JP2006339291A - 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置 - Google Patents

中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006339291A
JP2006339291A JP2005160197A JP2005160197A JP2006339291A JP 2006339291 A JP2006339291 A JP 2006339291A JP 2005160197 A JP2005160197 A JP 2005160197A JP 2005160197 A JP2005160197 A JP 2005160197A JP 2006339291 A JP2006339291 A JP 2006339291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
hollow package
image sensor
package
sensor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005160197A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Misawa
岳志 三沢
Atsuhiko Ishihara
淳彦 石原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fujifilm Holdings Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Holdings Corp filed Critical Fujifilm Holdings Corp
Priority to JP2005160197A priority Critical patent/JP2006339291A/ja
Priority to US11/443,285 priority patent/US20060267168A1/en
Publication of JP2006339291A publication Critical patent/JP2006339291A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】 サイズの異なる半導体チップを収納することができる中空パッケージを提供する。
【解決手段】 中空パッケージ４を構成するパッケージ本体１２のチップ収納部１３内に、断面が階段形状となるように段部１８を形成する。サイズの小さいイメージセンサチップ３を中空パッケージ４内に収納する場合には、イメージセンサチップ３をチップ収納部１３の底面１３ａにダイボンドし、ボンディングワイヤ１９によってリード１４と接続する。また、サイズの大きなイメージセンサチップ２２を中空パッケージ４に収納する場合には、段部１８の上面１８ａ上にイメージセンサチップ２２をダイボンドし、ボンディングワイヤ２４によってリード１４と接続する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体素子が収納される中空パッケージと、この中空パッケージに半導体チップを収納した半導体装置、及びイメージセンサチップを収納した固体撮像装置に関する。
半導体装置は、パッケージと呼ばれる実装基板上に半導体チップを実装し、この半導体チップの入出力パッドと、パッケージに設けられたリードとをボンディングワイヤで接続して形成されているものが多い。このパッケージの種類の一つとして、従来より中空パッケージが用いられている。
中空パッケージは、セラミックやプラスチック等を用いて形成され、上面に半導体チップが収納される凹状のチップ収納部が設けられた略箱形状のパッケージ本体と、このパッケージ本体にインサート成形されたリードと、パッケージ本体の上面に接合されてチップ収納部を封止するリッドとから構成されている。また最近では、ボンディングワイヤを用いず、バンプを用いて半導体チップとリードとを接続しているものもある。半導体チップとしてＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサチップを収納する固体撮像装置では、透明な材質で形成されたリッドが用いられている。
イメージセンサチップは、撮像にともなって発熱し、この発熱により出力信号のＳ／Ｎ比が悪化してノイズが発生する。そのため、従来の固体撮像装置では、種々の方法によってイメージセンサチップの放熱を行なっており、その一つとして、中空パッケージに放熱機能を持たせることが考えられている。例えば、特許文献１及び２記載の中空パッケージでは、イメージセンサチップの裏面に当接する熱伝導部と、パッケージの外部に露呈されて放熱を行なう放熱部とをリードフレームと一体に形成している。また、特許文献３には、２枚の金属板とリードフレームとを重ね合わせ、全体として放熱効果を有する中空パッケージを形成することが記載されている。
特開２００１−２５７３３０号公報 特開２００４−１４６５３０号公報 特開２００３−００７８８０号公報
従来、中空パッケージは、収納する半導体チップのサイズに合せて形成されていたため、異なるサイズの半導体チップに流用することはできなかった。しかし、半導体装置のローコスト化の観点から、異なるサイズの半導体チップを収納することのできる中空パッケージの登場が望まれている。
また、特許文献１〜３記載の発明では、金属を使用してイメージセンサチップの放熱を行なっているが、部品点数の増加、これに伴う製造工数の増加によるコストアップが問題となる。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、サイズの異なる半導体チップを収納することができ、かつ半導体チップの放熱をローコストに行なうことができる中空パッケージと、これを使用した半導体装置及び固体撮像装置を提供する。
上記課題を解決するために、本発明の中空パッケージは、パッケージ本体と、このパッケージ本体の上面に設けられた凹状のチップ収納部であって、断面が略階段状となるように形成され、各段に異なるサイズの半導体チップが載置できるようにされたチップ収納部と、このチップ収納部のいずれかの段に載置された半導体チップと電気的に接続される接続部と、パッケージ本体の上面に接合されてチップ収納部を封止するリッドとから構成している。この中空パッケージによれば、異なるサイズの半導体チップの収納に使用することができるため、中空パッケージのコストダウンを図ることができる。
また、チップ収納部の上方の段に半導体チップを載置する場合には、チップ収納部の下方の段に、半導体チップの下面とチップ収納部の底面とに接触する熱伝導板を載置している。これによれば、半導体チップの熱をパッケージ本体に伝達することができるので、半導体チップの放熱を行なうことができる。
また、熱伝導板としては、チップ収納部の下方の段に載置可能なサイズを有する不良品の半導体チップを使用している。これによれば、本来ならば廃棄される不良品の半導体チップを使用するため、ローコストである。また、廃棄物を減らすこともできる。
また、チップ収納部の底面に、パッケージ本体を貫通する放熱用の穴を形成してもよい。これによれば、中空パッケージ内に熱伝導部材等を挿入して、半導体チップや熱伝導板に接触させることができるので、放熱効果を高めることができる。
また、本発明の半導体装置及び固体撮像装置は、上記中空パッケージを使用している。これによれば、半導体装置及び固体撮像装置のコストダウンを図ることができる。また、半導体チップ及びイメージセンサチップの放熱効果を高めることができる。
本発明によれば、中空パッケージと、この中空パッケージを使用する半導体装置及び固体撮像装置のコストダウンを図ることができ、かつチップの放熱を効果的に行なうことができる。
図１は、本発明を実施した固体撮像装置２の構成を示す断面図である。固体撮像装置２は、イメージセンサチップ３と、このイメージセンサチップ３を収納する中空パッケージ４とから構成されている。
イメージセンサチップ３は、例えば、ＣＣＤやＣＭＯＳ等からなり、シリコン等で形成されたチップ基板７の上面に、受光部８と、複数個の入出力パッド９とが形成されている。受光部８には、例えばフォトダイオード（ＰＤ）がマトリクス状に配列され、その上方にはカラーフィルタとマイクロレンズとが設けられている。入出力パッド９は、導電性を有する金属で形成された電極パッドであり、受光部８と電気的に接続されている。
中空パッケージ４は、セラミックやプラスチックによって形成された略箱形状のパッケージ本体１２と、このパッケージ本体１２の上面１２ａに設けられた凹状のチップ収納部１３と、パッケージ本体１２内にインサート成形された金属切片からなる複数本のリード１４と、パッケージ本体１２の上面１２ａに接合されてチップ収納部１３を封止するリッド１５とから構成されている。イメージセンサチップ３との電気的な接続に用いられる接続部であるリード１４の両端は、チップ収納部１３内で露呈されるインナーリード部１４ａと、パッケージ本体１２の外に突出されるアウターリード部１４ｂとして用いられる。リッド１５は、イメージセンサチップ３に光が入射できるようにするため、透明なガラス板やプラスチック板によって形成されている。
チップ収納部１３内には、断面が略階段状になるように、１つの段部１８が全周に形成されている。段部１８よりも小さなサイズのイメージセンサチップ３を中空パッケージ４に収納する場合には、イメージセンサチップ３をチップ収納部１３の底面１３ａにダイボンドする。そして、イメージセンサチップ３の入出力パッド９と、リード１４のインナーリード部１４ａとの間をボンディングワイヤ１９で接続して、リッド１５で封止する。
また、段部よりも大きなサイズのイメージセンサチップを中空パッケージに収納する場合には、図２に示す固体撮像装置２１のように、段部１８の上面１８ａにイメージセンサチップ２２をダイボンドする。そして、イメージセンサチップ２２の入出力パッド２３と、リード１４のインナーリード部１４ａとの間をボンディングワイヤ２４で接続して、リッド１５で封止する。なお、ボンディングワイヤを用いずにバンプを用いてイメージセンサチップ２２とリード１４とを接続することも可能である。
このように、チップ収納部１３内に適当なサイズの段部１８を形成することにより、サイズの異なるイメージセンサチップ３，２２を選択的に収納することのできる中空パッケージ４を構成することができる。また、中空パッケージ４を共通化することができるので、固体撮像装置２のコストダウンに資することができる。
なお、図２に示すように、段部１８の上面１８ａにイメージセンサチップ２２をダイボンドすると、イメージセンサチップ２２とチップ収納部１３の底面１３ａとの間に隙間が生じるため、イメージセンサチップ２２の熱がパッケージ本体１２に伝わりにくくなり、放熱効果が低下する。イメージセンサチップ２２の温度が上昇すると、出力信号のＳ／Ｎ比が悪化してノイズが発生する。
上記問題を解決するために、図３に示す固体撮像装置２８のように、イメージセンサチップ２２の下に、イメージセンサチップ２２の下面２２ａとチップ収納部１３の底面１３ａとに接触する熱伝導板２７を挟み込むとよい。この熱伝導板２７としては、熱の伝達効率の良い材質で形成された板状のものを用いることができる。また、熱伝導板２７として、機能検査により不良品と判断されたサイズの小さなイメージセンサチップを用いてもよい。これによれば、本来ならば廃棄されるものを有効に利用することができるため、固体撮像装置のローコスト化を図ることができ、更に廃棄物を減らすことができる。また、イメージセンサチップを構成するシリコン製の基板は、熱伝導効率が高いため、イメージセンサチップの放熱効果を高めることができる。
また、図４に示す固体撮像装置３０の中空パッケージ３１のように、イメージセンサチップ３２の放熱効果を高めるために、パッケージ本体３３の下面に貫通穴３４を形成してもよい。この貫通穴３４に対し、熱伝導率の高い部材３５を挿入して熱伝導板３６の下面に接触させれば、パッケージ本体３３を介して放熱を行なう場合よりも放熱効果を高めることができる。
なお、上記実施形態では、中空パッケージ内にイメージセンサチップを収納する固体撮像装置を例に説明したが、メモリ等の半導体チップを中空パッケージに収納してもよい。この場合でも、サイズの異なる半導体チップを中空パッケージに収納できるようにすることで、半導体装置のコストを下げることができる。また、チップ収納部内に形成する段部を１段としたが、複数の段部を設けてもよい。これによれば、収納可能なチップのサイズを増やすことができ、更なるローコスト化を図ることができる。
また、サイズに応じてパッケージ本体内でイメージセンサチップをダイボンドする位置を変更したが、イメージセンサチップの光軸方向での位置調整を行なうためにダイボンド位置を変更してもよい。例えば、固体撮像装置の撮像光学系には、光学ローパスフィルタ（ＯＬＰＦ）が挿入されるが、このＯＬＰＦは、イメージセンサチップの画素ピッチに応じて厚みが変わるため、光路長が変化してしまう。この光路長の変化によりイメージセンサチップの結像面位置が変化するので、これを調整するためにパッケージ本体内でイメージセンサチップのダイボンド位置を変更してもよい。
サイズの小さいイメージセンサチップを中空パッケージに収納した固体撮像装置の断面図である。 サイズの大きいイメージセンサチップを中空パッケージに収納した固体撮像装置の断面図である。 サイズの大きいイメージセンサチップを中空パッケージに収納し、かつその下方に熱伝導板を収納した固体撮像装置の断面図である。 サイズの大きいイメージセンサチップを中空パッケージに収納し、その下方に熱伝導板を収納するとともに、パッケージ本体の下面に貫通穴を形成した固体撮像装置の断面図である。
符号の説明
２ 固体撮像装置
３，２２ イメージセンサチップ
４ 中空パッケージ
１２ パッケージ本体
１３ チップ収納部
１４ リード
１５ リッド
１８ 段部
２７ 熱伝導板
３０ 貫通穴

Claims (6)

  1. パッケージ本体と、
    このパッケージ本体の上面に設けられた凹状のチップ収納部であって、断面が略階段状となるように形成され、各段に異なるサイズの半導体チップが載置できるようにされたチップ収納部と、
    このチップ収納部のいずれかの段に載置された半導体チップと電気的に接続される接続部と、
    パッケージ本体の上面に接合されてチップ収納部を封止するリッドとを備えたことを特徴とする中空パッケージ。
  2. 前記チップ収納部の上方の段に半導体チップを載置する場合には、チップ収納部の下方の段に、半導体チップの下面と該チップ収納部の底面とに接触する熱伝導板を載置することを特徴とする請求項１記載の中空パッケージ。
  3. 前記熱伝導板は、チップ収納部の下方の段に載置可能なサイズを有する不良品の半導体チップであることを特徴とする請求項２記載の中空パッケージ。
  4. 前記チップ収納部の底面に、パッケージ本体を貫通する放熱用の穴を形成したことを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の中空パッケージ。
  5. 請求項１ないし４いずれか記載の中空パッケージと、半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置。
  6. 透明な材質で形成されたリッドを有する請求項１ないし４いずれか記載の中空パッケージと、この中空パッケージに収納されるイメージセンサチップとを備えたことを特徴とする固体撮像装置。
JP2005160197A 2005-05-31 2005-05-31 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置 Pending JP2006339291A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005160197A JP2006339291A (ja) 2005-05-31 2005-05-31 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置
US11/443,285 US20060267168A1 (en) 2005-05-31 2006-05-31 Hollow package and semiconductor device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005160197A JP2006339291A (ja) 2005-05-31 2005-05-31 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006339291A true JP2006339291A (ja) 2006-12-14

Family

ID=37462317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005160197A Pending JP2006339291A (ja) 2005-05-31 2005-05-31 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060267168A1 (ja)
JP (1) JP2006339291A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7414720B2 (ja) 2018-08-21 2024-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、電子機器、および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7498646B2 (en) * 2006-07-19 2009-03-03 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Structure of image sensor module and a method for manufacturing of wafer level package
WO2012165647A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
WO2013118501A1 (ja) * 2012-02-07 2013-08-15 株式会社ニコン 撮像ユニットおよび撮像装置
KR102360319B1 (ko) * 2016-03-12 2022-02-08 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 카메라 모듈, 그 감광성 부품 및 그 제조 방법
KR102605618B1 (ko) 2016-11-14 2023-11-23 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2550009B1 (fr) * 1983-07-29 1986-01-24 Inf Milit Spatiale Aeronaut Boitier de composant electronique muni d'un condensateur
JPH0453155A (ja) * 1990-06-15 1992-02-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体容器
US6998860B1 (en) * 1991-06-04 2006-02-14 Micron Technology, Inc. Method for burn-in testing semiconductor dice
US5483174A (en) * 1992-06-10 1996-01-09 Micron Technology, Inc. Temporary connection of semiconductor die using optical alignment techniques
JP2843464B2 (ja) * 1992-09-01 1999-01-06 シャープ株式会社 固体撮像装置
JP3471111B2 (ja) * 1995-03-20 2003-11-25 三菱電機株式会社 半導体装置
EP0790652B1 (en) * 1995-08-02 2007-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image pickup device and its manufacture
JP3435925B2 (ja) * 1995-08-25 2003-08-11 ソニー株式会社 半導体装置
JP2914242B2 (ja) * 1995-09-18 1999-06-28 日本電気株式会社 マルチチップモジュール及びその製造方法
US5633530A (en) * 1995-10-24 1997-05-27 United Microelectronics Corporation Multichip module having a multi-level configuration
US6531334B2 (en) * 1997-07-10 2003-03-11 Sony Corporation Method for fabricating hollow package with a solid-state image device
US6890798B2 (en) * 1999-06-08 2005-05-10 Intel Corporation Stacked chip packaging
JP2001257330A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Sony Corp 固体撮像装置
JP2002334975A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 半導体装置の支持構造、ｃｃｄ半導体装置、その製造方法、及び、ｃｃｄ半導体装置用パッケージ
US6713857B1 (en) * 2002-12-05 2004-03-30 Ultra Tera Corporation Low profile stacked multi-chip semiconductor package with chip carrier having opening and fabrication method of the semiconductor package
JP4519424B2 (ja) * 2003-06-26 2010-08-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 樹脂モールド型半導体装置
US20050046003A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-03 Chung-Che Tsai Stacked-chip semiconductor package and fabrication method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7414720B2 (ja) 2018-08-21 2024-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、電子機器、および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060267168A1 (en) 2006-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101711007B1 (ko) 이미지 센서 패키지를 갖는 이미지 센서 모듈
JP4379295B2 (ja) 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法
KR102275684B1 (ko) 반도체 패키지
KR102467001B1 (ko) 이미지 센서 모듈용 기판 구조체 및 이를 포함하는 이미지 센서 모듈
US7045888B2 (en) Ultra thin dual chip image sensor package structure and method for fabrication
JP5243806B2 (ja) 紫外光発光装置
TW201820600A (zh) 半導體封裝及其製造方法
JP2006253689A (ja) 熱放散性の高いｌｅｄの実装
JP2008130738A (ja) 固体撮像素子
JP2009049362A (ja) イメージセンサー
JP2006339291A (ja) 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置
JP5010203B2 (ja) 発光装置
JP2005347442A (ja) 半導体装置
JP2010263004A (ja) 固体撮像装置
JP2011097294A (ja) 撮像装置および撮像装置の製造方法
JP2006120996A (ja) 回路モジュール
KR102055563B1 (ko) 이미지 센서 패키지
JP2009111334A (ja) 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス
JP5010199B2 (ja) 発光装置
JP2006319124A (ja) 固体撮像装置
JP2010205780A (ja) 撮像ユニット
JP2008172092A (ja) 半導体装置
JP2007234783A (ja) 画像センサパッケージ
JP2005353846A (ja) 光学デバイス及びその製造方法
JP2001177023A (ja) チップ素子の取付構造

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20070115