JPH1184421A - アクティブマトリクス基板及びそれを用いた液晶パネル - Google Patents

アクティブマトリクス基板及びそれを用いた液晶パネル

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JPH1184421A
JPH1184421A JP24582297A JP24582297A JPH1184421A JP H1184421 A JPH1184421 A JP H1184421A JP 24582297 A JP24582297 A JP 24582297A JP 24582297 A JP24582297 A JP 24582297A JP H1184421 A JPH1184421 A JP H1184421A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal panel
line
active matrix
picture element
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JP24582297A
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English (en)
Inventor
Yoshihiro Izumi
良弘 和泉
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶パネルの大型化や高精細化に伴って増大
する断線による線欠陥不良と、絵素電極やスイッチング
素子の不良による点欠陥不良とを低減し、製造時の歩留
りの向上を図る。 【解決手段】 大画面の液晶パネルを構成するTFT基
板11において、ゲートバスライン18を梯子形状と
し、隣接するゲートバスライン18の主配線18a・1
8aと隣接するソースバスライン19・19とに囲まれ
る領域に絵素電極17を配設し、該主配線18aと該ソ
ースバスライン19の交差部A毎に、TFT13を配設
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、AV(Audio-Visua
l)機器やOA(Office Automation)機器の表示装置とし
て用いられる液晶パネル、及びその構成部材であるアク
ティブマトリクス基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】昨今の情報化時代への移行とともに、A
V機器用の例えばテレビや、OA機器用のモニター等に
用いられる表示装置に対し、高精細化および画面の大型
化が要求されている。このため、ブラウン管表示装置
(CRT: Cathode-Ray Tube) 、液晶表示装置(LC
D: Liquid Crystal Display ) 、プラズマ表示装置
(PDP: Plasma Display Panel)、EL(Electro Lum
inescent) 表示装置、LED(Light Emitting Diode)表
示装置等の表示装置においても大画面化の開発・実用化
が進められている。
【0003】なかでも液晶表示装置は、他の表示装置に
比べ、奥行き方向の寸法、すなわち、厚さを格段に薄く
できること、消費電力が小さいこと、フルカラー化が容
易であること等の利点を有しているため、近年において
は種々の分野で用いられつつあり、大画面化への期待も
大きい。ところがその反面、液晶表示装置は、大画面化
や高解像度化に伴って、表示装置の構成部材である液晶
パネルの製造工程において、ゲートバスライン(走査
線)やソースバスライン(信号線)の断線による線欠陥
や、絵素電極やスイッチング素子の不良による点欠陥等
による不良率が急激に高くなり、ひいては液晶表示装置
の価格上昇をもたらすといった問題点を有している。
【0004】そこで、これを解決するために、従来より
複数枚の液晶パネルをつなぎ合わせて1つの液晶パネル
としたり、或いは、液晶パネルを構成する一対の基板の
内の一方側を複数枚の分割基板を接続して形成したりし
て大画面化を図ることが行われている(前者の例として
特開平8−122769号公報を、後者の例として実開
昭60−191029号公報を挙げる)。但し、複数の
絵素電極を個々に設けられたスイッチング素子にて駆動
するアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルの場合
は、多数のスイッチング素子を備えて構造的に不良の発
生し易い、アクティブマトリクス基板側が分割されるこ
とが多い。
【0005】ところで、一般に、20型以上の大型の液
晶パネルでは、ノート型PC(Personal Computer)用等
の小型の液晶パネルに比べて、画素サイズが比較的大き
く、画素内の有効面積(開口面積)を広くとることが容
易にできるため、画素周辺部のブラックマトリクスを幅
広に設けることができる。
【0006】ブラックマトリクスとは、隣接する画素間
からの光漏れを防ぐために配設される遮光膜であり、ス
イッチング素子として例えばTFTを用いた場合は、T
FTへの外光照射を防ぐ機能も有している。
【0007】図11に、つなぎ合わせ方式の液晶パネル
(アクティブマトリクス型)におけるカラーフィルタ基
板の平面図を示す。図中、上記のブラックマトリクス3
3を斜線を付して示す。ブラックマトリクス33は、赤
色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色材膜32R・
32G・32Bの周囲に設けられている。各色材膜32
(任意の色)とブラックマトリクス33とから、カラー
フィルタが構成されている。
【0008】また、図中、二点鎖線にて囲む領域が、カ
ラー表示を行う上で1画素単位となる1表示画素31で
ある。1表示画素31内には、RGBの色材膜32R・
32G・32Bが、後述するTFT基板側の絵素電極3
7(図12参照)の形状に合わせて配設されている。
【0009】図11にも明らかなように、隣接する1表
示画素31・31間の隣接する色材膜32・32間は、
同一の表示画素31内に配設された隣接する色材膜32
・32間より大きく形成され、その部分を埋めるブラッ
クマトリクス33も幅広に形成されている。これは、液
晶パネル同士を連結したつなぎ目部分の画素ピッチを他
の部分の画素ピッチと揃えるためである。このように幅
広に形成しても、画素サイズが大きく、有効面積を広く
