JPH046860A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH046860A JPH046860A JP2109609A JP10960990A JPH046860A JP H046860 A JPH046860 A JP H046860A JP 2109609 A JP2109609 A JP 2109609A JP 10960990 A JP10960990 A JP 10960990A JP H046860 A JPH046860 A JP H046860A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子を樹脂封止した半導体装置に関す
るものである。
るものである。
第４図は従来の半導体装置を示す断面図で、図において
、（１１は半導体素子、（２）は半導体素子（１）を固
定するダイパッド、（３）は半導体素子（１）をダイパ
ッド（２）に接着するはんだなとの接着層、（４）は半
導体装置（１）を外部回路と電気的機械的に接続するリ
ード、（５）は半導体素子（１１とリード（４）を電気
的に接続するＡｕ線、（６）は符号（１） −（５）の
部品をリード（４）の端部か外部に露出するようにして
封止する封止樹脂、（７）は半導体素子（１）がダイパ
ッド（２）に搭載されている側の封止樹脂（６）表面に
取付けられたヒートシンク、（８）はリード（４）を接
続する基板である。
、（１１は半導体素子、（２）は半導体素子（１）を固
定するダイパッド、（３）は半導体素子（１）をダイパ
ッド（２）に接着するはんだなとの接着層、（４）は半
導体装置（１）を外部回路と電気的機械的に接続するリ
ード、（５）は半導体素子（１１とリード（４）を電気
的に接続するＡｕ線、（６）は符号（１） −（５）の
部品をリード（４）の端部か外部に露出するようにして
封止する封止樹脂、（７）は半導体素子（１）がダイパ
ッド（２）に搭載されている側の封止樹脂（６）表面に
取付けられたヒートシンク、（８）はリード（４）を接
続する基板である。
次に動作について説明する。半導体素子（１）が作動す
ることにより発熱し、その熱は封止樹脂（６）を通して
ヒートシンク（７）に伝わり空気中に放熱される。
ることにより発熱し、その熱は封止樹脂（６）を通して
ヒートシンク（７）に伝わり空気中に放熱される。
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
半導体素子で発生した熱は、熱伝導性の悪い封止樹脂を
通らなければヒートシンクに伝わらず、また、熱はダイ
パッドやリードなとのり一トフレームを通しても放熱さ
れるが、半導体素子との熱膨張係数を合わせるため、熱
伝導性の悪い４２アロイなとを使用する場合があるので
、放熱効率か悪く、また、ヒートシンクを外付けしてい
るので、占有体積が大きくなるなとの問題があった。
半導体素子で発生した熱は、熱伝導性の悪い封止樹脂を
通らなければヒートシンクに伝わらず、また、熱はダイ
パッドやリードなとのり一トフレームを通しても放熱さ
れるが、半導体素子との熱膨張係数を合わせるため、熱
伝導性の悪い４２アロイなとを使用する場合があるので
、放熱効率か悪く、また、ヒートシンクを外付けしてい
るので、占有体積が大きくなるなとの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、効率よく放熱できるとともに、小型化かでき
る半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、効率よく放熱できるとともに、小型化かでき
る半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、半導体素子を固定するダ
イパッドに貫通口又は凹部を設け、この凹部に高熱伝導
特性を有する材料の凸部をはめ込んで樹脂封止をしたも
のである。
イパッドに貫通口又は凹部を設け、この凹部に高熱伝導
特性を有する材料の凸部をはめ込んで樹脂封止をしたも
のである。
この発明における半導体装置は、半導体素子か固定され
ているダイパッドは、貫通口又は凹部か設けられている
ため、高熱伝導率を有する材料を半導体素子に密着又は
近接して設置てき、封止樹脂、リードフレーム材料の影
響を受けることなく、効率の良い放熱ができ、また、高
熱伝導率を有する材料を一体て樹脂封止したのて小型化
かてきる。
ているダイパッドは、貫通口又は凹部か設けられている
ため、高熱伝導率を有する材料を半導体素子に密着又は
近接して設置てき、封止樹脂、リードフレーム材料の影
響を受けることなく、効率の良い放熱ができ、また、高
熱伝導率を有する材料を一体て樹脂封止したのて小型化
かてきる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は半導体素子、（２）は半導体素子
（１）を固定するダイパッド、（３）は半導体素子（１
）をダイパッド（２）に接着するはんたなとの接着層、
（４）は外部回路と電気的機械的に接続するリート、（
５）は半導体素子（１）とリート（４）とを電気的に接
続するＡｕ線で、リード（４）は半導体素子（１）かＡ
ｕ線（５）でリート（４）と接続されている面倒に折り
曲げられている。（２１）はダイパッド（２）に設けら
れたダイパッド貫通口、（７）は高熱伝導特性を有する
材料で作られたヒートシンクで、ダイパッド貫通口（２
１）にはめ込まれる凸部を有する。（９）はヒートシン
ク（７）のダイパッド貫通口（２１）にはめ込まれた凸
部を半導体素子（１）の裏面に接着させるＡｇペースト
、シリコーン樹脂なとの緩衝層で、半導体素子（１）と
ヒートシンク（７）のすき間を埋めて密着性を高め、熱
伝導性を高める。また、半導体素子（１）とヒートシン
ク（ア）の熱膨張の差を吸収するという働きもする。
図において、（１）は半導体素子、（２）は半導体素子
（１）を固定するダイパッド、（３）は半導体素子（１
）をダイパッド（２）に接着するはんたなとの接着層、
（４）は外部回路と電気的機械的に接続するリート、（
５）は半導体素子（１）とリート（４）とを電気的に接
続するＡｕ線で、リード（４）は半導体素子（１）かＡ
ｕ線（５）でリート（４）と接続されている面倒に折り
曲げられている。（２１）はダイパッド（２）に設けら
れたダイパッド貫通口、（７）は高熱伝導特性を有する
材料で作られたヒートシンクで、ダイパッド貫通口（２
１）にはめ込まれる凸部を有する。（９）はヒートシン
ク（７）のダイパッド貫通口（２１）にはめ込まれた凸
部を半導体素子（１）の裏面に接着させるＡｇペースト
、シリコーン樹脂なとの緩衝層で、半導体素子（１）と
ヒートシンク（７）のすき間を埋めて密着性を高め、熱
伝導性を高める。また、半導体素子（１）とヒートシン
ク（ア）の熱膨張の差を吸収するという働きもする。
（６）は上記符号（１１〜（５］、（７１（９）の部品
をリード（４）及びヒートシンク（７）の一部が外部に
露出するように封止する封止樹脂である。
をリード（４）及びヒートシンク（７）の一部が外部に
露出するように封止する封止樹脂である。
次に動作について説明する。半導体素子（１）か動作す
ることにより発生した熱は、緩衝層（８）を通りヒート
シンク（７）に伝わり外部に放熱される。
ることにより発生した熱は、緩衝層（８）を通りヒート
シンク（７）に伝わり外部に放熱される。
なお、上記実施例ではリード（４）を逆ベントしている
か従来とうりダイパッド（２）の半導体素子（１）が搭
載されている側の逆側に曲げてもよく、その場合ヒート
シンク（７）は基板（８）に接続し、基板（８）に放熱
することになる。
か従来とうりダイパッド（２）の半導体素子（１）が搭
載されている側の逆側に曲げてもよく、その場合ヒート
シンク（７）は基板（８）に接続し、基板（８）に放熱
することになる。
第２図はこの発明の他の実施例を示したもので、図にお
いて、ダイパッド（２）にダイパット凹部（２２）を設
け、そこにヒートシンク（７）をはめ込んたものである
。これは、半導体素子（１）のダイパッド（２）への接
着の容易さを考慮しつつ、高い放熱性を得るようにした
ものである。
いて、ダイパッド（２）にダイパット凹部（２２）を設
け、そこにヒートシンク（７）をはめ込んたものである
。これは、半導体素子（１）のダイパッド（２）への接
着の容易さを考慮しつつ、高い放熱性を得るようにした
ものである。
第３図はこの発明のさらにもう１つの他の実施例を示し
たもので、ヒートシンク（７）に外付はヒートシンクａ
〔を取付けて、高い放熱性を得るようにしたちのである
。
たもので、ヒートシンク（７）に外付はヒートシンクａ
〔を取付けて、高い放熱性を得るようにしたちのである
。
また、上記実施例では外付はヒートシンクα■を設けた
場合を示したが、液冷装置強制空冷なとに適用しても同
様の効果を奏する。
場合を示したが、液冷装置強制空冷なとに適用しても同
様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、半導体装置を半導体素
子か固定されているダイパッドに貫通口又は凹部を設け
、この凹部に高熱伝導特性を有する材料の凸部をはめ込
んた状態て樹脂封止するよにしたので、半導体装置に高
い放熱性を持たせることかでき、また一体化して樹脂封
止したことにより小型化かでき、また半導体素子はダイ
パッドに固定されているので半導体素子に高熱伝導特性
を有する材料強固に固定する必要かないので、熱膨張率
を気にせず熱伝導性の高い材料を選ぶことかてきる。ま
た、ヒートシンクの位置合せが容易になるなとの効果か
ある。
子か固定されているダイパッドに貫通口又は凹部を設け
、この凹部に高熱伝導特性を有する材料の凸部をはめ込
んた状態て樹脂封止するよにしたので、半導体装置に高
い放熱性を持たせることかでき、また一体化して樹脂封
止したことにより小型化かでき、また半導体素子はダイ
パッドに固定されているので半導体素子に高熱伝導特性
を有する材料強固に固定する必要かないので、熱膨張率
を気にせず熱伝導性の高い材料を選ぶことかてきる。ま
た、ヒートシンクの位置合せが容易になるなとの効果か
ある。
第１図はこの発明の一実施例である半導体装置の断面図
、第２図、第３図はこの発明の他の実施例を示す半導体
装置の断面図、第４図は従来の半導体装置の断面図であ
る。 図において、（１１半導体素子、（２）ダイパッド、（
３）接着層、（６）封止樹脂、（７）ヒートシンク、（
９）は緩衝層、（２Ｉ）ダイパッド貫通口、（２２）ダ
イパッド凹部を示す。 なお、 図中、 同一符号は同一 または相当部分 を示す。
、第２図、第３図はこの発明の他の実施例を示す半導体
装置の断面図、第４図は従来の半導体装置の断面図であ
る。 図において、（１１半導体素子、（２）ダイパッド、（
３）接着層、（６）封止樹脂、（７）ヒートシンク、（
９）は緩衝層、（２Ｉ）ダイパッド貫通口、（２２）ダ
イパッド凹部を示す。 なお、 図中、 同一符号は同一 または相当部分 を示す。
Claims (1)
- 半導体素子を樹脂封止した半導体装置において、高熱
伝導特性を有する材料を半導体素子裏面に密着又は近接
した状態で一体化して樹脂封止したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109609A JPH046860A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109609A JPH046860A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046860A true JPH046860A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14514627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2109609A Pending JPH046860A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046860A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0566872A3 (en) * | 1992-04-21 | 1994-05-11 | Motorola Inc | A thermally enhanced semiconductor device and method for making the same |
| US5895966A (en) * | 1995-09-29 | 1999-04-20 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit and supply decoupling capacitor therefor |
| KR100237620B1 (ko) * | 1996-06-17 | 2000-01-15 | 김영환 | 열방출용 반도체 패키지 |
| EP0698292B1 (en) * | 1994-03-09 | 2001-12-05 | National Semiconductor Corporation | Method of forming a moulded lead frame |
| WO2012023236A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-24 JP JP2109609A patent/JPH046860A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0566872A3 (en) * | 1992-04-21 | 1994-05-11 | Motorola Inc | A thermally enhanced semiconductor device and method for making the same |
| US5483098A (en) * | 1992-04-21 | 1996-01-09 | Motorola, Inc. | Drop-in heat sink package with window frame flag |
| EP0698292B1 (en) * | 1994-03-09 | 2001-12-05 | National Semiconductor Corporation | Method of forming a moulded lead frame |
| US5895966A (en) * | 1995-09-29 | 1999-04-20 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit and supply decoupling capacitor therefor |
| KR100237620B1 (ko) * | 1996-06-17 | 2000-01-15 | 김영환 | 열방출용 반도체 패키지 |
| WO2012023236A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5412532B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2014-02-12 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8686545B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-04-01 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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