，容易进行金属接合，能够制造连接可靠性优异的半导体装置。进一步，能够实现良好的生产性。
工业实用性
根据本发明，可以提供一种显示出良好的保存稳定性和焊剂活性，并且连接可靠性优异的密封填充用膜状树脂组合物。此外，通过使用本发明的密封填充用膜状树脂组合物，还可以提供一种容易进行金属接合，连接可靠性优异的制造方法以及半导体装置。

Claims (27)

1.一种密封填充用膜状树脂组合物，其含有(a)热塑性树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)具有2个以上酚羟基的化合物，
(d)具有2个以上酚羟基的化合物是选自由烯丙基化苯酚酚醛清漆树脂、二烯丙基双酚A、二烯丙基双酚F和二烯丙基联苯二酚组成的组中的至少一种化合物。
2.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，(a)热塑性树脂是选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸酯树脂和聚碳化二亚胺树脂组成的组中的至少一种树脂。
3.如权利要求2所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，所述苯氧基树脂是分子内具有芴骨架的苯氧基树脂。
4.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，(b)环氧树脂是选自由双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、含有萘骨架的多官能环氧树脂、含有二环戊二烯骨架的多官能环氧树脂和含有三苯甲烷骨架的多官能环氧树脂组成的组中的至少一种树脂。
5.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，(d)具有2个以上酚羟基的化合物是在120～300℃时呈液状的化合物。
6.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，(c)固化剂为咪唑化合物。
7.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，(a)热塑性树脂的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，为5～50重量份。
8.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，(b)环氧树脂的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，为10～90重量份。
9.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，(c)固化剂的配合量，相对于(b)环氧树脂100重量份，为0.05～30重量份。
10.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，(d)具有2个以上酚羟基的化合物的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，为0.5～20重量份。
11.如权利要求1所述的密封填充用膜状树脂组合物，其进一步含有无机填料。
12.如权利要求11所述的密封填充用膜状树脂组合物，其中，所述无机填料是选自由玻璃、二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化镁、碳黑、云母和硫酸钡组成的组中的至少一种物质。
13.一种半导体封装体的制造方法，其通过权利要求1～12任一项所述的密封填充用膜状树脂组合物对半导体芯片和基板进行倒装芯片连接。
14.一种半导体装置的制造方法，其通过权利要求1～12任一项所述的密封填充用膜状树脂组合物来连接半导体封装体和基板。
15.一种半导体装置，其具有使用权利要求1～12任一项所述的密封填充用膜状树脂组合物连接的基板。
16.含有(a)热塑性树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)具有2个以上酚羟基的化合物的膜状树脂组合物的用于密封填充的应用，
(d)具有2个以上酚羟基的化合物是选自由烯丙基化苯酚酚醛清漆树脂、二烯丙基双酚A、二烯丙基双酚F和二烯丙基联苯二酚组成的组中的至少一种化合物。
17.如权利要求16所述的应用，其中，(a)热塑性树脂是选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸酯树脂和聚碳化二亚胺树脂组成的组中的至少一种树脂。
18.如权利要求17所述的应用，其中，所述苯氧基树脂是分子内具有芴骨架的苯氧基树脂。
19.如权利要求16所述的应用，其中，(b)环氧树脂是选自由双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、含有萘骨架的多官能环氧树脂、含有二环戊二烯骨架的多官能环氧树脂和含有三苯甲烷骨架的多官能环氧树脂组成的组中的至少一种树脂。
20.如权利要求16所述的应用，其中，(d)具有2个以上酚羟基的化合物是在120～300℃时呈液状的化合物。
21.如权利要求16所述的应用，其中，(c)固化剂为咪唑化合物。
22.如权利要求16所述的应用，其中，(a)热塑性树脂的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，为5～50重量份。
23.如权利要求16所述的应用，其中，(b)环氧树脂的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，为10～90重量份。
24.如权利要求16所述的应用，其中，(c)固化剂的配合量，相对于(b)环氧树脂100重量份，为0.05～30重量份。
25.如权利要求16所述的应用，其中，(d)具有2个以上酚羟基的化合物的配合量，相对于(a)热塑性树脂和(b)环氧树脂的总量100重量份，为0.5～20重量份。
26.如权利要求16所述的应用，其进一步含有无机填料。
27.如权利要求26所述的应用，其中，所述无机填料是选自由玻璃、二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化镁、碳黑、云母和硫酸钡组成的组中的至少一种物质。
CN2008801210902A 2007-12-20 2008-12-19 密封填充用膜状树脂组合物、使用该树脂组合物的半导体封装体和半导体装置的制造方法、以及半导体装置 Expired - Fee Related CN101903437B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-328543 2007-12-20
JP2007328543 2007-12-20
PCT/JP2008/073228 WO2009081874A1 (ja) 2007-12-20 2008-12-19 封止充てん用フィルム状樹脂組成物、それを用いた半導体パッケージ及び半導体装置の製造方法、並びに半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101903437A CN101903437A (zh) 2010-12-01
CN101903437B true CN101903437B (zh) 2012-09-26

