JPS6325971A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6325971A JPS6325971A JP8179287A JP8179287A JPS6325971A JP S6325971 A JPS6325971 A JP S6325971A JP 8179287 A JP8179287 A JP 8179287A JP 8179287 A JP8179287 A JP 8179287A JP S6325971 A JPS6325971 A JP S6325971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- region
- base
- conductivity type
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ノlワートランジスタ、特に電圧制御型のパ
ワートランジスタに関する。
ワートランジスタに関する。
近年、大電力を扱う電力制御用の素子として、サイリス
タとともにノやワートランジスタの要求が強くなってき
友。しかし、トランジスタは動作上ベース駆動ノ卆ワー
が大きいという欠点があっ之。
タとともにノやワートランジスタの要求が強くなってき
友。しかし、トランジスタは動作上ベース駆動ノ卆ワー
が大きいという欠点があっ之。
特に高耐圧を要求される装置では、直流電流増心塞り、
、が低くなる九め、大きなベース電流を供給することが
必要であり友。この点を改善するために同一基板内に2
個またはそれ以上のトランジスタ部を形成し、これらを
ダーリントン接続すること忙よって、h□を高め、ベー
ス駆動ノーワーを小さくする技術が知られている◎ 一方、通常のバイポーラトランジスタと根本的に異なる
動作機構を有する装置として、静電誘導トランジスタが
ある。これは、電圧制御によるトランジスタで、入力イ
ンピーダンスが高く、駆動電力がバイポーラトランジス
タに比べ、約1/10程度と小さくなる。しかしながら
、静電誘導トランジスタは、少数キャリアの注入による
伝導度変詞の効果がないため、現状の技術においては、
ソース、ドレイン間の抵抗値が大きく、主?2!流によ
る損失の点でサイリスタ、バイポーラ型ノ9ワートラン
ジスタに劣るものしか得らルていない。
、が低くなる九め、大きなベース電流を供給することが
必要であり友。この点を改善するために同一基板内に2
個またはそれ以上のトランジスタ部を形成し、これらを
ダーリントン接続すること忙よって、h□を高め、ベー
ス駆動ノーワーを小さくする技術が知られている◎ 一方、通常のバイポーラトランジスタと根本的に異なる
動作機構を有する装置として、静電誘導トランジスタが
ある。これは、電圧制御によるトランジスタで、入力イ
ンピーダンスが高く、駆動電力がバイポーラトランジス
タに比べ、約1/10程度と小さくなる。しかしながら
、静電誘導トランジスタは、少数キャリアの注入による
伝導度変詞の効果がないため、現状の技術においては、
ソース、ドレイン間の抵抗値が大きく、主?2!流によ
る損失の点でサイリスタ、バイポーラ型ノ9ワートラン
ジスタに劣るものしか得らルていない。
本発明の目的は、上述の全く動作原理の異なる2刹のト
ランジスタを適切な配置で同一基板内に集積化し、ベー
ス駆動ノやグーがダーリントン接続型よりも小さく、し
かも、主電流だよる損失の少ない・々グートランジスタ
を提供することである。
ランジスタを適切な配置で同一基板内に集積化し、ベー
ス駆動ノやグーがダーリントン接続型よりも小さく、し
かも、主電流だよる損失の少ない・々グートランジスタ
を提供することである。
本発明では、入力インピーダンスの大きい静電誘導灘の
トランジスタを第1段とし、第1段トランジスタの主電
流を出力用の第2段トランジスタのベース電流として供
給することである。第1段トランジスタの主電流は、f
f−)部に電圧を印加することにより制御でき、小さな
駆動パワーで出力トランジスタのコレクタ電流を制御す
ることができるので、極めて効高が良い。
トランジスタを第1段とし、第1段トランジスタの主電
流を出力用の第2段トランジスタのベース電流として供
給することである。第1段トランジスタの主電流は、f
f−)部に電圧を印加することにより制御でき、小さな
駆動パワーで出力トランジスタのコレクタ電流を制御す
ることができるので、極めて効高が良い。
以下、本発明の実施例について図面を参照し詳細に説明
する。図は本発明による電圧制御型・卆ワートランジス
タの断面図であり、1.11はn+型不純物層、2,1
2はpm不純物層、3ばn−減不純物層、4はn+型不
純物層である。すなわち、不綿物層1,2,3.4によ
りパイ?−ラ型の主トランジスタ部が構成され、制御部
は11.12により形成されている。
する。図は本発明による電圧制御型・卆ワートランジス
タの断面図であり、1.11はn+型不純物層、2,1
2はpm不純物層、3ばn−減不純物層、4はn+型不
純物層である。すなわち、不綿物層1,2,3.4によ
りパイ?−ラ型の主トランジスタ部が構成され、制御部
は11.12により形成されている。
このトランジスタをエミッタ接地により動作させる場合
について考えると、主トランジスタのコレクタ1を極9
に正、エミッタ電極5に負の電圧が印加され、f−)電
極8にr−)信号が印加さnていない時は、電極9から
の電流はn+不純物層11を通り、ベース電極配線7に
よt)P型ベース領域2に流れ込み、さらに、2層2と
n+層1の順方向接合を通シエミッタ電極5に抜ける。
について考えると、主トランジスタのコレクタ1を極9
に正、エミッタ電極5に負の電圧が印加され、f−)電
極8にr−)信号が印加さnていない時は、電極9から
の電流はn+不純物層11を通り、ベース電極配線7に
よt)P型ベース領域2に流れ込み、さらに、2層2と
n+層1の順方向接合を通シエミッタ電極5に抜ける。
次にダート電極8にグー)信号を印加し、2層12およ
びn−層3により形成される接合を逆バイアスすると、
接合周囲のポテンシャルが変化し、主トランジスタのベ
ース電流が制御される。更だ逆パイ゛アスを大きくして
いくと、ベース電流が流れなくなシ、主トランジスタを
遮断することができる。
びn−層3により形成される接合を逆バイアスすると、
接合周囲のポテンシャルが変化し、主トランジスタのベ
ース電流が制御される。更だ逆パイ゛アスを大きくして
いくと、ベース電流が流れなくなシ、主トランジスタを
遮断することができる。
以上説明したように、本発明にょnば、f−)に電圧を
印加することにより、主トランジスタのコレクタ環流を
制御でき、駆動・パワーおよび主電流による損失の小さ
い効率的なパワートランジスタを小泡゛でかつ安価だ提
供できる。
印加することにより、主トランジスタのコレクタ環流を
制御でき、駆動・パワーおよび主電流による損失の小さ
い効率的なパワートランジスタを小泡゛でかつ安価だ提
供できる。
図は本発明による実施例の断面図である。
1.11・・・n+型半導体領域、2.12・・・P型
半導体領域、3・・・n−型半導体領域、4・・・n+
型半導体領域、5・・・エミッタ電極、6・・・ベース
電極、8・・・ダート電極、9・・・コレクタ電極。 代理人 弁理士 内 原 ″晋 手続補正書(方式) i2.8.2Q 昭和 年 月−7日 (+
半導体領域、3・・・n−型半導体領域、4・・・n+
型半導体領域、5・・・エミッタ電極、6・・・ベース
電極、8・・・ダート電極、9・・・コレクタ電極。 代理人 弁理士 内 原 ″晋 手続補正書(方式) i2.8.2Q 昭和 年 月−7日 (+
Claims (1)
- バイポーラトランジスタのコレクタとして作用する一
導電型の半導体基体に他の導電型のベース領域と該ベー
ス領域に隣接して設けられた静電誘導型トランジスタの
ゲート領域とを有し、該ゲート領域は前記半導体基体の
一部領域を囲む形状であり、この一部領域の表面に前記
一導電型で前記静電誘導型トランジスタのソース領域を
有し、かつ前記ベース領域内に前記一導電型のエミッタ
領域を有し、前記ベース領域と前記ソース領域とが配線
で接続されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8179287A JPS6325971A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8179287A JPS6325971A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325971A true JPS6325971A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=13756338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8179287A Pending JPS6325971A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6325971A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000200791A (ja) * | 1999-01-05 | 2000-07-18 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 電圧駆動型バイポ―ラ半導体装置 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP8179287A patent/JPS6325971A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000200791A (ja) * | 1999-01-05 | 2000-07-18 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 電圧駆動型バイポ―ラ半導体装置 |
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