JP4580841B2 - ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
KrFエキシマレーザー等の遠紫外線、電子線やX線、あるいはEUV光に適したレジストとして、活性光線又は放射線の照射(以下、「露光」ともいう。)により酸を発生する感放射線性酸発生剤を使用し、その酸の触媒作用によりレジストの感度を向上させた「化学増幅型レジスト」が提案されている。従来、このような化学増幅型レジストに特有の問題として、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間(以下、「PED」ともいう。)により、レジストパターンの線幅が変化したり、あるいはT型形状になったりするなどの点が指摘されていたが、近年に至り、ヒドロキシスチレン系繰返し単位、(メタ)アクリル酸t−ブチルからなる繰返し単位および露光後のアルカリ現像液に対する重合体の溶解性を低下させる繰返し単位からなる重合体を用いた化学増幅型感放射線性樹脂組成物(特許文献1(特開平7―209868号公報)参照)を始めとして、デバイス製造への適用に耐え得る化学増幅型レジストが種々提案されてきた。しかしながら、現在のデバイスの微細化に伴い化学増幅型レジストにおいて一般的に使用されている脱保護基(t−ブチル保護基等)では十分なコントラストを発現することができず、今以上に微細なパターンサイズのデバイス製造に適用することが困難となってきた。
そこで、t−フ゛チル保護基等に代わる脱保護基として脂環式基を有する酸分解性アクリレートモノマーを共重合したフェノール性酸分解性樹脂を用いたレジスト組成物がいくつか知られている。それらについては、例えば、特許文献2〜7に開示されたポジ型レジスト組成物等を挙げることができる。特許文献3においてはこれら脱保護基を有する酸分解性樹脂を用いたレジスト組成物が高解像力を与えることが示されている。
一方、微細化の進行とともに近年重要度を増しているのがラインエッジラフネスである。ラインエッジラフネスとは細線を形成した際にパターン側壁にできるナノスケールの微小な凹凸のことである。これは線幅制御、すなわちデバイスの電気特性に影響を及ぼす。
上記脱保護基として脂環式基を有する酸分解性アクリレートモノマーを共重合したフェノール性酸分解性樹脂を用いたレジスト組成物は、このラインエッジラフネスの点で満足できるものではなかった。更に露光量変動に伴う線幅変動率、即ち露光ラチチュードの点でも改善が望まれていた。
1.
(A)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物、並びに、(B)下記一般式(a)で表される繰り返し単位及び一般式(b)で表される繰り返し単位を有し、更に、下記一般式(pI)及び一般式(pVI)のいずれかで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
R 1 は、水素原子又はアルキル基を表す。
R 2 は、水素原子又はCHR 10 −OR 11 を表す。式中、R 10 は、水素原子、アルキル基
、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 11 は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 10 とR 11 は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Zは、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
R 3 は、水素原子又はアルキル基を表す。
A 1 は、単結合又は2価の連結基を表す。
R 4 及びR 5 は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。
R 6 〜R 9 は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。R 6 又はR 7 と、R 8 又はR 9 とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
lは、0〜4を表す。
mは、0又は1を表す。
nは、0又は1を表す。
但し、m+nは、1又は2を表す。
Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
2.
前記一般式(a)で表される繰り返し単位が、下記一般式(a1)で表される繰り返し単位であることを特徴とする上記1に記載のポジ型レジスト組成物。
R 1 'は、水素原子又はアルキル基を表す。
Z’は、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
l’は、0〜4を表す。
3.
(B)成分の樹脂が、下記一般式(a2)で表される繰り返し単位を更に含有することを特徴とする上記2に記載のポジ型レジスト組成物。
R 1 "は、水素原子又はアルキル基を表す。
R 2 "は、CHR 10 −OR 11 を表す。式中、R 10 は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 11 は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 10 とR 11 は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Z"は、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
l"は、0〜4を表す。
4.
(A)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物及び
(B)下記一般式(a)で表される繰り返し単位、一般式(b)で表される繰り返し単位、及び水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
R 1 は、水素原子又はアルキル基を表す。
R 2 は、水素原子又はCHR 10 −OR 11 を表す。式中、R 10 は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 11 は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 10 とR 11 は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Zは、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
R 3 は、水素原子又はアルキル基を表す。
A 1 は、単結合又は2価の連結基を表す。
R 4 及びR 5 は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。
R 6 〜R 9 は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。R 6 又はR 7 と、R 8 又はR 9 とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
lは、0〜4を表す。
mは、0又は1を表す。
nは、0又は1を表す。
但し、m+nは、1又は2を表す。
5.
前記水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位が、下記一般式(VIIa)又は(VIIb)で表される部分構造を有する繰り返し単位であることを特徴とする上記4に記載のポジ型レジスト組成物。
R 2c 〜R 4c は、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R 2c 〜R 4c のうち少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。
6.
前記水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位が、下記一般式(AIIa)又は(AIIb)で表される繰り返し単位であることを特徴とする上記4又は5に記載のポジ型レジスト組成物。
R 1c は、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
R 2c 〜R 4c は、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R 2c 〜R 4c のうち少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。
7.
(B)成分の樹脂が、更に、下記一般式(pI)〜一般式(pVI)のいずれかで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記4〜6のいずれか1項に記載のポジ型レジスト組成物。
R 11 は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
R 12 〜R 16 は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R 12 〜R 14 のうち少なくとも1つ、もしくはR 15 、R 16 のいずれかは、脂環式炭化水素基を表す。
R 17 〜R 21 は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R 17 〜R 21 のうち少なくとも1つは、脂環式炭化水素基を表す。また、R 19 、R 21 のいずれかは、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
R 22 〜R 25 は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R 22 〜R 25 のうち少なくとも1つは、脂環式炭化水素基を表す。また、R 23 とR 24 は、互いに結合して環を形成していてもよい。
8.
上記1〜7のいずれか1項に記載のポジ型レジスト組成物により、レジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
9.
上記1〜7のいずれか1項に記載のポジ型レジスト組成物により形成したレジスト膜。
尚、本発明は特許請求の範囲に記載した構成を有するものであるが、下記(1)〜(3)等、以下にその他についても参考のため記載した。
(B)下記一般式(a)で表される繰り返し単位及び一般式(b)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R2は、水素原子又はCHR10−OR11を表す。式中、R10は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R11は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R10とR11は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Zは、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
R3は、水素原子又はアルキル基を表す。
A1は、単結合又は2価の連結基を表す。
R4及びR5は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。
R6〜R9は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。R6又はR7と、R8又はR9とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
lは、0〜4を表す。
mは、0又は1を表す。
nは、0又は1を表す。
但し、m+nは、1又は2を表す。
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは、脂環式炭化水素基を表す。
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは、脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは、脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
尚、本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明において使用される、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂(「(B)成分の樹脂」ともいう)は、下記一般式(a)で表される繰り返し単位及び一般式(b)で表される繰り返し単位を有する。
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R2は、水素原子又はCHR10−OR11を表す。式中、R10は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R11は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R10とR11は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Zは、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
R3は、水素原子又はアルキル基を表す。
A1は、単結合又は2価の連結基を表す。
R4及びR5は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。
R6〜R9は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。R6又はR7と、R8又はR9とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
lは、0〜4を表す。
mは、0又は1を表す。
nは、0又は1を表す。
但し、m+nは、1又は2を表す。
R10及びR11のアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖状又は分岐状アルキル基が好まし
く、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等を挙げることができる。
R10及びR11のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。尚、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
R10及びR11のアラルキル基は、炭素数7〜12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
R10及びR11は、互いに結合して環構造を形成してもよい。R10及びR11が互いに結合して形成する環構造としては、5員環、6員環等を挙げることができる。
R10及びR11は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等の置換基を有していてもよい。
Zのアルキル基としては、R10のアルキル基と同様のものを挙げることができる。
Zのシクロアルキル基としては、R10のシクロアルキル基と同様のものを挙げることができる。
Zのアリール基は、炭素数6〜14のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ビフェニル残基(ビフェニルから水素原子が1個失われることによって形成される基)、p−テルフェニル残基(p−テルフェニルから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。
Zのアルコキシ基は、炭素数1〜10のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基等が挙げられる。
Zのアシル基は、炭素数1〜8のアシル基が好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を挙げることができる。
Zのアシロキシ基は、炭素数2〜8のアシロキシ基が好ましく、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルリオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。
Zは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等の置換基を有していてもよい。
A1の2価の連結基としては、アルキレン基、シクロアルキレン基等を挙げることができる。A1のアルキレン基は、炭素数1〜8の直鎖状及び分岐状アルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることができる。A1のシクロアルキレン基は、炭素数5〜12のシクロアルキレン基が好ましく、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の単環の残基及びノルモルナン骨格、アダマンタン骨格等の多環の残基等を挙げることができる。
A1は、単結合であることが好ましい。
R4、R5及びR6〜R9のアルキル基は、一般式(a)に於ける、R10のアルキル基と同様のものを挙げることができる。
R4、R5及びR6〜R9のアルコキシ基は、一般式(a)に於ける、Zのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
R4、R5及びR6〜R9は、更に、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等の置換基を有していてもよい。
R6又はR7と、R8又はR9とが、互いに結合して形成する環構造は、酸素原子を有する環構造であることが好ましい。酸素原子を有する環構造は、単環であっても多環であってもよく、好ましくは、4〜8員環であり、より好ましくは、5〜6員環である。形成する環構造が有する酸素原子の数は、好ましくは、1〜2である。形成する環構造としては、例えば、ペンタン、ノルボルネンなど対応する炭素環における環骨格を構成している少なくとも一つのメチレン基を、酸素原子で置き換えたものを挙げることができる。環構造は、アルキル基、水酸基等で置換されていてもよい。
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは、脂環式炭化水素基を表す。
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは、脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは、脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
また、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
は置換基を有していてもよい。
以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部分の構造例を示す。
R1は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基、クロロ原子、ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基を示す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
Xは、一般式(pI)〜(pVI)のいずれかで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する基を表す。
Lは、単結合であることが好ましい。
造を有する基を有する繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
R2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cのうちの1つまたは2つが水酸基で、残りが水素原子であり、更に好ましくはR2c〜R4cのうち2つが水酸基で、残りが水素原子である。
R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
(B)成分の樹脂に於いて、一般式(a)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、20〜75モル%が好ましく、より好ましくは25〜70モル%である。
(B)成分の樹脂に於いて、一般式(b)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、3〜50モル%が好ましく、より好ましくは5〜40モル%である。
ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。
(B)成分の樹脂の添加量は、総量として、ポジ型レジスト組成物の全固形分に対し、通常10〜99質量%であり、好ましくは15〜97質量%であり、特に好ましくは20〜95質量%である。
本発明のポジ型レジスト組成物が含有する活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸
、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物(「化合物(A)」又は「スルホン酸発生剤」ともいう)は、KrFエキシマレーザー光、電子線、EUVなどの活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物であり、たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネート等を挙げることができる。
R201、R202及びR203は、各々独立に有機基を表す。
X-は、スルホン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン又はトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンを表す。
Rc1は、有機基を表す。
Rc1における有機基として、炭素数1〜30のものが挙げられ、好ましくは置換していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはこれらの複数が、単結合、−O−、−CO2−、−S−、−SO3−、−SO2N(Rd1)−などの連結基で連結された基を挙げることができる。
Rd1は、水素原子又はアルキル基を表す。
Rc3、Rc4及びRc5は、各々独立に、有機基を表す。
Rc3、Rc4及びRc5の有機基としては、Rc1における好ましい有機基と同じものを挙げることができ、好ましくは、炭素数1〜4のパーフロロアルキル基である。
Rc3とRc4が結合して環を形成していてもよい。
Rc3とRc4が結合して形成される基としてはアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基が挙げられる。好ましくは炭素数2〜4のパーフロロアルキレン基である。
Rc1及びRc3〜Rc5の有機基として、好ましくは1位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子またはフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。また、Rc3とRc4が結合して環を形成することにより光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上し、好ましい。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物等を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているシクロアルキル基は、炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
R201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基は、炭素数1〜12の直鎖又は分岐状アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R201〜R203は、各々独立に、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、より好ましくは、直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、更により好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
R201〜R203としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。R201〜R203としてのシクロアルキル基は、環状2−オキソアルキル基がより好ましい。
R201〜R203としての直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基としては、好ましくは、上記のアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R201〜R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。
R201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
R1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
Zc-は、スルホン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン又はトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンを表し、一般式(ZI)に於けるX-と同様のものである。
R1c〜R7cとしてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
R1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
好ましくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖、分岐状アルキル基、シクロアルキル基又
は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのシクロアルキル基と同様のものを挙げることができる。Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、環状2−オキソアルキル基がより好ましい。
直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
Rx、Ryは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204〜R207のアリール基は、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。
R204〜R207のアルキル基は、直鎖、分岐状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
R204〜R207のシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
R204〜R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
X-は、スルホン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン又はトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンを表し、一般式(ZI)に於けるX-と同様のものである。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R206は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
R207及びR208は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電子吸引性基を表す。R207として好ましくは、アリール基である。R208として好ましくは、電子吸引性基であり、より好ましくはシアノ基、フロロアルキル基である。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
化合物(A)は、特開2002−27806号に記載の合成方法など公知の方法により合成することができる。
本発明のポジ型レジスト組成物は、スルホン酸発生剤(化合物(A))とともに、活性光線又は放射線の照射により、カルボン酸を発生する化合物(化合物(C)又はカルボン酸発生剤ともいう)を使用してもよい。
カルボン酸発生剤としては下記一般式(C1)で表される化合物が好ましい。
ある場合、pは1であり、ヨウ素原子である場合はpは0である。
アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基が有してもよい置換基の例としては、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、フッ素原子等)、アリール基(フェニル基、ナフチル基等)、ヒドロキシ基、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。
アリール基が有してもよい置換基の例としては、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、フッ素原子等)、ニトロ基、シアノ基、アルキル基(メチル基、エチル基、t-ブチル基、t-アミル基、オクチル基等)、ヒドロキシ基、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。
アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基が有してもよい置換基の例としては、上記R21がアルキル基である場合の置換基の例として挙げたものと同じものが挙げられる。アリール基の置換基の例としては、上記R21がアリール基である場合の置換基の例として挙げたものと同じものが挙げられる。
尚、式(C1)のカチオン部の2つ以上が、単結合又は連結基(例えば、−S−、−O−など)により結合し、式(C1)のカチオン部を複数有するカチオン構造を形成してもよい。
化合物(C)/化合物(A)(質量比)は、通常99.9/0.1〜50/50、好ましくは99/1〜60/40、特に好ましくは98/2〜70/30である。
化合物(C)は、特開2002−27806号に記載の合成方法など公知の方法により合成することができる。
本発明においては、有機塩基性化合物を用いることが、解像力などの性能向上、保存安定性の向上などの観点から好ましい。有機塩基性化合物としては、窒素原子を含む化合物(含窒素塩基性化合物)がさらに好ましい。
本発明において好ましい有機塩基性化合物は、フェノールよりも塩基性の強い化合物である。
好ましい化学的環境として、下記式(A)〜(E)の構造を挙げることができる。式(B)〜(E)は、環構造の一部であってもよい。
R200 、R201 及びR202としてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20個のアミノアルキル基及びアミノシクロアルキル基、及び炭素数1〜20個のヒドロキシアルキル基が好ましい。
式(E)において、R203 、R204 、R205 及びR206 は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜6個のアルキル基及びシクロアルキル基を表す。
更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基を有する化合物である。
3,−テトラメチルグアニジン、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾール、N−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4,5−ジフェニルイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、
これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。
本発明においては、界面活性剤類を用いることができ、製膜性、パターンの密着性、現像欠陥低減等の観点から好ましい。
これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
これらの界面活性剤として、例えば特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同 5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)基など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。
例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C6F13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オ
キシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C6F13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。
本発明のポジ型レジスト組成物には必要に応じて、さらに、染料、光塩基発生剤などを含有させることができる。
本発明においては、染料を用いることができる。
好適な染料としては油性染料及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイルイエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレット(CI42535)、ローダミンB(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げることができる。
本発明の組成物に添加できる光塩基発生剤としては、特開平4−151156号、同4−162040号、同5−197148号、同5−5995号、同6−194834号、同8−146608号、同10−83079号、欧州特許622682号に記載の化合物が挙げられ、具体的には、2−ニトロベンジルカルバメート、2,5−ジニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、N−シクロヘキシル−4−メチルフェニルスルホンアミド、1,1−ジメチル−2−フェニルエチル−N−イソプロピルカーバメート等が好適に用いることができる。これらの光塩基発生剤は、レジスト形状などの改善を目的とし添加される。
本発明のレジスト組成物は、上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。全レジスト成分の固形分濃度として、通常2〜30質量%とすることが好ましく、3〜25質量%がより好ましい。
ここで使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
これらの現像液の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリンである。
アルカリ現像液のpHは通常10〜15である。
t−ブトキシスチレンとα−ヒドロキシブチロラクトンメタクリレートをモル比60/40で混合したもの(20g)をテトラヒドロフラン(THF)に溶解し、22質量%の溶液(
91g)とした。この溶液に、さらに和光純薬製重合開始剤V601を2mol%加え均一とした後、これを加熱還流したTHF(9g)に6時間かけて滴下した。滴下終了後、反応液をさらに2時間加熱還流した。反応終了後、放冷した反応液を水1Lに投入し、析出した白色粉体(樹脂A)を回収した。得られた樹脂Aの分子量をGPCにより測定した結果、ポリスチレン換算比で10100であった。
樹脂Aを再度プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)に溶解し20質量%の溶液とした。これに硫酸1mLを加え50℃で3時間加熱、放冷した後、これを1Lの水に再沈し、析出した白色粉体(樹脂B)を回収した。
回収した樹脂Bを80℃で減圧条件下乾燥したのち、これを14gプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)60gに溶解し、これを共沸脱水した。その後、エチルビニルエーテル2.2g、パラトルエンスルホン酸ピリジニウム塩(PPTS)0.1gを加え室温下4時間撹拌した。得られた溶液をトリエチルアミン0.1gでクエンチした後酢酸エチル50mLを加え、水30mLで3回抽出した後、減圧留去し、PGMEA溶液の目的物(樹脂(1))を回収した。乾燥減量測定の結果、固形分は16g、固形分濃度は20質量%であった。また、1HNMR測定の結果、樹脂(1)の組成比はヒドロキシスチレン/ヒドロキシスチレンのエチルビニルエーテル保護/α−ヒドロキシブチロラクトンメタクリレート=32/28/40であった。またGPCにより測定した結果、ポリスチレン換算比で10800、分散度は2.01であった。
以下、同様の方法で樹脂(2)〜(14)、比較用樹脂A、Bを合成した。樹脂(2)〜(14)、比較用樹脂A、Bの組成比及び重量平均分子量、分散度は、以下の通りである。
下記表2に示すように、樹脂、スルホン酸発生剤、カルボン酸発生剤、有機塩基性化合物、界面活性剤をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解し、固形分濃度12質量%の溶液を調製した。この溶液を0.05μmのポリエチレンフィルターで濾過し、目的のポジ型レジスト溶液を調製した。
スピンコーターにてシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜DUV−44を60nm均一に塗布し、200℃で60秒間加熱乾燥を行い、反射防止膜を形成さ
せた。その後、調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて均一に塗布し、ホットプレート上で表2に記載の温度(PB)で90秒間加熱乾燥を行い、0.3μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜をKrFエキシマレーザーステッパー(キャノン(株)製FPA3000EX-5、波長248nm)を用いラインアンドスペース用マスクを使用してパターン露光し、露光後すぐに表2に記載の温度(PEB)で90秒間加熱した。更に2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で23℃下60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、130nmのラインパターンを形成した。
得られたパターンをKLA-Tencor社製eCD-1で観察し、ウエハー中の100カ所を側長し、その3σをラフネスと定義した。
露光ラチチュードは130nmを再現する露光量Eoptに対して125nm、135nmを再現する露光量をEu、Eoとした際の、100×|Eo-Eu|/Eopt(%)と定義した。
評価結果を表2に示す。
〔有機塩基性化合物〕
D−1: N,N-ジブチルアニリン
D−2: 2,4,6−トリフェニルイミダゾール
D−3: 2,6−ジイソプロピルアニリン
W−1:フッ素系界面活性剤、メガファックF-176(大日本インキ科学工業製)
W−2:フッ素/シリコン系界面活性剤、メガファックR08(大日本インキ化学工業製
)
W−3:シリコン系界面活性剤、シロキサンポリマーKP341(信越化学工業製)
Claims (9)
- (A)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物、並びに、(B)下記一般式(a)で表される繰り返し単位及び一般式(b)で表される繰り返し単位を有し、更に、下記一般式(pI)及び一般式(pVI)のいずれかで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
一般式(a)及び(b)に於いて、
R1は、水素原子又はアルキル基を表す。
R2は、水素原子又はCHR10−OR11を表す。式中、R10は、水素原子、アルキル基
、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R11は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R10とR11は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Zは、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
R3は、水素原子又はアルキル基を表す。
A1は、単結合又は2価の連結基を表す。
R4及びR5は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。
R6〜R9は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。R6又はR7と、R8又はR9とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
lは、0〜4を表す。
mは、0又は1を表す。
nは、0又は1を表す。
但し、m+nは、1又は2を表す。
Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。 - (B)成分の樹脂が、下記一般式(a2)で表される繰り返し単位を更に含有することを特徴とする請求項2に記載のポジ型レジスト組成物。
R 1 "は、水素原子又はアルキル基を表す。
R 2 "は、CHR 10 −OR 11 を表す。式中、R 10 は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 11 は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 10 とR 11 は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Z"は、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
l"は、0〜4を表す。 - (A)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物及び
(B)下記一般式(a)で表される繰り返し単位、一般式(b)で表される繰り返し単位、及び水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
R 1 は、水素原子又はアルキル基を表す。
R 2 は、水素原子又はCHR 10 −OR 11 を表す。式中、R 10 は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 11 は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。R 10 とR 11 は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Zは、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。
R 3 は、水素原子又はアルキル基を表す。
A 1 は、単結合又は2価の連結基を表す。
R 4 及びR 5 は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。
R 6 〜R 9 は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表す。R 6 又はR 7 と、R 8 又はR 9 とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
lは、0〜4を表す。
mは、0又は1を表す。
nは、0又は1を表す。
但し、m+nは、1又は2を表す。 - (B)成分の樹脂が、更に、下記一般式(pI)〜一般式(pVI)のいずれかで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載のポジ型レジスト組成物。
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは、脂環式炭化水素基を表す。
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは、脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは、脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のポジ型レジスト組成物により、レジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載のポジ型レジスト組成物により形成したレジスト膜。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005235801A JP4580841B2 (ja) | 2005-08-16 | 2005-08-16 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP06016530.5A EP1755000B1 (en) | 2005-08-16 | 2006-08-08 | Positive resist composition and a pattern forming method using the same |
US11/504,040 US8241830B2 (en) | 2005-08-16 | 2006-08-15 | Positive resist composition and a pattern forming method using the same |
TW095129831A TWI381249B (zh) | 2005-08-16 | 2006-08-15 | 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法 |
KR1020060077025A KR101239721B1 (ko) | 2005-08-16 | 2006-08-16 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005235801A JP4580841B2 (ja) | 2005-08-16 | 2005-08-16 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007052107A JP2007052107A (ja) | 2007-03-01 |
JP4580841B2 true JP4580841B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=37497033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005235801A Active JP4580841B2 (ja) | 2005-08-16 | 2005-08-16 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8241830B2 (ja) |
EP (1) | EP1755000B1 (ja) |
JP (1) | JP4580841B2 (ja) |
KR (1) | KR101239721B1 (ja) |
TW (1) | TWI381249B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2005
- 2005-08-16 JP JP2005235801A patent/JP4580841B2/ja active Active
-
2006
- 2006-08-08 EP EP06016530.5A patent/EP1755000B1/en not_active Not-in-force
- 2006-08-15 TW TW095129831A patent/TWI381249B/zh active
- 2006-08-15 US US11/504,040 patent/US8241830B2/en active Active
- 2006-08-16 KR KR1020060077025A patent/KR101239721B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070021066A (ko) | 2007-02-22 |
EP1755000B1 (en) | 2014-01-01 |
US20070042291A1 (en) | 2007-02-22 |
EP1755000A2 (en) | 2007-02-21 |
US8241830B2 (en) | 2012-08-14 |
EP1755000A3 (en) | 2011-11-30 |
KR101239721B1 (ko) | 2013-03-06 |
TW200722925A (en) | 2007-06-16 |
TWI381249B (zh) | 2013-01-01 |
JP2007052107A (ja) | 2007-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061127 |
|
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