確保できるので、開口率に問題はない。
【0010】図12に、上記のカラーフィルタ基板に対
向配置されるTFT基板の平面図を示す。TFT基板
も、ガラス等の支持基板を有しており、該支持基板上
に、複数のゲートバスライン(走査線)34と複数のソ
ースバスライン(信号線)35とが、ゲート絶縁膜(図
示せず)を介して互いに交差するようにマトリクス状に
配設されている。
【0011】ここでは、RGBの3色に合わせて、1表
示画素31内に3本のソースバスライン35が配設され
ており、ゲートバスライン34とソースバスライン35
との交差部A毎に、矩形の絵素電極37と該絵素電極3
7の駆動を制御するスイッチング素子としてのTFT
(Thin Film Transistor) 36とが配設されている。T
FT36は、ゲートバスライン34よりゲート信号(走
査電圧)が供給されON/OFFが制御され、ON状態
のとき、ソースバスライン35より供給されるデータ信
号(信号電圧)の絵素電極37への印加をスイッチング
するものである。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た複数枚の液晶パネルをつなぎ合わせる方式や、一方側
の基板をつなぎ合わせる方式を採用しても、つなぎ合わ
せ前の個々の液晶パネルやアクティブマトリクス基板に
おける、ゲートバスラインやソースバスラインの断線に
よる線欠陥や、絵素電極やスイッチング素子の不良によ
る点欠陥等の不良率が、依然として高い。
【0013】例えば、2枚の液晶パネルをつなぎ合わせ
て対角40型の液晶パネルを構成する場合、つなぎ合わ
される液晶パネルとしては、対角29型程度のサイズが
必要となるが、対角29型の液晶パネルでは、製造工程
においての線欠陥や点欠陥等による大画面であるが故の
不良発生が問題となっている。
【0014】特に、上述の複数枚の液晶パネルを、ゲー
トバスラインの延びる方向に並設してつなぎ合わせる方
式では、ゲートバスラインの入力側の反対側が液晶パネ
ル同士の接続部となる。したがって、ゲートバスライン
を片側入力とせざるを得ず、ゲートバスライン上で一か
所でも断線が生じると、線欠陥不良となる。ちなみに、
ゲートバスラインの両側から同時入力可能な液晶パネル
では、ゲートバスライン上の1箇所に断線が発生したと
しても、両側から信号を入力することで線欠陥不良には
ならない。
【0015】また、一方で、スイッチング素子である上
記したTFT36や絵素電極37が正常に作動せず、絵
素電極37が駆動しないで起こる点欠陥不良の対策とし
て、1つの絵素を複数絵素に分割する、いわゆる絵素分
割方式の冗長配線が広く知られている。例えば、『フラ
ットパネルディスプレイ91(日経BP社)』pp.1
05〜108に、その原理が記載されている。
【0016】図13に、従来の絵素分割方式による冗長
設計の配線図を示す。ゲートバスライン34とソースバ
スライン35との交差部に、TFT36a・36bが配
設されており、2つのTFT36a・36bにて隣接す
る2つの絵素電極37a・37bが駆動される(図中
は、画素容量として記載)。これら2つの絵素電極37
a・37bは、共通のゲートバスライン34とソースバ
スライン35とに接続されているため、同一駆動され
る。
【0017】したがって、絵素電極37a・37bと対
を成すカラーフィルタの色材膜として、同じ色材膜を配
置することで、たとえ一方のTFT36aに不良等が生
じ、不良TFT36aに接続された絵素電極37aが駆
動しなくとも、その絵素電極37aに隣接する同色のも
う一方の絵素電極37bがTFT36bにて正常に駆動
されるため、点欠陥としては目立たない。
【0018】しかしながら、このような従来の絵素分割
方式の冗長設計では、点欠陥不良に対する冗長性として
は有効なものの、ゲートバスライン34の断線により線
欠陥不良に対しては効果がない。
【0019】本発明は、上記課題に鑑み成されたもの
で、第1の目的は、つなぎ合わせ前の個々のアクティブ
マトリクス基板で生じるゲートバスラインの断線による
線欠陥不良を効果的に低減できる冗長設計を有するアク
ティブマトリクス基板を提供することであり、第2の目
的は、ゲートバスラインの断線による線欠陥不良の低減
と共に、絵素電極やスイッチング素子の不良による点欠
陥不良も効果的に低減できる冗長設計を有するアクティ
ブマトリクス基板を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
アクティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するた
めに、大画面液晶パネルを構成するもので、隣接する絵
素電極の間が、大画面に対応して幅広に形成され、この
絵素電極の間に、互いに平行をなす走査線と信号線とが
マトリクス状に配置されると共に、該マトリクスの交差
部毎に、上記走査線に印加される走査電圧によりON/
OFFして対応する絵素電極への上記信号線を介しての
信号電圧の印加をスイッチングするスイッチング素子が
配設されてなるアクティブマトリクス基板において、上
記走査線が、幅広に設けられた絵素電極の間にて、複数
の経路をとり得るように分岐して形成されていることを
特徴としている。
【0021】大画面液晶パネルの場合、前述したよう
に、画素サイズが大きいため、隣接する絵素電極の間を
広くできる。そこで、この点に着目し、幅広の絵素電極
の間において、走査線を複数の経路をとり得るように分
岐し形成している。したがって、開口率を何ら低下させ
ることなく、走査線の冗長性を高くして、走査線の断線
による線欠陥不良の発生率を大幅に低減できる。複数の
経路をとり得る分岐した配線仕様としては、具体的に
は、請求項2記載のように、梯子形状に形成すればよ
い。
【0022】本発明の請求項3記載のアクティブマトリ
クス基板は、上記の課題を解決するために、大画面液晶
パネルを構成するもので、互いに平行をなす走査線と信
号線とがマトリクス状に配置されると共に、上記の走査
線が、互いに平行な主配線と主配線同士を短絡する短絡
線とからなる梯子形状をなし、かつ、隣接する上記主配
線と隣接する上記信号線とに囲まれる領域に絵素電極が
形成され、該主配線と該信号線の交差部毎に、主配線に
印加される走査電圧によりON/OFFして対応する絵
素電極への上記信号線を介しての信号電圧の印加をスイ
ッチングするスイッチング素子が配設されていることを
特徴としている。
【0023】大画面液晶パネルの場合、前述したよう
に、画素サイズが大きいため、隣接する絵素電極の間を
幅広に設けても開口率を高くでき、このことは、換言す
れば、開口率が少々小さくなっても、高い開口面積を維
持できるということである。そこで、この点に着目し、
走査線を主配線と短絡線とからなる梯子形状とし、隣接
する主配線と隣接する信号線とに囲まれる領域に絵素電
極を形成し、個々の絵素電極を主配線と信号線の交差部
毎に設けたスッチング素子で駆動するようにした。
【0024】つまり、短絡した各主配線に接続された各
スイッチング素子は、接続された各絵素電極を同一に駆
動するため、従来技術の項で前述した、絵素分割方式の
冗長設計と同じ構成を成し、たとえ一方のスイッチング
素子や絵素電極に不良等が生じても、他の主配線に接続
されたもう一方のスイッチング素子や絵素電極が正常に
作動するため、点欠陥を目立たなくできる。
【0025】そして、この場合、従来の絵素分割方式の
冗長設計と異なり、走査線を梯子形状に形成しているの
で、上記した請求項1、2の作用説明で述べたように、
走査線の断線に対する冗長性もある。したがって、上記
の構成を採用することで、走査線の断線による線欠陥不
良の低減と共に、点欠陥不良も効果的に低減できる。
【0026】本発明の請求項4記載のアクティブマトリ
クス基板では、上記請求項1、2又は3の構成におい
て、上記信号線が、幅広に設けられた絵素電極の間に
て、複数の経路をとり得るように分岐して形成されてい
ることを特徴としている。
【0027】上記の構成においては、走査線に加えて、
スイッチング素子に対して信号電圧を供給する信号線も
複数の経路をとり得るように分岐して形成されているの
で、走査線だけでなく信号線の配線の冗長性も高くな
り、信号線の断線不良による線欠陥不良の発生率を大幅
に低減させることができる。もちろんこの場合も、開口
率を何ら低下させることはない。そしてここでも、複数
の経路をとり得る分岐した配線仕様としては、具体的に
は、請求項5記載のように、梯子形状に形成すればよ
い。
【0028】本発明の請求項6記載のアクティブマトリ
クス基板では、上記請求項1ないし5の何れかの構成に
おいて、上記走査線あるいは信号線の少なくとも何れか
一方が、交差部において幅細化されていることを特徴と
している。
【0029】走査線や信号線を複数の経路をとり得るよ
うに形成すると、走査線と信号線の交差部面積が増大す
るため、走査線と信号線とが短絡する不良や、交差部で
発生する寄生容量により信号遅延が発生するなどの表示
上の問題も起こり易くなる。しかしながら、上記の構成
により、走査線と信号線の交差部面積を低減できるの
で、上記した短絡不良を起こり難くすると共に、また、
交差部に生じる寄生容量を低減し、優れた表示性能を確
保できる。
【0030】本発明の請求項7記載の液晶パネルは、上
記請求項1ないし6の何れかに記載のアクティブマトリ
クス基板と対向電極付の対向基板との間に液晶層を挟装
してなるので、大画面液晶パネルでありながら、不良率
を低く抑えて、安価にて製造できる。
【0031】また、本発明の請求項8記載の液晶パネル
は、上記請求項7に記載の液晶パネルを複数枚、同一平
面上に並置してつなぎ合わせてなるので、請求項7に記
載の液晶パネルよりもさらに大画面化が図れる。
【0032】また、本発明の請求項9記載の液晶パネル
は、上記請求項1ないし6の何れかに記載のアクティブ
マトリクス基板を複数枚同一平面上に並置してつなぎ合
わせてマルチ基板とし、このマルチ基板と対向電極付の
対向基板との間に液晶層を挟装してなるので、上記した
請求項8記載の液晶パネルと同様に、大画面液晶パネル
でありながら、不良率を低く抑えて、安価にて製造でき
る。
【0033】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態1〕本発明の実施の一形態について図1な
いし図7に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0034】本実施の形態の液晶パネルは、図2に示す
ように、マルチパネル4と、該マルチパネル4の表裏に
それぞれ配設され、マルチパネル4のほぼ全面を覆う大
きさを有する2枚の偏光板3a・3bとからなる。
【0035】マルチパネル4は、2枚のアクティブマト
リクス型の液晶パネル1a・1b(以下、分割パネルと
称する)が、透明な補強基板2の同一平面上に隣接配置
されると共に、分割パネル1a・1bの側面同士と、分
割パネル1a・1b及び補強基板2の対向面同士とが、
透明接着材5にて貼り合わされた構成である。
【0036】図3(a)(b)に、上記の分割パネル1a
・1bを接続して1枚のマルチパネル4とする様子を示
す。同図(a)は、接続前の様子を示しており、分割パ
ネル1a・1bは、各々分断ラインLにて分断され、同
図(b)に示すように、分断された側面同士が貼り合わ
される。
【0037】このように2枚の分割パネル1a・1bを
つなぎ合わせることで、2倍の面積の液晶パネルを実現
することが可能となる。例えば、上記の分割パネル1a
・1bを対角29型の液晶パネルとすると、これらを同
一平面上に上記のようにつなぎ合わせることにより、対
角40型のマルチパネル4を得ることができる。
【0038】図3(a)(b)中、マトリクス状のライン
が後述する遮光膜のブラックマトリクス21である。ま
た、このブラックマトリクス21で区分される細長い矩
形が、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色に対
応した絵素である。詳細については後述するが、カラー
表示の際の最小単位となる表示画素7内には、合計6つ
の絵素が配設されている。
【0039】また、図3(b)に示すように、分割パネ
ル1a・1bにおける隣接する表示画素7・7(図中の
幅広のライン)の間隔(画素ピッチ)S1 と、接続部8
を挟んで隣接する分割パネル1a・1bにおける2つの
表示画素7・7間の間隔(画素ピッチ)S2 とは等しく
設定されている。
【0040】上記の液晶パネルにおいては、図2に示す
2枚の偏光板3a・3bが、互いの偏光軸が直交する直
交ニコルで配設されている。これにより、分割パネル1
a・1bを接続した接続部8から漏れた光は、偏光板3
a・3bの直交ニコル状態では出射せず黒色を呈するの
で、接続部8が目立ち難い。
【0041】その他、上記の液晶パネルにおいては、マ
ルチパネル4における接続部8を目立ち難くするため
に、上記の透明接着材5に分割パネル1a・1bに用い
られている透明基板6・9の材料とほぼ同じ屈折率を有
するものが選択されている。また、ブラックマトリクス
21に光を吸収する黒色材料が用いられており、ブラッ
クマトリクス21による表面反射を無くしてより一層接
続部8を目立ち難くしている。
【0042】次に、上記のマルチパネル4を構成する分
割パネル1a・1bについて詳細に説明する。但し、分
割パネル1a・1bは同一の構成であるので、ここでは
分割パネル1aの構成についてのみ説明する。
【0043】分割パネル1aは、図2に示すように、ガ
ラス等からなる透明基板6上に、カラーフィルタ10a
や、対向電極(図示せず)等を配設したカラーフィルタ
基板10と、同じくガラス等からなる透明基板9上に、
スイッチング素子であるTFT(図示せず)等が形成さ
れたアクティブマトリクス基板であるTFT基板11と
が、シール材12を介して貼り合わされ、両基板10・
11間に液晶層14が封入された構成である。
【0044】図4に、カラーフィルタ基板10の平面図
を示す。カラーフィルタ基板10では、RGBの色材膜
20R・20G・20Bと、各色材膜20(任意の色)
の周囲を埋める前述したブラックマトリクス21(図
中、斜線にて示す)とが配設されている。これら各色材
膜20とブラックマトリクス21とで、カラーフィルタ
10aが構成される。
【0045】図中、二点鎖線にて囲む領域が、カラー表
示を行う上で1画素単位となる表示画素7であり、1表
示画素7内に、3色の色材膜20R・20G・20B
が、それぞれ2つずつ配設されている。
【0046】隣接する1表示画素7・7間の隣接する色
材膜20・20間は、同一の1表示画素7内に配設され
た隣接する色材膜20・20間より大きく形成され、こ
の部分のブラックマトリクス21も幅広に形成されてい
る。上記の各色材膜20R・20G・20Bの形状は、
図1にその平面図を示すTFT基板11側に設けられた
個々の絵素電極17R・17G・17Bの形状に対応し
ている。
【0047】TFT基板11では、図1に示すように、
走査線としての複数のゲートバスライン(図中、斜線に
て示す)18と信号線としての複数のソースバスライン
(任意の色)19とが、図示しないゲート絶縁膜を介し
て互いに交差するようにマトリクス状に配設されてい
る。これらゲートバスライン18及びソースバスライン
19は、例えばα−Ta等から形成される。
【0048】上記ゲートバスライン18は、梯子形状を
なし、1つの表示画素7内に、並走する2本の主配線1
8a・18aが形成されると共に、両主配線18a・1
8aは、表示画素7毎に、短絡線18bにて短絡されて
いる。上記ソースバスライン19は、RGBの3色に合
わせて、1つの表示画素7内に3本配設されている。ソ
ースバスライン19Rには赤色のデータ信号(信号電
圧)が、ソースバスライン19Gには緑色のデータ信号
が、ソースバスライン19Bには青色のデータ信号が供
給される。
【0049】そして、このように梯子形状に形成された
ゲートバスライン18とソースバスライン19R・19
G・19Bとの交差部A毎、つまり、ゲートバスライン
18の2本の主配線18a・18aとソースバスライン
19R・19G・19Bとの交差部A毎に、絵素電極1
7R・17G・17Bと、ITO(Indium Tin Oxide)等
からなる各絵素電極17(任意の色)の駆動を制御する
TFT(スイッチング素子)13とが配設されている。
【0050】上記TFT13は、ゲートバスライン18
よりゲート信号(走査電圧)が供給されてON/OFF
が制御され、ON状態のとき、ソースバスライン19よ
り供給されるデータ信号の絵素電極17への印加をスイ
ッチングするものである。図5に、逆スタガ型のTFT
の構成例を示す。ゲートバスライン18より分岐された
ゲート電極18c上に、ゲート絶縁膜25、アモルファ
スSi等からなる半導体層26、及び絵素電極17に接
続されるドレイン電極27bとソースバスライン19に
接続されるソース電極27aとが順に積層されている。
【0051】また、図6に、上記TFT基板11上に形
成されたソースバスライン19とゲートバスライン18
の配線を、等価回路図にて示す。この図からも分かるよ
うに、1表示画素7内に、RGBの絵素電極17R・1
7G・17Bが、各々2つずつ配設されており、同じ色
の絵素電極17は、異なるTFT13で同一に駆動され
るようになっている。
【0052】このような構成を有するTFT基板11を
備えた液晶パネルにおいては、例えば図6に示すよう
に、あるゲートバスライン18’の1箇所(参照符α)
に断線が生じたとしても、短絡線18bを介して断線し
た部分以降に位置する絵素電極17に対してもゲート信
号を供給できるため、ゲートバスライン18’全体の導
通に影響を与えることがない。もちろん該ゲートバスラ
イン18’上に複数の断線が生じても、隣接する短絡線
18b・18b間に挟まれた他方の主配線18aに同時
に断線(参照符β)が生じない限り、ゲートバスライン
18’全体の導通に影響を与えることはない。
【0053】このように、ゲートバスライン18を梯子
形状にすることで、ゲートバスライン18における断線
不良発生率を大幅に低減し、これによる線欠陥不良の発
生率を低減できる。
【0054】しかも、上記の構成のTFT基板11を備
えた液晶パネルにおいては、1表示画素7当たりに、R
GBの絵素電極17R・17G・17Bが、各々2つず
つ配設されており、これら2つの同じ色の絵素電極17
・17は、異なるTFT13で同一駆動されるようにな
っている。
【0055】したがって、仮に2つのうちの一方の絵素
電極、例えば図6における絵素電極17R’やそれに接
続されたTFT13’に欠陥不良が生じたとしても、同
時に駆動されるもう一方の絵素電極17R”やそれに接
続されたTFT13”が正常に動作していれば、点欠陥
は目立ち難くい。
【0056】このように、図1に示すTFT基板11の
構造(配線構造)とすることで、ゲートバスライン18
の断線不良による線欠陥と、絵素電極17やTFT13
の不良による点欠陥の両不良に対して冗長性を付加する
ことができる。
【0057】また、上記分割パネル1a・1bでは、ゲ
ートバスライン18を梯子形状としたことで、ブラック
マトリクス21の形成領域が若干増加し、開口面積がや
や減少するものも、大画面液晶パネルであり、もともと
画素サイズが大きく、高い開口面積が得られるものであ
るので、表示性能に影響を与えるものではない。
【0058】実際に、従来のゲートバスラインの配線パ
ターン、及び本実施の形態における梯子形状のゲート
バスライン18の配線パターンにおいて、図2に示す
構造で40型の液晶パネルを作製した結果、表1、表2
に示すように、従来のゲートバスラインの配線パターン
を採用した場合に比べて、ゲートバスライン18の断
線不良発生率が皆無となり、点欠陥不良率が1/7以下
となることが確認できた。
【0059】
【表1】
【0060】
【表2】
【0061】なお、このときの画素サイズや開口率(全
面積に対する開口部〔カラーフィルタの形成領域〕の面
積比)、解像度は以下の表3に示す通りである。
【0062】
【表3】
【0063】また、ゲートバスライン18とソースバス
ライン19との交差部における形状に関してであるが、
図7に示すように、交差部におけるゲートバスライン1
8、つまり主配線18a・18aの幅を細くすることが
望ましい。これは、上記したTFT基板11のように、
ゲートバスライン18を梯子形状とすると、ソースバス
ライン19との交差部Aの数が増加し、ゲートバスライ
ン18とソースバスライン19との間の短絡不良も増加
する傾向にあるためである。そこで、上記構造を採用す
ることにより、交差部Aの数は増えるが、交差部Aにお
いてゲートバスライン18とソースバスライン19とが
互いに重なる面積を小さくすることができるので、ゲー
トバスライン18とソースバスライン19との間の短絡
不良を低減できる。
【0064】さらに、上記構成では同時に、交差部Aで
発生する寄生容量を小さくすることができる。寄生容量
は交差部Aにおいてゲートバスライン18とソースバス
ライン19とが重なる面積が大きい程大きくなるが、こ
の寄生容量が表示データに影響を与え、信号遅延を生じ
させ、表示性能を悪化させるという問題がある。液晶パ
ネルが大画面になるほど、すなわち、交差部Aの面積が
大きくなるほど、寄生容量の影響を受け易いが、上記の
ように交差部Aの面積を小さくすることができれば、寄
生容量も小さくなるので、大画面化に伴う表示性能の低
下を抑制することができる。ここではソースバスライン
19よりも幅の広いゲートバスライン18の幅を細くし
たが、ソースバスライン19の方が幅が広い場合等は、
ソースバスライン19側を細くするようにすればよい。
【0065】なお、上述した実施の形態においては、ゲ
ートバスライン18を梯子形状に配置しているため、必
然的にゲートバスライン18の専有する面積が大きくな
るが、つなぎ合わせ方式の液晶パネルでは、接続部8に
おける画素ピッチを他の部分の画素ピッチと揃えるため
に意図的に幅の広いブラックマトリクス21を設けてい
ることが多いので、ブラックマトリクス21に覆われる
ように梯子形状のゲートバスライン18を形成すること
が容易である。
【0066】また、一般につなぎ合わせ方式でなければ
作製が困難となるような大画面表示装置は、壁掛けテレ
ビジョン等の据え置き型ディスプレイとして使用される
ので、ノート型PC等のような携帯性を伴う機器に用い
られる表示装置程に低消費電力化が求められない。この
ため、ブラックマトリクス21の占有面積を意図的に増
加させ開口面積(光の透過領域)を小さくしたとしても
(液晶パネルの開口率を小さくしたとしても)、液晶パ
ネルの背面に備えられるバックライトの光量を増加させ
ることが容易であり、これにより簡単に表示の明るさを
保つことが可能である。
【0067】実際に、上述の表3で示したように、従来
のゲートバスラインの配線パターンを用いた場合と、
梯子形状のゲートバスライン18の配線パターンを用
いた場合とでは3%の開口率の低下が見られたが、バッ
クライトの光量を3%向上させることで、同等の明るさ
を実現できた。
【0068】つまり、上記した液晶パネルの構造は、つ
なぎ合わせ方式でなければ作製が困難となるような大画
面液晶パネルにおいて、より適した構造と言える。但
し、つなぎ合わせ方式であるという構成は、必要条件で
はなく、比較的画素が大きく、開口率の確保が容易な大
画面液晶パネルであれば、上記実施の形態のゲートバス
ライン18の配線パターンを適用できる。
【0069】また、本実施の形態では、分割パネル1a
・1bを2枚接続して1枚のマルチパネル4を構成した
が、接続枚数はこれに限定されず、かつ、構成も液晶パ
ネル同士を接続するものだけには限定されない。つま
り、従来技術の項で述べたように、アクティブマトリク
ス基板側のみ4分割されており、これらを同一平面上に
おいて並設して接続してマルチ基板とし、該マルチ基板
を1枚の対向基板に対向させて貼り合わせたつなぎ合わ
せ方式の液晶パネルにおいても適用できる。
【0070】さらに、本実施の形態では、点欠陥不良の
冗長性を備えるべく、TFT基板11においては、図1
に示すように、1つの表示画素7の各絵素が複数(ここ
では2つ)に分割された絵素分割法を採り入れたもので
あったが、図8に示すように、ソースバスライン28
(斜線にて示す)のみを、ブラックマトリクスの占有領
域下において梯子形状としてもよい。この場合、点欠陥
に対する冗長性は備えないが、ゲートバスライン28を
梯子形状としたことで、ゲートバスライン28における
断線欠陥の冗長性を、上記の図1のTFT基板11と同
様に、開口率を何ら低下させることなく備えることがで
きる。
【0071】〔実施の形態2〕本発明の他の実施の形態
について、図9、図10に基づいて説明すれば、以下の
通りである。尚、説明の便宜上、前記の実施の形態1に
て示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符
号を付記し、その説明を省略する。
【0072】なお、本実施の形態の液晶パネルも、2枚
の分割パネル1a・1bをつなぎ合わせて1枚のマルチ
パネル4となっているなど、基本的な構造は、図2に示
した前述の実施の形態1の液晶パネルと同じである。
【0073】図9に、本実施の形態の液晶パネルの分割
パネル1aの、TFT基板11’の構成を示す。
【0074】該TFT基板11’では、ゲートバスライ
ン18(図中、斜線にて示す)に加えて、表示画素7内
に配設されていたRGBに対応した3つのソースバスラ
イン29R・29G・29B(図中、網かけにて示す)
までも、それぞれゲートバスライン18と同様に梯子形
状をなしている。つまり、ソースバスライン29は何れ
も、2本の主配線29a・29aと、これら主配線29
a・29aを短絡する短絡線29bとからなり、短絡線
29bは、表示画素7毎に設けられている。
【0075】図10に、図9のTFT基板11’に対向
配置されるカラーフィルタ基板10‘の構成を示す。梯
子形状をなす上記ソースバスライン29は何れも、ブラ
ックマトリクス21の占有領域下に配設されているの
で、液晶パネルの開口率を何ら低下させるものではな
い。
【0076】このようなTFT基板11’の配線構造を
することで、ゲートバスライン18の断線不良による線
欠陥不良と、絵素電極17やTFT13の不良による点
欠陥不良に加えて、ソースバスライン29の断線不良に
よる線欠陥不良に対しても冗長性を付加することができ
る。
【0077】実際に、従来のソースバスラインの配線パ
ターン、及び本実施の形態における梯子形状のゲート
バスライン18と梯子形状のソースバスライン29の配
線パターンにおいて、図2に示す構造で40型の液晶
パネルを作製した結果、前述の表1、表2に示すよう
に、従来のゲートバスラインの配線パターンを採用し
た場合に比べて、ゲートバスライン18の断線不良発生
率が皆無となり、点欠陥不良率が1/7以下となること
が確認できたことに加え、表4に示すように、従来の配
線パターンに比べ、ソースバスライン29の断線不良
発生率も1/10以下となることが確認できた。
【0078】
【表4】
【0079】なお、このときの画素サイズや開口率(全
面積に対する開口部〔カラーフィルタの形成領域〕の面
積比)、解像度は前述の表3に示す通りである。
【0080】また、ここでも、ゲートバスライン18及
びソースバスライン29の交差部Aにおける線幅を細く
することで、実施の形態1で述べたと同様の効果を奏す
る。
【0081】
【発明の効果】本発明の請求項1記載のアクティブマト
リクス基板は、以上のように、大画面液晶パネルを構成
するもので、隣接する絵素電極の間が、大画面に対応し
て幅広に形成され、この絵素電極の間に、互いに平行を
なす走査線と信号線とがマトリクス状に配置されると共
に、該マトリクスの交差部毎に、上記走査線に印加され
る走査電圧によりON/OFFして対応する絵素電極へ
の上記信号線を介しての信号電圧の印加をスイッチング
するスイッチング素子が配設されてなるアクティブマト
リクス基板において、上記走査線が、幅広に設けられた
絵素電極の間にて、複数の経路をとり得るように分岐し
て形成されている構成である。
【0082】それゆえ、大画面液晶パネルの構造上の特
徴を生かして、開口率を何ら低下させることなく、走査
線の冗長性を高くして、走査線の断線不良発生率を大幅
に低減し、線欠陥不良を低減できる。なお、複数の経路
をとり得る分岐した配線仕様としては、具体的には、請
求項2記載のように、梯子形状に形成すればよい。
【0083】その結果、このアクティブマトリクス基板
の構成を採用し、請求項7、8又は9に記載のように液
晶層を対向基板との間に挟装して液晶パネルを構成する
ことで、製造工程における不良率が低く安価な大画面液
晶パネルを提供できるという効果を奏する。
【0084】本発明の請求項3記載のアクティブマトリ
クス基板は、以上のように、大画面液晶パネルを構成す
るもので、互いに平行をなす走査線と信号線とがマトリ
クス状に配置されると共に、上記の走査線が、互いに平
行な主配線と主配線同士を短絡する短絡線とからなる梯
子形状をなし、かつ、隣接する上記主配線と隣接する上
記信号線とに囲まれる領域に絵素電極が形成され、該主
配線と該信号線の交差部毎に、主配線に印加される走査
電圧によりON/OFFして対応する絵素電極への上記
信号線を介しての信号電圧の印加をスイッチングするス
イッチング素子が配設されている構成である。
【0085】それゆえ、大画面液晶パネルの構造上の特
徴を生かして、走査線を梯子形状に形成することによる
冗長設計と、画素分割方式の冗長設計とで、走査線の断
線不良による線欠陥不良の低減と共に、画素やスイッチ
ング素子の不良による点欠陥不良も効果的に低減でき
る。
【0086】その結果、このアクティブマトリクス基板
の構成を採用し、請求項7、8又は9に記載のように液
晶層を対向基板との間に挟装して液晶パネルを構成する
ことで、請求項1又は2に記載したアクティブマトリク
ス基板の構成を採用した場合よりもさらに製造工程にお
ける不良率が低く安価な大画面液晶パネルを提供できる
という効果を奏する。
【0087】本発明の請求項4記載のアクティブマトリ
クス基板では、上記請求項1、2又は3の構成におい
て、上記信号線が、幅広に設けられた絵素電極の間に
て、複数の経路をとり得るように分岐して形成されてい
る構成である。
【0088】それゆえ、開口率を何ら低下させることな
く、走査線だけでなく信号線の配線の冗長性も高くな
り、信号線の断線不良発生率を大幅に低減させることが
できる。なお、複数の経路をとり得る分岐した配線仕様
としては、具体的には、請求項5記載のように、梯子形
状に形成すればよい。
【0089】その結果、このアクティブマトリクス基板
の構成を採用し、請求項7、8又は9に記載のように液
晶層を対向基板との間に挟装して液晶パネルを構成する
ことで、請求項1、2又は3に記載したアクティブマト
リクス基板の構成を採用した場合よりもさらに製造工程
における不良率が低く安価な大画面液晶パネルを提供で
きるという効果を奏する。
【0090】本発明の請求項6記載のアクティブマトリ
クス基板では、上記請求項1、2又は3の構成におい
て、上記走査線あるいは信号線の少なくとも何れか一方
が、交差部において幅細化されている構成である。
【0091】それゆえ、走査線と信号線の交差部面積を
低減できるので、走査線と信号線とが短絡する不良や、
交差部で発生する寄生容量により信号遅延が発生するな
どの表示上の問題を起こり難くできる。
【0092】その結果、このアクティブマトリクス基板
の構成を採用し、請求項7、8又は9に記載のように液
晶層を対向基板との間に挟装して液晶パネルを構成する
ことで、請求項1、2又は3に記載したアクティブマト
リクス基板の構成を採用した場合よりも、さらに製造工
程における不良率を低く、安価な大画面液晶パネルを提
供できると共に、表示品位の低下を抑制して表示品位を
良好にできるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態を示すもので、液晶パネ
ルを構成する分割パネルのTFT基板の配線パターンを
示す平面図である。
【図2】図1の液晶パネルの構成を模式的に示す断面図
である。
【図3】2枚の分割パネルをつなぎ合わせて1枚のマル
チパネルとして液晶パネルを構成する際のつなぎ合わせ
方を示す説明図である。
【図4】図1のTFT基板に対向配置されるカラーフィ
ルタ基板の平面図である。
【図5】図1のTFT基板に備えられたTFTの構成を
模式的に示す断面図である。
【図6】図1のTFT基板の等価回路図である。
【図7】ゲートバスラインを幅細化した交差部を示す説
明図である。
【図8】図1の液晶パネルを構成する分割パネルのTF
T基板の他の配線パターンを示す平面図である。
【図9】本発明の実施の他の形態を示すもので、液晶パ
ネルを構成する1分割パネルのTFT基板の配線パター
ンを示す平面図である。
【図10】図9のTFT基板に対向配置されるカラーフ
ィルタ基板の平面図である。
【図11】従来のつなぎ合わせ方式で用いられる分割パ
ネルを構成するカラーフィルタ基板の平面図である。
【図12】図11のTFT基板に対向配置されるカラー
フィルタ基板の平面図である。
【図13】従来の画素分割方式による冗長設計の配線パ
ターンを示す配線図である。
【符号の説明】
1a 分割パネル(液晶パネル) 1b 分割パネル(液晶パネル) 4 マルチパネル 10 カラーフィルタ基板 10a カラーフィルタ 11 TFT基板(アクティブマトリクス基板) 13 TFT(スイッチング素子) 17 絵素電極 18 ゲートバスライン(走査線) 19 ソースバスライン(信号線) 20 色材膜 21 ブラックマトリクス

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】大画面液晶パネルを構成するもので、隣接
    する絵素電極の間が、大画面に対応して幅広に形成さ
    れ、この絵素電極の間に、互いに平行をなす走査線と信
    号線とがマトリクス状に配置されると共に、該マトリク
    スの交差部毎に、上記走査線に印加される走査電圧によ
    りON/OFFして対応する絵素電極への上記信号線を
    介しての信号電圧の印加をスイッチングするスイッチン
    グ素子が配設されてなるアクティブマトリクス基板にお
    いて、 上記走査線が、幅広に設けられた絵素電極の間にて、複
    数の経路をとり得るように分岐して形成されていること
    を特徴とするアクティブマトリクス基板。
  2. 【請求項2】上記走査線が梯子形状であることを特徴と
    する請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
  3. 【請求項3】大画面液晶パネルを構成するもので、互い
    に平行をなす走査線と信号線とがマトリクス状に配置さ
    れると共に、上記の走査線が、互いに平行な主配線と主
    配線同士を短絡する短絡線とからなる梯子形状をなし、
    かつ、隣接する上記主配線と隣接する上記信号線とに囲
    まれる領域に絵素電極が形成され、該主配線と該信号線
    の交差部毎に、主配線に印加される走査電圧によりON
    /OFFして対応する絵素電極への上記信号線を介して
    の信号電圧の印加をスイッチングするスイッチング素子
    が配設されてなることを特徴とするアクティブマトリク
    ス基板。
  4. 【請求項4】上記信号線が、幅広に設けられた絵素電極
    の間にて、複数の経路をとり得るように分岐して形成さ
    れていることを特徴とする請求項1、2又は3記載のア
    クティブマトリクス基板。
  5. 【請求項5】上記信号線が梯子形状であることを特徴と
    する請求項4記載のアクティブマトリクス基板。
  6. 【請求項6】上記走査線あるいは信号線の少なくとも何
    れか一方が、交差部において幅細化されていることを特
    徴とする請求項1ないし5の何れかに記載のアクティブ
    マトリクス基板。
  7. 【請求項7】上記請求項1ないし6の何れかに記載のア
    クティブマトリクス基板と対向電極付の対向基板との間
    に液晶層を挟装してなることを特徴とする液晶パネル。
  8. 【請求項8】上記請求項7に記載の液晶パネルを複数
    枚、同一平面上に並置してつなぎ合わせてなることを特
    徴とする液晶パネル。
  9. 【請求項9】上記請求項1ないし6の何れかに記載のア
    クティブマトリクス基板を複数枚同一平面上に並置して
    つなぎ合わせてマルチ基板とし、このマルチ基板と対向
    電極付の対向基板との間に液晶層を挟装してなることを
    特徴とする液晶パネル。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005084216A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
WO2005116745A1 (en) * 2004-05-27 2005-12-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method for correcting a pixel deffect therein and manufacturing method thereof
WO2006100861A1 (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板及びその画素欠陥修正方法
WO2007135893A1 (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
WO2008007583A1 (fr) * 2006-07-14 2008-01-17 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif d'affichage à cristaux liquides
US7511301B2 (en) * 2003-12-01 2009-03-31 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display unit
JP2011053721A (ja) * 2005-06-09 2011-03-17 Sharp Corp 液晶表示装置
