JP4700148B2 - 電圧駆動型バイポーラ半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、バイポーラ半導体装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
バイポーラトランジスタは、小信号用、高周波用、電力用と幅広い用途に対応できるために最も多く使用されている半導体装置である。図11はバイポーラトランジスタの典型的な例の側断面図である。図において、ベース電極112からベース領域103を通って、エミッタ領域104にベース電流を流すことにより、バイポーラトランジスタはオンとなり、コレクタCとエミッタEの間を電流が流れる。コレクタCからエミッタEに流れるコレクタ電流はベース電流により制御され、ベース電流を大きくするとオン抵抗は小さくなりコレクタ電流は大きくなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図11に示すバイポーラトランジスタでは、コレクタCからエミッタEに流れる電流は、ベースBからエミッタEに流れるベース電流により制御されるが、大電流用トランジスタでは、電流増幅率が小さいため大きなベース電流を必要とし、結果として大きな駆動電力を要する。したがって、駆動電力が小さく、高耐圧かつ大容量でオン抵抗の低いバイポーラトランジスタを実現するのは困難である。
【0004】
本発明は、少ない駆動電力で大電流を制御することができるオン抵抗が低い高耐圧半導体装置を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の電圧駆動型バイポーラ半導体装置は、
第1の導電型のコレクタ領域、このコレクタ領域内に形成した第2の導電型のベース領域、前記ベース領域内に形成した第1の導電型のエミッタ領域、前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、及び前記エミッタ領域内に形成したエミッタ電極を有するバイポーラ半導体装置、
前記バイポーラ半導体装置のコレクタ領域内かつ前記ベース領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、前記コレクタ領域上と前記埋め込みゲート領域上に跨るように形成された第1の導電型のチャネル領域、前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成した第1の導電型のソース領域、前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、及び、前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極を有する蓄積型の電圧駆動半導体装置、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記蓄積型の電圧駆動半導体装置のソース領域と前記バイポーラ半導体装置のベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記蓄積型の電圧駆動半導体装置の埋め込みゲート領域に印加するゲート電位に基づいて、前記バイポーラ半導体装置のコレクタ領域から前記蓄積型の電圧駆動半導体装置のソース領域に流入する電流を制御することによって、前記蓄積型の電圧駆動半導体装置のソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする。
【0006】
すなわち、バイポーラ半導体装置はコレクタ領域、エミッタ領域及びコレクタ領域とエミッタ領域間の導通を制御するベース領域を有し、ベース領域を駆動電力の少ない蓄積型の電圧駆動半導体装置に接続する。電圧駆動半導体装置のソース領域を、導体であるベース電極によりバイポーラ半導体装置のベース領域に接続する。
【0007】
エミッタ領域と、蓄積型の電圧駆動半導体装置の埋め込みゲート領域にビルトイン電圧以上の電圧を印加すると、蓄積型の電圧駆動半導体装置が動作し、オンとなる。蓄積型の電圧駆動半導体装置を流れる電流は、ベース電極を介してバイポーラ半導体装置のベース領域に流入し、バイポーラ半導体装置はオン状態になる。上記の動作において、バイポーラ半導体装置のベース領域に与えられる駆動電力の大部分はバイポーラ半導体装置のコレクタに接続されている主電源からコレクタを経て供給される。従ってゲートを駆動するための電源は、蓄積型の電圧駆動半導体装置のみをオンさせるだけの小容量のものでよい。これにより、ゲート駆動電力が著しく少なく、且つオン抵抗の小さい半導体装置を実現できる。
【0008】
本発明の他の観点の電圧駆動型バイポーラ半導体装置は、
第1の導電型のコレクタ領域、
前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域内に形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域内に形成した第1の導電型のエミッタ領域、
前記エミッタ領域内に形成したエミッタ電極、
前記ベース領域の近傍のコレクタ領域内かつ前記ベース領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記コレクタ領域上と前記埋め込みゲート領域上に跨るように形成した第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成した第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記チャネル領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする。
【0009】
本発明の更に他の観点の電圧駆動型バイポーラ半導体装置は、
高不純物濃度の第1の導電型のコレクタ領域、
前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域の他方の面の上に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記コレクタ領域に接する面とは反対側の面の一部分に形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域内の一部分に形成した第1の導電型のエミッタ領域、
前記エミッタ領域内に形成したエミッタ電極、
前記ドリフト領域において前記ベース領域の近傍かつ前記ベース領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成した高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする
【0010】
上記の構成において、バイポーラ半導体装置の第1導電型のエミッタ領域を複数の領域に分割し、第2導電型のベース領域がエミッタ領域に接続されているエミッタ電極に接する構造にする。これにより、ベース電流が第1導電型のエミッタ領域を経由せずにコレクタから電圧駆動半導体装置を通ってエミッタへ流入する。低いコレクタ電圧でコレクタからエミッタに電流を流せるので、さらにコレクタ電圧の低い、すなわちオン抵抗の低い電圧駆動型バイポーラ半導体装置を実現できる。オン抵抗が同じ場合には、更に低いゲート駆動電圧で動作可能な半導体装置を実現できる。
【0011】
本発明の更に他の観点の電圧駆動型バイポーラ半導体装置は、
高不純物濃度の第1の導電型のコレクタ領域、
前記コレクタ領域の一方の面上に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域の他方の面上に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記コレクタ領域に接する面の反対面の一部分に形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記ドリフト領域の前記埋め込みゲート領域の両側に間隔をあけて形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域上に形成した高不純物濃度の第1の導電型のエミッタ領域、
前記エミッタ領域上に設けたエミッタ電極、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成された高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、中央部が前記ソース領域に接続され、両端部が前記埋め込みゲート領域の両側の前記ベース領域に接続されたベース電極、
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする。
第1導電型のエミッタ領域を第2導電型のベース領域の上部に設けることにより、オフ時に第2導電型のベース領域の空乏層をベース領域内の全体に広げることができるので、バイポーラ半導体装置の高耐圧化が可能となる。
【0012】
本発明の更に他の観点の電圧駆動型バイポーラ半導体装置は、
高不純物濃度の第2の導電型のアノード領域、
前記アノード領域の一方の面に形成したアノード電極、
前記アノード領域の他方の面に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記アノード領域に接する面の反対面の一部分に形成した第2の導電型のゲート領域、
前記ゲート領域内の一部分に形成した第1の導電型のカソード領域、
前記カソード領域上に形成したカソード電極、
前記ゲート領域の近傍の前記ドリフト領域内かつ前記ゲート領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成された高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ゲート領域とを接続する補助ゲート電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記アノード領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記補助ゲート電極を介して前記ゲート領域に流れる電流を制御することを特徴とする。
【0013】
すなわち第2の導電型のアノード領域、第1の導電型のドリフト層、第2の導電型のゲート領域を有するサイリスタのゲート領域に第1の導電型のカソード領域を設け、ゲート領域を電圧駆動半導体装置のソース領域に接続する。これにより前記アノード領域とカソート領域の間を流れる電流が電圧駆動半導体装置により制御され、大電流を流したときのオン抵抗を大幅に低減できる。
【0014】
本発明の更に他の観点の電圧駆動型バイポーラ半導体装置は、
高不純物濃度の第1の導電型のカソード領域、
前記カソード領域の一方の面に形成したカソード電極、
前記カソード領域の他方の面に形成した低不純物濃度の第2の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記カソード領域に接する面の反対面の一部分に形成した第1の導電型のゲート領域、
前記ゲート領域内の一部分に形成した第2の導電型のアノード領域、
前記アノード領域上に形成したアノード電極、
前記ゲート領域の近傍のドリフト領域内かつ前記ゲート領域と間隔をあけて形成した第1の導電型の埋め込みゲート領域、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第2の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成された高不純物濃度の第2の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ゲート領域とを接続するとともにゲート端子を有する補助ゲート電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記アノード領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ゲート領域から前記補助ゲート電極を介して前記ソース領域に流れる電流を制御することを特徴とする。
【0015】
アノード領域、カソード領域、ゲート領域を有するサイリスタのカソード領域を、補助ゲート電極でソース領域に接続することにより、補助ゲート電極を流れる電流によりアノード領域とカソード領域間の電流が制御される。
本発明の更に他の観点の電圧駆動型バイポーラ半導体装置は、
高不純物濃度の第1の導電型のコレクタ領域、前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域の他方の面に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記カソード領域に接する面の反対面の一部分に形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域内の一部分に形成した高不純物濃度の第1の導電型の複数のエミッタ領域、
前記エミッタ領域及びベース領域に接するように形成したエミッタ電極、
前記ベース領域の上および前記ドリフト領域の上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極、
前記チャネル領域内の一部分に形成した高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、及び
前記ソース領域と前記ベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする。
ベース領域の上にチャネル領域を形成しているので、構成が簡単になり、製造コストが安価になる。
【0016】
本発明の電圧駆動型バイポーラ半導体装置の製造方法は、
高不純物濃度の第1の導電型のコレクタ領域、
前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域の他方の面の上に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記コレクタ領域に接する面とは反対側の面の一部分に形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域内の一部分に形成した第1の導電型のエミッタ領域、
前記エミッタ領域内に形成したエミッタ電極、
前記ドリフト領域においてベース領域の近傍かつ前記ベース領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成した高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置の製造方法であって、
前記コレクタ領域として機能する高不純物濃度の第1の導電型の基板の一方の面に低不純物濃度の第1の導電型のドリフト層を形成するステップ、
前記ドリフト層の表面の一部分の所定の領域に金属のイオン打込みにより、第2の導電型の前記ベース領域及び前記埋め込みゲート領域を形成するステップ、
前記ベース領域及び前記埋め込みゲート領域を形成した前記ドリフト層の上に低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域層を形成するステップ、
前記ベース領域上の前記チャネル領域層を除去することにより、前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように前記チャネル領域を形成するステップ、
前記ベース領域の一部分と前記チャネル領域の一部分とに、イオン打込みによる高不純物濃度の第1の導電型の、前記エミッタ領域とソース領域とをそれぞれ形成するステップ、
前記ベース領域、エミッタ領域、チャネル領域及びソース領域の上に絶縁膜を形成するステップ、
前記ソース領域、ベース領域、及びエミッタ領域の上のそれぞれ所定部分の前記絶縁膜を除去するステップ、
前記絶縁膜を除去した、前記ソース領域とベース領域を接続する金属膜の前記ベース電極、前記チャネル領域に絶縁膜を介して対向する前記ゲート電極及び前記エミッタ領域に接する前記エミッタ電極を金属の膜により形成するステップ、及び
前記基板の他方の面に前記コレクタ電極を金属の膜で形成するステップ
を備える。
薄膜形成技術により同一基板上に前記の各層を形成することにより、電圧駆動型バイポーラ半導体装置を一つの基板上に形成することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施例を図1から図10を参照して説明する。本発明の各実施例では、シリコンカーバイド(SiC)基板を用いたものを例に挙げて説明しているが、基板の材料はこれに限られるものではなく、シリコンなど他の材料を用いたものにも本発明は適用可能であり、本発明の範囲に含まれる。
【0018】
《第1実施例》
図1は、本発明の第1実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタのセグメントの側断面図であり、図2は平面図である。本発明の電圧駆動型バイポーラトランジスタは、図1に示すセグメントを複数個図の左右方向に並べて同一基板上に形成し、並列に接続して大電流の制御に用いる。図において、コレクタ電極20が設けられた高不純物濃度のn型コレクタ領域1の厚さは約300μmであり、その上に形成された低不純物濃度のn型ドリフト層2の厚さは約50μmである。n型ドリフト層2の表面近傍に形成された、p型ベース領域3の厚さは0.5μmから2μmである。p型埋め込みゲート領域9の厚さは0.5μmから2μm程である。p型埋め込みゲート領域9の面積は、p型ベース領域3の面積より少ないのが望ましい。p型ベース領域3に設けられた高不純物濃度のn型エミッタ領域4の厚さは0.1μmから0.3μmである。
【0019】
n型エミッタ領域4にエミッタ電極21が設けられている。n型コレクタ領域1、n型ドリフト層2、p型ベース領域3及びエミッタ領域4によりバイポーラトランジスタが構成されている。p型埋め込みゲート領域9の上に形成されたn型のチャネル領域5の厚さは約0.3μmであり、0.1μmから0.7μm程度であればよい。チャネル領域5の一部分に形成されたn型ソース領域6の厚さは0.1μmから0.3μmであり、その面積は、p型埋め込みゲート領域9の面積の2分の1から5分の1である。チャネル領域5の上に形成されたゲート絶縁膜7の厚さは約0.1μmである。ゲート絶縁膜7の上にゲート電極22が設けられている。ゲート電極22は、後で詳しく説明する接続手段でp型埋め込みゲート領域9にも接続されている。n型ドリフト層2,埋め込みゲート領域9,チャネル領域5、ゲート絶縁膜7及びゲート電極により蓄積型の電界効果トランジスタ(FET)が構成されている。
【0020】
p型埋め込みゲート領域9は、n型ソース領域6より約2μm図の左方へ長く突出されており、その突出部の長さは1から5μm程度が望ましい。n型ソース領域6は前記の蓄積型の電界効果トランジスタのソースとして働く。n型ソース領域6とp型ベース領域3はベース電極23により電気的に接続されている。p型ベース領域3の上面など各領域の露出部には絶縁膜8が形成されている。本実施例のセグメントは図の紙面に垂直な方向に長いストライプ状であるが、その形状は例えば円形や四角形等であってもかまわない。
【0021】
本実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの製造方法の一例を以下に説明する。
コレクタ領域1として機能する、1018から1020atm/cm3の高不純物濃度のn型SiC基板を用意し、その一方の表面(図1で上面)に1014から1016atm/cm3のSiC 低不純物濃度のn型ドリフト層2を気相成長法等により形成する。
【0022】
n型ドリフト層2の表面近傍に、1017から1018atm/cm3程度のp型ベース領域3及び埋め込みゲート領域9をアルミニウム等のイオン打ち込み等により形成し、続いてチャネル領域5のための、1014から1016atm/cm3のSiC低不純物濃度n型層を気相成長法等により形成する。
チャネル領域5のみを残し、前の工程で形成したp型ベース領域3等の上の低不純物濃度n型層を取り除く。
1018から1020atm/cm3の高不純物濃度のn型エミッタ領域4及びn型ソース領域6を窒素等のイオン打ち込み法により形成する。
【0023】
埋め込みゲート領域9をゲートGに接続するための埋め込みゲート電極22Aを形成するために、後の工程でゲート電極22とベース電極23を形成する部分以外のチャネル領域5を除去し、埋め込みゲート領域9を露出させる。次に全面にSiO2のゲート絶縁膜7および保護用の絶縁膜8を形成した後、n型ソース領域6及びp型ベース領域3の端部のそれぞれ一部分の絶縁膜を取り除き、Al等金属膜を所定のマスクを用いて形成して、ベース電極23を形成する。また同時にn型エミッタ領域4と、埋め込みゲート領域9の一部の絶縁膜を取り除き、Al等の金属膜を形成してそれぞれエミッタ電極21と埋め込みゲート電極22Aを形成する。同時にゲート電極22も形成する。最後に、アルミニウム、ニッケル等でSiC基板1の裏面にコレクタ電極20を形成し、完成する。
【0024】
図2は図1の電圧駆動型バイポーラトランジスタの平面図である。
本実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの動作を以下に説明する。コレクタCの電位がエミッタEの電位より高い状態で、ゲートGとエミッタEの電位を0Vにすると、p型埋め込みゲート領域9と、隣接するn型チャネル領域5の接合部から、接合部のビルトイン電圧に応じて空乏層が広がり、チャネル領域5をピンチオフにする。また、p型ベース領域3とn型ドリフト層2との接合部、及びp型埋め込みゲート領域9とn型ドリフト層2の接合部から、コレクタ電極20側のn型ドリフト層2に空乏層が広がり、エミッタE−コレクタC間の電流が遮断されるノーマリオフの状態となる。コレクタ電圧が高い場合でも、p型埋め込みゲート領域9がゲート電位に保たれているため、ノーマリオフの状態が維持され高耐圧の電圧駆動型バイポーラトランジスタを実現できる。
【0025】
コレクタCの電位が、エミッタEの電位に対して、pn接合のビルトイン電圧以上に高くなり、かつゲートGの電位が、エミッタEの電位に対して、pn接合のビルトイン電圧よりも高くなるようなゲート電圧をゲートGに印加すると、ゲート絶縁膜7の近傍のチャネル領域5に蓄積層が形成される。電流は、コレクタCからn型チャネル領域5の蓄積層を通り、n型ソース領域6へ流入し、ベース電極23を経て、p型ベース領域3へ流入する。ベース領域3へ流入する電流はバイポーラトランジスタのベース電流となり、コレクタCからp型ベース領域3を通ってエミッタEに電流が流れて、バイポーラトランジスタはオンとなる。ゲートGのゲート電圧を高くすると、FETの電界効果にもとづく蓄積効果によりチャネル領域5の抵抗が低くなり、ベース電極23を経てp型ベース領域3に流入するベース電流が増加する。その結果、オン抵抗はさらに低くなりコレクタC−エミッタE間を流れる電流は増加する。
【0026】
本実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタは、FETのゲートGに印加するゲート電圧で駆動されるため、ゲートGを駆動する電力は少なくてすむ。本実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの耐圧は約5.6kVであった。また、コレクタC−エミッタE間の抵抗とエミッタ電極の面積の積で表される特性オン抵抗は、ゲート電圧を5Vとした場合約15mΩ・cm2であった。また、ゲート電圧を5V以上にし、p型埋め込みゲート領域9からホールを注入すると、少ないホールの注入で伝導度変調が生じ、さらに低い特性オン抵抗、ひいては低いオン電圧の電圧駆動型バイポーラトランジスタが実現できる。
【0027】
《第2実施例》
図3は、本発明の第2実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタのセグメントの側断面図である。図3に示す構成では、図1におけるエミッタ領域4が、複数(図3では3個)のエミッタ領域4Aに分割されており、p型ベース領域3の一部がエミッタ電極21と接している。
【0028】
図3において、コレクタCの電位がエミッタEの電位より高い状態で、ゲートGにエミッタEより高い電圧を印加すると、コレクタCからチャネル領域5を通ってベース電流がp型ベース領域3に流れ込む。ベース電流はn型エミッタ領域4Aを通らずにp型ベース領域3から直接エミッタEに流入する。したがって、コレクタCの電位がビルトイン電圧以下の場合でも、コレクタCからエミッタEに電流を流すことが出来るので、電圧駆動型バイポーラトランジスタのオン抵抗は低くなる。ゲートGの電圧をさらに高くすると、チャネル領域5の空乏層が狭くなる。その結果チャネル抵抗が下がり、ベース電流が増加する。これにより、p型ベース領域3内においてn型エミッタ領域4Aの下方の電位が上昇する。この電位が、n型エミッタ領域4Aとp型ベース領域3の間のビルトイン電圧より高くなると、バイポーラトランジスタがオンする。この電圧駆動型バイポーラトランジスタにおいて、ゲート電圧を2.5Vと低くした場合でも、特性オン抵抗は50mΩ・cm2であった。ゲート電圧を5Vとした場合は、実施例1と同じ約15mΩ・cm2であった。
【0029】
《第3実施例》
図4は、本発明の第3実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタのセグメントの側断面図である。本実施例において、n型ドリフト層2の上にp型ベース領域3とp型埋め込みゲート領域9を形成した後、さらにそれらの上に低不純物濃度n型層を形成する工程までは第1実施例と同じである。本実施例では、形成された低不純物濃度n型層の内の、チャネル領域5、エミッタ側部領域10及び次の工程で高不純物濃度のn型エミッタ領域4になされる部分を残して他の部分を除去する。次に窒素等のイオン打ち込みにより、高不純物濃度のn型エミッタ領域4とソース領域6を形成する。この構造により、n型エミッタ領域4が接する部分のp型ベース領域3が第1実施例のものより厚くなる。その結果オフ時にp型ベース領域3に広がる空乏層がn型エミッタ領域4に到達して、コレクタ電圧(パンチスルー電圧)を高くすることができ、高耐圧化が図れる。本実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの耐圧は、6kVであった。また、n型エミッタ領域4を厚くすることができるので、その抵抗を第1実施例のものの半分以下に低減することができる。
【0030】
《第4実施例》
図5は、本発明の第4実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタのセグメントの側断面図である。第1実施例の構成と異なるのは、埋め込みゲート領域9の近傍のn型ドリフト層2にp型埋め込みゲートコンタクト領域11を設け、かつその上にp型ゲートコンタクト領域12を設けた点である。p型ゲートコンタクト領域12には、ゲート電極22が接している。この構造により、オフ時に、p型埋め込みゲートコンタクト領域11とp型埋め込みゲート領域9との間に空乏層が広がる。これにより、コレクタCとn型ソース領域6の間を、電流が流れないピンチオフ状態にすることができるので、電圧駆動型バイポーラトランジスタの高耐圧化が図れる。図6は図5のVI−VI断面図である。図6に示すように、p型埋め込みゲートコンタクト領域11とp型埋め込みゲート領域9との間に、p型領域11Aを設けて両者を接続すれば、p型埋め込みゲート領域9とゲート電極7とを接続するために、図1及び図2に示すように、をチャネル領域5に孔を掘ってゲート電極22Aを設ける必要がない。そのため、チャネル領域5の通電面積を大きくすることができ面積効率が改善される。
【0031】
また、この構造においては、ゲートGとチャネル領域5間の電圧がビルトイン電圧以下になるようにゲート電圧を印加すると、チャネル領域5に広がる空乏層が図の上下方向のみならず左右方向にも狭くなり、チャネル幅が広くなる。その結果低いゲート電圧でもオン抵抗が低くなる。オフ時には、チャネル領域5の全域に空乏層が拡がるので、ノーマリオフが容易に実現できる。
【0032】
《第5実施例》
図7は、本発明の第5実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの1個のセグメントとその両隣りのセグメントの一部を示す側断面図である。第5実施例においては、n型ソース領域6を取り囲むようにn型チャネル領域5を形成している。チャネル領域5には、絶縁膜8を介して、2個のゲート電極22B、22Cが対向している。n型ソース領域6に接続されたベース電極23は、同一セグメントのp型ベース領域3に接続されると共に、図の左方に隣接するセグメントのp型ベース領域3Aにも接続されている。同様にして、p型ベース領域3の右端部には、右方に隣接するセグメントのベース電極23Aが接続されている。その他の構成は図4の第3実施例と同様であるので重複する説明を省略する。この構成により、チャネル領域5の面積が広がりチャネル抵抗が小さくなるため、n型チャネル領域5にコレクタから流れ込む電流を大きくすることができる。また、p型ベース領域3には、左右両方のベース電極23、23Aからベース電流が流入するので、p型ベース領域3に流れ込むベース電流を増加させることができる。その結果、バイポーラトランジスタのコレクタCからエミッタEに流れる電流を大きくでき、電圧駆動型バイポーラトランジスタの大電流化が実現できる。
【0033】
《第6実施例》
図8は、本発明の第6実施例の電圧駆動型サイリスタのセグメントの側断面図である。本実施例のサイリスタは、第1実施例において用いたn型SiC基板の代わりにp型SiC基板を用いて構成する。サイリスタのアノード領域13として機能する、高不純物濃度p型SiC基板を用意し、その一方の表面に1014から1016atm/cm3の低不純物濃度のn型ドリフト層2を気相成長法等により形成する。アノード領域13にはアノード電極24が設けられている。p型ゲート領域15及び埋め込みゲート領域9をアルミニウム等のイオン打ち込みなどによって形成している。p型ゲート領域15の一部分に高不純物濃度のn型カソード領域14を形成し、その上にカソード電極25を設けている。その他の構成は第1実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタと同じである。ゲートG及びカソードKを0Vとし、アノードAに正の電圧を印加すると、p型埋め込みゲート領域9とそれに接するn型チャネル領域5との接合部からビルトイン電圧による空乏層が広がり、チャネル領域5をピンチオフにする。また、p型埋め込みゲート領域9及びp型ゲート領域15とn型ドリフト層2とのそれぞれ接合部からアノードA側に空乏層が広がりこれらの接合部が電圧を分担するため、順方向電圧に対する耐電圧が高くなる。
【0034】
また、ゲートG及びカソードKを0Vとし、アノードAに負の電圧を印加すると、p型アノード領域13とn型ドリフト層2との接合部から空乏層が広がり、逆方向電圧に対する耐電圧が高くなる。したがって、本実施例のサイリスタは順方向および逆方向ともに高い耐電圧特性を有する。
【0035】
一方、アノードAにビルトイン電圧以上の電圧を印加し、ゲートGにカソードKを基準にしてビルトイン電圧以上の電圧を印加すると、チャネル領域5内の、ゲート酸化膜7に接する部分の近傍に蓄積層が形成される。その結果アノードAから補助ゲート電極26を通って、p型ゲート領域15に電流が流れ、p型アノード領域13、n型ドリフト層2、p型ゲート領域15、n型カソード領域14から成るのサイリスタ部分がオンとなる。n型ドリフト層2内にp型アノード領域13から正孔が注入されるため、伝導度変調が生じ、高電流密度領域でのオン抵抗が大幅に低減する。耐電圧5.6kVのサイリスタの場合、特性オン抵抗を10mΩ・cm2以下にすることができた。
【0036】
《第7実施例》
図9は、本発明の第7実施例のゲートターンオフサイリスタ(Gate Turn Off Thyristor,以下GTOと称する)のセグメントの側断面図である。図9に示すGTOは、図8に示すサイリスタの各領域におけるn型のものをp型に、p型のものをn型に変えた構造を有している。さらにゲート電極22に接続されたゲートG1と、補助ゲート電極26に接続された補助ゲートG2とを備えている。ゲートG1、補助ゲートG2及びアノードAの電位を0Vとし、カソードKに負の電圧を印加すると、n型埋め込みゲート領域9と、これに接するp型チャネル領域5との接合部からビルトイン電圧による空乏層が広がる。この空乏層により、p型チャネル領域5がピンチオフとなるため、順方向の電圧に対して優れた耐電圧特性を示す。また、ゲートG1、補助ゲートG2及びアノードAを0Vとし、カソードKに正の電圧を印加すると、n型カソード領域14とp型ドリフト層2との接合部から空乏層が広がり、逆電圧に対して高い耐電圧性を示す。すなわち、順方向および逆方向の両方向において高耐圧が実現できる。一方、カソードKに、逆方向のビルトイン電圧以上の電圧を印加し、ゲートG1にアノードAを基準にして、ビルトイン電圧以下の負の電圧を印加すると、GTOがオンする。このときp型ドリフト層2内にn型カソード領域14から電子が注入されるため、伝導度変調が生じ、高電流密度領域でオン抵抗が大幅に低減する。GTOがオンした状態において、ゲートG1の電圧を0Vとし、補助ゲートG2に逆バイアス電圧を印加し、アノードAとカソードK間を流れる電流の一部を補助ゲートG2から引き抜くことにより、GTOをオフ状態にすることができる。
【0037】
《第8実施例》
図10は、本発明の第8実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタのセグメントの側断面図である。本実施例においてはn型ドリフト層2の表面近傍の大部分の領域にp型ベース領域3を形成している。p型ベース領域3の図において右側部分に高不純物濃度の複数のn型エミッタ領域4Aを形成する。前記p型ベース領域3の構造を除いて、本実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの構成は、図3に示す実施例2の電圧駆動型バイポーラトランジスタと同様である。本実施例では埋め込みゲート領域(図3の9)を設けていないので、図3におけるように、埋め込みゲート領域9をゲートGに接続するための埋め込みゲート電極22Aを設ける必要がない。従って、チャネル領域5の面積が埋め込みゲート電極22Aの分だけ増加し、チップ面積の利用効率が良く、製造プロセスも簡略化できる。また、複数の分割したn型エミッタ領域4Aを有し、p型ベース領域3がエミッタ電極21と接している。従ってコレクタ電位がビルトイン電圧以下のときでも、ゲートGにビルトイン電圧以下の電圧を加えることにより、n型エミッタ領域4を経ずに、コレクタCからエミッタEに電流が流れる。その結果オン抵抗の低い電圧駆動型バイポーラトランジスタが実現できる。
【0038】
以上、第1から第8の実施例を説明したが、本発明はさらに多くの適用範囲を有し、他の派生構造をカバーするものである。例えば電流を制御する素子は、IGBT等でもよい。
前記各実施例では、SiCを用いた素子の場合のみを述べたが、本発明はシリコン、ガリウムヒ素等の他の半導体材料を用いた素子にも適用できる。特に、ダイヤモンド、ガリウムナイトライドなどのワイドギャップ半導体材料を用いた素子に有効である。
前記実施例のn型領域をp型領域に、p型領域をn型領域に置き変える場合でも、本発明の構成を適用できる。
【0039】
【発明の効果】
以上各実施例の説明から明らかなように、本発明の電圧駆動型バイポーラ半導体装置は、バイポーラ半導体装置のベースの駆動を蓄積型の電圧駆動半導体装置で行う。すなわち、電流を制御する半導体素子をバイポーラトランジスタなどのバイポーラ半導体装置で構成し、これを駆動する半導体素子をFETで構成する。これにより、小さいゲート駆動電力で、大電流を制御できる低いオン抵抗を有する電圧駆動型バイポーラトランジスタが実現できる。
【0040】
前記電圧駆動半導体装置に埋め込みゲート領域を設けることにより、バイポーラ半導体装置のベース電流を増加させることができ、低いオン電圧で、大電流を通電できる。電圧遮断時に、ベース領域の電位が上昇しないため、高耐圧を実現できる。
エミッタ領域を複数の領域に分割し、ベース領域をエミッタ電極に接触させることにより、ゲート電圧がビルトイン電圧以下のときでも半導体装置をオンさせることができ、更に低いオン抵抗の電圧駆動型バイポーラ半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの側断面図
【図2】 第1実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの電極配置を示す平面図
【図3】 本発明の第2実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの側断面図
【図4】 本発明の第3実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの側断面図
【図5】 本発明の第4実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの側断面図
【図6】 図5のVI−VI断面例
【図7】 本発明の第5実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの側断面図
【図8】 本発明の第6実施例の電圧駆動型バイポーラ半導体装置としてのサイリスタの側断面図
【図9】 本発明の第7実施例の電圧駆動型バイポーラ半導体装置としてのGTOの側断面図
【図10】 本発明の第8実施例の電圧駆動型バイポーラトランジスタの側断面図
【図11】 従来のバイポーラトランジスタの側断面図
【符号の説明】
1:コレクタ領域
2:ドリフト層
3:ベース領域
4:エミッタ領域
4A:エミッタ領域
5:チャネル領域
6:ソース領域
7:ゲート絶縁膜
8:絶縁膜
9:埋め込みゲート領域
10:領域
11:埋め込みゲートコンタクト領域
12:ゲートコンタクト領域
13:アノード領域
14:カソード領域
15:ゲート領域
20:コレクタ電極
21:エミッタ電極
22:ゲート電極
22A:埋め込みゲート電極
23:ベース電極
24:アノード電極
25:カソード電極
26:補助ゲート電極
101:コレクタ領域
102:ドリフト層
103:ベース領域
104:エミッタ領域
110:コレクタ電極
111:エミッタ電極
112:ベース電極
Claims (12)
- 第1の導電型のコレクタ領域、このコレクタ領域内に形成した第2の導電型のベース領域、前記ベース領域内に形成した第1の導電型のエミッタ領域、前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、及び前記エミッタ領域内に形成したエミッタ電極を有するバイポーラ半導体装置、
前記バイポーラ半導体装置のコレクタ領域内かつ前記ベース領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、前記コレクタ領域上と前記埋め込みゲート領域上に跨るように形成された第1の導電型のチャネル領域、前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成した第1の導電型のソース領域、前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、及び、前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極を有する蓄積型の電圧駆動半導体装置、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記蓄積型の電圧駆動半導体装置のソース領域と前記バイポーラ半導体装置のベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記蓄積型の電圧駆動半導体装置の埋め込みゲート領域に印加するゲート電位に基づいて、前記バイポーラ半導体装置のコレクタ領域から前記蓄積型の電圧駆動半導体装置のソース領域に流入する電流を制御することによって、前記蓄積型の電圧駆動半導体装置のソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置。 - 第1の導電型のコレクタ領域、
前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域内に形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域内に形成した第1の導電型のエミッタ領域、
前記エミッタ領域内に形成したエミッタ電極、
前記ベース領域の近傍のコレクタ領域内かつ前記ベース領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記コレクタ領域上と前記埋め込みゲート領域上に跨るように形成した第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成した第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記チャネル領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置。 - 高不純物濃度の第1の導電型のコレクタ領域、
前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域の他方の面の上に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記コレクタ領域に接する面とは反対側の面の一部分に形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域内の一部分に形成した第1の導電型のエミッタ領域、
前記エミッタ領域内に形成したエミッタ電極、
前記ドリフト領域において前記ベース領域の近傍かつ前記ベース領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成した高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置。 - 前記チャネル領域を複数の領域に分割し、隣り合う各チャネル領域の間に前記埋め込みゲート領域に接続された埋め込みゲート電極を設けたことを特徴とする請求項2又は3記載の電圧駆動型バイポーラ半導体装置。
- 前記エミッタ領域を、複数の領域に分割し、前記ベース領域がエミッタ電極に接することを特徴とする請求項1、2又は3記載の電圧駆動型バイポーラ半導体装置。
- 前記ベース領域の上に、高不純物濃度の第1の導電型のエミッタ領域と低不純物濃度の第1の導電型のエミッタ領域とを形成し、前記エミッタ電極を前記高不純物濃度の第1の導電型のエミッタ領域に設けたことを特徴とする請求項1、2又は3記載の電圧駆動型バイポーラ半導体装置。
- 前記埋め込みゲート領域の近傍のドリフト領域に形成した、第2の導電型の埋め込みゲートコンタクト領域、
前記埋め込みゲートコンタクト領域に接するように形成した、第2の導電型の別のゲートコンタクト領域、及び
一部分が前記別のゲートコンタクト領域に接し、前記一部分を除く他の部分が絶縁物を介して第1の導電型のチャネル領域に対向しているゲート電極
を更に備える請求項3記載の電圧駆動型バイポーラ半導体装置。 - 高不純物濃度の第1の導電型のコレクタ領域、
前記コレクタ領域の一方の面上に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域の他方の面上に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記コレクタ領域に接する面の反対面の一部分に形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記ドリフト領域の前記埋め込みゲート領域の両側に間隔をあけて形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域上に形成した高不純物濃度の第1の導電型のエミッタ領域、
前記エミッタ領域上に設けたエミッタ電極、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成された高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、中央部が前記ソース領域に接続され、両端部が前記埋め込みゲート領域の両側の前記ベース領域に接続されたベース電極、
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置。 - 高不純物濃度の第2の導電型のアノード領域、
前記アノード領域の一方の面に形成したアノード電極、
前記アノード領域の他方の面に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記アノード領域に接する面の反対面の一部分に形成した第2の導電型のゲート領域、
前記ゲート領域内の一部分に形成した第1の導電型のカソード領域、
前記カソード領域上に形成したカソード電極、
前記ゲート領域の近傍の前記ドリフト領域内かつ前記ゲート領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成された高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ゲート領域とを接続する補助ゲート電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記アノード領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記補助ゲート電極を介して前記ゲート領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置。 - 高不純物濃度の第1の導電型のカソード領域、
前記カソード領域の一方の面に形成したカソード電極、
前記カソード領域の他方の面に形成した低不純物濃度の第2の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記カソード領域に接する面の反対面の一部分に形成した第1の導電型のゲート領域、
前記ゲート領域内の一部分に形成した第2の導電型のアノード領域、
前記アノード領域上に形成したアノード電極、
前記ゲート領域の近傍のドリフト領域内かつ前記ゲート領域と間隔をあけて形成した第1の導電型の埋め込みゲート領域、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第2の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成された高不純物濃度の第2の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ゲート領域とを接続するとともにゲート端子を有する補助ゲート電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記アノード領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ゲート領域から前記補助ゲート電極を介して前記ソース領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置。 - 高不純物濃度の第1の導電型のコレクタ領域、前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域の他方の面に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記カソード領域に接する面の反対面の一部分に形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域内の一部分に形成した高不純物濃度の第1の導電型の複数のエミッタ領域、
前記エミッタ領域及びベース領域に接するように形成したエミッタ電極、
前記ベース領域の上および前記ドリフト領域の上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極、
前記チャネル領域内の一部分に形成した高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、及び
前記ソース領域と前記ベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置。 - 高不純物濃度の第1の導電型のコレクタ領域、
前記コレクタ領域の一方の面に形成したコレクタ電極、
前記コレクタ領域の他方の面の上に形成した低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドリフト領域の前記コレクタ領域に接する面とは反対側の面の一部分に形成した第2の導電型のベース領域、
前記ベース領域内の一部分に形成した第1の導電型のエミッタ領域、
前記エミッタ領域内に形成したエミッタ電極、
前記ドリフト領域においてベース領域の近傍かつ前記ベース領域と間隔をあけて形成した第2の導電型の埋め込みゲート領域、
前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように形成した低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域内の一部分かつ前記埋め込みゲート領域上に形成した高不純物濃度の第1の導電型のソース領域、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上に形成されたゲート絶縁膜、
前記チャネル領域上と前記ソース領域上の一部に前記ゲート絶縁膜を介して形成するとともに、前記埋め込みゲート領域に接続されたゲート電極、及び
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記ソース領域と前記ベース領域とを接続するベース電極
を備え、
前記ゲート電極に印加するゲート電位に基づいて、前記コレクタ領域から前記ソース領域に流入する電流を制御することによって、前記ソース領域から前記ベース電極を介して前記ベース領域に流れる電流を制御することを特徴とする電圧駆動型バイポーラ半導体装置の製造方法であって、
前記コレクタ領域として機能する高不純物濃度の第1の導電型の基板の一方の面に低不純物濃度の第1の導電型のドリフト層を形成するステップ、
前記ドリフト層の表面の一部分の所定の領域に金属のイオン打込みにより、第2の導電型の前記ベース領域及び前記埋め込みゲート領域を形成するステップ、
前記ベース領域及び前記埋め込みゲート領域を形成した前記ドリフト層の上に低不純物濃度の第1の導電型のチャネル領域層を形成するステップ、
前記ベース領域上の前記チャネル領域層を除去することにより、前記埋め込みゲート領域上および前記ドリフト領域上に跨るように前記チャネル領域を形成するステップ、
前記ベース領域の一部分と前記チャネル領域の一部分とに、イオン打込みによる高不純物濃度の第1の導電型の、前記エミッタ領域とソース領域とをそれぞれ形成するステップ、
前記ベース領域、エミッタ領域、チャネル領域及びソース領域の上に絶縁膜を形成するステップ、
前記ソース領域、ベース領域、及びエミッタ領域の上のそれぞれ所定部分の前記絶縁膜を除去するステップ、
前記絶縁膜を除去した、前記ソース領域とベース領域を接続する金属膜の前記ベース電極、前記チャネル領域に絶縁膜を介して対向する前記ゲート電極及び前記エミッタ領域に接する前記エミッタ電極を金属の膜により形成するステップ、及び
前記基板の他方の面に前記コレクタ電極を金属の膜で形成するステップ
を備える電圧駆動型バイポーラ半導体装置の製造方法。
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