JP4741332B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
[1]参考形態の加工方法
図1の符号1は、シリコンウエーハ等からなる円盤状の半導体ウエーハ(以下、ウエーハと略称)である。加工前のウエーハ1の厚さは、例えば700μm程度であり、表面には、格子状のストリート(分割予定ライン)2によって矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、電子回路が形成されている。複数の半導体チップ3が形成された領域は、ウエーハ1と同心の概ね円形状のデバイス領域5であり、このデバイス領域5の周囲に環状の外周余剰領域6が存在している。
参考形態では、まずはじめに、デバイス領域5を薄化する前に、図2に示す切削装置20によって、ウエーハ1の表面側におけるデバイス領域5と外周余剰領域6との境界部に分離溝9を形成する。切削装置20は、回転駆動する真空チャック式のチャックテーブル21と、円筒状の切削ユニット22とを備えている。切削ユニット22は軸線が水平に設置され、この切削ユニット22の一端部には、図示せぬモータで回転駆動される切削ブレード23が同軸的に装着されている。
図4に示すように、ウエーハ1の表面全面、すなわちデバイス領域5および外周余剰領域6双方の表面に、紫外線照射によって粘着力が低下する特性を有する1枚の円形状の保護テープ7を貼り付ける。この保護テープ7としては、例えば、厚さ70〜200μm程度のポリオレフィン等の比較的柔軟な基材の片面に厚さ5〜20μm程度のアクリル系等の粘着剤を塗布した紫外線硬化型などが好適に用いられ、粘着剤をウエーハの表面に合わせて貼り付ける。紫外線照射による粘着力の低下特性としては、例えば、紫外線照射前の粘着力が2.06N/25mm、紫外線照射後で0.05N/25mm程度が有効である。この保護テープ7により、半導体チップの電子回路が保護される。
保護テープ7が表面に貼着されたウエーハ1のデバイス領域5に対応する裏面側を研削して、そのデバイス領域5を、上記の仕上がり厚さに薄化する。図5および図6は、そのために用いる研削装置10を示している。この研削装置10は、回転駆動する真空チャック式のチャックテーブル11と、研削ユニット12とを備えている。チャックテーブル11はウエーハ1よりも大きな円盤状で、その上面に載置されるウエーハ1を空気吸引によって吸着、保持する。このチャックテーブル11は、中心を軸として図示せぬモータにより回転させられる。
薄化されたデバイス領域5と元の厚さの補強部8とが保護テープ7で連結された状態のウエーハ1を、研削装置10のチャックテーブル11から搬出し、次のデバイス領域残存工程に送り込む。
デバイス領域残存工程では、図8〜図10に示すウエーハ処理装置30によって、上記補強部8をデバイス領域5から分離させてデバイス領域5を残存させる。ウエーハ処理装置30は、ベース31と、ベース31上に設置された載置テーブル32とを備えている。載置テーブル32は、円筒状の固定台33の上部に、回転駆動される円盤状のターンテーブル34が取り付けられたものである。載置テーブル32の周囲には、ベース31に立てられたガイドポスト35に沿って昇降駆動される複数(図示例では4つ)の弧状のプッシャパッド36が、周方向に沿って、かつ等間隔をおいて配置されている。各プッシャパッド36は、上下方向の位置が互いに揃った状態で昇降する。
この工程では、図11〜図12に示すようにして、ウエーハ処理装置30の載置テーブル32上に残存させたデバイス領域5のみのウエーハ1の上面すなわち裏面に、ダイシングテープ41を介して環状のダイシングフレーム42を装着する。ダイシングテープ41は、例えば、厚さ100μm程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ5μm程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されたものが用いられる。ダイシングテープ41はウエーハ1よりも大径の円形で、その外周部の粘着剤側に、環状のダイシングフレーム42が同心状に貼り付けられている。ダイシングフレーム42の内径は、デバイス領域5のみとなったウエーハ1の径よりも大径である。
載置テーブル32上において、下面(表面)に保護テープ7が、また、上面(裏面)にダイシングテープ41が貼られたウエーハ1を、適宜な方法で裏返し、そのウエーハ1を、図13に示すように、上記搬送アーム50におけるチャック部51の吸着パッド52にダイシングフレーム42を吸着、保持して真空チャック式のチャックテーブル61上に搬送し、図14に示すようにチャックテーブル61上に載置する。チャックテーブル61上のウエーハ1は、保護テープ7が貼られた表面が上側、ダイシングテープ41が貼られた裏面が下側となっており、このウエーハ1を、チャックテーブル61上に吸着、保持する。
続いて、上記参考形態を基にして工程の内容を変更した本発明に係る一実施形態の加工方法を以下に説明する。
一実施形態の加工方法は、上記参考形態の最初の工程である分離溝形成工程が異なり、また、この後の保護テープ貼着工程からダイシングフレーム装着工程までは参考形態と全く同じで、最後の分割工程は省略される。したがって、ここでは分離溝形成工程を主として説明する。
2…ストリート(分割予定ライン)
3…半導体チップ(デバイス)
5…デバイス領域
6…外周余剰領域
7…保護テープ
8…補強部
9…分離溝
10…研削装置
11…研削装置のチャックテーブル
20…切削装置
21…切削装置のチャックテーブル
41…ダイシングテープ
42…ダイシングフレーム
Claims (1)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって表面に区画されたデバイス領域と、このデバイスの周囲に形成された外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、
該ウエーハの表面側における前記分割予定ラインに、加工後に得ようとする前記デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝を形成する分離溝形成工程と、
前記デバイス領域および前記外周余剰領域の表面に紫外線照射によって粘着力が低下する特性を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
前記保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに対面させて該ウエーハを該チャックテーブルに保持し、その状態で露出するウエーハの裏面の前記デバイス領域に対応する部分を、前記デバイスの仕上がり厚さに相当する厚さに研削して、前記外周余剰領域に対応する部分に肉厚の補強部を形成するとともに、この補強部と前記デバイス領域、ならびに該デバイス領域中の各デバイスを前記保護テープによって互いに連結された状態とする研削工程と、
該研削工程を経たウエーハを前記チャックテーブルから搬出するウエーハ搬出工程と、
前記保護テープの前記補強部に貼着された領域に紫外線を照射してから、前記補強部を前記保護テープから離すとともに前記デバイス領域から分離させて、ウエーハを前記デバイス領域のみとして残存させるデバイス領域残存工程と、
該ウエーハの裏面に、ダイシングテープを介してダイシングフレームを装着するダイシングフレーム装着工程とを備えることを特徴とするウエーハの加工方法。
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Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080242052A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Tao Feng | Method of forming ultra thin chips of power devices |
JP2008283025A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2009043992A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP4858395B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2012-01-18 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5081643B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2012-11-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US8084335B2 (en) * | 2008-07-11 | 2011-12-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of thinning a semiconductor wafer using a film frame |
JP2010135356A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのダイシング方法 |
EP2299486B1 (de) * | 2009-09-18 | 2015-02-18 | EV Group E. Thallner GmbH | Verfahren zum Bonden von Chips auf Wafer |
JP5534793B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2014-07-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US20130115757A1 (en) * | 2011-11-07 | 2013-05-09 | Infineon Technologies Ag | Method for separating a plurality of dies and a processing device for separating a plurality of dies |
EP2824697A1 (de) * | 2013-07-10 | 2015-01-14 | Mechatronic Systemtechnik GmbH | Vorrichtung zum Entfernen eines ringförmigen Verstärkungsrands von einem geschliffenen Halbleiterwafer |
US9589880B2 (en) * | 2013-10-09 | 2017-03-07 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a wafer and wafer structure |
CN103811536A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-21 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 圆片级封装工艺晶圆减薄结构 |
JP6236348B2 (ja) * | 2014-04-17 | 2017-11-22 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6417236B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2018-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法及びチャックテーブル |
JP6332556B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2018-05-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10147645B2 (en) * | 2015-09-22 | 2018-12-04 | Nxp Usa, Inc. | Wafer level chip scale package with encapsulant |
US10109475B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-10-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer and method of reducing wafer thickness with asymmetric edge support ring encompassing wafer scribe mark |
WO2018185932A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体の製造方法 |
JP6985077B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2021-12-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020088334A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社ディスコ | テープ貼り装置 |
US20210013176A1 (en) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pre-stacking mechanical strength enhancement of power device structures |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332271A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Renesas Technology Corp | 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法 |
JP2005093882A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研磨方法 |
JP2005123568A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-05-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2005123263A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェハの加工方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121384A (ja) | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4462717B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2010-05-12 | 株式会社ディスコ | 回転ブレードの位置検出装置 |
JP4774286B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2011-09-14 | 株式会社ディスコ | 基板の切削加工方法 |
JP4895594B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2012-03-14 | 株式会社ディスコ | 基板の切削加工方法 |
JP2007266352A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2007329391A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構 |
-
2005
- 2005-09-30 JP JP2005287016A patent/JP4741332B2/ja active Active
-
2006
- 2006-09-28 US US11/529,137 patent/US7622328B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332271A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Renesas Technology Corp | 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法 |
JP2005093882A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研磨方法 |
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