WO2013054828A1

WO2013054828A1 - 液晶表示装置

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Publication number: WO2013054828A1
Application number: PCT/JP2012/076277
Authority: WO
Inventors: 吉田　秀史; 豪鎌田; 前田　強; 村田　充弘; 洋二吉村; 祐一郎山田; 謙次岡元; 洋典岩田; 安宏那須; 坂井　彰; 雅浩長谷川
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2011-10-11
Filing date: 2012-10-11
Publication date: 2013-04-18
Also published as: US20140253853A1; US9575364B2

Abstract

　液晶表示装置（１００）は、垂直配向型の液晶層（３０）と、第１および第２基板（１０、２０）と、第１および第２基板の液晶層側に設けられた第１および第２電極（１１、２１）と、一対の光配向膜（１２、２２）とを備える。各画素領域は、一対の光配向膜によって規定される基準配向方向が第１方向である第１液晶ドメインと、基準配向方向が第１方向とは異なる第２方向である第２液晶ドメインとを有する。第１電極は、第１および第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の一部に、基準配向方向に略平行に延びるスリット（１１ｓ）が形成されたスリット形成領域（１１Ｒ１）を有する。スリットの幅（Ｗ）は、第１電極に最高階調電圧が供給されたときの実効的な印加電圧の低下量が０．５Ｖ以上であり、且つ、液晶分子（３０ａ）の配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°未満であるように設定されている。

Description

液晶表示装置

　本発明は、液晶表示装置に関し、特に、垂直配向型の液晶層を備え、広視野角特性を有する液晶表示装置に関する。

　液晶表示装置の表示特性が改善され、テレビジョン受像機などへの利用が進んでいる。液晶表示装置の視野角特性は向上したものの、さらなる改善が望まれている。特に、垂直配向型の液晶層を用いた液晶表示装置の視野角特性を改善する要求は強い。垂直配向型液晶層を備えた液晶表示装置は、ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶表示装置と呼ばれる。

　現在、テレビ等の大型表示装置に用いられているＶＡモードの液晶表示装置には、視野角特性を改善するために、１つの画素に複数の液晶ドメインを形成する配向分割構造が採用されている。配向分割構造を形成する方法としては、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モードが主流である。ＭＶＡモードは、例えば特許文献１に開示されている。

　ＭＶＡモードでは、垂直配向型液晶層を挟んで対向する一対の基板のそれぞれの液晶層側に配向規制構造を設けることによって、各画素内に配向方向（チルト方向）が異なる複数の液晶ドメイン（典型的には配向方向は４種類）が形成される。配向規制構造としては、電極に形成されたスリット（開口部）や、リブ（突起構造）が用いられ、液晶層の両側から配向規制力が発揮される。

　しかしながら、スリットやリブを用いると、従来のＴＮ（Twisted Nematic）モードで用いられていた配向膜によってプレチルト方向を規定した場合と異なり、スリットやリブが線状であることから、液晶分子に対する配向規制力が画素内で不均一となるため、応答速度に分布が生じるという問題がある。また、スリットやリブを設けた領域の光透過率が低下するので、表示輝度が低下するという問題もある。

　上述の問題を回避するためには、ＶＡモードの液晶表示装置についても、配向膜でプレチルト方向を規定することによって配向分割構造を形成することが好ましい。そのようにして配向分割構造が形成されたＶＡモードの液晶表示装置が、特許文献２に提案されている。

　特許文献２に開示されている液晶表示装置では、配向膜でプレチルト方向を規定することによって、４分割配向構造が形成される。つまり、液晶層に電圧が印加されたときに、１つの画素内に４つの液晶ドメインが形成される。このような４分割配向構造を、単に４Ｄ構造と呼ぶこともある。

　また、特許文献２に開示されている液晶表示装置では、液晶層を介して対向する一対の配向膜のうちの一方の配向膜によって規定されるプレチルト方向と、他方の配向膜によって規定されるプレチルト方向とは互いに略９０°異なっている。そのため、電圧印加時には、液晶分子はツイスト配向をとる。このように、プレチルト方向（配向処理方向）が互いに直交するように設けられた一対の垂直配向膜を用いることによって液晶分子がツイスト配向をとるＶＡモードは、ＶＡＴＮ（Vertical Alignment Twisted Nematic）モードあるいはＲＴＮ（Reverse Twisted Nematic）モードと呼ばれることもある。既に説明したように、特許文献２の液晶表示装置では４Ｄ構造が形成されることから、特許文献２の液晶表示装置の表示モードは、４Ｄ－ＲＴＮモードと呼ばれることもある。

　液晶分子のプレチルト方向を配向膜に規定させる具体的な方法としては、特許文献２にも記載されているように、光配向処理を行う方法が有望視されている。光配向処理は、非接触で処理できるので、ラビング処理のように摩擦による静電気の発生がなく、歩留まりを向上させることができる。光配向処理が施された配向膜は、光配向膜とも呼ばれる。

　また、ＭＶＡモードの応答特性を改善する目的で、ＰＳＡ技術（Polymer Sustained Alignment Technology）が開発されている。ＰＳＡ技術は、例えば特許文献３および４に開示されている。ＰＳＡ技術では、液晶分子にプレチルトを付与するために、配向維持層と呼ばれるポリマー層が用いられる。配向維持層は、液晶材料に予め混合しておいた光重合性モノマーを、液晶セルを作製した後、液晶層に電圧が印加された状態で重合することによって形成される。モノマーを重合するときに印加される電界の分布および強度を調整することによって、液晶分子のプレチルト方位（基板面内の方位角）およびプレチルト角（基板面からの立ち上がり角）を制御することができる。

　また、特許文献４には、ＰＳＡ技術とともに微細なストライプ状パターンを有する画素電極（「フィッシュボーン型画素電極」と呼ばれることもある）を用いた構成が開示されている。この構成では、液晶層に電圧を印加すると、液晶分子はストライプ状パターンの長手方向に平行に配向する。これは、特許文献１に記載されている従来のＭＶＡモードではスリットやリブなどの直線状の配向規制構造に対して直交する方向に液晶分子が配向するのとは対照的である。微細なストライプ状パターンのライン＆スペースは、従来のＭＶＡモードの配向規制構造の幅よりも小さくてよい。従って、フィッシュボーン型画素電極は、従来のＭＶＡモードの配向規制構造よりも小型の画素に適用しやすいという利点を有する。

　上述したようなＶＡモードの改良技術（４Ｄ－ＲＴＮモードやＰＳＡ技術、フィッシュボーン型画素電極）によれば、高い視野角特性を実現することができる。しかしながら、近年、ＶＡモードの液晶表示装置の視野角特性のさらなる改善が望まれており、そのために「画素分割駆動技術」が実用化されている（例えば特許文献５および６）。

　画素分割駆動技術によれば、正面方向から観測したときのγ（ガンマ）特性と斜め方向から観測したときのγ特性とが異なるという問題点、すなわち、γ特性の視角依存性が改善される。ここで、γ特性とは、表示輝度の階調依存性である。

　画素分割駆動技術では、１つの画素を、互いに異なる電圧を液晶層に印加し得る、つまり、互いに異なる輝度を呈し得る複数の副画素で構成し、画素に入力される表示信号電圧に対応する所定の輝度を、１つの画素全体で実現する。つまり、画素分割駆動技術とは、複数の副画素の互いに異なるγ特性を合成することによって、画素のγ特性の視角依存性を改善する技術である。

特開平１１－２４２２２５号公報国際公開第２００６／１３２３６９号特開２００２－３５７８３０号公報特開２００３－１４９６４７号公報特開２００４－６２１４６号公報特開２００４－７８１５７号公報

　しかしながら、画素分割駆動技術を用いる場合、液晶層への実効的な印加電圧を副画素ごとに異ならせる必要があるので、以下に説明するように、回路構成が複雑になるという問題がある。

　画素分割駆動技術が用いられた液晶表示装置では、各画素に設けられる画素電極は、複数の副画素に対応した複数の副画素電極を有している。そして、それぞれの副画素電極に対応してスイッチング素子（例えばＴＦＴ）が設けられている。

　特許文献５には、１つの画素を構成する複数の副画素電極が、互いに異なる信号線に接続される構成が開示されている。この構成では、従来の一般的な液晶表示装置に比べ、信号線の本数が増加してしまう。また、信号線駆動回路の構成も従来とは異なってしまう。

　また、特許文献５には、容量分割を利用して、液晶層への印加電圧を副画素ごとに異ならせる構成も開示されている。この構成では、複数の副画素のそれぞれが、副画素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、絶縁層を介して補助容量電極に対向する補助容量対向電極とによって形成された補助容量を有する。さらに、この構成では、補助容量対向電極が副画素ごとに電気的に独立である。そのため、補助容量の容量値の大きさと、補助容量対向電極に供給する電圧（補助容量対向電圧という。）の大きさとを調節することによって、液晶層への実効的な印加電圧の大きさを副画素ごとに制御することができる。

　この構成を採用すると、複数の副画素電極のそれぞれに対して異なる信号電圧を印加する必要がないので、各副画素のスイッチング素子を共通の信号線に接続し、同じ信号電圧を供給すればよい。従って、信号線の本数は、従来の液晶表示装置と同じであり、信号線駆動回路の構成も従来の液晶表示装置で用いられるものと同じ構成を採用できる。ただし、この構成では、典型的には振動電圧である補助容量対向電圧を発生させるために、外付け回路が必要となることがある。

　また、副画素ごとに信号線を設ける前者の構成および容量分割を利用する後者の構成のいずれにおいても、複数の副画素の面積比が均等であるよりも、不均等である方が（具体的には液晶層への印加電圧が相対的に高い副画素の面積比がより小さい方が）、γ特性の視角依存性を改善する効果が高い。ただし、白表示時の光透過率は、複数の副画素の面積比が均等なときに最大値をとり、面積比が不均等になるにつれて低下する。この理由は、面積比が不均等になるにつれて、複数の副画素のうちのどれかの面積が小さくなるので、良好な分割配向状態が得られなくなるからである。また、この現象は、画素面積の小さな、つまり、高精細の液晶表示装置において顕著である。そのため、画素分割駆動技術においては、白表示時の光透過率を考慮すると、γ特性の視角依存性を改善する効果が限定的になってしまう。さらに、高精細の液晶表示装置では、透過率が特に重視されるので、上述した理由によって透過率が低下したり、付加的な構造（２つ目のＴＦＴなど）によって開口率が低下したりする画素分割駆動技術そのものを適用しにくい。

　本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＶＡモードの液晶表示装置におけるγ特性の視角依存性を、比較的簡単な回路構成で十分に改善することにある。

　本発明の実施形態における液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極および前記第２基板の前記液晶層側に設けられた第２電極と、前記第１電極および前記液晶層の間と前記第２電極および前記液晶層の間とに設けられた一対の光配向膜と、を備え、マトリクス状に配列された複数の画素領域を有し、前記複数の画素領域のそれぞれは、前記一対の光配向膜によって規定される基準配向方向が第１方向である第１液晶ドメインと、前記基準配向方向が前記第１方向とは異なる第２方向である第２液晶ドメインと、を有し、前記第１電極は、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の一部に、前記一対の光配向膜によって規定される前記基準配向方向に略平行に延びるスリットが形成されたスリット形成領域を有し、前記スリットの幅は、前記第１電極に最高階調電圧が供給されたときの前記スリット上の前記液晶層における実効的な印加電圧の低下量が０．５Ｖ以上であり、且つ、前記第１電極に最高階調電圧が供給されたときの前記スリット上の前記液晶層における液晶分子の配向方向の前記基準配向方向に対するずれが４５°未満であるように設定されている。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、前記第１電極に最高階調電圧が供給されたときの前記スリット上の前記液晶層における実効的な印加電圧の低下量が１．０Ｖ以上であるように設定されている。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、前記第１電極に最高階調電圧が供給されたときの前記スリット上の前記液晶層における液晶分子の配向方向の前記基準配向方向に対するずれが３０°以下であるように設定されている。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、２．５μｍ以上である。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、４．０μｍ以上である。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、８．０μｍ未満である。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、６．０μｍ以下である。

　ある実施形態において、前記第１基板は、前記第１電極の下方に誘電体層を隔てて設けられた第３電極をさらに有する。

　ある実施形態において、前記第３電極には、前記第２電極に供給される電圧と実質的に同じ電圧が供給される。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、１．０μｍ以上である。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、２．０μｍ以上である。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、６．０μｍ未満である。

　ある実施形態において、前記スリットの幅は、４．５μｍ以下である。

　ある実施形態において、前記第１電極の、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域内において、前記スリット形成領域が占める割合は１／３以上である。

　ある実施形態において、前記第１電極の、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域内において、前記スリット形成領域が占める割合は２／３以上である。

　ある実施形態において、前記スリット形成領域内に、前記スリットが複数形成されており、前記複数のスリットは、実質的に同じ幅を有する。

　ある実施形態において、前記スリット形成領域内に、前記スリットが複数形成されており、前記複数のスリットは、第１の幅を有するスリットと、前記第１の幅とは異なる第２の幅を有するスリットと、を含む。

　ある実施形態において、表示面法線方向から見たとき、前記スリットは、前記第１電極の導電膜によって完全に包囲されている。

　ある実施形態において、表示面法線方向から見たとき、前記スリットは、前記第１電極の導電膜によって完全には包囲されていない。

　ある実施形態において、前記第１電極は、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の他の一部に、スリットが形成されていないスリット非形成領域を有する。

　ある実施形態において、前記第１電極は、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の他の一部に、前記スリット形成領域の前記スリットの幅とは異なる幅を有するさらなるスリットが形成されたさらなるスリット形成領域を有する。

