JP4678667B2 - シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 213
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 50
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 50
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 65
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 30
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 27
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
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Description
(比較例1)
(比較例2)
(表1)
融液表面の振動(湯面振動):
◎は全くなし
○はなし
△は若干あり
2:底部
3:直胴部
4:天然石英ガラスからなる不透明外層
5:天然石英ガラスからなる透明層
6:アルミニウムを含有する合成石英ガラスからなる透明層
7:湾曲部
8:回転する型
9:ルツボ状成形体
10、15:シリカ粉供給手段
11:板状の蓋体
12:流量規制バルブ
13:電源
14:アーク電極
16:高温雰囲気
Claims (2)
- 天然シリカ粉を溶融して形成した不透明な外層と、その内側に形成した天然石英ガラスからなる厚さ0.4〜5mmの透明層を有する石英ガラスルツボに、さらに、石英ガラスルツボの内表面の底部中心から、ルツボ内表面に沿って上端面までの距離Lに対し少なくとも0.15〜0.55Lの範囲の内側に1〜20ppmのアルミニウムを含有する合成石英ガラスからなる透明層を厚さ0.2〜1.5mmに、石英ガラスルツボの内表面に沿って上端面までの距離Lに対し0.6〜1.0Lの範囲の内表面に前記アルミニウムを含有する合成石英ガラスからなる透明層を厚さ0〜0.2mmに形成し、かつ、前記アルミニウムを含有する合成石英ガラスからなる透明層中のアルミニウム含有量と天然石英ガラスからなる透明層中のアルミニウム含有量との差が3ppm以下であることを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ。
- 石英ガラスルツボの内表面の底部中心から、ルツボ内表面に沿って上端面までの距離Lに対し少なくとも0.15〜0.55Lの範囲のアルミニウムを含有する合成石英ガラスからなる透明層中のアルミニウム含有量が3〜10ppmの範囲であることを特徴とする請求項1記載のシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004168950A JP4678667B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
KR1020050048544A KR100731829B1 (ko) | 2004-06-07 | 2005-06-07 | 실리콘 단결정 인상용 석영 그라스 도가니 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004168950A JP4678667B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005343774A JP2005343774A (ja) | 2005-12-15 |
JP4678667B2 true JP4678667B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=35496488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004168950A Expired - Lifetime JP4678667B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4678667B2 (ja) |
KR (1) | KR100731829B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI815688B (zh) * | 2022-05-27 | 2023-09-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 一種用於生產單晶矽棒的石英坩堝、坩堝元件及拉晶爐 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4851221B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-01-11 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボおよび用途 |
JP4995069B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-08 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 内面結晶化ルツボおよび該ルツボを用いた引上げ方法 |
JP4995068B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-08 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JP4922233B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2012-04-25 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボ |
JP5072933B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-11-14 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 |
JP4975012B2 (ja) * | 2008-12-29 | 2012-07-11 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
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JP5191003B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-04-24 | コバレントマテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ |
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KR101079824B1 (ko) | 2010-12-22 | 2011-11-03 | 노영호 | 석영 도가니 제조방법 |
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KR102165896B1 (ko) * | 2016-09-13 | 2020-10-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법 |
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WO2004106247A1 (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003095678A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-04-03 | Heraeus Shin-Etsu America | シリコン単結晶製造用ドープ石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-06-07 JP JP2004168950A patent/JP4678667B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-06-07 KR KR1020050048544A patent/KR100731829B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005343774A (ja) | 2005-12-15 |
KR20060048229A (ko) | 2006-05-18 |
KR100731829B1 (ko) | 2007-06-25 |
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|
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