JP4820866B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は液晶表示装置に関し、特に広視野角特性を有する液晶表示装置に関する。
液晶表示装置の表示特性が改善され、テレビジョン受像機などへの利用が進んでいる。液晶表示装置の視野角特性は向上したものの更なる改善が望まれている。特に、垂直配向型の液晶層を用いた液晶表示装置（ＶＡモード液晶表示装置と呼ばれることもある。）の視野角特性を改善する要求は強い。
現在、テレビ等の大型表示装置に用いられているＶＡモード液晶表示装置には、視野角特性を改善するために、１つの画素領域に複数の液晶ドメインを形成する配向分割構造が採用されている。配向分割構造を形成する方法としては、ＭＶＡモードが主流である。ＭＶＡモードは、垂直配向型液晶層を挟んで対向する一対の基板の液晶層側に、配向規制構造を設けることによって、配向方向（チルト方向）が異なる複数のドメイン（典型的には配向方向は４種類）を形成している。配向規制構造としては、電極に設けたスリット（開口部）あるいはリブ（突起構造）が用いられ、液晶層の両側から配向規制力を発揮する。
しかしながら、スリットやリブを用いると、従来のＴＮで用いられていた配向膜によってプレチルト方向を規定した場合と異なり、スリットやリブが線状であることから、液晶分子に対する配向規制力が画素領域内で不均一となるため、例えば、応答速度に分布が生じるという問題がある。また、スリットやリブを設けた領域の光の透過率が低下するので、表示輝度が低下するという問題もある。
特開平１１−１３３４２９号公報 特開平１１−３５２４８６号公報
上述の問題を回避するためには、ＶＡモード液晶表示装置についても、配向膜によってプレチルト方向を規定することによって配向分割構造を形成することが好ましい。そこで、本発明者は、種々の検討を行ったところ、ＶＡモード液晶表示装置に特有の配向乱れが発生し、表示品位に悪影響を及ぼすことを見出した。
従来の配向膜を用いた配向分割構造を形成した液晶表示装置においても、配向乱れによる表示特性の低下を抑制するために、遮光部を設け、配向乱れが発生した領域を透過した光を遮蔽する技術が知られている（例えば、特許文献１）。
しかしながら、従来の配向分割構造において遮光部を設ける目的は、ＴＮモードの液晶表示装置におけるリバースチルトのような配向乱れによって、正面視において、光の透過率が所定の値よりも高くなる領域、すなわち液晶分子が正常に配向した領域よりも明るく見える領域を隠すことであったのに対し、ＶＡモードの液晶表示装置においては、正面視において正常配向領域よりも明るく見える領域を遮光するだけでは表示品位を十分に改善できない場合があることを見出した。
本発明は、上記諸点に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示品位に優れたＶＡモードの液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第１基板および第２基板と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有し、前記第１基板は、ＴＦＴ、ゲートバスライン、ソースバスライン、および補助容量配線を有し、画素領域は、それぞれが対応するＴＦＴを介して前記ソースバスラインから供給されるある信号電圧に対して、前記液晶層に互いに異なる電圧が印加される２つの副画素領域を含み、前記第１基板は、前記２つの副画素領域のそれぞれに対応して設けられた第１電極を有し、前記第２基板は、前記液晶層を介して前記第１電極と対向するように設けられた第２電極を有し、前記第１電極と、前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の前記液晶層とによって構成される液晶容量が副画素領域ごとに形成されている液晶表示装置であって、各副画素領域は、ある中間調を表示するときに、正面視において、前記第１電極のエッジ部よりも内側に前記エッジ部に略平行に当該中間調よりも暗い領域を形成する少なくとも１つの液晶ドメインを有し、前記第１電極の前記エッジ部の少なくとも一部は、前記暗い領域の少なくとも一部を選択的に遮光するように、前記ゲートバスラインと重なるように配置されており、前記２つの副画素領域に対応する２つのＴＦＴのドレイン−ゲート間容量Ｃｇｄが略等しいことを特徴とする。
ある実施形態において、前記２つの副画素領域に対応する前記２つのＴＦＴのゲート電極の面積が互いに異なる。
ある実施形態において、前記２つの副画素領域に対応する前記２つのＴＦＴのドレイン電極の面積が互いに異なる。
ある実施形態において、前記ゲートバスラインと重なる前記エッジ部を含む前記第１電極の領域の面積が、前記２つの副画素領域間で異なる。
ある実施形態において、前記ゲートバスラインと重なる前記エッジ部を含む前記第１電極の領域の面積が、前記２つの副画素領域間で等しい。
ある実施形態の液晶表示装置は、前記２つの副画素領域に対応する前記２つのＴＦＴのそれぞれのドレインに接続されたドレイン引出し配線と、前記ゲートバスラインから分岐されたゲートバスライン延設部とをさらに有し、前記ゲートバスライン延設部は、絶縁層を間に介して前記２つのＴＦＴの一方に接続されたドレイン引出し配線と対向する部分を含む。
ある実施形態において、前記２つの副画素領域のそれぞれは、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第１方向である第１液晶ドメインと、第２方向である第２液晶ドメインと、第３方向である第３液晶ドメインと、第４方向である第４液晶ドメインとを更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、前記第１液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、前記第２液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなす第２エッジ部を含み、前記第３液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなす第３エッジ部を含み、前記第４液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなす第４エッジ部を含み、前記第１基板または前記第２基板は遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記第１エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第１遮光部、前記第２エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第２遮光部、前記第３エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第３遮光部、および前記第４エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第４遮光部、および、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部を含み、前記中央遮光部は前記ドレイン引出し配線の一部を含む。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、前記第１エッジ部および前記第３エッジ部は垂直方向に平行であって、前記第２エッジ部および前記第４エッジ部は水平方向に平行であり、前記２つの副画素領域の一方における前記第３遮光部は前記ゲートバスライン延設部の少なくとも一部を含む。
ある実施形態において、前記２つの副画素領域の前記一方における前記第１遮光部は前記補助容量配線の延設部の少なくとも一部を含む。
ある実施形態において、前記２つの副画素領域の他方における前記第３遮光部は前記補助容量配線の延設部の少なくとも一部を含む。
ある実施形態において、前記２つの副画素領域の他方における前記第１遮光部は前記ゲートバスラインと同じ層から形成された島状遮光部の少なくとも一部を含む。
ある実施形態において、前記２つの副画素領域の引込み電圧の差が１００ｍＶ以下である。
本発明の他の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極および前記第２基板の前記液晶層側に設けられた第２電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有し、画素領域は、ある中間調を表示するときに、正面視において、前記第１電極のエッジ部よりも内側に前記エッジ部に略平行に当該中間調よりも暗い領域を形成する少なくとも１つの液晶ドメインを有し、前記第１基板または前記第２基板は遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記暗い領域の少なくとも一部を選択的に遮光する少なくとも１つの遮光部を含むことを特徴とする。
本発明のさらに他の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極および前記第２基板の前記液晶層側に設けられた第２電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有し、画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が予め決められた第１方向である第１液晶ドメインを有し、前記第１液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、前記第１基板または前記第２基板は遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記第１エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第１遮光部を含むことを特徴とする。
ある実施形態において、前記画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第２方向である第２液晶ドメインと、第３方向である第３液晶ドメインと、第４方向である第４液晶ドメインとを更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、前記第２液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなす第２エッジ部を含み、前記第３液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなす第３エッジ部を含み、前記第４液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなす第４エッジ部を含み、前記遮光部材は、前記第２エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第２遮光部、前記第３エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第３遮光部、および前記第４エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第４遮光部をさらに含む。
ある実施形態において、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインは、前記チルト方向が、隣接する液晶ドメイン間で約９０°異なるように配置されている。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、前記第１エッジ部および前記第３エッジ部は垂直方向に平行であって、前記第２エッジ部および前記第４エッジ部は水平方向に平行である。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、前記第１エッジ部および前記第３エッジ部は水平方向に平行であり、前記第２エッジ部および前記第４エッジ部は垂直方向に平行である。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、前記第１エッジ部、第２エッジ部、前記第３エッジ部および前記第４エッジ部は、それぞれ、水平方向に平行な第１部分と垂直方向に平行な第２部分を含む。
ある実施形態において、前記画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第２方向である第２液晶ドメインと、第３方向である第３液晶ドメインと、第４方向である第４液晶ドメインとを更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、前記第１方向と前記第２方向とは約１８０°の角をなし、前記第２液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなす第２エッジ部を含み、前記第１エッジ部および第２エッジ部は、それぞれ、水平方向に平行な第１部分と垂直方向に平行な第２部分を含み、前記遮光部材は、第２エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第２遮光部をさらに含む。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約１３５°または約２２５°である。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約９０°、前記第２方向は約１８０°、前記第３方向は約０°、前記第４方向は約２７０°方向であって、前記第１エッジ部および前記第４エッジ部は水平方向に平行であり、前記第２エッジ部および前記第３エッジ部は垂直方向に平行である。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、前記第１エッジ部、第２エッジ部、第３エッジ部および第４エッジ部はいずれも垂直方向に平行である。
ある実施形態において、前記遮光部材は、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部を含む。
ある実施形態において、前記遮光部材は、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域が、前記第１エッジ部、第２エッジ部、第３エッジ部および第４エッジ部のいずれかと交わる領域を遮光する更なる遮光部を含む。
ある実施形態において、前記第１基板は、ＴＦＴ、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線および補助容量配線をさらに有し、前記第１遮光部、前記第２遮光部、前記第３遮光部、前記第４遮光部、前記中央遮光部または前記更なる遮光部は、前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記ドレイン引出し配線および前記補助容量配線からなる群から選択される少なくとも１つの配線の少なくとも一部を含む。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの配線は、その長手方向に交差する方向に屈曲した部分または幅が広くなった部分を有し、前記少なくとも１つの配線の前記少なくとも一部は、前記屈曲部または前記幅広部の少なくとも一部を含む。
ある実施形態において、前記第２基板は、ブラックマトリクス層をさらに有し、前記第１遮光部、前記第２遮光部、前記第３遮光部、前記第４遮光部、前記中央遮光部または前記更なる遮光部は、前記ブラックマトリクス層の一部によって形成されている。
ある実施形態において、前記液晶層を介して互いに対向し、透過軸が互いに直交するように配置された一対の偏光板を更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、前記一対の偏光板の前記透過軸と約４５°の角をなす。
ある実施形態において、前記垂直配向型液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料を含み、前記少なくとも１つの配向膜は、前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、一方の配向膜が規定するプレチルト方向と、他方の配向膜が規定するプレチルト方向は互いに略９０°異なる。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの配向膜は前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、前記一方の配向膜が規定するプレチルト角と、前記他方の配向膜が規定するプレチルト角とは互いに略等しい。
ある実施形態において前記少なくとも１つの配向膜は、光配向膜から形成されている。
本発明のさらに他の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極および前記第２基板の前記液晶層側に設けられた第２電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有し、画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第１方向である第１液晶ドメインと、第２方向である第２液晶ドメインと、第３方向である第３液晶ドメインと、第４方向である第４液晶ドメインとを更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインはそれぞれ他の液晶ドメインと隣接しており、前記遮光部材は、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部を含む。
ある実施形態において、前記第１液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、前記第２液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなす第２エッジ部を含み、前記第３液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなす第３エッジ部を含み、前記第４液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなす第４エッジ部を含む。
ある実施形態において、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインは、２行２列のマトリクス状に配置されている。
ある実施形態において、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインは、所定の方向に一列に配置されている。
ある実施形態において、前記第１基板は、ＴＦＴ、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線および補助容量配線をさらに有し、前記中央遮光部は、前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記ドレイン引出し配線および前記補助容量配線からなる群から選択される少なくとも１つの配線の少なくとも一部を含む。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの配線は、その長手方向に交差する方向に屈曲した部分または幅が広くなった部分を有し、前記少なくとも１つの配線の前記少なくとも一部は、前記屈曲部または前記幅広部の少なくとも一部を含む。 ある実施形態において、前記第２基板は、ブラックマトリクス層をさらに有し、前記中央遮光部は、前記ブラックマトリクス層の一部によって形成されている。
ある実施形態において、前記液晶層を介して互いに対向し、透過軸が互いに直交するように配置された一対の偏光板を更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、前記一対の偏光板の前記透過軸と約４５°の角をなす。
ある実施形態において、前記垂直配向型液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料を含み、前記少なくとも１つの配向膜は、前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、一方の配向膜が規定するプレチルト方向と、他方の配向膜が規定するプレチルト方向は互いに略９０°異なる。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの配向膜は前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、前記一方の配向膜が規定するプレチルト角と、前記他方の配向膜が規定するプレチルト角とは互いに略等しい。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの配向膜は光配向膜から形成されている。
本発明のさらに他の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極および前記第２基板の前記液晶層側に設けられた第２電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有し、画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第１方向である第１液晶ドメインと、第２方向である第２液晶ドメインと、第３方向である第３液晶ドメインと、第４方向である第４液晶ドメインとを更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、前記第１液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、前記第２液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなす第２エッジ部を含み、前記第３液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなす第３エッジ部を含み、前記第４液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなす第４エッジ部を含み、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインはそれぞれ他の液晶ドメインと隣接しており、前記第１基板または前記第２基板は遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域が、前記第１エッジ部、第２エッジ部、第３エッジ部および第４エッジ部のいずれかと交わる領域を遮光する遮光部を含む。
ある実施形態において、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインは、前記チルト方向が、隣接する液晶ドメイン間で略９０°異なるように配置されている。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、前記第１エッジ部および前記第３エッジ部は垂直方向に平行であって、前記第２エッジ部および前記第４エッジ部は水平方向に平行である。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、前記第１エッジ部および前記第３エッジ部は水平方向に平行であり、前記第２エッジ部および前記第４エッジ部は垂直方向に平行である。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約９０°、前記第２方向は約１８０°、前記第３方向は約０°、前記第４方向は約２７０°方向であって、前記第１エッジ部および前記第４エッジ部は水平方向に平行であり、前記第２エッジ部および前記第３エッジ部は垂直方向に平行である。
ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、前記第１エッジ部、第２エッジ部、第３エッジ部および第４エッジ部はいずれも垂直方向に平行である。
ある実施形態において、前記遮光部は略三角形を有している。
ある実施形態において、前記遮光部材は、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部を含む。
ある実施形態において、前記第１基板は、ＴＦＴ、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線および補助容量配線をさらに有し、前記遮光部または前記中央遮光部は、前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記ドレイン引出し配線および前記補助容量配線からなる群から選択される少なくとも１つの配線の少なくとも一部を含む。
ある実施形態において、前記第２基板は、ブラックマトリクス層をさらに有し、前記遮光部または前記中央遮光部は前記ブラックマトリクス層の一部によって形成されている。
ある実施形態において、前記液晶層を介して互いに対向し、透過軸が互いに直交するように配置された一対の偏光板を更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、前記一対の偏光板の前記透過軸と約４５°の角をなす。
ある実施形態において、前記垂直配向型液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料を含み、前記少なくとも１つの配向膜は、前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、一方の配向膜が規定するプレチルト方向と、他方の配向膜が規定するプレチルト方向は互いに略９０°異なる。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの配向膜は前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、前記一方の配向膜が規定するプレチルト角と、前記他方の配向膜が規定するプレチルト角とは互いに略等しい。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの配向膜は光配向膜から形成されている。
本発明によるとＶＡモードの液晶表示装置の表示品位、特に視角依存性を向上させることができる。また、本発明は、特に、配向膜を用いて配向分割構造を形成した液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。
本発明によるＶＡモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域の例を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明によるＶＡモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域の例を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明によるＶＡモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域の他の例を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明によるＶＡモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域のさらに他の例を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明によるＶＡモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域のさらに他の例を示す図である。 本発明によるＶＡモードの液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層中に形成される電界の等電位線、液晶分子の配向方向および透過率をシミュレーションで求めた結果を示す図である。 本発明によるＶＡモードの液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層中に形成される電界の等電位線、液晶分子の配向方向および透過率をシミュレーションで求めた結果を示す図である。 本発明によるＶＡモードの液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層中に形成される電界の等電位線、液晶分子の配向方向および透過率をシミュレーションで求めた結果を示す図である。 本発明によるＶＡモードの液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層中に形成される電界の等電位線、液晶分子の配向方向および透過率をシミュレーションで求めた結果を示す図である。 図２（ａ）に示した画素領域を方位角４５°方向から観察したときの透過強度の分布を示すグラフである。 本発明による液晶表示装置の画素構造の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の他の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 図１４に示した画素構造の断面図を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 図１６に示した画素構造の断面図を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 本発明によるＶＡモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域における配向不良が発生する他の領域の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 （ａ）は図２２中のＸ−Ｘ’線に沿った模式的な断面図であり、（ｂ）は図２２中のＹ−Ｙ’線に沿った模式的な断面図である。 図２２に示した画素分割構造を有する画素の等価回路図である。 図２２の画素分割構造においてＣｇｄを形成する部分の拡大図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。 本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。
符号の説明
１ ＴＦＴ基板
１ａ、２ａ 透明基板
２ ＣＦ基板
３ 液晶層
３ａ 液晶分子
１０ 画素領域
１１ 画素電極
１２ 対向電極
１１１ 画素電極
１１１ａ、１１１ａ１、１１１ａ２ 副画素電極
１１１Ｅ 画素電極幅広部または副画素電極幅広部
１１１ａ１Ｅ 副画素電極拡張部
１１２ ゲートバスライン
１１２Ｅ１、１１２Ｅ２ ゲートバスライン延設部
１１３ ＣＳバスライン（補助容量配線）
１１３Ｅ、１１３Ｅ１、１１３Ｅ２ ＣＳバスライン延設部
１１４ ソースバスライン
１１５ ゲート絶縁膜
１１６、１１６ａ、１１６ｂ、１１６ａ１、１１６ａ２ ＴＦＴ
１１６ｍ 半導体層（ｉ層）
１１６Ｄ、１１６Ｄ１、１１６Ｄ２ ドレイン電極
１１６Ｇ、１１６Ｇ１、１１６Ｇ２ ゲート電極
１１６Ｓ、１１６Ｓ１、１１６Ｓ２ ソース電極
１１７、１１７−１、１１７−２ ドレイン引出し配線
１１７Ｅ ドレイン引出し配線の延設部
１１８ａ パッシベーション膜
１１８ｂ 層間絶縁膜
１３２ ブラックマトリクス
ＳＤ１〜ＳＤ４ 画素電極エッジ
ＥＧ１〜ＥＧ４ 画素電極エッジ部
Ａ〜Ｄ 液晶ドメイン
ｔ１〜ｔ４ チルト方向（基準配向方向）
ｅ１〜ｅ４ 画素電極のエッジに直交し、画素電極の内側に向かう方位角方向
以下、図面を参照しながら、本発明による実施形態の液晶表示装置の構成を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本発明は、少なくとも１つの配向膜を用いてプレチルト方向が規制された垂直配向型の液晶層を備える液晶表示装置において、配向不良が発生する場所に遮光膜を設けることによって、表示品位を向上させる。
配向不良が発生する場所によって、表示品位への影響が異なるので、要求される表示特性に応じて、遮光部を設けて隠す配向不良が異なる。以下では、画素領域内の３つの場所（電極エッジ部、中央部および交差領域）に発生する配向不良に分けて説明する。３つの場所を独立に遮光してもよいし、任意の２以上の場所を遮光しても良く、全てを遮光してもよい。
本明細書において、「垂直配向型液晶層」とは、垂直配向膜の表面に対して、液晶分子軸（「軸方位」ともいう。）が約８５°以上の角度で配向した液晶層をいう。液晶分子は負の誘電異方性を有し、クロスニコル配置された偏光板と組み合わせて、ノーマリーブラックモードで表示を行う。なお、配向膜は少なくとも一方に設ければ良いが、配向の安定性の観点から両側に設けることが好ましい。以下の実施形態では、両側に垂直配向膜を設けた例を説明する。また、電極エッジ部に形成される配向不良以外は、配向分割構造において発生するので、特に視野角特性に優れる４分割構造を例に説明する。なお、本明細書において「画素」とは、表示において特定の階調を表現する最小の単位を指し、カラー表示においては、例えば、Ｒ、ＧおよびＢのそれぞれの階調を表現する単位に対応し、ドットとも呼ばれる。Ｒ画素、Ｇ画素およびＢ画素の組み合わせが、１つのカラー表示画素を構成する。「画素領域」は、表示の「画素」に対応する液晶表示装置の領域を指す。「プレチルト方向」は、配向膜によって規制される液晶分子の配向方向であって、表示面内の方位角方向を指す。また、このとき液晶分子が配向膜の表面となす角をプレチルト角と呼ぶ。プレチルト方向は、配向膜に、ラビング処理または光配向処理を行うことによって規定されることになる。液晶層を介して対向する一対の配向膜のプレチルト方向の組み合わせを変えることによって４分割構造を形成することができる。４分割された画素領域は、４つの液晶ドメイン（単に「ドメイン」ということもある。）を有する。それぞれの液晶ドメインは、液晶層に電圧が印加されたときの液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向（「基準配向方向」ということもある。）に特徴付けられ、このチルト方向（基準配向方向）が各ドメインの視角依存性に支配的な影響を与える。チルト方向も方位角方向である。方位角方向の基準は、表示の水平方向とし、左回りに正をとる（表示面を時計の文字盤に例えると３時方向を方位角０°として、反時計回りを正とする）。４つの液晶ドメインのチルト方向が、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向（例えば、１２時方向、９時方向、６時方向、３時方向）となるように設定することによって、視野角特性が平均化され、良好な表示を得ることができる。また、視野角特性の均一さの観点からは、４つの液晶ドメインの画素領域内に占める面積は互いに略等しくすることが好ましい。具体的には、４つの液晶ドメインの内の最大の液晶ドメインの面積と最小の液晶ドメインの面積との差が、最大の面積の２５％以下であることが好ましい。
以下の実施形態で例示する垂直配向型液晶層は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含み、液晶層の両側に設けられた一対の配向膜の一方の配向膜が規定するプレチルト方向と、他方の配向膜が規定するプレチルト方向は互いに略９０°異なっており、これら２つのプレチルト方向の中間の方向にチルト角（基準配向方向）が規定されている。カイラル剤は添加しておらず、液晶層に電圧を印加したときには、配向膜の近傍の液晶分子は配向膜の配向規制力に従ってツイスト配向をとる。必要に応じてカイラル剤を添加しても良い。このように、一対の配向膜によって規定されるプレチルト方向（配向処理方向）が互いに直交する垂直配向膜を用いることにより、液晶分子がツイスト配向となるＶＡモードは、ＶＡＴＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードと呼ばれることもある（例えば特許文献２）。
ＶＡＴＮモードにおいては、本出願人が特願２００５−１４１８４６号に記載しているように、一対の配向膜のそれぞれによって規定されるプレチルト角は互いに略等しいことが好ましい。プレチルト角が略等しい配向膜を用いることによって、表示輝度特性を向上させることができるという利点が得られる。特に、一対の配向膜によって規定されるプレチルト角の差が１°以内にすることによって、液晶層の中央付近の液晶分子のチルト方向（基準配向方向）を安定に制御することが可能となり、表示輝度特性を向上させることができる。これは、上記プレチルト角の差が１°超になると、チルト方向が液晶層内の位置によってばらつき、その結果、透過率がばらつく（すなわち所望の透過率よりも低い透過率となる領域が形成される）ためと考えられる。
液晶分子のプレチルト方向を配向膜に規定させる方法としては、ラビング処理を行う方法、光配向処理を行う方法、配向膜の下地に微細な構造を予め形成しておきその微細構造を配向膜の表面に反映させる方法、あるいは、ＳｉＯなどの無機物質を斜め蒸着することによって表面に微細な構造を有する配向膜を形成する方法などが知られているが、量産性の観点からは、ラビング処理または光配向処理が好ましい。特に、光配向処理は、非接触で処理できるので、ラビング処理のように摩擦による静電気の発生が無く、歩留まりを向上させることが出来る。さらに、上記特願２００５−１４１８４６号に記載されているように、感光性基を含む光配向膜を用いることによって、プレチルト角のばらつきを１°以下に制御することができる。感光性基としては、４−カルコン基、４’−カルコン基、クマリン基、及び、シンナモイル基からなる群より選ばれる少なくとも一つの感光性基を含むことが好ましい。
以下の実施形態では、典型的な例として、ＴＦＴ型の液晶表示装置を示すが、本発明は他の駆動方式の液晶表示装置に適用できることも言うまでもない。
（エッジ部および中央部）
まず、電極エッジ部に発生する配向不良について説明する。
本発明者は、配向膜を用いてプレチルト方向が規制された垂直配向型液晶層を備えた液晶表示装置において、ある中間調を表示するための電圧が印加されたとき、正面視において、画素電極のエッジ部よりも内側にエッジ部に略平行に、表示すべき中間調よりも暗い領域が形成されることを見出した。配向分割した場合には、液晶ドメインが近接する画素電極のエッジの内で、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向が液晶ドメインのチルト方向（基準配向方向）と９０°超の角をなすエッジ部が存在すると、このエッジ部よりも内側にエッジ部に略平行に、表示すべき中間調よりも暗い領域が形成される。これは、液晶ドメインのチルト方向と画素電極のエッジに生成される斜め電界による配向規制力の方向が互いに対向する成分を有することになるために、この部分で液晶分子の配向が乱れると考えられる。
ここで、「中間調」とは、黒（最低階調）および白（最高階調）を除く任意の階調を指す。上記暗い領域が形成されるという現象は、原理的には、黒以外の階調（白を含む）を表示するときに発生するが、暗い領域の視認のされ易さは比較的高い階調で起こる。また、本明細書において、特に視角方向を示さない場合、正面視（表示面法線方向から観察した場合）における表示状態を表すことにする。
図１に示した４分割構造の画素領域１０について説明する。図１には、簡単のために、略正方形の画素電極に対応して形成された画素領域１０を示しているが、本発明は画素領域の形状に制限されるものではない。
画素領域１０は、４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤを有しており、それぞれのチルト方向（基準配向方向）をｔ１、ｔ２、ｔ３およびｔ４とすると、これは、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向である。液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤの面積も互いに等しく、視野角特性上最も好ましい４分割構造の例である。４つの液晶ドメインは、２行２列のマトリクス状に配列されている。
画素電極は、４つのエッジ（辺）ＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３およびＳＤ４を有しており、電圧印加時に生成する斜め電界はそれぞれの辺に直交し、画素電極の内側に向かう方向（方位角方向）の成分を有する配向規制力を生成する。図１では、４つのエッジＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３およびＳＤ４に直交し、画素電極の内側に向かう方位角方向をｅ１、ｅ２、ｅ３およびｅ４で示している。
４つの液晶ドメインのそれぞれは、画素電極の４つのエッジの内の２つと近接しており、電圧印加時には、それぞれのエッジに生成される斜め電界による配向規制力を受ける。
液晶ドメインＡが近接する画素電極のエッジの内のエッジ部ＥＧ１は、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ１が液晶ドメインのチルト方向ｔ１と９０°超の角をなし、この領域に配向乱れが発生する。その結果、液晶ドメインＡは、電圧印加時に、このエッジ部ＥＧ１に平行に他の領域よりも暗い領域（ドメインラインＤＬ１）を生じる。なお、ここで、液晶層を介して互いに対向するように配置される一対の偏光板の透過軸（偏光軸）は、互いに直交するように配置されており、一方が水平方向、他方が垂直方向に配置されている。以下、特に示さない限り、偏光板の透過軸の配置はこれと同じである。
同様に、液晶ドメインＢが近接する画素電極のエッジの内エッジ部ＥＧ２は、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ２が液晶ドメインのチルト方向ｔ２と９０°超の角をなし、この領域に配向乱れが発生する。その結果、液晶ドメインＢは、電圧印加時に、このエッジ部ＥＧ２に平行に他の領域よりも暗い領域（ドメインラインＤＬ２）を生じることがある。
同様に、液晶ドメインＣが近接する画素電極のエッジの内エッジ部ＥＧ３は、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ３が液晶ドメインのチルト方向ｔ３と９０°超の角をなし、この領域に配向乱れが発生する。その結果、液晶ドメインＣは、電圧印加時に、このエッジ部ＥＧ３に平行に他の領域よりも暗い領域（ドメインラインＤＬ３）を生じることがある。
同様に、液晶ドメインＤが近接する画素電極のエッジの内エッジ部ＥＧ４は、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ４が液晶ドメインのチルト方向ｔ４と９０°超の角をなし、この領域に配向乱れが発生する。その結果、液晶ドメインＤは、電圧印加時に、このエッジ部ＥＧ４に平行に他の領域よりも暗い領域（ドメインラインＤＬ４）を生じることがある。
表示面における水平方向の方位角（３時方向）を０°とすると、チルト方向ｔ１は約２２５°（液晶ドメインＡ）、ｔ２は約３１５°（液晶ドメインＢ）、ｔ３は約４５°（液晶ドメインＣ）、ｔ４は約１３５°方向（液晶ドメインＤ）であって、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤは、それぞれのチルト方向が、隣接する液晶ドメイン間で約９０°異なるように配置されている。液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのチルト方向ｔ１、ｔ２、ｔ３およびｔ４のそれぞれが、近接するエッジ部ＥＧ１、ＥＧ２、ＥＧ３およびＥＧ４に生成される斜め電界による配向規制力の方位角成分ｅ１、ｅ２、ｅ３およびｅ４となす角は、いずれも約１３５°である。
このようにエッジ部ＥＧ１、ＥＧ２、ＥＧ３およびＥＧ４に平行に画素領域１０内に形成される暗い領域（ドメインラインＤＬ１〜４）は、後述するように視野角特性を低下させるので、エッジ部ＥＧ１、ＥＧ２、ＥＧ３およびＥＧ４の少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部を設けることにより、視野角特性の低下を抑制することが出来る。
ここで、「エッジ部を遮光する」とは、エッジ部ＥＧ１、ＥＧ２、ＥＧ３およびＥＧ４だけでなく、エッジ部の近傍の画素領域内に形成される暗い領域（ドメインラインＤＬ１〜４）を遮光することを意味する。ドメインラインが形成される位置（画素電極のエッジ部からの距離は、画素電極の大きさなどに依存するが、典型的には、画素電極のエッジ部から１０μｍから２０μｍ程度の範囲までを遮光するように遮光部を配置すればよい。また、「ある領域を選択的に遮光する遮光部」とは、もっぱら当該領域だけを遮光するために設けられた遮光部であることを意味する。但し、ある領域を選択的に遮光する遮光部が他の遮光部と分離独立して形成される必要は無い。なお、視野角特性の低下を抑制するという観点からは、ドメインラインの全てを遮光するように遮光部を設けることが好ましいが、遮光部を設けると光の利用効率（画素の有効開口率）が低下する。エッジ部（その近傍に形成されるドメインラインを含む）の少なくとも一部を遮光する遮光部を設ければ、少なくともその分だけ視野角特性の低下を抑制できるので、液晶表示装置に要求される特性に応じて、光の利用効率とのバランスを考慮して、遮光する部分を設定すれば良い。
なお、典型的には、エッジ部およびエッジ部の近傍の画素領域内に形成されるドメインラインを遮光するように遮光部が設けられるが、画素開口率と視野角特性とのバランスを考慮して、画素開口率を優先する場合には、遮光部の面積を小さくするために、エッジ部は遮光せず、ドメインラインの全部または一部だけを遮光する構成としてもよい。以下では、エッジ部およびドメインラインの全部を遮光する実施形態を主に例示するが、いずれの実施形態においても、少なくともドメインラインの一部を選択的に遮光する遮光部を設けることによって、視野角特性を向上させることができる。
上述した４つの液晶ドメインＡ〜Ｄに配向分割する方法（液晶ドメインの画素領域内の配置）は図１の例に限られない。図２〜図５を参照しながら、配向分割方法（液晶ドメインの配置）を説明する。
図２（ａ）は図１に示した画素領域１０の分割方法を説明するための図である。ＴＦＴ側基板（下側基板）の配向膜のプレチルト方向ＰＡ１およびＰＡ２、カラーフィルタ（ＣＦ）基板（上側基板）の配向膜のプレチルト方向ＰＢ１およびＰＢ２と、液晶層に電圧を印加したときのチルト方向および配向乱れによって暗く見える領域（ドメインライン）ＤＬ１〜ＤＬ４を示している。この領域はいわゆるディスクリネーションラインではない。これらの図は、観察者側から見たときの液晶分子の配向方向を模式的に示しており、円柱状に示した液晶分子の端部（楕円形部分）が描かれている方が観察者に近づくように、液晶分子がチルトしていることを示している。
図２（ａ）に示すように配向処理を行うことによって画素領域１０を形成することが出来る。ＴＦＴ基板側の画素領域を２つに分割し、垂直配向膜に反平行なプレチルト方向ＰＡ１およびＰＡ２を付与するように配向処理する。ここでは、矢印で示した方向から紫外線を斜め照射することによって光配向処理を行う。ＣＦ基板側の画素領域を２つに分割し、垂直配向膜に反平行なプレチルト方向ＰＢ１およびＰＢ２を付与するように配向処理する。これらの基板を貼り合せることによって、画素領域１０の配向分割構造を得ることができる。なお、光配向処理における光照射の方向は上記の例に限られず、例えばＣＦ基板側を縦方向（列方向）に傾斜した方向から照射し、ＴＦＴ基板側を横方向（行方向）に傾斜した方向から照射しても良い。
図１を参照しながら説明したように、液晶ドメインＡにはエッジ部ＥＧ１に平行にドメインラインＤＬ１が生じ、液晶ドメインＢにはエッジ部ＥＧ２に平行にドメインラインＤＬ２が形成され、液晶ドメインＣにはエッジ部ＥＧ３に平行にドメインラインＤＬ３が形成され、液晶ドメインＤにはエッジ部ＥＧ４に平行にドメインラインＤＬ４が形成される。４つのドメインラインＤＬ１〜ＤＬ４の長さの合計は、画素電極のエッジの全長の約２分の１になる。エッジ部ＥＧ１（ドメインラインＤＬ１）およびエッジ部ＥＧ３（ドメインラインＤＬ３）は垂直方向に平行であって、エッジ部ＥＧ２（ドメインラインＤＬ２）およびエッジ部ＥＧ４（ドメインラインＤＬ４）は水平方向に平行である。
また、図２（ａ）に示されているように、液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に、破線ＣＬ１で示す位置に暗いラインが観察される。後に示すように、画素領域の中央部に形成される十字状の暗いラインは必ずしも配向不良では無く、積極的に遮光する必要は無いが、画素領域内に遮光性の部材を配置する必要がある場合には、この暗いラインに重なるように配置すると、画素の有効開口率（光の利用効率）を向上させることができる。
また、図２（ｂ）に示すように配向処理したＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合せることによって、画素領域２０の配向分割構造を得ることができる。この画素領域２０も４つの液晶ドメインＡ〜Ｄを有する。液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれのチルト方向は、図１に示した画素領域１０の液晶ドメインと同じである。
液晶ドメインＡにはエッジ部ＥＧ１に平行にドメインラインＤＬ１が生じ、液晶ドメインＢにはエッジ部ＥＧ２に平行にドメインラインＤＬ２が形成され、液晶ドメインＣにはエッジ部ＥＧ３に平行にドメインラインＤＬ３が形成され、液晶ドメインＤにはエッジ部ＥＧ４に平行にドメインラインＤＬ４が形成される。４つのドメインラインＤＬ１〜ＤＬ４の長さの合計は、画素電極のエッジの全長の約２分の１になる。エッジ部ＥＧ１（ドメインラインＤＬ１）およびエッジ部ＥＧ３（ドメインラインＤＬ３）は水平方向に平行であって、エッジ部ＥＧ２（ドメインラインＤＬ２）およびエッジ部ＥＧ４（ドメインラインＤＬ４）は垂直方向に平行である。また、図２（ｂ）に示されているように、液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線ＣＬ１で示す位置に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。
また、図３（ａ）に示すように配向処理したＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合せることによって、画素領域３０の配向分割構造を得ることができる。この画素領域３０も４つの液晶ドメインＡ〜Ｄを有する。液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれのチルト方向は、図１に示した画素領域１０の液晶ドメインと同じである。
液晶ドメインＡおよびＣは、これらのチルト方向ｔ１およびｔ３が画素電極のエッジ部の方に向いていないため、これらの液晶ドメインにはドメインラインは形成されない。一方、液晶ドメインＢおよびＤは、これらのチルト方向ｔ２およびｔ４が、画素電極のエッジ部の方に向いており、且つ、エッジ部に直交し、画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角をなすので、ドメインラインＤＬ２およびＤＬ４を生成する。ドメインラインＤＬ２およびＤＬ４は、それぞれ、水平方向に平行な部分（Ｈ）と垂直方向に平行な部分（Ｖ）を含む。すなわち、チルト方向ｔ２およびｔ４は、水平なエッジに対しても、垂直なエッジに対しても、エッジ部に直交し画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角を形成するので、両方向にドメインラインを生じるのである。また、図３（ａ）に示されているように、液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線ＣＬ１で示す位置に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。
また、図３（ｂ）に示すように配向処理したＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合せることによって、画素領域４０の配向分割構造を得ることができる。この画素領域４０も４つの液晶ドメインＡ〜Ｄを有する。液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれのチルト方向は、図１に示した画素領域１０の液晶ドメインと同じである。
液晶ドメインＡおよびＣでは、これらのチルト方向ｔ１およびｔ３は、画素電極のエッジ部の方に向いており、且つ、エッジ部に直交し、画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角をなすので、ドメインラインＤＬ１およびＤＬ３を生成する。ドメインラインＤＬ１およびＤＬ３は、それぞれ、水平方向に平行な部分ＤＬ１（Ｈ）、ＤＬ３（Ｈ）と垂直方向に平行な部分ＤＬ１（Ｖ）、ＤＬ３（Ｖ）を含む。チルト方向ｔ１およびｔ３は、画素電極の水平なエッジに対しても、垂直なエッジに対しても、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角を形成するので、両方向にドメインラインを生じるのである。一方、液晶ドメインＢおよびＤは、これらのチルト方向ｔ２およびｔ４が、画素電極のエッジ部の方に向いていないため、これらの液晶ドメインにはドメインラインは形成されない。また、図３（ｂ）に示されているように、液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線ＣＬ１で示す位置に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。
また、図４（ａ）に示すように配向処理したＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合せることによって、画素領域５０の配向分割構造を得ることができる。この画素領域５０も４つの液晶ドメインＡ〜Ｄを有する。液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれのチルト方向は、図１に示した画素領域１０の液晶ドメインと同じである。
液晶ドメインＡ〜Ｄは、これらのチルト方向ｔ１〜ｔ４のすべてが、画素電極のエッジ部の方に向いており、且つ、エッジ部に直交し、画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角をなすので、ドメインラインＤＬ１〜ＤＬ４を生成する。ドメインラインＤＬ１〜ＤＬ４は、それぞれ、水平方向に平行な部分ＤＬ１（Ｈ）、ＤＬ２（Ｈ）、ＤＬ３（Ｈ）、ＤＬ４（Ｈ）と垂直方向に平行な部分ＤＬ１（Ｖ）、ＤＬ２（Ｖ）、ＤＬ３（Ｖ）、ＤＬ４（Ｖ）を含む。チルト方向ｔ１〜ｔ４はいずれも画素電極の水平なエッジに対しても、垂直なエッジに対しても、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角を形成するので、両方向にドメインラインを生じるのである。また、図４（ａ）に示されているように、液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線ＣＬ１で示す位置に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。
なお、図４（ｂ）に示すように配向処理したＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合せることによって、画素領域６０の配向分割構造を得ることができる。この画素領域６０も４つの液晶ドメインＡ〜Ｄを有する。液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれのチルト方向は、図１に示した画素領域１０の液晶ドメインと同じである。
液晶ドメインＡ〜Ｄは、これらのチルト方向ｔ１〜ｔ４のすべてが、画素電極のエッジ部の方に向いていないので、ドメインラインは形成されない。一方、液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線ＣＬ１で示す位置に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。
上記の４分割構造は、４つの液晶ドメインを２行２列のマトリクス状に配列した例であったがこれに限られず、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、所定の方向に一列に配列してもよい。ここでは列方向に一列に配列した例を示している。
図５（ａ）に示す画素領域７０も、４つの液晶ドメインＡ〜Ｄを有する。液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれのチルト方向は、図１に示した画素領域１０の液晶ドメインと同じである。液晶ドメインＡ〜Ｄは、これらのチルト方向ｔ１〜ｔ４が、画素電極のエッジ部の方に向いており、且つ、エッジ部に直交し、画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角をなすので、ドメインラインＤＬ１〜ＤＬ４を生成する。ドメインラインＤＬ１〜ＤＬ４はいずれも垂直方向（すなわち、液晶ドメインの配列方向）に平行である。また、液晶ドメインＡ〜Ｄのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に水平方向（すなわち液晶ドメインの配列方向に直交する方向に）に形成される。
また、図５（ｂ）に示す画素領域８０は、４つの液晶ドメインＡ’〜Ｄ’のそれぞれのチルト方向は図示したように、９０°、１８０°、０°、２７０°であって、液晶ドメインＡ’およびＤ’のドメインラインＤＬ１’およびＤＬ４’は水平方向に平行であり、ドメインラインＤＬ２’およびドメインラインＤＬ３’は垂直方向に平行である。また、液晶ドメインＡ’〜Ｄ’のそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に水平方向（すなわち液晶ドメインの配列方向に直交する方向に）に形成される。なお、このようにチルト方向を設定した場合は、偏光板の透過軸は、水平方向に対して±４５°方向に配置することが好ましい。
次に、図６〜９を参照して、画素電極のエッジ部の近傍のドメインラインおよび画素領域の中央の暗いライン（例えば図２中の十字）が形成される現象を説明する。図６〜９は、液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層３中に形成される電界の等電位線、液晶分子３ａの配向方向および相対透過率（正面）をシミュレーションで求めた結果を示している。
この液晶表示装置は、透明基板（例えばガラス基板）１ａと透明基板１ａ上に形成された画素電極１１を備えるＴＦＴ基板１と、透明基板（例えばガラス基板）２ａと透明基板２ａ上に形成された対向電極１２を備えるＣＦ基板２と、ＴＦＴ基板１とＣＦ基板２との間に設けられた垂直配向型液晶層３とを有している。ＴＦＴ基板１およびＣＦ基板２の液晶層３側の表面には垂直配向膜（不図示）が設けられており、それぞれ図中に矢印、矢先および矢尻の記号で示すようにプレチルト方向を規制するように配向処理されている。
まず、図６を参照する。図６は、例えば図２（ｂ）の液晶ドメインＤのドメインラインＤＬ４が形成されるエッジ部を含む左側半分の方位角が０°の線に沿った断面図に対応する。図６に示した画素電極１１のエッジ部において、液晶ドメインの中央付近（層面内および厚さ方向における中央付近）の液晶分子３ａ（チルト方向１３５°）が、画素電極１１のエッジ部に生成される斜め電界による配向規制力（方位角方向が０°）によって、画素電極のエッジ部に近づくにつれて捩れている様子が分かる。この捩れ角はここでは１３５°であり、９０°を超えているので、この捩れの領域における液晶層のリタデーション変化に起因して、図示したように相対透過率が複雑に変化し、画素領域内に（画素電極のエッジよりも内側に）相対透過率が極小値をとるドメインラインが形成される。図６中の点線で囲んだ領域に見られる透過率が極小値をとる部分が、例えば、図２（ｂ）中の液晶ドメインＤ中のドメインラインＤＬ４に対応する。
これに対し、図７に示すようにドメインラインが形成されない画素電極エッジ部における液晶分子の捩れ角（液晶ドメインの中央付近の液晶分子と画素電極１１のエッジ部に生成される斜め電界によって配向規制された液晶分子のチルト方向の差）は９０°以下であり、画素領域の中央部から端部に向かうにつれて相対透過率は単調に減少し、画素領域内で相対透過率が極小値をとることなく画素領域外で極小となる（図７の左端）。図７は、例えば図２（ｂ）の液晶ドメインＤのドメインラインＤＬ４が形成されないエッジ部を含む下側半分の方位角が９０°の線に沿った断面図に対応する。
また、図８および図９に示すように、画素領域内で液晶ドメインが隣接する境界領域においても液晶分子の捩れ角は９０°以下なので、相対透過率の変化は単純で、一つの極小値をとる。図８は、例えば、図２（ｂ）における液晶ドメインＤとＡとの境界領域の方位角が０°の線に沿った断面図に対応し、図９は、例えば、図４（ｂ）における液晶ドメインＢとＡとの境界領域の方位角が０°の線に沿った断面図に対応する。
図１０に、画素領域１０を方位角４５°方向から観察したときの透過強度の分布を示す。図１０に示す４つの透過強度分布を示すグラフは、それぞれ、図中Ｉ〜ＩＶで示した線に沿った透過強度分布を示している。また、それぞれのグラフにおいて、極角が０°（正面）、４５°、６０°の３つの視角方向における結果を示している。
グラフＩの左端、グラフＩＩの右端、グラフＩＩＩの右端、グラフＩＶの左端に現れるドメインラインでは、極角によって、透過強度の振る舞いが大きく異なっていることがわかる（特にグラフＩＩＩにおいて顕著）。すなわち、透過強度が最小となる位置が極角によって異なっており、例えば、正面（極角０°）で極小になっているにも関わらず、極角４５°や６０°においては極大になっている。このように、極角によって透過強度が異なると、視角特性が低下する。特に、「白浮き」と呼ばれるγ特性の視角依存性が低下する。
上述した画素電極のエッジ部に形成されるドメインラインの少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部を設けることによって、視角特性の低下を抑制することができる。また、このエッジ部に形成されるドメインラインは、液晶層の中央付近の液晶分子のチルト方向が電極エッジに対して上述の配置関係にある場合に生成されるので、配向分割構造を有しない、通常の画素領域においても生成され得る。従って、画素電極のエッジ部に形成されるドメインラインに起因する視角特性の低下を抑制するためには、配向分割構造の有無に関わらず、ドメインラインの少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部を設けることが好ましい。
一方、画素領域の中央部に形成される暗いライン（たとえば十字状のラインＣＬ１）は必ずしも配向不良では無く、積極的に遮光する必要は無いが、画素領域内に遮光性の部材を配置する必要がある場合には、この暗いラインに重なるように配置すると、画素の有効開口率（光の利用効率）を向上させることができる。
以下に、遮光部の好ましい形態を具体的に説明する。以下に説明する遮光部は、それぞれ単独で、また、他の遮光部と組み合わせて用いることができる。
ＴＦＴ型液晶表示装置は、遮光性部材を備えている。例えば、ＴＦＴ基板は、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線および補助容量配線（以下、「ＣＳバスライン」という。）を有している。また、ＣＦ基板は、画素領域に対応して設けられるカラーフィルタの周辺を遮光するためのブラックマトリクスを有している。これらの遮光部材を用いて、上述したドメインラインの少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部を形成すればよい。また、画素領域内に配置する遮光部材による光の利用効率の低減を抑制するために、隣接する液晶ドメイン間に形成される暗い領域に遮光部材を配置することが好ましい。
以下に、本発明による液晶表示装置の画素構造の例を示す。以下の図においては、実質的に同じ機能を有する部材は同じ参照符号で示し、重複する説明を省略する。また、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素の内、ｍ行ｎ列目の画素の構造を説明する。なお、行はゲートバスライン（走査線）に沿った画素の配列に対応し、列はソースバスライン（信号線）に沿った画素の配列に対応する。典型的には、行は表示面の水平方向であり、列は表示面の垂直方向である。
例えば、図１１に示すように、ソースバスライン１１４、ＣＳバスライン１１３、ドレイン引出し配線１１７、ゲートバスライン１１２の少なくとも一部を用いて遮光部を構成することができる。以下、ｍ本目のゲートバスライン１１２をゲートバスライン１１２（ｍ）と表記し、ｎ本目のソースバスライン１１４をソースバスライン１１４（ｎ）と表記することにする。
図１１に示した画素領域は、特開２００４-６２１４６号公報に記載されている画素分割構造の１つの副画素を示している。以下では、上下の２つの副画素領域の内、副画素電極１１１ａを備える上側の副画素領域の構造を主に説明する。
副画素電極１１１ａは、ＴＦＴ１１６ａのドレイン電極１１６Ｄに接続されており、樹脂層からなる層間絶縁膜（不図示）を介して、ソースバスライン１１４、ゲートバスライン１１２およびＣＳバスライン１１３と一部が重なるように、配置されている。また、副画素電極１１１ａの中央部には、ドレイン引出し配線１１７の延設部１１７ＥとＣＳバスライン１１３の延設部１１３Ｅとこれらの間の絶縁層（例えばゲート絶縁層）によって構成される補助容量（ＣＳ）が形成されている。
ここに例示する画素分割構造の特徴は、以下の点にある。
従来の画素電極が２つの副画素電極に分割されており、それぞれの副画素電極は、対応するＴＦＴ１１６ａおよび１１６ｂ（合計２つのＴＦＴ）を介して共通のソースバスライン１１４に接続されている。２つのＴＦＴ１１６ａおよび１１６ｂは共通のゲートバスライン１１２でＯＮ／ＯＦＦ制御される。２つのＴＦＴ１１６ａおよび１１６ｂは、半導体層１１６ｍ、ソース電極１１６Ｓ、ゲート電極（ゲートバスライン１１２）を共有しており、各ＴＦＴのドレイン電極１１６Ｄはそれぞれ対応する副画素電極に電気的に接続されている。ＴＦＴ１１６ａのドレイン電極１１６Ｄと副画素電極１１１ａとの電気的な接続は、ドレイン電極１１６Ｄから延設されているドレイン引出し配線１１７と副画素電極１１１ａとを層間絶縁膜（図１１中不図示、例えば図１５の参照符号１１８ａ参照）に形成されたコンタクトホール１１９内で接続することによって行われる。
各副画素電極（上側副画素電極１１１ａ、下側副画素電極は省略）は、液晶層と、液晶層を介してこれらに対向する対向電極（共通電極）とで液晶容量を構成している。各副画素領域に対応する液晶容量に電気的に並列にそれぞれ補助容量（ＣＳ）が形成されている。上側副画素についてみると、補助容量を構成する一方の電極（補助容量電極）は、副画素電極１１１ａと同じＴＦＴ１１６ａのドレイン１１６Ｄに接続されたドレイン引出し配線１１７の延設部１１７Ｅで構成され、他方の電極（補助容量対向電極）は、上側副画素に対して設けられたＣＳバスライン１１３の延設部１１３Ｅによって構成されている。下側副画素についても同様に、補助容量を構成する一方の電極（補助容量電極）は、下側の副画素電極（不図示）と同じＴＦＴ１１６ｂのドレイン（不図示）に接続されたドレイン引出し配線（不図示）の延設部（不図示）で構成され、他方の電極（補助容量対向電極）は、下側副画素に対して設けられたＣＳバスライン（不図示）の延設部（不図示）によって構成されている。
ＣＳバスライン１１３は、２つの副画素に対して、互いに電気的に独立に設けられている。一方の副画素に属する補助容量にＣＳバスライン１１３から供給される補助容量対向電圧が、例えば、ＴＦＴ１１６ａがオフにされた後上昇する場合、他方の副画素に属する補助容量にＣＳバスライン１１３から供給される補助容量対向電圧は、ＴＦＴ１１６ｂがオフにされた後下降する。このように、ＴＦＴがオフにされた後に各副画素に属する補助容量の補助容量対向電圧の変化を異ならせる（変化の大きさおよび変化の方向の少なくとも一方を異ならせる）ことによって、２つの副画素の液晶層に印加される実効電圧が異なり、それによって、２つの副画素は、ソースバスライン１１４から供給された表示信号電圧に対して、２つの異なる輝度（一方は高輝度、他方は低輝度）を呈し、γ特性の視角依存性を改善することができる。
ここに示した副画素領域は、先の画素領域１０と同様の配向分割構造を有し、副画素電極のエッジ部ＥＧ１〜ＥＧ４の近傍にドメインラインが形成されるとともに、副画素領域の中央に十字状の暗いラインが形成される。
エッジ部ＥＧ１およびＥＧ３の近傍に形成されているドメインラインの少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部は、ソースバスライン１１４をその長手方向（垂直方向）に交差する方向（副画素電極側）に屈曲し、屈曲した部分を用いて形成されている。ソースバスライン１１４の幅を部分的に太くしても良いが、浮遊容量が増大する場合があるので、屈曲させることが好ましい。
また、エッジ部ＥＧ２に形成されるドメインラインは、副画素電極１１１ａまたはゲートバスライン１１２の幅を部分的に大きくする（例えば、図１１中の副画素電極１１１ａの幅広部１１１Ｅを設ける）、あるいは、ゲートバスライン１１２をその長手方向（水平方向）に交差する方向に屈曲させることによって、副画素電極１１１ａのエッジ部とゲートバスライン１１２との重なり幅を大きくし、遮光する。
また、エッジ部ＥＧ４に形成されるドメインラインは、副画素電極１１１ａまたはＣＳバスライン１１３の幅を部分的に大きくする（例えば、図１１中のＣＳバスライン１１３の幅広部１１３Ａを設ける）、あるいは、ＣＳバスライン１１３をその長手方向（水平方向）に交差する方向に屈曲させることによって、副画素電極１１１ａのエッジ部とＣＳバスライン１１３との重なり幅を大きくし、遮光する。
液晶ドメインの境界領域に形成される暗い領域の少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部は、ＣＳバスライン１１３の延設部１１３ｅおよび１１３Ｅ、ならびに、ドレイン引出し配線１１７およびその延設部１１７Ｅによって形成されている。このように、画素内に設ける補助容量（ＣＳ）を遮光部として用いることにより、光の利用効率の余分な低下が抑制される。
さらに、図１２に示すように、ＣＳバスライン１１３の延設部１１３ｅおよび１１３Ｅで画素領域の中央に形成される十字の暗いラインを遮光するとともに、ＣＳバスライン１１３の延設部１１３Ｅ１および１１３Ｅ２をさらに設け、それぞれエッジ部ＥＧ１およびエッジ部ＥＧ２に形成されるドメインラインを遮光しても良い。
また、上述した副画素領域に、図３（ａ）に示したような画素領域３０と同様の配向分割構造を形成した場合には、例えば、図１３に示す構成を採用することが出来る。
エッジ部ＥＧ４の水平部分に形成されるドメインライン（図３（ａ）中のＤＬ４（Ｈ））は、副画素電極１１１ａの幅を部分的に大きくすることによって延設部１１１Ｅ１を形成し、ＣＳバスライン１１３と副画素電極１１１ａとの重なり幅を大きくして遮光する。エッジ部ＥＧ２の水平部分に形成されるドメインライン（図３（ａ）中のＤＬ２（Ｈ））は、副画素電極１１１ａの幅を部分的に大きくすることによって延設部１１１Ｅ２を形成し、ゲートバスライン１１２と副画素電極１１１ａとの重なり幅を大きくして遮光する。エッジ部ＥＧ２およびエッジ部ＥＧ４の垂直部分（図３（ａ）中のＤＬ２（Ｖ）およびＤＬ４（Ｖ））は、先の例と同様にソースバスライン１１４の屈曲部によって遮光する。
また、画素領域１０と同様の配向分割構造を有する場合、液晶ドメインの境界領域に形成される暗い領域を遮光する遮光部を、図１４に示すように、ドレイン引出し配線１１７の延設部１１７Ｅおよび１１７Ｅ’によって形成しても良い。なお、延設部１１７ＥはＣＳバスライン１１３と対向し、補助容量を形成している。
図１５に図１４中の１５Ａ−１５Ａ’線に沿った断面図を示すように、ドレイン引出し配線１１７はゲートバスライン１１２との間にゲート絶縁膜１１５を介しており、別層なので、ドレイン引出し配線１１７とゲートバスライン１１２との間のリークが発生しにくいという利点がある。ここでは、画素分割構造を有しない通常の画素を例示したが、画素分割構造に適用した場合、例えば図１４中の上側のゲートバスライン１１２に代わってＣＳバスライン１１３が配置されている場合にも、図示したようにドレイン引出し配線１１７の延設部１１７Ｅおよび１１７Ｅ’によって中央の十字のラインに対応する遮光部を形成してもよい。ＣＳバスライン１１３は、ゲートバスライン１１２と同じ導電層（典型的には金属層）で形成されるので、ドレイン引出し配線１１７とＣＳバスライン１１３との間のリーク不良は発生しにくい。すなわち、十字の遮光部を構成する垂直方向の遮光部を水平方向のエッジ部を遮光するための遮光部と別層で形成することが好ましい。このような構成を採用すると、特許文献１の図６０に記載されている構成よりもリーク不良の発生を抑制することができる。
図１５に示した画素構造においては、画素電極１１１とソースバスライン１１４との間に感光性樹脂などから形成される比較的厚い層間絶縁膜１１８ａが形成されている。従って、図１４に示したように画素電極１１１（または副画素電極１１１ａ）とソースバスライン１１４（およびゲートバスライン１１２）とを重ねても、画素電極１１１とソースバスライン１１４との間に形成される容量を十分に小さくできるので、画素電極１１１の電圧がこの容量を介してソースバスライン１１４の電圧（信号電圧）の影響を受けて変動することがない。すなわち、図１５に示した画素構造を採用することによって、画素電極１１１をソースバスライン１１４と重ねることによって、画素開口率を増大させることが可能となる。
また、図１６および図１７に示すように、ＣＳバスライン１１３の延設部１１３ｅによって、エッジ部に形成されるドメインラインおよび画素中央部に形成される十字の暗いラインを遮光してもよい。なお、例示した構成は、画素電極１１１とソースバスライン１１４との間に設けられる層間絶縁膜１１８ｂとしてＳｉＮxなどから形成される比較的薄い無機絶縁膜を用いている。この構成では、画素電極１１１の電圧がソースバスライン１１４の電圧（信号電圧）の影響を受けて変動することを抑制するために、画素電極１１１とバスライン１１４とは重ならないように配置されている。この構成は、画素開口率の観点からは不利であるが、層間絶縁膜１１８ｂとして比較的薄い無機絶縁膜を用いることが出来るので、製造プロセスを簡略化できるメリットがある。
さらに、図１８に示すように、ドレイン引出し配線１１７を延設することによって、エッジ部に形成されるドメインラインおよび画素中央部に形成される十字の暗いラインを遮光してもよい。上述したように、ドレイン引出し配線１１７は、ゲートバスライン１１２およびＣＳバスライン１１３とは別の層で形成されるので、これらとの間のリーク不良が発生しにくい。ここでは画素分割構造の副画素領域を例示したが、通常の画素領域についても同様に適用できる。
上記では、いずれもＴＦＴ基板に設けられた遮光部材を用いて遮光部を形成した例を示したが、必要に応じて、遮光部の一部または全部をＣＦ基板側に遮光部を設けても良い。例えば、図１９に示すように、垂直方向に平行なエッジ部に形成されるドメインラインを遮光する遮光部や、画素の中央部に形成される十字の暗いラインを遮光する遮光部など、比較的幅の広い遮光部はＣＦ基板のブラックマトリクス層１３２を用いて形成しても良い。ここでは、画素の中央部に形成される十字の暗いラインの横方向に延びる部分の全てをブラックマトリクス層１３２の延設部１３２Ｅで遮光した例を示しているが、その一部をブラックマトリクス層１３２で遮光し、他の部分をドレイン引出し配線１１７で遮光してもよいし、他の上述した遮光構造と適宜組み合わせることができる。
なお、上述した実施形態の液晶表示装置の製造プロセスにおいて、光配向処理のための光照射（典型的にはＵＶ照射）は、少なくとも上記遮光部を設ける基板に行うことが好ましい。上記遮光部は配向分割構造における配向乱れが生じる領域に設けられるので、配向分割構造を規定するための光照射を行った基板と反対側の基板に遮光部を設けると、基板を貼り合わせるときのアライメント誤差を考慮する必要が生じ、大きな遮光部を形成する必要が生じるので好ましくない。また、光照射は、基板上の凹凸の影響を受けない方向から行うことが好ましい。例えば、ＣＦ基板に光照射を行う場合には、列方向から光照射を行えば、行間に配置されているブラックマトリクスによって影となる領域が形成されない。
（交差領域）
図２０に示すように、上述したエッジ部に形成されるドメインラインと、隣接する液晶領域の境界領域とが交差する領域ＯＤは、特に、液晶分子の配向が不安定で、応答速度が遅いという問題があることを見出した。従って、動画表示特性を重視する用途などでは、この交差領域ＯＤにおいて液晶分子の配向が乱れる領域を遮光することが好ましい。
例えば、図２１に示すように、上述したエッジ部に形成されるドメインラインおよび隣接する液晶領域の境界領域を遮光するための遮光部から突き出た延設部ＴＲ１、ＴＲ２、ＴＲ３およびＴＲ４を設けることによって、交差領域ＯＤを遮光することが好ましい。延設部ＴＲ１およびＴＲ３はＣＳバスライン延設部１１３Ｅから、延設部ＴＲ２はゲートバスライン１１２から、延設部ＴＲ４はＣＳバスライン１１３から延設されている。もちろん、必要に応じて、交差領域ＯＤだけを選択的に遮光するようにしてもよい。ここでは、略三角形の延設部ＴＲ１〜ＴＲ４を例示したが、延設部の形状はこれに限られない。但し、光の利用効率（開口率）を必要以上に低下させないような形状が好ましく、例示した略三角形が好ましい。
（部分的な遮光）
上述した実施形態の液晶表示装置においては、ドメインラインが形成されるエッジ部のほぼ全てを遮光する遮光部を設けた例を示したが、これに限られない。視野角特性の低下を抑制するという観点からは、例示したように、ドメインラインの全てを遮光するように遮光部を設けることが好ましいが、遮光部を設けると光の利用効率（画素の有効開口率）が低下するので、視野角特性と光の利用効率とのバランスを考慮して、遮光するエッジ部の一部を遮光すれば良い。
特に、基板法線方向から見たときに画素電極とソースバスラインとが重ならない構成（例えば図１７の断面図参照）を採用すると、画素開口率が小さくなるので、画素開口率の観点からは、遮光する領域はできるだけ小さくすることが好ましい。図１５に例示したように、画素電極１１１とソースバスライン１１４との間に感光性樹脂などから形成される比較的厚い層間絶縁膜１１８ａを設けると、図１４、図１８、図１９および図２１に示したように画素電極１１１（または副画素電極１１１ａ）とソースバスライン１１４（およびゲートバスライン１１２）とを重ねても、画素電極１１１（または副画素電極１１１ａ）とソースバスライン１１４（およびゲートバスライン１１２）との間に形成される容量を十分に小さくできるので、画素電極１１１（または副画素電極１１１ａ）の電圧がこの容量を介してソースバスライン１１４の電圧（信号電圧）の影響を受けて変動することがない。従って、画素電極１１１（または副画素電極１１１ａ）をソースバスライン１１４（およびゲートバスライン１１２）と重ねることによって、画素開口率を増大させることが可能となる。
一方、図１７に断面図を示したように、画素電極１１１がソースバスライン１１４（およびゲートバスライン１１２）と重ならない構成を採用すると、層間絶縁膜１１８ｂとしてＳｉＮxなどから形成される比較的薄い無機絶縁膜を用いることが出来るので、製造プロセスを簡略化できるメリットがある。但し、このように画素電極１１１がソースバスライン１１４と重ならない構成を採用すると、画素開口率が小さくなるので、表示輝度の観点からは、遮光部を出来るだけ小さくすることが好ましい。
（副画素間のＤＣ電圧レベルの調整）
次に、図２２〜図２９を参照して、副画素間のＤＣ電圧レベルを調整するための好ましい実施形態を説明する。以下に例示する実施形態では、副画素領域ごとに図１に示した４分割構造を有する液晶表示装置を例示するが、これに限られず、ゲートバスラインと副画素電極のエッジ部とを重ねることによって、副画素電極の当該エッジ部の近傍（内側）に当該エッジ部に略平行に形成されるドメインライン（暗い領域）を遮光する構成を有する液晶表示装置に広く適用できる。例えば、先の図１１〜１４に示した副画素領域の構成に適用できる。
まず、副画素間のＤＣ電圧レベルを調整する必要性について説明する。
ＴＦＴ型液晶表示装置においては、ＴＦＴにおける寄生容量とＴＦＴのオンからオフへのスイッチング動作とによって画素電極の電圧に引込みが生じる。この引込み電圧（フィードスルー電圧）を補償するために、液晶層を介して画素電極に対向するように配置されている対向電極に、その引込み電圧に応じたオフセット電圧が印加される。この引込み電圧とオフセット電圧とが一致していない場合（引込み電圧とオフセット電圧との差は「対向ずれ」と称されることがある。）、液晶層に印加する電圧の極性を反転する毎に、液晶層に印加される実効電圧に差が生じ、フリッカーとして視認されることになる。
図２２に示す画素分割構造は、図１１に示した画素分割構造と同様に、上下の各副画素領域のそれぞれに、図１に示した４つの液晶ドメインが形成される。従って、各副画素領域には、副画素電極のエッジ部ＥＧ１〜ＥＧ４（図１参照）の近傍にドメインラインが形成されるとともに、副画素領域の中央に十字状の暗いラインが形成される。
エッジ部ＥＧ１およびＥＧ３（図１参照）の近傍に形成されているドメインラインを選択的に遮光する遮光部は、ソースバスライン１１４をその長手方向（垂直方向）に交差する方向（副画素電極側）に屈曲し、屈曲した部分を用いて形成されている。ソースバスライン１１４の幅を部分的に太くしても良いが、浮遊容量が増大する場合があるので、屈曲させることが好ましい。また、この部分は、対向基板（典型的にはカラーフィルタ基板）に設けられるブラックマトリクス（ＢＭ）１３２によっても遮光される。ＢＭ１３２の一部は、ＴＦＴ１１６ａ１および１１６ａ２の半導体層１１６ｍを遮光するように拡張されている。
エッジ部ＥＧ２（図１参照）に形成されるドメインラインは、ゲートバスライン１１２の幅を部分的に大きくすることによって、副画素電極１１１ａ１および１１１ａ２のエッジ部とゲートバスライン１１２との重なり幅を大きくし、遮光されている。また、エッジ部ＥＧ４（図１参照）に形成されるドメインラインは、補助容量配線（ＣＳバスライン）１１３の幅を部分的に大きくすることによって、副画素電極１１１ａ１および１１１ａ２のエッジ部と補助容量配線１１３との重なり幅を大きくし、遮光されている。
液晶ドメインの境界領域に形成される暗い領域を選択的に遮光する遮光部は、補助容量配線の延設部およびドレイン引出し配線の延設部によって形成されている。このような構成を採用することによって、補助容量（ＣＳ）を画素内に設けることによる光の利用効率の低下が抑制される。
図２２に示す画素分割構造のように、ゲートバスライン１１２と副画素電極１１１ａとを重ねた構成を有する液晶表示装置においては、副画素領域ごとに引込み電圧の大きさが異なることがある。すなわち、図２２からわかるように、副画素電極１１１ａ１（上側副画素領域に対応）とゲートバスラインとが重なる部分の面積と、副画素電極１１１ａ２（下側副画素領域に対応）とゲートバスライン１１２とが重なる部分の面積とが一致しないと、各副画素領域における引き込み電圧の大きさが異なる。引き込み電圧の大きさが副画素領域間で異なると、最適なオフセット電圧の大きさが副画素領域間で異なることになり、少なくとも何れか一方の副画素領域で対向ずれが生じることになる。なお、液晶層を介して副画素電極１１１ａ１および１１１ａ２に対向する対向電極（不図示）は典型的には表示領域全体に亘って共通の１枚の電極であり、大型の液晶表示装置において２以上の対向電極が設けられることがあるが、何れの場合も１つの画素領域に含まれる副画素電極は１つの対向電極と対向する。
図２３（ａ）に図２２中のＸ−Ｘ’線に沿った模式的な断面図を示し、図２３（ｂ）に図２２中のＹ−Ｙ’線に沿った模式的な断面図を示す。図２３（ａ）および（ｂ）中のハッチング部分ＣＧＤ１、ＣＧＤ２およびＣＧＤ３がゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄを形成する部分を模式的に示している。図２３（ａ）に示すように、このＴＦＴは、ゲート電極（ゲートバスラインから突出した部分）１１６Ｇ１とドレイン電極１１６Ｄ１とが、それらの間にゲート絶縁膜１１５および半導体層１１６ｍ（ｉ層）およびドレイン電極１１６Ｄ１の一部として機能する半導体層（ｎ＋層）を介して対向する部分を有している。また、図２３（ｂ）に示すように、ゲートバスライン１１２と副画素電極１１１ａ１および１１１１ａ２とがそれらの間に、ゲート絶縁膜１１５、パッシベーション膜１１８ａおよび層間絶縁膜１１８ｂを介して対向する部分ＣＧＤ２およびＣＧＤ３を有している。これらの部分ＣＧＤ２およびＣＧＤ３がＣｇｄを形成する。実際には、もちろん、電界が発生する領域に容量が形成されるので、図示した領域（基板面法線方向から射影した領域）よりも広い範囲に容量が形成される。
図２２に示した画素分割構造を有する画素の等価回路を図２４に示す。添え字１は上側の副画素領域に対応付けられる構成要素であり、添え字２は下側の副画素領域に対応付けられる構成要素を示す。ＬＣ容量は、副画素電極と対向電極とこれらの間の液晶層によって形成される液晶容量であり、ＣＳ容量は、ドレイン引出し配線の延設部と補助容量配線の延設部とこれらの間の絶縁層（ここではゲート絶縁層）によって構成される補助容量である。ＣｇｄＩはドレイン電極とゲート電極との重なりによって形成される成分（図２３（ａ）に示される成分）であり、ＣｇｄＩＩは副画素電極とゲート電極との重なりによって形成される成分（図２３（ｂ）に示される成分）である。上述した対向ずれの発生を防止するためには、ＣｇｄＩ＋ＣｇｄＩＩ（＝Ｃｇｄとする）が２つの副画素領域について等しくすれば良い。
図２５に、図２２の画素分割構造においてＣｇｄを形成する部分の拡大図を示す。図２５に示したように、上側副画素領域のＣｇｄ１を構成するＣｇｄＩ１および／またはＣｇｄＩＩ１の大きさを調節し、下側副画素領域のＣｇｄ２（＝ＣｇｄＩ２＋ＣｇｄＩＩ２）と等しくすれば良い。
ここで、例えば、ＣｇｄＩは図２３（ａ）のハッチング部に対応し、ＣｇｄＩＩは図２３（ｂ）のハッチング部に対応する容量成分であるとする。そうすると、図２５に示すように、ＣｇｄＩ１はドレイン電極１１６Ｄ１とゲート電極１１６Ｇ１との重なり面積ＳＡ（斜め電界の影響を受けるので、法線方向から射影した重なり面積よりも大きい）に比例し、ＣｇｄＩＩ１はゲートバスライン１１２と副画素電極１１１ａ１との重なり面積ＳＢに比例する。それぞれの比例定数は、容量を構成する一対の電極間に存在する誘電体層（ゲート絶縁膜など）の厚さ、比誘電率に依存する。同様に、ＣｇｄＩ２はドレイン電極１１６Ｄ２とゲート電極１１６Ｇ２との重なり面積ＳＣに比例し、ＣｇｄＩＩ２はゲートバスライン１１２と副画素電極１１１ａ２との重なり面積ＳＤに比例する。
図２５からわかるように、下側副画素電極１１１ａ２がゲートバスライン１１２と重なっている部分の面積（ハッチング部）は、上側副画素電極１１１ａ１がゲートバスライン１１２と重なっている部分の面積よりも大きい。これは、図１に示したエッジ部ＥＧ４に形成されるドメインラインＤＬ４を遮光するために下側副画素電極１１１ａ２がゲートバスライン１１２と重ねられているのに対し、図１に示したエッジ部ＥＧ２に形成されるドメインラインＤＬ２は、上側副画素電極１１１ａ１がゲートバスライン１１２と重なっている部分だけでなく、ブラックマトリクス（ＢＭ）によって遮光されているためである。
従って、ＣｇｄＩＩだけを比較すると、下側副画素領域に対応するＣｇｄＩＩ２の方が上側副画素領域に対応するＣｇｄＩＩ１よりも大きい（ＣｇｄＩＩ２＞ＣｇｄＩＩ１）。
図２２に示した画素分割構造においては、上側副画素領域に対応するＴＦＴ１１６ａ１のゲート電極１１６Ｇ１の幅Ｌ２を、下側副画素領域に対応するＴＦＴ１１６ａ２のゲート電極１１６Ｇ２の幅Ｌ３よりも広くすることによって、上側副画素領域に対応するＣｇｄＩ１を下側副画素領域に対応するＣｇｄＩ２よりも大きくし（ＣｇｄＩ１＞ＣｇｄＩ２）、ＣｇｄＩ１＋ＣｇｄＩＩ１とＣｇｄＩ２＋ＣｇｄＩＩ２とが概ね等しくなるように設定している。
例えば、ドレイン電極１１６Ｄ１の長さＬ１を約２５μｍ、ゲート電極１１６Ｇ１の長さ幅Ｌ２を約１７μｍ、ゲート電極１１６Ｇ２の幅Ｌ３を約１６μｍ、ドレイン電極１１１６Ｄ１、１１６Ｄ２の幅Ｌ４を約４μｍとすることによって、副画素電極１１１ａ１の広幅部（ゲートバスライン１１２との重なりが大きい部分）の幅Ｌ５＝副画素電極１１１ａ１の広幅部Ｌ８が約１０μｍ、副画素電極１１１ａ１の狭幅部（ゲートバスライン１１２との重なり幅が小さい部分）の幅Ｌ６＝副画素電極１１１ａ２の狭幅部Ｌ７が約３μｍで、副画素電極１１１ａ１の広幅部の長さＬ９が約６５μｍで、副画素電極１１１ａ２の広幅部の長さＬ１０が約８２μｍの遮光構造によるＣｇｄ１とＣｇｄ２との不均衡を相殺することができる。もちろん、これらは、Ｃｇｄを構成する誘電体である、ゲート絶縁膜１１５、パッシベーション膜１１８ａおよび層間絶縁膜１１８ｂの誘電率および厚さに依存する。また、層間絶縁膜１１８ｂが省略される構成にも適用できる。上述した例は、ゲート絶縁膜１１５およびパッシベーション膜１１８ａにＳｉＯ2膜（比誘電率：約７、合計厚さ：約４００ｎｍ〜約１０００ｎｍ）を用い、層間絶縁膜１１８ｂに感光性樹脂（比誘電率：約３〜４、厚さ：約２〜４μｍ）を用いた場合である。
ここで、Ｃｇｄ１とＣｇｄ２とをどの程度まで一致させればよいかは、液晶表示装置の画素領域の大きさ、液晶材料の比誘電率（液晶容量の大きさ）やさらには駆動周波数にも依存するが、引き込み電圧の差が１００ｍＶ以下であれば（すなわち、対向ずれ量が１００ｍＶ以下であれば）、フリッカーの発生を抑制・防止することができることを実験的に確かめている。
図２２に示した画素分割構造においては、副画素電極１１１ａ１および１１１ａ２のゲートバスライン１１２と重なる領域の面積が２つの副画素領域間で異なる場合に、２つの副画素領域に対応する２つのＴＦＴ１１６ａおよび１１１６ｂのゲート電極１１６Ｇ１および１１６Ｇ２の面積を異ならせて、Ｃｇｄ１とＣｇｄ２を略等しくなるようにしたが、この関係を満足させるためには、他の構成を採用しても良い。
例えば、図２６に示す画素分割構造においては、上側副画素領域に対応するＴＦＴのドレイン電極に拡張部を設けてＣｇｄ１を大きくすることによって、Ｃｇｄ１とＣｇｄ２を略等しくなるようにしている。
また、図２７に示す画素分割構造においては、副画素電極１１１ａ１に拡張部１１１ａ１Ｅを設けて、ゲートバスライン１１２と重なる副画素電極１１１ａ１の領域の面積を２つの副画素領域間で略等しくすることによって、Ｃｇｄ１とＣｇｄ２とを略等しくしている。
さらに、図２８に示す画素分割構造を採用することも出来る。図２８に示す画素分割構構造においては、上下２つの副画素領域に対応する２つのＴＦＴ１１６ａ１およびＴＦＴ１１６ａ２のそれぞれのドレインに接続されたドレイン引出し配線１１７−１、１１７−２が設けられている。上側副画素領域にはゲートバスライン１１２から分岐されたゲートバスライン延設部１１２Ｅ１が設けられており、このゲートバスライン延設部１１２Ｅ１は、絶縁層（典型的にはゲート絶縁膜）を間に介してＴＦＴ１１６ａ１に接続されたドレイン引出し配線１１７−１と対向する部分を含むように構成されている。ゲートバスライン延設部１１２Ｅ１がドレイン引出し配線１１７−１と対向する部分は容量（図２８中のＣｇｄ調整部ＣＧＤ−Ｒ１）を形成し、この容量は上側副画素領域のＴＦＴ１１６ａ１のＣｇｄ１の成分となる。図２８に示す画素分割構造においては、Ｃｇｄ調整部ＣＧＤ−Ｒ１の容量を調整することによって、Ｃｇｄ１とＣｇｄ２を略等しくなるようにしている。
図２８に示した画素分割構造においても、上下の各副画素領域のそれぞれに、図１に示した４つの液晶ドメインが形成される。従って、上述したように、第１〜第４エッジ部（図１中のＥＧ１〜ＥＧ４）に平行に形成される他の領域よりも暗い領域（図１中のドメインラインＤＬ１〜ＤＬ４）をそれぞれ選択的に遮光する第１〜第４遮光部を形成することが好ましい。また、副画素領域内に遮光性の部材を配置する必要がある場合には、第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域を選択的に遮光するように当該部材を配置し、中央遮光部を形成することが好ましい。
ここでは、上側副画素領域に設けられたゲートバスライン延設部１１２Ｅ１は、第３エッジ部（図１中のＥＧ３）を遮光する第３遮光部の少なくとも一部を構成している。また、上側副画素領域における第１エッジ部（図１中のＥＧ１）を遮光する第１遮光部の少なくとも一部はＣＳバスライン延設部１１３Ｅ１によって構成されている。また、下側副画素領域における第３遮光部の少なくとも一部はＣＳバスライン延設部１１３Ｅ２によって構成されており、第１遮光部の少なくとも一部はゲートバスライン１１２と同じ層から形成されたゲートメタル層島状遮光部１１６ＧＳＩによって構成されている。
また、上側副画素領域における第４エッジ部（図１中のＥＧ４）は、副画素電極１１１ａ１の幅を部分的に大きくする（ここでは上に凸）ことによって延設部を形成し、ＣＳバスライン１１３と副画素電極１１１ａ１との重なり幅を大きくして遮光している。また、副画素電極１１１ａ１の延設部を含む領域にドレイン引出し配線１１７−１の延設部を設け、補助容量ＣＳを形成すると共に、第４エッジ部の遮光にも寄与させている。一方、上側副画素領域における第２エッジ部（図１中のＥＧ２）は、副画素電極１１１ａ１の幅を部分的に大きくする（ここでは下に凸）ことによって延設部を形成し、ゲートバスライン１１２と副画素電極１１１ａ１との重なり幅を大きくして遮光する。また、第２エッジ部の近傍に配置されているドレイン引出し配線１１７−１の部分も第２エッジ部の遮光に寄与する。
下側副画素領域における第４エッジ部は、副画素電極１１１ａ２の幅を部分的に大きくする（ここでは上に凸）ことによって延設部を形成し、ゲートバスライン１１２と副画素電極１１１ａ２との重なり幅を大きくして遮光している。また、下側副画素領域における第２エッジ部は、副画素電極１１１ａ２の幅を部分的に大きくする（ここでは下に凸）ことによって延設部を形成し、ＣＳバスライン１１３と副画素電極１１１ａ２との重なり幅を大きくして遮光している。また、副画素電極１１１ａ２の延設部を含む領域にドレイン引出し配線１１７−２の延設部を形成し、補助容量ＣＳを形成すると共に、第４エッジ部の遮光にも寄与させている。
なお、図２８に示した画素分割構造においては、ドレイン引出し配線１１７−１とＣＳバスライン延設部１１２Ｅ１とを部分的に重ね、また、ドレイン引出し配線１１７−２とＣＳバスライン延設部１１３Ｅ２とを部分的に重ねた構成を採用している。ドレイン引出し配線１１７−１、１１７−２とＣＳバスライン延設部１１３Ｅ１、１１３Ｅ２と、これらの間の絶縁層（ここではゲート絶縁層）は、それぞれの画素領域の補助容量ＣＳの一部を構成している。それぞれの副画素電極１１１ａ１、１１１ａ２の延設部分に形成される補助容量ＣＳによって十分な容量値が得られるのであれば、ＣＳバスライン延設部１１３Ｅ１および１１３Ｅ２を用いて補助容量を形成する必要はない。
図２８には、上側副画素領域にのみＣｇｄ調整部ＣＧＤ−Ｒ１を形成した例を示したが、下側副画素領域にも同様にしてＣｇｄ調整部を形成しても良い。このとき、下側副画素領域に設けるゲートバスライン延設部が、遮光部としても機能するように設けることが好ましい。図２８に示した例では、上下の副画素領域がいずれも図１に示した画素分割構造を有するので、下側副画素領域にゲートバスライン延設部を設けて遮光すべきエッジ部が無いが、下側副画素領域が例えば、図２（ｂ）や図３（ｂ）に示した画素分割構造を有する場合には、ゲートバスライン延設部を設けることによって第２エッジ部（図２（ｂ）のＤＬ２）や第３エッジ部（図３（ｂ）のＤＬ３（Ｖ））を効果的に遮光することができる。このように、上下２つの副画素領域の両方にＣｇｄ調整部を設ける場合には、その面積を調整することによって、Ｃｇｄ１とＣｇｄ２とを略等しくすれば良い。
図２９に、上側副画素領域が図１に示した画素分割構造を有し、下側副画素領域が図３（ｂ）に示す画素分割構造を有する場合に、上側副画素領域にＣｇｄ調整部１を形成するとともに下側副画素領域にＣｇｄ調整部２を設けた画素構造の例を模式的に示す。
ここでは、上側副画素領域のＣｇｄ調整部ＣＧＤ−Ｒ１を下側副画素領域のＣｇｄ調整部ＣＧＤ−Ｒ２よりも大きくしている。これは、上側副画素電極１１１ａ１がゲートバスライン１１２と重なっている部分の面積が、下側副画素電極１１１ａ２がゲートバスライン１１２と重なっている部分の面積よりも小さいのを補償し、Ｃｇｄ１とＣｇｄ２とを略等しくするためである。
また、Ｃｇｄ調整部ＣＧＤ−Ｒ１およびＣＧＤ−Ｒ２はそれぞれ、ドレイン引出し配線１１７−１および１１７−２の右端部がゲートバスライン延設部１１２Ｅ１および１１２Ｅ２と重なっており、ドレイン引出し配線１１７−１および１１７−２のアライメントが左右にずれるとＣｇｄ調整部の容量値が変化する。一方、ＴＦＴ１１６ａ１および１１６ａ２のそれぞれにおいてＣｇｄ寄生容量を形成する部分は、ドレイン引出し配線１１７−１および１１７−２（ドレイン電極１１６Ｄ１および１１６Ｄ２）の左端部がゲート電極（ゲートバスラインから分岐した部分によって構成されている）１１６Ｇ１および１１６Ｇ２と重なるように構成されており、ドレイン引出し配線（ドレイン電極）１１７のアライメントが左右にずれるとＣｇｄ寄生容量の容量値が変化する。Ｃｇｄ調整部を構成するドレイン引出し配線１１７−１および１１７−２の端部（右端部）と、ＴＦＴ部のＣｇｄ寄生容量を構成するドレイン引出し配線１１７−１および１１７−２の端部（左端部）と、左右逆なので、ドレイン引出し配線（ドレイン電極）１１７−１および１１７−２のアライメントが左右のどちらかにずれると、一方の容量値は増大し、他方の容量値は減少する。従って、ドレイン引出し配線１１７−１および１１７−２の幅を左右の端部で略等しくしておくと、ドレイン引出し配線１１７−１および１１７−２のアライメントが左右にずれても、Ｃｇｄ容量の合計（ＴＦＴ部のＣｇｄ寄生容量＋Ｃｇｄ調整部）を一定にすることができるという利点が得られる。
上記の説明では、（１）ゲート電極の面積、（２）ドレイン電極の面積、（３）副画素電極がゲートバスラインと重なる面積、および（４）ドレイン引出し配線がゲートバスラインと重なる面積をそれぞれ個別に設定することによって、２つの副画素領域に対応して設けられる２つのＴＦＴのＣｇｄ１とＣｇｄ２とを略等しくした例を示したが、もちろん、これら（１）〜（４）の任意の２以上を組み合わせることによって、Ｃｇｄ１とＣｇｄ２とを略等しくしてもよい。
また、ここでは、副画素領域の面積（副画素電極の面積）を等しいとして説明したが、これに限られない。副画素領域の面積を例えば１：３などに変更した場合においても、２つのＴＦＴのドレイン−ゲート間容量Ｃｇｄが略等しくなるように設定すればよい。
本発明による液晶表示装置は、テレビジョン受像機などの高品位の表示が求められる用途に好適に用いられる。

Claims (12)

  1. 垂直配向型の液晶層と、
    前記液晶層を介して互いに対向する第１基板および第２基板と、
    前記液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有し、
    前記第１基板は、ＴＦＴ、ゲートバスライン、ソースバスライン、および補助容量配線を有し、
    画素領域は、それぞれが対応するＴＦＴを介して前記ソースバスラインから供給されるある信号電圧に対して、前記液晶層に互いに異なる電圧が印加される２つの副画素領域を含み、
    前記第１基板は、前記２つの副画素領域のそれぞれに対応して設けられた第１電極を有し、
    前記第２基板は、前記液晶層を介して前記第１電極と対向するように設けられた第２電極を有し、
    前記第１電極と、前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の前記液晶層とによって構成される液晶容量が副画素領域ごとに形成されている液晶表示装置であって、
    各副画素領域は、ある中間調を表示するときに、正面視において、前記第１電極のエッジ部よりも内側に前記エッジ部に略平行に当該中間調よりも暗い領域を形成する少なくとも１つの液晶ドメインを有し、
    前記第１電極の前記エッジ部の少なくとも一部は、前記暗い領域の少なくとも一部を選択的に遮光するように、前記ゲートバスラインと重なるように配置されており、
    前記２つの副画素領域に対応する２つのＴＦＴのドレイン−ゲート間容量Ｃｇｄが略等しい、液晶表示装置。
  2. 前記２つの副画素領域に対応する前記２つのＴＦＴのゲート電極の面積が互いに異なる、請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 前記２つの副画素領域に対応する前記２つのＴＦＴのドレイン電極の面積が互いに異なる、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
  4. 前記ゲートバスラインと重なる前記エッジ部を含む前記第１電極の領域の面積が、前記２つの副画素領域間で異なる、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
  5. 前記ゲートバスラインと重なる前記エッジ部を含む前記第１電極の領域の面積が、前記２つの副画素領域間で等しい、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
  6. 前記２つの副画素領域に対応する前記２つのＴＦＴのそれぞれのドレインに接続されたドレイン引出し配線と、
    前記ゲートバスラインから分岐されたゲートバスライン延設部と
    をさらに有し、
    前記ゲートバスライン延設部は、絶縁層を間に介して前記２つのＴＦＴの一方に接続されたドレイン引出し配線と対向する部分を含む、請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
  7. 前記２つの副画素領域のそれぞれは、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第１方向である第１液晶ドメインと、第２方向である第２液晶ドメインと、第３方向である第３液晶ドメインと、第４方向である第４液晶ドメインとを更に有し、前記第１方向、第２方向、第３方向および第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、
    前記第１液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、
    前記第２液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなす第２エッジ部を含み、
    前記第３液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなす第３エッジ部を含み、
    前記第４液晶ドメインは前記第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなす第４エッジ部を含み、
    前記第１基板または前記第２基板は遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記第１エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第１遮光部、前記第２エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第２遮光部、前記第３エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第３遮光部、および前記第４エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第４遮光部、および、前記第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部を含み、
    前記中央遮光部は前記ドレイン引出し配線の一部を含む、請求項６に記載の液晶表示装置。
  8. 表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は約２２５°、前記第２方向は約３１５°、前記第３方向は約４５°、前記第４方向は約１３５°方向であって、
    前記第１エッジ部および前記第３エッジ部は垂直方向に平行であって、前記第２エッジ部および前記第４エッジ部は水平方向に平行であり、
    前記２つの副画素領域の一方における前記第３遮光部は前記ゲートバスライン延設部の少なくとも一部を含む、請求項７に記載の液晶表示装置。
  9. 前記２つの副画素領域の前記一方における前記第１遮光部は前記補助容量配線の延設部の少なくとも一部を含む、請求項７または８に記載の液晶表示装置。
  10. 前記２つの副画素領域の他方における前記第３遮光部は前記補助容量配線の延設部の少なくとも一部を含む、請求項７から９のいずれかに記載の液晶表示装置。
  11. 前記２つの副画素領域の他方における前記第１遮光部は前記ゲートバスラインと同じ層から形成された島状遮光部の少なくとも一部を含む、請求項７から１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
  12. 前記２つの副画素領域の引込み電圧の差が１００ｍＶ以下である、請求項１から１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
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