JPS61226746A - 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放射線感応性組成物に関し、特に塗布ムラの
ない均一な塗膜を形成することができる点で改善され、
例えば半導体集積回路などの製造において用いられる微
細加工用のレジストとして好適な放射線感応性組成物に
関する。

〔従来の技術〕

半導体、半導体集積回路などの各種のリングラフィ技術
を用いた製造においては、マスクを忠実に再現した高精
度の微細レジストパターンを形成するために、レジスト
組成物が解像度、感度などの放射線に対する感応特性の
点で優れているだけでなく、塗布ムラのない均一な膜厚
を有する塗膜を形成しうるものであることが要求される
。

しかし、従来のレジスト組成物においては、ストリエー
ションと呼ばれる塗布ムラを生ずる問題があった。この
ストリエーションは、レジスト組成物をスピンコーティ
ング忙よって基板上忙塗布する場合に生ずる塗布ムラで
あり、目視による観察では放射状のしま模様を呈し、通
常、数百λの高低差を有する波状の起伏をなしている。

このストリエーションが生ずると、パターンの直線性お
よび再現性が低下し、所要の精度を有するレジストパタ
ーンを形成することができないという問題が発生する。

また、最近忙おいては、シリコンウェハなどの基板が大
口径忙なる傾向にあり、そのためレジスト組成物を基板
上に塗布するときに塗れ残りが発生しやすいという問題
がある。

〔発明が解決し工５とする問題点〕 本発明は、従来の放射線感応性組成物が有する、ストリ
エーションなどの塗布ムラが生じやすい問照点を解決し
、基板に対する濁れ性が良好で塗れ残シがなく、均一な
膜厚を有するｍ膜を形成することができ、高精度の微細
加工を達成することのできるレジストとして好適な放射
線感応性組成物を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、側鎖にアル千ル基およびフッ化アル千ル
基を有するアクリレート系重合体および／またはメタク
リレート系重合体（以下単に「（メタ）アクリレート１
合体」という）を含有することを特徴とする放射線感応
性組成物によって解決される。

すなわち１本発明は、放射Ｉｍ！ＩＩｉ応性物質を必要
に応じて加えられる結合剤およびその他の添加剤ととも
に溶剤に済解して形成される放射線感応性組成物におい
て、＃＆加剤として側鎖に特定の基を有する（メタ）ア
クリレート重合体を用いている点に特徴を有する。

以下１本発明の詳細な説明する。

本発明における（メタ）アクリレート電合体としては、
ａａにアル千ル基および７ツ化アル千ルＸｔ−有し、さ
らに標準ポリスチレン換算数平均分子量が好ましくは３
０，０００以下、さらに好ましくは２，０００〜３０，
０００の範囲にあるものが用いられる。（メタ）アクリ
レート重合体の数平均分子皿が３０．ＯＯＯ’ｔ’越え
ると、組成物の粘性が大きくなって塗布性の点で十分で
なくなる。

上記（メタ）アクリレート重合体におけるアルキル基を
側鎖に有するアクリレート構造単位またはメタクリレー
ト構造単位としては、例えば下記一般式 ％式％ （式中、Ｒは水素原子またはメチル基であり、ｎは１〜
２２の整数金示す。） で表わすことができ、具体的には、 ナ山３　　　　　　ｏ−ｃ２ａｓ　　　　　　α（３Ｈ
７Ｑ−１３ＣＨ３Ｇ（３ ０Ｃ７Ｈ１ｓ　　　　　　　０−ｃ８８１　？　　　　
　　　Ｏ−ＣｇＨｌ　ｓなどを挙げることができる・ま
た、前記（メタ）アクリレート重合体におけるフッ化ア
ルキル基を側鎖忙有するアクリレート構造単位またはメ
タクリレート構造単位としては、例えば下記一般式％式
％ （式中、Ｒは水素原子またはメチル基であり、ｎはθ〜
２０の整数を示す。） または下記一般式 −ＣＨ２−Ｃ− （式中、Ｒは水素原子またはメチル基であり、ｎは１〜
ＩＯの整数を、ｍはθ〜２０の整数を示す。） で表わすことができ、具体的には Ｃ＝０ ０−ＣＨ２（ＣＦ　２　）　２ＣＦ　３なとを挙げるこ
とができる・ また、上記（メタ）アクリレート、重合体は、側鎖にフ
ルキレンオキシド基、アリール基、アリレン基などを有
するアクリレート講造単位またはメタクリレート構造単
位、例えば下記一般式Ｒ −ＣＨ２−Ｃ− Ｃ＝０ ０−　（Ｃｎ　ＨＺ　ｎ　Ｏ）　ｍ　Ｈ（式中、Ｒは水
素原子またはメチル基であり、ｎは１〜６の整数を、ｍ
は１〜１ｏの整数を示す。）で表わされる構造単位、具
体的には ０−Ｃ４Ｈ８（）１（０−（Ｃ２Ｈ４０）２９−ＣＨ２
−ＣＨ−−Ｇｈ−ＣＨ− など、および −Ｃｋｉ２−ＣＨ−−ＣＨｚ−Ｃ）ｉ−（：＝□　　　
　　　　　　　　　　　ｃ＝。

などで表わされる構造単位を有していてもよい。

さらに本発明に用いる〔メタコアクリレート重合体は、
前記以外の構造単位、例えば −ＣＨ２−ＣＨ−−ＣＨ？ＣＨ− Ｒ −ＣＦ２−ＣＦ）ｉ−、−ＣＦ２−ＣＦ２−　、　−Ｃ
Ｈ２−ＣＭ−。

ＯＯＨ などを有していてもよい。

なお本発明における（メタ）アクリレート重合体のフッ
素含有量は、通常、５〜８０重ｔ＊、好ましくは８〜６
５重１＊である。

かかる（メタ）アクリレート重合体は、例えばアルキル
基を有するアクリレート系モノマーまたはメタクリレー
ト系モノマーと、フッ化アルキル基を有するアクリレー
ト系モノマーまたはメタクリレート系モノマーとを共重
合することＫより得ることができる。

本発明における（メタ）アクリレート重合体は、例えば
フッ素系界面活性剤として市販されており、具体例とし
ては、「８Ｃ−１０１４、「５ｃ−１０２」、「５Ｃ−
１０３」、「５Ｃ−１０４４（いずれも旭硝子■製）な
どを挙げることができる。

本発明における（メタ）アクリレート重合体は、放射線
感応性組成物を構成する固形分に対して０．０００１〜
２重１％、好ましくは０．０００５〜１重量％の使用割
合で用いられることが望ましい。使用割合が０．０００
１重量−未満ではストリエーションを防止する効果が不
十分であり、使用割合が２重ｔｓｔ越えると組成物の軟
化温度が低下する工うになる。

本発明の放射線感応性組成物を構成する放射線感応性物
質は、放射線、例えば紫外線、遠紫外風Ｘ線、電子線、
イオン線、分子線、ｒ線などの照射にぶって現像液に対
する溶解性が変化する物質であれば工（、特に好ましい
放射線感応性物質として以下のものを挙げることができ
る。

葎）　キノンジアジド化合物 例えばベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、ナフ
トキノンジアシドスルホン酸エステル、ベンゾキノンジ
アジドスルホン酸アミド、ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸アミドなとであり、公知のキノンジアジド化合物を
そのまま使用することができる。さらに具体的忙はＪ、
ＫｏｓＢｒ著”　　Ｌｊ　ｇｈｔ−８ｅｎ　Ｓ　１　ｔ
　　Ｉ　Ｖｅ　　　ｓｙ　Ｓ　ｔ　ｅｍｌ！　”　　３
　３９＝３３５２＊（１９６５）、Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅ
ｙ　＆　５ｏｎｓ社（Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ）や、　Ｗ、　
　Ｓ　＠　Ｄｅ　　Ｆｏｒｅｓｔ　　著　＋１ｐｈｏｔ
ｏｒｅａｉｓｔ　　”５（Ｌ（１９７５）、Ｍｃ　Ｇｒ
ａＷ　Ｈｉｌｌ、　Ｉｎｃ、（Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ）に記
載されているキノンジアジド化合物が挙げられる。すな
わち、１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸
フェニルエステル、シ＋＋　（ｌ　ＩＩ。

２　ＩＩ　−／＜ンゾキノンジアジドー４１−スルホニ
ル）−４，４百−ジヒドロキシビフェニル、１．２−ベ
ンゾキノンジアジド−４−（Ｎ−エチル−Ｎ−、ＳＬす
７チル）−スルホンアミド、１９２−チア）キノンジア
ジド−５−スルホン酸シクロヘキシルエステル、１−（
１１，２’−ナフトキノンジアジド−５１−スルホニル
）−３、ｓ−ジメチルピラゾール、１．２−す７トキノ
ンジアジドー５−スルホン酸−４ｆ−ヒドロキシジフェ
ニル−４１＋−アゾ−β−ナフトールエステル、Ｎ、Ｎ
−ジー（ｌ、２−す７トキノンジアジドー５−スルホニ
ル）−アニリン、２−（ｌｆ、２’−ナフトキノンジア
ジド−５１−スルホニルオキシ）−１−ヒドロキシ−ア
ントラキノン、１．２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸クロリド２モルと４゜４１−ジアミノベンゾフ
ェノン１モルとの縮合物、１．２−す７トキノンジアジ
ドー５−スルホン酸クロリド２モルと４．４＋−ジヒド
ロキシ−１゜３１−ジフェニルスルホン１モルトｏ縮金
物、　１＊２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
クロリド１モルとプルプロガリン１モルとの縮合物、１
．２−す７トキノンジアジドー５−（Ｎ−ジヒドロアビ
エチル）−スルホンアミノなどを例示することができる
。

また特公昭３７−１９５３号公報、同３７−３６２７号
公報、同３７−１３１０９号公報、同４０−２６３２６
−号公報、同４０−３８０１号公報、同４５−５６０４
号公報、同４５−２７３４５号公報、同５１＝１３０１
３号公報、特開昭４８−９６５７５号公報、同４８−６
３８０２号公報、同４８−６３８０３号公報、特開昭５
８−７５１４９号公報、同５８−１７１１２号公報、同
５９−１６５０５３号公報などに記載されたキノンジア
ジド化合物も使用することができる０さらに米国特許第
３０４６１２０号明細書中に記載されているナフトキノ
ン−（１、２）−ジアジド−（２）−スルホン酸クロラ
イドと７エノールまたはクレゾール−ホルムアルデヒド
樹脂とのエステル、米国特許第３６３５７００号明細書
に記載されているピロガロール−アセトン樹脂とナフト
キノンジアジドスルホン酸クロライドのエステル、特開
昭５５−７６３４６号、同５６−１０４４号、および同
５６−１０４５　　号の各公報忙記載されているポリヒ
ドロキシフェニル樹脂とナフトキノンジアジドスルホン
酸クロライドのエステル、特開昭５０−１１３３０５号
公報に記載されている工うなｐ−ヒドロキシスチレンの
ホモポリマーまたはこれと他の共重合し得るモノマーと
の共重合体にナフトキノンジアジドスルホン酸クロライ
ドをエステル反応させたもの、特公昭４９−１７４８１
号公報記載のスチレンモノマーとフェノール誘導体との
重合体生成物とキノンジアジドスルホン酸との反応生成
物、ポリヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノンジア
ジドスルホン酸クロライドのエステルなども使用するこ
とができる。

