JP4389305B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4389305B2 JP4389305B2 JP28609899A JP28609899A JP4389305B2 JP 4389305 B2 JP4389305 B2 JP 4389305B2 JP 28609899 A JP28609899 A JP 28609899A JP 28609899 A JP28609899 A JP 28609899A JP 4389305 B2 JP4389305 B2 JP 4389305B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- processing
- sensor means
- transport mechanism
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して成膜等の所定の処理を施す処理装置に係り、特に、搬送機構に保持される被処理体の位置ズレを補正する処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、IC等のような半導体集積回路を製造するには、シリコン基板等の半導体ウエハの表面に、成膜、酸化拡散、エッチング、アニール等の各種の処理を繰り返し行なう必要がある。この場合、処理効率を向上させるために、それぞれの処理を行なう処理室を1つの共通搬送室に連結させて設けて、いわゆるクラスタツール装置化し、ウエハを各処理室間に渡り歩くように搬送しながら一連の上述したような処理を行なうようにしている。
【0003】
図10は上述したような従来の処理装置の一例を示す概略構成図である。図示するように、この処理装置2は、例えば真空引き可能になされた共通搬送室4にそれぞれゲートバルブ6A〜6Cを介して複数、ここでは3つの処理室8A〜8Cを連結して構成される。各処理室8A〜8C内には、例えば静電力でウエハを吸着保持する静電チャックを上面に配置した載置台9A〜9Cが設けられる。また、この共通搬送室4には、ゲートバルブ10A、10Bを介して、略円板状の半導体ウエハを収容したカセットを収納する2つのカセット室12A、12Bが連結される。そして、上記共通搬送室4内に、旋回及び屈伸可能になされた例えば多関節アームよりなる搬送機構14が設けられており、この搬送機構14により半導体ウエハWを保持し、これを各カセット室12A、12Bと各処理室8A〜8Cとの間及び各処理室8A〜8C間で受け渡して搬送するようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、載置台9A〜9CからウエハWを受け取る際、ウエハWを十分に除電するが、この除電が不十分の時には受け渡しの際に、残留電荷によってウエハが跳ね上がって位置ズレを生じたまま搬送機構に保持される場合があるので、最悪の場合には、ウエハが処理室の側壁やゲートバルブの側壁と衝突して破損する場合がある。そのため、半導体ウエハWを搬送機構14で保持して搬送する時には、この搬送機構14のアーム16の先端の保持中心16Aに、半導体ウエハWの中心をかなり精度良く許容量以内に一致させた状態で位置ズレをほとんど生じることなくウエハWを移載する必要がある。
【0005】
このために、従来にあっては、例えば特開平10−223732号公報や米国特許第5483138号公報等に開示されたような位置ズレ検出装置が提案されている。この一例として、例えば図10に示すような検出装置について説明すると、共通搬送室4内において、各処理室8A〜8Cのゲートバルブ6A〜6Cの近傍に所定の間隔を隔ててそれぞれ一対のラインセンサ18、20を配置し、ここにウエハWが通過する時に一旦これを所定の位置で停止させてウエハの2箇所のエッジ(周辺輪郭の位置)を検出し、この検出値に基づいてその時のウエハ中心が基準位置からどの程度位置ズレを生じているかを求めるようになっている。
【0006】
しかしながら、上述のような構成では、各処理室8A〜8Cに対応させてそれぞれ高価な一対のラインセンサ18、20を設けなければならないことから、センサ数が多数必要となり(図示例では6個(=2×3))、コスト高を余儀なくされていた。
また、許容量以上の位置ズレが生じている場合には、搬送機構14の動作を停止し、共通搬送室4内の真空を破ってリカバリーを行なう必要があった。更には、許容量以下の位置ズレであっても、これを載置台上に位置ズレ状態で載置した場合には、処理としてプラズマを用いる時には高周波電圧による異常放電が生ずる場合もあった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、少ないセンサ手段で被処理体の位置ズレを検出でき、しかも位置ズレを補正することができる処理装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に規定する発明は、被処理体に対して所定の処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理室の搬出入口に共通に連結された共通搬送室と、この共通搬送室内に設けられて前記各処理室との間で前記被処理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされた搬送機構とよりなる処理装置において、前記共通搬送室内に、前記各処理室の搬出入口に対応させて前記被処理体を一時的に待機させる待機位置を設け、前記待機位置に対応させて前記被処理体の周辺輪郭の位置を検出するための一対のセンサ手段を、隣接する待機位置の一部のセンサ手段と共用するように設け、前記センサ手段の検出値に基づいて前記搬送機構に保持される前記被処理体の位置ズレを求めてこの位置ズレを補正するように前記搬送機構を制御する制御手段を設けるように構成したものである。
【0008】
これにより、搬送機構に保持された被処理体が処理室内に搬入される際には、直前にその処理室に対応した待機位置で被処理体を停止し、この時に一対のセンサ手段により被処理体の周辺輪郭の位置を2点検出する。この検出値に基づいて制御手段は、搬送機構に保持されている被処理体の位置ズレを求め、この位置ズレが補正できるレベルのズレ量である場合には、ズレを加味して補正するように搬送機構を制御し、この被処理体を、例えば処理室の載置台上の適正な位置に位置ズレなく載置する。また、補正レベルより外にあるズレ量の場合には、搬送エラーとして被処理体の搬送を停止する。
これにより、被処理体は処理室等の側壁に衝突することなく被処理体を安全且つ正確に搬送することが可能となる。また、各処理室毎に対応させて設けてある一対のセンサ手段は、隣接する処理室に対応させて設けてあるセンサ手段と一部共用するようにしているので、その分、センサ手段の必要数が減少し、コストの削減を図ることが可能となる。
【0009】
また、ほとんど位置ズレを生ずることなく被処理体を載置台上に載置できるので、プラズマ処理のように高周波電源を使用する場合には、異常放電の発生も防止することが可能となる。
請求項2に規定するように、例えば前記搬送機構の旋回中心を中心とする前記隣接する2つの処理室の開き角は略60度に設定されている。
請求項3に規定する発明は、被処理体に所定の処理を施すための処理室と、この処理室の搬出入口に連結された搬送室と、この搬送室内に設けられて前記処理室との間で前記被処理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされた搬送機構とよりなる処理装置において、前記搬送室内に、前記被処理体を一時的に待機させるために、前記搬送機構の旋回中心を中心として所定の開き角になされた一対の待機位置を設け、前記2つの待機位置を跨がるようにして前記被処理体の周辺輪郭の位置を検出するセンサ手段を設け、前記センサ手段により前記被処理体の一つの周辺輪郭の位置を検出した後に前記搬送機構を前記開き角だけ旋回させて前記被処理体の他の周辺輪郭の位置を検出してこれらの検出値に基づいて前記搬送機構に保持されている前記被処理体の位置ズレを求め、この位置ズレを補正するように前記搬送機構を制御する制御手段を設けるように構成する。
【0010】
これにより、被処理体を処理室等に搬送する場合には、まず、搬送機構が被処理体を保持した状態で、一方の待機位置で停止させ、ここでセンサ手段は被処理体の周辺輪郭の1つの位置を検出する。次に、搬送機構を所定の開き角だけ旋回させることによって被処理体を他方の待機位置へ移動させて停止し、ここでセンサ手段は被処理体の周辺輪郭の他の1つの位置を検出する。そして、制御手段は、この2つの検出値に基づいて、請求項1にて規定した発明と同様に、搬送機構に保持されている被処理体の位置ズレを求め、この位置ズレを加味して補正するように搬送機構を制御し、この被処理体を、例えば処理室の載置台上の適正な位置に位置ズレなく載置する。
これにより、被処理体は処理室等の側壁に衝突することなく被処理体を搬送することが可能となる。また、センサ手段は1つだけて済むので、更に大幅なコスト削減を図ることが可能となる。更に、ほとんど位置ズレを生ずることなく被処理体を載置台上に載置できるので、プラズマ処理のように高周波電源を使用する場合には、異常放電の発生も防止することが可能となる。
【0011】
請求項4に規定するように、例えば前記センサ手段は、受光体が一定の長さを有する光学ラインセンサであり、前記受光体の長手方向は、前記待機位置に適正に位置させた時の被処理体の中心に向けられている。
請求項5に規定するように、例えば前記制御手段は、前記被処理体の位置ズレが所定量以上の時には前記搬送機構の動作を停止させる。
これによれば、搬送機構の修正可能な量以上の位置ズレが生じた時には、この動作を停止させるので、被処理体が処理室の側壁等と衝突することを確実に防止することが可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る処理装置を示す概略断面平面図、図2は共用状態に設置されたセンサ手段と被処理体との位置関係を示す拡大図、図3はセンサ手段の一例を示す図、図4は各センサ手段と搬送機構の制御系を示すブロック図である。図10にて説明した従来装置と同一部分については同一符号を付して説明する。
図示するように、この処理装置22は、真空引き可能になされた略六角形状の共通搬送室4を有しており、この共通搬送室4には、それぞれ搬出入口に設けたゲートバルブ6A〜6Dを介して複数、ここでは4つの処理室8A〜8Dが連結されて、いわゆるクラスタツール装置になされている。各処理室8A〜8D内には、例えば静電力で被処理体である半導体ウエハWを吸着保持する静電チャックを上面に備えた載置台9A〜9Dが設けられる。これらの各処理室8A〜8Dは、ウエハに対してどのように処理を行なう装置でもよく、プラズマ或いは熱CVD成膜処理、アニール処理、プラズマ或いはプラズマレスエッチング処理、酸化拡散処理等を必要に応じて行なう処理室を設ける。
【0013】
また、この共通搬送室4には、ゲートバルブ10A、10Bを介して略円板状のウエハWを収容したカセットを収容する2つのカセット室12A、12Bが連結されている。そして、この共通搬送室4内の略中央には、旋回及び屈伸可能になされた例えば多関節アームよりなる搬送機構14が設けられており、この搬送機構14のアーム16の先端により半導体ウエハWを保持し、これを各カセット室12A、12Bと各処理室8A〜8Dとの間及び各処理室8A〜8D間で受け渡して搬送するようになっている。この場合、アーム16の先端の保持中心O2にウエハWの中心を位置ズレがないように位置させてウエハWを保持するのが好ましい。
【0014】
そして、共通搬送室4内には、各処理室8A〜8Dの搬出入口、すなわちゲートバルブ6A〜6Dの設置位置に対応させて搬送時のウエハWを一時的に停止させて待機させる待機位置24A〜24Dを設けている。この待機位置24A〜24Dは、図示例では便宜上ウエハと同じサイズの一点鎖線の円形で示しているが、実際にはウエハが通過できる単なる空間である。これらの各待機位置24A〜24Dの中心位置を基準位置28A〜28Dとし、後述するようにこの基準位置からのウエハ中心のズレ量を位置ズレとして求める。そして、この各待機位置24A〜24Dに対応させてウエハWの周辺輪郭(周辺エッジ)の位置を検出するための一対のセンサ手段26−1〜26−5を設けている。この場合、隣接する待機位置の一対のセンサ手段の一部は、共用されるように設ける。
【0015】
具体的には、センサ手段26−2は、待機位置24A、24Bにより共用され、センサ手段26−3は、待機位置24B、24Cにより共用され、センサ手段26−4は、待機位置24C、24Dにより共用される。図2は一例としてセンサ手段26−3の部分を拡大して示しており、待機位置24B、24Cにより共用されている。上記各センサ手段26−1〜26−5は同じ構造の例えばラインセンサよりなり、これを図4においてセンサ手段26−3を例にとって説明すると、センサ手段26−3は一定の幅、例えば30mm程度の幅L1を持ったレーザ光LAを出力する発光部30と、これにウエハWの厚さよりも僅かに広い間隔を隔てて設けた受光部32とよりなり、この受光部32には、上記レーザ光LAと幅と略同じ長さの受光体32Aを有している。そして、図示例のように、ウエハWの周辺エッジが一定の幅のレーザ光LAの一部を遮断した時、その時の遮断した長さ、或いは位置を精度良く検出できるようになっている。
【0016】
本実施例では、搬送機構14の旋回中心O1を中心として、隣接する2つの処理室間の開き角αは略60度に設定されている。また、各センサ手段26−1〜26−5の長手方向は、それぞれ対応する待機位置24A〜24Dの被処理体理想中心位置(以下、基準位置と称す)28A〜28Dに略向けられており、しかも、旋回中心O1と各基準位置28A〜28Dとの間の距離と、隣り合う2つの基準位置28A〜28D間の距離と略等しく設定して、正三角形状になるように設定している。図3は搬送機構の制御系を示しており、各センサ手段26−1〜26−5の検出値は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御手段34へ入力されており、この制御手段34は、これらの検出値に基づいて搬送機構14の駆動モータ36を制御することになる。
【0017】
次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
まず、処理を行なうに先立って、位置ズレ検出の基準となる各待機位置を装置の制御系に教え込むためのティーチング操作を行なう。この操作は、各載置台9A〜9Dの静電チャックは用いないでこれをオフ状態としておき、この状態で各載置台9A〜9D上の適正な位置、すなわち各載置台9A〜9Dの載置中心38A〜38Dとウエハ中心とを精度良く一致させた状態でウエハWを載置する。
そして、各処理室8A〜8Dや共通搬送室4を真空状態にして搬送機構14を駆動して、各ウエハを載置台9A〜9Dから搬送し、これをそれぞれ対応する待機位置24A〜24Dで停止させ、この時の各センサ手段26−1〜26−5の検出値をゼロ基準とする。以後、この値を基準としてウエハWの位置ズレ量を検出することになる。図5において、この時のウエハの輪郭は一点鎖線で示している。
【0018】
次に、半導体ウエハWの一般的な流れから説明する。いずれか一方のカセット室、例えば12Aに収容されている未処理の半導体ウエハWは、搬送機構14を旋回及び屈伸させることにより、開放されたゲートバルブ10Aを介してアーム16の先端に保持され、共通搬送室4内に取り込む。そして、この搬送機構14を旋回させることにより所定の処理室、例えば8Bに方向付けする。そして、この搬送機構14を途中まで伸ばしてウエハWを待機位置24Bで一旦停止し、アーム16の保持中心O2に対するウエハWの中心の位置ズレ量を検出する。この位置ズレ量の検出については後述する。そして、再度、搬送機構14を伸ばして開放されているゲートバルブ6Bを介して処理室8B内にウエハWを搬入し、これを載置台9B上に載置し、静電チャックの吸引力で固定する。この搬送機構14を再度伸ばしてウエハWを載置する際は、後述するように前記位置ズレ量を加味してこれを補正するように制御手段34は搬送機構14の動作を制御する。
【0019】
このように、ウエハWの搬入が終了したならば、処理室8B内にてウエハWに対して所定の処理を行なうことになる。この処理が終了したならば、搬送機構を伸長させて、開放されたゲートバルブ6Bを介してアーム16を処理室8B内に侵入させ、この先端に処理済みのウエハWを保持させる。そして、搬送機構14を縮退させることにより、ウエハWを共通搬送室4内に取り込む。この際、載置台9B上に静電チャックを設けてある場合には、このチャック電源を切ってウエハWの除電を予め行なっておく。尚、この際、ウエハの除電が不十分でアーム16でウエハWを保持する際にウエハWが跳ねて位置ズレを生じたままアーム16に保持される場合がある。
【0020】
そして、このウエハWに対して次の処理を施す場合には、搬送機構14を旋回させて、このウエハWを次の処理室、例えば8Cに方向付けする。そして、先程、処理室8B内に搬入する時に説明したと同様に、待機位置24CにてウエハWの動きを一旦停止してウエハWの位置ズレ量を検出し、この検出結果に基づいて位置ズレを補正して相殺するように搬送機構の動作を制御し、載置台9Cの適正な位置にウエハWを載置することになる。以下は、上述したような動作を繰り返し行なって、他の処理室においても必要な処理を行なって完全に処理済みのウエハWを、例えば他方のカセット室12B内のカセットに収容することになる。
【0021】
次に、図5及び図6を参照して位置ズレ量の検出及びその補正について説明する。図5では、処理室8Bに対応する待機位置24Bを例にとって説明するが、他の待機位置でも同様な動作が行なわれる。図5において、ウエハサイズと同じ大きさの円形の待機位置24Bの中心となる基準位置28B(座標をPOとする)、センサ手段26−2、26−3の各基準点B2、B1は、前述したティーチング操作により定まっており、また、ウエハWの半径rも既知である。
さて、このようなことを前提として、ウエハ処理中にウエハWとこの待機位置24Bに位置させた時の実際のウエハWの輪郭を位置ズレのために図5中において実線で示すような状態であったと仮定する。この時のウエハWの中心点PWと点POとの間のズレが位置ズレ量である。
【0022】
ウエハWの周辺エッジによってセンサ手段26−3、26−2によって遮断される点をそれぞれ点P1(x1、y1)及び点P2(x2、y2)とすると、点P1と点B1の距離はΔL1であり、各P2と点B2の距離はΔL2である。そして、点P1を中心として半径rの円を描いた時の円(円弧)40Aと点P2を中心として半径(ウエハ半径)rの円を描いた時の円(円弧)40Bとの交点が2つ生ずるが、その内、点POに近い方の点PWがウエハWの中心となる。これにより、点PWの座標が求まり、位置ズレ量が定まる。
【0023】
次に、図6へ移る。図6において搬送機構14(図1参照)の旋回中心がO1として表されており、処理室8Bの載置台9Bの載置中心が38Bとして表されている。
ここで、前述のように点PO、点PWの各座標が判明したので、ズレ角度β及び載置台方向に対する直線ズレ量ΔZも判明する。上述した計算はすべて制御手段34にて行なわれ、従って、制御手段34は搬送機構14を次に伸長動作させる時には、搬送機構14自体をズレ角βだけ修正し、また、伸長量も直線ズレ量ΔZだけ修正するように駆動すれば、ウエハWを載置台9B上の適正な位置に載置することが可能となる。尚、この一連の修正動作のアルゴリズムは単に一例を示したに過ぎず、上記したアルゴリズムに限定されないのは勿論である。
このようにして、ウエハWが搬送機構14に位置ズレ状態で保持されていても、センサ手段と制御手段によってこの位置ズレ量を検出し、この位置ズレ量を相殺して補正するように搬送機構14の動作を制御できるので、ウエハWが処理室の側壁やゲートバルブの開口部等と衝突してこれが破損する等の事故が発生することを未然に防止することができる。
【0024】
また、センサ手段26−1〜26−5も隣接する処理室同士で共用するようにしているので、その使用数量も少なくでき、その分、コストを削減することが可能となる。
更には、ウエハWが各処理室内へ搬入される毎に、上述のように位置ズレが解消されるので、位置ズレ量が累積することもない。尚、位置ズレ量が過度に大きく、例えば搬送機構14の駆動範囲を越えるような位置ズレ量の場合には、制御手段34は搬送機構14の動作を停止し、例えばオペレータによるリカバリーを待つことになる。
尚、上記実施例では、各処理室8A〜8Dに対応させて待機位置24A〜24Dを設定した場合を例にとって説明したが、これに限定されず、各処理室8A〜8D及びカセット12A、12Bに対して共通に使用される共通の待機位置を設定するようにしてもよい。また、この際、位置ズレ量検出の方法を工夫することにより、必要とするセンサ手段の数を更に減少させて1つだけで済ますことが可能となる。図7はこのような本発明装置の変形例を示す概略断面平面図、図8は図7に示す装置により位置ズレ量を検出する方法を説明する説明図、図9は図8に示す方法で求めた値を座標変換した時の状態を模式的に示す図である。
【0025】
図7に示すように、ここでは代表的な位置として2つのカセット室12A、12Bの搬出入口、すなわちゲートバルブ10A、10Bに対応する共通搬送室4内に2つの待機位置24E、24Fを設置している。これらの2つの待機位置24E、24Fの中心は、搬送機構14の旋回中心O1から各カセット室12A、12Bの中心を通る線分上に位置されており、この結果、旋回中心O1を中心として両待機位置24E、24Fは所定の開き角2θをなすように設定されている。そして、この両待機位置24E、24Fを跨ぐようにして1つのセンサ手段26−6を設置している。この場合、センサ手段26−6の長手方向を、両待機位置24E、24Fの中心42E、42Fに向けている。尚、このセンサ手段26−6の出力は、先に図4を参照して説明したように、制御手段34へ入力され、この制御手段34は以後説明するように上記搬送機構14の動作を制御する。
【0026】
次に、図8及び図9を参照して位置ズレ量の検出及びその補正について説明する。
本実施例の場合にも、処理に先立って位置ズレ検出の基準となる2つの待機位置を装置の制御系に教え込むティーチング操作を行なう。前述と同様に各載置台9A〜9Dの静電チャックは用いないでオフ状態としておき、この状態で各載置台9A〜9D上の適正な位置にウエハWを精度良く載置する。
そして、各処理室8A〜8Dや共通搬送室4を真空状態にして各ウエハを載置台9A〜9Dから搬送し、これを待機位置24E及び待機位置24Fにおいてそれぞれ連続的に停止させて、その時のセンサ手段26−6の検出値をゼロ基準とする。以後、この値を基準としてウエハWの位置ズレ量を検出することになる。この場合、装置の組み立て精度が非常に高ければ、各載置台9A〜9Dから搬出した時のセンサ手段26−6の検出値は全て精度良く一致するが、実際には組み立て誤差の発生は避けられないので、装置毎に載置台9A〜9D毎のゼロ基準をテーブル化して制御手段34に記憶しておけばよい。尚、待機位置24E、24F間のウエハWの移動は、搬送機構14を角度2θだけ旋回させればよい。
【0027】
そして、制御手段34は極座標変換を行なって一方の待機位置、ここでは待機位置24Fとセンサ手段26−6とを、旋回中心O1を中心として角度2θだけ旋回させる。この極座標変換後のセンサ手段26−6の基準点を便宜上B4’とする。そして、基準点B3を中心として描く半径r(ウエハの半径)の円弧と基準点B4’を中心として描く半径rの円弧の2つの交点の内、中心42Eに近い一方の交点が位置ズレ量を求める時の基準位置28E(=PO)となる。図示例では、たまたま基準点42Eと基準位置28Eとが一致している。
さて、上述のようにしてゼロ基準を求めた時の一例が図8に示されている。ここではある1つの処理室に対する位置ズレ量の検出を例にとって説明する。この時の各待機位置(図中、一点鎖線で示す)24E、24Fの中心はそれぞれ42E、42Fであり、旋回角度2θの2等分線上にセンサ手段26−6の中心が位置されている。
【0028】
上記各待機位置24E、24Fのゼロ基準の時のセンサ手段26−6上の位置をそれぞれB3、B4とする。
そして、実際のウエハ処理中にウエハWを2つの待機位置24E、24Fに位置させた時の実際のウエハの輪郭を位置ズレのために図8中において実線で示すような状態であったと仮定する。この時、ウエハWの周辺エッジによってセンサ手段26−6によって遮断される点をそれぞれ点P1、点P2’とする。そして、待機位置24FのウエハW及びセンサ手段26−6を角度2θだけ旋回させて極座標変換した時のセンサ手段上の遮断点を点P2とする。
そして、点P1、点P2から先に図5にて説明したように、半径rの円弧を描いてその2つの交点を求め、点28Eに近い方の交点がウエハの中心PW(X、Y)となる。この時の状態は図9に示されている。
【0029】
ここで上述したPW(X、Y)を求めるアルゴリズムについて詳しく説明する。
まず、点P1、点P2のそれぞれの座標を(x1、y1)、(x2、y2)とすると、以下のようになる。
座標P1:(x1、y1)=[(r+σ1)cosθ、(r+σ1)sinθ]
座標P2:(x2、y2)=[(r+σ2)cos(180−θ)、(r+σ2)sin(180−θ)]=[−(r+σ2)cosθ、(r+σ2)sinθ]
ここでσ1は、点P1におけるセンサ手段の読み値(基準点B1からの値)、σ2は点P2(極座標変換後の新規座標)におけるセンサ手段の読み値(基準点B2からの値)である。
【0030】
交点座標(X、Y)はウエハ半径をrとすると、以下のようになる。
(X−x1)2 +(Y−y1)2 =r2 … ▲1▼
(X−x2)2 +(Y−y2)2 =r2 … ▲2▼
ここで計算を行ない易くするために座標軸を(+x1、+y1)ずらす。
すると▲1▼式は以下のようになる。
X2 +Y2 =r2
▲2▼式は以下のようになる。
[X−(x2−x1)]2 +[Y−(y2−y1)]2 =r2
ここでx2−x1=a、y2−y1=bとすると上記式は、以下のようになる。
X2 +Y2 =r2 … ▲3▼
(X−a)2 +(Y−b)2 =r2 … ▲4▼
上記▲3▼、▲4▼式より以下の式がなる。
X2 −2aX+a2 +Y2 −2bY+b2 =X2 +Y2
従って、下記の▲5▼式が成立する。
2aX+2bY−a2 −b2 =0 … ▲5▼
【0031】
結果として、X、Yは以下のようになる。
X=(a2 +b2 −2bY)/(2a)=(m−2bY)/(2a)… ▲6▼
Y=(a2 +b2 −2aX)/(2b)=(m−2aX)/(2b)… ▲7▼
尚、m=a2 +b2 とおいている。
上記▲7▼式を▲3▼に代入すると以下のようになる。
X2 +((m−2aX)/(2b))2 =r2
これを計算すると以下のようになる。
4(a2 +b2 )X2 −4maX+(m2 −4b2 r2 )=0
ここでa2 +b2 =mなので、以下のようになる。
4mX2 −4maX+(m2 −4b2 r2 )=0
【0032】
これをXについて解くと、以下のようになる。
X={ma±[m2 a2 −m(m2 −4b2 r2 )]1/2 }/(2m)
=[a±(a2 −m+4b2 r2 /m)1/2 ]/2
ここでm=a2 +b2 なので、以下のようになる。
X={a±[(a2 −(a2 +b2 )+4b2 r2 /(a2 +b2 )]1/2 /2
=[a±b(4r2 /m−1)1/2 ]/2
これを▲5▼式に代入してYを算出する。
2a[a±b(4r2 /m−1)1/2 ]/2+2bY−a2 −b2 =0
従って、Yは以下のようになる。
Y=[b±a(4r2 /m−1)1/2 ]/2
【0033】
以上より2つの円弧の2交点(X、Y)は以下のようになる。
第1の交点:(X、Y)=([a+b(4r2 /m−1)1/2 ]/2、[b−a(4r2 /m−1)1/2 ]/2)
第2の交点:(X、Y)=([a−b(4r2 /m−1)1/2 ]/2、[b+a(4r2 /m−1)1/2 ]/2)
ただし、座標軸を計算簡略化のために(+x1、+y1)ずらしてあるので、これを元に戻すとウエハ中心は以下のようになる。
第1の交点:(X、Y)=([a+b(4r2 /m−1)1/2 ]/2+x1、[b−a(4r2 /m−1)1/2 ]/2+y1)
第2の交点:(X、Y)=([a−b(4r2 /m−1)1/2 ]/2+x1、[b+a(4r2 /m−1)1/2 ]/2+y1)
尚、m=a2 +b2 、a=x2−x1、b=y2−y1である。
【0034】
ここで上記1、2の解の中で、どちらかを選ぶ判別式は、ウエハの中心ズレ量σ=(x2 +y2 )1/2 の値がラインセンサ長をΔlとして、σ<Δl/2の条件を満たす方を解、すなわち点PWの座標とする。
このようにして、点PWの座標(X、Y)が求まったので、以後は先に図5にて説明したように点PO(28E或いは42E)からの位置ズレ量を求めることができ、これに基づいて搬送機構14の動作を制御すればよい。
尚、以上の実施例では各処理室8A〜8Dに対するウエハの位置ズレについて説明したが、これに加えてカセット室12A、12B等に対する位置ズレ、或いは冷却室や加熱室等の予備室を有している場合には、これらの予備室に対する位置ズレも検出するようにしてもよい。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項1、2、4に規定する発明によれば、複数の処理室に対して部分的に共用されるように設けたセンサ手段により被処理体の位置ズレ量を求めてこれを補正するように搬送できるので、被処理体を処理室の側壁等に衝突させることなく、例えば載置台上の適正な位置に位置ズレなく載置することができる。
また、隣接する処理室と共用させるようにセンサ手段を設けたので、センサ手段の必要数を削減でき、その分、コストを削減することができる。
請求項3に規定する発明によれば、センサ手段を1つだけ設けることにより、上述した請求項1に規定する発明と同様な作用効果を発揮するので、更にセンサ手段の数を削減でき、一層コストを削減することが可能となる。
請求項5に規定する発明によれば、搬送機構による位置ズレの修正が可能な範囲以上の位置ズレが生じた時には、この動作を停止するようにしているので、被処理体の衝突による破損を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る処理装置を示す概略断面平面図である。
【図2】共用状態に設置されたセンサ手段と被処理体との位置関係を示す拡大図である。
【図3】センサ手段の一例を示す図である。
【図4】各センサ手段と搬送機構の制御系を示すブロック図である。
【図5】被処理体の位置ズレ量を求める時の方法を説明するための説明図である。
【図6】被処理体の位置ズレ量を説明するための説明図である。
【図7】本発明装置の変形例を示す概略断面平面図である。
【図8】図7に示す装置により位置ズレ量を検出する方法を説明する説明図である。
【図9】図8に示す方法で求めた値を座標変換した時の状態を模式的に示す図である。
【図10】従来の処理装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
4 共通搬送室
6A〜6F ゲートバルブ
8A〜8D 処理室
12A,12B カセット室
14 搬送機構
22 処理装置
24A〜24D 待機位置
26−1〜26−6 センサ手段
28A〜28D 基準位置
32A 受光体
34 制御手段
B1,B2 基準点
O1 旋回中心
W 半導体ウエハ(被処理体)
ΔZ 直線ズレ量
α 開き角
β ズレ角
Claims (5)
- 被処理体に対して所定の処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理室の搬出入口に共通に連結された共通搬送室と、この共通搬送室内に設けられて前記各処理室との間で前記被処理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされた搬送機構とよりなる処理装置において、前記共通搬送室内に、前記各処理室の搬出入口に対応させて前記被処理体を一時的に待機させる待機位置を設け、前記待機位置に対応させて前記被処理体の周辺輪郭の位置を検出するための一対のセンサ手段を、隣接する待機位置の一部のセンサ手段と共用するように設け、前記センサ手段の検出値に基づいて前記搬送機構に保持される前記被処理体の位置ズレを求めてこの位置ズレを補正するように前記搬送機構を制御する制御手段を設けたことを特徴とする処理装置。
- 前記搬送機構の旋回中心を中心とする前記隣接する2つの処理室の開き角は略60度に設定されていることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 被処理体に所定の処理を施すための処理室と、この処理室の搬出入口に連結された搬送室と、この搬送室内に設けられて前記処理室との間で前記被処理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされた搬送機構とよりなる処理装置において、前記搬送室内に、前記被処理体を一時的に待機させるために、前記搬送機構の旋回中心を中心として所定の開き角になされた一対の待機位置を設け、前記2つの待機位置を跨がるようにして前記被処理体の周辺輪郭の位置を検出するセンサ手段を設け、前記センサ手段により前記被処理体の一つの周辺輪郭の位置を検出した後に前記搬送機構を前記開き角だけ旋回させて前記被処理体の他の周辺輪郭の位置を検出してこれらの検出値に基づいて前記搬送機構に保持されている前記被処理体の位置ズレを求め、この位置ズレを補正するように前記搬送機構を制御する制御手段を設けたことを特徴とする処理装置。
- 前記センサ手段は、受光体が一定の長さを有する光学ラインセンサであり、前記受光体の長手方向は、前記待機位置に適正に位置させた時の被処理体の中心に向けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の処理装置。
- 前記制御手段は、前記被処理体の位置ズレが所定量以上の時には前記搬送機構の動作を停止させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28609899A JP4389305B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 処理装置 |
US09/680,439 US6339730B1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-05 | Processing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28609899A JP4389305B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001110873A JP2001110873A (ja) | 2001-04-20 |
JP4389305B2 true JP4389305B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=17699924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28609899A Expired - Fee Related JP4389305B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6339730B1 (ja) |
JP (1) | JP4389305B2 (ja) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3437812B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2003-08-18 | タツモ株式会社 | 基板搬送装置 |
JP4402811B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2010-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の搬送システムおよび被処理体の位置ずれ量の検出方法 |
US6553280B2 (en) * | 2000-07-07 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Valve/sensor assemblies |
JP4696373B2 (ja) * | 2001-02-20 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム及び被処理体の搬送方法 |
JP4731755B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 移載装置の制御方法および熱処理方法並びに熱処理装置 |
JP4149166B2 (ja) * | 2002-01-08 | 2008-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム及び処理方法 |
JP4490263B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2010-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の位置/存在を検出するための共有センサ |
US20050220582A1 (en) * | 2002-09-13 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Teaching method and processing system |
JP4486507B2 (ja) * | 2003-01-02 | 2010-06-23 | ローマ リンダ ユニヴァーシティ メディカル センター | 陽子線治療システムのための構成管理及び読み出しシステム |
JP2004241428A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2004282002A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2005101584A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | 基板を検査する装置 |
US8634633B2 (en) * | 2003-11-10 | 2014-01-21 | Brooks Automation, Inc. | Wafer center finding with kalman filter |
US20070269297A1 (en) | 2003-11-10 | 2007-11-22 | Meulen Peter V D | Semiconductor wafer handling and transport |
US7458763B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-12-02 | Blueshift Technologies, Inc. | Mid-entry load lock for semiconductor handling system |
US8696298B2 (en) * | 2003-11-10 | 2014-04-15 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing process modules |
US7792350B2 (en) * | 2003-11-10 | 2010-09-07 | Brooks Automation, Inc. | Wafer center finding |
US10086511B2 (en) | 2003-11-10 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing systems |
US8313277B2 (en) * | 2003-11-10 | 2012-11-20 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing process modules |
KR100568867B1 (ko) * | 2004-03-18 | 2006-04-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 좌표감지장치 및 그 웨이퍼 좌표감지 기능을 갖는반도체 제조설비 |
US7089677B2 (en) * | 2004-05-05 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for calibrating alignment mark positions on substrates |
US7440091B2 (en) * | 2004-10-26 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Sensors for dynamically detecting substrate breakage and misalignment of a moving substrate |
US7387484B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-06-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer positioning systems and methods thereof |
US20080219807A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Van Der Meulen Peter | Semiconductor manufacturing process modules |
WO2008136503A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Limited | 処理装置、処理方法、被処理体の認識方法および記憶媒体 |
JP5058836B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、処理方法、被処理体の認識方法および記憶媒体 |
JP5005428B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2012-08-22 | 株式会社アルバック | 基板搬送方法、及び基板搬送装置 |
JP5390753B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2014-01-15 | 株式会社アルバック | 基板搬送方法、及び基板搬送装置 |
US8099190B2 (en) * | 2007-06-22 | 2012-01-17 | Asm International N.V. | Apparatus and method for transferring two or more wafers whereby the positions of the wafers can be measured |
JP5336513B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-11-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 動的アラインメント・ビーム校正のためのシステムおよび方法 |
SG186665A1 (en) * | 2007-12-27 | 2013-01-30 | Lam Res Corp | Systems and methods for calibrating end effector alignment using at least a light source |
JP5309157B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-10-09 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおいてエンドエフェクタのアラインメントを校正するためのシステムおよび方法 |
CN101911277B (zh) * | 2007-12-27 | 2012-04-04 | 朗姆研究公司 | 确定位置和偏移的装置和方法 |
JP5001211B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2012-08-15 | アズビル株式会社 | 中心位置検出方法および装置、並びに中心位置合わせ方法および装置 |
US8276959B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-10-02 | Applied Materials, Inc. | Magnetic pad for end-effectors |
WO2012124803A1 (ja) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 株式会社アルバック | 搬送装置、真空装置 |
JP5851126B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2016-02-03 | 株式会社アルバック | 基板位置検出方法 |
JP6059934B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-01-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料搬送装置のティーチング方法 |
JP6063716B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2017-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
WO2014157358A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
US9808891B2 (en) * | 2014-01-16 | 2017-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Tool and method of reflow |
JP6199199B2 (ja) * | 2014-02-20 | 2017-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、位置ずれ補正方法及び記憶媒体 |
KR101680214B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2016-11-28 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 이송 장치 |
JP6506984B2 (ja) * | 2015-02-13 | 2019-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板検出装置、基板検出方法及び基板処理システム |
JP6463227B2 (ja) * | 2015-07-07 | 2019-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法 |
US9831110B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Vision-based wafer notch position measurement |
US20170125269A1 (en) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | Aixtron Se | Transfer module for a multi-module apparatus |
CN107887307B (zh) * | 2017-11-15 | 2020-06-16 | 四川永祥硅材料有限公司 | 一种可以分离缺陷硅片的插片方法及智能插片机装置 |
KR102175088B1 (ko) * | 2018-11-29 | 2020-11-06 | 세메스 주식회사 | 기재 위치 보정 방법 |
CN112786475A (zh) * | 2019-11-08 | 2021-05-11 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 一种晶圆自动纠偏方法 |
US11328947B1 (en) * | 2021-01-26 | 2022-05-10 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Aligner apparatus and alignment method |
KR20230092298A (ko) | 2021-12-17 | 2023-06-26 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 티칭 장치와 이를 이용한 웨이퍼 티칭 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4819167A (en) | 1987-04-20 | 1989-04-04 | Applied Materials, Inc. | System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer |
DE69329269T2 (de) | 1992-11-12 | 2000-12-28 | Applied Materials Inc | System und Verfahren für automatische Positionierung eines Substrats in einem Prozessraum |
US5452521A (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Niewmierzycki; Leszek | Workpiece alignment structure and method |
JPH09102530A (ja) * | 1995-06-07 | 1997-04-15 | Varian Assoc Inc | ウェーハの向き検査システム |
TW350115B (en) | 1996-12-02 | 1999-01-11 | Toyota Automatic Loom Co Ltd | Misregistration detection device and method thereof |
US6190037B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Non-intrusive, on-the-fly (OTF) temperature measurement and monitoring system |
-
1999
- 1999-10-06 JP JP28609899A patent/JP4389305B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-05 US US09/680,439 patent/US6339730B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001110873A (ja) | 2001-04-20 |
US6339730B1 (en) | 2002-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4389305B2 (ja) | 処理装置 | |
JP4696373B2 (ja) | 処理システム及び被処理体の搬送方法 | |
US7129147B2 (en) | Delivery position aligning method for use in a transfer system and a processing system employing the method | |
KR101745045B1 (ko) | 반송 기구의 위치 결정 방법, 피처리체의 위치 어긋남량 산출 방법 및 반송 기구의 티칭 데이터의 수정 방법 | |
KR101031843B1 (ko) | 위치 어긋남 검출 장치 및 이것을 이용한 처리 시스템 | |
JP2002151576A (ja) | ウェハ処理ロボット用の、基板搬送時の中心検出及びノッチ整列装置 | |
JP4402811B2 (ja) | 被処理体の搬送システムおよび被処理体の位置ずれ量の検出方法 | |
KR100753290B1 (ko) | 로봇을 사용하여 기판을 정렬시키는 장치 및 방법 | |
CN108364898B (zh) | 基板搬送装置、检测位置校正方法及基板处理装置 | |
US7353076B2 (en) | Vacuum processing method and vacuum processing apparatus | |
JP5185054B2 (ja) | 基板搬送方法、制御プログラム及び記憶媒体 | |
JP6774276B2 (ja) | 基板移載装置 | |
WO2005091355A1 (ja) | 搬送機構の搬送ズレを割り出す方法及び半導体処理装置 | |
US20060015279A1 (en) | Device for correcting reference position for transfer mechanism, and correction method | |
JP2002043394A (ja) | 位置ずれ検出装置及び処理システム | |
JP2006351883A (ja) | 基板搬送機構及び処理システム | |
JP4395873B2 (ja) | 薄板状物の変位量検出方法及び変位量修正方法 | |
JP6063776B2 (ja) | 基板搬送経路の決定方法、基板搬送装置、基板処理装置及びプログラム | |
JP2002151568A (ja) | 被処理体の処理システム及び搬送方法 | |
JPH07263518A (ja) | 半導体ウェハの搬送装置及び搬送方法並びに半導体ウェハ処理装置 | |
JP3236724B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP4422300B2 (ja) | ウェハ処理装置 | |
KR20050044913A (ko) | 티칭 방법 및 처리 시스템 | |
US20050220582A1 (en) | Teaching method and processing system | |
JP2009146975A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060904 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090915 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090928 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151016 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |