JP2013185118A - ダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 - Google Patents
ダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子を、電気的に接続する際、容易に位置合わせを行うことができるダイシングテープ一体型接着フィルムを提供すること、および、このようなダイシングテープ一体型接着フィルムを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、第一基板と第二基板とを接着する接着フィルムおよびダイシングテープが積層されたものであり、接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されている。
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
【選択図】図１
【解決手段】本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、第一基板と第二基板とを接着する接着フィルムおよびダイシングテープが積層されたものであり、接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されている。
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
【選択図】図１
Description
本発明は、ダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品に関するものである。
近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、これらの電子機器に使用される半導体パッケージも、従来にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。これら電子部品の電気的な接続を得るためには、半田接合が用いられている。この半田接合としては、例えば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間との導通接合部、回路基板同士の導通接合部等が挙げられる。この半田接合部には、電気的な接続強度および機械的な接続強度を確保するために、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂が注入されている（アンダーフィル封止）。
この半田接合部よって生じた空隙（ギャップ）を液状封止樹脂（アンダーフィル材）で補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給し、これを硬化することによって半田接合部を補強している。しかしながら、電子部品の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化／狭ギャップ化しているため、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給してもギャップ間に液状封止樹脂（アンダーフィル材）が行き渡らなく、完全に充填することが困難になるという問題が生じている。
このような問題に対して、フラックス機能を有する接着フィルムを介して、半田接合と接着とを一括で行う方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような問題に対して、フラックス機能を有する接着フィルムを介して、半田接合と接着とを一括で行う方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、接着フィルムを用いて、半導体チップ同士、半導体チップと回路基板、回路基板同士を接合する場合は、一方に接着フィルムを貼り付けた後、両者の位置合わせを行う。例えば、半導体チップと回路基板と接合する場合は、例えば、回路基板に接着フィルムを貼り付けた後、回路基板のアライメントマークと、半導体チップのアライメントマークとを回路基板や半導体チップの厚さ方向から見て一致させることにより、回路基板に対して半導体チップの位置合わせを行う。そして、この後、半田接合や接着フィルムの硬化等を行う。なお、回路基板に接着フィルムを貼り付けることにより、回路基板のアライメントマークは、接着フィルムで覆われてしまう。
しかしながら、従来の接着フィルムでは、その接着フィルムの透明性が悪く、接着フィルムを介してアライメントマークを視認することができず、回路基板と半導体チップとの位置合わせを行うことができないという問題が生じている。
しかしながら、従来の接着フィルムでは、その接着フィルムの透明性が悪く、接着フィルムを介してアライメントマークを視認することができず、回路基板と半導体チップとの位置合わせを行うことができないという問題が生じている。
本発明は、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子を、電気的に接続する際、容易に、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子との位置合わせを行うことができるダイシングテープ一体型接着フィルムを提供すること、および、このようなダイシングテープ一体型接着フィルムを用いた接続信頼性の高い半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供するものである。
本発明は、
（１） 第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子とを、電気的に接続し、前記第一基板と前記第二基板とを接着する接着フィルムおよびダイシングテープが積層されたダイシングテープ一体型接着フィルムであって、
前記接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されていることを特徴とするダイシングテープ一体型接着フィルム、
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
（１） 第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子とを、電気的に接続し、前記第一基板と前記第二基板とを接着する接着フィルムおよびダイシングテープが積層されたダイシングテープ一体型接着フィルムであって、
前記接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されていることを特徴とするダイシングテープ一体型接着フィルム、
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
（２） 前記吸収係数αは、１．０８×１０−５〜１．３０［１／μｍ］である上記（１）に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（３） 前記第二基板に、該第二基板と前記第一基板との位置合わせに用いられるパターンが設けられており、前記パターンを埋めるように前記接着フィルムを設ける上記（１）または（２）に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（４） 前記パターンは、電極、バンプ、配線およびダイシングラインのうちの少なくとも１つを含む上記（３）に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（５） 前記第二基板にアライメントマークが設けられており、前記アライメントマークを埋めるように前記接着フィルムを設ける上記（１）または（２）に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（６） 無機充填材を含有する上記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（７） 前記無機充填材の含有量は、０．１〜８５重量％である上記（６）に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（８） 前記無機充填材がシリカである上記（６）または（７）に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（９） フラックス機能を有する化合物を含有する上記（１）ないし（８）のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（１０） 前記接着フィルムの表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）が１０〜１０００ｎｍである上記（１）ないし（９）のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム、
（１１） 前記（１）ないし（１０）のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いた電子部品の製造方法であって、
前記ダイシングテープ一体型接着フィルムの接着フィルムと第一基板の第一の端子とを対向させ貼着することにより第一基板と接着フィルムとダイシングテープとがこの順に積層された第一の積層体を得る工程と、
前記第一の積層体の第一基板と接着フィルムとを切断することにより第一基板と接着フィルムを個片化する個片化工程と、
前記個片化された第一基板と接着フィルムが積層された状態でダイシングテープから分離
することにより個片化された第一基板と接着フィルムとが積層された第二の積層体を得る工程と、
前記第二の積層体の接着フィルムと第二基板の第二の端子とを対向させ位置合わせすることにより個片化された第一基板と接着フィルムと第二基板がこの順に積層された第三の積層体を得る工程と、
前記第三の積層体を加熱することにより、個片化された第一基板と、第二基板とを、電気的に接続し、接着する接合工程と、
を有する電子部品の製造方法。
前記ダイシングテープ一体型接着フィルムの接着フィルムと第一基板の第一の端子とを対向させ貼着することにより第一基板と接着フィルムとダイシングテープとがこの順に積層された第一の積層体を得る工程と、
前記第一の積層体の第一基板と接着フィルムとを切断することにより第一基板と接着フィルムを個片化する個片化工程と、
前記個片化された第一基板と接着フィルムが積層された状態でダイシングテープから分離
することにより個片化された第一基板と接着フィルムとが積層された第二の積層体を得る工程と、
前記第二の積層体の接着フィルムと第二基板の第二の端子とを対向させ位置合わせすることにより個片化された第一基板と接着フィルムと第二基板がこの順に積層された第三の積層体を得る工程と、
前記第三の積層体を加熱することにより、個片化された第一基板と、第二基板とを、電気的に接続し、接着する接合工程と、
を有する電子部品の製造方法。
（１２） 前記（１）ないし（１０）のいずれか１項に記載の接着フィルムの硬化物を有する半導体装置、
（１３） 前記（１）ないし（１０）のいずれか１項に記載の接着フィルムの硬化物を有する多層回路基板、
（１４） 前記（１）ないし（１０）のいずれか１項に記載の接着フィルムの硬化物を有する電子部品、
である。
である。
本発明によれば、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子を、電気的に接続する際、容易に、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子との位置合わせを行うことができるダイシングテープ一体型接着フィルムおよびこれを用いた接続信頼性の高い半導体装置、多層回路基板および電子部品を得ることが可能となる。
本発明における基板とは、部品を支持することができる板状またはフィルム状のものであり、部品との電気的な接続を可能とする端子を有するものである。本発明における基板としては、例えば、配線回路が形成された、半導体ウエハ、半導体チップ、リジット基板、フレキシブル基板、リジットフレキシブル基板等のプリント配線板が挙げられる。
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子を、電気的に接続し、該第一基板と該第二基板とを接着する接着フィルムおよびダイシングテープが積層されたダイシングテープ一体型接着フィルムであって、
前記接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されていることを特徴とする。
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
また、本発明の半導体装置、多層回路基板および電子部品は、上記ダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子を、電気的
に接続したものである。以下、本発明について、詳細に説明する。
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子を、電気的に接続し、該第一基板と該第二基板とを接着する接着フィルムおよびダイシングテープが積層されたダイシングテープ一体型接着フィルムであって、
前記接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されていることを特徴とする。
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
また、本発明の半導体装置、多層回路基板および電子部品は、上記ダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子を、電気的
に接続したものである。以下、本発明について、詳細に説明する。
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子を、電気的に接続し、該第一基板と該第二基板とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとを必須の構成要素とするものである。また、この他に、後述する介在層や外層を設けてもよい。
なお、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムにおいて、半導体装置、多層回路基板および電子部品の構成要素となるのは接着フィルムのみである。接着フイルムとその他のダイシングテープ一体型接着フィルムにおける部材を組み合わせることにより、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは作業性に優れる。
なお、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムにおいて、半導体装置、多層回路基板および電子部品の構成要素となるのは接着フィルムのみである。接着フイルムとその他のダイシングテープ一体型接着フィルムにおける部材を組み合わせることにより、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは作業性に優れる。
《ダイシングテープ》
ダイシングテープは、支持フィルムと粘着剤層で構成されていればよく、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることが出来る。
ダイシングテープの支持フィルムは放射線透過性を有していることが好ましい。支持フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリオレフィン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリウレタン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる。
支持フィルムの表面は粘着剤層との密着性を高めるため、化学的または物理的表面処理を施すことができる。
なお、支持フィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
支持フィルムの厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。支持フィルムの厚さが前記範囲内であると、支持フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着フィルムの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着フィルムが適度に湾曲することで、第一の端子を有する第一基板との密着性を高めることができる。
ダイシングテープは、支持フィルムと粘着剤層で構成されていればよく、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることが出来る。
ダイシングテープの支持フィルムは放射線透過性を有していることが好ましい。支持フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリオレフィン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリウレタン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる。
支持フィルムの表面は粘着剤層との密着性を高めるため、化学的または物理的表面処理を施すことができる。
なお、支持フィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
支持フィルムの厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。支持フィルムの厚さが前記範囲内であると、支持フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着フィルムの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着フィルムが適度に湾曲することで、第一の端子を有する第一基板との密着性を高めることができる。
また、ダイシングテープの粘着剤層としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤等を含む第一樹脂組成物で構成されているものを用いることができ、これらの中でもアクリル系粘着剤が好ましい。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープの粘着剤層が粘着する相手（例えば、後述する介在層、支持フィルム等）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープの粘着剤層が粘着する相手（例えば、後述する介在層、支持フィルム等）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
また、第一樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート
、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
さらに、第一樹脂組成物には、後述する第二樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
さらに、第一樹脂組成物には、後述する第二樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
なお、第一樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、増粘剤、架橋剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
なお、第一樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、増粘剤、架橋剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
ダイシングテープの粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。粘着剤層の厚さが前記範囲内であると、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れる。
ダイシングテープ一体型接着フィルムにおいて、ダイシングテープの粘着剤層と接着フィルムの間に後述する介在層を有する場合、ダイシングテープの粘着剤層は、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルムに対する介在層の密着力よりも、介在層および支持フィルムに対するダイシングテープの粘着剤層の密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち介在層と接着フィルムとの界面）で剥離を生じさせることができる。
《接着フィルム》
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されていることを特徴とする。
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されていることを特徴とする。
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
接着フィルムは、接着性を有し、第一基板と第二基板とを接着する際に用いられ、第一基板に貼着するものである。
また、接着フィルムは、フラックス機能を有していることが好ましいが、フラックス機能を有していなくてもよい。
また、接着フィルムは、フラックス機能を有していることが好ましいが、フラックス機能を有していなくてもよい。
接着フィルムは、例えば、以下に示すような成分で構成することができる。すなわち、接着フィルムは、（Ａ）重量平均分子量が３００〜３０００であるフェノール系硬化剤（以下、化合物（Ａ）とも記載する。）と、（Ｂ）エポキシ樹脂と（以下、化合物（Ｂ）とも記載する。）、（Ｃ）フラックス機能（活性）を有する化合物（以下、化合物（Ｃ）とも記載する。）と、（Ｄ）重量平均分子量が１万〜１００万である成膜性樹脂（以下、化合物（Ｄ）とも記載する。）と、を含むことが好ましい。
また、接着フィルムは、化合物（Ａ）を３〜３０重量％、化合物（Ｂ）を１０〜８０重量％、化合物（Ｄ）を３〜５０重量％含むことが好ましい。また、さらに、化合物（Ａ）を５〜２５重量％、化合物（Ｂ）を１５〜７５重量％、化合物（Ｄ）を５〜４０重量％含むことが好ましい。
接着フィルムが化合物（Ａ）を含むことにより、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を高めることができ、さらに、耐イオンマイグレーション性を向上させることが可能となる。また、接着フィルムに適度な柔軟性を付与することができるため、接着フィルムの脆性を改善することが可能となる。さらに、接着フィルムに適度なタック性を付与することができるため、作業性に優れた接着フィルムを得ることができる。
前記化合物（Ａ）としては、特に限定されず、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂等が挙げられる。中でも、上述したような関係をより容易に満足させることができるとともに、また、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができる、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂を用いるのが好ましい。
接着フィルム中における前記化合物（Ａ）の含有量は、特に限定されるわけではないが、３〜３０重量％であるのが好ましく、５〜２５重量％であるのがより好ましい。化合物（Ａ）の含有量を上記範囲とすることで、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めること、さらに、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を効果的に低減することを両立することができる。
前記化合物（Ａ）中の１核体から３核体の合計の含有量が３０％より小さい（４核体以上の合計の含有量が７０％以上）場合、後述する（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂との反応性が低下し、接着フィルムの硬化物中に未反応のフェノール系ノボラック樹脂が残留するため、耐マイグレーション性が低下してしまう場合がある。また、接着フィルムが脆くなってしまい、作業性が低下してしまう場合がある。また、前記化合物（Ａ）中の１核体から３核体の合計の含有量が７０％より大きい（４核体以上の合計の含有量が３０％以下）場合、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、第一基板または第二基板の表面を汚染してしまったり、耐マイグレーション性が低下してしまったり、さらに、接着フィルムのタック性が大きくなり、接着フィルムの作業性が低下してしまうといった問題が生じる場合がある。
前記化合物（Ａ）中の２核体と３核体の合計の含有量は、特に限定されないが、３０〜７０％であるのが好ましい。これにより、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、第一基板または第二基板の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また、これにより、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
前記化合物（Ａ）中の１核体の含有量は、特に限定されないが、１％以下であることが好ましく、０．８％以下であることが特に好ましい。前記１核体の含有量を、上記範囲とすることで、接着フィルムを硬化する際のアウトガス量を低減することができ、第一基板または第二基板の汚染を抑制することができ、さらに、耐マイグレーション性を向上することができる。
前記化合物（Ａ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００〜３０００であることが好ましく、４００〜２８００であることが特に好ましい。これにより、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、第一基板または第二基板の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また、これにより、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラム）により測定することができる。
また、接着フィルムが（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂（以下、化合物（Ｂ）とも記載する。）を含むことにより、接着フィルムに柔軟性および屈曲性を付与することができるため、ハンドリング性に優れた接着フィルムを得ることができる。
前記化合物（Ｂ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、接着フィルムの、第一基板または第二基板に対する密着性、さらに、接接着フィルムの硬化後の機械特性に優れる、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
また、前記化合物（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂としては、より好ましくは、２５℃における粘度が、５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓであるもの、さらに好ましくは、８００〜４０，０００ｍＰａ・ｓであるものが挙げられる。２５℃における粘度を上記下限値以上とすることで、接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することを防止することができる。また、２５℃における粘度を上記上限値以下とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性を確保することができる。
また、前記化合物（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、１０〜８０重量％であるのが好ましく、１５〜７５重量％であるのがより好ましい。これにより、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、これにより、接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。
また、接着フィルムが（Ｃ）フラックス機能を有する化合物（以下、化合物（Ｃ）とも記載する。）を含むことにより、第一基板の第一の端子および第二基板の第二の端子の少なくとも一方の半田表面の酸化膜を除去すること、また、場合によっては、第一基板の第一の端子または第二基板の第二の端子表面の酸化膜を除去することができ、前記第一の端子と前記第二の端子を確実に半田接合することができるため、接続信頼性の高い多層回路基板、電子部品、半導体装置等を得ることができる。
前記化合物（Ｃ）としては、半田表面の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基またはフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基およびフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
前記化合物（Ｃ）の配合量は、１〜３０重量％であるのが好ましく、３〜２０重量％であるのがより好ましい。化合物（Ｃ）の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス機能を向上させることができるとともに、接着フィルムを硬化した際に、未反応の化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）が残存するのを防止することができ、耐マイグレーション性を向上することができる。
また、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が存在する（以下、このような化合物を、フラックス機能を有する硬化剤とも記載する。）。例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。本発明では、このような、フラックスとしても作用し、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス機能を有する硬化剤を、好適に用いることができる。
なお、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にフェ
ノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基およびフェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基およびフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
ノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基およびフェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基およびフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
これらのうち、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、例えば、下記一般式（２ａ）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ （２ａ）
（式（２ａ）中、ｎは、１以上２０以下の整数を表す。）
（式（２ａ）中、ｎは、１以上２０以下の整数を表す。）
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
これらの前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物のうち、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が有する活性度、接着フィルムの硬化時におけるアウトガスの発生量、および硬化後の接着フィルムの弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（２ａ）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（２ａ）で示される化合物のうち、式（２ａ）中のｎが３〜１０である化合物が、硬化後の接着フィルムにおける弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、第一基板と第二基板の接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
前記一般式（２ａ）で示される化合物のうち、式（２ａ）中のｎが３〜１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）３−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）５−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）８−ＣＯＯＨ）およびｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ２）１０−ＣＯＯＨ−等が挙げられる。
前記フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。
上述したようなカルボキシル基またはフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基およびフェノール水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂との反応で三次元的に取り込まれる。
そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、フラックス作用を有し且つエポキシ樹脂の硬化剤として作用するフラックス機能を有する硬化剤を用いるのが好ましい。フラックス機能を有する硬化剤としては、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス機能を有する硬化剤としては、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、半田表面の酸化膜を除去する効果とエポキシ樹脂との反応性に優れる、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸、フェノールフタリンを用いるのが好ましい。
また、接着フィルム中、フラックス機能を有する硬化剤の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。接着フィルム中のフラックス機能を有する硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、接着フィルムのフラックス機能を向上させることができるとともに、接着フィルム中に、エポキシ樹脂と未反応のフラックス機能を有する硬化剤が残存するのが防止される。なお、未反応のフラックス機能を有する硬化剤が残存すると、マイグレーションが発生する。
前記化合物（Ｂ）と前記化合物（Ｃ）の配合比は、特に限定されないが、（（Ｂ）／（Ｃ））が０．５〜１２．０であることが好ましく、２．０〜１０．０であることが特に好ましい。（（Ｂ）／（Ｃ））を上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、未反応の化合物（Ｃ）を低減することができるため、耐マイグレーション性を向上
することができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、未反応の化合物（Ｂ）を低減することができるため、耐マイグレーション性を向上することができる。
することができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、未反応の化合物（Ｂ）を低減することができるため、耐マイグレーション性を向上することができる。
また、接着フィルムは成膜性を向上する（Ｄ）成膜性樹脂を含むことにより、フィルム状態にするのが容易となる。また、接着フィルムの機械的特性にも優れる。
前記（Ｄ）成膜性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、（Ｄ）成膜性樹脂としては、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂およびポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を用いるのが好ましい。
前記（Ｄ）成膜性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１万以上が好ましく、より好ましくは２万〜１００万、更に好ましくは３万〜９０万である。重量平均分子量が前記範囲であると、接着フィルムの成膜性をより向上させることができる。
前記（Ｄ）成膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、接着フィルム中の１〜５０重量％であるのが好ましく、３〜４０重量％であるのがより好ましく、５〜３５重量％がさらに好ましい。含有量が前記範囲内であると、接着フィルムの流動性を抑制することができ、接着フィルムの取り扱いが容易になる。
また、接着フィルムは、硬化促進剤を更に含んでもよい。硬化促進剤は硬化性樹脂の種類等に応じて適宜選択することができる。硬化促進剤としては、例えば融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。使用される硬化促進剤の融点が１５０℃以上であると、接着フィルムの硬化が完了する前に、半田バンプを構成する半田成分が半導体チップに設けられた内部電極表面に移動することができ、内部電極間の電気的接続を良好なものとすることができる。融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、２-フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フ
ェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
ェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
接着フィルム中の前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、０．００５〜１０重量％であるのが好ましく、０．０１〜５重量％であるのがより好ましい。これにより、硬化促進剤としての機能を更に効果的に発揮させて、接着フィルムの硬化性を向上させることができるとともに、半田バンプを構成する半田成分の溶融温度における樹脂の溶融粘度が高くなりすぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、接着フィルムの保存性を更に向上させることができる。
これらの硬化促進剤は、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの硬化促進剤は、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、前記接着フィルムは、シランカップリング剤を更に含んでもよい。シランカップリング剤を含むことにより、第一基板または第二基板に対する接着フィルムの密着性を高めることができる。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が使用できる。これらは１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。シランカップリング剤の配合量は、適宜選択すれば
よいが、前記樹脂組成物全体に対して、好ましくは０．０１〜１０重量％であり、より好ましくは０．０５〜５重量％であり、更に好ましくは０．１〜２重量％である。
よいが、前記樹脂組成物全体に対して、好ましくは０．０１〜１０重量％であり、より好ましくは０．０５〜５重量％であり、更に好ましくは０．１〜２重量％である。
前記接着フィルムは、無機充填材を更に含んでもよい。これにより、接着フィルムの線膨張係数を低下することができ、それによって信頼性を向上することができる。
前記無機充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカがあるが、球状シリカが好ましい。
前記無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、２０μｍ以下であるのが好ましく、０．０３μｍ以上、５μｍ以下であるのがより好ましく、０．０５μｍ以上、３μｍ以下であるのがより好ましい。上記範囲とすることで、接着フィルム内でフィラーの凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、接着フィルム全体に対して０．１〜８５重量％であるのが好ましく、２０〜８０重量％であるのがより好ましい。上記範囲とすることで、硬化後の接着フィルムと被接体との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接体の剥離をさらに確実に抑制することができる。さらに、硬化後の接着フィルムの弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができるため、半導体装置、多層回路基板および電子部品の信頼性が上昇する。
上述したような各樹脂成分を、溶媒中に混合して得られたワニスをポリエステルシート等の剥離処理を施した基材（ベースフィルム３）上に塗布し、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより、接着フィルムを得ることができる。ここで用いられる溶媒は、使用される成分に対し不活性なものであれば特に限定されないが、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ (ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キ
シレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が好適に用いられる。溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が１０〜６０重量％となる範囲であることが好ましい。
シレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が好適に用いられる。溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が１０〜６０重量％となる範囲であることが好ましい。
このようにして得られた接着フィルムは、フラックス機能を有しているものであり、半導体チップと回路基板、回路基板と回路基板、半導体チップと半導体チップ等の半田接続を必要とされる部材の接続において好適に用いることができる。
接着フィルムは、接着フィルムの平均厚さをｔ［μｍ］、波長８００ｎｍの光における接着フィルムの吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されている。
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２）
上記（１）式および（２）式を満たすことにより、接着フィルムを介して第一基板の第一の端子側の面を良好に視認することができる。これにより、接着フィルムを介して第二基板上に第一基板を設置する際、第一基板上に形成されたアライメントマークを良好に視
認することができる。これにより、第一基板と第二基板との位置合わせを正確に行うことができる。その結果、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子とを正確に位置合わせすることができ、信頼性の高い半導体装置、多層回路基板および電子部品を製造することができる。
認することができる。これにより、第一基板と第二基板との位置合わせを正確に行うことができる。その結果、第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子とを正確に位置合わせすることができ、信頼性の高い半導体装置、多層回路基板および電子部品を製造することができる。
これに対し、上記（１）式および（２）式のうちの一方でも満たしていないと、すなわち、「α×ｔ」が−ｌｏｇ１０（０．０５）よりも大きいと、第一基板の第一の端子側の面を十分に視認することができず、第一基板と第二基板との位置合わせを正確に行うことができない。
また、接着フィルムの平均厚さｔが１μｍ未満であると、第一基板と第二基板との間に空隙が生じ、第一基板と第二基板との接着不良が生じるおそれがある。一方、接着フィルムの平均厚さｔが２００μｍを超えると、上記（１）式を満たすような接着フィルムの構成材料の選択が難しい。
なお、接着フィルムの平均厚さｔは、１〜２００μｍであれば特に限定されないが、３〜１８０μｍであることが好ましく、５〜１６０μｍであることがより好ましい。
なお、接着フィルムの平均厚さｔは、１〜２００μｍであれば特に限定されないが、３〜１８０μｍであることが好ましく、５〜１６０μｍであることがより好ましい。
また、上記（１）式の右辺の値、すなわち、「α×ｔ」の上限値は、本実施形態では「−ｌｏｇ１０（０．０５）」であるが、「−ｌｏｇ１０（０．１）」であることが好ましく、「−ｌｏｇ１０（０．１５）」であることがより好ましい。これにより、接着フィルムを介して第二基板上に第一基板を設置する際、第一基板上に形成されたアライメントマークをさらに良好に視認することができる。
また、「α×ｔ」の下限値は、特に限定されないが、「−ｌｏｇ１０（０．９９５）」であることが好ましく、「−ｌｏｇ１０（０．９９）」であることがより好ましい。すなわち、接着フィルムは、さらに、「−ｌｏｇ１０（０．９９５）≦α×ｔ」の式を満たすよう構成されていることが好ましく、「−ｌｏｇ１０（０．９９）≦α×ｔ」の式を満たすよう構成されていることがより好ましい。
前記下限値よりも「α×ｔ」の値が小さいと、αとｔとの少なくとも一方を非常に小さくする必要があり、ｔを小さくする場合は、第一基板と第二基板との間に空隙が生じ、第一基板と第二基板との接着不良が生じるおそれがある。また、αを小さくする場合は、接着フィルムの構成材料の選択が難しい。
前記下限値よりも「α×ｔ」の値が小さいと、αとｔとの少なくとも一方を非常に小さくする必要があり、ｔを小さくする場合は、第一基板と第二基板との間に空隙が生じ、第一基板と第二基板との接着不良が生じるおそれがある。また、αを小さくする場合は、接着フィルムの構成材料の選択が難しい。
また、接着フィルムの前記吸収係数αは、１．０８×１０−５〜１．３［１／μｍ］であることが好ましく、２．１８×１０−５〜１［１／μｍ］であることがより好ましい。これにより、第一基板上に形成されたアライメントマークを接着フィルムを介して良好に視認することができる。
なお、本明細書において、吸収係数は、光が媒体に入射したとき、その媒体がその光を吸収する程度を示す定数であって、対象となる媒体の材料、密度等の構成と、用いる光の波長とによって定められる値である。
以下、上記（１）式および（２）式について、詳細に説明する。
接着フィルムに光を照射した場合、接着フィルムに入射する光の量（放射発散度）をＩ０とし、接着フィルム透過した光の量をＩ１とし、接着フィルムの厚さ方向での光の透過率をＴとしたときに、下記（Ａ）式を導くことができる。
Ｔ＝Ｉ１／Ｉ０＝１０−α・ｔ ・・・（Ａ）
接着フィルムに光を照射した場合、接着フィルムに入射する光の量（放射発散度）をＩ０とし、接着フィルム透過した光の量をＩ１とし、接着フィルムの厚さ方向での光の透過率をＴとしたときに、下記（Ａ）式を導くことができる。
Ｔ＝Ｉ１／Ｉ０＝１０−α・ｔ ・・・（Ａ）
第一基板と第二基板との位置合わせを正確に行うためには、透過率Ｔを大きくする必要がある。
透過率Ｔを大きくするには、上記（Ａ）式からわかるように、「α×ｔ」を小さくすればよい。
また、上記（Ａ）式から下記（Ｂ）式を導くことができる。
α×ｔ＝−ｌｏｇ１０（Ｔ） ・・・（Ｂ）
また、上記（Ａ）式から下記（Ｂ）式を導くことができる。
α×ｔ＝−ｌｏｇ１０（Ｔ） ・・・（Ｂ）
ここで、Ｔと「−ｌｏｇ１０（Ｔ）」との関係は、−ｌｏｇ１０（Ｔ）が約１．３（（＝−ｌｏｇ１０（０．０５））以下となると、透過率Ｔが急激に大きくなる。言い換えると、−ｌｏｇ１０（Ｔ）が１．３よりも大きくなると、透過率Ｔが急激に低下する。
したがって、「α×ｔ」を−ｌｏｇ１０（０．０５）以下とすること、すなわち、上記（１）式を満たすことで、透過率Ｔを高めることができる。
したがって、「α×ｔ」を−ｌｏｇ１０（０．０５）以下とすること、すなわち、上記（１）式を満たすことで、透過率Ｔを高めることができる。
そして、本発明者は、鋭意検討の結果、上記（１）式を満たす上で、厚さｔの最適な値を見出し、上記（２）式を得た。
このような上記（１）式および（２）式を満たすように、接着フィルムを構成することにより、前述したように、信頼性に優れた半導体装置、多層回路基板および電子部品を得ることができる。
また、接着フィルムの表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍであることが好ましい。これにより、第一基板と第二基板とをより確実に接合することができる。
このような接着フィルムを用いることにより、接着フィルムを介して第一基板の第一の端子側の面を良好に視認することができ、これにより、第一基板と第二基板とを接合する工程において、接着フィルムを介して第一基板上に第二基板を設置する際、第一基板上に形成されたアライメントマークを良好に視認することができる。これによって、第一基板と第二基板との位置合わせを正確に行うことができる。
また、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、上述した接着フィルム、ダイシングテープの他に、１つ以上の介在層を設けていてもよく、介在層としては以下のような基材フィルムや樹脂層が挙げられる。また、ダイシングテープ一体型接着フィルムの一方の面又は両面に１つ以上の外層を設けてもよく、外層としては以下のような基材フィルムが挙げられる。外層を設けることにより、汚染や衝撃から保護する保護フィルムとしての機能も有する。
（基材フィルム）
基材フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリオレフィン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリウレタン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる
基材フィルムの表面は後述の樹脂層との密着性を高めるため、化学的または物理的表面処理を施すことができる。
なお、基材フィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
基材フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリオレフィン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリウレタン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる
基材フィルムの表面は後述の樹脂層との密着性を高めるため、化学的または物理的表面処理を施すことができる。
なお、基材フィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
基材フィルムの平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、基材フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着フィルムの取扱いを容易にすることができる。
（樹脂層）
樹脂層は、一般的な粘着剤で構成されており、具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤等を含む第二樹脂組成物で構成されているものを用いることができ、これらの中でもアクリル系粘着剤が好ましい。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
樹脂層は、一般的な粘着剤で構成されており、具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤等を含む第二樹脂組成物で構成されているものを用いることができ、これらの中でもアクリル系粘着剤が好ましい。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、樹脂層が接する第二基板との密着性や粘着性の制御が容易になる。
また、第二樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
さらに、第二樹脂組成物には、樹脂層を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。
また、第二樹脂組成物には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
なお、第二樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、増粘剤、架橋剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
なお、第二樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、増粘剤、架橋剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
このような樹脂層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。樹脂層の厚さが前記範囲内であると、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れる。
なお、ダイシングテープ一体型接着フィルムの厚さ（支持フィルムと粘着剤層で構成されるダイシングテープの厚さと、介在層が設けていてもよい接着フィルムの厚さの総厚）としては、特に限定されないが、１０〜１０００μｍ程度であるのが好ましく、２０〜５
００μｍ程度であるのがより好ましい。ダイシングテープ一体型接着フィルムの厚さが前記範囲内であると、ダイシングテープ一体型接着フィルムを半導体装置の製造における半導体ウエハの個片化工程から半導体チップの接合工程にかけて有効に利用できる。ダイシングテープの粘着剤層の厚さと、接着フィルムの厚さとの比や、ダイシングテープ（支持フィルムと粘着剤層の総厚）の厚さと、接着フィルムの厚さとの比等を調整することにより、ダイシング性、ピックアップ性を向上させることができる。
００μｍ程度であるのがより好ましい。ダイシングテープ一体型接着フィルムの厚さが前記範囲内であると、ダイシングテープ一体型接着フィルムを半導体装置の製造における半導体ウエハの個片化工程から半導体チップの接合工程にかけて有効に利用できる。ダイシングテープの粘着剤層の厚さと、接着フィルムの厚さとの比や、ダイシングテープ（支持フィルムと粘着剤層の総厚）の厚さと、接着フィルムの厚さとの比等を調整することにより、ダイシング性、ピックアップ性を向上させることができる。
（ダイシングテープ一体型接着フィルムの製造方法）
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムの製造方法について、以下に説明する。
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムの製造方法について、以下に説明する。
まず、図１（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に介在層１を成膜する。上記基材および後述の支持フィルムは、従来公知の方法により作成することができる。作成方法としては、例えば、キャスティング法、カレンダー法、押し出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。
これにより、基材４ａと介在層１との積層体６１を得る。介在層１の成膜は、前述した第二樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第二樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、スクリーンコート法、ダイコート法等が挙げられる。
これにより、基材４ａと介在層１との積層体６１を得る。介在層１の成膜は、前述した第二樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第二樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、スクリーンコート法、ダイコート法等が挙げられる。
また、積層体６１と同様にして、図１（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着フィルム３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着フィルム３との積層体６２を得る。
さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図１（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上にダイシングテープの粘着剤層２を成膜し、これにより、支持フィルム４とダイシングテープの粘着剤層２との積層体（ダイシングテープ）６３を得る。
次いで、図１（ｂ）に示すように、介在層１と接着フィルム３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
次いで、図１（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図１（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着フィルム３および前記介在層１の有効領域の外側部分を除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハ７の外径よりも一回り小さい、若しくは外径よりも大きく、かつ、ウエハリング９の内径よりも小さい領域を指す。
次いで、図１（ｅ）に示すように、介在層１の露出面にダイシングテープ２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図１（ｆ）に示すダイシングテープ一体型接着フィルム１０が得られる。
以上、支持フィルムに直接ダイシングテープ２を成膜する方法の一実施形態について上述したが、これ以外に支持フィルム上にダイシングテープの粘着剤層２、介在層１、接着フィルム３を所望の順に形成して、ダイシングテープ一体型接着フィルムを作製してもよい。 また、接着フィルム３の基材４ｂをそのまま介在層として適用し、支持フィルム上
にダイシングテープの粘着剤層２、介在層１（基材４ｂ）、接着フィルム３を所望の順に形成して、ダイシングテープ一体型接着フィルムを作製してもよい。
にダイシングテープの粘着剤層２、介在層１（基材４ｂ）、接着フィルム３を所望の順に形成して、ダイシングテープ一体型接着フィルムを作製してもよい。
なお、介在層１、ダイシングテープの粘着剤層２および接着フィルム３は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
まず、介在層１の接着フィルム３に対する密着力は、介在層１のダイシングテープ粘着剤層２に対する密着力及びダイシングテープの粘着剤層２の支持フィルム４に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、第二の積層体８３をピックアップした際に、ダイシングテープの粘着剤層２と支持フィルム４との間は剥離することなく、接着フィルム３と介在層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハリング９により第一の積層体８を確実に支持し続けることができる。
《半導体装置、多層回路基板および電子部品》
次に、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて製造した半導体装置、多層回路基板および電子部品について説明する。
本発明の半導体装置、多層回路基板および電子部品は前記ダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて製造することができる。
次に、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて製造した半導体装置、多層回路基板および電子部品について説明する。
本発明の半導体装置、多層回路基板および電子部品は前記ダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて製造することができる。
［１］ 図２（ａ）に示すように、上述したようなダイシングテープ一体型接着フィルム１０の接着フィルム３と、第一基板（半導体ウエハ）７とを密着させつつ、ダイシングテープ一体型接着フィルム１０と第一基板（半導体ウエハ）７とを積層する（第１の工程）。ここで、第一基板（半導体ウエハ）７において、接着フィルム３と接着する面は、第一の端子(図示せず)を有するものである。なお、図２（ａ）に示すダイシングテープ一体型接着フィルム１０では、接着フィルム３の平面視における大きさおよび形状が、第一基板（半導体ウエハ）７の外径よりも一回り小さい、若しくは外径よりも大きく、かつ、ウエハリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、第一基板（半導体ウエハ）７の下面全体が接着フィルム３の上面全体と密着し、これにより第一基板（半導体ウエハ）７がダイシングテープ一体型接着フィルム１０で支持されることとなる。
この第一基板（半導体ウエハ）７の第一の端子を接着フィルム３で覆うように、ダイシングテープ一体型接着フィルム１０をラミネートする（図２（ｂ））。
この第一基板（半導体ウエハ）７の第一の端子を接着フィルム３で覆うように、ダイシングテープ一体型接着フィルム１０をラミネートする（図２（ｂ））。
ダイシングテープ一体型接着フィルム１０を第一基板（半導体ウエハ）７に積層する方法としては、例えばロールラミネーター、平板プレス、ウエハラミネーター等が挙げられる。
これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法（真空ラミネーター）が好ましい。
これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法（真空ラミネーター）が好ましい。
また、ラミネートする条件としては、特に限定されず、ボイドなくラミネートできればよいが、具体的には５０〜１５０℃で１秒〜１２０秒間加熱する条件が好ましく、特に６０〜１２０℃で５〜６０秒間加熱する条件が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると、貼着性と、樹脂のはみ出しの抑制効果と、樹脂の硬化度とのバランスに優れる。
また、加圧条件も特に限定されないが、０．２〜２．０ＭＰａが好ましく、特に０．５〜１．５ＭＰａが好ましい。
また、加圧条件も特に限定されないが、０．２〜２．０ＭＰａが好ましく、特に０．５〜１．５ＭＰａが好ましい。
上記積層の結果、図２（ｂ）に示すように、ダイシングテープ一体型接着フィルム１０と第一基板（半導体ウエハ）７とが積層されてなる第一の積層体８が得られる。
［２］
［２−１］次に、ウエハリング９を用意する。続いて、ダイシングテープの粘着剤層２の外周部２１の上面とウエハリング９の下面とが密着するように、第一の積層体８とウエハリング９とを積層する。これにより、第一の積層体８の外周部がウエハリング９により支持される。
ウエハリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、第一の積層体８の変形を確実に防止することができる。
［２−１］次に、ウエハリング９を用意する。続いて、ダイシングテープの粘着剤層２の外周部２１の上面とウエハリング９の下面とが密着するように、第一の積層体８とウエハリング９とを積層する。これにより、第一の積層体８の外周部がウエハリング９により支持される。
ウエハリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、第一の積層体８の変形を確実に防止することができる。
［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に第一の８を載置する。
続いて、図２（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて第一の積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ第一の積層体８の第一基板（半導体ウエハ）７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、第一基板（半導体ウエハ）７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、第一基板（半導体ウエハ）７が複数の個片化された第一基板（半導体チップ）７１に個片化される（第２の工程）。また、接着フィルム３も同様に、複数の接着フィルム３１に個片化される。このようなダイシングの際には、第一基板（半導体ウエハ）７に振動や衝撃が加わるが、第一基板（半導体ウエハ）７の下面がダイシングテープ一体型接着フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、第一基板（半導体ウエハ）７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
続いて、図２（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて第一の積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ第一の積層体８の第一基板（半導体ウエハ）７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、第一基板（半導体ウエハ）７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、第一基板（半導体ウエハ）７が複数の個片化された第一基板（半導体チップ）７１に個片化される（第２の工程）。また、接着フィルム３も同様に、複数の接着フィルム３１に個片化される。このようなダイシングの際には、第一基板（半導体ウエハ）７に振動や衝撃が加わるが、第一基板（半導体ウエハ）７の下面がダイシングテープ一体型接着フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、第一基板（半導体ウエハ）７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
第２の工程において、ダイシングブレード８２の先端が介在層１内に留まるように、削り深さを設定してもよい。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、介在層１内またはダイシングテープの粘着剤層２内のいずれかに留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、削り屑の発生に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、個片化された第一基板（半導体チップ）７１をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした個片化された第一基板（半導体チップ）７１を第二基板５にマウントする際には、異物の侵入および半田接合の不良が防止される。その結果、半導体装置５００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置５００を得ることができる。
［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された第一の積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより、図２（ｄ）に示すように、第一の積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された第一基板（半導体チップ）７１同士の間隔も拡大する。その結果、個片化された第一基板（半導体チップ）７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の個片化された第一基板（半導体チップ）７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された第一の積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより、図２（ｄ）に示すように、第一の積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された第一基板（半導体チップ）７１同士の間隔も拡大する。その結果、個片化された第一基板（半導体チップ）７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の個片化された第一基板（半導体チップ）７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
［３−２］次に、ダイボンダー２５０により、個片化された第一基板（半導体チップ）７１のうちの１つを、ダイボンダーのコレット（チップ吸着部）２６０で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図３（ｅ）に示すように、接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離し、個片化された第一基板（半導体チップ）７１と接着フィルム３１とが積層されてなる第二の積層体８３がピックアップされる（第３の工程）。
なお、接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、ダイシングテープの粘着剤層２の粘着性が介在層１の粘着性より高いため、支持フィ
ルム４とダイシングテープの粘着剤層２との界面の密着力、および、ダイシングテープの粘着剤層２の介在層１との界面の粘着力は、介在層１と接着フィルム３との密着力より大きいからである。すなわち、個片化された第一基板（半導体チップ）７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も粘着力の小さい介在層１と接着フィルム３との界面が選択的に剥離することとなる。
ルム４とダイシングテープの粘着剤層２との界面の密着力、および、ダイシングテープの粘着剤層２の介在層１との界面の粘着力は、介在層１と接着フィルム３との密着力より大きいからである。すなわち、個片化された第一基板（半導体チップ）７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も粘着力の小さい介在層１と接着フィルム３との界面が選択的に剥離することとなる。
また、第二の積層体８３をピックアップする際には、ダイシングテープ一体型接着フィルム１０の下方から、突き上げ装置４００により、ピックアップすべき第二の積層体８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、第一の積層体８から第二の積層体８３が突き上げられるため、前述した第二の積層体８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、第二の積層体８３の突き上げには、ダイシングテープ一体型接着フィルム１０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いられる（図示せず）。
［４］
［４−１］次に、個片化された第一基板（半導体チップ）７１を搭載（マウント）するための第二基板５を用意する。
この第二基板５は、前記接着フィルム３１と接着する面に第二の端子（図示せず）を有するものである。この第二基板５としては、個片化された第一基板（半導体チップ）７１を搭載し、個片化された第一基板（半導体チップ）７１と外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体チップ、半導体ウエハ等が挙げられる。
なお、第一の端子と第二の端子としては、例えば電極パッド、半田バンプ等が挙げられる。また、第一の端子、第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。
［４−１］次に、個片化された第一基板（半導体チップ）７１を搭載（マウント）するための第二基板５を用意する。
この第二基板５は、前記接着フィルム３１と接着する面に第二の端子（図示せず）を有するものである。この第二基板５としては、個片化された第一基板（半導体チップ）７１を搭載し、個片化された第一基板（半導体チップ）７１と外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体チップ、半導体ウエハ等が挙げられる。
なお、第一の端子と第二の端子としては、例えば電極パッド、半田バンプ等が挙げられる。また、第一の端子、第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。
次いで、図３（ｆ）に示すように、ピックアップされた第二の積層体８３を、第二基板５上に載置する。この際、個片化された第一基板（半導体チップ）７１の第一の端子と、第二基板５の第二の端子とを位置合わせしながら、接着フィルム３１を介して仮圧着する。
［４−２］次に、第二基板５と個片化された第一基板（半導体チップ）７１を半田接合する（第４の工程）。
図４（ａ）に第二基板５が回路基板である場合を例示する。回路基板は基材５１上に配線回路５２が設けられており、第二基板５の第二の端子として、電極パッド５４を有する。配線回路５２は、電極パッド５４を除き、絶縁部５３が設けられている。また、絶縁部５３には位置合わせに用いるパターンとして複数のアライメントマーク５６が設けられている。
なお、回路基板５０では、そのアライメントマーク５６に換えて、例えば、図４（ａ）に示すパッド部５４（凹部）等の回路基板５０の所定部位をアライメントマークとして用いることができる。
図４（ａ）に第二基板５が回路基板である場合を例示する。回路基板は基材５１上に配線回路５２が設けられており、第二基板５の第二の端子として、電極パッド５４を有する。配線回路５２は、電極パッド５４を除き、絶縁部５３が設けられている。また、絶縁部５３には位置合わせに用いるパターンとして複数のアライメントマーク５６が設けられている。
なお、回路基板５０では、そのアライメントマーク５６に換えて、例えば、図４（ａ）に示すパッド部５４（凹部）等の回路基板５０の所定部位をアライメントマークとして用いることができる。
図４（ｂ）に個片化された第一基板（半導体チップ）７１と接着フィルム３１とが積層された第二の積層体８３の詳細を例示する。個片化された第一基板（半導体チップ）７１の第一の端子として半田バンプ５７を有する。また、個片化された第一基板（半導体チップ）７１には位置合わせに用いるパターンとして複数のアライメントマーク５８が設けられている。
なお、個片化された第一基板（半導体チップ）７１では、アライメントマーク５８に換えて、例えば、図４（ｂ）に示す半田バンプ５７（突起）等の個片化された第一基板（半導体チップ）７１所定部位をアライメントマークとして用いることができる。
すなわち、回路基板５０と個片化された第一基板（半導体チップ）７１との位置合わせ
に用いられるパターンとしては、その位置合わせ専用のアライメントマーク５６、５８に限らず、この他、例えば、電極、バンプ、配線パターン（配線）、パッド部（例えば、ボンディングパッド、電極パッド）、ダイシングライン等が挙げられる。
なお、個片化された第一基板（半導体チップ）７１では、アライメントマーク５８に換えて、例えば、図４（ｂ）に示す半田バンプ５７（突起）等の個片化された第一基板（半導体チップ）７１所定部位をアライメントマークとして用いることができる。
すなわち、回路基板５０と個片化された第一基板（半導体チップ）７１との位置合わせ
に用いられるパターンとしては、その位置合わせ専用のアライメントマーク５６、５８に限らず、この他、例えば、電極、バンプ、配線パターン（配線）、パッド部（例えば、ボンディングパッド、電極パッド）、ダイシングライン等が挙げられる。
回路基板５０のアライメントマーク５６と、個片化された第一基板（半導体チップ）７１のアライメントマーク５８とを、回路基板５０や個片化された第一基板（半導体チップ）７１の厚さ方向から見て一致させることにより、回路基板５０に対して、個片化された第一基板（半導体チップ）７１の位置合わせを行う。そして、回路基板５０と個片化された第一基板（半導体チップ）７１と接着フィルム３１を介して仮圧着し、回路基板５０上に個片化された第一基板（半導体チップ）７１を固定する（図４（ｃ））。仮圧着する方法としては、特に制限されないが、圧着機、フリップチップボンダー等を用いて行うことができる。仮圧着する条件は、特に制限されないが、温度は４０℃〜２００℃が好ましく、６０℃〜１８０℃が特に好ましい。また、時間は０．１秒〜６０秒が好ましく、１〜６０秒が特に好ましい。さらに圧力は０．１ＭＰａ〜２．０ＭＰａが好ましく、０．３ＭＰａ〜１．５ＭＰａが特に好ましい。仮圧着する条件が前記範囲内であると、個片化された第一基板（半導体チップ）７１を回路基板５０上に確実に仮圧着することができる。
次に、半田バンプ５７を溶融して電極パッド５４と半田接合する半田接続部５７’を形成する（図４（ｄ））。
半田接続する条件は、使用する半田の種類にもよるが、例えばＳｎ−Ａｇの場合、２２０〜２６０℃で５〜５００秒間加熱して半田接続することが好ましく、特に２３０〜２４０℃で１０〜１００秒間加熱することが好ましい。
この半田接合は、半田バンプ５７が融解した後に、接着フィルム３１が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、半田バンプ５７を融解させるが、接着フィルム３１の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより、半田接続する際の半田接続部５７’の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。
半田接続する条件は、使用する半田の種類にもよるが、例えばＳｎ−Ａｇの場合、２２０〜２６０℃で５〜５００秒間加熱して半田接続することが好ましく、特に２３０〜２４０℃で１０〜１００秒間加熱することが好ましい。
この半田接合は、半田バンプ５７が融解した後に、接着フィルム３１が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、半田バンプ５７を融解させるが、接着フィルム３１の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより、半田接続する際の半田接続部５７’の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。
次に、接着フィルム３１を加熱して硬化させる（第５の工程）。硬化させる条件は、特に制限されないが、温度は１３０〜２２０℃が好ましく、１５０〜２００℃が特に好ましい。また、時間は３０〜５００分が好ましく、６０〜１８０分が特に好ましい。さらに、加圧雰囲気下で接着フィルム３１を硬化させてもよい。加圧方法としては、特に制限されないが、オーブン中に窒素、アルゴン等の加圧流体を導入することにより行うことができる。前記圧力は０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａが好ましく、０．５ＭＰａ〜５ＭＰａが特に好ましい。硬化させる条件が前記範囲内であると、接着フィルム３１中のボイドを低減することができる。
次に、マザーボードに半導体装置５００を実装するためのバンプ５５を形成する（図４（ｅ））。バンプ５５は導電性を有する金属材料であれば、特に制限されないが、導電性と応力緩和性に優れる半田が好ましい。また、バンプ５５の形成方法は、特に制限されないが、フラックスを利用して半田ボールを接続することにより形成することができる。
このようにして、図４（ｅ）に示すような、回路基板５０と個片化された第一基板（半導体チップ）７１とが接着フィルム３１の硬化物３１’で接着された半導体装置５００を得ることができる。
以上のような方法によれば、第３の工程において、個片化された第一基板（半導体チップ）７１に接着フィルム３１が付着した状態、すなわち第二の積層体８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着フィルム３１をそのまま第二基板５との接着に利用することができる。このため、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いることにより、別途アンダーフィル等を用意する必要がなく、個片化された第一基板（半導体チップ）７１と第二基板５を電気的に接続した半導体装置５００の製造
効率をより高めることができる。
このようにして、図４（ｅ）に示すような、回路基板５０と個片化された第一基板（半導体チップ）７１とが接着フィルム３１の硬化物３１’で接着された半導体装置５００を得ることができる。
以上のような方法によれば、第３の工程において、個片化された第一基板（半導体チップ）７１に接着フィルム３１が付着した状態、すなわち第二の積層体８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着フィルム３１をそのまま第二基板５との接着に利用することができる。このため、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いることにより、別途アンダーフィル等を用意する必要がなく、個片化された第一基板（半導体チップ）７１と第二基板５を電気的に接続した半導体装置５００の製造
効率をより高めることができる。
なお、第一基板７および第二基板５としては、たとえば、半導体ウエハ、半導体チップ、リジット基板、フレキシブル基板、リジットフレキシブル基板等のプリント配線板等が挙げられる。第一基板７および第二基板５としてそれぞれプリント配線板を用いる場合、接着フィルム３の硬化物で接合した多層回路基板を得ることができる。また、第一基板７および第二基板５としてそれぞれ半導体チップを用いる場合、接着フィルム３１の硬化物で接合されている電子部品を得ることができる。
以上、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
また、例えば、半導体装置、多層回路基板、電子部品の製造方法は、上記方法に限定されない。
また、例えば、半導体装置、多層回路基板、電子部品の製造方法は、上記方法に限定されない。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
＜介在層の形成＞
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５重量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ2を照射し、ポリエステルフィルム上
に介在層を成膜した。
（実施例１）
＜介在層の形成＞
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５重量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ2を照射し、ポリエステルフィルム上
に介在層を成膜した。
＜ダイシングテープの粘着剤層の形成＞
アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部とを調整したダイシングテープの粘着剤層用ワニスを調整した。前記ダイシングテープの粘着剤層用ワニスを剥離離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープの粘着剤層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部とを調整したダイシングテープの粘着剤層用ワニスを調整した。前記ダイシングテープの粘着剤層用ワニスを剥離離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープの粘着剤層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）３０．０重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部と、成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）３０．０重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部と、成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
＜接着フィルムの製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名テイジンテトロンフィルム）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、平均厚さｔが２５μｍの接着フィルムを得た。接着フィルムの波長８００ｎｍ光に対する吸収係数αは、４．４×１０−４［１／μｍ］、α×ｔは、１．１×１０−２、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、６０ｎｍであった。
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名テイジンテトロンフィルム）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、平均厚さｔが２５μｍの接着フィルムを得た。接着フィルムの波長８００ｎｍ光に対する吸収係数αは、４．４×１０−４［１／μｍ］、α×ｔは、１．１×１０−２、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、６０ｎｍであった。
＜ダイシングテープ一体型接着フィルムの製造＞
介在層を成膜したフィルムと、接着フィルムを成膜したフィルムとを、介在層と接着フィルムとが接するようにラミネート（積層）し、積層体を得た。
介在層を成膜したフィルムと、接着フィルムを成膜したフィルムとを、介在層と接着フィルムとが接するようにラミネート（積層）し、積層体を得た。
次に、ロール状の金型を用いて、介在層と接着フィルムを半導体ウエハの外径よりも大きく、かつウエハリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第二の積層体を得た。
さらに、ダイシングテープの粘着剤層の一方の面側にあるポリエステルフィルムを剥離した。そして、前記第二の積層体の介在層とダイシングテープの粘着剤層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）とダイシングテープの粘着剤層の積層体（ダイシングテープ）、介在層、接着フィルムおよびポリエステルフィルム（外層）の５層がこの順で積層してなるダイシングテープ一体型接着フィルムを得た。
＜半導体装置の製造＞
半田バンプを有するシリコンウエハ（直径８インチ、厚さ１００μｍ）を用意した。ダイシングテープ一体型接着フィルムからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着フィルムとシリコンウエハを積層した。これをラミネーターで、貼り合わせ温度Ｔ：８０℃、接着フィルム（ダイシングテープ一体型接着フィルム）に掛ける圧力Ｐ：０．８ＭＰａ、３０秒間でラミネートして、ダイシングテープ一体型接着フィルム付きのシリコンウエハを得た。
半田バンプを有するシリコンウエハ（直径８インチ、厚さ１００μｍ）を用意した。ダイシングテープ一体型接着フィルムからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着フィルムとシリコンウエハを積層した。これをラミネーターで、貼り合わせ温度Ｔ：８０℃、接着フィルム（ダイシングテープ一体型接着フィルム）に掛ける圧力Ｐ：０．８ＭＰａ、３０秒間でラミネートして、ダイシングテープ一体型接着フィルム付きのシリコンウエハを得た。
次いで、このダイシングテープ一体型接着フィルム付きのシリコンウエハをシリコンウエハ側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体チップを得た。
＜ダイシング条件＞
ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
ダイシング最大深さ ：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハの表面からの切り込み量）
ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
切り込みの横断面積 ：７．５×１０−５ｍｍ２（接着フィルムと介在層との界面より先端側の部分の横断面積）
なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が介在層内に達していた。
ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
ダイシング最大深さ ：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハの表面からの切り込み量）
ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
切り込みの横断面積 ：７．５×１０−５ｍｍ２（接着フィルムと介在層との界面より先端側の部分の横断面積）
なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が介在層内に達していた。
次いで、半導体チップの１つをダイシングテープ一体型接着フィルムの裏面からニード
ルで突き上げ、突き上げた半導体チップの表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体チップをピックアップした。
ルで突き上げ、突き上げた半導体チップの表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体チップをピックアップした。
次に、フリップチップボンダー（装置名：ＦＣＢ３、パナソニックＦＳ社製）を用いて、パッドを有する回路基板のパッドと、半田バンプとが当接するように半導体チップの所定のアライメントマークと回路基板の所定のアライメントマークをフリップチップボンダーで自動認識させることによって位置あわせを行い、回路基板に半導体チップを２３５℃、５秒間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接続を行った。
そして、１８０℃、６０分間、０．８ＭＰａの流体圧（空気圧）の雰囲気下で加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体チップと、回路基板とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。
そして、１８０℃、６０分間、０．８ＭＰａの流体圧（空気圧）の雰囲気下で加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体チップと、回路基板とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。
（実施例２）
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例１の樹脂ワニス５０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）５０重量部加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、１．１×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、２．７６×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例１の樹脂ワニス５０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）５０重量部加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、１．１×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、２．７６×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
（実施例３）
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）３０．０重量部を１５．０重量部へ配合量を変更し、さらに、フラックス機能を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１５．０重量部加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、４．４×１０−４［１／μｍ］、α×ｔは、１．１×１０−２、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、６０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）３０．０重量部を１５．０重量部へ配合量を変更し、さらに、フラックス機能を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１５．０重量部加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、４．４×１０−４［１／μｍ］、α×ｔは、１．１×１０−２、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、６０ｎｍであった。
（実施例４）
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例３の樹脂ワニス８０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）２０重量部加えた以外は、実施例３と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、７．０×１０−３［１／μｍ］、α×ｔは、１．７４×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例３の樹脂ワニス８０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）２０重量部加えた以外は、実施例３と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、７．０×１０−３［１／μｍ］、α×ｔは、１．７４×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
（実施例５）
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例３の樹脂ワニス５０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）５０重量部加えた以外は、実施例３と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接
着フィルムの吸収係数αは、１．１×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、２．７６×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例３の樹脂ワニス５０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）５０重量部加えた以外は、実施例３と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接
着フィルムの吸収係数αは、１．１×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、２．７６×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
（実施例６）
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例３の樹脂ワニス２０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）８０重量部加えた以外は、実施例３と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、４．０×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、１．０、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１７０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例３の樹脂ワニス２０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）８０重量部加えた以外は、実施例３と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、４．０×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、１．０、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１７０ｎｍであった。
（実施例７）
接着フィルムの製造を下記のとおり製造した点以外は実施例５と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルムの製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名テイジンテトロンフィルム）に厚さ１０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、平均厚さｔが５μｍの接着フィルムを得た。接着フィルムの吸収係数αは、３．１×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、１．５５×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
接着フィルムの製造を下記のとおり製造した点以外は実施例５と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルムの製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名テイジンテトロンフィルム）に厚さ１０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、平均厚さｔが５μｍの接着フィルムを得た。接着フィルムの吸収係数αは、３．１×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、１．５５×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
（実施例８）
接着フィルム用ワニスと接着フィルムの製造を下記のとおり製造した点以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。＜接着フィルム用ワニスの調製＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１４．３重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４２．８重量部と、成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２３．２２重量部と、フラックス機能を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１４．２重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０８重量部と、シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．４重量部と、無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）５．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
＜接着フィルムの製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名テイジンテトロンフィルム）に厚さ３２０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、平均厚さｔが１６０μｍの接着フィルムを得た。接着フィルムの吸収係数αは、４．４×１０−３［１／μｍ］、接着フィルムの平均厚さｔは、１６０［μｍ］、α×ｔは、６．９９×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスと接着フィルムの製造を下記のとおり製造した点以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。＜接着フィルム用ワニスの調製＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１４．３重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４２．８重量部と、成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２３．２２重量部と、フラックス機能を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１４．２重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０８重量部と、シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．４重量部と、無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）５．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
＜接着フィルムの製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名テイジンテトロンフィルム）に厚さ３２０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、平均厚さｔが１６０μｍの接着フィルムを得た。接着フィルムの吸収係数αは、４．４×１０−３［１／μｍ］、接着フィルムの平均厚さｔは、１６０［μｍ］、α×ｔは、６．９９×１０−１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１５０ｎｍであった。
（比較例１）
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例１の樹脂ワニス１０重量部に無機充填材
である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）９０重量部加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
接着フィルムの吸収係数αは、８．０×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、２．０、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１８０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例１の樹脂ワニス１０重量部に無機充填材
である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）９０重量部加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
接着フィルムの吸収係数αは、８．０×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、２．０、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１８０ｎｍであった。
（比較例２）
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例３の樹脂ワニス１０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）９０重量部加えた以外は、実施例３と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、８．０×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、２．０、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１８０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例３の樹脂ワニス１０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）９０重量部加えた以外は、実施例３と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。接着フィルムの吸収係数αは、８．０×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、２．０、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１８０ｎｍであった。
（比較例３）
接着フィルム用ワニスと接着フィルムの製造を下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例１の樹脂ワニス１０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）９０重量部加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
＜接着フィルム層の製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名テイジンテトロンフィルム）に厚さ３２０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、平均厚さｔが１６０μｍの接着フィルムを得た。
接着フィルムの吸収係数αは、８．０×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、１．２８２４×１０１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１８０ｎｍであった。
接着フィルム用ワニスと接着フィルムの製造を下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着フィルムおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
接着フィルム用ワニスの調製において、実施例１の樹脂ワニス１０重量部に無機充填材である球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）９０重量部加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
＜接着フィルム層の製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名テイジンテトロンフィルム）に厚さ３２０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、平均厚さｔが１６０μｍの接着フィルムを得た。
接着フィルムの吸収係数αは、８．０×１０−２［１／μｍ］、α×ｔは、１．２８２４×１０１、表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）は、１８０ｎｍであった。
得られたダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて、以下の項目について評価した。評価結果を表１に示す。
＜ダイシング性の評価＞
各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて、ダイシングテープ一体型接着フィルムからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着フィルムとシリコンウエハをラミネートし、ダイシングテープ一体型接着フィルム付きのシリコンウエハを得た。
次いで、このダイシングテープ一体型接着フィルム付きのシリコンウエハをシリコンウエハ側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて前述の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハを個片化し、１０ｍｍ×１０ｍｍ角のダイシングサイズの半導体チップを３０個得た。
３０個全ての半導体チップに割れや欠けの発生がなかったものを○、１個でも割れや欠けが発生したものを×とした。
＜ダイシング性の評価＞
各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて、ダイシングテープ一体型接着フィルムからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着フィルムとシリコンウエハをラミネートし、ダイシングテープ一体型接着フィルム付きのシリコンウエハを得た。
次いで、このダイシングテープ一体型接着フィルム付きのシリコンウエハをシリコンウエハ側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて前述の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハを個片化し、１０ｍｍ×１０ｍｍ角のダイシングサイズの半導体チップを３０個得た。
３０個全ての半導体チップに割れや欠けの発生がなかったものを○、１個でも割れや欠けが発生したものを×とした。
＜ピックアップ性の評価＞
次いで、各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて得られた半導体チップ３０個を、フリップチップボンダー（装置名：ＦＣＢ３、パナソニックＦＳ社製）を用いて半導体チップをダイシングテープ一体型接着フィルムの裏面からピックアップディレイ１００ｍｓ、ピックハイト２００μｍでニードルで突き上げた。突き上げた半導体チップの表面をフリップチップボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げ
、接着フィルム付き半導体チップをピックアップ性を確認した。
３０個全ての半導体チップを破損なくピックアップしたものを○、１個でも破損が発生したものを×とした。
＜アライメント性の評価＞
次いで、各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて得られた半導体チップ３０個を、フリップチップボンダー（装置名：ＦＣＢ３、パナソニックＦＳ社製）を用いて半導体チップをダイシングテープ一体型接着フィルムの裏面からピックアップディレイ１００ｍｓ、ピックハイト２００μｍでニードルで突き上げた。突き上げた半導体チップの表面をフリップチップボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げ
、接着フィルム付き半導体チップをピックアップ性を確認した。
３０個全ての半導体チップを破損なくピックアップしたものを○、１個でも破損が発生したものを×とした。
＜アライメント性の評価＞
次いで、各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて得られた半導体チップ３０個を、フリップチップボンダーを用いて半導体チップの所定のアライメントマークに対して自動認識操作を行い、自動認識する個数をカウントした。
３０個全ての半導体チップを自動認識したものを○、１個でも自動認識でエラーが発生したものを×とした。
３０個全ての半導体チップを自動認識したものを○、１個でも自動認識でエラーが発生したものを×とした。
＜接続信頼性＞
各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて得られた半導体チップそれぞれ１０個ずつを半導体装置化し、それらを−５５℃の条件下に３０分、１２５℃の条件下に３０分ずつ交互に晒すことを１サイクルとする、温度サイクル試験を１００サイクル行い、試験後の半導体装置について、半導体チップと回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続信頼性を評価した。
１０個すべての半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以下であったものを○、１個以上の半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以上であったものを×とした。
＜絶縁信頼性＞
各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて得られた半導体チップそれぞれ１０個ずつを半導体パッケージ化し、１３０℃、８５％、３．３Ｖの条件下で２００時間の処理と同時に、半導体チップと回路基板の絶縁抵抗値を測定し、絶縁信頼性を評価した。
１０個すべての半導体装置の絶縁抵抗値が常に１．０×１０７Ω以上であったものを○、１個以上の半導体装置の絶縁抵抗値が１．０×１０４Ωを下回ったものを×とした。
評価結果を表１に示す。
各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて得られた半導体チップそれぞれ１０個ずつを半導体装置化し、それらを−５５℃の条件下に３０分、１２５℃の条件下に３０分ずつ交互に晒すことを１サイクルとする、温度サイクル試験を１００サイクル行い、試験後の半導体装置について、半導体チップと回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続信頼性を評価した。
１０個すべての半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以下であったものを○、１個以上の半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以上であったものを×とした。
＜絶縁信頼性＞
各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて得られた半導体チップそれぞれ１０個ずつを半導体パッケージ化し、１３０℃、８５％、３．３Ｖの条件下で２００時間の処理と同時に、半導体チップと回路基板の絶縁抵抗値を測定し、絶縁信頼性を評価した。
１０個すべての半導体装置の絶縁抵抗値が常に１．０×１０７Ω以上であったものを○、１個以上の半導体装置の絶縁抵抗値が１．０×１０４Ωを下回ったものを×とした。
評価結果を表１に示す。
実施例１〜８は、半導体装置製造時のダイシング性、ピックアップ性、アライメント性が良好であり、接続信頼性、絶縁信頼性に優れた半導体装置が得られた。一方、比較例１〜３は、半導体装置製造時のダイシング性、ピックアップ性、アライメント性のいずれかが劣り、得られた半導体装置の接続信頼性、絶縁信頼性も劣る結果となった。
１ 介在層
１１ 外周縁
２ ダイシングテープの粘着剤層
２１ 外周部
３、３１ 接着フィルム
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４ａ、４ｂ 基材
５ 第二基板
５０ 回路基板
５１ 基材
５２ 配線回路
５３ 絶縁部
５４ 電極パッド
５５ バンプ
５６ アライメントマーク
５７ 半田バンプ
５７' 半田接続部
５８ アライメントマーク
６１〜６４ 積層体
７ 第一基板（半導体ウエハ）
７１ 個片化された第一基板（半導体チップ）
８ 第一の積層体
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 第二の積層体
９ ウエハリング
１０、１０' ダイシングテープ一体型接着フィルム
１００ 第三の積層体
２５０ ダイボンダー
２６０ コレット
２７０ 台（ヒーター）
２８０ 装置本体
４００ 台（突き上げ装置）
５００ 半導体装置
１１ 外周縁
２ ダイシングテープの粘着剤層
２１ 外周部
３、３１ 接着フィルム
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４ａ、４ｂ 基材
５ 第二基板
５０ 回路基板
５１ 基材
５２ 配線回路
５３ 絶縁部
５４ 電極パッド
５５ バンプ
５６ アライメントマーク
５７ 半田バンプ
５７' 半田接続部
５８ アライメントマーク
６１〜６４ 積層体
７ 第一基板（半導体ウエハ）
７１ 個片化された第一基板（半導体チップ）
８ 第一の積層体
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 第二の積層体
９ ウエハリング
１０、１０' ダイシングテープ一体型接着フィルム
１００ 第三の積層体
２５０ ダイボンダー
２６０ コレット
２７０ 台（ヒーター）
２８０ 装置本体
４００ 台（突き上げ装置）
５００ 半導体装置
Claims (14)
- 第一基板の第一の端子と、第二基板の第二の端子とを、電気的に接続し、前記第一基板と前記第二基板とを接着する接着フィルムおよびダイシングテープが積層されたダイシングテープ一体型接着フィルムであって、
前記接着フィルムを平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記接着フィルムの波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されていることを特徴とするダイシングテープ一体型接着フィルム。
α×ｔ≦−ｌｏｇ１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２） - 前記吸収係数αは、１．０８×１０−５〜１．３０［１／μｍ］である請求項１に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- 前記第二基板に、該第二基板と前記第一基板との位置合わせに用いられるパターンが設けられており、前記パターンを埋めるように前記接着フィルムを設ける請求項１または２に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- 前記パターンは、電極、バンプ、配線およびダイシングラインのうちの少なくとも１つを含む請求項３に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- 前記第二基板にアライメントマークが設けられており、前記アライメントマークを埋めるように前記接着フィルムを設ける請求項１または２に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- 無機充填材を含有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- 前記無機充填材の含有量は、０．１〜８５重量％である請求項６に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- 前記無機充填材がシリカである請求項６または７に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- フラックス機能を有する化合物を含有する請求項１ないし８のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- 前記接着フィルムの表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）が１０〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着フィルム。
- 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いた電子部品の製造方法であって、
前記ダイシングテープ一体型接着フィルムの接着フィルムと第一基板の第一の端子とを対向させ貼着することにより第一基板と接着フィルムとダイシングテープとがこの順に積層された第一の積層体を得る工程と、
前記第一の積層体の第一基板と接着フィルムとを切断することにより第一基板と接着フィルムを個片化する個片化工程と、
前記個片化された第一基板と接着フィルムが積層された状態でダイシングテープから分離することにより個片化された第一基板と接着フィルムとが積層された第二の積層体を得る工程と、
前記第二の積層体の接着フィルムと第二基板の第二の端子とを対向させ位置合わせすることにより個片化された第一基板と接着フィルムと第二基板がこの順に積層された第三の積層体を得る工程と、
前記第三の積層体を加熱することにより、個片化された第一基板と、第二基板とを、電気的に接続し、接着する接合工程と、
を有する電子部品の製造方法。 - 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の接着フィルムの硬化物を有する半導体装置。
- 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の接着フィルムの硬化物を有する多層回路基板。
- 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の接着フィルムの硬化物を有する電子部品。
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| JP2012052970A JP2013185118A (ja) | 2012-03-09 | 2012-03-09 | ダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
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Citations (3)
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| JP2011168762A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-09-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体接合用接着剤、半導体接合用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置 |
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- 2012-03-09 JP JP2012052970A patent/JP2013185118A/ja active Pending
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