かかるす７トキノンジアジド化合物は必要に応じて結合
剤とともに用いられる。この結合剤の好適なものとして
は、アルカリ水溶液に対して可溶性のノボラック樹脂が
挙げられる。このようなノボラックｍ７Ｊ旨としては、
フェノール−ホルムアルデヒドツメ２ンク樹脂、クレゾ
ール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂
、などを代表的なものとして挙げることができる・全組
成物中の中ノンジアジド化合物の配合割合は、通常、１
０〜５０重量％であり、好ましくは２０〜４０重１＊で
ある。また、上記結合剤の配合蓋割合は通常、全組成物
中の４５〜８０重１１％であり、好ましくは５０〜７０
重歇チである。

［有］）　ジアゾ樹脂 好適なジアゾ樹脂としては、ｐ−ジアゾジフェニルアミ
ンとホルムアルデヒドまたはアセトアルデヒドとの縮合
物の塩、例えばヘキサフルオロリン酸塩、テトラフルオ
ロホウ酸塩、過塩素酸塩または過ヨウ素酸塩と前記結合
物との反応生成物であるジアゾ樹脂無機塩、米国特許第
３３００３０９号明細書に記載されているような、前記
結合物とスルホン酸類の反応生成物であるジアゾ樹脂有
機塩等が挙げられる。

これらのジアゾ樹脂は、好ましくは結合剤と共に使用さ
れる。かかる結合剤としては種々の高分子化合物が使用
され得るが、好ましくは、特開昭５４−９８６１３号公
報に記載されている工うな芳香族性水酸基金層する単量
体、例えばＮ−（４−ヒドロキシフェニル）アクリルア
ミド、Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）メタクリルアミ
）”、ｏ−。

ｍ−またはｐ−ヒドロキシスチレン、ｏ−、ｍ−または
ｐ−ヒドロキシフェニルメタクリレ−ドナとと他の単量
体との共重合体、米国特許第４１２３２７６号明細書に
記載されているようなヒドロキシエチルアクリレート単
位またはヒドロキシエチルメタクリレート単位を主なる
繰り返し単位として含むポリマー、シェラツク、ロジン
などの天然樹脂、ポリビニルアルコール、米国特許第３
７５１２５７号明細書く記載されているポリアミド樹脂
、米国特許第３６６００９７号明細書に記載されている
線状ポリウレタン樹脂、ポリビニルアルコールのフタレ
ート化樹脂、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンか
ら縮合されたエポキシ樹脂、酢酸セルローへセルロース
アセテート７タレート等のセルロース類が包含される。

（リ　重合体主鎖または側鎖に感光基として−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ−Ｃ−１−含むポリエステル類、ポリアミド類、ポリ
カーボネート類のような放射線感応性樹脂、例えば、特
開昭５５−４０４］５号公報に記載されているよ５な、
フェニレンジエチルアクリレートと水素添加したビスフ
ェノールＡおよびトリエチレングリコールとの縮合で得
られる感光性ポリエステル、米国特許第２９５６８７８
号明細書に記載されている工うな、シンナミリデンマロ
ン酸などの（２−プロベリデン）マロン酸ｆヒ合物およ
び二官能性グリコール類から誘導される感光性ポリエス
テル類などが挙げられる。

（Φ　芳香族アジド化合物、または芳香族アジドスルホ
ニル化合物 例えば特開昭５８−２０３４３８号公報に記載されてい
る工うなアジドカルコン類、ジアジドベンザルメチルミ
クロヘキサノン類、および／またはアジドシンナミリデ
ンアセトフェノン類と、ｐ−ビニルフェノール重合体お
よび／またはノボラック樹脂とからなる感光性組成物、
日本化学会誌、Ｎθ１２　ｐ１７０８〜１７１４　１９
８３年に記載されている芳香族アジド化合物、および／
または芳香族ジアジド化合物と０−ビニルフェノール重
合体とからなる感光性組成物などが挙げられる。

（ｅ）　　ポリ（オレフィンスルホン）類例えば特開昭
５９−３５２号公報に記載されているようなポリ（２−
メチルペンテン−１−スルホン〕、ポリ（ブテン・スル
ホン〕などのポリ（オレフィンスルホン）類と、ｍ−ク
レゾールおよびｐ−クレゾールを主成分とするノボラッ
ク樹脂とからなる放射線感応性組成物などが挙げられる
。

本発明の放射線感応性組成物は、上記成分を有機溶剤に
溶解させることくより得られる。

この際使用される有機溶剤としては、例えばエチルグリ
コールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジプチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステ
ル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン、５／クロペンタノン、アセトニルアセトン、
アセトフェノン、イソホロンナトのケトン類、ベンジル
エチルエーテル、１゜２−ジブトキシエタン、ジヘキシ
ルエーテルなどのエーテル類、カプロン酸、カプリル酸
などの脂肪酸類、１−オクタツール、１−ノナノール、
１−デカノール、ベンジルアルコールナトのアルコール
類、酢酸エチル、酢酸ブチル、２−エチルヘキシルアセ
テート、酢酸ベンジル、安息香酸ベンジル、蓚酸ジエチ
ル、蓚酸ジプチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメ
チル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジプチル、フタ
ル酸ジメチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレンなどのエ
ステル類ｒ−ブチロラクトンなどの環状ラクトン類が挙
げられる０これらの有機溶剤は、１種または２種以上組
合わせて用いられる。

この有機溶剤の使用量は、組成物溶液を塗布すを際の必
要膜厚により異なるが、一般的には組成物１００　　！
［ｆｆｉ部に対して、１００〜２，０００重量部、好ま
しくは３００〜１，５００重筐部である。

本発明の放射線感応性組成物の塗布方法とじては、スピ
ンコーティング、ロールコーティング、ディップコーテ
ィング、スプレーコーティング、ブレードコーティング
などの各種の方法を用゛いることができ、いずれの塗布
方法においても本発明の効果を十分に得ることができる
。

〔・実施例〕

以下、本発明の実施例について述べるが１本発明がこれ
らに限定されるものではない。

実施例】 ２　Ｉ　３ｅ　４−）　’Ｊヒドロキシベンツフェノン
と０−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライ
ドとの縮合物２６．５ｇと、クレゾール−ホルムアルデ
ヒドノボラック樹脂１００ｇを３３６ｇのセロソルブア
セテート忙溶解して溶液を調製し、これＫ（メタ）アク
リレート重合体「５ｃ−１０１Ｊ（旭硝子社製）ｔ−固
形分に対してｓｐｐｍの濃度で添加してレジスト溶液を
調製した〇 このレジスト溶液を直径４インチのシリコンウェハ上に
回転数３．ＯＱＱｒｐｍでスピンコーティング法により
塗布した後、９０℃に保った空気循環型オーブン中で２
５分間加熱乾燥し、膜厚が１・５μｍのレジスト膜を有
するシリコンウェハを得た。

なお、ここにおいて用いたシリコンウェハは１表面に、
熱酸ｆヒに工って形成された厚さ０．７μｍの二酸化シ
リコンの被膜を有するものである。

以上のようにして得られた、レジスト膜を有するシリコ
ンウェハ（以下、「サンプル」という〕について次のよ
うな項目について評価テス）ｔ−行った。その結果を第
１表に示す。

０）　ストリエーション サンプルのレジスト膜表面を光学顕微鏡によって倍４Ｎ
ｏｏ倍で観察し、ストリエーションの発生状態を調べた
。評価はス）　ＩＪエニーョンの発生が認められないも
のｔ　ｒＯＪ　、やや認められるものを「Δ」、はっき
りと認められるもの’ｔ”　ｒｘＪとして表わす。

さらに、レジスト膜の表面荒さを、表面荒さ計「タリス
テップ」（ランクテーラーホブソン社製）によって測定
した。

Ｑ）塗れ残り（濡れ性〕 サンプルのレジスト膜表面を光学顕微鏡によって倍率１
００倍で観察し、塗れ残りの発生の有無を調べた。評価
は、塗れ残りの発生しなかったもの’ｔｒＯＪ、サンプ
ルの周辺部のごく一部に発生したものｔ″「Δ」、サン
プルの周辺部の一部に発生したものヲ「×」とじて表わ
す。

０）サイドエツチング（耐ウエツトエツチング性） サンプルをコンタクトアライナ−１”ＰＬＡ５０１ＦＪ
（キャノン■社製）を用い、線巾が２μｍのパターンの
マスクを介して紫外線で露光焼付けした後。

水酸化テトラメチルアンモニウムの２．４重量ｓ水溶液
を用いて６０秒間現偉し、流水下で２０秒間リンスし、
線巾２μｍ　のレジストパターンを得た。

次にこのレジストパターンが形成されたサンプル？１３
０ＣＫ保った空気循環型オープン中で３０分間ポストベ
ークした後に、４９重ｔＳのフッｆヒ水素水溶液／４０
重ＩＬＬｓのフッ化アンモニウム水溶液（重置比１：１
）より成るエッチャントを用いて６分間エツチングした
後、レジストパターンを剥離した。このようにして得ら
れたウェハのエツチング部分についてサイドエッチを測
定した。サイドエッチは、第１図に示す工うに、二酸化
シリコンの被膜がエツチングされて形成されたパターン
部１の上面における幅をＡ、パターン部１の底面（二酸
化シリコンの被膜とシリコン層２との境界面）における
幅七Ｂとしたとき、次式によって得られるものである。

−Ａ サイドエッチ＝　　　　　（μｍ） 実施例２〜１６ （メタ）アクリレート重合体の種類および添加ｔｔ−第
１表に示すとおりとしたほかは、実施例１と同様にして
レジスト溶液を調製し、さらにこのレジスト溶液ヲ用い
てシリコンウェハ上にレジスト膜を形成し、計１５種の
サンプルを得た。これら１５種の各サンプルについて、
実施例】において述べたと同様の項目について評価テス
トを行った。その結果を第１表に示す。

比較例１ （メタコアクリレート重合体を添加しないほかは実施例
１と同様にしてレジスト溶液を調製し、さらにこのレジ
スト溶液を用いてシリコンウェハ上にレジスト膜を形成
し、比較用サンプルを得た。

このサンプルについて実施例１において述べたと同様の
項目について評価ナス１行った。その結果を第１表に示
す。

以上の結果より明らかなように１本発明の実施例におい
ては、（メタ）アクリレート重合体を添加していない比
較例に比してすべての項目において優れ（おり、具体的
に次の工うな作用効果が確認された・ α）　スピンコーティングによる塗膜の形成においてス
トリエーションの発生がほとんどなく、きわめて平滑な
表面を有するレジスト膜を形成することができる。

（２）　　レジスト溶液の基板（シリコンウェハＳ）に
対する濡れ性が良好であって、塗れ残りを生ずることが
なく、均一で完全なレジスト膜を形成することができる
。

６）　基板に対する接着性が良好であって、サイドエツ
チング現象すなわちレジストパターン部の下にエッチャ
ントが浸み込みエツチングされる現象を生じにクク、耐
ウェットエツチング性に優れたレジスト膜を形成するこ
とができる。

〔発明の効果〕

本発明の放射線感応性組成物は、特定の（メタ）アクリ
レート重合体を含有しており、以下の効果を有する。

０）　ストリエーションなどの塗布ムラを生じにく（、
平滑で均一な膜厚を有する塗膜を形成することができる
〇 （２基板に対する濡れ性が優れており、塗れ残りのない
完全な状態の塗膜音形成することができる。

０）　基板に対して適度な接着力を有していて耐エツチ
ング性に優れた塗膜を形成することができるＯ 本発明の放射線感応性組成物は、以上のような特徴を有
しているので高精度のリングラフィを達成することがで
き、例えば半導体集積回路、プリント基板、テレビのシ
ャドーマスク、光集積回路などの製造において用いられ
るレジストとして好適に使用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はエツチングされたシリコンウェハを模式的に示
す説明用断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）側鎖にアルキル基およびフツ化アルキル基を有する
   アクリレート系重合体および／またはメタクリレート系
   重合体を含有することを特徴とする放射線感応性組成物
   。