JP3435925B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP3435925B2
JP3435925B2 JP24098795A JP24098795A JP3435925B2 JP 3435925 B2 JP3435925 B2 JP 3435925B2 JP 24098795 A JP24098795 A JP 24098795A JP 24098795 A JP24098795 A JP 24098795A JP 3435925 B2 JP3435925 B2 JP 3435925B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
adhesive
recess
semiconductor device
heat dissipation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP24098795A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0964251A (ja
Inventor
行展 綿谷
秀人 磯野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP24098795A priority Critical patent/JP3435925B2/ja
Priority to US08/696,181 priority patent/US6392309B1/en
Priority to KR1019960034436A priority patent/KR100444559B1/ko
Publication of JPH0964251A publication Critical patent/JPH0964251A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3435925B2 publication Critical patent/JP3435925B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に関
し、特に、凹型形状に樹脂成型されたパッケージの凹部
の底面上に半導体チップが搭載され、このパッケージが
気密封止された構造を有する半導体装置、例えば固体撮
像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像装置として図８に示すよ
うなものがある。図８に示すように、この従来の固体撮
像装置においては、凹型形状に樹脂成型されたパッケー
ジ１０１の凹部１０１ａの底面上に固体撮像素子である
ＣＣＤチップ１０２が接着剤１０３により接着されてい
る。符号１０４、１０５はそれぞれパッケージ１０１と
一体に形成されたアウターリードおよびインナーリード
を示す。ＣＣＤチップ１０２の図示省略したボンディン
グパッドとインナーリード１０５とがワイヤー１０６に
より相互にボンディングされ、これによってＣＣＤチッ
プ１０２とアウターリード１０４とが電気的に接続され
ている。また、パッケージ１０１の上面には光学ガラス
などからなる透明キャップ１０７が接着剤１０８により
接着されており、これによってパッケージ１０１の内部
が気密封止されている。
【０００３】しかしながら、この図８に示す従来の固体
撮像装置においては、パッケージ１０１の底面からこの
パッケージ１０１の底部を通って凹部１０１ａの内部に
水分が侵入しやすく、耐湿性が悪いという問題がある。
そこで、耐湿性を改善した固体撮像装置として、図９に
示すようなものがある。
【０００４】図９に示すように、この従来の固体撮像装
置においては、凹型形状に樹脂成型されたパッケージ１
０１の凹部１０１ａの底部に、アウターリード１０４お
よびインナーリード１０５の形成に用いられたリードフ
レームの一部（ディプレス部と呼ばれる）からなる耐湿
板１０９が埋め込まれている。その他の構成は、図８に
示す固体撮像装置と同様である。
【０００５】この図９に示す固体撮像装置においては、
耐湿板１０９により、パッケージ１０１の底面からパッ
ケージ１０１の凹部１０１ａの内部に水分が侵入するの
が防止され、これによって固体撮像装置の気密性の向上
が図られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図８および図９に示す従来の固体撮像装置においては、
いずれも、熱伝導率の小さい（例えば、２．１×１０-3
ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃）樹脂からなるパッケージ１０１
の凹部１０１ａの底面上にＣＣＤチップ１０２が接着さ
れた構造となっているので、動作時にＣＣＤチップ１０
２から発生する熱がパッケージ１０１内にこもってしま
い、ＣＣＤチップ１０２の温度が上昇してしまうという
問題がある。このＣＣＤチップ１０２の温度上昇は、温
度特性を有する欠陥のレベルを増加させるため、この固
体撮像装置により撮像される画像の品質の劣化を招くお
それがあった。
【０００７】以上は固体撮像装置についてであるが、上
述の動作時のチップの温度上昇の問題は、パッケージ１
０１と同様なパッケージを用いる半導体装置全般に起こ
り得るものである。
【０００８】従って、この発明の目的は、動作時の半導
体チップの温度上昇を低く抑えることができる半導体装
置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、凹型形状に樹脂成型されたパッケージ
の凹部の底面上に半導体チップが搭載され、パッケージ
が気密封止された構造を有する半導体装置であって、凹
部の底部のパッケージ中に放熱板が設けられ、半導体チ
ップと放熱板とが凹部の底部に形成された開口を通じて
パッケージを構成する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着
剤により接着されていることを特徴とするものである。
【００１０】この発明の一実施形態においては、凹部の
底部のパッケージ中に放熱板が埋め込まれ、凹部の底部
のパッケージに放熱板の一部が露出するように設けられ
た開口を通じて半導体チップと放熱板とが接着剤により
接着される。
【００１１】この発明の他の実施形態においては、凹部
の底面上に放熱板が設けられ、この放熱板上に半導体チ
ップが接着剤により接着される。
【００１２】この発明において、パッケージを構成する
樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられる。
【００１３】また、この発明において、パッケージを構
成する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着剤としては、例
えば、エポキシ樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂、ア
クリル樹脂などを主成分とする接着剤が用いられる。こ
れらの接着剤には、典型的には、熱伝導率を大きくする
ために、銀（Ａｇ）などの金属からなるフィラーが添加
される。
【００１４】この発明において、パッケージの凹部の底
面上に放熱板が設けられ、この放熱板上に半導体チップ
が接着剤により接着される場合、特に半導体装置が固体
撮像装置であるときには、この放熱板の表面での光の反
射による悪影響が生ずるおそれがあるので、これを防止
するために、放熱板の表面に光吸収性の物質、例えばク
ロム（Ｃｒ）などをコーティングするのが好ましい。あ
るいは、放熱板による光の反射を抑えるには、この接着
剤に黒色顔料、例えばカーボンなどを添加して光吸収性
をもたせ、この接着剤を放熱板の表面に塗ることも有効
である。
【００１５】この発明の典型的な一実施形態において
は、パッケージを構成する樹脂はエポキシ樹脂であり、
パッケージを構成する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着
剤はエポキシ樹脂を主成分とし、金属からなるフィラー
を含有する接着剤である。
【００１６】この発明において、放熱板は、典型的には
リードフレームの一部からなるが、リードフレームとは
別の材料を用いて形成してもよい。後者の場合、放熱板
は、パッケージの凹部の底面上に接着剤により接着され
る。この接着剤にも、パッケージを構成する樹脂よりも
熱伝導率が大きい接着剤が用いられる。
【００１７】この発明の典型的な一実施形態において
は、放熱が効果的に行われるようにするために、放熱板
の外形は半導体チップの外形よりも大きくする。
【００１８】この発明において、半導体装置には、ＣＣ
Ｄチップなどの固体撮像素子チップを搭載した固体撮像
装置のほか、ＩＣチップやＬＳＩチップを搭載した半導
体集積回路装置が含まれる。
【００１９】上述のように構成されたこの発明による半
導体装置においては、動作時に半導体チップから発生す
る熱は、パッケージよりも熱伝導率が大きい接着剤を介
して放熱板に迅速に伝導し、この放熱板の全体から放熱
が効果的に行われる。このため、動作時の半導体チップ
の温度上昇を低く抑えることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【００２１】図１〜図５はこの発明の第１の実施形態に
よる固体撮像装置を示す。ここで、図１は平面図、図２
は正面図、図３は側面図、図４は図１のＩＶ−ＩＶ線に
沿っての断面図、図５は図１のＶ−Ｖ線に沿っての断面
図である。
【００２２】図１、図２、図３、図４および図５に示す
ように、この第１の実施形態による固体撮像装置におい
ては、凹型形状に樹脂成型されたパッケージ１の凹部１
ａの底面上にＣＣＤチップ２が接着剤３により接着され
ている。この凹部１ａの底部のパッケージ１中には、Ｃ
ＣＤチップ２よりも大きな外形を有する放熱板４が埋め
込まれている。また、ＣＣＤチップ２の中央部の下の部
分のパッケージ１中には、ＣＣＤチップ２よりも小さな
外形を有する例えば四角形状の開口１ｂが設けられ、こ
の開口１ｂの部分に放熱板４の一部が露出している。そ
して、この開口１ｂを通じてＣＣＤチップ２と放熱板４
とが接着剤３により接着されている。
【００２３】ここで、開口１ｂの面積が大きいほど、接
着剤３を介してのＣＣＤチップ２と放熱板４との接触面
積が大きくなり、ＣＣＤチップ２から発生する熱の放熱
板４への伝導が効果的に行われるようになるので、この
開口１ｂの面積は、他に支障のない限り大きく選ぶのが
好ましい。
【００２４】符号５、６はそれぞれパッケージ１と一体
に形成されたアウターリードおよびインナーリードを示
す。ＣＣＤチップ２の図示省略したボンディングパッド
とインナーリード６とがワイヤー７により相互にボンデ
ィングされ、これによってＣＣＤチップ２とアウターリ
ード５とが電気的に接続されている。また、パッケージ
１の上面には光学ガラスなどからなる透明キャップ８が
接着剤９により接着されており、これによってパッケー
ジ１の内部が気密封止されている。
【００２５】この第１の実施形態においては、ＣＣＤチ
ップ２と放熱板４とを接着する接着剤３としては、パッ
ケージ１を構成する樹脂よりも熱伝導率が大きいものが
用いられる。具体的には、例えば、パッケージ１を構成
する樹脂としてエポキシ樹脂を用いるとすると、この接
着剤３としては、エポキシ樹脂を主成分とし、Ａｇから
なるフィラーを含有する接着剤が用いられる。ここで、
エポキシ樹脂を主成分とし、Ａｇからなるフィラーを含
有するこの接着剤の熱伝導率は、Ａｇの含有率が８０〜
９０％のときには（８〜１０）×１０-3ｃａｌ／ｃｍ・
ｓ・℃であり、パッケージ１を構成するエポキシ樹脂の
熱伝導率２．１×１０-3ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃に比べて
４〜５倍も大きい。
【００２６】この場合、放熱板４は、アウターリード５
およびインナーリード６の形成に用いられるリードフレ
ームの一部からなる。このリードフレームの材料には、
例えば、ニッケル含有率が４２重量％の鉄−ニッケル合
金（いわゆる４２アロイ）や銅系の材料などの大きな熱
伝導率を有するものが好適に用いられる。熱伝導率の値
は、前者の鉄−ニッケル合金は０．０３ｃａｌ／ｃｍ・
ｓ・℃、後者の銅系の材料は０．４ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・
℃であり、いずれもエポキシ樹脂の熱伝導率と比較して
１０倍以上大きい。リードフレームの材料として後者の
銅系の材料を用いた場合には、放熱板４による放熱効果
は極めて良好である。
【００２７】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、パッケージ１の凹部１ａの底部に放熱板４が埋め込
まれ、ＣＣＤチップ２とこの放熱板４とがこのＣＣＤチ
ップ２の中央部の下の部分のパッケージ１に設けられた
開口１ｂを通じて、パッケージ１を構成する樹脂よりも
熱伝導率が大きい接着剤３により接着されている。この
ため、動作時にＣＣＤチップ２から発生する熱は、熱伝
導率が大きい接着剤３を介して放熱板４に迅速に伝導
し、この放熱板４の全体から放熱が効果的に行われる。
これによって、動作時のＣＣＤチップ２の温度上昇を低
く抑えることができる。そして、このＣＣＤチップ２の
温度上昇による問題、すなわち温度特性を有する欠陥の
レベルの増加や画質の劣化を抑えることができる。ここ
で、ＣＣＤチップ２の温度上昇の抑制効果の一例を挙げ
ると、例えば図９に示す従来の固体撮像装置において
は、動作時のＣＣＤチップの温度上昇は約５℃であるの
に対して、この第１の実施形態による固体撮像装置にお
ける動作時のＣＣＤチップの温度上昇は約２℃と、実用
上問題のないレベルに抑えられている。
【００２８】また、放熱板４はパッケージ１の底部に埋
め込まれているので、透明キャップ８から凹部１ａの内
部に入射した光は放熱板４に達する前にパッケージ１に
より吸収される。このため、この入射光が放熱板４の表
面で反射されることによるフレアやゴーストの発生を抑
えることができる。
【００２９】さらに、放熱板４は、パッケージ１の底面
からパッケージ１の底部を通って凹部１ａの内部に水分
が侵入するのを防止する耐湿板としても機能するので、
固体撮像装置の耐湿性は良好である。
【００３０】次に、この発明の第２の実施形態について
説明する。
【００３１】この第２の実施形態による固体撮像装置の
平面図、正面図および側面図は図１〜図３に示すと同様
であり、また、図４および図５に対応する断面図はそれ
ぞれ図６および図７に示す通りである。
【００３２】図１、図２、図３、図６および図７に示す
ように、この第２の実施形態による固体撮像装置におい
ては、第１の実施形態による固体撮像装置と異なり、放
熱板４はパッケージ１の凹部１ａの底面上に密着して設
けられており、また、この凹部１ａの底部に開口１ｂは
設けられていない。その他の構成は、第１の実施形態に
よる固体撮像装置と同様である。
【００３３】この第２の実施形態においては、放熱板４
はパッケージ１の凹部１ａの底面上に設けられているた
め、このままでは、この放熱板４の表面での光の反射に
よるゴーストやフレアが発生する可能性がある。これ
は、良質な画質を必要としない用途の固体撮像装置にお
いては必ずしも問題とならないが、良質な画質を必要と
する用途の固体撮像装置においては何らかの対策を講ず
る必要がある。この対策としては、この放熱板４の表面
にＣｒなどの光吸収性物質をコーティングし、光の反射
を抑えることが挙げられる。この放熱板４の表面のコー
ティングは通常、この放熱板４、アウターリード５およ
びインナーリード６の形成に用いられるリードフレーム
のうちの放熱板４となる部分、すなわちディプレス部の
表面のみコーティングすることにより行われる。別の対
策としては、接着剤３にさらに、黒色顔料、例えばカー
ボンを所定量添加して光吸収性を持たせ、この接着剤３
を放熱板４の表面全体に塗布する方法がある。
【００３４】この第２の実施形態によれば、パッケージ
１の凹部１ａの底面上に放熱板４が設けられ、ＣＣＤチ
ップ２とこの放熱板４とがパッケージ１を構成する樹脂
よりも熱伝導率が大きい接着剤３により接着されている
ので、第１の実施形態におけると同様に、動作時のＣＣ
Ｄチップ２の温度上昇を低く抑えることができ、これに
よって温度特性を有する欠陥のレベルの増加や画質の劣
化を抑えることができる。また、放熱板４の表面にＣｒ
などの光吸収性物質をコーティングしたり、カーボンの
ような黒色顔料を添加した接着剤３を放熱板４の表面全
体に塗布したりすることにより、放熱板４の表面で光が
反射されることによるフレアやゴーストの発生を防止す
ることができる。さらに、放熱板４が耐湿板として機能
することにより、パッケージ１の底面からパッケージ１
の底部を通って凹部１ａの内部に水分が侵入するのを防
止することができ、固体撮像装置の耐湿性を良好なもの
とすることができる。
【００３５】以上、この発明の実施形態につき具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
【００３６】例えば、上述の第１の実施形態において、
接着剤３にカーボンのような黒色顔料を添加し、この接
着剤３に光吸収性を持たせるようにしてもよい。このよ
うにすることにより、パッケージ１の凹部１ａの底部の
開口１ｂに露出した放熱板４の表面による光の反射を抑
えることができる。これは、特に、この開口１ｂの面積
を大きくする場合に有効である。
【００３７】また、上述の第１の実施形態および第２の
実施形態におけるパッケージ１の形状やアウターリード
５およびインナーリード６の数（いわゆるピン数）など
は一例に過ぎず、これと異なる形状やピン数としてもよ
いことは言うまでもない。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による半
導体装置によれば、凹部の底部のパッケージ中または凹
部の底面上に放熱板が設けられ、半導体チップと放熱板
とがパッケージを構成する樹脂よりも熱伝導率が大きい
接着剤により接着されているので、動作時に半導体チッ
プから発生する熱はこの接着剤を介して放熱板に迅速に
伝導し、この放熱板の全体から効果的に放熱が行われ、
これによって動作時の半導体チップの温度上昇を低く抑
えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態による固体撮像装置
を示す平面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態による固体撮像装置
を示す正面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態による固体撮像装置
を示す側面図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿っての断面図である。
【図５】図１のＶ−Ｖ線に沿っての断面図である。
【図６】この発明の第２の実施形態による固体撮像装置
を示す断面図である。
【図７】この発明の第２の実施形態による固体撮像装置
を示す断面図である。
【図８】従来の固体撮像装置の一例を示す断面図であ
る。
【図９】従来の固体撮像装置の他の例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ パッケージ １ａ 凹部 １ｂ 開口 ２ ＣＣＤチップ ３、９ 接着剤 ４ 放熱板 ５ アウターリード ６ インナーリード ７ ワイヤー ８ 透明キャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/34 - 23/473

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 凹型形状に樹脂成型されたパッケージの
    凹部の底面上に半導体チップが搭載され、前記パッケー
    ジが気密封止された構造を有する半導体装置であって、 前記凹部の底部の前記パッケージ中に放熱板が設けら
    れ、 前記半導体チップと前記放熱板とが前記凹部の底部に形
    成された開口を通じて前記パッケージを構成する樹脂よ
    りも熱伝導率が大きい接着剤により接着されていること
    を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記パッケージを構成する樹脂はエポキ
    シ樹脂であり、 前記接着剤はエポキシ樹脂を主成分とし、金属からなる
    フィラーを含有する接着剤であることを特徴とする請求
    項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記放熱板はリードフレームの一部から
    なることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記放熱板の外形は前記半導体チップの
    外形よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の半導
    体装置。
  5. 【請求項５】 前記半導体装置は固体撮像装置であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 凹型形状に樹脂成型されたパッケージの
    凹部の底面上に半導体チップが搭載され、前記パッケー
    ジが気密封止された構造を有する半導体装置であって、 前記凹部の底面上に放熱板が設けられ、 前記半導体チップと前記放熱板とが前記パッケージを構
    成する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着剤により接着さ
    れ、 前記放熱板の表面は光吸収性物質によりコーティングさ
    れていることを特徴とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 凹型形状に樹脂成型されたパッケージの
    凹部の底面上に半導体チップが搭載され、前記パッケー
    ジが気密封止された構造を有する半導体装置であって、 前記凹部の底面上に放熱板が設けられ、 前記半導体チップと前記放熱板とが前記パッケージを構
    成する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着剤により接着さ
    れ、 前記接着剤は所定量の黒色顔料が添加されていることを
    特徴とする半導体装置。
JP24098795A 1995-08-25 1995-08-25 半導体装置 Expired - Fee Related JP3435925B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24098795A JP3435925B2 (ja) 1995-08-25 1995-08-25 半導体装置
US08/696,181 US6392309B1 (en) 1995-08-25 1996-08-13 Semiconductor device including solid state imaging device
KR1019960034436A KR100444559B1 (ko) 1995-08-25 1996-08-20 반도체장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24098795A JP3435925B2 (ja) 1995-08-25 1995-08-25 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0964251A JPH0964251A (ja) 1997-03-07
JP3435925B2 true JP3435925B2 (ja) 2003-08-11

Family

ID=17067640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24098795A Expired - Fee Related JP3435925B2 (ja) 1995-08-25 1995-08-25 半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6392309B1 (ja)
JP (1) JP3435925B2 (ja)
KR (1) KR100444559B1 (ja)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6995476B2 (en) * 1998-07-01 2006-02-07 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, circuit board and electronic instrument that include an adhesive with conductive particles therein
US6303986B1 (en) * 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6525413B1 (en) * 2000-07-12 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Die to die connection method and assemblies and packages including dice so connected
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6707168B1 (en) * 2001-05-04 2004-03-16 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor package with single-sided substrate and method for making the same
US6614102B1 (en) 2001-05-04 2003-09-02 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor leadframe package
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
EP1357605A1 (en) * 2002-04-22 2003-10-29 Scientek Corporation Image sensor semiconductor package with castellation
US6767751B2 (en) * 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
KR20040033193A (ko) * 2002-10-11 2004-04-21 (주)그래픽테크노재팬 이미지 센서용 반도체 칩 패키지 및 제조 방법
US20040119862A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-24 Jackson Hsieh Image sensor capable of radiating heat rapidly
SG157957A1 (en) * 2003-01-29 2010-01-29 Interplex Qlp Inc Package for integrated circuit die
JP4159897B2 (ja) * 2003-02-26 2008-10-01 東洋鋼鈑株式会社 ハンダ性に優れた表面処理Ａｌ板、それを用いたヒートシンク、およびハンダ性に優れた表面処理Ａｌ板の製造方法
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6926072B2 (en) * 2003-10-22 2005-08-09 Thermal Corp. Hybrid loop heat pipe
JP4832802B2 (ja) * 2005-05-30 2011-12-07 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体加速度センサ装置及びその製造方法
JP2006339291A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置
JP4802867B2 (ja) * 2006-05-31 2011-10-26 富士ゼロックス株式会社 電子部品、レーザ装置、光書込み装置及び画像形成装置
KR100910054B1 (ko) * 2007-12-18 2009-07-30 에스엘 주식회사 Ｌｅｄ방열 장치
JP2010267954A (ja) * 2009-04-15 2010-11-25 Panasonic Corp 電子機器
US20120314419A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Wen-Kung Sung Heat dissipation structure of light-emitting diode
TWI561799B (en) * 2015-08-24 2016-12-11 Chiang Chung I Packaging method, cover structure of temperature sensing element and method for fabricating the same
FR3066044B1 (fr) * 2017-05-02 2020-02-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Detecteur de rayonnement electromagnetique, encapsule par report de couche mince.
KR102130628B1 (ko) 2018-09-21 2020-07-06 주식회사 뷰웍스 영상 촬영 기기
KR20220060380A (ko) 2020-11-04 2022-05-11 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3922775A (en) * 1973-09-13 1975-12-02 Sperry Rand Corp High frequency diode and manufacture thereof
JPS6226847A (ja) * 1985-07-27 1987-02-04 Daiichi Seiko Kk 気密封止形半導体装置
JPH01100955A (ja) * 1987-10-14 1989-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd チップ封止用パッケージ
US4914551A (en) * 1988-07-13 1990-04-03 International Business Machines Corporation Electronic package with heat spreader member
JPH0329366A (ja) * 1989-06-26 1991-02-07 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置
JPH03252155A (ja) * 1990-02-28 1991-11-11 Narumi China Corp 半導体パッケージ
US5026748A (en) * 1990-05-07 1991-06-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermally conductive adhesive
ATE186795T1 (de) 1990-07-21 1999-12-15 Mitsui Chemicals Inc Halbleiteranordnung mit einer packung
JPH04217350A (ja) * 1990-12-19 1992-08-07 Hitachi Ltd 固体撮像装置
US5444300A (en) * 1991-08-09 1995-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor apparatus with heat sink
JPH0685115A (ja) * 1992-09-02 1994-03-25 Ibiden Co Ltd 電子部品搭載用基板
JPH06188341A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージ
JPH06291216A (ja) * 1993-04-05 1994-10-18 Sony Corp 基板及びセラミックパッケージ
JP3362530B2 (ja) * 1993-12-16 2003-01-07 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0964251A (ja) 1997-03-07
KR970013389A (ko) 1997-03-29
US6392309B1 (en) 2002-05-21
KR100444559B1 (ko) 2004-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3435925B2 (ja) 半導体装置
JP2881575B2 (ja) ヒートシンク付着ボールグリッドアレイ半導体パッケージ
US7834926B2 (en) Semiconductor image sensing element and fabrication method therefor, and semiconductor image sensing device and fabrication method therefor
US6229702B1 (en) Ball grid array semiconductor package having improved heat dissipation efficiency, overall electrical performance and enhanced bonding capability
CA2092165C (en) Chip carrier for optical device
KR0134902B1 (ko) 칩 캐리어 패키지 및 집적 회로 패키지
JP2001284523A (ja) 半導体パッケージ
KR20090128557A (ko) 광학적 커플러 패키지
JP3054576B2 (ja) 半導体装置
JPH0621414A (ja) 固体撮像装置とその製造方法
JP2010263004A (ja) 固体撮像装置
JP2009111334A (ja) 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス
JP3523047B2 (ja) 光結合素子及びその製造方法
JP4708175B2 (ja) 固体撮像装置
JPH06302722A (ja) 放熱部材及びこの放熱部材を用いた半導体パッケージ
JPH07335982A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10144898A (ja) 固体撮像装置
JP2781476B2 (ja) 反射型フォトインタラプタ
JPH0846224A (ja) オプトエレクトロニック組立体及びその製造方法及び使用方法
KR20050120142A (ko) 에폭시를 이용한 카메라 모듈 및 그 제조방법
JP2625236B2 (ja) 半導体パッケージの放熱構造
JP2003209332A (ja) プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法、及び実装基板
JPH046860A (ja) 半導体装置
JPH07170024A (ja) 半導体装置
US20210343763A1 (en) Semiconductor packaging method and semiconductor package device

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees