JP5913877B2 - 基板の処理方法 - Google Patents
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Description
基板1としては、例えば、従来公知の材質の半導体ウェハ等を好適に用いることができる。
接着剤2は、基板1をサポートプレート3に接着固定すると同時に、基板1の表面を覆って保護する構成である。よって、接着剤2は、基板1の加工または搬送の際に、サポートプレート3に対する基板1の固定、および基板1の保護すべき面の被覆を維持する接着性および強度を有している必要がある。一方で、サポートプレート3に対する基板1の固定が不要になったときに、基板1から容易に剥離または除去され得る必要がある。
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー(以下、「樹脂(A)」ということがある)、ならびに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂(以下、「樹脂(B)」ということがある)等が挙げられるが、これに限定されない。
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレンまたはスチレンの誘導体と、(メタ)アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−n−プロピルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−n−ブチルマレイミド、N−イソブチルマレイミド、N−sec−ブチルマレイミド、N−tert−ブチルマレイミド、N−n−ペンチルマレイミド、N−n−ヘキシルマレイミド、N−n−へプチルマレイミド、N−n−オクチルマレイミド、N−ラウリルマレイミド、N−ステアリルマレイミドなどのアルキル基を有するマレイミド、N−シクロプロピルマレイミド、N−シクロブチルマレイミド、N−シクロペンチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−シクロヘプチルマレイミド、N−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−m−メチルフェニルマレイミド、N−o−メチルフェニルマレイミド、N−p−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
なお、このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、例えば、ポリプラスチックス社製の「TOPAS」(商品名)、三井化学社製の「APEL」(商品名)、日本ゼオン社製の「ZEONOR」(商品名)および「ZEONEX」(商品名)、およびJSR社製の「ARTON」(商品名)などを使用できる。
サポートプレート3は、基板1を薄化する工程で支持する役割を果たす部材であり、接着剤2によって基板1に接着される。一実施形態において、サポートプレート3は、例えば、その膜厚が500〜1000μmであるガラスまたはシリコンで形成されている。
ダイシングテープ4は、基板1の強度を補強するために基板1の片面に接着される。ダイシングテープ4としては、例えばベースフィルムに粘着層が形成された構成のダイシングテープを用いることができる。ベースフィルムとしては、例えば、PVC(ポリ塩化ビニル)、ポリオレフィン又はポリプロピレン等の樹脂フィルムを用いることができる。
接着剤を溶解するための溶剤5としては、特に限定されないが、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数3から15の分岐状の炭化水素;ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、メントール、イソメントール、ネオメントール、リモネン、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、1,4−テルピン、1,8−テルピン、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ボルナン、ボルネオール、ノルボルナン、ピナン、α−ピネン、β−ピネン、ツジャン、α−ツジョン、β−ツジョン、カラン、ショウノウ、ロンギホレン、1,4−シネオール、1,8−シネオール等のモノテルペン類、アビエタン、アビエチン酸等のジテルペン類、等の環状の炭化水素(テルペン類)が挙げられる。また、上述の接着剤の説明において、接着剤を希釈するための溶媒として挙げた有機溶剤を用いてもよい。
続いて、本実施形態に係る基板の処理方法について説明する。本実施形態に係る基板の処理方法は、接着剤形成工程、接着工程、加工工程、加熱工程、冷却工程、貼付工程、分離工程および洗浄工程をこの順に実行する。但し、本発明は、必ずしも上述した全ての工程を実行する必要はなく、少なくとも加熱工程および洗浄工程を実行するものであればよい。