US8064018B2 (en) 2006-04-24 2011-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8319926B2 (en) 2006-12-05 2012-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8334954B2 (en) 2006-04-04 2012-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR20160063479A (ko) * 2014-11-26 2016-06-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP2018092167A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
US10042226B2 (en) 2016-02-02 2018-08-07 Japan Display Inc. Display device
CN110782795A (zh) * 2019-04-24 2020-02-11 友达光电股份有限公司 像素阵列基板

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005084216A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7511301B2 (en) * 2003-12-01 2009-03-31 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display unit
US7973871B2 (en) 2004-05-27 2011-07-05 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method for correcting a pixel deffect therein and manufacturing method thereof
JP2008500562A (ja) * 2004-05-27 2008-01-10 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その画素欠陥修正方法及び製造方法
WO2005116745A1 (en) * 2004-05-27 2005-12-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method for correcting a pixel deffect therein and manufacturing method thereof
WO2006100861A1 (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板及びその画素欠陥修正方法
US7671932B2 (en) 2005-03-18 2010-03-02 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and pixel defect correcting method therefor
US9019455B2 (en) 2005-06-09 2015-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8345197B2 (en) 2005-06-09 2013-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP2011053721A (ja) * 2005-06-09 2011-03-17 Sharp Corp 液晶表示装置
US7995177B2 (en) 2005-06-09 2011-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP4744518B2 (ja) * 2005-06-09 2011-08-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
US8334954B2 (en) 2006-04-04 2012-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8064018B2 (en) 2006-04-24 2011-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8395744B2 (en) 2006-05-19 2013-03-12 Sharp Kabushiki Kaisha Display device including dummy pixel region
WO2007135893A1 (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
WO2008007583A1 (fr) * 2006-07-14 2008-01-17 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif d'affichage à cristaux liquides
US8319926B2 (en) 2006-12-05 2012-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR20160063479A (ko) * 2014-11-26 2016-06-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10042226B2 (en) 2016-02-02 2018-08-07 Japan Display Inc. Display device
JP2018092167A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
US10236335B2 (en) 2016-11-30 2019-03-19 Lg Display Co., Ltd. Display device
CN110782795A (zh) * 2019-04-24 2020-02-11 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN110782795B (zh) * 2019-04-24 2022-01-07 友达光电股份有限公司 像素阵列基板

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