JP2006245242A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006245242A JP2006245242A JP2005058035A JP2005058035A JP2006245242A JP 2006245242 A JP2006245242 A JP 2006245242A JP 2005058035 A JP2005058035 A JP 2005058035A JP 2005058035 A JP2005058035 A JP 2005058035A JP 2006245242 A JP2006245242 A JP 2006245242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resin composition
- sheet
- thermosetting resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】(1)バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、(2)耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、(3)該ウエハをチップに切断する工程、および(4)該チップを配線回路基板に搭載する工程
を含む、半導体装置の製造方法。
【選択図】なし
Description
〔1〕(1)バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、
(2)耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、
(3)該ウエハをチップに切断する工程、および
(4)該チップを配線回路基板に搭載する工程
を含む、半導体装置の製造方法、ならびに
〔2〕(1)バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、
(2)耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、
(2’)該ウエハの裏面を研削する工程、
(3)該ウエハをチップに切断する工程、および
(4)該チップを配線回路基板に搭載する工程
を含む、半導体装置の製造方法
に関する。
(1)バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、
(2)耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、
(3)該ウエハをチップに切断する工程、および
(4)該チップを配線回路基板に搭載する工程
を含むことを一つの特徴とする。
メチルエチルケトン300gに、ナフタレン型エポキシ樹脂(141g/eq、粘度:560mPa・s/50℃)100g、キシリレン型フェノール樹脂(171g/eq、粘度:0.04Pa・s/150℃)123.4g、アクリル酸アルキルエステル共重合体(ムーニー粘度ML(1+4)、100℃:52.5)56.9g、アジピン酸−イソプロピルビニルエーテル付加物(酸当量:160g/mol)8.8gおよび予めメチルエチルケトンに予備分散した球状シリカスラリー溶液(平均粒径:0.5μm、カットポイント:5μm、シリカ濃度:70wt%)431.7gを混合し、ホモミキサーを用いて800rpmで30分間攪拌した。
(1)ウエハへの貼付
製造例で作製した樹脂シートを、ロール貼り合せ機(日東電工社製:DR-8500-II)を用いてウエハ(サイズ:8インチ(約203.2mm)、ポリイミド、バンプ:鉛フリーハンダ、バンプ高さ:80μm)のパターン面に、ロール速度:20mm/秒、油圧:0.4MPaにて、表1に示すような周囲環境下で貼り合せした。ウエハへ貼った後、シート状熱硬化性樹脂組成物中またはシート状熱硬化性樹脂組成物とウエハ界面に混入した気泡の有無を光学顕微鏡により観察した。
(1)で作製したシート状熱硬化性樹脂組成物付ウエハを、芦田製作所社製:ACS-1102にいれ、表1に示した条件で窒素による加圧処理を行い、シート状熱硬化性樹脂組成物中またはシート状熱硬化性樹脂組成物とウエハ界面に混入した気泡の有無を光学顕微鏡により観察した。
(2)で作製したシート状熱硬化性樹脂組成物付ウエハをダイシングテープ(日東電工社製:DU-300)に貼り、基材シートを剥がした後、ダイシング装置(ディスコ社製:DFD-651)により10mm×10mmのチップに切断しシート状熱硬化性樹脂組成物付チップを作製した。
(3)で作製したシート状熱硬化性樹脂組成物付チップを、フリップチップボンダー(パナソニックファクトリーソリューションズ社製:FB30T-M)により配線回路基板へ加熱圧着(圧着温度:240℃、圧着時間:10秒、圧力:9.8×10-3N/バンプ)によりチップ搭載と樹脂封止を行った。得られた半導体装置は乾燥炉にて160℃で60分間樹脂のポストキュアを行い、目的とする半導体装置を得た。
2 ウエハ
3 バンプ
4 基材シート
5 気泡
6 密閉容器
7 吸気口
8 排気口
9 ダイシングテープ
10 チップ
11 配線回路基板
Claims (3)
- (1)バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、
(2)耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、
(3)該ウエハをチップに切断する工程、および
(4)該チップを配線回路基板に搭載する工程
を含む、半導体装置の製造方法。 - (1)バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、
(2)耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、
(2’)該ウエハの裏面を研削する工程、
(3)該ウエハをチップに切断する工程、および
(4)該チップを配線回路基板に搭載する工程
を含む、半導体装置の製造方法。 - シート状熱硬化性樹脂組成物の軟化点が10〜100℃である、請求項1または2記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005058035A JP4397837B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005058035A JP4397837B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006245242A true JP2006245242A (ja) | 2006-09-14 |
JP4397837B2 JP4397837B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=37051350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005058035A Expired - Fee Related JP4397837B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4397837B2 (ja) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078430A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2008147510A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Hitachi Chem Co Ltd | フリップチップ実装方法 |
JP2009027054A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2009099191A1 (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Sumitomo Bakelite Company Limited | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2009212511A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングシート機能付き半導体用フィルムおよび半導体装置 |
JP2009239138A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2009260218A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハのダイシング方法及び半導体チップと基板との接続方法 |
JP2010010368A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2011040064A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 積水化学工業株式会社 | 半導体接合用接着剤、半導体接合用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置 |
WO2011048774A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 住友ベークライト株式会社 | 電子装置の製造方法、電子装置および電子装置の製造装置 |
JP2011114301A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011211156A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電子装置の製造方法および電子装置 |
JP2012236883A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体封止用接着剤及びその製造方法、並びに半導体装置 |
JP2012253373A (ja) * | 2012-08-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2013033952A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013168536A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013214619A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2014096608A (ja) * | 2008-11-06 | 2014-05-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電子装置の製造方法と樹脂組成物 |
KR101399957B1 (ko) | 2012-11-23 | 2014-05-28 | 한국과학기술원 | 이중층 비전도성 폴리머 접착필름 및 전자패키지 |
WO2014167949A1 (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-16 | 日東電工株式会社 | 封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置 |
JP2015037195A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 印▲鉱▼科技有限公司 | 電子デバイスの製造方法及び製造装置 |
JP2016017122A (ja) * | 2014-07-07 | 2016-02-01 | 京セラケミカル株式会社 | 半導体接着用熱硬化型樹脂組成物及び半導体装置 |
US9281255B2 (en) | 2012-10-31 | 2016-03-08 | 3M Innovative Properties Company | Underfill composition and semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2016036041A (ja) * | 2015-10-21 | 2016-03-17 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2019208604A1 (ja) | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
WO2020262588A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、積層体、フィルム層付き半導体ウェハ、フィルム層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
WO2020262586A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、積層体、フィルム層付き半導体ウェハ、フィルム層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
WO2020262585A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
WO2020262581A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、積層体、フィルム層付き半導体ウェハ、フィルム層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
-
2005
- 2005-03-02 JP JP2005058035A patent/JP4397837B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078430A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2008147510A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Hitachi Chem Co Ltd | フリップチップ実装方法 |
JP2009027054A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2014112699A (ja) * | 2008-02-07 | 2014-06-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングシート機能付き半導体用フィルムおよび半導体装置 |
WO2009099191A1 (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Sumitomo Bakelite Company Limited | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2009212511A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングシート機能付き半導体用フィルムおよび半導体装置 |
US8759957B2 (en) | 2008-02-07 | 2014-06-24 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Film for use in manufacturing semiconductor device, method for producing semiconductor device and semiconductor device |
CN101939825B (zh) * | 2008-02-07 | 2013-04-03 | 住友电木株式会社 | 半导体用膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
JP2009260218A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハのダイシング方法及び半導体チップと基板との接続方法 |
JP2009239138A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2010010368A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014096608A (ja) * | 2008-11-06 | 2014-05-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電子装置の製造方法と樹脂組成物 |
JP2011202177A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-10-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体接合用接着剤、半導体接合用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置 |
JP4854807B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2012-01-18 | 積水化学工業株式会社 | フリップチップ実装用接着剤、フリップチップ実装用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置 |
CN102598235A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-07-18 | 积水化学工业株式会社 | 半导体接合用粘接剂、半导体接合用粘接膜、半导体芯片的安装方法及半导体装置 |
KR20120095353A (ko) * | 2009-09-30 | 2012-08-28 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 접합용 접착제, 반도체 접합용 접착 필름, 반도체 칩의 실장 방법 및 반도체 장치 |
WO2011040064A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 積水化学工業株式会社 | 半導体接合用接着剤、半導体接合用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置 |
KR101688677B1 (ko) | 2009-09-30 | 2016-12-21 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 플립 칩 실장용 접착제, 플립 칩 실장용 접착 필름, 반도체 칩의 실장 방법 및 반도체 장치 |
JP2011168762A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-09-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体接合用接着剤、半導体接合用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置 |
US8692394B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-04-08 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Adhesive for semiconductor bonding, adhesive film for semiconductor bonding, method for mounting semiconductor chip, and semiconductor device |
JP2011211156A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電子装置の製造方法および電子装置 |
WO2011048774A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 住友ベークライト株式会社 | 電子装置の製造方法、電子装置および電子装置の製造装置 |
JP2011114301A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012236883A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体封止用接着剤及びその製造方法、並びに半導体装置 |
JP2013033952A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013168536A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013214619A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012253373A (ja) * | 2012-08-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US9281255B2 (en) | 2012-10-31 | 2016-03-08 | 3M Innovative Properties Company | Underfill composition and semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101399957B1 (ko) | 2012-11-23 | 2014-05-28 | 한국과학기술원 | 이중층 비전도성 폴리머 접착필름 및 전자패키지 |
WO2014081064A1 (ko) * | 2012-11-23 | 2014-05-30 | 한국과학기술원 | 이중층 비전도성 폴리머 접착필름 및 전자패키지 구조 |
WO2014167949A1 (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-16 | 日東電工株式会社 | 封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置 |
CN104377139A (zh) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 印鋐科技有限公司 | 用于电子组件的制造方法与制造设备 |
JP2015037195A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 印▲鉱▼科技有限公司 | 電子デバイスの製造方法及び製造装置 |
JP2016017122A (ja) * | 2014-07-07 | 2016-02-01 | 京セラケミカル株式会社 | 半導体接着用熱硬化型樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2016036041A (ja) * | 2015-10-21 | 2016-03-17 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2019208604A1 (ja) | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
KR20210002451A (ko) | 2018-04-26 | 2021-01-08 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 적층체, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 |
WO2020262585A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
WO2020262586A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、積層体、フィルム層付き半導体ウェハ、フィルム層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
WO2020262581A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、積層体、フィルム層付き半導体ウェハ、フィルム層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
WO2020262588A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、積層体、フィルム層付き半導体ウェハ、フィルム層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
KR20220030924A (ko) | 2019-06-28 | 2022-03-11 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 필름, 적층체, 필름층 부착 반도체 웨이퍼, 필름층 부착 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 |
KR20220030920A (ko) | 2019-06-28 | 2022-03-11 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 필름, 적층체, 필름층이 형성된 반도체 웨이퍼, 필름층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 |
KR20220031543A (ko) | 2019-06-28 | 2022-03-11 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 수지 시트, 적층체, 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 |
KR20220030921A (ko) | 2019-06-28 | 2022-03-11 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 필름, 적층체, 필름층이 형성된 반도체 웨이퍼, 필름층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4397837B2 (ja) | 2010-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4397837B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4170839B2 (ja) | 積層シート | |
TWI387066B (zh) | 熱硬化型黏晶膜 | |
TWI606925B (zh) | Thermosetting sealing resin sheet and manufacturing method of electronic part package | |
JP5908306B2 (ja) | 半導体接合用接着剤及び半導体接合用接着フィルム | |
TW201448135A (zh) | 中空密封用樹脂薄片及中空封裝之製造方法 | |
JP2002093825A (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ | |
JP5005324B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
TWI629335B (zh) | Semiconductor adhesive | |
JP2005089660A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
JP4417122B2 (ja) | シート状半導体封止用樹脂組成物 | |
TW201532154A (zh) | 接著膜、切晶黏晶膜、半導體裝置之製造方法及半導體裝置 | |
TW201723117A (zh) | 黏著膜、半導體元件的製造方法及半導體元件 | |
JP2007314604A (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP4593187B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2016103625A (ja) | 封止用シート、及び、半導体装置 | |
TWI648368B (zh) | Film, dicing die, film manufacturing method, and semiconductor device | |
JP2010222390A (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2008032510A1 (fr) | Procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur | |
JP2010132807A (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2015083587A1 (ja) | 半導体接合用接着剤、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
TWI830861B (zh) | 膜狀接著劑、接著片以及半導體裝置及其製造方法 | |
TWI812784B (zh) | 膜狀接著劑、接著片、以及半導體裝置及其製造方法 | |
JP2022102458A (ja) | 半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及びその製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルム | |
JP2021093412A (ja) | アンダーフィル用のシート状樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090710 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091014 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091021 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151030 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |