JP4283470B2 - 多層配線構造を有する半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子及びその製造方法に係り、より具体的には、多層配線構造を有する半導体素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、多層配線技術は集積回路の表面積をより効率的に用いるために、回路を3次元の形で形成することである。このような多層配線技術の採用によって1ギガバイト(GB)以上の非常に大きい容量を有する、例えばDRAM(Dynamic Random Access memory)素子のような高集積メモリ素子の設計が可能になる。
【0003】
このような多層配線で、アクチブ素子及び配線は積層され、これらの各々の層は“プラグ”または“スタッド”のような層間連結経路によって連結される。また、プラグの整列を補助するための“ランディングパッド”または“タブ”はプラグに対するターゲットの役割をするように下部層に形成される。合わせて、ランディングパッドは下部回路または配線と連結され、回路または配線より表面積が一般に大きく形成されて、プラグ用ターゲットのより広い許容誤差を提供する。しかし、従来のランディングパッドまたはタブはプラグの整列を補助する役割はするが、スタッド(またはプラグ)より広い幅を有することによって、隣接する回路パターンとのショートが生じる危険性が高い。したがって、現在にはランディングパッドを使用する代わりに、エッチング阻止層によって自己整列金属配線を形成する技術が提案されている。
【0004】
図1は、スタッド及びエッチング阻止層を含む多層金属配線構造を示す断面図であって、図1に示された技術は米国特許第5,891,799号公報に開示されている。
【0005】
まず、図1を参照して、半導体基板100の上部に金属配線102を公知の方法によって形成する。金属配線102が形成された半導体基板100の上部にシリコン酸化膜(SiO2)よりなる第1層間絶縁膜104及びシリコン窒化膜(Si3N4)よりなる第1エッチング阻止層106を順次に形成する。その後、金属配線102及び半導体基板100の選択された部分が露出されるように第1エッチング阻止層106及び第1層間絶縁膜104をパターニングして下部スタッドホール108a、108bを形成する。その後、下部スタッドホール108a、108b内に金属物質を埋立てて下部スタッド110a、110bを形成する。下部スタッド110a、110bが形成された半導体基板100結果物の上部に第2層間絶縁膜112及び第2エッチング阻止層114を順次に形成する。次いで、下部スタッド110a、110bが露出されるように、第2エッチング阻止層114及び第2層間絶縁膜112をエッチングして上部スタッドホール116a、116bを形成する。この時、上部スタッドホール116a、116bを形成するためのエッチング工程時に、第1エッチング阻止層106がエッチング基準の役割をする。その後、上部スタッドホール116a、116b内に上部スタッド118a、118bを形成する。
【0006】
しかし、従来の多層配線構造は次のような問題点を有する。
まず、前述した従来の技術は、回路パターンの間の距離を確保するためのランディングパッドを使用していない。このため、第1エッチング阻止層106を使用したとしても、下部スタッド110a、110bと上部スタッド118a、118bとの間に誤整列が生じる危険性が相変らず高い。一方、この理由から、ランディングパッドを使用すれば、前述したように、パターンとパターンとの距離が狭くなって、隣接する導電パターンとのショートが生じやすい。
【0007】
さらに、センスアンプが形成される周辺領域では、DRAMのビットラインが局部配線として用いられている。特に、この領域では、回路層が非常に密集して配列されるため、ランディングパッドを使用すれば、同一のレベルに形成される水平方向へのパターン間の距離を確保しにくい。
【0008】
また、シリコン窒化膜(Si3N4)よりなる第1及び第2エッチング阻止層106、114が半導体基板100の結果物の上部に全体的に形成されるため、回路歪みを誘発できる程度の過度なストレスが層間絶膜内に生じる。合わせて、これらの第1及び第2エッチング阻止層106、114は後続の高温工程中に、層間絶縁膜内に含まれている炭素(C)、フッ素(F)及び塩素(Cl)のような不純物がガス抜け(outgassing)されることを遮断する。また、残留するエッチング阻止層106、114は半導体基板100とゲート絶縁膜(図示せず)との間のダングリングボンドを減らすための熱工程時に、H2及びO2の流入を妨げる。これにより、半導体基板100とゲート絶縁膜との接着特性が劣化する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、高集積回路素子で、隣接する導電パターンの間のショートを防止できる半導体素子を提供することである。
【0010】
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、上下スタッドの間に十分なコンタクトマージンを確保できる半導体素子を提供することである。
【0011】
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、上下スタッドの間に十分なコンタクトマージンを確保しつつも、隣接する導電パターンの間のショートを防止できる半導体素子を提供することである。
【0012】
本発明が解決しようとするまた他の技術的課題は、エッチング阻止層により生じる層間絶縁膜のストレスを減らしうる半導体素子を提供することである。
【0013】
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、回路内にストレスを減らしつつ、不純物のガス抜けを容易に行える半導体素子を提供することである。
【0014】
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、ゲート絶縁膜と半導体基板の接着特性の劣化を防止できる半導体素子を提供することである。
【0015】
また、本発明が解決しようとする技術的課題は、前記半導体素子の製造方法を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
前記本発明の技術的課題を達成するために、本発明の一実施形態に係る半導体素子は、半導体基板の上部に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の内部に前記層間絶縁膜の表面に隣接して第1幅を有する入口部及び、前記基板に隣接して第2幅を有するコンタクト部を有する第1コンタクトスタッドが形成される。また、層間絶縁膜の内部には、前記第1コンタクトスタッドと所定距離離隔される第2スタッドとを含む。この時、前記第1コンタクトスタッドの入口部の第1幅が前記コンタクト部の第2幅より大きい。
【0017】
また、本発明の他の実施形態に係る半導体素子は、半導体基板の上部に層間絶縁膜が形成される。前記層間絶縁膜の内部に、前記層間絶縁膜の表面に隣接して第1幅を有する入口部と前記基板に隣接して第2幅を有するコンタクト部とを有する第1コンタクトスタッド及び前記第1コンタクトスタッドと所定距離離隔される第2スタッドが形成される。前記第2コンタクトスタッドの表面とコンタクトされるように層間絶縁膜の上部に第2コンタクトスタッドより大きい幅を有するランディングパッドが形成され、前記ランディングパッドの上部面及び側面だけを包むエッチング阻止層が形成される。
【0018】
ここで、第2コンタクトスタッドは接触部及び入口部の幅がほとんど同一でありえる。また、エッチング阻止層は、前記ランディングパッドの上部面に形成される第1エッチング阻止層及び、前記ランディングパッドの両側部面にスペーサの形で形成される第2エッチング阻止層を含む。また、第1コンタクトスタッドの入口部は接触部より約30%ないし60%程度大きい幅を有することが望ましい。
【0019】
また、半導体基板と層間絶縁膜との間には多数の隣接配列されるゲート電極及び、前記ゲート電極の間の空間に形成される自己整列プラグとが形成されており、層間絶縁膜の内部には前記自己整列プラグとコンタクトされる第3コンタクトスタッドが形成される。ここで、第1コンタクトスタッドの入口部の深さは前記第3コンタクトスタッドの深さと同じかまたはより大きいことが望ましい。
【0020】
この時、半導体基板はセル領域及び周辺領域に限定されており、前記第3コンタクトスタッドは前記セル領域に形成され、前記第1コンタクトスタッドは前記周辺領域に形成される。
【0021】
また本発明の他の実施形態に係る半導体素子の製造方法は、まず、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する。その後、層間絶縁膜の内部に前記半導体基板に近い接触部の幅より前記層間絶縁膜の表面に隣接する入口部の幅が大きい第1スタッドホールを形成する。次いで、層間絶縁膜の内部に前記第1スタッドホールと離隔されるように第2スタッドホールを形成する。その後、第1スタッドホール及び第2スタッドホールに導電性物質を埋立てて、第1コンタクトスタッド及び第2コンタクトスタッドを形成する。
【0022】
ここで、第1スタッドホール及び第2スタッドホールは次の方法で形成できる。まず、層間絶縁膜の所定部分を層間絶縁膜より浅くエッチングして第1ホールを形成する。次いで、第1ホールのうち選択される第1ホールの下部に位置する層間絶縁膜の一部と、前記第1ホールが形成されていない層間絶縁膜の所定部分をエッチングして半導体基板を露出させる第2ホールを形成して、第1及び第2スタッドホールを形成する。ここで、第2ホールは、第1ホールが形成された層間絶縁膜の上部に前記選択された第1ホールの内側壁を包みつつ、その他の層間絶縁膜の所定部分が露出されるようにフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンの形で層間絶縁膜をエッチングして形成される。ここで、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する前に、半導体基板の上部にゲート電極を形成し、ゲート電極の間に自己整列されたコンタクトプラグを形成できる。この時、前記第1ホールの形成と同時に、前記コンタクトプラグのうち選択された部分が露出される場合がある。また、第1ホールは、前記層間絶縁膜の表面からコンタクトプラグ表面までの距離と同じか、またはより深く形成できる。
【0023】
また、第1スタッドホール及び第2スタッドホールは次のような方法でも形成できる。すなわち、層間絶縁膜の所定部分をエッチングして半導体基板の選択領域を露出させる第1ホールを形成する。次に、多数の第1ホールのうち選択される第1ホールの側面に形成された層間絶縁膜を所定深さだけエッチングして、第1ホールより幅が大きい第2ホールを形成する。ここで、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する前に半導体基板の上部にゲート電極を形成し、ゲート電極の間に自己整列されたコンタクトプラグを形成できる。この時、前記第2ホールの形成と同時に、前記コンタクトプラグのうち選択された部分が露出される場合がある。また、第2ホールは、前記層間絶縁膜の表面からコンタクトプラグ表面までの距離と同じか、またはより深く形成できる。
【0024】
また、第1コンタクトスタッド及び第2コンタクトスタッドを形成する段階後に、前記第2コンタクトスタッドとコンタクトされるように層間絶縁膜の上部に第2コンタクトスタッドより大きい幅を有する導電性ランディングパッドを形成する。このようなランディングパッドを形成した後、ランディングパッドを包むようにエッチング阻止層を形成できる。この時、エッチング阻止層は次のような方式で形成される。すなわち、ランディングパッドの上部に第1エッチング阻止層を形成し、ランディングパッド及び第1エッチング阻止層の側壁にスペーサ状になる第2エッチング阻止層を形成する。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づいて本発明の望ましい実施形態を説明する。ここで、本発明の実施形態は色々な他の形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施形態により限定されるものと解釈されてはならない。本発明の実施形態は当業界で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図中、要素の形状はより明確な説明のために誇張され、図面上で同じ符号で表示された要素は同じ要素を意味する。また、ある層が他の層または半導体基板の“上”にあると記載される場合、ある層は前記他の層または半導体基板に直接接触して存在する場合もあり、それらの間に第3の層が介在される場合もある。
【0026】
<実施形態1>
図2は、本発明の一実施形態を説明するための半導体素子の断面図であって、図2を参照して、本発明の基本原理を説明する。
【0027】
まず、基板200の上部に導電パターン202が形成され、導電パターン202の上部に第1層間絶縁膜204が形成される。第1層間絶縁膜204の内部に導電パターン202及び半導体基板200の所定部分が露出されるように、下部スタッドホール206a、206bが形成され、下部スタッドホール206a、206b内に導電性物質が埋立てられて、下部スタッド208a、208bが形成される。ここで、下部スタッド208a、208bのうちいずれか一つのスタッド208aは第1層間絶縁膜204の表面と隣接する上部部分(以下、入口部)208a−1の幅が基板と隣接する下部部分(以下、接触部)208a−2の幅より大きく形成される。望ましくは、入口部208a−1の幅が接触部208a−2の幅より30%以上、より望ましくは、30ないし60%程度大きい。このような下部スタッド208aは、例えば、アルファベット“T”状に形成される。ここで、下部スタッド208aの入口部208a−1は以後にランディングパッドの役割をしつつ、第1層間絶縁膜204の内部に形成される。
【0028】
一方、もう一つの下部スタッド208bは、その入口部及び接触部の幅がほとんど同一である。このような下部スタッド208bの上部には導電層よりなるランディングパッド210が形成される。ランディングパッド210は、公知のように、下部スタッド208bの幅より大きく形成される。
【0029】
ランディングパッド210の上部表面及び側壁表面に、エッチング阻止層216が形成される。エッチング阻止層216はランディングパッド210の上部に形成される第1エッチング阻止層212及びランディングパッド210の両側壁に形成され、スペーサの形を有する第2エッチング阻止層214を含む。
【0030】
ランディングパッド用導電パターン210が形成された第1層間絶縁膜204の上部に第2層間絶縁膜218が形成される。第2層間絶縁膜218内には下部スタッド208a及びランディングパッド用導電パターン210の所定部分が露出されるように上部スタッドホール220a、220bが形成される。ここで、ランディングパッド用導電パターン210が選択的に形成されることによって、上部スタッドホール220a、220bの高さも相異なる。上部スタッドホール220a、220bの内部には導電性物質が埋立てられて、上部スタッド222a、222bが形成される。各々の上部スタッド222a、222b上には金属配線224a、224bが形成されて回路が完成される。
【0031】
このように、下部スタッド208a、208bのうちいずれか一つのスタッド208aは第1層間絶縁膜204内にランディングパッドが形成されるように構成し、残りのスタッド208bは第1層間絶縁膜204の上部にランディングパッド210を形成する。これにより、上部スタッド222a、222bとの誤整列を防止しつつも、隣接するパターンの間に絶縁が確保される。
【0032】
また、エッチング阻止層216が半導体基板の結果物の上部に全体的に形成されず、ランディングパッド用導電パターン210だけを包むように形成される。したがって、エッチング阻止層216によるストレスが減少し、不純物が容易にガス抜けされる。
【0033】
<実施形態2>
本発明の典型的な適用は図3Aないし図3Gによってさらに具体化される。ここで、図3Aないし図3Gは、本発明に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。図面で“X”方向は、例えば、ビットラインの延長方向を示し、“Y”方向は、例えば、ワードラインの延長方向を示す。
【0034】
図3Aを参照して、メモリ素子が形成される半導体基板300が備えられる。半導体基板300の所定部分に素子分離膜302を形成してアクチブ領域301を限定する。また、素子分離膜302によって、メモリセル及びビットラインが形成されるセル領域400a及び、連結配線及び入出力回路のようにメモリセル領域を補助する周辺回路が形成される周辺領域400bが限定される。セル領域400a及び周辺領域400bが限定された半導体基板300の上部にゲート電極306、すなわち、ワードラインを形成する。ゲート電極306はゲート絶縁膜303と、実質的に電極の役割をするゲート導電層304及び自己整列コンタクトを誘導するキャッピング絶縁膜305の積層構造より構成される。このようなゲート電極306はセル領域400aでは非常に稠密に配置され、周辺領域400bではまばらに配置される。ゲート電極306の両側壁には絶縁膜よりなる側壁スペーサ307を形成する。ゲート電極306の両側の半導体基板300に基板300と反対タイプの不純物をイオン注入して接合領域308を形成する。その後、セル領域400aに形成されるゲート電極306の間の空間にコンタクトプラグ309を形成するが、このコンタクトプラグ309は接合領域308とコンタクトされる。この時、コンタクトプラグ309は、公知のように、導電層を蒸着した後、エッチバックまたはCMP(chemical mechanical polishing)方式によって導電層を埋立てることによって得られる。その後、半導体基板300の結果物の上部に第1層間絶縁膜310を形成する。第1層間絶縁膜310は、例えば、高密度プラズマ酸化膜より形成できる。
【0035】
その後、第1層間絶縁膜310の所定部分をパターニングして第1スタッドホール312a、312bを形成する。ここで、第1スタッドホール312a、312bのうちセル領域400aに形成される第1スタッドホール312aは選択されたコンタクトプラグ309がオープンされるように形成され、周辺領域400bに形成される第1スタッドホール312bは第1層間絶縁膜310の所定深さだけ形成され、この第1スタッドホール312bによって接合領域308が露出されない。この時、第1スタッドホール312bが形成される周辺領域400bは回路が密集配列されるセンスアンプが形成される領域でありうる。ここで、周辺領域400bに形成される第1スタッドホール312bはセル領域400aに形成される第1スタッドホール312aよりその幅がさらに大きく形成され、深さ面では同一か、またはより深く形成されることが望ましい。
【0036】
図3Bを参照して、第1スタッドホール312a、312bが形成された半導体基板300の上部に第2スタッドホールを限定するためにフォトレジストパターン314を形成する。フォトレジストパターン314は周辺領域400bに形成される第1スタッドホール312bの内側壁部分にも残留するように形成される。その後、フォトレジストパターン314をマスクとして第1層間絶縁膜310をエッチングして第2スタッドホール316を形成する。第2スタッドホール316は、例えば、周辺領域400bのゲート電極306の上部をオープンさせたり、接合領域308をオープンさせる。合わせて、第1スタッドホール312b内に形成されたフォトレジストパターン314によって、第2スタッドホール316のうちいずれか一つは第1スタッドホール312b内に形成される。ここで、第2スタッドホール316と共存する第1スタッドホール312bの幅は、第1スタッドホール312bの下部にある第2スタッドホール316の幅より約30%以上、より望ましくは30ないし60%程度大きい。
【0037】
次に、図3Cに示したように、フォトレジストパターン314を公知の方式で除去する。ここで、第1及び第2スタッドホール312a、316が共存するスタッドホール317は入口部が相対的に広くて、接触部が狭い階段状を有するため、この実施形態では“階段状スタッドホール”と称する。その後、第1スタッドホール312a、第2スタッドホール316及び階段状スタッドホール317の内部にコンタクトスタッド318a、318bを形成する。
【0038】
ここで、コンタクトスタッド318a、318bは、次のような方式で形成される。まず、第1及び第2スタッドホール312a、312b、316の内側表面及び層間絶縁膜310の表面に接着層(図示せず)を形成した後、第1及び第2スタッドホール312a、312b、316の内部が十分に埋立てられるように導電層を蒸着する。接着層としては、チタン膜(Ti)またはチタン膜とチタン窒化膜(TiN)の積層膜が用いられる。この時、チタン膜はCVD(chemical vapor deposition)方式によって約50ないし150Åの厚さで形成し、チタン膜及びチタン窒化膜の積層膜が用いられる場合、前述したチタン膜の上部に、チタン窒化膜をCVD方式またはALD(atomic layer deposition)方式によって約250ないし350Åの厚さで形成する。コンタクトスタッド用導電層は、例えば、タングステン金属膜またはチタン窒化膜より形成できる。タングステン金属膜の場合、35ないし45Torrの圧力及び410ないし420℃の温度で形成され、その化学反応式は下記のように表わされる。
【0039】
<反応式1>
WF6+SiH4+H2→W+SiF4+H2
【0040】
さて、チタン窒化膜を用いる場合、CVD方式によって1400ないし1600Åの厚さで蒸着する。その後、導電層及び接着層を第1層間絶縁膜310の表面が露出されるまで化学機械的研磨(CMP)してコンタクトスタッド318a、318bを形成すると同時に平坦化された表面を提供する。
【0041】
この時、階段状スタッドホール317に形成されるコンタクトスタッド318bは、入口部(第1スタッドホール領域に該当)が接触部(第2スタッドホール領域に該当)より相対的に約30%以上大きく形成される。したがって、入口部が上部レベルのスタッドとコンタクトする時、ランディングプラグの役割をする。
【0042】
その後、図3Dに示したように、コンタクトスタッド318a、318bが形成された第1層間絶縁膜310の上部にビットライン用導電層320及びビットラインキャッピング層322を順次に積層する。ここで、ビットライン用導電層320は、例えば、タングステン膜が用いられ、ビットラインキャッピング層322としては、シリコン窒化膜(Si3N4)、タンタル酸化膜(Ta2O5)またはアルミニウム酸化膜(Al2O3)が用いられる。この時、ビットラインキャッピング層322は、以後に上部レベルスタッドホールを形成する時、エッチング基準層、すなわち、エッチング阻止層として用いられる。その後、ビットラインキャッピング層322及びビットライン用導電層320を所定部分パターニングしてビットライン324を形成する。ここで、ビットライン324はセル領域400a及び周辺領域400bの一部領域ではデータを伝送するビットライン324として用いられ、セル領域400a及び周辺領域400bの残りの部分では周辺の連結配線及びランディングパッド324bとして用いられる。しかし、この実施形態ではデータを伝送するビットライン、周辺の連結配線及びランディングパッドをいずれも含むものを“ビットライン”と称する。この時、ビットライン324は、階段状スタッドホール317内に形成されたコンタクトスタッド318bとはコンタクトされない。
【0043】
図3Eを参照して、ビットライン324が備わった第1層間絶縁膜310の上部にスペーサ用絶縁膜が蒸着される。スペーサ用絶縁膜は層間絶縁膜として用いられる既存のシリコン酸化膜よりエッチング選択比に優れた物質、例えば、シリコン窒化膜(Si3N4)、タンタル酸化膜(Ta2O5)またはアルミニウム酸化膜(Al2O3)が用いられる。合わせて、絶縁膜は200ないし700Å、望ましくは、500Å以下の厚さで蒸着される。その後、絶縁膜を非等方向性エッチングして、第1層間絶縁膜310の上部にビットライン324として通称される配線の側壁にビットラインスペーサ326を形成する。ここで、ビットラインスペーサ326も以後にスタッドホールを形成する時、エッチング阻止層として用いられる。
【0044】
その後、図3Fに示されたように、半導体基板300の結果物の上部に第2層間絶縁膜328を形成する。ここで、第2層間絶縁膜328は平坦化した表面を有し、このような第2層間絶縁膜328としては平坦化膜、またはCMP処理が行われた絶縁膜が用いられる。また、このような第2層間絶縁膜328は、一般にシリコン酸化膜成分を有する。
【0045】
その後、セル領域400aの選択されたコンタクトプラグ309が露出されるように第2層間絶縁膜328、ビットライン324及び第1層間絶縁膜310を順次にエッチングしてストレージノードスタッドホール330を形成する。ストレージノードスタッドホール330は、ビットラインスペーサ326及びビットライン324の上部のビットラインキャッピング層322によって自己整列方式で形成される。
【0046】
それから、図3Gのように、ストレージノードスタッドホール330の内部が十分に充填されるようにストレージノードコンタクト332を形成する。その後、ストレージノードコンタクト332と接触されるように、公知の方法によって第2層間絶縁膜328の上部にシリンダー状の電極334を形成する。これにより、セル領域400aにストレージノード電極335が完成される。
【0047】
その後、ストレージノード電極335が形成された第2層間絶縁膜328の上部に第3層間絶縁膜337を形成する。第3層間絶縁膜337も平坦化した表面を有し、ストレージノード電極335を全て埋立てるようにストレージノード電極335より厚く形成される。また、第3層間絶縁膜337もシリコン酸化膜成分を含む。このような第3層間絶縁膜337としても平坦化膜、または表面がCMPされた絶縁膜が用いられる。
【0048】
次いで、階段状スタッドホール317内に埋立てられたコンタクトスタッド318b及びビットライン324のうちランディングパッドとして作用するビットライン324bが露出されるように第3及び第2層間絶縁膜337、328を所定部分エッチングして上部レベルスタッドホール339を形成する。ビットライン324をオープンさせる時、ビットライン324の導電層320が露出されるようにエッチングしなければならない。合わせて、ビットラインキャッピング層322は、上部レベルスタッドホール339のエッチング工程時、過度にエッチングされることを防止するエッチング阻止層、すなわち、垂直方向のガイドとして作用する。また、ビットライン324の導電層322及びコンタクトスタッド318bは第3及び第2層間絶縁膜337、328とエッチング選択比が非常に大きい金属膜とより形成されたので、上部レベルスタッドホール339の形成時に過度にエッチングされる問題が生じない。このような上部レベルスタッドホール339は二重ステップ工程、すなわち、第3及び第2層間絶縁膜337、328をエッチングする工程と、ビットラインキャッピング層322をエッチングする工程とに分けられて行われる。まず、第3及び第2層間絶縁膜337、328をエッチングする第1工程は約1500Wのパワー、40mTorrの圧力及びC4F6+O2+Arガス条件で行われる。一方、ビットラインキャッピング層322をエッチングする工程は600Wのパワー、50mTorrの圧力及びCHF3+Ar+H2ガス条件で行われる。
【0049】
その後、上部レベルスタッドホール339内に公知の方式で上部レベルスタッド340a、340bを形成する。上部レベルスタッド340a、340bは前述したコンタクトスタッド318a、318bを形成する方式と同一に形成される。この時、上部レベルスタッド340a、340bは上部レベルスタッド340a、340bより大きい幅を有する階段状スタッドホール317内のコンタクトスタッド318b及びランディングパッドの役割をするビットライン324とコンタクトされるので、誤整列される恐れがない。また、階段状スタッドホール317b内のコンタクトスタッド318bはランディングパッドの役割をするほどに広い幅を有しつつ第1層間絶縁膜310の内部に埋立てられており、ランディングパッドの役割をするビットライン324は第1層間絶縁膜310の上部に形成されるので、両物質の間に絶縁を十分に確保できる(図3GのY方向参照)。すなわち、コンタクトスタッド318bとビットライン324が相異なる層に形成されるので、隣接する導電パターンにこだわらず、整列マージンを考慮して十分な幅でコンタクトスタッド318b及びビットライン324を形成しても、隣接する導電パターンと接触しない。その後、上部レベルスタッド340a、340bとコンタクトされるように第3層間絶縁膜337の上部に金属配線342を形成する。
【0050】
<実施形態3>
図4A及び図4Bは、本発明の他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。この実施形態は、半導体基板300にゲート電極306、接合領域308、コンタクトプラグ309を形成する工程までは前述した実施形態2と同一であるので、その後の部分についてのみ述べる。合わせて、この実施形態は前述した実施形態2と同じ部分に対しては同じ符号を付する。
【0051】
図4Aを参照して、第1層間絶縁膜310の上部に選択されたゲート電極306部分と、接合領域308が露出されるように第1フォトレジストパターン(図示せず)を形成する。この時、第1フォトレジストパターンを形成するためのレチクル(図示せず)は、前記実施形態2の第2スタッドホールを形成するためのフォトレジストパターン314(図3B参照)のレチクルと同一である。その後、フォトレジストパターンの形態で第1層間絶縁膜310をエッチングして、実施形態2の第2スタッドホール316と同じ第2スタッドホール316を形成する。すなわち、この実施形態では、前述した実施形態2における第2スタッドホール316(図3B参照)を第1スタッドホール312a、312b(図3A参照)より先に形成する。その後、フォトレジストパターンを除去する。
【0052】
次に、図4Bに示したように、セル領域400aの自己整列コンタクトプラグ309及び周辺領域400bの第2スタッドホール316のうちいずれか一つの第2スタッドホール316が露出されるように第2フォトレジストパターン314aを形成する。この時、第2フォトレジストパターン314aは、周辺領域400bの第2スタッドホール316を露出させる時、第2スタッドホール316の両側の第1層間絶縁膜310の一部が露出されるように形成される。その後、第2フォトレジストパターン314aをマスクとして第1層間絶縁膜310をエッチングして前述した実施形態1のような第1スタッドホール312a、312bを形成する。ここで、周辺領域400bに形成される第1スタッドホール312bはセル領域400aに形成される第1スタッドホール312aの幅より大きく形成され、深さは同一かまたはより深く形成されることが望ましい。そして、後続工程は前述した実施形態1と同一である。
【0053】
このように、第1スタッドホール312a、312bを形成する段階と第2スタッドホール316を形成する段階とを逆順に実施しても同じ効果を奏する。
また、本発明は前記の実施形態に限定されるものではない。
【0054】
例えば、本発明の実施形態では階段式コンタクトホールを形成するための第2コンタクトホールの形成時、フォトレジストパターンをマスクとして使用した。しかし、これに限定されず、第1層間絶縁膜と顕著なエッチング選択比を有する物質であれば階段式コンタクトホールを形成するためのマスクとしていずれも利用できる。
【0055】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏する。
まず、層間絶縁膜の内部に隣接配列されるコンタクトスタッドの形成時、いずれか一つのコンタクトスタッドは入口部が広くて接触部が狭い階段状に形成する。残りのコンタクトスタッドは入口部及び接触部の幅がほとんど同じ柱状に層間絶縁膜の内部に形成し、コンタクトスタッドと接触するように層間絶縁膜の上部にコンタクトスタッドの幅よりさらに大きいサイズでランディングパッド用導電パターンを形成する。この時、階段状コンタクトスタッドの入口部及びランディングパッド用導電パターンは層間絶縁膜の表面を基準として上下に配置されているので、十分な絶縁が確保され、同一の平面に配置されないので、水平方向への幅に大きく影響されない。これにより、ランディングパッドを形成しても、隣接する回路パターンとのショートなどの問題が生じない。
【0056】
また、階段状コンタクトスタッド及びランディングパッドの使用により、上下スタッドのコンタクト時に十分なコンタクトマージンが確保される。
【0057】
合わせて、ビットライン、すなわち、ランディングプラグの役割をする導電パターンの上部面及び側壁面に層間絶縁膜に対してエッチング選択比が大きいエッチング阻止層を形成する。これにより、半導体基板の全面にわたってエッチング阻止層が形成されず、部分的に形成されるので、エッチング阻止層により生じるストレスが減少し、層間絶縁膜の内部の不純物が容易にガス抜けされる。加えて、エッチング阻止層が部分的に形成されることによって、以後の合金工程の効果が増加する。
【0058】
以上、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、特許請求の範囲により限定される発明の原理及び技術的思想を外れない範囲で当分野の通常の知識を有する者によって多様な変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 エッチング阻止層を備える従来の多層配線構造を有する半導体素子の断面図である。
【図2】 本発明の一実施形態に係る多層配線構造を有する半導体素子の断面図である。
【図3A】 本発明の他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【図3B】 本発明の他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【図3C】 本発明の他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【図3D】 本発明の他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【図3E】 本発明の他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【図3F】 本発明の他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【図3G】 本発明の他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【図4A】 本発明のさらなる他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【図4B】 本発明のさらなる他の実施形態に係るセル領域及び周辺領域を含むメモリ素子の多層配線構造を示すための各工程別断面図である。
【符号の説明】
200 基板
202 導電パターン
204 第1層間絶縁膜
206a、206b 下部スタッドホール
208a、208b 下部スタッド
208a−1 入口部
208a−2 接触部
210 ランディングパッド
212 第1エッチング阻止層
214 第2エッチング阻止層
216 エッチング阻止層
218 第2層間絶縁膜
220a、220b 上部スタッドホール
222a、222b 上部スタッド
224a、224b 金属配線
Claims (18)
- 半導体基板と、
半導体基板の上部に形成される第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜の内部に形成され、前記第1層間絶縁膜の表面に隣接して第1幅を有する入口部、及び、前記基板に隣接して第2幅を有するコンタクト部を有する第1コンタクトスタッドであって、前記入口部の第1幅が前記コンタクト部の第2幅より大きいところの第1コンタクトスタッドと、
前記第1コンタクトスタッドと所定距離離隔され、前記第1層間絶縁膜の内部に形成される第2コンタクトスタッドであって、接触部及び入口部が同一の幅であるところの第2コンタクトスタッドと、
前記第2コンタクトスタッドの表面と接触されるように前記第1層間絶縁膜の上部に形成され、前記第2コンタクトスタッドの幅より大きい幅のランディングパッドと、
前記ランディングパッドを含んで前記第1層間絶縁膜上に形成される第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜内に形成され、前記第1コンタクトスタッドに接続される第1上部スタッドと、
前記第2層間絶縁膜内に形成され、前記ランディングパッドに接続される第2上部スタッドと、
を含むことを特徴とする半導体素子。 - 前記ランディングパッドの両側壁にはエッチング阻止用物質よりなる少なくとも一つ以上のスペーサがさらに形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記ランディングパッドの上部面にはエッチング阻止層がさらに備わったことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1コンタクトスタッドの入口部は接触部より30%ないし60%程度大きい幅を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記半導体基板と前記第1層間絶縁膜との間には多数の隣接配列されるゲート電極と、前記ゲート電極の間の空間に形成される自己分整列プラグとが形成されており、前記第1層間絶縁膜の内部には前記自己整列プラグとコンタクトされる第3コンタクトスタッドがさらに備わったことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1コンタクトスタッドの入口部の深さは前記第3コンタクトスタッドの深さと同じかまたはより大きいことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 前記半導体基板はセル領域及び周辺領域に限定されており、前記第3コンタクトスタッドは前記セル領域に形成され、前記第1コンタクトスタッドは前記周辺領域に形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子。
- 半導体基板上に第1層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第1層間絶縁膜の内部に前記半導体基板に近い接触部の幅より前記第1層間絶縁膜の表面に隣接する入口部の幅が大きい第1スタッドホールを形成する段階と、
前記第1層間絶縁膜の内部に前記第1スタッドホールと離隔されるように前記半導体基板に近い接触部の幅と前記第1層間絶縁膜の表面に隣接する入口部の幅が同じである第2スタッドホールを形成する段階と、
前記第1スタッドホール及び第2スタッドホールに導電性物質を埋め立てて、第1コンタクトスタッド及び第2コンタクトスタッドを形成する段階と、
前記第2コンタクトスタッドの表面と接触されるように前記第1層間絶縁膜の上部に前記第2コンタクトスタッドの幅より大きい幅のランディングパッドを形成する段階と、
前記ランディングパッドを含んで前記第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第2層間絶縁膜の内部に、前記第1コンタクトスタッドに接続される第1上部スタッドと、前記ランディングパッドに接続される第2上部スタッドと、を形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1スタッドホールを形成する段階、及び、前記第2スタッドホールを形成する段階は、
前記第1層間絶縁膜の所定部分を前記第1層間絶縁膜より浅くエッチングして多数の第1ホールを形成する段階と、前記第1ホールのうち選択される第1ホールの下部に位置する前記第1層間絶縁膜の一部、及び、前記第1ホールが形成されていない前記第1層間絶縁膜の所定部分をエッチングして前記半導体基板を露出させる第2ホールを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2ホールを形成する段階は、
前記第1ホールが形成された前記第1層間絶縁膜の上部に、前記選択された第1ホールの内側壁を包みつつ、その他の前記第1層間絶縁膜の所定部分が露出されるようにフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンの形で前記第1層間絶縁膜をエッチングする段階とを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板上に前記第1層間絶縁膜を形成する段階前に、ゲート電極を形成する段階、及び、前記ゲート電極の間に自己整列されたコンタクトプラグを含める段階をさらに含み、前記第1ホールを形成すると同時に、前記コンタクトプラグのうち選択された部分を露出させる段階とをさらに含むことを特徴とする請求項9または10に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1ホールは、前記第1層間絶縁膜の表面からコンタクトプラグの表面までの距離と同じか、またはより深く形成することを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1スタッドホールを形成する段階、及び、前記第2スタッドホールを形成する段階は、
前記第1層間絶縁膜の所定部分をエッチングして、前記半導体基板の選択領域を露出させる多数の第1ホールを形成する段階と、
前記多数の第1ホールのうち選択される第1ホールの側面に形成された前記第1層間絶縁膜を所定深さだけエッチングして、前記第1ホールより幅が大きい第2ホールを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板上に前記第1層間絶縁膜を形成する段階前に、ゲート電極を形成する段階、及び、前記ゲート電極の間に自己整列されたコンタクトプラグを含める段階をさらに含み、前記第2ホールを形成すると同時に、前記コンタクトプラグのうち選択された部分を露出させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2ホールは、前記第1層間絶縁膜の表面からコンタクトプラグの表面までの距離と同じか、またはより深く形成することを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1コンタクトスタッド及び第2コンタクトスタッドを形成する段階後に、前記第2コンタクトスタッドと接触されるように前記第1層間絶縁膜の上部に第2コンタクトスタッドより大きい幅を有する導電性ランディングパッドを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ランディングパッドを形成する段階後に、前記ランディングパッドを包むようにエッチング阻止層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記エッチング阻止層を形成する段階は、前記ランディングパッドの上部に第1エッチング阻止層を形成する段階、及び、前記ランディングパッド及び第1エッチング阻止層の側壁にスペーサの形で第2エッチング阻止層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
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