JP6985077B2

JP6985077B2 - ウエーハの加工方法

Info

Publication number: JP6985077B2
Application number: JP2017179302A
Authority: JP
Inventors: 栄松崎
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-09-19
Filing date: 2017-09-19
Publication date: 2021-12-22
Anticipated expiration: 2037-09-19
Also published as: JP2019057526A

Description

本発明は、ウエーハの加工方法に関する。

半導体ウエーハの製造工程においては、通常裏面研削を行ってウエーハを薄化した後に絶縁膜、配線及び電極等の少なくとも一つを形成する高温条件下の加工工程を行う。薄化されたウエーハを搬送するためには保護テープが必要であるが、裏面研削に使用する保護テープでは、加工工程の高温条件下において耐熱性が足りず変形してしまう恐れがある。このために、高温条件下の加工工程の前に、裏面研削用の保護テープを剥離しガラス基板等をウエーハに接着して加工を行っている。

しかし基板の接着に費用と工数がかかるため、外周部にリング状補強部を残した裏面研削（所謂、ＴＡＩＫＯ（登録商標）研削）を行い、リング状補強部には基板を接着せず高温条件下の加工工程を行う加工方法が提供されている。

また、ウエーハの表面に支持基板を貼りつけて、裏面研削、高温化の加工工程を行う半導体ウエーハの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

特開２０１３−０３８２７４号公報特開２００４−２１４３０９号公報

しかしながら、ＴＡＩＫＯ研削において、ウエーハのリング状補強部で囲繞されたデバイス領域を例えば１０μｍから２０μｍ程度まで薄化した場合、ＴＡＩＫＯ研削後に保護テープを剥離すると、リング状補強部と裏面研削されたデバイス領域との境目でウエーハが破断してしまう恐れがあった。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＴＡＩＫＯ研削されたウエーハが破損することを抑制することができるウエーハの加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、表面に分割予定ラインで区画された複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、粘着層を持たないとともに耐熱性を有するポリイミド樹脂からなりかつ円板状に形成された保護シートをウエーハ表面に熱圧着する貼着工程と、該貼着工程の実施後に、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部と該円形凹部を囲繞するリング状補強部を形成する研削工程と、該研削工程の実施後に、研削面に絶縁膜、配線層及び電極の少なくともいずれかの形成を含む高温条件下の加工工程と、該加工工程の実施後に、該リング状補強部を除去する除去工程と、該除去工程の実施後、該ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し該保護シートを剥離する転写工程と、該転写工程の実施後に該分割予定ラインに沿ってウエーハを表面側から分割する分割工程と、該分割工程の実施後にチップをピックアップするピックアップ工程と、を備え、該保護シートは、該加工工程における耐熱性を有することを特徴とする。

本発明のウエーハの加工方法は、表面に分割予定ラインで区画された複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、粘着層を持たないとともに耐熱性を有するポリイミド樹脂からなりかつ円板状に形成された保護シートをウエーハ表面に熱圧着する貼着工程と、該貼着工程の実施後に、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部と該円形凹部を囲繞するリング状補強部を形成する研削工程と、該研削工程の実施後に、研削面に絶縁膜、配線層及び電極の少なくともいずれかの形成を含む高温条件下の加工工程と、該加工工程の実施後に、該分割予定ラインに沿ってウエーハを該研削面側から各チップへと分割する分割工程と、該分割工程の実施後に、該保護シート側を保持テーブルに吸着した状態で該チップを該保護シートからピックアップするピックアップ工程と、を備え、該保護シートは、該加工工程における耐熱性を有することを特徴とする。

そこで、本願発明のウエーハの加工方法では、ＴＡＩＫＯ研削されたウエーハが破損することを抑制することができる。

図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの平面図である。図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。図３は、図２に示されたウエーハの加工方法の貼着工程を示す断面図である。図４は、図２に示されたウエーハの加工方法の研削工程を示す斜視図である。図５は、図２に示されたウエーハの加工方法の研削工程を一部断面で示す側面図である。図６は、図２に示されたウエーハの加工方法の加工工程後のウエーハを示す断面図である。図７は、図２に示されたウエーハの加工方法の除去工程前のウエーハを示す断面図である。図８は、図２に示されたウエーハの加工方法の除去工程後のウエーハを示す断面図である。図９は、図２に示されたウエーハの加工方法の転写工程後のウエーハを示す断面図である。図１０は、図２に示されたウエーハの加工方法の分割工程後のウエーハを示す断面図である。図１１は、図２に示されたウエーハの加工方法のピックアップ工程を示す断面図である。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。図１３は、図１２に示されたウエーハの加工方法の分割工程後のウエーハの断面図である。図１４は、図１２に示されたウエーハの加工方法のピックアップ工程を示す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの平面図である。図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。

実施形態１に係るウエーハの加工方法は、図１に示すウエーハ１の加工方法である。図１に示すウエーハ１は、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ１は、図１に示すように、表面３に格子状の分割予定ライン４で区画された複数の領域にデバイス５が形成されたデバイス領域６と、デバイス領域６を囲繞しかつデバイス５が形成されていない外周余剰領域７とを有する。

実施形態１に係るウエーハの加工方法は、図２に示すように、貼着工程ＳＴ１と、研削工程ＳＴ２と、加工工程ＳＴ３と、除去工程ＳＴ４と、転写工程ＳＴ５と、分割工程ＳＴ６と、ピックアップ工程ＳＴ７とを備える。

（貼着工程）
図３は、図２に示されたウエーハの加工方法の貼着工程を示す断面図である。貼着工程ＳＴ１は、耐熱性を有する保護シート２０をウエーハ１表面３に貼着する工程である。保護シート２０は、融点が３００℃以上でかつ４５０℃以下のポリイミド樹脂からなる樹脂層２１で構成され、かつ実施形態１において、ウエーハ１と略同じ大きさの円板状に形成されている。即ち、実施形態１において、保護シート２０は、粘着層を持たない。実施形態１において、保護シート２０の樹脂層２１は、ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物を原料としたポリイミド樹脂からなる。また、実施形態１において、保護シート２０の樹脂層２１は、線膨張係数が１２（１０^−６／℃）以上でかつ２２（１０^−６／℃）以下である。なお、実施形態１において、保護シート２０の樹脂層２１は、宇部興産株式会社製のユーピレックス（登録商標）により構成することができる。

貼着工程ＳＴ１では、図２に示すように、保護シート２０を吸着ホットプレート３０上に載置するとともに、保護シート２０上にウエーハ１の表面３を載置し、ウエーハ１の裏面８に重し３１を載置する。貼着工程ＳＴ１では、重し３１でウエーハ１を保護シート２０に加圧するとともに、吸着ホットプレート３０で保護シート２０を加熱して、保護シート２０をウエーハ１の表面３に熱圧着する。なお、熱圧着は、同種または異種の材料同士を融点以下まで熱し加圧することにより塑性変形を起こさせ、双方の表面の接触によって接合・接着させる方法である。ウエーハの加工方法は、ウエーハ１に熱圧着により保護シート２０を貼着した後、即ち貼着工程ＳＴ１後、研削工程ＳＴ２に進む。

（研削工程）
図４は、図２に示されたウエーハの加工方法の研削工程を示す斜視図である。図５は、図２に示されたウエーハの加工方法の研削工程を一部断面で示す側面図である。研削工程ＳＴ２は、貼着工程ＳＴ１の実施後に、デバイス領域６に対応するウエーハ１の裏面８を研削して、円形凹部１０と、円形凹部１０を囲繞するリング状補強部１１とを形成する工程である。即ち、実施形態１において、研削工程ＳＴ２は、ウエーハ１を所謂ＴＡＩＫＯ（登録商標）研削する工程である。

研削工程ＳＴ２では、ウエーハ１の表面３を保護シート２０を介して研削装置４０の保持テーブル４１の保持面４２に載置し、ウエーハ１の裏面８のうちデバイス領域６と厚み方向に重なる部分（対応する部分ともいう）に軸心回りに回転する研削ユニット４３の研削砥石４４を押しつける。研削工程ＳＴ２では、ウエーハ１の裏面８のうちデバイス領域６と厚み方向に重なる部分を研削砥石４４で所定の厚みまで薄化して、裏面８のうちデバイス領域６と厚み方向に重なる部分に円形凹部１０を形成する。研削工程ＳＴ２では、ウエーハ１の裏面８のうち外周余剰領域７と厚み方向に重なる部分を薄化せずに、外周余剰領域７にリング状補強部１１を形成する。実施形態１にかかるウエーハの加工方法は、研削工程ＳＴ２では、デバイス領域６即ち円形凹部１０を１０μｍ以上かつ２０μｍ以下までの厚みになるまで薄化して、円形凹部１０を形成する。ウエーハの加工方法は、研削工程ＳＴ２後、加工工程ＳＴ３に進む。

（加工工程）
図６は、図２に示されたウエーハの加工方法の加工工程後のウエーハを示す断面図である。実施形態１において、加工工程ＳＴ３は、研削工程ＳＴ２の実施後に、研削面である円形凹部１０の底面１２に絶縁膜１３の形成を含む常温よりも高温な高温条件下の加工を実施する工程である。実施形態１において、加工工程ＳＴ３は、ウエーハ１を常温よりも高温な酸化性雰囲気中に所定時間置き、熱酸化処理を行って、酸化膜を絶縁膜１３として形成する。本発明では、加工工程ＳＴ３は、常温よりも高温な高温条件でスパッタリング、アニール処理及びシンター処理などの加工を実施して、円形凹部１０の底面１２上に図示しない配線層を形成しても良く、半田をスクリーン印刷した後に常温よりも高温な高温条件でリフロー加工などの加工を実施して、円形凹部１０の底面１２上に図示しない電極を形成しても良い。即ち、本発明のウエーハの加工方法の加工工程ＳＴ３は、円形凹部１０の底面１２に絶縁膜１３、配線層及び電極の少なくともいずれかを形成する（即ち、いずれかの形成を含む）。なお、保護シート２０は、ポリイミド樹脂からなる樹脂層２１のみで構成されているために、加工工程ＳＴ３における高温条件に対して、耐熱性を有する。ウエーハの加工方法は、加工工程ＳＴ３後、除去工程ＳＴ４に進む。

（除去工程）
図７は、図２に示されたウエーハの加工方法の除去工程前のウエーハを示す断面図である。図８は、図２に示されたウエーハの加工方法の除去工程後のウエーハを示す断面図である。除去工程ＳＴ４は、加工工程ＳＴ３の実施後に、円形凹部１０とリング状補強部１１との境界よりも若干内側（図７に点線１４で示す）を切削して、リング状補強部１１を除去する工程である。

除去工程ＳＴ４では、ウエーハ１の表面３を保護シート２０を介して図示しない切削装置の保持テーブルの保持面に載置し、保持面上にウエーハ１を吸引保持する。除去工程ＳＴ４では、切削装置の切削ブレードとウエーハ１とを相対的に移動させながら全周に亘って切削ブレードを境界よりも図７に点線１４で示す若干内側に切り込ませて、図８に示すように、ウエーハ１からリング状補強部１１を除去する。ウエーハの加工方法は、除去工程ＳＴ４後、転写工程ＳＴ５に進む。

（転写工程）
図９は、図２に示されたウエーハの加工方法の転写工程後のウエーハを示す断面図である。転写工程ＳＴ５は、除去工程ＳＴ４の実施後に、ウエーハ１の円形凹部１０の底面１２である裏面８にダイシングテープ２２を貼着する工程である。転写工程ＳＴ５では、ウエーハ１の円形凹部１０の底面１２である裏面８上の絶縁膜１３にダイシングテープ２２を貼着し、表面３から保護シート２０を剥離する。なお、ダイシングテープ２２は、合成樹脂から構成される樹脂層と、樹脂層に積層されかつウエーハ１の裏面８に貼着する粘着層とを備える。ウエーハの加工方法は、転写工程ＳＴ５後、分割工程ＳＴ６に進む。

（分割工程）
図１０は、図２に示されたウエーハの加工方法の分割工程後のウエーハを示す断面図である。分割工程ＳＴ６は、転写工程ＳＴ５の実施後に、分割予定ライン４に沿ってウエーハ１を表面３側から分割する工程である。

実施形態１において、分割工程ＳＴ６では、ウエーハ１の裏面８をダイシングテープ２２を介して図示しない切削装置の保持テーブルの保持面に載置し、保持面上にウエーハ１を吸引保持する。分割工程ＳＴ６では、切削装置の切削ブレードとウエーハ１とを分割予定ライン４に沿って相対的に移動させながら切削ブレードを表面３側からダイシングテープ２２の厚み方向の中央まで切り込ませて、図１０に示すように、ウエーハ１を個々のチップ９に分割する。なお、チップ９は、デバイス５を含む。ウエーハの加工方法は、分割工程ＳＴ６後、ピックアップ工程ＳＴ７に進む。

(ピックアップ工程）
図１１は、図２に示されたウエーハの加工方法のピックアップ工程を示す断面図である。ピックアップ工程ＳＴ７は、分割工程ＳＴ６の実施後に、個々に分割されたチップ９をピックアップする工程である。

実施形態１において、ピックアップ工程ＳＴ７では、図１１に示すように、ピックアップユニット６０が各チップ９を吸着して、チップ９を一つずつダイシングテープ２２からピックアップする。ウエーハの加工方法は、ピックアップ工程ＳＴ７において、全てのチップ９をピックアップすると終了する。

実施形態１に係るウエーハの加工方法は、貼着工程ＳＴ１においてウエーハ１の表面３に貼着される保護シート２０の樹脂層２１が加工工程ＳＴ３における高温条件下に対して耐熱性を有する。このために、ウエーハの加工方法は、研削工程ＳＴ２前にウエーハ１に貼着した保護シート２０を研削工程ＳＴ２後に貼り替えることなく、加工工程ＳＴ３においても用いることができる。このために、ウエーハの加工方法は、デバイス領域６を５０μｍ程度まで薄化する従来のＴＡＩＫＯ研削よりも薄い１０μｍ以上でかつ２０μｍ以下の厚みになるまで薄化しても、研削工程ＳＴ２後の加工工程ＳＴ３前に保護シート２０を貼り替える必要がなくなる。その結果、ウエーハの加工方法は、ＴＡＩＫＯ研削後にリング状補強部１１と円形凹部１０との境界などでウエーハ１が破断してしまうことを抑制でき、ＴＡＩＫＯ研削されたウエーハが破損することを抑制することができる。

また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、貼着工程ＳＴ１においてウエーハ１の表面３に貼着される保護シート２０が、樹脂層２１で構成されて粘着層を持たない。このために、ウエーハの加工方法は、加工工程ＳＴ３において粘着層が溶けて保護シート２０が剥離したり、溶けた粘着層がデバイス５に影響を与えることを抑制することができる。その結果、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、貼着工程ＳＴ１で貼着した保護シート２０を加工工程ＳＴ３でも用いることができる。

また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、貼着工程ＳＴ１において熱圧着によってウエーハ１の表面３に保護シート２０が貼着されるので、樹脂層２１で構成されて粘着層を持たない保護シート２０をウエーハ１の表面に確実に貼着させることができる。

また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、保護シート２０の樹脂層２１の線膨張係数が１２（１０^−６／℃）以上でかつ２２（１０^−６／℃）以下であり、通常の樹脂よりも配線層又は電極を構成する金属の線膨張係数に近い。このために、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、加工工程ＳＴ３において、保護シート２０がウエーハ１と同等に膨張することとなる。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。図１３は、図１２に示されたウエーハの加工方法の分割工程後のウエーハの断面図である。図１４は、図１２に示されたウエーハの加工方法のピックアップ工程を示す断面図である。なお、図１２、図１３及び図１４は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るウエーハの加工方法は、図１２に示すように、貼着工程ＳＴ１と、研削工程ＳＴ２と、加工工程ＳＴ３と、分割工程ＳＴ６−２と、ピックアップ工程ＳＴ７−２とを備え、加工工程ＳＴ３後に、分割工程ＳＴ６−２と、ピックアップ工程ＳＴ７−２とを順に実施し、貼着工程ＳＴ１、研削工程ＳＴ２及び加工工程ＳＴ３は、実施形態１と同じである。

実施形態２に係るウエーハの加工方法の分割工程ＳＴ６−２は、加工工程ＳＴ３の実施後に、分割予定ライン４に沿ってウエーハ１を研削面である円形凹部１０の底面１２側から各チップ９へと分割する工程である。

実施形態２において、分割工程ＳＴ６−２では、ウエーハ１の表面３を保護シート２０を介して切削装置７０の保持テーブル７１の保持面７２に載置し、保持面７２上にウエーハ１を吸着する。分割工程ＳＴ６では、切削装置７０の図示しない切削ブレードとウエーハ１とを分割予定ライン４に沿って相対的に移動させながら切削ブレードを円形凹部１０の底面１２側から保護シート２０の厚み方向の中央まで切り込ませて、図１３に示すように、ウエーハ１を個々のチップ９に分割する。実施形態３に係るウエーハの加工方法は、分割工程ＳＴ６後、ピックアップ工程ＳＴ７に進む。

実施形態２に係るウエーハの加工方法のピックアップ工程ＳＴ７−２は、分割工程ＳＴ６の実施後に、保護シート２０側を保持テーブル７１に吸着した状態でチップ９をピックアップする工程である。

実施形態２において、ピックアップ工程ＳＴ７−２では、保護シート２０側を保持テーブル７１に吸着した状態で、図１４に示すように、ピックアップユニット６１が各チップ９をクランプして、チップ９を一つずつ保護シート２０からピックアップする。ウエーハの加工方法は、ピックアップ工程ＳＴ７において、全てのチップ９をピックアップすると終了する。

実施形態２に係るウエーハの加工方法は、貼着工程ＳＴ１においてウエーハ１の表面３に膠着される保護シート２０の樹脂層２１が加工工程ＳＴ３における高温条件下に対して耐熱性を有する。このために、ウエーハの加工方法は、研削工程ＳＴ２前にウエーハ１に貼着した保護シート２０を研削工程ＳＴ２後に貼り替えることなく、加工工程ＳＴ３においても用いることができる。このために、ウエーハの加工方法は、デバイス領域６を１０μｍ以上でかつ２０μｍ以下の厚みになるまで、デバイス領域６を５０μｍ程度まで薄化する従来のＴＡＩＫＯ研削よりも薄化しても、研削工程ＳＴ２後の加工工程ＳＴ３前に保護シート２０を貼り替える必要がなくなる。その結果、ウエーハの加工方法は、ＴＡＩＫＯ研削後にリング状補強部１１と円形凹部１０との境界などでウエーハ１が破断してしまうことを抑制でき、ＴＡＩＫＯ研削されたウエーハが破損することを抑制することができる。

次に、本発明の発明者は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の効果を確認した。結果を表１に示す。

表１中の本発明品は、貼着工程ＳＴ１において、保護シート２０をウエーハ１の表面３に貼着して、研削工程ＳＴ２及び加工工程ＳＴ３を実施した。比較例１は、樹脂層２１とアクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂からなる粘着層とを備えた保護シートを用い、貼着工程ＳＴ１において保護シート２０の粘着層をウエーハ１の表面３に貼着して、研削工程ＳＴ２及び加工工程ＳＴ３を実施した。比較例２は、ポリオレフィン（polyolefin）又はポリエチレンテレフタラート（polyethylene terephthalate）により構成された樹脂層と、アクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂からなる粘着層とを備えたＢＧ（back grind）テープを用い、貼着工程ＳＴ１において保護シート２０の粘着層をウエーハ１の表面３に貼着して、研削工程ＳＴ２及び加工工程ＳＴ３を実施した。

比較例１は、保護シート２０の粘着層を構成するアクリル系樹脂の融点が１５０℃であり、エポキシ系樹脂の融点が２５０℃であるために、保護シート２０の粘着層が加工工程ＳＴ３における耐熱性が不足し、加工工程ＳＴ３において粘着層が溶けて保護シート２０が剥離したり、溶けた粘着層がデバイス５に影響を与えてしまった。比較例２は、ＢＧテープの樹脂層を構成するポリオレフィン又はポリエチレンテレフタラートの融点が１５０℃程度であり、粘着層を構成するアクリル系樹脂の融点が１５０℃であり、エポキシ系樹脂の融点が２５０℃であるために、ＢＧテープの樹脂層及び粘着層が加工工程ＳＴ３における耐熱性が不足し、加工工程ＳＴ３においてＢＧテープが溶けたり、溶けたＢＧテープがデバイス５に影響を与えてしまった。これらの比較例１及び比較例２に対して、本発明品は、保護シート２０の樹脂層２１が加工工程ＳＴ３において溶けることがなく、保護シート２０の耐熱性に問題がなかった。よって、ポリイミド樹脂からなる樹脂層２１のみを備える保護シート２０を貼着工程ＳＴ１において、ウエーハ１の表面３に貼着することで、保護シート２０の樹脂層２１が加工工程ＳＴ３における耐熱性を有して溶けることがないとともに、デバイス５に影響を与えなかったことが明らかとなった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

１ウエーハ
３表面
４分割予定ライン
５デバイス
６デバイス領域
７外周余剰領域
８裏面
９チップ
１０円形凹部
１１リング状補強部
１２底面（研削面）
１３絶縁膜
２０保護シート
２２ダイシングテープ
７１保持テーブル
ＳＴ１貼着工程
ＳＴ２研削工程
ＳＴ３加工工程
ＳＴ４除去工程
ＳＴ５転写工程
ＳＴ６分割工程
ＳＴ７ピックアップ工程

Claims

表面に分割予定ラインで区画された複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、
粘着層を持たないとともに耐熱性を有するポリイミド樹脂からなりかつ円板状に形成された保護シートをウエーハ表面に熱圧着する貼着工程と、
該貼着工程の実施後に、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部と該円形凹部を囲繞するリング状補強部を形成する研削工程と、
該研削工程の実施後に、研削面に絶縁膜、配線層及び電極の少なくともいずれかの形成を含む高温条件下の加工工程と、
該加工工程の実施後に、該リング状補強部を除去する除去工程と、
該除去工程の実施後、該ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し該保護シートを剥離する転写工程と、
該転写工程の実施後に該分割予定ラインに沿ってウエーハを表面側から分割する分割工程と、
該分割工程の実施後にチップをピックアップするピックアップ工程と、を備え、
該保護シートは、該加工工程における耐熱性を有することを特徴とするウエーハの加工方法。
表面に分割予定ラインで区画された複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、
粘着層を持たないとともに耐熱性を有するポリイミド樹脂からなりかつ円板状に形成された保護シートをウエーハ表面に熱圧着する貼着工程と、
該貼着工程の実施後に、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部と該円形凹部を囲繞するリング状補強部を形成する研削工程と、
該研削工程の実施後に、研削面に絶縁膜、配線層及び電極の少なくともいずれかの形成を含む高温条件下の加工工程と、
該加工工程の実施後に、該分割予定ラインに沿ってウエーハを該研削面側から各チップへと分割する分割工程と、
該分割工程の実施後に、該保護シート側を保持テーブルに吸着した状態で該チップを該保護シートからピックアップするピックアップ工程と、を備え、
該保護シートは、該加工工程における耐熱性を有することを特徴とするウエーハの加工方法。