JPS63166791A - 石英ガラスルツボの製造方法 - Google Patents
石英ガラスルツボの製造方法Info
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- JPS63166791A JPS63166791A JP31558086A JP31558086A JPS63166791A JP S63166791 A JPS63166791 A JP S63166791A JP 31558086 A JP31558086 A JP 31558086A JP 31558086 A JP31558086 A JP 31558086A JP S63166791 A JPS63166791 A JP S63166791A
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Landscapes
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は石英ガラスルツボ及びその製造方法に関し、特
にシリコン単結晶の引上げに用いられるものである。
にシリコン単結晶の引上げに用いられるものである。
半導体デバイスの基板として用いられるシリコン単結晶
は主にＣＺ法により製造されている。この方法は、原理
的にはルツボ内に多結晶シリコン原料を装填し、周囲か
ら加熱して多結晶シリコン原料を溶融した後、上方から
種結晶を吊下してシリコン融液に浸し、これを引上げる
ことによりシリコン単結晶インゴットを引上げるもので
ある。
は主にＣＺ法により製造されている。この方法は、原理
的にはルツボ内に多結晶シリコン原料を装填し、周囲か
ら加熱して多結晶シリコン原料を溶融した後、上方から
種結晶を吊下してシリコン融液に浸し、これを引上げる
ことによりシリコン単結晶インゴットを引上げるもので
ある。
実用的には、上記ルツボとしては石英ガラス製のものが
用いられている。
用いられている。
ところで、半導体デバイスでは、シリコン基板に含まれ
る金属不純物の影響により素子特性が悪影響を受けるこ
とはよく知られている。上述したシリコン単結晶引上げ
操作中においても、石英ガラスルツボがシリコン融液に
浸食されることが原因となって、石英ガラスルツボ中の
金属不純物がシリコン単結晶中に取込まれるため、ルツ
ボ中の金属不純物を減少させる努力もなされている。実
際に、現在使用されている石英ガラスルツボでは、全肉
厚の平均値でアルカリ金属等の含有量は０、ｌｐｐｍ以
下、ＡｆＬについても７〜８ｐｐｍ程度と極めて少なく
なっている。
る金属不純物の影響により素子特性が悪影響を受けるこ
とはよく知られている。上述したシリコン単結晶引上げ
操作中においても、石英ガラスルツボがシリコン融液に
浸食されることが原因となって、石英ガラスルツボ中の
金属不純物がシリコン単結晶中に取込まれるため、ルツ
ボ中の金属不純物を減少させる努力もなされている。実
際に、現在使用されている石英ガラスルツボでは、全肉
厚の平均値でアルカリ金属等の含有量は０、ｌｐｐｍ以
下、ＡｆＬについても７〜８ｐｐｍ程度と極めて少なく
なっている。
しかし、上述したようにＡＫＬの含有量が少ない石英ガ
ラスルツボを用いた場合でも、引上げられたシリコン単
結晶には半導体デバイスの特性に対する影響という観点
から無視できない程度のＡｎが含まれてしまうという問
題があった。
ラスルツボを用いた場合でも、引上げられたシリコン単
結晶には半導体デバイスの特性に対する影響という観点
から無視できない程度のＡｎが含まれてしまうという問
題があった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、シリコン単結晶に取込まれるＡＩを少なくすること
ができる石英ガラスルツボ及びそのような石英ガラスル
ツボを容易に製造し得る方法を提供することを目的とす
る。
り、シリコン単結晶に取込まれるＡＩを少なくすること
ができる石英ガラスルツボ及びそのような石英ガラスル
ツボを容易に製造し得る方法を提供することを目的とす
る。
本発明者らは上述したように石英ガラスルツボ中のＡＪ
Ｉ含有量が十分少ないにもかかわらず、シリコン単結晶
に取込まれるＡｌｌの量が多くなる原因について検討し
た結果、以下のようなことを究明した。すなわち、石英
ガラスルツボ内のＡＪＩ濃度は上述したように７〜８
ｐｐｍであるが、これは全体的な平均値であり、実際に
はＡＭ濃度は石英ガラスルツボの内表面側で１ｌ５０−
ｌ０００ｐｐと極端に高く、内部へ向うにつれて急激に
減少するという分布を有していることを見出した。した
がって、石英ガラスルツボの内表面がシリコン融液によ
って浸食されると、シリコン単結晶には予想以上のＡｎ
が取込まれることになる。
Ｉ含有量が十分少ないにもかかわらず、シリコン単結晶
に取込まれるＡｌｌの量が多くなる原因について検討し
た結果、以下のようなことを究明した。すなわち、石英
ガラスルツボ内のＡＪＩ濃度は上述したように７〜８
ｐｐｍであるが、これは全体的な平均値であり、実際に
はＡＭ濃度は石英ガラスルツボの内表面側で１ｌ５０−
ｌ０００ｐｐと極端に高く、内部へ向うにつれて急激に
減少するという分布を有していることを見出した。した
がって、石英ガラスルツボの内表面がシリコン融液によ
って浸食されると、シリコン単結晶には予想以上のＡｎ
が取込まれることになる。
なお、石英ガラスルツボ内でＡｎ濃度が上述したような
分布をもつ原因は不明であるが、石英ガラスルツボの通
常の製造方法であるアーク溶融法に何らかの問題がある
と考えられる。
分布をもつ原因は不明であるが、石英ガラスルツボの通
常の製造方法であるアーク溶融法に何らかの問題がある
と考えられる。
本発明はこのような知見に基づいてなされたものである
。すなわち、本願第１の発明の石英ガラスルツボは、内
表面のＡ４Ｑ、濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴
とするものである。また、本願第２の発明の石英ガラス
ルツボの製造方法は、５ｉ０２原料を通常のアーク溶融
法によりルツボ形状とした後、その内表面をＨＦ水溶液
で３０ｇｍ以上エツチングすることを特徴とするもので
ある。このＨＦ水溶液による処理条件は、例えば５０％
ＨＦ水溶液で３０分以上である。
。すなわち、本願第１の発明の石英ガラスルツボは、内
表面のＡ４Ｑ、濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴
とするものである。また、本願第２の発明の石英ガラス
ルツボの製造方法は、５ｉ０２原料を通常のアーク溶融
法によりルツボ形状とした後、その内表面をＨＦ水溶液
で３０ｇｍ以上エツチングすることを特徴とするもので
ある。このＨＦ水溶液による処理条件は、例えば５０％
ＨＦ水溶液で３０分以上である。
このような本願発明によれば、内表面が溶融シリコンに
より浸食されても、シリコン単結晶中に取込まれるＡｌ
ｌを減少させることができ、ひいては半導体デバイスの
素子特性への悪影響を低減することができる石英ガラス
ルツボ及びそのような石英ガラスルツボを容易に製造す
ることができる方法を提供できる。
より浸食されても、シリコン単結晶中に取込まれるＡｌ
ｌを減少させることができ、ひいては半導体デバイスの
素子特性への悪影響を低減することができる石英ガラス
ルツボ及びそのような石英ガラスルツボを容易に製造す
ることができる方法を提供できる。
以下、本発明の詳細な説明する。
原料として高純度５ｉ０２粉末を用い、アーク溶融法に
より１４インチ径、肉厚的７ｍｍの石英ガラスルツボを
作製した。この石英ガラスルツボから全肉厚にわたるブ
ロック状の試料を切出し、これを粉砕して金属元素の濃
度を測定した。この結果を下記第１表のＴ （ｔｏｔｅ
ｌの略）に示す。
より１４インチ径、肉厚的７ｍｍの石英ガラスルツボを
作製した。この石英ガラスルツボから全肉厚にわたるブ
ロック状の試料を切出し、これを粉砕して金属元素の濃
度を測定した。この結果を下記第１表のＴ （ｔｏｔｅ
ｌの略）に示す。
次に、この石英ガラスルツボ内に５０％ＨＦ水溶液を入
れて３０分間保持し、石英ガラスルツボの内表面をエツ
チングした後、回収したＨＦ水溶液中に溶解している５
ｉ０２量及び金属元素の濃度を測定した。そして、５ｉ
０２量から溶解した石英ガラスルツボの厚みを換算する
とともに、その厚みの石英ガラス中の金属元素の濃度を
計算した。この結果を下記第１表のＳ （ｓｕｒｆａｃ
ｅの略）に示す。
れて３０分間保持し、石英ガラスルツボの内表面をエツ
チングした後、回収したＨＦ水溶液中に溶解している５
ｉ０２量及び金属元素の濃度を測定した。そして、５ｉ
０２量から溶解した石英ガラスルツボの厚みを換算する
とともに、その厚みの石英ガラス中の金属元素の濃度を
計算した。この結果を下記第１表のＳ （ｓｕｒｆａｃ
ｅの略）に示す。
また、ＨＦ処理後の石英ガラスルツボから全肉厚にわた
るブロック状の試料を切出し、これを粉砕して金属元素
の濃度を測定した。この結果を下記第１表のＴ′に示す
。
るブロック状の試料を切出し、これを粉砕して金属元素
の濃度を測定した。この結果を下記第１表のＴ′に示す
。
次いで、この石英ガラスルツボ内に５０％ＨＦ水溶液を
再び入れて３０分間保持し、石英ガラスルツボの内表面
をエツチングした後、回収したＨＦ水溶液中に溶解して
いるＳ ｉ０２量及び金属元素の濃度を測定した。そし
て、５ｉ０２量から溶解した石英ガラスルツボの厚みを
換算するとともに、その厚みの石英ガラス中の金属元素
の濃度を計算した。この結果を下記第１表のＳ′に示す
。
再び入れて３０分間保持し、石英ガラスルツボの内表面
をエツチングした後、回収したＨＦ水溶液中に溶解して
いるＳ ｉ０２量及び金属元素の濃度を測定した。そし
て、５ｉ０２量から溶解した石英ガラスルツボの厚みを
換算するとともに、その厚みの石英ガラス中の金属元素
の濃度を計算した。この結果を下記第１表のＳ′に示す
。
更に、上記と同様なＨＦ処理を繰返し行ない、ＨＦ水溶
液に溶解した石英ガしスルツボの厚み及びその厚みの石
英ガラス中の金属元素の濃度を求めた。この結果をもと
にして、石英ガラスルツボの作製当初の内表面からの厚
みと、Ａｎ濃度との関係を第１図に示す。
液に溶解した石英ガしスルツボの厚み及びその厚みの石
英ガラス中の金属元素の濃度を求めた。この結果をもと
にして、石英ガラスルツボの作製当初の内表面からの厚
みと、Ａｎ濃度との関係を第１図に示す。
第１表及び第１図から明らかなように、Ａ文濃度は作製
当初の石英ガラスルツボの内表面で１５０ ｐｐｍと極
端に高く、内部へ向かうにつれて７〜８ ｐｐｍまで急
激に減少するという分布を有しており、作製当初の石英
ガラスルツボの内表面からの厚みが３０４．ｍ以上であ
れば、Ａｎ濃度が５０ｐｐ＋ｗよりかなり低くなる。
当初の石英ガラスルツボの内表面で１５０ ｐｐｍと極
端に高く、内部へ向かうにつれて７〜８ ｐｐｍまで急
激に減少するという分布を有しており、作製当初の石英
ガラスルツボの内表面からの厚みが３０４．ｍ以上であ
れば、Ａｎ濃度が５０ｐｐ＋ｗよりかなり低くなる。
また、アーク溶融法により作製したままの石英ガラスル
ツボ（比較例）と、上述したのと同様なＨＦ処理を１回
行なった石英ガラスルツボ（実施例）とを用い、ＣＺ法
によるシリコン単結晶の引上げを行ない、それぞれ得ら
れたシリコン単結晶中のＡｎ濃度を測定した。その結果
、実施例のルツボを用いた場合には比較例のルツボを用
いた場合よりも、シリコン単結晶中のＡＭ濃度が大幅に
減少した。
ツボ（比較例）と、上述したのと同様なＨＦ処理を１回
行なった石英ガラスルツボ（実施例）とを用い、ＣＺ法
によるシリコン単結晶の引上げを行ない、それぞれ得ら
れたシリコン単結晶中のＡｎ濃度を測定した。その結果
、実施例のルツボを用いた場合には比較例のルツボを用
いた場合よりも、シリコン単結晶中のＡＭ濃度が大幅に
減少した。
以上詳述したように本発明によれば、シリコン単結晶中
に取込まれるＡＪｌｊを減少させることができ、ひいて
は半導体デバイスの素子特性への悪影響を低減すること
ができる石英ガラスルツボ及びそのような石英ガラスル
ツボを容易に製造することができる方法を提供できるも
のである。
に取込まれるＡＪｌｊを減少させることができ、ひいて
は半導体デバイスの素子特性への悪影響を低減すること
ができる石英ガラスルツボ及びそのような石英ガラスル
ツボを容易に製造することができる方法を提供できるも
のである。
第１図はアーク溶融法により作製された石英ガラスルツ
ボの内表面からの厚みとＡＩＬ濃度との関係を示す特性
図である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 内、ｉ１□Ｓｑ４．２（、ｕｍ） 第１図
ボの内表面からの厚みとＡＩＬ濃度との関係を示す特性
図である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 内、ｉ１□Ｓｑ４．２（、ｕｍ） 第１図
Claims (2)
- （１）内表面のＡｌ濃度が５０ｐｐｍ以下であることを
特徴とする石英ガラスルツボ。 - （２）ＳｉＯ＿２原料をアーク溶融法によりルツボ形状
とした後、その内表面をＨＦ水溶液により３０μｍ以上
エッチングすることを特徴とする石英ガラスルツボの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315580A JPH085739B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315580A JPH085739B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166791A true JPS63166791A (ja) | 1988-07-09 |
| JPH085739B2 JPH085739B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=18067060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61315580A Expired - Lifetime JPH085739B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085739B2 (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226031A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウェーハ |
| JPH02188489A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-24 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボの再生方法 |
| JPH04108683A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 石英ガラスルツボ |
| EP0691423A1 (en) | 1994-07-06 | 1996-01-10 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for the preparation of silicon single crystal and fused silica glass crucible therefor |
| JPH08169798A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-07-02 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
| EP1241141A2 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-18 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Silica crucibles and methods for making the same |
| JP2005343774A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
| US8272234B2 (en) | 2008-12-19 | 2012-09-25 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica crucible with pure and bubble free inner crucible layer and method of making the same |
| JP2013035727A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
| US8562739B2 (en) | 2008-12-29 | 2013-10-22 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacturing thereof |
| US9003832B2 (en) | 2009-11-20 | 2015-04-14 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Method of making a silica crucible in a controlled atmosphere |
| US10618833B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-04-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of a synthetic quartz glass grain |
| US10676388B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-06-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Glass fibers and pre-forms made of homogeneous quartz glass |
| US10730780B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-08-04 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of a quartz glass body in a multi-chamber oven |
| US11053152B2 (en) | 2015-12-18 | 2021-07-06 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Spray granulation of silicon dioxide in the preparation of quartz glass |
| US11236002B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-02-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of an opaque quartz glass body |
| US11299417B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-04-12 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of a quartz glass body in a melting crucible of refractory metal |
| US11339076B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-05-24 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of carbon-doped silicon dioxide granulate as an intermediate in the preparation of quartz glass |
| US11492285B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-11-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of quartz glass bodies from silicon dioxide granulate |
| US11492282B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-11-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of quartz glass bodies with dew point monitoring in the melting oven |
| US11952303B2 (en) | 2015-12-18 | 2024-04-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Increase in silicon content in the preparation of quartz glass |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53113780A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-04 | Toshiba Ceramics Co | Method of manufacturing silicon monocrystal containing little impurities |
| JPS5849516A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-23 | Toyota Motor Corp | エンジン支持装置 |
| JPS59169956A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-26 | Seiko Epson Corp | ガラス体精製法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61315580A patent/JPH085739B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53113780A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-04 | Toshiba Ceramics Co | Method of manufacturing silicon monocrystal containing little impurities |
| JPS5849516A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-23 | Toyota Motor Corp | エンジン支持装置 |
| JPS59169956A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-26 | Seiko Epson Corp | ガラス体精製法 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226031A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウェーハ |
| JPH02188489A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-24 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボの再生方法 |
| JPH04108683A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 石英ガラスルツボ |
| JPH0725561B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1995-03-22 | 信越半導体株式会社 | 石英ガラスルツボ |
| EP0691423A1 (en) | 1994-07-06 | 1996-01-10 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for the preparation of silicon single crystal and fused silica glass crucible therefor |
| JPH08169798A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-07-02 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
| EP1241141A2 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-18 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Silica crucibles and methods for making the same |
| US6510707B2 (en) | 2001-03-15 | 2003-01-28 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Methods for making silica crucibles |
| EP1241141A3 (en) * | 2001-03-15 | 2004-01-28 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Silica crucibles and methods for making the same |
| KR100495772B1 (ko) * | 2001-03-15 | 2005-06-16 | 헤래우스 신에쓰, 아메리카 | 실리카 도가니와 이들의 제조방법 |
| JP2005343774A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
| JP4678667B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2011-04-27 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
| US8272234B2 (en) | 2008-12-19 | 2012-09-25 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica crucible with pure and bubble free inner crucible layer and method of making the same |
| US8562739B2 (en) | 2008-12-29 | 2013-10-22 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacturing thereof |
| US9003832B2 (en) | 2009-11-20 | 2015-04-14 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Method of making a silica crucible in a controlled atmosphere |
| JP2013035727A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
| US11053152B2 (en) | 2015-12-18 | 2021-07-06 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Spray granulation of silicon dioxide in the preparation of quartz glass |
| US10676388B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-06-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Glass fibers and pre-forms made of homogeneous quartz glass |
| US10730780B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-08-04 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of a quartz glass body in a multi-chamber oven |
| US10618833B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-04-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of a synthetic quartz glass grain |
| US11236002B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-02-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of an opaque quartz glass body |
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