接着剤層形成工程では、まず、図1(a)に示すように、基板1上に接着剤2を塗布する。そして、図1(b)に示すように、基板1上に接着剤2が塗布された状態で、接着剤2を加温することにより、接着剤2の膜(接着剤層)を成膜する。接着剤2の膜の膜厚は、特に限定されないが、例えば、15μm以上130μm以下とすることができる。
接着工程では、基板1とサポートプレート3とを接着剤2の膜を介して接着する。例えば、基板1における接着剤2の膜が成膜されている側に、サポートプレート3を重ね、高温(例えば、215℃)下、真空中において加圧することにより、図1(c)のように、基板1とサポートプレート3とを接着することができる。ただし、接着の手法は、基板1の状態(表面の凹凸、強度など)、接着剤2の材料およびサポートプレート3の材料などに応じて、従来公知の種々の手法から好適なものを適宜選択すればよい。
加工工程では、サポートプレート3によって支持された基板1に対して、研削(薄化)、貫通電極形成等の所望の加工を行う。
加熱工程では、接着剤2の膜を加熱する。この加熱工程を、洗浄工程の前10分以内に行い、かつ、接着剤2のガラス転移温度以上に加熱することにより、洗浄工程後に基板1上に溶解残渣物が残存することを抑制することができる。なお、「加熱工程を、洗浄工程の前10分以内に行う」とは、加熱工程の完了時刻から、洗浄工程の開始時刻までの間隔が10分以下であることを意味する。
冷却工程は、加熱工程において加熱された基板1等を冷却することによって、基板1のハンドリング性を向上させる工程である。このような冷却工程を行ったとしても、加熱工程による本実施形態の効果は損なわれない。
貼付工程では、図1(d)のように、基板1におけるサポートプレート3が接着されている側とは反対側に、ダイシングテープ4を貼り付ける。
分離工程では、図1(e)のように、サポートプレート3を基板1から分離する。分離の手法は特に限定されないが、上述したように、サポートプレート3が穴を有している場合には、穴から溶剤5を供給することによって、接着剤2を溶解し、サポートプレート3を基板1から分離してもよい。また、上述したように、基板1とサポートプレート3との間に反応層が介在している場合には、反応層に光を照射することによって反応層を変質させて、サポートプレート3を基板1から分離してもよい。
洗浄工程では、図1(f)のように、基板1上の接着剤2に溶剤5を供給することによって、接着剤2を溶剤5に溶解させ、基板1上から接着剤2を除去する(図1(g))。溶剤5の供給方法は特に限定されないが、例えば、2流体ノズル等を用いて、溶剤5を噴射(スプレー)してもよい。このとき、図1(f)に示すように、ノズルを揺動させながら溶剤5の供給を行ってもよい。
本発明に係る基板の処理方法は、上述した構成に限定されない。例えば、予め接着剤2が塗布されている基板1が存在し、この基板1を洗浄することを目的とする場合には、基板の処理方法は、加熱工程および洗浄工程のみを含んでいればよい。
2 接着剤
3 サポートプレート(被接着物)
4 ダイシングテープ
5 溶剤
Claims (5)
- 基板上に塗布された接着剤を溶剤に溶解させて除去する洗浄工程を包含する基板の処理方法であって、
該洗浄工程の前10分以内に、該接着剤を該接着剤のガラス転移温度以上に加熱する加熱工程と、
該加熱工程の前に、該基板と、厚さ方向に貫通する穴を有するサポートプレートとを、該接着剤を介して接着する接着工程と、
該加熱工程の後、該洗浄工程の前に、該穴を介して上記溶剤を供給して、該接着剤を溶解させることにより、該基板から該サポートプレートを分離する分離工程とをさらに包含することを特徴とする基板の処理方法。 - 基板上に塗布された接着剤を溶剤に溶解させて除去する洗浄工程を包含する基板の処理方法であって、
該洗浄工程の前10分以内に、該接着剤を該接着剤のガラス転移温度以上に加熱する加熱工程と、
該加熱工程の前に、該基板と、光を吸収することによって変質するようになっている反応層が形成されたサポートプレートとを、該基板と該サポートプレートとの間に該反応層が介在するように、該接着剤を介して接着する接着工程と、
該接着工程の後、該洗浄工程の前に、該反応層に光を照射して、該反応層を変質させることにより、該基板から該サポートプレートを分離する分離工程とをさらに包含することを特徴とする基板の処理方法。 - 上記接着剤が、上記溶剤に溶解しない物質を含有していることを特徴とする請求項1または2に記載の基板の処理方法。
- 上記接着工程の前に、上記基板上に上記接着剤を塗布し、当該接着剤を加温することにより接着剤層を形成する接着剤層形成工程をさらに包含し、
該接着剤層形成工程と、上記加熱工程とが異なる工程であることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の基板の処理方法。 - 基板上に塗布された接着剤を溶剤に溶解させて除去する洗浄工程を包含する基板の処理方法であって、
該洗浄工程の前10分以内に、該接着剤を該接着剤のガラス転移温度以上に加熱する加熱工程と、
上記加熱工程の後、上記洗浄工程の前に、上記基板を冷却する冷却工程とをさらに包含することを特徴とする基板の処理方法。
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