　ある実施形態において、前記第１基板は、アクティブマトリクス基板であり、前記第１電極は、画素電極である。

　ある実施形態において、前記画素電極は、複数の副画素電極を含み、前記複数の画素領域のそれぞれは、前記複数の副画素電極に対応する複数の副画素領域を含み、前記複数の副画素領域のそれぞれが、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインを有する。

　ある実施形態において、前記複数の画素領域のそれぞれは、前記基準配向方向が第３方向である第３液晶ドメインと、前記基準配向方向が第４方向である第４液晶ドメインと、をさらに有し、前記第１方向、前記第２方向、前記第３方向および前記第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、前記第１電極は、前記第３液晶ドメインおよび前記第４液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の一部にも、前記スリット形成領域を有する。

　ある実施形態において、前記第１液晶ドメイン、前記第２液晶ドメイン、前記第３液晶ドメインおよび前記第４液晶ドメインは、それぞれ他の液晶ドメインと隣接し、かつ、２行２列のマトリクス状に配置されている。

　ある実施形態において、前記第１液晶ドメイン、前記第２液晶ドメイン、前記第３液晶ドメインおよび前記第４液晶ドメインは、隣接する液晶ドメイン間で前記基準配向方向が略９０°異なるように配置されている。

　ある実施形態において、前記第１電極のエッジのうちの前記第１液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなすエッジ部を含まず、前記第１電極のエッジのうちの前記第２液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなすエッジ部を含まず、前記第１電極のエッジのうちの前記第３液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなすエッジ部を含まず、前記第１電極のエッジのうちの前記第４液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなすエッジ部を含まない。

　ある実施形態において、前記第１方向は、前記第１電極のエッジのうちの前記第１液晶ドメインに近接する部分に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略４５°の角をなし、前記第２方向は、前記第１電極のエッジのうちの前記第２液晶ドメインに近接する部分に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略４５°の角をなし、前記第３方向は、前記第１電極のエッジのうちの前記第３液晶ドメインに近接する部分に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略４５°の角をなし、前記第４方向は、前記第１電極のエッジのうちの前記第４液晶ドメインに近接する部分に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略４５°の角をなす。

　ある実施形態において、前記第１電極のエッジのうちの前記第１液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、前記第１電極のエッジのうちの前記第２液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなす第２エッジ部を含み、前記第１電極のエッジのうちの前記第３液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなす第３エッジ部を含み、前記第１電極のエッジのうちの前記第４液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなす第４エッジ部を含む。

　ある実施形態において、前記第１方向は、前記第１エッジ部に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略１３５°の角をなし、前記第２方向は、前記第２エッジ部に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略１３５°の角をなし、前記第３方向は、前記第３エッジ部に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略１３５°の角をなし、前記第４方向は、前記第４エッジ部に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略１３５°の角をなす。

　ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は略４５°、略１３５°、略２２５°または略３１５°である。

　ある実施形態において、本発明による液晶表示装置は、前記液晶層を介して互いに対向し、それぞれの透過軸が互いに略直交するように配置された一対の偏光板をさらに備え、前記第１方向および前記第２方向は、前記一対の偏光板の前記透過軸と略４５°の角をなす。

　ある実施形態において、前記液晶層は、負の誘電異方性を有する液晶分子を含み、前記一対の光配向膜のうちの一方によって規定されるプレチルト方向と、他方によって規定されるプレチルト方向とは互いに略９０°異なる。

　ある実施形態において、前記一対の光配向膜のうちの一方によって規定されるプレチルト角と、他方によって規定されるプレチルト角とは互いに略等しい。

　本発明の実施形態によると、ＶＡモードの液晶表示装置におけるγ特性の視角依存性を、比較的簡単な回路構成で十分に改善することができる。

ＶＡモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域の例を示す図である。図１に示した画素領域の分割方法を説明するための図であり、（ａ）は背面基板側のプレチルト方向を示し、（ｂ）は前面基板側のプレチルト方向を示し、（ｃ）は液晶層に電圧を印加したときのチルト方向を示している。画素領域の他の分割方法を説明するための図であり、（ａ）は背面基板側のプレチルト方向を示し、（ｂ）は前面基板側のプレチルト方向を示し、（ｃ）は液晶層に電圧を印加したときのチルト方向を示している。画素領域のさらに他の分割方法を説明するための図であり、（ａ）は背面基板側のプレチルト方向を示し、（ｂ）は前面基板側のプレチルト方向を示し、（ｃ）は液晶層に電圧を印加したときのチルト方向を示している。画素領域のさらに他の分割方法を説明するための図であり、（ａ）は背面基板側のプレチルト方向を示し、（ｂ）は前面基板側のプレチルト方向を示し、（ｃ）は液晶層に電圧を印加したときのチルト方向を示している。本発明の実施形態における液晶表示装置１００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置１００を模式的に示す図であり、図６中の７Ａ－７Ａ’線に沿った断面図である。（ａ）および（ｂ）は、スリットの幅を仮に極端に大きくしたときの電圧印加時の液晶分子の配向状態を示す上面図および断面図である。（ａ）および（ｂ）は、スリットの幅を仮に極端に小さくしたときの電圧印加時の液晶分子の配向状態を模式的に示す上面図および断面図である。スリットの幅を変化させてその影響を検証した結果を説明するためのグラフである。横軸は、スリットの幅であり、右側の縦軸は、スリット上の液晶層における実効的な印加電圧の低下量であり、左側の縦軸は、背面側の偏光板の透過軸の方位を０°としたときの液晶分子の配向方向（方位）である。本発明の実施形態における液晶表示装置２００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置２００を模式的に示す図であり、図１１中の１２Ａ－１２Ａ’線に沿った断面図である。スリットの幅を変化させてその影響を検証した結果を説明するためのグラフである。横軸は、スリットの幅であり、右側の縦軸は、スリット上の液晶層における実効的な印加電圧の低下量であり、左側の縦軸は、背面側の偏光板の透過軸の方位を０°としたときの液晶分子の配向方向（方位）である。本発明の実施形態における液晶表示装置２００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置３００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置４００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置５００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。画素電極におけるスリットの形成パターンの例を示す平面図である。画素電極におけるスリットの形成パターンの他の例を示す平面図である。画素電極におけるスリットの形成パターンのさらに他の例を示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置６００Ａの１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置６００Ｂの１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置６００Ｃの１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置７００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置８００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。画素領域の他の例を示す図である。図２６に示した画素領域の分割方法を説明するための図であり、（ａ）は背面基板側のプレチルト方向を示し、（ｂ）は前面基板側のプレチルト方向を示し、（ｃ）は液晶層に電圧を印加したときのチルト方向を示している。図１に示した画素領域においてある中間調を表示するときに形成される暗い領域を示す図である。図１に示した画素領域において画素電極のエッジ近傍に暗線が形成される理由を説明するための図である。（ａ）は、図３（ｃ）に示した画素領域においてある中間調を表示するときに形成される暗い領域を示す図であり、（ｂ）は、図４（ｃ）に示した画素領域においてある中間調を表示するときに形成される暗い領域を示す図であり、（ｃ）は、図５（ｃ）に示した画素領域においてある中間調を表示するときに形成される暗い領域を示す図である。図２６に示した画素領域においてある中間調を表示するときに形成される暗い領域を示す図である。図２６に示した画素領域において画素電極のエッジ近傍に暗線が形成されない理由を説明するための図である。（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、背面基板および前面基板に対して図２７（ａ）および（ｂ）に示したような配向処理を施す方法を説明するための図である。（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、図２７（ａ）に示したような配向処理をアクティブマトリクス基板（背面基板）に施す場合のアクティブマトリクス基板と光学マスクとの相対的な配置関係の具体例を説明するための図である。（ａ）および（ｂ）は、図２７（ａ）に示したような配向処理をアクティブマトリクス基板（背面基板）に施す場合のアクティブマトリクス基板と光学マスクとの相対的な配置関係の具体例を説明するための図である。（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、図２７（ｂ）に示したような配向処理を対向基板（前面基板）に施す場合の対向基板と光学マスクとの相対的な配置関係の具体例を説明するための図である。（ａ）および（ｂ）は、図２７（ａ）に示したような配向処理を対向基板（前面基板）に施す場合の対向基板と光学マスクとの相対的な配置関係の具体例を説明するための図である。本発明の実施形態における液晶表示装置９００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置１０００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置１１００Ａの１つの画素領域を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態における液晶表示装置１１００Ｂの１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。

　（用語の説明）
　まず、本願明細書において用いられる主な用語を説明する。

　本願明細書において、「垂直配向型の液晶層」とは、液晶分子が垂直配向膜の表面に対して約８５°以上の角度で配向した液晶層をいう。垂直配向型の液晶層を構成する液晶材料は、負の誘電異方性を有する。垂直配向型の液晶層と、液晶層を介して互いに対向するようにクロスニコルに配置された（つまりそれぞれの透過軸が互いに略直交するように配置された）一対の偏光板とを組み合わせることにより、ノーマリブラックモードの表示が行われる。

　また、本願明細書において、「画素」とは、表示において特定の階調を表現する最小の単位を指し、カラー表示においては、例えば、Ｒ、ＧおよびＢのそれぞれの階調を表現する単位に対応し、「ドット」とも呼ばれる。Ｒ画素、Ｇ画素およびＢ画素の組み合わせが、１つのカラー表示画素を構成する。「画素領域」は、表示の「画素」に対応する液晶表示装置の領域を指す。

　「プレチルト方向」は、配向膜によって規定される液晶分子の配向方向であって、表示面内の方位角方向を指す。また、このとき液晶分子が配向膜の表面となす角を「プレチルト角」と呼ぶ。液晶分子のプレチルト方向を配向膜に規定させる方法としては、後述する光配向処理が好ましい。

　液晶層を介して対向する一対の配向膜の一方によって規定されるプレチルト方向と他方によって規定されるプレチルト方向との組み合わせを画素領域内で異ならせることによって、４分割配向構造を形成することができる。４分割された画素領域は、４つの液晶ドメインを有する。あるいは、２分割配向構造を形成することもできる。２分割された画素領域は、２つの液晶ドメインを有する。

　それぞれの液晶ドメインは、液晶層に電圧が印加されたときの液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向（「基準配向方向」ということもある。）によって特徴付けられ、このチルト方向（基準配向方向）が各ドメインの視角依存性に支配的な影響を与える。このチルト方向も方位角方向である。方位角方向の基準は、表示面の水平方向とし、左回りを正とする（表示面を時計の文字盤に例えると３時方向を方位角０°として、反時計回りを正とする）。４分割配向構造においては、４つの液晶ドメインのチルト方向を、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向（例えば、１２時方向、９時方向、６時方向、３時方向）となるように設定することによって、視野角特性が平均化され、良好な表示を得ることができる。また、視野角特性の均一さの観点からは、４つの液晶ドメインの画素領域内に占める面積は互いに略等しくすることが好ましい。具体的には、４つの液晶ドメインのうちの最大の液晶ドメインの面積と最小の液晶ドメインの面積との差が、最大の面積の２５％以下であることが好ましい。また、２分割配向構造においては、２つの液晶ドメインのチルト方向が略１８０°異なっていることにより、視野角特性が平均化され、良好な表示を得ることができる。

　以下の実施形態で例示する垂直配向型の液晶層は、誘電異方性が負の液晶分子（誘電異方性が負のネマチック液晶材料）を含み、一方の配向膜によって規定されるプレチルト方向と、他方の配向膜によって規定されるプレチルト方向とは互いに略９０°異なっており、これら２つのプレチルト方向の中間の方向にチルト方向（基準配向方向）が規定されている。液晶層に電圧を印加したときには、配向膜の近傍の液晶分子は配向膜の配向規制力に従ってツイスト配向をとる。このように、プレチルト方向（配向処理方向）が互いに直交するように設けられた一対の垂直配向膜を用いることにより、液晶分子がツイスト配向となるＶＡモードは、既に説明したようにＶＡＴＮモードと呼ばれることもある。

　ＶＡＴＮモードにおいては、一対の配向膜のそれぞれによって規定されるプレチルト角は互いに略等しいことが好ましい。プレチルト角が略等しいことにより、表示輝度特性を向上させることができるという利点が得られる。特に、プレチルト角の差を１°以下にすることによって、液晶層の中央付近の液晶分子のチルト方向（基準配向方向）を安定に制御することが可能となり、表示輝度特性を向上させることができる。これは、上記プレチルト角の差が１°を超えると、所望の透過率よりも高い透過率となる領域が形成されコントラスト比が低下するためと考えられる。

　配向膜によってプレチルト方向を規定する方法としては、ラビング処理を行う方法、光配向処理を行う方法、配向膜の下地に微細な構造を予め形成しておきその微細構造を配向膜の表面に反映させる方法、あるいは、ＳｉＯなどの無機物質を斜め蒸着することによって表面に微細な構造を有する配向膜を形成する方法などが知られているが、量産性の観点からは、ラビング処理または光配向処理が好ましい。特に、光配向処理は、非接触で処理できるので、ラビング処理のように摩擦による静電気の発生がなく、歩留まりを向上させることができる。さらに、感光性基を含む光配向膜を用いることによって、プレチルト角のばらつきを１°以下に制御することができる。感光性基としては、４－カルコン基、４’－カルコン基、クマリン基およびシンナモイル基からなる群より選ばれる少なくとも一つの感光性基を含むことが好ましい。

　（光配向膜による配向分割）
　次に、光配向膜による配向分割方法を説明する。

　まず、図１に例示する４分割配向構造の画素領域Ｐ１について説明を行う。なお、図１には、説明の簡単さのために、略正方形の画素電極に対応する略正方形の画素領域Ｐ１を示しているが、本発明は画素領域の形状に制限されるものではない。画素領域Ｐ１は略長方形であってもよい。

　画素領域Ｐ１は、４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤを有する。液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれのチルト方向（基準配向方向）をｔ１、ｔ２、ｔ３およびｔ４とすると、これらは、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向である。図１では、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤの面積は互いに等しく、図１に示す例は、視野角特性上最も好ましい４分割構造の例である。また、４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤは、２行２列のマトリクス状に配置されている。

　なお、ここで、液晶層を介して互いに対向する一対の偏光板は、透過軸（偏光軸）が互いに略直交するように配置されており、より具体的には、一方の透過軸が表示面の水平方向に略平行で、他方の透過軸が表示面の垂直方向に略平行となるように配置されている。以下、特に示さない限り、偏光板の透過軸の配置はこれと同じである。

　表示面における水平方向の方位角（３時方向）を０°とすると、液晶ドメインＡのチルト方向ｔ１は略２２５°方向であり、液晶ドメインＢのチルト方向ｔ２は略３１５°方向である。また、液晶ドメインＣのチルト方向ｔ３は略４５°方向であり、液晶ドメインＤのチルト方向ｔ４は略１３５°方向である。つまり、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤは、それぞれのチルト方向が、隣接する液晶ドメイン間で略９０°異なるように配置されている。

　図２（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、図１に示した画素領域Ｐ１の分割方法を説明するための図である。図２（ａ）は、背面基板（下側基板）に設けられている光配向膜によって規定されるプレチルト方向ＰＡ１およびＰＡ２を示し、図２（ｂ）は、前面基板（上側基板）に設けられている光配向膜によって規定されるプレチルト方向ＰＢ１およびＰＢ２を示している。また、図２（ｃ）は、液晶層に電圧を印加したときのチルト方向を示している。これらの図では、観察者側から見たときの液晶分子の配向方向を模式的に示しており、円柱状に示した液晶分子の端部（楕円形部分）が描かれている方が観察者に近いように、液晶分子がチルトしていることを示している。

　背面基板側の領域（１つの画素領域Ｐ１に対応する領域）は、図２（ａ）に示すように、左右に２分割されており、それぞれの領域（左側領域と右側領域）の垂直配向膜に反平行なプレチルト方向ＰＡ１およびＰＡ２が付与されるように配向処理されている。ここでは、矢印で示した方向から紫外線を斜め照射することによって光配向処理が行われている。

　前面基板側の領域（１つの画素領域Ｐ１に対応する領域）は、図２（ｂ）に示すように、上下に２分割されており、それぞれの領域（上側領域と下側領域）の垂直配向膜に反平行なプレチルト方向ＰＢ１およびＰＢ２が付与されるように配向処理されている。ここでは、矢印で示した方向から紫外線を斜め照射することによって光配向処理が行われている。

　図２（ａ）および（ｂ）に示したように配向処理がなされた背面基板および前面基板を貼り合わせることによって、図２（ｃ）に示すように配向分割された画素領域Ｐ１を形成することができる。図２（ｃ）からわかるように、液晶ドメインＡ～Ｄのそれぞれについて、背面基板の光配向膜によって規定されるプレチルト方向と、前面基板の光配向膜によって規定されるプレチルト方向とは互いに略９０°異なっており、これら２つのプレチルト方向の中間の方向にチルト方向（基準配向方向）が規定されている。

　なお、１つの画素領域を４つの液晶ドメインＡ～Ｄに配向分割する方法（画素領域内での液晶ドメインＡ～Ｄの配置）は、図２の例に限定されない。

　例えば、図３（ａ）および（ｂ）に示したように配向処理がなされた背面基板および前面基板を貼り合わせることによって、図３（ｃ）に示すように配向分割された画素領域Ｐ２を形成することができる。画素領域Ｐ２は、画素領域Ｐ１と同様、４つの液晶ドメインＡ～Ｄを有する。液晶ドメインＡ～Ｄのそれぞれのチルト方向は、画素領域Ｐ１の液晶ドメインＡ～Ｄと同じである。

　ただし、画素領域Ｐ１では、液晶ドメインＡ～Ｄが左上、左下、右下、右上の順に（つまり左上から反時計回りに）配置されているのに対し、画素領域Ｐ２では、液晶ドメインＡ～Ｄは、右下、右上、左上、左下の順に（つまり右下から反時計回りに）配置されている。これは、画素領域Ｐ１と画素領域Ｐ２とでは、背面基板の左側領域および右側領域と前面基板の上側領域および下側領域のそれぞれについて、プレチルト方向が反対だからである。

　また、図４（ａ）および（ｂ）に示したように配向処理がなされた背面基板および前面基板を貼り合わせることによって、図４（ｃ）に示すように配向分割された画素領域Ｐ３を形成することができる。画素領域Ｐ３は、画素領域Ｐ１と同様、４つの液晶ドメインＡ～Ｄを有する。液晶ドメインＡ～Ｄのそれぞれのチルト方向は、画素領域Ｐ１の液晶ドメインＡ～Ｄと同じである。

　ただし、画素領域Ｐ３では、液晶ドメインＡ～Ｄは、右上、右下、左下、左上の順に（つまり右上から時計回りに）配置されている。これは、画素領域Ｐ１と画素領域Ｐ３とでは、背面基板の左側領域および右側領域について、プレチルト方向が反対だからである。

　また、図５（ａ）および（ｂ）に示したように配向処理がなされた背面基板および前面基板を貼り合わせることによって、図５（ｃ）に示すように配向分割された画素領域Ｐ４を形成することができる。画素領域Ｐ４は、画素領域Ｐ１と同様、４つの液晶ドメインＡ～Ｄを有する。液晶ドメインＡ～Ｄのそれぞれのチルト方向は、画素領域Ｐ１の液晶ドメインＡ～Ｄと同じである。

　ただし、画素領域Ｐ４では、液晶ドメインＡ～Ｄは、左下、左上、右上、右下の順に（つまり左下から時計回りに）配置されている。これは、画素領域Ｐ１と画素領域Ｐ４とでは、前面基板の上側領域および下側領域について、プレチルト方向が反対だからである。

　続いて、本発明の好適な実施形態を具体的に説明する。

　（実施形態１）
　図６および図７に、本実施形態における液晶表示装置１００を示す。液晶表示装置１００は、マトリクス状に配列された複数の画素領域を有している。図６は、液晶表示装置１００の複数の画素領域のうちの１つを模式的に示す平面図であり、図７は、図６中の７Ａ－７Ａ’線に沿った断面図である。

　液晶表示装置１００は、図７に示すように、液晶層３０と、液晶層３０を介して互いに対向するアクティブマトリクス基板１０および対向基板２０とを備える。また、液晶表示装置１００は、画素電極１１および対向電極２１と、一対の光配向膜１２および２２とを備える。

　液晶層３０は、垂直配向型の液晶層である。液晶層３０は、負の誘電異方性を有する液晶分子（ここでは不図示）を含む。

　アクティブマトリクス基板１０は、透明な絶縁性基板（例えばガラス基板）１０ａと、各画素領域に設けられたスイッチング素子（ここでは不図示）とを含む。スイッチング素子としては、典型的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられる。スイッチング素子がＴＦＴである場合、アクティブマトリクス基板１０は、さらに、ＴＦＴに走査信号を供給する走査線と、ＴＦＴに映像信号（階調電圧）を供給する信号線とを有する。また、補助容量が設けられている場合には、アクティブマトリクス基板１０は、補助容量を構成する一対の電極や、それらの電極のうちの一方に所定の電圧（後述するＣＳ電圧）を供給する補助容量線なども有する。

　対向基板２０は、透明な絶縁性基板（例えばガラス基板）２０ａを有する。典型的には、対向基板２０は、カラーフィルタ層（不図示）をさらに有する。そのため、対向基板２０は、カラーフィルタ基板と呼ばれることもある。

　画素電極１１は、アクティブマトリクス基板１０の液晶層３０側に設けられている。画素電極１１は、各画素領域に配置されており、上述したスイッチング素子に電気的に接続されている。画素電極１１は、透明な導電材料（例えばＩＴＯ）から形成されている。

　対向電極２１は、対向基板２０の液晶層３０側に設けられている。典型的には、対向電極２１は、複数の画素電極１１に共通する単一の電極である（そのため共通電極と呼ばれることもある）。対向電極２１は、透明な導電材料（例えばＩＴＯ）から形成されている。

　一対の光配向膜１２および２２のうちの一方（以下では「第１光配向膜」と呼ぶ）１２は、画素電極１１と液晶層３０との間に設けられており、他方（以下では「第２光配向膜」と呼ぶ）２２は、対向電極２１と液晶層３０との間に設けられている。

　液晶表示装置１００は、さらに、液晶層３を介して互いに対向するように設けられた一対の偏光板１３および２３を備える。一対の偏光板１３および２３は、それぞれの透過軸（偏光軸）が互いに略直交するように配置されている。

　液晶表示装置１００の各画素領域は、図６に示すように、図１および図２（ｃ）に示した画素領域Ｐ１と同様に配向分割されている。つまり、液晶表示装置１００の各画素領域は、画素電極１１と対向電極２１との間に電圧が印加されたときのチルト方向ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４がそれぞれ略２２５°方向、略３１５°方向、略４５°方向、略１３５°方向である４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤを有する。液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれのチルト方向（基準配向方向）は、一対の光配向膜１２および２２によって規定される。その透過軸が互いに直交するように配置された一対の偏光板１３および２３の一方の透過軸が表示面の水平方向に略平行であり、他方の透過軸が表示面の垂直方向に略平行であるので、液晶ドメインＡ～Ｄのそれぞれの基準配向方向は、偏光板１３および２３の透過軸と略４５°の角をなす。

　液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域に着目したとき、第１光配向膜１２によって規定されるプレチルト方向と、第２光配向膜２２によって規定されるプレチルト方向とは互いに略９０°異なる。第１光配向膜１２によって規定されるプレチルト角と、第２光配向膜２２によって規定されるプレチルト角とは、既に述べたように、互いに略等しいことが好ましい。

　本実施形態における液晶表示装置１００では、画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の一部に、スリット形成領域１１Ｒ１（図６において一点鎖線で囲まれた直角台形状の領域である）を有する。スリット形成領域１１Ｒ１には、複数のスリット１１ｓが形成されている。つまり、スリット形成領域１１Ｒ１には、導電膜が除去された部分が存在している。

　複数のスリット１１ｓは、基準配向方向（上述したように一対の光配向膜１２および２２によって規定される）に略平行に延びている。つまり、液晶ドメインＡに対応するスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓは、基準配向方向ｔ１（略２２５°方向）に略平行であり、液晶ドメインＢに対応するスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓは、基準配向方向ｔ２（略３１５°方向）に略平行である。また、液晶ドメインＣに対応するスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓは、基準配向方向ｔ３（略４５°方向）に略平行であり、液晶ドメインＤに対応するスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓは、基準配向方向ｔ４（略１３５°方向）に略平行である。本実施形態では、スリット形成領域１１Ｒ１内の複数のスリット１１ｓは、実質的に同じ幅Ｗを有する。

　また、画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の他の一部に、スリット非形成領域（べた領域）１１Ｒ２（図６において長破線で囲まれた直角台形状の領域である）を有する。スリット非形成領域１１Ｒ２には、スリットが形成されていない。つまり、スリット非形成領域１１Ｒ２には、導電膜が除去された部分が実質的に存在していない。

　上述したように、本実施形態における液晶表示装置１００では、一対の光配向膜１２および２２が、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤの基準配向方向（チルト方向）を規定する。つまり、画素領域の配向分割は、専ら第１光配向膜１２および第２光配向膜２２によって行われている。

　また、画素電極１１に形成されたスリット１１ｓは、スリット１１ｓ上の液晶層３０における実効的な印加電圧を低下させる。スリット形成領域１１Ｒ１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の一部に存在しているので、各液晶ドメイン内に、液晶層３０への印加電圧が互いに異なる２つの領域、すなわち、相対的に印加電圧が低いスリット形成領域１１Ｒ１と、相対的に印加電圧が高いスリット非形成領域１１Ｒ２とが存在することになる。そのため、γ特性の視角依存性を改善することができる。

　１つの画素領域のうち、４つのスリット形成領域１１Ｒ１を合わせたものに対応する領域が、相対的に暗い副画素（暗副画素）として機能し、４つのスリット非形成領域１１Ｒ２を合わせたものに対応する領域が、相対的に明るい副画素（明副画素）として機能する。本実施形態では、画素電極１１の、液晶ドメインＡおよびＤに対応する領域では、スリット形成領域１１Ｒ１が相対的に上側に位置し、スリット非形成領域１１Ｒ２が相対的に下側に位置している。また、画素電極１１の、液晶ドメインＢおよびＣに対応する領域では、スリット形成領域１１Ｒ１が相対的に下側に位置し、スリット非形成領域１１Ｒ２が相対的に上側に位置している。そのため、本実施形態では、明副画素が画素の中央に位置し、暗副画素の半分が画素の上側に位置し、暗副画素の残り半分が画素の下側に位置する。

　スリット１１ｓ上の液晶層３０における実効的な印加電圧の低下量は、スリット１１ｓの幅Ｗに依存する。具体的には、スリット１１ｓの幅Ｗが大きくなるほど、印加電圧の低下量は大きくなる。逆に、スリット１１ｓの幅Ｗが小さくなるほど、印加電圧の低下量は小さくなる。

　本実施形態における液晶表示装置１００では、スリット１１ｓの幅Ｗは、画素電極１１に最高階調電圧が供給されたときのスリット１１ｓ上の液晶層３０における実効的な印加電圧の低下量が０．５Ｖ以上であるように設定されている。スリット１１ｓの幅Ｗをこのように設定することにより、スリット形成領域１１Ｒ１とスリット非形成領域１１Ｒ２とでの液晶層３０への実効的な印加電圧の差を十分に大きくすることができるので、γ特性の視角依存性を改善する効果を十分に得ることができる。

　また、スリット１１ｓ上の液晶層３０における液晶分子の配向方向も、スリット１１ｓの幅Ｗに依存する。以下、図８および図９を参照しながら、この点をより具体的に説明する。図８（ａ）および（ｂ）は、スリット１１ｓの幅Ｗを仮に極端に大きくしたときの電圧印加時の液晶分子３０ａの配向状態を模式的に示す上面図および断面図である。図９（ａ）および（ｂ）は、スリット１１ｓの幅Ｗを仮に極端に小さくしたときの電圧印加時の液晶分子３０ａの配向状態を模式的に示す上面図および断面図である。

　スリット１１ｓの幅Ｗを極端に大きくすると、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶分子３０ａは、スリット１１ｓの延びる方向に直交する方向に倒れる。これは、電圧印加時にスリット１１ｓ上に形成される斜め電界（図８（ｂ）中には電気力線を矢印で示している）が、液晶分子３０ａをそのような方向に倒すように作用するためである。なお、ＭＶＡモードの液晶表示装置の電極に、配向規制構造としてスリットが形成されている場合にも、電圧印加時に液晶分子はスリットの延びる方向に直交する方向に倒れる。

　これに対し、スリット１１ｓの幅Ｗを極端に小さくすると、図９（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶分子３０ａは、スリット１１ｓの延びる方向に平行な方向に倒れる。この理由は、以下の通りである。電圧印加時にスリット１１ｓ上に形成される斜め電界（図９（ｂ）中には電気力線を矢印で示している）自体は、液晶分子３０ａをスリット１１ｓの延びる方向に直交する方向に倒すように作用する。しかしながら、スリット１１ｓの幅Ｗが極端に小さい場合には、液晶分子３０ａがその方向に倒れると液晶分子３０ａ同士がぶつかることになる（図９（ｂ）の左側にその様子を模式的に示している）。そのため、結果的には、液晶分子３０ａは、スリット１１ｓの延びる方向に平行な方向に倒れる。なお、フィッシュボーン型画素電極を設けた場合にも、電圧印加時に液晶分子はスリットの延びる方向に平行な方向に倒れる。

　既に説明したように、スリット１１ｓが形成されていることによる印加電圧の低下量は、スリット１１ｓの幅Ｗに依存する。従って、スリット１１ｓの幅Ｗが極端に小さいと、実効的な印加電圧がほとんど低下しない。そのため、γ特性の視角依存性を改善するためには、スリット１１ｓの幅Ｗをある程度大きくする必要があるが、スリット１１ｓの幅Ｗを大きくするにつれ、電圧印加時の液晶分子３０ａの配向方向は、最も好ましい方向、つまり、第１光配向膜１２および第２光配向膜２２によって規定される基準配向方向（スリット１１ｓの延びる方向に略平行な方向）からずれる（最も極端な場合が図８（ａ）および（ｂ）に示した状態である）。液晶分子３０ａの配向方向がずれると、透過率が低下し、表示輝度が低下してしまう。

　本実施形態における液晶表示装置１００では、スリット１１ｓの幅Ｗは、画素電極１１に最高階調電圧が供給されたときのスリット１１ｓ上の液晶層３０における液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°未満であるように設定されている。スリット１１ｓの幅Ｗをこのように設定することにより、表示輝度の低下を抑制することができる。液晶分子３０ａの配向方向（配向方位）が背面側の偏光板１３の透過軸となす角をθとすると、透過率は、ｓｉｎ²（２θ）に比例する。従って、θは４５°であることが最も好ましい。スリット１１ｓの幅Ｗを広げるにつれ、θは４５°から小さくなり、θが０°になると透過率が最低になってしまう。本実施形態における液晶表示装置１００では、スリット１１ｓの幅Ｗが上述したように設定されているので、表示輝度の低下を抑制することができる。

　ここまで説明したように、本実施形態における液晶表示装置１００では、画素電極１１が、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の一部にスリット形成領域１１Ｒ１を有していることによって、画素領域内に実効的な印加電圧の異なる（つまり表示輝度の異なる）２種類の領域が形成されている。そのため、液晶表示装置１００では、画素分割駆動技術のような複雑な回路構成は必要ではなく、比較的簡単な回路構成で、γ特性の視角依存性の改善を実現することができる。また、本実施形態における液晶表示装置１００では、一対の光配向膜１２および２２によって、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤの基準配向方向が規定されている。つまり、画素領域の配向分割は、液晶層３０の液晶分子３０ａに対して面状に配向規制力を及ぼす第１光配向膜１２および第２光配向膜２２によって行われている。従って、複数の（ここでは２つの）副画素の面積比を不均等にした結果、ある副画素の面積が小さくなっても、良好な分割配向状態を得ることができる。そのため、複数の副画素の面積比の決定に厳しい制約がなく、γ特性の視角依存性を改善する効果を十分に高くすることができる。

　さらに、本実施形態における液晶表示装置１００では、スリット１１ｓの幅Ｗが、画素電極１１に最高階調電圧が供給されたときの実効的な印加電圧の低下量が０．５Ｖ以上であり、且つ、液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°未満であるように設定されている。そのため、γ特性の視角依存性の改善効果を十分に得ることができるとともに、表示輝度の低下を抑制することができる。図８および図９を参照しながら説明したことからもわかるように、本実施形態における液晶表示装置１００の画素電極１１に形成されているスリット１１ｓの幅Ｗは、ＭＶＡモードの液晶表示装置において電極に形成されているスリットの幅と、フィッシュボーン型画素電極に形成されているスリットの幅との中間的な幅であるといえる。

　なお、スリット１１ｓの幅Ｗを適切に設定することによって上述の効果を好適に得ることができるのは、本実施形態における液晶表示装置１００が光配向膜１２および２２を備えており、光配向膜１２および２２によって規定される基準配向方向とスリット１１ｓとが略平行であるからである。図８および図９を参照しながら既に説明したことからもわかるように、液晶分子の配向方向自体はスリット１１ｓに略平行なまま、液晶層３０への実効的な印加電圧を変える（低下させる）ことが理想である。光配向膜１２および２２が設けられていない場合には、当然ながら、光配向膜１２および２２による配向規制力が存在しないので、スリット１１ｓの幅Ｗを十分に大きくして液晶層３０への実効的な印加電圧を十分に低下させようとすると（例えばスリット１１ｓの幅Ｗを４μｍ程度にして液晶層３０への実効的な印加電圧を１Ｖ程度低下させようとすると）、液晶分子の配向方向が所望の方向から大きくずれてしまい、十分な輝度を保つことができない。これに対して、本実施形態では、一対の光配向膜１２および２２によって、液晶分子の配向方向がスリット１１ｓに略平行な方向に規制されているので、スリット１１ｓの幅Ｗを十分に大きくして液晶層３０への実効的な印加電圧を十分に低下させた場合（例えばスリット１１ｓの幅Ｗを４μｍ程度にして液晶層３０への実効的な印加電圧を１Ｖ程度低下させた場合）でも、液晶分子の配向方向がそれほど大きくずれないので、十分に明るい表示を実現することができる。

　このように、基準配向方向が光配向膜１２および２２によって規定されていることにより、液晶分子の配向方向を本来の方向に十分近く維持したまま、液晶層３０への実効的な印加電圧を有意に変えることができる。

　なお、γ特性の視角依存性の改善効果をいっそう高くする観点からは、スリット１１ｓの幅Ｗは、画素電極１１に最高階調電圧が供給されたときのスリット１１ｓ上の液晶層３０における実効的な印加電圧の低下量が１．０Ｖ以上であるように設定されていることがより好ましい。

　また、表示輝度の低下を抑制する観点からは、スリット１１ｓの幅Ｗは、画素電極１１に最高階調電圧が供給されたときのスリット１１ｓ上の液晶層３０における液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが３０°以下であるように設定されていることがより好ましい。ずれが３０°以下であれば、表示輝度として本来の輝度の１／４以上の輝度を確保することができるので、十分に高品位の表示が可能である。

　続いて、図１０を参照しながら、スリット１１ｓの幅Ｗの具体的な好ましい範囲を説明する。図１０は、スリット１１ｓの幅Ｗを変化させてその影響を検証した結果を説明するためのグラフである。図１０の横軸は、スリット１１ｓの幅Ｗである。また、図１０の右側の縦軸は、スリット１１ｓ上の液晶層３０における実効的な印加電圧の低下量であり、図１０の左側の縦軸は、背面側の偏光板１３の透過軸の方位を０°としたときの液晶分子３０ａの配向方向（方位）である。液晶分子３０ａが理想的に配向している（つまり基準配向方向に平行に配向している）場合、液晶分子３０ａの配向方向は＋４５°方向である。なお、ここでは、スリット１１ｓの幅Ｗとスリット１１ｓのピッチｐ（図６参照）とは同じ大きさである。

　既に説明したように、γ特性の視角依存性を改善するためには、実効的な印加電圧の低下量は０．５Ｖ以上であることが好ましく、１．０Ｖ以上であることがより好ましい。従って、図１０からわかるように、スリット１１ｓの幅Ｗは、２．５μｍ以上であることが好ましく、４．０μｍ以上であることがより好ましい。

　また、既に説明したように、液晶分子３０ａの配向方向のずれに起因する表示輝度の低下を抑制するためには、液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°未満であることが好ましく、３０°以下であることがより好ましい。図１０において、液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°、３０°であるのは、それぞれ液晶分子３０ａの配向方向が０°方向、＋１５°方向であるときである。従って、図１０からわかるように、スリット１１ｓの幅Ｗは、８．０μｍ未満であることが好ましく、６．０μｍ以下であることがより好ましい。

　なお、ここでは、スリット１１ｓの幅Ｗとスリット１１ｓのピッチｐとが同じ大きさである場合についての検証結果を説明したが、スリット１１ｓの幅Ｗとスリット１１ｓのピッチｐが異なっている場合でもほぼ同様の検証結果が得られた。つまり、スリット１１ｓ上の液晶層３０における、実効的な印加電圧の低下量や液晶分子３０ａの配向方向のずれは、主にスリット１１ｓの幅Ｗに依存し、スリット１１ｓのピッチｐにはほとんど依存しない。ただし、画素電極１１を断線することなく歩留りよく形成する観点から、スリット１１ｓのピッチｐは、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。

　スリット形成領域１１Ｒ１およびスリット非形成領域１１Ｒ２の形状は、図６に例示している直角台形に限定されるものではない。スリット形成領域１１Ｒ１およびスリット非形成領域１１Ｒ２は、任意の形状であってよい。

　また、スリット形成領域１１Ｒ１とスリット形成領域１１Ｒ２との面積比は、図６に例示されている画素電極１１における面積比に限定されるものではなく、任意に設定され得る。ただし、γ特性の視角依存性を改善する観点からは、画素電極１１の各液晶ドメインに対応する領域内において、スリット形成領域１１Ｒ１が占める割合は１／３以上であることが好ましく、２／３以上であることがより好ましい。

　（実施形態２）
　図１１および図１２に、本実施形態における液晶表示装置２００を示す。図１１は、液晶表示装置２００の１つの画素領域を模式的に示す平面図であり、図１２は、図１１中の１２Ａ－１２Ａ’線に沿った断面図である。なお、以下では、液晶表示装置２００が実施形態１における液晶表示装置１００と異なる点を中心に説明を行う。図中では、液晶表示装置１００の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する（以降の実施形態についても同様である）。

　液晶表示装置２００のアクティブマトリクス基板１０は、画素電極１１の下方に誘電体層１４を隔てて設けられた電極（以下では「下層電極」と呼ぶ）１５をさらに有する。この下層電極１５は、透明な導電材料（例えばＩＴＯ）から形成されている。図１１に例示している構成では、下層電極１５は、画素電極１１の全体に重なるように配置されている。

　下層電極１５には、画素電極１１とは異なる電圧が供給される。具体的には、下層電極１５には、対向電極２１に供給される電圧と実質的に同じ電圧が供給される。

　本実施形態における液晶表示装置２００では、上述したような下層電極１５が設けられていることにより、実施形態１の液晶表示装置１００に比べ、スリット１１ｓ上の液晶層３０における実効的な印加電圧の低下量を大きくすることが可能となる。従って、スリット１１ｓの幅Ｗをそれほど大きくしなくても、実効的な印加電圧の低下量を十分に確保することができるので、液晶分子３０ａの配向方向のずれに起因した表示輝度の低下を十分に抑制しつつ、γ特性の視角依存性を十分に改善することができる。

　続いて、図１３を参照しながら、下層電極１５を備える液晶表示装置２００におけるスリット１１ｓの幅Ｗの具体的な好ましい範囲を説明する。図１３は、スリット１１ｓの幅Ｗを変化させてその影響を検証した結果を説明するためのグラフである。図１３の横軸は、スリット１１ｓの幅Ｗである。また、図１３の右側の縦軸は、スリット１１ｓ上の液晶層３０における実効的な印加電圧の低下量であり、図１３の左側の縦軸は、背面側の偏光板１３の透過軸の方位を０°としたときの液晶分子３０ａの配向方向（方位）である。液晶分子３０ａが理想的に配向している（つまり基準配向方向に平行（すなわちスリット１１ｓに平行）に配向している）場合、液晶分子３０ａの配向方向は＋４５°方向である。なお、ここでは、スリット１１ｓの幅Ｗとスリット１１ｓのピッチｐとは同じ大きさである。

　既に説明したように、γ特性の視角依存性を改善するためには、実効的な印加電圧の低下量は０．５Ｖ以上であることが好ましく、１．０Ｖ以上であることがより好ましい。従って、図１３からわかるように、スリット１１ｓの幅Ｗは、１．０μｍ以上であることが好ましく、２．０μｍ以上であることがより好ましい。

　また、既に説明したように、液晶分子３０ａの配向方向のずれに起因する表示輝度の低下を抑制するためには、液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°未満であることが好ましく、３０°以下であることがより好ましい。図１３において、液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°、３０°であるのは、それぞれ液晶分子３０ａの配向方向が０°方向、＋１５°方向であるときである。従って、図１３からわかるように、スリット１１ｓの幅Ｗは、６．０μｍ未満であることが好ましく、４．５μｍ以下であることがより好ましい。

　図１４に、画素電極１１のＴＦＴ１６への電気的な接続の例を示す。図１４には、ＴＦＴ１６の他に、走査線１７、信号線１８およびコモン信号線（補助容量線）１９が示されている。

　図１４に示す例では、ＴＦＴ１６近傍において、スリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓが省略されており、スリット１１ｓが省略された領域に形成されたコンタクトホールＣＨ１において、画素電極１１がＴＦＴ１６のドレイン電極に接続されている。あるいは、もともとスリットが形成されていないスリット非形成領域１１Ｒ２にまで（つまり画素領域の中央まで）ＴＦＴ１６のドレイン電極から導電層（接続電極）を延ばし、画素領域の中央に形成されたコンタクトホールにおいて、画素電極１１が接続電極に接続されていてもよい。図１４には、このような構成を採用した場合の、接続電極１６ｄｃおよびコンタクトホールＣＨ２も示されている。

　なお、ＴＦＴ１６のソース電極およびドレイン電極や接続電極１６ｄｃは、例えば、信号線１８と同じ導電膜（ソースメタル層）から形成される。ソースメタル層の上方に下層電極１５が位置している場合には、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ２が形成される領域においては、下層電極１５の導電膜は除去されている。

　また、下層電極１５は、コモン信号線１９に電気的に接続されており、コモン信号線１９から、対向電極２１に供給される電圧と実質的に同じ電圧を供給される。コモン信号線１９は、例えば、走査線１７やＴＦＴ１６のゲート電極と同じ導電膜（ゲートメタル層）から形成されている。画素電極１１と、画素電極１１に対向する下層電極１５と、これらの間に位置する誘電体層１４とによって、補助容量が構成され得る。あるいは、補助容量は、画素電極１１の下方に設けられ画素電極１１に電気的に接続された電極（例えば信号線１８と同じ導電膜、つまり、ソースメタル層をパターニングすることによって形成された金属電極）と、この電極よりもさらに下方に設けられ対向電極２１に供給される電圧と実質的に同じ電圧を供給されるさらなる電極（例えば走査線１７と同じ導電膜、つまり、ゲートメタル層をパターニングすることによって形成された金属電極）と、これらの間に位置する誘電体層（例えばゲート絶縁膜）とによって構成されてもよい。

　下層電極１５が信号線１８と交差する場合には、交差部における下層電極１５の幅Ｗ_LEが小さいことが好ましく、具体的には１０μｍ程度であることが好ましい。信号線１８と下層電極１５との間に形成される静電容量を小さくするためである。

　（実施形態３）
　図１５に、本実施形態における液晶表示装置３００を示す。図１５は、液晶表示装置３００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　本実施形態における液晶表示装置３００と、実施形態１における液晶表示装置１００とでは、画素電極１１のスリット形成領域１１Ｒ１およびスリット非形成領域１１Ｒ２の位置関係が異なっている。

　本実施形態では、図１５に示すように、画素電極１１の、液晶ドメインＡおよびＤに対応する領域では、スリット形成領域１１Ｒ１が相対的に下側に位置し、スリット非形成領域１１Ｒ２が相対的に上側に位置している。また、画素電極１１の、液晶ドメインＢおよびＣに対応する領域では、スリット形成領域１１Ｒ１が相対的に上側に位置し、スリット非形成領域１１Ｒ２が相対的に下側に位置している。つまり、実施形態１の液晶表示装置１００では、画素領域の上側および下側にスリット１１ｓが配置されているのに対し、本実施形態の液晶表示装置３００では、画素領域の中央にスリット１１ｓが配置されている。そのため、本実施形態では、暗副画素が画素の中央に位置し、明副画素の半分が画素の上側に位置し、明副画素の残り半分が画素の下側に位置する。

　本実施形態における液晶表示装置３００においても、γ特性の視角依存性を改善することができる。また、本実施形態における液晶表示装置３００では、画素領域の中央に配置されたスリット１１ｓの配向規制力により、画素領域の中央での配向の安定性を向上させることができる。なお、実施形態１における液晶表示装置１００のように、画素領域の中央ではなく上側および下側に（つまり画素領域内で相対的に外側に）スリット１１ｓが配置されている構成を採用すると、走査線１７や信号線１８などのバスラインの電位による斜め電界が配向に及ぼす悪影響を抑制することができるという利点が得られる。

　（実施形態４）
　図１６に、本実施形態における液晶表示装置４００を示す。図１６は、液晶表示装置４００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　本実施形態における液晶表示装置４００と、実施形態１における液晶表示装置１００とでは、画素電極１１のスリット形成領域１１Ｒ１におけるスリット１１ｓと導電膜との配置関係が異なっている。

　実施形態１における液晶表示装置１００では、図６に示したように、表示面法線方向から見たとき、スリット１１ｓは、画素電極１１の導電膜によって完全に包囲されている。これに対し、本実施形態における液晶表示装置４００では、図１６に示すように、表示面法線方向から見たとき、スリット１１ｓは、画素電極１１の導電膜によって完全には包囲されていない。具体的には、スリット１１ｓは、その一端部が開いている。より具体的には、液晶ドメインＡおよびＤに対応する領域では、スリット１１ｓの右側端部が開いており、液晶ドメインＢおよびＣに対応する領域では、スリット１１ｓの左側端部が開いている。このようにスリット１１ｓの一端部が開いていると、斜め電界による配向規制力が有効に働き、液晶分子３０ａを基準配向方向にいっそう配向させやすくなる。

　一方、スリット１１ｓが画素電極１１の導電膜によって完全に包囲されていると、ディスクリネーションが発生しにくいという利点が得られる。

　（実施形態５）
　図１７に、本実施形態における液晶表示装置５００を示す。図１７は、液晶表示装置５００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　本実施形態における液晶表示装置５００では、スリット形成領域１１Ｒ１を含む画素電極１１と、画素分割駆動技術とが組み合わせて用いられている。図１７に示すように、液晶表示装置５００の画素電極１１は、複数の（ここでは２つの）副画素電極１１ａおよび１１ｂを含む。２つの副画素電極１１ａおよび１１ｂの一方（以下では「第１副画素電極」と呼ぶ）１１ａには、第１ＴＦＴ１６ａおよび第１補助容量ＣＳ１が接続されている。また、他方（以下では「第２副画素電極」と呼ぶ）１１ｂには、第２ＴＦＴ１６ｂおよび第２補助容量ＣＳ２が接続されている。液晶表示装置５００の各画素領域は、複数の副画素電極１１ａおよび１１ｂに対応する複数の（ここでは２つの）副画素領域を含む。

　第１ＴＦＴ１６ａおよび第２ＴＦＴ１６ｂのゲ－ト電極は、共通の走査線１７に接続されている。また、第１ＴＦＴ１６ａおよび第２ＴＦＴ１６ｂのソース電極は、共通の（つまり同一の）信号線１８に接続されている。

　第１補助容量ＣＳ１は、第１補助容量線１９ａに接続されており、第２補助容量ＣＳ２は、第２補助容量線１９ｂに接続されている。第１補助容量ＣＳ１を構成する一対の電極のうちの一方（補助容量対向電極；ここでは第１補助容量線１９ａの一部）は、第１補助容量線１９ａから補助容量対向電圧を供給される。また、第２補助容量ＣＳ２を構成する一対の電極のうちの一方（補助容量対向電極；ここでは第２補助容量線１９ｂの一部）は、第２補助容量線１９ｂから補助容量対向電圧を供給される。第１補助容量ＣＳ１および第２補助容量ＣＳ２の補助容量対向電極は、互いに独立しているので、それぞれ対応する補助容量線（第１補助容量線１９ａまたは第２補助容量線１９ｂ）から互いに異なる補助容量対向電圧（「ＣＳ電圧」ともいう。）を供給され得る。

　第１副画素電極１１ａおよび第２副画素電極１１ｂに、共通の信号線１８から表示信号電圧が供給され、第１ＴＦＴ１６ａおよび第２ＴＦＴ１６ｂがオフ状態とされた後、第１補助容量ＣＳ１および第２補助容量ＣＳ２の補助容量対向電極の電圧（すなわち、第１補助容量線１９ａまたは第２補助容量線１９ｂから供給される電圧）の変化量（変化の方向および大きさによって規定される）を異ならせることによって、容量分割を利用して第１副画素電極１１ａおよび第２副画素電極１１ｂへの印加電圧を互いに異ならせることができる。

　液晶表示装置５００では、２つの副画素領域のそれぞれが、４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤを有する。第１副画素電極１１ａおよび第２副画素電極１１ｂのそれぞれは、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域に、スリット形成領域１１Ｒ１とスリット非形成領域１１Ｒ２とを有する。従って、２つの副画素領域のそれぞれ内に、液晶層３０への実効的な印加電圧が異なる２つの領域が存在する。そのため、本実施形態における液晶表示装置５００では、１つの画素領域内に、液晶層３０への実効的な印加電圧が異なる４つの領域を形成することができる。従って、γ特性の視角依存性を改善する効果をいっそう高くすることができる。

　なお、本実施形態における液晶表示装置５００では、画素分割駆動技術が用いられるので、実施形態１～４における液晶表示装置１００～４００と比較すると、回路構成は幾分複雑になる。しかしながら、本実施形態のように、スリット形成領域１１Ｒ１を含む画素電極１１と画素分割駆動技術とを組み合わせて用いることにより、単純に画素分割駆動技術のみを用いる場合と比べると、同程度の回路構成で画素の分割数をより多く（つまりγ特性の視角依存性を改善する効果をより高く）できるという利点が得られる。言い換えると、γ特性の視角依存性を同程度に改善しようとする場合、スリット形成領域１１Ｒ１を含む画素電極１１と画素分割駆動技術とを組み合わせて用いることにより、単純に画素分割駆動技術のみを用いる場合と比べると回路構成を簡単にすることができる。

　図１７に例示している構成では、第１副画素電極１１ａに形成されているスリット１１ｓの幅Ｗａと、第２副画素電極１１ｂに形成されているスリット１１ｓの幅Ｗｂとは異なる。例えば、前者の幅Ｗａは５μｍであり、後者の幅Ｗｂは７μｍである。もちろん、第１副画素電極１１ａのスリット１１ｓの幅Ｗａと、第２副画素電極１１ｂのスリット１１ｓの幅Ｗｂとを同じにしてもよい。例えば、前者の幅Ｗａと後者の幅Ｗｂとをともに５μｍとしてもよい。

　（実施形態６）
　本実施形態では、画素電極１１におけるスリット１１ｓの形成パターンのバリエーションを説明する。

　図６などには、スリット形成領域１１Ｒ１内の複数のスリット１１ｓの幅Ｗが実質的に同じである構成を示しているが、スリット形成領域１１Ｒ１内に、幅Ｗの異なるスリット１１ｓが混在していてもよい。例えば、図１８に示すように、スリット形成領域１１Ｒ１内に、第１の幅Ｗ１を有するスリット１１ｓ１と、第１の幅Ｗ１とは異なる（ここでは第１の幅Ｗ１よりも小さい）第２の幅Ｗ２を有するスリット１１ｓ２とが形成されていてもよい。

　スリット形成領域１１Ｒ１内において、広い方のスリット１１ｓ１が形成されている部分（スリット形成領域１１Ｒ１の上側）と、狭い方のスリット１１ｓ２が形成されている部分（スリット形成領域１１Ｒ１の下側）とでは、液晶層３０への実効的な印加電圧の低下量が異なる。より具体的には、広い方のスリット１１ｓ１が形成されている部分では、印加電圧の低下量が相対的に大きく、狭い方のスリット１１ｓ２が形成されている部分では、印加電圧の低下量が相対的に小さい。

　広い方のスリット１１ｓ１の幅（第１の幅）Ｗ１およびピッチｐ１は、例えばそれぞれ５μｍである。狭い方のスリット１１ｓ２の幅（第２の幅）Ｗ２およびピッチｐ２は、例えばそれぞれ３μｍである。

　また、図１８には、相対的に広いスリット１１ｓ１と相対的に狭いスリット１１ｓ２とが独立に形成されている構成を示したが、図１９に示すように、これらが連続するように形成されていてもよい。図１９に示す例では、スリット形成領域１１Ｒ１の左側に広い方のスリット１１ｓ１が配置されているとともに、スリット形成領域１１Ｒ１の右側に狭い方のスリット１１ｓ２が配置されており、広い方のスリット１１ｓ１から延びるように狭い方のスリット１１ｓ２が形成されている。

　広い方のスリット１１ｓ１の幅（第１の幅）Ｗ１およびピッチｐ１は、例えばそれぞれ６μｍおよび４μｍである。狭い方のスリット１１ｓ２の幅（第２の幅）Ｗ２およびピッチｐ２は、例えばそれぞれ２μｍおよび８μｍである。

　あるいは、図２０に示すような形成パターンを採用してもよい。図２０に示す例では、スリット形成領域１１Ｒ１の左側では、広い方のスリット１１ｓ１と狭い方のスリット１１ｓ２とが交互に配置されており、スリット形成領域１１Ｒ１の右側では、狭い方のスリット１１ｓ２のみが配置されている。

　広い方のスリット１１ｓ１の幅（第１の幅）Ｗ１および狭い方のスリット１１ｓ２の幅（第２の幅）Ｗ２は、例えばそれぞれ６μｍおよび２μｍである。また、広い方のスリット１１ｓ１および狭い方のスリット１１ｓ２が混在している部分（スリット形成領域１１Ｒ１の左側）では、これらのピッチｐ１は、例えば６μｍである。狭い方のスリット１１ｓ２のみが存在している部分（スリット形成領域１１Ｒ１の右側）では、スリット１１ｓ２のピッチｐ２は、例えば１８μｍである。

　なお、図１８～図２０には、互いに幅の異なる２種類のスリットが混在している場合を示したが、互いに幅の異なる３種類以上のスリットが混在していてもよく、スリット形成領域１１Ｒ１内で複数のスリットの幅が徐々に変化しても（例えば画素領域の中央に近いスリットほど幅が小さくなるようにスリットが形成されていても）よい。

　また、これまでは、画素電極１１がスリット非形成領域１１Ｒ２を有する場合について説明を行ったが、画素電極１１はスリット非形成領域１１Ｒ２を有していなくてもよい。図２１に、スリット非形成領域１１Ｒ２を有していない液晶表示装置６００Ａを示す。

　図２１に示すように、液晶表示装置６００Ａの画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の一部に、スリット形成領域１１Ｒ１を有する。また、液晶表示装置６００Ａの画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の他の一部に、スリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗとは異なる幅Ｗ’を有するさらなるスリット１１ｓ’が形成されたさらなるスリット形成領域１１Ｒ１’を有する。以下では、スリット形成領域１１Ｒ１を「第１のスリット形成領域」と呼び、さらなるスリット形成領域１１Ｒ１’を「第２のスリット形成領域」と呼ぶ。

　第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗおよび第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’は、それぞれ、画素電極１１に最高階調電圧が供給されたときの実効的な印加電圧の低下量が０．５Ｖ以上であり、且つ、液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°未満であるように設定されている。また、図２１に例示している構成では、第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗは、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’よりも大きい。

　液晶表示装置６００Ａでは、第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗと、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’とが異なっているので、第１のスリット形成領域１１Ｒ１上の液晶層３０における印加電圧の低下量と、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’上の液晶層３０における印加電圧の低下量とは異なる。そのため、各液晶ドメイン内に、液晶層３０への印加電圧が互いに異なる２つの領域、すなわち、相対的に印加電圧が低い第１のスリット形成領域１１Ｒ１と、相対的に印加電圧が高い第２のスリット形成領域１１Ｒ１’とが存在することになる。そのため、γ特性の視角依存性を改善することができる。

　なお、γ特性の視角依存性を十分に改善する観点からは、第１のスリット形成領域１１Ｒ１上の液晶層３０と、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’上の液晶層３０とで、実効的な印加電圧の低下量の差が０．５Ｖ以上であることが好ましく、１．０Ｖ以上であることが好ましい。

　また、画素電極１１がスリット非形成領域１１Ｒ２に代えてさらなるスリット形成領域（第２のスリット形成領域）１１Ｒ１’を有する構成は、液晶分子の配向をより安定化させることができるという利点を有する。一方、実施形態１～５における液晶表示装置１００～５００のように、画素電極１１がスリット非形成領域（べた領域）１１Ｒ２を有する構成は、液晶層３０に実効的に印加される電圧の差異を最大化できるという利点を有する。

　図２２に、スリット非形成領域１１Ｒ２を有していない他の液晶表示装置６００Ｂを示す。図２２に示すように、液晶表示装置６００Ｂの画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域に、第１のスリット形成領域１１Ｒ１と、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’とを有する。

　液晶表示装置６００Ｂでは、第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓと、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’とは、連続している。このような構成であっても、液晶表示装置６００Ａと同様の効果が得られる。

　図２３に、スリット非形成領域１１Ｒ２を有していないさらに他の液晶表示装置６００Ｃを示す。図２３に示すように、液晶表示装置６００Ｃの画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域に、第１のスリット形成領域１１Ｒ１と、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’とを有する。

　液晶表示装置６００Ｃでは、第２スリット形成領域１１Ｒ１’に形成されている狭い方のスリット１１ｓ’が第１のスリット形成領域１１Ｒ１内まで延びており、第１のスリット形成領域１１Ｒ１内では、互いに幅の異なるスリット１１ｓおよび１１ｓ’が交互に配置されている。このような構成であっても、液晶表示装置６００Ａや液晶表示装置６００Ｂと同様の効果が得られる。

　（実施形態７）
　これまでの実施形態では、各画素領域が４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤを有する場合を説明したが、必ずしも画素が４分割される必要はない。本発明は、画素が２分割される構成においても好適に用いられる。

　図２４に、本実施形態における液晶表示装置７００を示す。図２４は、液晶表示装置７００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　液晶表示装置７００の各画素領域は、図２４に示すように、２つの液晶ドメインＥおよびＦを有する。液晶ドメインＥは、画素領域の左側に位置し、液晶ドメインＦは、画素領域の右側に位置する。つまり、各画素は、左右に２分割されている。液晶ドメインＥおよびＦのチルト方向（基準配向方向）ｔ５およびｔ６は、それぞれ略０°方向、略１８０°方向である。本実施形態では、一対の偏光板１３および２３は、透過軸が表示面の水平方向および垂直方向に対して略４５°の角をなすように配置されている。

　液晶表示装置７００の画素電極１１は、液晶ドメインＥおよびＦのそれぞれに対応する領域に、第１のスリット形成領域１１Ｒ１と、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’とを有する。

　本実施形態においても、第１のスリット形成領域１１Ｒ１に形成されているスリット１１ｓおよび第２のスリット形成領域１１Ｒ１’に形成されているスリット１１ｓ’は、基準配向方向に略平行に延びている。つまり、液晶ドメインＥに対応する第１のスリット形成領域１１Ｒ１および第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓおよび１１ｓ’は、基準配向方向ｔ５（略０°方向）に略平行であり、液晶ドメインＦに対応する第１のスリット形成領域１１Ｒ１および第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓおよび１１ｓ’は、基準配向方向ｔ６（略１８０°方向）に略平行である。

　第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗと、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’とは、互いに異なっており、図２４に例示している構成では、第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗは、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’よりも大きい。

　第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗおよび第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’は、それぞれ、画素電極１１に最高階調電圧が供給されたときの実効的な印加電圧の低下量が０．５Ｖ以上であり、且つ、液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°未満であるように設定されている。

　液晶表示装置７００においても、２つの液晶ドメインＥおよびＦのそれぞれ内に、液晶層３０への実効的な印加電圧が互いに異なる複数の領域が存在することになる。そのため、γ特性の視角依存性を改善することができる。

　なお、ここでは、画素電極１１が第１のスリット形成領域１１Ｒ１と第２のスリット形成領域１１Ｒ１’とを有する場合を例示したが、画素電極１１が第２のスリット形成領域１１Ｒ１’に代えて、スリットが形成されていないスリット非形成領域を有してもよい。

　上記実施形態１～７で説明したように、一対の光配向膜によって各液晶ドメインの基準配向方向が規定されるとともに、それらの基準配向方向と画素電極に形成されるスリットとが略平行である構成により、液晶分子の配向方向を本来の方向に十分近く維持したまま、液晶層への実効的な印加電圧を有意に変えることができる。そのため、スリットの幅を適切な範囲内の値に設定することにより、γ特性の視角依存性の改善効果を十分に得つつ、明るい表示を実現することができる。

　（実施形態８）
　図２５に、本実施形態における液晶表示装置８００を示す。図２５は、液晶表示装置８００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　本実施形態の液晶表示装置８００においても、画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の一部に、スリット形成領域１１Ｒ１を有する。また、画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の他の一部に、スリット非形成領域（べた領域）１１Ｒ２を有する。

　ただし、液晶表示装置８００は、各画素領域の配向分割の態様（画素領域内での液晶ドメインＡ～Ｄの配置）が、実施形態１における液晶表示装置１００とは異なっている。

　具体的には、液晶表示装置８００の各画素領域は、図２６に示す画素領域Ｐ５と同様に配向分割されている。画素領域Ｐ５は、画素領域Ｐ１と同様、４つの液晶ドメインＡ～Ｄを有する。画素領域Ｐ５の液晶ドメインＡ～Ｄのそれぞれのチルト方向（基準配向方向）は、画素領域Ｐ１の液晶ドメインＡ～Ｄのそれぞれのチルト方向と同じである。

　ただし、画素領域Ｐ１では、液晶ドメインＡ～Ｄが左上、左下、右下、右上の順に（つまり左上から反時計回りに）配置されているのに対し、画素領域Ｐ５では、液晶ドメインＡ～Ｄは、右上、左上、左下、右下の順に（つまり右上から反時計回りに）配置されている。画素領域Ｐ５の４つの液晶ドメインＡ～Ｄのチルト方向ｔ１～ｔ４は、画素領域Ｐ５の中心を向いている。

　図２７（ａ）および（ｂ）に示すように配向処理がなされた背面基板および前面基板を貼り合わせることによって、図２７（ｃ）に示すように配向分割された画素領域Ｐ５を形成することができる。背面基板および前面基板に対して図２７（ａ）および（ｂ）に示したような配向処理を施す具体的な方法については後述する。

　このように、本実施形態の液晶表示装置８００では、画素領域内における液晶ドメインＡ～Ｄの配置が、実施形態１の液晶表示装置１００と異なっている。そのため、液晶表示装置８００では、図２５に示すように、画素電極１１の左上、左下、右下および右上のそれぞれにおいてスリット１１ｓの延びる方向が、実施形態１の液晶表示装置１００と略９０°異なっている。

　本実施形態の液晶表示装置８００では、各画素領域が上述したように配向分割されていることにより、実施形態１の液晶表示装置１００に比べ、いっそう明るい表示を実現することができる。これは、図１に示した画素領域Ｐ１では、画素電極１１のエッジ近傍に、本来よりも暗い領域が形成されるのに対し、図２６に示した画素領域Ｐ５では、そのような暗い領域が形成されないからである。以下、この理由を詳しく説明する。

　画素領域Ｐ１では、ある中間調を表示するときに、図２８に示すように、表示すべき中間調よりも暗い領域ＤＲが形成される。この暗い領域ＤＲは、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤ間の境界に位置する十字状の暗線（十字状部分）ＣＬと、画素電極のエッジ近傍においてエッジに略平行に延びる直線状の暗線（直線状部分）ＳＬとを有し、全体として略卍状である。

　十字状の暗線ＣＬは、液晶ドメイン間で配向が連続的になるように、液晶分子が液晶ドメイン同士の境界で偏光板の透過軸に平行または直交するように配向することによって形成される。また、エッジ近傍の直線状の暗線ＳＬは、液晶ドメインが近接する画素電極のエッジに、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向が液晶ドメインのチルト方向（基準配向方向）と９０°超の角をなすエッジ部が存在すると、形成される。これは、液晶ドメインのチルト方向と画素電極のエッジに生成される斜め電界による配向規制力の方向が互いに対向する成分を有することになるために、この部分で液晶分子が偏光板の透過軸に平行または直交するように配向するためと考えられる。ここで、図２９を参照しながら、エッジ近傍に暗線ＳＬが発生する理由をより具体的に説明する。なお、図２９では、十字状の暗線ＣＬは省略している。

　図２９に示すように、画素電極は、４つのエッジ（辺）ＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３およびＳＤ４を有しており、電圧印加時に生成される斜め電界は、それぞれの辺に直交し、画素電極の内側に向かう方向（方位角方向）の成分を有する配向規制力を発揮する。図２９では、４つのエッジＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３およびＳＤ４に直交し、画素電極の内側に向かう方位角方向を矢印ｅ１、ｅ２、ｅ３およびｅ４で示している。

　４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれは、画素電極の４つのエッジＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３およびＳＤ４のうちの２つと近接しており、電圧印加時には、それぞれのエッジに生成される斜め電界による配向規制力を受ける。

　液晶ドメインＡが近接する画素電極のエッジのうちのエッジ部ＥＧ１では、エッジ部ＥＧ１に直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ１が液晶ドメインＡのチルト方向ｔ１と９０°超の角をなしている。その結果、液晶ドメインＡでは、電圧印加時に、このエッジ部ＥＧ１に略平行に暗線ＳＬ１が生じる。

　同様に、液晶ドメインＢが近接する画素電極のエッジのうちのエッジ部ＥＧ２では、エッジ部ＥＧ２に直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ２が液晶ドメインＢのチルト方向ｔ２と９０°超の角をなしている。その結果、液晶ドメインＢでは、電圧印加時に、このエッジ部ＥＧ２に略平行に暗線ＳＬ２が生じる。

　同様に、液晶ドメインＣが近接する画素電極のエッジのうちのエッジ部ＥＧ３では、エッジ部ＥＧ３に直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ３が液晶ドメインＣのチルト方向ｔ３と９０°超の角をなしている。その結果、液晶ドメインＣでは、電圧印加時に、このエッジ部ＥＧ３に略平行に暗線ＳＬ３が生じる。

　同様に、液晶ドメインＤが近接する画素電極のエッジのうちのエッジ部ＥＧ４では、エッジ部ＥＧ４に直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ４が液晶ドメインＤのチルト方向ｔ４と９０°超の角をなしている。その結果、液晶ドメインＤでは、電圧印加時に、このエッジ部ＥＧ４に略平行に暗線ＳＬ４が生じる。

　液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのチルト方向ｔ１、ｔ２、ｔ３およびｔ４のそれぞれが、近接するエッジ部ＥＧ１、ＥＧ２、ＥＧ３およびＥＧ４に生成される斜め電界による配向規制力の方位角成分ｅ１、ｅ２、ｅ３およびｅ４となす角は、いずれも略１３５°である。

　このように、画素領域Ｐ１では、画素電極のエッジ近傍に暗線ＳＬが形成される。また、図３（ｃ）に示した画素領域Ｐ２、図４（ｃ）に示した画素領域Ｐ３および図５（ｃ）に示した画素領域Ｐ４においても、図３０（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示すように、画素電極のエッジ近傍に暗線ＳＬ１～ＳＬ４が形成される。

　画素領域Ｐ２においても、ある中間調を表示するときに、図３０（ａ）に示すように、表示すべき中間調よりも暗い領域が形成される。この暗い領域は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤ間の境界に形成される十字状の暗線ＣＬと、画素電極のエッジ近傍に形成される直線状の暗線ＳＬ１～ＳＬ４とを有し、全体として略卍状である。

　画素領域Ｐ３においても、ある中間調を表示するときに、図３０（ｂ）に示すように、表示すべき中間調よりも暗い領域が形成される。この暗い領域は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤ間の境界に形成される十字状の暗線ＣＬと、画素電極のエッジ近傍に形成される直線状の暗線ＳＬ２およびＳＬ４とを有し、全体として略８の字状（垂直方向から傾斜した８の字状）である。画素領域Ｐ３では、液晶ドメインＡおよびＣには暗線が生じない。これは、液晶ドメインＡおよびＣのそれぞれに近接する画素電極のエッジに、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向がチルト方向と９０°超の角をなすエッジ部が存在しないためである。一方、液晶ドメインＢおよびＤには、暗線ＳＬ２およびＳＬ４が生じる。これは、液晶ドメインＢおよびＤのそれぞれに近接する画素電極のエッジに、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向がチルト方向と９０°超の角をなすエッジ部が存在しているためである。また、暗線ＳＬ２およびＳＬ４のそれぞれは、水平方向に平行な部分ＳＬ２（Ｈ）、ＳＬ４（Ｈ）と、垂直方向に平行な部分ＳＬ２（Ｖ）、ＳＬ４（Ｖ）とを含む。これは、液晶ドメインＢおよびＤのそれぞれのチルト方向が、水平なエッジ部についても、垂直なエッジ部についても、エッジ部に直交して画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角を形成するからである。

　画素領域Ｐ４においても、ある中間調を表示するときに、図３０（ｃ）に示すように、表示すべき中間調よりも暗い領域が形成される。この暗い領域は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤ間の境界に形成される十字状の暗線ＣＬと、画素電極のエッジ近傍に形成される直線状の暗線ＳＬ１およびＳＬ３とを有し、全体として略８の字状である。画素領域Ｐ４では、液晶ドメインＢおよびＤには暗線が生じない。これは、液晶ドメインＢおよびＤのそれぞれに近接する画素電極のエッジに、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向がチルト方向と９０°超の角をなすエッジ部が存在しないためである。一方、液晶ドメインＡおよびＣには、暗線ＳＬ１およびＳＬ３が生じる。これは、液晶ドメインＡおよびＣのそれぞれに近接する画素電極のエッジに、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向がチルト方向と９０°超の角をなすエッジ部が存在しているためである。また、暗線ＳＬ１およびＳＬ３のそれぞれは、水平方向に平行な部分ＳＬ１（Ｈ）、ＳＬ３（Ｈ）と、垂直方向に平行な部分ＳＬ１（Ｖ）、ＳＬ３（Ｖ）とを含む。これは、液晶ドメインＡおよびＣのそれぞれのチルト方向が、水平なエッジ部についても、垂直なエッジ部についても、エッジ部に直交して画素電極の内側に向かう方位角方向に対して９０°超の角を形成するからである。

　上述したように、画素領域Ｐ１～Ｐ４のような液晶ドメインＡ～Ｄの配置を採用すると、画素電極のエッジ近傍に暗線ＳＬが形成される。これに対し、画素領域Ｐ５では、図３１に示すように、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤ間の境界に十字状の暗線ＣＬが形成されるものの、画素電極のエッジ近傍には暗線ＳＬは形成されない。

　ここで、図３２を参照しながら、エッジ近傍に暗線ＳＬが発生しない理由を説明する。なお、図３２では、十字状の暗線ＣＬは省略している。

　画素電極のエッジのうちの液晶ドメインＡに近接する部分（エッジＳＤ３の上半分およびエッジＳＤ４の右半分）は、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ３、ｅ４が液晶ドメインＡのチルト方向ｔ１と９０°超の角をなすエッジ部を含んでいない。具体的には、液晶ドメインＡのチルト方向ｔ１は、方位角方向ｅ３、ｅ４と略４５°の角をなしている。そのため、液晶ドメインＡでは、電圧印加時に、画素電極のエッジ近傍に直線状の暗線ＳＬが生じない。

　同様に、画素電極のエッジのうちの液晶ドメインＢに近接する部分（エッジＳＤ１の上半分およびエッジＳＤ４の左半分）は、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ１、ｅ４が液晶ドメインＢのチルト方向ｔ２と９０°超の角をなすエッジ部を含んでいない。具体的には、液晶ドメインＢのチルト方向ｔ２は、方位角方向ｅ１、ｅ４と略４５°の角をなしている。そのため、液晶ドメインＢでは、電圧印加時に、画素電極のエッジ近傍に直線状の暗線ＳＬが生じない。

　同様に、画素電極のエッジのうちの液晶ドメインＣに近接する部分（エッジＳＤ１の下半分およびエッジＳＤ２の左半分）は、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ１、ｅ２が液晶ドメインＣのチルト方向ｔ３と９０°超の角をなすエッジ部を含んでいない。具体的には、液晶ドメインＣのチルト方向ｔ３は、方位角方向ｅ１、ｅ２と略４５°の角をなしている。そのため、液晶ドメインＣでは、電圧印加時に、画素電極のエッジ近傍に直線状の暗線ＳＬが生じない。

　同様に、画素電極のエッジのうちの液晶ドメインＤに近接する部分（エッジＳＤ２の右半分およびエッジＳＤ３の下半分）は、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向ｅ２、ｅ３が液晶ドメインＤのチルト方向ｔ４と９０°超の角をなすエッジ部を含んでいない。具体的には、液晶ドメインＤのチルト方向ｔ４は、方位角方向ｅ２、ｅ３と略４５°の角をなしている。そのため、液晶ドメインＤでは、電圧印加時に、画素電極のエッジ近傍に直線状の暗線ＳＬが生じない。

　このように、画素領域Ｐ５では、画素電極のエッジ近傍に暗線ＳＬが形成されない。そのため、その画素領域が画素領域Ｐ５と同様に配向分割されている本実施形態の液晶表示装置８００では、実施形態１の液晶表示装置１００に比べ、いっそう明るい表示を実現することができる。

　続いて、画素領域Ｐ５のような配向分割を行う方法（背面基板および前面基板に対して図２７（ａ）および（ｂ）に示したような配向処理を施す方法）を説明する。

　背面基板に対して図２７（ａ）に示したような配向処理を施す場合、１つの画素領域Ｐ５に対応する領域において、上側領域の垂直配向膜に付与されるプレチルト方向ＰＡ１と下側領域の垂直配向膜に付与されるプレチルト方向ＰＡ２とは、上側領域と下側領域の境界（左右方向に延びる）に対して略直交する。また、前面基板に対して図２７（ｂ）に示したような配向処理を施す場合、１つの画素領域Ｐ５に対応する領域において、右側領域の垂直配向膜に付与されるプレチルト方向ＰＢ１と左側領域の垂直配向膜に付与されるプレチルト方向ＰＢ２とは、右側領域と左側領域の境界（上下方向に延びる）に対して略直交する。それぞれの基板の垂直配向膜に付与される２つのプレチルト方向と領域間の境界とが上述したような関係にある場合、以下に説明する方法により、それぞれの基板の垂直配向膜に対して互いに反平行な２つのプレチルト方向を１回の露光（紫外線照射）で付与することができる。

　まず、図３３（ａ）に示すように、スリット４０ｓが形成された光学マスク４０を用意し、この光学マスク４０を、光配向膜２が形成された基板１から所定の距離だけ離間させて配置する。

　次に、図３３（ｂ）に示すように、紫外線を出射する光源（例えば紫外線ランプ）５０を、スリット４０ｓの延びる方向に直交する方向５１に移動させながら露光を行う。これにより、光源５０から出射した紫外線は、スリット４０ｓを介して拡散光として光配向膜２に照射される。

　そのため、図３３（ｃ）に示すように、光配向膜２の、スリット４０ｓの直下を境界とする２つの領域に対し、互いに反平行なプレチルト方向Ｐ１、Ｐ２が付与される。

　ここで、図３４～図３７を参照しながら、アクティブマトリクス基板（背面基板）１０と光学マスク４０との相対的な配置関係の具体例と、対向基板（前面基板）２０と光学マスク４０との相対的な配置関係の具体例を説明する。

　アクティブマトリクス基板１０に配向処理を施す場合、まず、図３４（ａ）に示すような、複数の走査線１７および複数の信号線１８を有するアクティブマトリクス基板１０が用意される。図３４（ａ）に示す例では、走査線１７と信号線１８とによって、各画素領域Ｐ５が囲まれている。アクティブマトリクス基板１０の最表面には、不図示の光配向膜１２が形成されている。

　アクティブマトリクス基板１０を用意するのとは別途に、図３４（ｂ）に示すような、複数のスリット４０ｓが形成された光学マスク４０が用意される。複数のスリット４０ｓは、左右方向（水平方向）に延びている。

　アクティブマトリクス基板１０と光学マスク４０とは、図３４（ｃ）に示すように、光学マスク４０のスリット４０ｓが画素領域Ｐ５の中央を横切るように配置される。

　この状態で、図３５（ａ）に示すように、光源５０を、スリット４０ｓの延びる方向に直交する方向５１に移動させながら露光を行う。これにより、光源５０から出射した紫外線は、スリット４０ｓを介して拡散光として光配向膜１２に照射される。

　そのため、図３５（ｂ）に示すように、光配向膜１２の、スリット４０ｓの直下を境界とする２つの領域に対し、互いに反平行なプレチルト方向ＰＡ１、ＰＡ２が付与される。

　対向基板２０に配向処理を施す場合、まず、図３６（ａ）に示すような、ブラックマトリクス（遮光層）ＢＭを有する対向基板１０が用意される。ブラックマトリクスＢＭは、例えば樹脂から形成されており、画素領域Ｐ５間に形成されている。対向基板２０の最表面には、不図示の光配向膜２２が形成されている。

　対向基板２０を用意するのとは別途に、図３６（ｂ）に示すような、複数のスリット４０ｓが形成された光学マスク４０が用意される。複数のスリット４０ｓは、上下方向（垂直方向）に延びている。

　対向基板２０と光学マスク４０とは、図３６（ｃ）に示すように、光学マスク４０のスリット４０ｓが画素領域Ｐ５間に位置するように配置される。

　この状態で、図３７（ａ）に示すように、光源５０を、スリット４０ｓの延びる方向に直交する方向５１に移動させながら露光を行う。これにより、光源５０から出射した紫外線は、スリット４０ｓを介して拡散光として光配向膜２２に照射される。

　そのため、図３７（ｂ）に示すように、光配向膜２２の、スリット４０ｓの直下を境界とする２つの領域に対し、互いに反平行なプレチルト方向ＰＢ１、ＰＢ２が付与される。

　（実施形態９）
　図３８に、本実施形態における液晶表示装置９００を示す。図３８は、液晶表示装置９００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　本実施形態における液晶表示装置９００と、実施形態８における液晶表示装置８００とでは、画素電極１１のスリット形成領域１１Ｒ１およびスリット非形成領域１１Ｒ２の位置関係が異なっている。

　本実施形態では、図３８に示すように、画素電極１１の、液晶ドメインＡおよびＢに対応する領域では、スリット形成領域１１Ｒ１が相対的に下側に位置し、スリット非形成領域１１Ｒ２が相対的に上側に位置している。また、画素電極１１の、液晶ドメインＣおよびＤに対応する領域では、スリット形成領域１１Ｒ１が相対的に上側に位置し、スリット非形成領域１１Ｒ２が相対的に下側に位置している。つまり、実施形態８の液晶表示装置８００では、画素領域の上側および下側にスリット１１ｓが配置されているのに対し、本実施形態の液晶表示装置９００では、画素領域の中央にスリット１１ｓが配置されている。そのため、本実施形態では、暗副画素が画素の中央に位置し、明副画素の半分が画素の上側に位置し、明副画素の残り半分が画素の下側に位置する。

　本実施形態における液晶表示装置９００においても、γ特性の視角依存性を改善することができる。また、本実施形態における液晶表示装置９００では、画素領域の中央に配置されたスリット１１ｓの配向規制力により、画素領域の中央での配向の安定性を向上させることができる。なお、実施形態８における液晶表示装置８００のように、画素領域の中央ではなく上側および下側に（つまり画素領域内で相対的に外側に）スリット１１ｓが配置されている構成を採用すると、走査線１７や信号線１８などのバスラインの電位による斜め電界が配向に及ぼす悪影響を抑制することができるという利点が得られる。

　（実施形態１０）
　図３９に、本実施形態における液晶表示装置１０００を示す。図３９は、液晶表示装置１０００の１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　本実施形態における液晶表示装置１０００は、画素分割駆動技術が用いられている点において、実施形態８の液晶表示装置８００と異なる。図３９に示すように、液晶表示装置１０００の画素電極１１は、複数の（ここでは２つの）副画素電極１１ａおよび１１ｂを含む。２つの副画素電極１１ａおよび１１ｂの一方（第１副画素電極）１１ａには、第１ＴＦＴ１６ａおよび第１補助容量ＣＳ１が接続されている。また、他方（第２副画素電極）１１ｂには、第２ＴＦＴ１６ｂおよび第２補助容量ＣＳ２が接続されている。液晶表示装置１０００の各画素領域は、複数の副画素電極１１ａおよび１１ｂに対応する複数の（ここでは２つの）副画素領域を含む。

　第１補助容量ＣＳ１は、第１補助容量線１９ａに接続されており、第２補助容量ＣＳ２は、第２補助容量線１９ｂに接続されている。第１補助容量ＣＳ１を構成する一対の電極のうちの一方（補助容量対向電極；ここでは第１補助容量線１９ａの一部）は、第１補助容量線１９ａから補助容量対向電圧を供給される。また、第２補助容量ＣＳ２を構成する一対の電極のうちの一方（補助容量対向電極；ここでは第２補助容量線１９ｂの一部）は、第２補助容量線１９ｂから補助容量対向電圧を供給される。第１補助容量ＣＳ１および第２補助容量ＣＳ２の補助容量対向電極は、互いに独立しているので、それぞれ対応する補助容量線（第１補助容量線１９ａまたは第２補助容量線１９ｂ）から互いに異なる補助容量対向電圧（ＣＳ電圧）を供給され得る。

　液晶表示装置１０００では、２つの副画素領域のそれぞれが、４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤを有する。第１副画素電極１１ａおよび第２副画素電極１１ｂのそれぞれは、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域に、スリット形成領域１１Ｒ１とスリット非形成領域１１Ｒ２とを有する。従って、２つの副画素領域のそれぞれ内に、液晶層３０への実効的な印加電圧が異なる２つの領域が存在する。そのため、本実施形態における液晶表示装置１０００では、１つの画素領域内に、液晶層３０への実効的な印加電圧が異なる４つの領域を形成することができる。従って、γ特性の視角依存性を改善する効果をいっそう高くすることができる。

　なお、本実施形態における液晶表示装置１０００では、画素分割駆動技術が用いられるので、実施形態８における液晶表示装置８００と比較すると、回路構成は幾分複雑になる。しかしながら、本実施形態のように、スリット形成領域１１Ｒ１を含む画素電極１１と画素分割駆動技術とを組み合わせて用いることにより、単純に画素分割駆動技術のみを用いる場合と比べると、同程度の回路構成で画素の分割数をより多く（つまりγ特性の視角依存性を改善する効果をより高く）できるという利点が得られる。言い換えると、γ特性の視角依存性を同程度に改善しようとする場合、スリット形成領域１１Ｒ１を含む画素電極１１と画素分割駆動技術とを組み合わせて用いることにより、単純に画素分割駆動技術のみを用いる場合と比べると回路構成を簡単にすることができる。

　なお、図３９に例示している構成では、第１副画素電極１１ａに形成されているスリット１１ｓの幅Ｗａと、第２副画素電極１１ｂに形成されているスリット１１ｓの幅Ｗｂとが異なっているが、第１副画素電極１１ａのスリット１１ｓの幅Ｗａと、第２副画素電極１１ｂのスリット１１ｓの幅Ｗｂとを同じにしてもよい。

　（実施形態１１）
　図４０および図４１に、本実施形態における液晶表示装置１１００Ａおよび１１００Ｂを示す。図４０および図４１は、液晶表示装置１１００Ａおよび１１００Ｂの１つの画素領域を模式的に示す平面図である。

　本実施形態における液晶表示装置１１００Ａおよび１１００Ｂは、画素電極１１がスリット非形成領域１１Ｒ２を有していない点において、実施形態８における液晶表示装置８００と異なる。

　図４０および図４１に示すように、液晶表示装置１１００Ａおよび１１００Ｂの画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の一部に、スリット形成領域１１Ｒ１（第１のスリット形成領域）を有する。また、液晶表示装置１１００Ａおよび１１００Ｂの画素電極１１は、液晶ドメインＡ、Ｂ、ＣおよびＤのそれぞれに対応する領域の他の一部に、スリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗとは異なる幅Ｗ’を有するさらなるスリット１１ｓ’が形成されたさらなるスリット形成領域１１Ｒ１’（第２のスリット形成領域）を有する。

　第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗおよび第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’は、それぞれ、画素電極１１に最高階調電圧が供給されたときの実効的な印加電圧の低下量が０．５Ｖ以上であり、且つ、液晶分子３０ａの配向方向の基準配向方向に対するずれが４５°未満であるように設定されている。また、図４０および図４１に例示している構成では、第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗは、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’よりも大きい。

　液晶表示装置１１００Ａおよび１１００Ｂでは、第１のスリット形成領域１１Ｒ１のスリット１１ｓの幅Ｗと、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’のスリット１１ｓ’の幅Ｗ’とが異なっているので、第１のスリット形成領域１１Ｒ１上の液晶層３０における印加電圧の低下量と、第２のスリット形成領域１１Ｒ１’上の液晶層３０における印加電圧の低下量とは異なる。そのため、各液晶ドメイン内に、液晶層３０への印加電圧が互いに異なる２つの領域、すなわち、相対的に印加電圧が低い第１のスリット形成領域１１Ｒ１と、相対的に印加電圧が高い第２のスリット形成領域１１Ｒ１’とが存在することになる。そのため、γ特性の視角依存性を改善することができる。

　また、画素電極１１がスリット非形成領域１１Ｒ２に代えてさらなるスリット形成領域（第２のスリット形成領域）１１Ｒ１’を有する構成は、液晶分子の配向をより安定化させることができるという利点を有する。一方、実施形態８における液晶表示装置８００のように、画素電極１１がスリット非形成領域（べた領域）１１Ｒ２を有する構成は、液晶層３０に実効的に印加される電圧の差異を最大化できるという利点を有する。

　本発明の実施形態によると、ＶＡモードの液晶表示装置におけるγ特性の視角依存性を、比較的簡単な回路構成で十分に改善することができる。本発明による液晶表示装置は、テレビジョン受像機などの高品位の表示が求められる用途に好適に用いられる。

　１０　　アクティブマトリクス基板
　１１　　画素電極
　１１ｓ、１１ｓ’、１１ｓ１、１１ｓ２　　スリット
　１１Ｒ１　　スリット形成領域（第１のスリット形成領域）
　１１Ｒ１’　　さらなるスリット形成領域（第２のスリット形成領域）
　１１Ｒ２　　スリット非形成領域（べた領域）
　１２　　第１光配向膜
　１３、２３　　偏光板
　１４　　誘電体層
　１５　　下層電極
　１６　　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
　１７　　走査線
　１８　　信号線
　１９　　補助容量線
　２０　　対向基板
　２１　　対向電極
　２２　　第２光配向膜
　３０　　液晶層
　３０ａ　　液晶分子
　１００、２００、３００、４００、５００　　液晶表示装置
　６００Ａ、６００Ｂ、６００Ｃ、７００　　液晶表示装置
　８００、９００、１０００、１１００Ａ、１１００Ｂ　　液晶表示装置
　Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ　　液晶ドメイン
　ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６　　チルト方向（基準配向方向）
　Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５　　画素領域

Claims

　垂直配向型の液晶層と、
　前記液晶層を介して互いに対向する第１基板および第２基板と、
　前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極および前記第２基板の前記液晶層側に設けられた第２電極と、
　前記第１電極および前記液晶層の間と前記第２電極および前記液晶層の間とに設けられた一対の光配向膜と、を備え、
　マトリクス状に配列された複数の画素領域を有し、
　前記複数の画素領域のそれぞれは、前記一対の光配向膜によって規定される基準配向方向が第１方向である第１液晶ドメインと、前記基準配向方向が前記第１方向とは異なる第２方向である第２液晶ドメインと、を有し、
　前記第１電極は、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の一部に、前記一対の光配向膜によって規定される前記基準配向方向に略平行に延びるスリットが形成されたスリット形成領域を有し、
　前記スリットの幅は、前記第１電極に最高階調電圧が供給されたときの前記スリット上の前記液晶層における実効的な印加電圧の低下量が０．５Ｖ以上であり、且つ、前記第１電極に最高階調電圧が供給されたときの前記スリット上の前記液晶層における液晶分子の配向方向の前記基準配向方向に対するずれが４５°未満であるように設定されている、液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、前記第１電極に最高階調電圧が供給されたときの前記スリット上の前記液晶層における実効的な印加電圧の低下量が１．０Ｖ以上であるように設定されている請求項１に記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、前記第１電極に最高階調電圧が供給されたときの前記スリット上の前記液晶層における液晶分子の配向方向の前記基準配向方向に対するずれが３０°以下であるように設定されている請求項１または２に記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、２．５μｍ以上である請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、４．０μｍ以上である請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、８．０μｍ未満である請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、６．０μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１基板は、前記第１電極の下方に誘電体層を隔てて設けられた第３電極をさらに有する請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第３電極には、前記第２電極に供給される電圧と実質的に同じ電圧が供給される請求項８に記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、１．０μｍ以上である請求項９に記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、２．０μｍ以上である請求項９に記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、６．０μｍ未満である請求項９から１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記スリットの幅は、４．５μｍ以下である請求項９から１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１電極の、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域内において、前記スリット形成領域が占める割合は１／３以上である請求項１から１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１電極の、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域内において、前記スリット形成領域が占める割合は２／３以上である請求項１から１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記スリット形成領域内に、前記スリットが複数形成されており、
　前記複数のスリットは、実質的に同じ幅を有する請求項１から１５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記スリット形成領域内に、前記スリットが複数形成されており、
　前記複数のスリットは、第１の幅を有するスリットと、前記第１の幅とは異なる第２の幅を有するスリットと、を含む請求項１から１５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　表示面法線方向から見たとき、前記スリットは、前記第１電極の導電膜によって完全に包囲されている請求項１から１７のいずれかに記載の液晶表示装置。
　表示面法線方向から見たとき、前記スリットは、前記第１電極の導電膜によって完全には包囲されていない請求項１から１７のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１電極は、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の他の一部に、スリットが形成されていないスリット非形成領域を有する請求項１から１９のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１電極は、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の他の一部に、前記スリット形成領域の前記スリットの幅とは異なる幅を有するさらなるスリットが形成されたさらなるスリット形成領域を有する請求項１から１９のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１基板は、アクティブマトリクス基板であり、
　前記第１電極は、画素電極である請求項１から２１のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記画素電極は、複数の副画素電極を含み、
　前記複数の画素領域のそれぞれは、前記複数の副画素電極に対応する複数の副画素領域を含み、
　前記複数の副画素領域のそれぞれが、前記第１液晶ドメインおよび前記第２液晶ドメインを有する請求項２２に記載の液晶表示装置。
　前記複数の画素領域のそれぞれは、前記基準配向方向が第３方向である第３液晶ドメインと、前記基準配向方向が第４方向である第４液晶ドメインと、をさらに有し、
　前記第１方向、前記第２方向、前記第３方向および前記第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、
　前記第１電極は、前記第３液晶ドメインおよび前記第４液晶ドメインのそれぞれに対応する領域の一部にも、前記スリット形成領域を有する請求項１から２３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１液晶ドメイン、前記第２液晶ドメイン、前記第３液晶ドメインおよび前記第４液晶ドメインは、それぞれ他の液晶ドメインと隣接し、かつ、２行２列のマトリクス状に配置されている請求項２４に記載の液晶表示装置。
　前記第１液晶ドメイン、前記第２液晶ドメイン、前記第３液晶ドメインおよび前記第４液晶ドメインは、隣接する液晶ドメイン間で前記基準配向方向が略９０°異なるように配置されている請求項２５に記載の液晶表示装置。
　前記第１電極のエッジのうちの前記第１液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなすエッジ部を含まず、
　前記第１電極のエッジのうちの前記第２液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなすエッジ部を含まず、
　前記第１電極のエッジのうちの前記第３液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなすエッジ部を含まず、
　前記第１電極のエッジのうちの前記第４液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなすエッジ部を含まない請求項２５または２６に記載の液晶表示装置。
　前記第１方向は、前記第１電極のエッジのうちの前記第１液晶ドメインに近接する部分に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略４５°の角をなし、
　前記第２方向は、前記第１電極のエッジのうちの前記第２液晶ドメインに近接する部分に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略４５°の角をなし、
　前記第３方向は、前記第１電極のエッジのうちの前記第３液晶ドメインに近接する部分に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略４５°の角をなし、
　前記第４方向は、前記第１電極のエッジのうちの前記第４液晶ドメインに近接する部分に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略４５°の角をなす請求項２７に記載の液晶表示装置。
　前記第１電極のエッジのうちの前記第１液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、
　前記第１電極のエッジのうちの前記第２液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第２方向と９０°超の角をなす第２エッジ部を含み、
　前記第１電極のエッジのうちの前記第３液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第３方向と９０°超の角をなす第３エッジ部を含み、
　前記第１電極のエッジのうちの前記第４液晶ドメインに近接する部分は、それに直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向が前記第４方向と９０°超の角をなす第４エッジ部を含む請求項２５または２６に記載の液晶表示装置。
　前記第１方向は、前記第１エッジ部に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略１３５°の角をなし、
　前記第２方向は、前記第２エッジ部に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略１３５°の角をなし、
　前記第３方向は、前記第３エッジ部に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略１３５°の角をなし、
　前記第４方向は、前記第４エッジ部に直交し前記第１電極の内側に向かう方位角方向と略１３５°の角をなす請求項２９に記載の液晶表示装置。
　表示面における水平方向の方位角を０°とするとき、前記第１方向は略４５°、略１３５°、略２２５°または略３１５°である、請求項２６から３０のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記液晶層を介して互いに対向し、それぞれの透過軸が互いに略直交するように配置された一対の偏光板をさらに備え、
　前記第１方向および前記第２方向は、前記一対の偏光板の前記透過軸と略４５°の角をなす、請求項１から３１のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記液晶層は、負の誘電異方性を有する液晶分子を含み、
　前記一対の光配向膜のうちの一方によって規定されるプレチルト方向と、他方によって規定されるプレチルト方向とは互いに略９０°異なる、請求項１から３２のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記一対の光配向膜のうちの一方によって規定されるプレチルト角と、他方によって規定されるプレチルト角とは互いに略等しい、請求項１から３３のいずれかに記載の液晶表示装置。