Family

ID=40801175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801210902A Expired - Fee Related CN101903437B (zh) 2007-12-20 2008-12-19 密封填充用膜状树脂组合物、使用该树脂组合物的半导体封装体和半导体装置的制造方法、以及半导体装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5299279B2 (zh)
CN (1) CN101903437B (zh)
WO (1) WO2009081874A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5577640B2 (ja) * 2009-07-24 2014-08-27 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法
CN102598235B (zh) * 2009-09-30 2014-12-03 积水化学工业株式会社 半导体接合用粘接剂、半导体接合用粘接膜、半导体芯片的安装方法及半导体装置
JP5633214B2 (ja) * 2010-07-05 2014-12-03 住友ベークライト株式会社 半導体装置の製造方法およびそれを用いてなる半導体装置、並びに電気、電子部品の製造方法およびそれを用いてなる電気、電子部品
JP2012089750A (ja) 2010-10-21 2012-05-10 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
CN102083281B (zh) * 2010-10-27 2013-04-10 北京遥测技术研究所 一种提升高频qfn器件焊装可靠性的方法
JP2012156385A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、半導体装置、多層回路基板および電子部品
CN110556344A (zh) 2012-02-24 2019-12-10 日立化成株式会社 半导体用粘接剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置
JP6228799B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-08 新日鉄住金化学株式会社 エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
CN104910585B (zh) * 2015-06-10 2018-03-30 苏州生益科技有限公司 热固性树脂组合物及使用其制作的半固化片及层压板
US10669454B2 (en) * 2015-10-29 2020-06-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including heating and pressuring a laminate having an adhesive layer
KR20190085016A (ko) * 2016-12-07 2019-07-17 히타치가세이가부시끼가이샤 밀봉용 수지 조성물, 경화물, 전자 부품 장치 및 전자 부품 장치의 제조 방법
WO2019208614A1 (ja) 2018-04-26 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1036972A (zh) * 1988-02-04 1989-11-08 新日铁化学株式会社 母体树脂组合物
US6383659B1 (en) * 1999-04-14 2002-05-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device
JP4225162B2 (ja) * 2003-08-18 2009-02-18 日立化成工業株式会社 封止用フィルム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10120761A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物、封止用成形材料及び電子部品
JP2002322457A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Tomoegawa Paper Co Ltd 半導体装置用接着剤組成物及び半導体装置用接着シート
JP2007002206A (ja) * 2005-05-24 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1036972A (zh) * 1988-02-04 1989-11-08 新日铁化学株式会社 母体树脂组合物
US6383659B1 (en) * 1999-04-14 2002-05-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device
JP4225162B2 (ja) * 2003-08-18 2009-02-18 日立化成工業株式会社 封止用フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2009081874A1 (ja) 2011-05-06
JP5299279B2 (ja) 2013-09-25
CN101903437A (zh) 2010-12-01
WO2009081874A1 (ja) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101903437B (zh) 密封填充用膜状树脂组合物、使用该树脂组合物的半导体封装体和半导体装置的制造方法、以及半导体装置
JP5581576B2 (ja) フラックス活性剤、接着剤樹脂組成物、接着ペースト、接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
TWI559471B (zh) 半導體密封填充用熱硬化性樹脂組成物及半導體裝置
TWI696681B (zh) 薄膜狀接著劑、使用薄膜狀接著劑之半導體封裝體之製造方法
CN107771354B (zh) 工程聚合物类电子材料
CN1333462C (zh) 层压片、用于制造半导体器件的方法和半导体器件
KR100556981B1 (ko) 전자부품
TWI571387B (zh) 預施加底部填充劑
SG176437A1 (en) Adhesive tape and semiconductor device using the same
JP4449325B2 (ja) 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。
WO2001047660A1 (fr) Flux de durcissement, resist de soudage, boitier de semi-conducteur renforce par flux de durcissement, dispositif semi-conducteur et procede de production de boitier de semi-conducteur et de dispositif semi-conducteur
US20120205820A1 (en) Encapsulating resin sheet and semiconductor device using the same, and manufacturing method for the semiconductor device
WO2010084858A1 (ja) 実装部品の表面実装方法、その方法を用いて得られる実装部品構造体、及びその方法に用いられるアンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物
KR20200020666A (ko) 반도체용 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP2011111557A (ja) 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び回路部材の接続方法、並びに半導体装置
TWI384592B (zh) 半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法
KR20200016841A (ko) 반도체용 필름형 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR101035873B1 (ko) 고온 속경화형 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름
JP5493327B2 (ja) 封止充てん用樹脂組成物、並びに半導体装置及びその製造方法
TWI789406B (zh) 導電性接著劑組成物及使用其的連接結構體、製造連接結構體的方法
JP2011111556A (ja) 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び回路部材の接続方法、並びに半導体装置
JP5646021B2 (ja) 半導体パッケージ
KR20210143720A (ko) 반도체용 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR20220091038A (ko) 반도체 패키지용 언더필 필름 및 이를 이용하는 반도체 패키지의 제조방법
JP2003103398A (ja) 硬化性フラックスおよび硬化性フラックスシート

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120926

Termination date: 20161219