JP4760806B2 - ガスセンサの劣化シミュレータ - Google Patents
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Description
構造のA/Fセンサなどである場合)、リッチ側とリーン側とで個別にゲイン劣化やオフセット劣化が生じることが考えられる。そこで、上記のようにゲインとオフセットとを可変設定可能とした構成では、前記ゲイン設定手段により可変設定されるゲインと、前記オフセット設定手段により可変設定されるオフセットとのうち少なくとも1つを、リッチガスである場合とリーンガスである場合とで個別に設定可能にするとよい。
(a)むだ時間可変モード
(b)時定数可変モード
(c)ゲイン可変モード
(d)オフセット可変モード
上記の少なくともいずれかのモードにおいて模擬劣化の状態が可変設定される。この場合、上記(a)〜(d)の各モードについて設定/非設定(ON/OFF)の切替が可能であり、また、2つ以上のモードを同時に設定することが可能となっている。上記(a),(b)が応答劣化に関する模擬劣化モードである。
・むだ時間擬似劣化について、むだ時間可変モードとするかノーマルモードとするかを切り替える切替スイッチSW1と、
・時定数擬似劣化について、時定数可変モードとするかノーマルモードとするかを切り替える切替スイッチSW2と、
・ゲイン擬似劣化について、ゲイン可変モードとするかノーマルモードとするかを切り替える切替スイッチSW3と、
・オフセット擬似劣化について、オフセット可変モードとするかノーマルモードとするかを切り替える切替スイッチSW4と、
を備えている。
・むだ時間擬似劣化について、リーン変化及びリッチ変化を対称及び非対称のいずれにするか切り替える切替スイッチSW11と、
・時定数擬似劣化について、リーン変化及びリッチ変化を対称及び非対称のいずれにするか切り替える切替スイッチSW12と、
を備えている。
第2の実施形態では、上述した応答遅れ(むだ時間遅れ、時定数遅れ)等による劣化シミュレーションに加え、センサ素子20に通じる電気経路やヒータ28に通じる電気経路について断線や短絡に関する異常のシミュレーションを実行する構成としている。かかる場合の劣化シミュレータ30の構成を図6に示す。なお、図6の劣化シミュレータ30は、基本構成が図1の劣化シミュレータ30と同一であり、共通の構成については同一の符号を付している。図中の「シミュレーション回路部」は、図1の各設定回路部35〜38及び加算回路39に相当する。
(1)スイッチ回路61を開放状態に切り替える(正常接続、VB接続、GND接続以外の開放状態とする)。これにより、センサ負側端子の断線異常がシミュレートできる。
(2)スイッチ回路61をVB短絡状態に切り替える。これにより、センサ負側端子のVBショートがシミュレートできる。
(3)スイッチ回路61をGND短絡状態に切り替える。これにより、センサ負側端子のGNDショートがシミュレートできる。
(4)スイッチ回路62を開放状態に切り替える(正常接続、VB接続、GND接続以外の開放状態とする)。これにより、センサ正側端子の断線異常がシミュレートできる。
(5)スイッチ回路62をVB短絡状態に切り替える。これにより、センサ正側端子のVBショートがシミュレートできる。
(6)スイッチ回路62をGND短絡状態に切り替える。これにより、センサ正側端子のGNDショートがシミュレートできる。
(7)スイッチ回路63を導通状態に切り替える。これにより、センサ負側端子とセンサ正側端子との間の短絡異常がシミュレートできる。
(8)スイッチ回路64を開放状態に切り替える(正常接続、VB接続、GND接続以外の開放状態とする)。これにより、ヒータ28の断線異常がシミュレートできる。
(9)スイッチ回路64をVB短絡状態に切り替える。これにより、ヒータ28のVBショートがシミュレートできる。
(10)スイッチ回路64をGND短絡状態に切り替える。これにより、ヒータ28のGNDショートがシミュレートできる。
本発明は上述した各実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施されても良い。
Claims (13)
- 固体電解質層及びそれを挟む一対の電極よりなるセンサ素子と、そのセンサ素子を囲みかつ周囲ガスをセンサ素子に導く通気孔が形成されてなる素子カバーとを有し被検出ガス中の特定成分のガス濃度に応じてセンサ出力を生じさせるガスセンサについて劣化シミュレーションを実行する劣化シミュレータであり、
濃度変化時のセンサ出力に対して時定数遅れを可変設定する時定数遅れ設定手段と、
同じく濃度変化時のセンサ出力に対して前記通気孔の目詰まりを要因とするむだ時間遅れを可変設定するむだ時間遅れ設定手段と、
前記時定数遅れ設定手段及び前記むだ時間遅れ設定手段により時定数遅れとむだ時間遅れとのいずれか一方又は両方が可変設定された状態で劣化シミュレーションを実行するシミュレーション実行手段と、
前記ガス濃度がリッチ側に変化するリッチ変化時とリーン側に変化するリーン変化時とでその変化態様を対称とするか非対称とするかを切り替える切替手段と、を備え、
変化態様を対称とする場合、前記時定数遅れと前記むだ時間遅れとの少なくともいずれかを、リッチ変化時とリーン変化時とで共通の遅れ時間調整手段を用いて調整する一方、
変化態様を非対称とする場合、前記時定数遅れと前記むだ時間遅れとの少なくともいずれかを、リッチ変化時とリーン変化時とで個別の遅れ時間調整手段を用いて調整することを特徴とするガスセンサの劣化シミュレータ。 - 固体電解質層及びそれを挟む一対の電極よりなるセンサ素子と、そのセンサ素子を囲みかつ周囲ガスをセンサ素子に導く通気孔が形成されてなる素子カバーとを有し被検出ガス中の特定成分のガス濃度に応じてセンサ出力を生じさせるガスセンサについて劣化シミュレーションを実行する劣化シミュレータであり、
濃度変化時のセンサ出力に対して時定数遅れを可変設定する時定数遅れ設定手段と、
同じく濃度変化時のセンサ出力に対してむだ時間遅れを可変設定するむだ時間遅れ設定手段と、
前記時定数遅れ設定手段及び前記むだ時間遅れ設定手段により時定数遅れとむだ時間遅れとのいずれか一方又は両方が可変設定された状態で劣化シミュレーションを実行するシミュレーション実行手段と、を備え、
前記ガス濃度がリッチ側に変化するリッチ変化時とリーン側に変化するリーン変化時とでその変化態様を対称とするか非対称とするかを切り替える切替手段を備え、
変化態様を対称とする場合、前記時定数遅れと前記むだ時間遅れとの少なくともいずれかを、リッチ変化時とリーン変化時とで共通の遅れ時間調整手段を用いて調整する一方、
変化態様を非対称とする場合、前記時定数遅れと前記むだ時間遅れとの少なくともいずれかを、リッチ変化時とリーン変化時とで個別の遅れ時間調整手段を用いて調整することを特徴とするガスセンサの劣化シミュレータ。 - 前記センサ出力のゲインを可変設定するゲイン設定手段と、
前記センサ出力のオフセットを可変設定するオフセット設定手段とをさらに備え、
前記シミュレーション実行手段は、前記時定数遅れ設定手段による時定数遅れの設定、前記むだ時間遅れ設定手段によるむだ時間遅れの設定、前記ゲイン設定手段によるゲイン設定、及び前記オフセット設定手段によるオフセット設定のうち少なくとも1つの設定が行われた状態で劣化シミュレーションを実行する請求項1又は2に記載のガスセンサの劣化シミュレータ。 - 前記センサ出力のゲインを可変設定するゲイン設定手段と、
前記センサ出力のオフセットを可変設定するオフセット設定手段とをさらに備え、
前記シミュレーション実行手段は、前記時定数遅れと前記むだ時間遅れとの少なくとも一方の設定に加え、前記ゲイン設定手段によるゲイン設定と前記オフセット設定手段によるオフセット設定との少なくとも一方がなされた状態で劣化シミュレーションを実行する請求項1又は2に記載のガスセンサの劣化シミュレータ。 - 前記センサ素子は、酸素濃度に応じた起電力信号を出力する起電力セルを有するものであり、
前記ゲイン設定手段により可変設定されるゲインと、前記オフセット設定手段により可変設定されるオフセットとのうち少なくとも1つを、リッチガスである場合とリーンガスである場合とで個別に設定可能とした請求項3又は4に記載のガスセンサの劣化シミュレータ。 - 前記センサ素子及び同センサ素子に通じる電気経路の断線や短絡に関する異常のシミュレーションを実行する手段をさらに備える請求項1乃至5のいずれか1つに記載のガスセンサの劣化シミュレータ。
- 固体電解質層及びそれを挟む一対の電極よりなるセンサ素子と、そのセンサ素子を囲みかつ周囲ガスをセンサ素子に導く通気孔が形成されてなる素子カバーとを有し被検出ガス中の特定成分のガス濃度に応じてセンサ出力を生じさせるガスセンサについて劣化シミュレーションを実行する劣化シミュレータであり、
濃度変化時のセンサ出力に対して時定数遅れを可変設定する時定数遅れ設定手段と、
同じく濃度変化時のセンサ出力に対してむだ時間遅れを可変設定するむだ時間遅れ設定手段と、
前記時定数遅れ設定手段及び前記むだ時間遅れ設定手段により時定数遅れとむだ時間遅れとのいずれか一方又は両方が可変設定された状態で劣化シミュレーションを実行するシミュレーション実行手段と、を備え、
前記センサ素子及び同センサ素子に通じる電気経路の断線や短絡に関する異常のシミュレーションを実行する手段をさらに備えることを特徴とするガスセンサの劣化シミュレータ。 - 前記センサ素子に通じる電気経路の途中に、同電気経路を、開放状態、電源短絡状態、グランド短絡状態、正負両端子間の短絡状態の少なくともいずれかにすることが可能な素子異常切替手段を備える請求項6又は7に記載のガスセンサの劣化シミュレータ。
- 前記ガスセンサは、前記センサ素子を活性温度に加熱するヒータを備えており、
前記ヒータ及び同ヒータに通じる電気経路の断線や短絡に関する異常のシミュレーションを実行する手段をさらに備える請求項1乃至8のいずれか1つに記載のガスセンサの劣化シミュレータ。 - 固体電解質層及びそれを挟む一対の電極よりなるセンサ素子と、そのセンサ素子を囲みかつ周囲ガスをセンサ素子に導く通気孔が形成されてなる素子カバーとを有し被検出ガス中の特定成分のガス濃度に応じてセンサ出力を生じさせるガスセンサについて劣化シミュレーションを実行する劣化シミュレータであり、
濃度変化時のセンサ出力に対して時定数遅れを可変設定する時定数遅れ設定手段と、
同じく濃度変化時のセンサ出力に対してむだ時間遅れを可変設定するむだ時間遅れ設定手段と、
前記時定数遅れ設定手段及び前記むだ時間遅れ設定手段により時定数遅れとむだ時間遅れとのいずれか一方又は両方が可変設定された状態で劣化シミュレーションを実行するシミュレーション実行手段と、を備え、
前記ガスセンサは、前記センサ素子を活性温度に加熱するヒータを備えており、
前記ヒータ及び同ヒータに通じる電気経路の断線や短絡に関する異常のシミュレーションを実行する手段をさらに備えることを特徴とするガスセンサの劣化シミュレータ。 - 前記ヒータに通じる電気経路の途中に、同電気経路を、開放状態、電源短絡状態、グランド短絡状態の少なくともいずれかにすることが可能なヒータ異常切替手段を備える請求項9又は10に記載のガスセンサの劣化シミュレータ。
- 前記時定数遅れ設定手段により可変設定される時定数遅れと、前記むだ時間遅れ設定手段により可変設定されるむだ時間遅れとをそれぞれ、前記ガス濃度がリッチ側に変化するリッチ変化の場合とリーン側に変化するリーン変化の場合とで個別に設定可能とした請求項1乃至11のいずれか1つに記載のガスセンサの劣化シミュレータ。
- エンジンの吸気通路又は排気通路に設けられるガスセンサに適用され、前記ガスセンサが設けられた通路内のガス濃度が随時変更されその状態で劣化シミュレーションを実行する劣化シミュレータであり、
前記吸気通路又は排気通路を流れるガスの流量又は流速に基づいて前記時定数遅れ及び前記むだ時間遅れの少なくともいずれかを修正する請求項1乃至12のいずれか1つに記載のガスセンサの劣化シミュレータ。
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