DE10118408A1 - Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines OberflächenwellenbauelementsInfo
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Abstract
Ein Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements durch Verwendung eines Flip-Chip-Prozesses umfaßt die Schritte des Bildens von zumindest entweder einem Interdigitalwandler und einer Mehrzahl von Elektrodenanschlußflächen, die mit dem Interdigitalwandler elektrisch verbunden sind, auf einem piezoelektrischen Substrat, des Bildens von Höckern auf den jeweiligen Elektrodenanschlußflächen und des Schaffens eines isolierenden Films an einer Region, die verschieden ist zu der Region, in der die Höcker gebildet sind.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren
zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements, wie z. B.
eines Oberflächenwellenfilters oder eines anderen Bau
elements, und insbesondere auf ein Verfahren zum Herstellen
eines Oberflächenwellenbauelements mit Höckern, die durch
einen Flip-Chip-Prozeß gebildet sind.
In den letzten Jahren werden Mobilkommunikationsgeräte in
Größe und Gewicht stark reduziert. Außerdem ist es erfor
derlich, die Größe von elektronischen Bauteilen für die
Verwendung in den Mobilkommunikationsgeräten zu reduzieren.
Folglich ist bei Oberflächenwellenbauelementen, die als
Bandfilter in Mobilkommunikationsgeräten verwendet werden,
Miniaturisierung dringend erforderlich.
Bei herkömmlichen Oberflächenwellenbauelementen sind Ober
flächenwellenelemente in einem Gehäuse enthalten. Elektro
denanschlußflächen der Oberflächenwellenbauelemente sind
mit Elektrodenstrukturen über Drähte elektrisch verbunden,
die für das Gehäuse vorgesehen sind. Dementsprechend war
die Miniaturisierung der Oberflächenwellenbauelemente be
schränkt.
In den letzten Jahren ist der Flip-Chip-Prozeß häufiger
verwendet worden, bei dem Höcker auf Elektrodenanschlußflä
chen auf einem Oberflächenwellenbauelement gebildet werden,
und die Höcker sind angeordnet, um mit einer Elektroden
struktur auf einem Gehäuse in Kontakt zu sein, und sind mit
der Struktur verbunden, z. B. durch Anlegen von Überschall
wellen.
Die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung
Nr. 9-172341 offenbart ein Beispiel eines Herstellungsver
fahrens eines Oberflächenwellenbauelements unter Verwendung
des oben erwähnten Flip-Chip-Prozesses. Bei dem Oberflä
chenwellenbauelement, das als herkömmliche Technik be
schrieben wird, ist ein Oberflächenwellenbauelement mit ei
ner dielektrischen Schicht bedeckt, um die Antistaubeigen
schaft und die Korrosionsbeständigkeit zu verbessern.
Insbesondere werden zunächst interdigitale Elektroden und
planare Elektroden, die Elektrodenanschlußflächen definie
ren, auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet. Dann
wird eine dielektrische Schicht, die eine Schutzschicht de
finiert, auf dem piezoelektrischen Substrat gebildet. Dar
über hinaus sind für die elektrische Verbindung zu den ex
ternen oberen Elektroden, die jeweils die gleichen Flächen
umfassen, wie die der planaren Elektroden in der Draufsicht,
derart angeordnet, daß die oberen Elektroden die planaren
Elektroden über die dielektrische Schicht überlappen. Dar
über hinaus ist die dielektrische Schicht durch Verbinden
von Metallhöckern mit den oberen Elektroden durch die obe
ren Elektroden unterbrochen, so daß die planaren Elektroden
und die oberen Elektroden direkt elektrisch miteinander
verbunden sind. Nachdem die Metallhöcker wie oben beschrie
ben mit den planaren Elektroden verbunden sind, werden die
selben in dem oben erwähnten Flip-Chip-Prozeß mit einem Ge
häusesubstrat verbunden.
Andererseits offenbart die japanische ungeprüfte Patentan
meldungsveröffentlichung Nr. 10-163789 die Struktur, bei
der Oberflächenwellenfilterelemente auf ein Schaltungssub
strat befestigt sein können, ohne daß das Element in einem
Gehäuse enthalten ist. Insbesondere ist, wie in Fig. 8 ge
zeigt, ein Oberflächenwellenbauelement 52 direkt auf einem
Schaltungssubstrat 51 befestigt. Zum Zweck der Ausführung
der oben erwähnten Befestigung, ist das Oberflächenwellen
bauelement 52 wie folgt gebildet.
Zunächst werden interdigitale Elektroden, ein Reflektor,
eine Eingangselektrodenanschlußfläche und eine Ausgangs
elektrode auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet.
Dann wird ein Schutzfilm 53, der aus SiO2 hergestellt ist
und eine Filmdicke von 200 Å bis 15 µm aufweist, gebildet.
Ferner werden die Mittelabschnitte der Eingang-Ausgang-
Elektrodenanschlußflächen 52a von dem Schutzfilm 53 frei
gelegt. Ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel 54
wird daran befestigt. Als leitfähiges Verbindungsmittel 54
wird eine Lötmetallkugel, ein Goldhöcker, oder ein elekt
risch leitfähiges Harz verwendet. Das leitfähige Verbin
dungsmittel 54 ist angeordnet, um mit einer entsprechenden
Elektrodenstruktur 51a des Schaltungssubstrats 51 in Kon
takt zu sein. In dem Zustand, in dem das Oberflächenwellen
bauelement 52 auf einem Schaltungssubstrat plaziert wird,
wird das leitfähige Verbindungsmittel wie z. B. die Lötme
tallkugel erhitzt und geschmolzen, wodurch das Oberflächen
wellenbauelement direkt auf dem Schaltungssubstrat 51 be
festigt wird.
Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung
Nr. 4-371009 offenbart ein Problem, daß ein Oberflächenwellenbau
element aufgrund eines potentiellen Unterschieds zwischen
Elektroden wahrscheinlich einen pyroelektrischen Durchbruch
erleidet, der durch Auftragen eines Passivierungsfilms auf
ein piezoelektrisches Substrat und durch Wärme, die während
der Bildung eines Fensters in dem Passivierungsfilm ange
legt wird, bewirkt wird. Zu diesem Zweck offenbart die Ver
öffentlichung ein Verfahren, um eine Verbindung zwischen
einem Eingangsanschluß und einem Ausgangsanschluß über ei
nen Verbindungsdraht vor der Bildung eines Passivierungs
films herzustellen, und den Verbindungsdraht nach der Bil
dung des Passivierungsfilms abzutrennen, wodurch der Kurz
schluß zwischen dem Eingangs- und Ausgangsanschluß den
pyroelektrischen Durchbruch verhindert.
In dem Fall, in dem ein Oberflächenwellenbauelement mit ei
nem Gehäusesubstrat oder einem Schaltungssubstrat unter
Verwendung eines Höckers verbunden ist, ist es notwendig,
ein piezoelektrisches Substrat während des Prozesses des
Bildens des Höckers zu erwärmen, um die Interdiffusion von
Metall zu fördern, so daß die Scherfestigkeit des Höckers
erhöht werden kann.
Da jedoch in dem Fall, in dem ein piezoelektrisches Sub
strat, das pyroelektrische Eigenschaften aufweist, verwen
det wird, zwischen den Elektroden des Interdigitalwandlers
ein potentieller Unterschied erzeugt wird, während das
Oberflächenwellenbauelement aufgrund der Temperaturänderun
gen, die durch die oben genannte Erwärmung verursacht wer
den, ausgeführt wird. Folglich tritt Entladung auf. Proble
matischerweise bewirkt diese Entladung, daß der Interdigi
talwandler pyroelektrisch gebrochen wird, so daß die Akzep
tanzrate reduziert ist.
Außerdem ist es unmöglich, Frequenzcharakteristika eines
Bauelements vor der Bildung eines Passivierungsfilms zu
messen, falls die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse vor der
Bildung des Passivierungsfilms kurzgeschlossen werden, um
einen pyroelektrischen Durchbruch zu verhindern. Als Folge
ist es unmöglich, eine Betriebsfrequenz eines Bauelements
durch Ändern einer Dicke eines Passivierungsfilms einzu
stellen. Selbst wenn es möglich ist, eine Betriebsfrequenz
eines Bauelements durch Trennen eines Verbindungsdrahts
nach Bildung eines Passivierungsfilms einzustellen, eine
Betriebsfrequenz eines Bauelements zu messen und eine Dicke
eines Passivierungsfilms zu ändern, bleibt danach nach wie
vor das Problem eines pyroelektrischen Durchbruchs, da der
Verbindungsdraht während einer Bildung von Höckern bzw.
Bumps geschnitten wurde.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah
ren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements zu
schaffen, bei dem Probleme hinsichtlich eines pyroelektri
schen Durchbruchs reduziert sind.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 ge
löst.
Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, schaffen be
vorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
ein Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauele
ments, das unter Verwendung eines Flip-Chip-Prozesses auf
einem Gehäusesubstrat oder einem Schaltungssubstrat befes
tigt werden kann, bei dem pyroelektrisches Brechen des In
terdigitalwandlers, das durch Erwärmen während der Bildung
eines Höckers verursacht wird, verhindert wird, und Schwan
kungen bei Charakteristika verhindert werden, und die Ak
zeptanzrate stark verbessert ist.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegen
den Erfindung umfaßt ein Verfahren zum Herstellen eines
Oberflächenwellenbauelements unter Verwendung eines Flip-
Chip-Prozesses die Schritte des Bildens zumindest eines In
terdigitalwandlers und einer Mehrzahl von Elektrode
nanschlußflächen, die mit dem Interdigitalwandler elekt
risch verbunden sind, auf einem piezoelektrischen Substrat,
und des Bildens von Höckern auf den jeweiligen Elektrode
nanschlußflächen und Schaffen eines isolierenden Films an
einer Region, die verschieden ist zu der Region, in der die
Höcker gebildet sind.
Bei dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel ver
bessert der isolierende Film die Staubwiderstandsfähigkeit
und Korrosionsbeständigkeit bei einem Oberflächenwellenbau
element erheblich. Ferner ist es möglich, eine elektroni
sche Vorrichtung, wie z. B. eine Kommunikationsvorrichtung,
zu miniaturisieren, bei der ein Oberflächenwellenbauelement
als ein Oberflächenwellenbauelement verwendet wird und
durch ein Flip-Chip-Verbindungsverfahren unter Verwendung
der Höcker auf einer Schaltungsplatine befestigt werden
kann.
Das Verfahren kann außerdem den Schritt des Bildens eines
isolierenden Films auf einer gesamten Oberfläche des piezo
elektrischen Substrats umfassen, und des Entfernens eines
Abschnitts des isolierenden Films zumindest auf den Hö
ckern.
Da die Abschnitte auf dem isolierenden Film auf den Höckern
entfernt sind, ist es in diesem Fall möglich, das Oberflä
chenwellenbauelement durch ein Flip-Chip-
Verbindungsverfahren leicht auf einer Schaltungsplatine zu
befestigen.
Das Verfahren kann ferner nach dem Schritt des Bildens ei
nes isolierenden Films den Schritt des Ätzens einer Ober
fläche der Elektroden umfassen.
In diesem Fall wird der Rückstand an der Schnittstelle zwi
schen den Elektrodenanschlußflächen und den Höckern ent
fernt. Daher ist es möglich, die Verbindungsstärke zwischen
den Elektrodenanschlußflächen und den Höckern zu erhöhen.
Da der Höckerbereich wegen des Drucks der Höcker während
dem Verbinden durch Ultraschallenergieanlegung erhöht ist,
kann der vergrößerte Abschnitt der Höcker das Verbinden
weiter verbessern.
Der Schritt des Bildens des zumindest einen Interdigital
wandlers und Elektrodenanschlußflächen kann den Schritt des
Bildens einer Kurzschlußverdrahtung für Kurzschließen zwi
schen einer Signalanschlußseite und einer Masseanschlußsei
te des zumindest einen Interdigitalwandlers umfassen, wobei
das Verfahren ferner einen Schritt des Schneidens der Kurz
schlußverdrahtung zwischen dem zweiten und dritten Schritt
des Verfahrens umfaßt.
Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel kann die Kurz
schlußverdrahtung zum Kurzschließen eine Entladung durch
einen pyroelektrischen Effekt verhindern. Als Folge wird
die Zerstörung von Elektrodenfingern in den Interdigi
talwandlern ausgeschlossen, was eine Abweichung bei den
Charakteristika des Oberflächenwellenbauelements verhin
dert.
Außerdem ist es möglich, die Frequenzcharakteristika vor
dem Bilden eines isolierenden Films zu messen. Folglich ist
es möglich, sicher ein Oberflächenwellenbauelement zu
schaffen, das vorbestimmte Charakteristika aufweist. Ferner
wird der pyroelektrische Durchbruch bei der Bildung der Hö
cker ebenfalls verhindert.
Das Verfahren kann zwischen dem ersten und dem zweiten
Schritt ferner die Schritte des Bildens eines leitfähigen
Films auf der Rückoberfläche des piezoelektrischen Sub
strats, das der Seite gegenüber liegt, an der der Interdi
gitalwandler gebildet ist, und des Kurzschließens der
Elektroden an der vorderen Oberfläche des piezoelektrischen
Substrats zu dem leitfähigen Film auf der hinteren Oberflä
che durch Verwenden eines leitfähigen Films oder einer
leitfähigen Vorrichtung umfassen.
Diese Schritte verhindern Ladungen vom Anhäufen und Entla
den an der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats.
Folglich ist es möglich, eine Kurzschlußverdrahtung wegzu
lassen und die Anzahl der Herstellungsschritte zu reduzie
ren.
In dem ersten Schritt des Verfahrens können eine Mehrzahl
von Interdigitalwandlern und eine Mehrzahl von Elektroden
anschlußflächen, die mit dem Interdigitalwandler elekt
risch verbunden sind, auf dem piezoelektrischen Substrat
gebildet werden, um eine Filterschaltung zu bilden, und ei
ne leitfähige Struktur, die im wesentlichen die Filter
schaltung umgibt, kann auf dem piezoelektrischen Substrat
gebildet werden.
Eine solche leitfähige Struktur unterstützt die Ladung an
der Vorderoberfläche des piezoelektrischen Substrats in
Richtung der Rückoberfläche des piezoelektrischen Substrats
wodurch die Ladungsübertragung weiter verbessert wird.
Die Höcker können aus dem gleichen Material hergestellt
sein, wie das der Metallanschlußflächen, welche die Höcker
empfangen, um so die Interdiffusion zwischen den Elektrode
nanschlußflächen und den Höckern zu verbessern.
Die Dicke des Isolationsfilms, der in dem dritten Schritt
des Verfahrens gebildet wird, kann ausgewählt werden, um
eine Frequenz des Oberflächenwellenbauelements einzustel
len. In diesem Fall können die Herstellungsschritte redu
ziert werden.
Alternativ kann der dritte Schritt des Verfahrens die
Schritte des Bildens eines isolierenden Films auf einer ge
samten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats und des
Reduzierens einer Dicke des isolierenden Films, um eine
Frequenz des Oberflächenwellenbauelements einzustellen, um
fassen.
Ferner kann das Verfahren gemäß bevorzugter Ausführungsbei
spiele der vorliegenden Erfindung den Schritt des Messens
der Frequenz des Oberflächenwellenbauelements umfassen, vor
dem Schritt des Einstellens der Frequenz des Oberflächen
wellenbauelements.
In diesem Fall ist es möglich, sehr genaue Frequenzeinstel
lung zu realisieren, um dadurch den Herstellungsertrag zu
erhöhen.
Andere Elemente, Merkmale, Charakteristika und Vorteile der
vorliegenden Erfindung werden offensichtlicher werden von
der folgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Aus
führungsbeispiele derselben mit Bezugnahme auf die beilie
genden Zeichnungen.
Zum Zweck der Darstellung der Erfindung sind in den Zeich
nungen unterschiedliche Formen gezeigt, die derzeit bevor
zugt werden, es wird jedoch darauf hingewiesen, daß die
vorliegende Erfindung nicht auf die genauen gezeigten An
ordnungen und Einrichtungen beschränkt ist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich
nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A bis 1D Draufsichten, die ein Verfahren zum Her
stellen eines Oberflächenwellenbauelements gemäß
dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung darstellen;
Fig. 2A bis 2D Querschnittsseitenansichten, die das Verfah
ren zum Herstellen des Oberflächenwellenbauele
ments gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung darstellen;
Fig. 3 eine Graphik, die die Chipscherfestigkeiten des
Oberflächenwellenbauelements, das bei dem Her
stellungsverfahren des ersten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels erhalten wird, eines Oberflächen
wellenbauelements, das bei einem Herstellungsver
fahren als ein modifiziertes Beispiel erhalten
wird, und eines Oberflächenwellenbauelements, das
zum Vergleich vorbereitet ist, zeigt;
Fig. 4A ein Beispiel der Schaltungskonfiguration eines
Oberflächenwellenbauelements gemäß einem zweiten
bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 4B eine schematische Draufsicht des Oberflächenwel
lenbauelements;
Fig. 5A und 5B Querschnittsseitenansichten, die einen Pro
zeß des Reduzierens der Dicke eines isolierenden
Films, um die Frequenz bei dem Verfahren des Her
stellens des Oberflächenwellenbauelements des
zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vor
liegenden Erfindung einzustellen, darstellen;
Fig. 6 eine Graphik, die Änderungen bei der Frequenzcha
rakteristik darstellt, die verursacht werden,
wenn die Frequenzeinstellung bei dem Herstel
lungsverfahren des zweiten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels der vorliegenden Erfindung ausge
führt wird;
Fig. 7 eine perspektivische Ansicht, die ein modifizier
tes Beispiel eines bevorzugten Ausführungsbei
spiels der vorliegenden Erfindung darstellt; und
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel
eines herkömmlichen Oberflächenwellenbauelements
darstellt.
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung durch die fol
gende Beschreibung spezifischer bevorzugter Ausführungsbei
spiele der vorliegenden Erfindung mit Bezugnahme auf die
Zeichnungen offensichtlicher werden.
Fig. 1A bis 1D sind Draufsichten, die ein Herstellungsver
fahren gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor
liegenden Erfindung zeigen. Fig. 2A bis 2D sind Quer
schnittsansichten, die das Herstellungsverfahren dieses be
vorzugten Ausführungsbeispiels zeigen.
Zunächst wird ein im wesentlichen rechteckiges plattenför
miges, piezoelektrisches Substrat vorbereitet. Für dieses
piezoelektrische Substrat können piezoelektrische Keramik
wie z. B. Keramik eines Blei-Titanat-Zirkonat-Typs oder an
derem geeignetem Material verwendet werden. Gemäß dem Her
stellungsverfahren bevorzugter Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung kann pyroelektrisches Brechen wie
später beschrieben, verhindert werden, selbst wenn ein pie
zoelektrisches Substrat 1 eine pyroelektrische Eigenschaft
aufweist.
Ein elektrisch leitfähiges Material wie z. B. A1 oder ande
res geeignetes Material wird durch ein geeignetes Verfah
ren, wie z. B. Aufdampfen, Aufsprühen bzw. Sputtern, Plat
tieren, oder einen anderen geeigneten Prozeß auf die gesam
te obere Oberfläche des piezoelektrischen Substrats aufge
tragen, um einen elektrisch leitfähigen Film zu bilden.
Darauffolgend wird auf dem leitfähigen Film eine positive
Photolackschicht gebildet. Eine Maske, deren Abschirmungs
abschnitte einem Interdigitalwandler (hier als IDT = inter
digital tranducer bezeichnet), einem Elektrodenabschnitt,
wie z. B. einem Reflektor, usw. entsprechen, wird platziert,
um die Photolackschicht zu bedecken, gefolgt von einer Be
lichtung. Danach werden die Photolackabschnitte entfernt,
wodurch die Photolackschicht strukturiert wird.
Danach wird Ätzen durchgeführt unter Verwendung eines Ätz
mittels, das nicht in der Lage ist, den Photolack anzugrei
fen und in der Lage ist, den leitfähigen Film zu entfernen.
Somit werden, wie in Fig. 1A gezeigt, auf einem piezoelekt
rischen Substrat 1 ein IDT 2, Reflektoren 3 und 4, Elektro
denanschlußflächen 5 und 6, Verdrahtungselektroden 9a und
9b und eine Kurzschlußverdrahtung 7 gebildet.
Hier umfaßt der IDT 2 ein Paar interdigitaler Elektroden,
und die Reflektoren 3 und 4 sind auf beiden der Seiten des
IDT 2 in der Ausbreitungsrichtung des Oberflächenwellenbau
elements angeordnet. Die Elektrodenanschlußflächen 5 und 6
bilden Eingangs- und Ausgangselektrodenanschlußflächen und
sind jeweils mit den interdigitalen Elektroden des IDT 2
verbunden. Die Kurzschlußverdrahtung 7 verbindet jeweils
die Elektrodenanschlußflächen 5 und 6 mit den Reflektoren 3
und 4. Das heißt, daß die Kurzschlußverdrahtung 7 die Ein
gangs-Ausgangsseiten des IDT 2 und die Seiten des IDT 2,
die mit dem Massepotential verbunden sind, elektrisch mit
einander verbindet. Verdrahtungselektroden 9a und 9b ver
binden jeweils die Elektrodenanschlußflächen 5 und 6 mit
dem IDT 2.
Bezugnehmend auf den obigen Ätzprozeß können sowohl Naßätz
verfahren als auch Trockenätzverfahren verwendet werden.
Ferner können die jeweiligen Elektroden über ein Abhebever
fahren oder andere geeignete Prozesse gebildet werden.
Nachfolgend wird ein positiver Photolack auf die gesamte
Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 1 aufgetragen.
Danach wird die Maske, in der die Abschnitte, die die Sam
melschienen 2a und 2b des IDT 2 überlappen, die Elektrode
nanschlußflächen 5 und 6 und die Verdrahtungselektroden 9a
und 9b in Öffnungen gebildet sind, an den Photolack lami
niert, gefolgt durch eine Belichtung mit Licht. Danach wer
den die freigelegten Photolackabschnitte entfernt. Somit
sind, wie in Fig. 1B gezeigt, Öffnungen 8a in der Photo
lackschicht 8 gebildet. Es wird angemerkt, daß die Elektro
den, wie z. B. der IDT 2, die unter der Photolackschicht 8
liegen, verborgen sind, aber in Fig. 1B mit durchgezogenen
Linien gezeichnet sind. Durch die Öffnungen 8a sind die
Elektrodenanschlußflächen 5 und 6, die Sammelschienen 2a und
2b und die Verdrahtungselektroden 9a und 9b wie oben be
schrieben freigelegt.
Nachfolgend wird die Photolackschicht 8 erwärmt, so daß die
Haftung der Photolackschicht 8 an dem piezoelektrischen
Substrat 1 und außerdem die Plasmawiderstandsfähigkeit des
selben stark verbessert ist.
In diesem Fall sind die Elektrodenanschlußflächen 5 und 6
und die Reflektoren 3 und 4 über die Kurzschlußverdrahtung
7 kurzgeschlossen, und daher haben die jeweiligen Abschnit
te das gleiche Potential. Selbst wenn das piezoelektrische
Substrat eine pyroelektrische Eigenschaft aufweist, tritt
dementsprechend keine Entladung auf, die durch pyroelektri
sche Effekte verursacht werden kann. Das heißt, es besteht
keine Möglichkeit, daß der IDT 2 und der Widerstand 8 un
terbrochen werden.
Danach wird ein zweiter, elektrisch leitfähiger Film auf der
gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 1 ge
bildet. Der zweite, leitfähige Film wird aufgetragen, damit
die Sammelschienen 2a und 2b, die Eingangs-Ausgangs-
Anschlußflächen 5 und 6 und die Verdrahtungselektroden 9a
und 9b jeweils eine Zweischichtstruktur aufweisen, wie es
später beschrieben wird. Das heißt, wenn der zweite, leitfä
hige Film in den Öffnungen 8a gebildet ist, haben die Sam
melschienen 2a und 2b, die Eingang-Ausgangs-Anschlußflächen
5 und 6 und die Verdrahtungselektroden 9a und 9b jeweils
vorzugsweise eine Zweischichtstruktur.
Danach wird der Abschnitt des zweiten, leitfähigen Films,
der auf die Photolackschicht angelegt wurde, zusammen mit
der Photolackschicht 8 abgehoben. Gleichartig dazu werden
die Elektrodenanschlußflächen 5A und 6A und die Sammel
schienen 2A und 2B, die jeweils eine Zweischichtstruktur
aufweisen, auf dem piezoelektrischen Substrat 1 gebildet,
wie es in dem Querschnitt von Fig. 2A schematisch gezeigt
ist.
In Fig. 2A ist die Kurzschlußverdrahtung 7 nicht gezeigt,
da Fig. 2A eine Querschnittansicht ist, die den Oberflä
chenwellenbauelementteil entlang der Linie A-A in Fig. 1C
zeigt.
Wie oben beschrieben, liegt der Grund für die Bildung der
Elektrodenfilme mit einer Zweischichtstruktur darin, daß
das piezoelektrische Substrat 1 davon abgehalten wird, zu
brechen, wenn Metallhöcker gebildet werden. Dementsprechend
ist es vorzuziehen, daß die Elektrodenanschlußflächen ge
bildet werden, um eine Zweischichtstruktur aufweisen. Die
Sammelschienen und die Verdrahtung müssen keine Zwei
schichtstruktur aufweisen.
Darauffolgend werden, wie in Fig. 2B gezeigt, auf den
Elektrodenanschlußflächen 5A und 6A jeweils Metallhöcker 11
gebildet. Als Material für die Metallhöcker 11 können
elektrisch leitfähige Materialien, wie z. B. Gold, Al, Al-
Legierungen, oder andere geeignete Materialien verwendet
werden.
Wenn die obigen Metallhöcker 11 gebildet werden, wird das
piezoelektrische Substrat 1 erwärmt. Das Erwärmen des pie
zoelektrischen Substrats 1 fördert die Interdiffusion zwi
schen dem Metall in der zweiten Schicht und dem Metall, das
die Metallhöcker 11 bildet, so daß die Metallhöcker 11 mit
den Elektrodenanschlußflächen 5A und 6A jeweils fest ver
bunden sind. Da in diesem Fall die Elektrodenanschlußflä
chen 5 und 6 und die Reflektoren 3 und 4 kurzgeschlossen
sind, weisen die jeweiligen Abschnitte das gleiche Potenti
al ohne einen Potentialunterschied zwischen denselben auf.
Daher tritt keine Entladung auf. Dementsprechend kann das
Brechen des IDT 2 und des Widerstands 8 verhindert werden.
Nachfolgend wird, wie in Fig. 1C gezeigt, die Kurzschluß
verdrahtung 7A in den Abschnitt derselben geschnitten, der
durch Pfeil B angezeigt ist.
Darüber hinaus wird, wie in Fig. 1D und 2C gezeigt, ein
isolierender Film 12 beinahe auf dem gesamten, piezoelektri
schen Substrat 1 gebildet. Der isolierende Film 12 wird
vorzugsweise gebildet z. B. durch Sputtern eines isolieren
den Materials wie z. B. SiO2 oder eines anderen geeigneten
Materials.
Die Dicke des isolierenden Films 12 ist vorzugsweise ange
ordnet, so daß die Frequenz des Oberflächenwellenbauele
ments einen gewünschten Wert aufweist.
Danach wird, wie in Fig. 2D gezeigt, in diesem bevorzugten
Ausführungsbeispiel der isolierende Film 12, der auf den
Metallhöckern 11 und außerdem auf den Eingangs-
Ausgangsanschlußflächen 5A und 6A liegt, entfernt, damit
dieselben mit einer externen Schaltung verbunden werden
können. Folglich kann eine hohe Chipscherfestigkeit erhal
ten werden.
Das Oberflächenwellenbauelement 13 dieses bevorzugten Aus
führungsbeispiels wurde mit einer Elektrodenstruktur ver
bunden, die aus Gold, Al, einer Al-Legierung oder einem an
deren geeigneten Material auf einem Schaltungssubstrat her
gestellt wurde, mit einer angelegten Ultraschallwelle, in
einem Flip-Chip-Prozeß. Die Chipscherstärke der Probe B,
die in diesem Fall erzeugt wurde, wurde ausgewertet. Fig. 3
zeigt die Ergebnisse.
Hinsichtlich des Oberflächenwellenbauelements, das für die
Messung der Chipscherstärke verwendet wird, wurde Lithium
tantalat als ein piezoelektrisches Substratmaterial verwen
det. Das Material, das für die Elektroden verwendet wird,
ist vorzugsweise Al. Als Material für die Höcker wird vor
zugsweise ein Material verwendet, das Au enthält. Darüber
hinaus wird vorzugsweise SiO2 als ein Isolationsfilmmateri
al verwendet.
Ferner wird das Oberflächenwellenbauelement, das auf ähnli
che Weise erhalten wurde wie die Probe B, außer daß keine
Bildung des isolierenden Films 12 verwendet wurde wie in
Probe A, und gleichartig dazu wurde die Chipscherstärke
ausgewertet.
Darüber hinaus wurde die Probe, in der der isolierende Film
12, der über den Metallhöckern 11 liegt, nicht entfernt
wurde, als Beispiel C vorbereitet, und gleichartig dazu
wurde die Auswertung durchgeführt. Diese Ergebnisse sind
jeweils in Fig. 3 gezeigt.
Wie aus Fig. 3 ersichtlich, ist die Chipscherstärke der
Probe C niedrig. Außerdem wird gezeigt, daß die Probe B ei
ne hohe Chipscherstärke aufweist, sowie auch die Probe A.
Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß einem zweiten bevor
zugten Ausführungsbeispiel und ein Verfahren zum Herstellen
desselben werden mit Bezugnahme auf Fig. 4A bis 6 beschrie
ben.
Fig. 4A stellt die Konfiguration der Schaltung des Oberflä
chenwellenbauelements gemäß dem zweiten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel dar. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbei
spiel sind fünf Oberflächenwellenbauelemente verbunden, um
eine Leitertypschaltungskonfiguration zu definieren. Somit
ist ein Leitertypfilter geschaffen. Insbesondere sind zwei
Reihenarmresonatoren 51 und 52 zwischen einem Eingangs
anschluß 21 und einem Ausgangsanschluß 22 verbunden. Pa
rallelarmresonatoren P1 bis P3 sind zwischen dem Reihenarm
und dem Massepotential verbunden.
Die Reihenarmresonatoren 51 und 52 und die in Fig. 4A ge
zeigten Parallelresonatoren P1 bis P3 weisen jeweils eine
Elektrodenkonfiguration auf, die ähnlich ist wie die des
Oberflächenwellenbauelements des ersten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels. Das heißt jede derselben umfaßt einen IDT,
der ungefähr in der Mitte des Oberflächenwellenbauelements
in der Ausdehnungsrichtung desselben angeordnet ist, und
Reflektoren, die auf beiden Seiten des IDT in der Ausdeh
nungsrichtung angeordnet sind, und Elektrodenanschlußflä
chen, die jeweils mit einem Paar der interdigitalen Elekt
roden des IDT verbunden sind.
Fig. 4B ist eine schematische Draufsicht des Oberflächen
wellenbauelements dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels.
Die Reihenarmresonatoren 51 und 52 und die Parallelarmreso
natoren P1 bis P3 sind auf einem im wesentlichen rechtwink
ligen, piezoelektrischen Substrat 23 angeordnet.
Ein Elektrodenhöcker 11 ist auf der Elektrodenanschlußflä
che 25A vorgesehen, die mit einer Sammelschiene des IDT des
Reihenarmresonators 51 verbunden ist. Gleichartig dazu ist
ein weiterer anderer Höcker 11 auf der Elektroden
anschlußfläche 26A gebildet, die mit einer Sammelschiene
des IDT des Reihenarmresonators 52 verbunden ist. Darüber
hinaus sind die Reihenarmresonatoren 51 und 52 über eine
Verdrahtungselektrode 26 elektrisch miteinander verbunden.
Die Verdrahtungselektrode 26 verbindet die Reihenarmresona
toren 51 und 52 mit dem Parallelresonator P2.
Darüber hinaus ist ein Ende einer Verdrahtungselektrode 27
mit der Elektrodenanschlußfläche 25A verbunden, und das an
dere Ende der Verdrahtungselektrode 27 ist mit einem Ende
des Parallelarmresonators P1 verbunden.
Eine Verdrahtungselektrode 28 ist mit dem anderen Ende des
Parallelarmresonators P1 verbunden, und das andere Ende der
Verdrahtungselektrode 28 ist mit einer Elektroden
anschlußfläche 29 verbunden. Noch ein weiterer Höcker 11
wird auf der Elektrodenanschlußfläche 29 gebildet. Das Ende
des Parallelarmresonators P2, das gegenüberliegend ist zu
der Seite desselben, an der die Verdrahtungselektrode 26
mit der Elektrodenanschlußfläche 29 verbunden ist, und ein
Ende des Parallelarmresonators P3. Das andere Ende des Pa
rallelarmresonators P3 ist über eine Verdrahtungselektrode
31 mit der Elektrodenanschlußfläche 26A verbunden.
Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein isolie
render Film (nicht gezeigt) gebildet, um das piezoelektri
sche Substrat und die Elektrodenstruktur, ausgenommen der
Elektrodenanschlußflächen 25A, 16A und 29, zu bedecken.
Ferner kommen in Fig. 4B Sonden 41 bis 43 zum Einstellen
der Frequenz in Kontakt mit den Elektrodenanschlußflächen
25A, 26A und 29. Der Kontakt der Sonden 41 bis 43 wird für
Wafertesten hergestellt. In diesem Fall ist es wünschens
wert, daß die Sonden 41 bis 43 nicht in direktem Kontakt
mit den Höckern 11 sind. Um darüber hinaus eine Frequenz zu
erhalten, die näher ist zu der eines fertigen Produkts,
werden die Kurzschlußverdrahtungen 32 und 33 der Eingangs-
Ausgangsseiten geschnitten, und eine Kurzschlußverdrahtung
34 mit dem Massepotential wird mit einem im wesentlichen
rechtwinkligen Gitter 35 kurzgeschlossen, das alle der
Schaltungen des Oberflächenwellenbauelements einschließt.
Wie in Fig. 7 gezeigt, ist ein leitfähiger Film, bestehend
aus Gold, Al, einer Al-Legierung, oder anderem geeignetem
Material auf der Rückoberfläche eines Wafers 61 gebildet.
Der Wafer kann mit einer geeigneten Vorrichtung 63 wie z. B.
einer Klemme oder einem anderen Werkzeug geklemmt wer
den, das zwischen der Vorder- und Rückoberfläche derselben
zum elektrischen Kurzschließen vorgesehen ist. Bei diesem
Vorgang ist das Gitter 35, das auf der Vorderoberfläche des
Wafers 61 gebildet ist, mit einem leitfähigen Film 62 auf
der Rückoberfläche des Wafers elektrisch kurzgeschaltet.
Fig. 5A ist eine schematische Querschnittansicht, die das
piezoelektrische Substrat 23 zeigt, auf dem der isolierende
Film 31 gebildet ist. Die Reihenarmresonatoren 51 und 52
und die Verdrahtungselektrode 26 sind in der Fläche zwi
schen den Elektrodenanschlußflächen 25A und 26A gebildet,
die durch den Pfeil X angezeigt sind, obwohl sie nicht ge
zeigt sind. In diesem Fall ist die Frequenzcharakteristik
des Oberflächenwellenbauelements vor der Bildung des iso
lierenden Films 31 vorzugsweise höher als eine gewünschte
Frequenz. Dann wird in dem in Fig. 5A gezeigten Zustand der
dicke isolierende Film 31 gebildet, so daß die Frequenzcha
rakteristik niedriger ist als die gewünschte Frequenz.
Danach wird das Frequenzcharakteristikum des Oberflächen
wellenbauelements unter Verwendung der Sonden 41 bis 43 ge
messen. Auf der Basis der Meßergebnisse wird ein Einstel
lungsbetrag der Frequenzcharakteristik bestimmt. Das heißt,
der Unterschied zwischen der Frequenz nach der Bildung des
isolierenden Films und die gewünschte Frequenz werden be
stimmt.
Danach wird auf der Basis der obigen Frequenzdifferenz der
isolierende Film 31 geätzt, so daß die Dicke des isolieren
den Films 31 reduziert ist. Der Dickereduzierungsbetrag des
isolierenden Films 31 wird entsprechend zu der Frequenzdif
ferenz erhalten. Als Folge wird der isolierende Film 31A
wie in Fig. 5B mit einer reduzierten Dicke entsprechend zu
dem Frequenzeinstellungsbetrag gebildet. Für dieses Ätzen
kann Naßätzen, Trockenätzen unter Verwendung von Plasma
oder ein anderer geeigneter Prozeß verwendet werden.
Wie oben beschrieben, kann bei dem Oberflächenwellenbauele
ment dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels die Dicke des
isolierenden Films 31 reduziert werden, während die Fre
quenzcharakteristika des Oberflächenwellenbauelements, das
praktischerweise erzeugt wurde, unter Verwendung der Sonden
41 bis 43 gemessen werden. Folglich kann das Oberflächen
wellenbauelement mit einem gewünschten Frequenzcharakteris
tikum sicher erhalten werden.
Fig. 6 ist eine Graphik, die Veränderungen bei den Fre
quenzcharakteristika des Oberflächenwellenbauelements die
ses bevorzugten Ausführungsbeispiels zeigt. In Fig. 6
stellt die durchgezogene Linie das Frequenzcharakteristikum
des Oberflächenwellenbauelements vor der Bildung des iso
lierenden Films 31 dar. Die gestrichelte Linie stellt das
Frequenzcharakteristikum des Oberflächenwellenbauelements,
in dem der isolierende Film 31 mit einer Dicke von ungefähr
29 nm gebildet ist, dar. Darüber hinaus zeigt die Linie mit
abwechselnden langen und kurzen Strichen das Frequenzcha
rakteristikum des Oberflächenschallwellenelements, nachdem
die Frequenz eingestellt ist (die Dicke des isolierenden
Films ist auf ungefähr 13 nm reduziert). Wie aus Fig. 6 er
sichtlich, kann die Einstellung der Frequenz durch Ätzen
des isolierenden Films 31 durchgeführt werden, der vorzugs
weise aus SiO2 hergestellt ist, um die Dicke zu reduzieren.
Die Oberflächenwellenbauelemente des ersten und zweiten be
vorzugten Ausführungsbeispiels und das Verfahren zum Her
stellen derselben können auf unterschiedliche Oberflächen
wellenbauelemente, wie z. B. einen Leiterfilter, in dem ei
ne Mehrzahl von Resonatoren verbunden sind, wie es in dem
zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, oder
auf andere geeignete Anordnungen angewendet werden. Das
heißt, die vorliegende Erfindung kann bei unterschiedlichen
Oberflächenwellenbauelementen, wie z. B. Oberflächenwellen
resonatoren, Oberflächenwellenfiltern, Oberflächenwellen
duplexern usw. angewendet werden. Zusätzlich können bevor
zugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung auf
Oberflächenwellenbauelemente ohne Reflektoren angelegt wer
den.
Darüber hinaus kann das piezoelektrische Substrat, das
nicht auf Keramik eines Blei-Titanat-Zirkonattyps be
schränkt ist, durch Verwendung eines piezoelektrischen Mo
nokristalls, wie z. B. LiTaO3, LiNbO3, Quarz, Lithiumtetra
borat, Langasit oder anderen geeigneten Materialien gebil
det sein. Darüber hinaus kann ein piezoelektrisches Sub
strat, das einen piezoelektrischen Dünnfilm umfaßt, der aus
ZnO oder einem anderen geeigneten Material auf einem iso
lierenden Substrat gebildet ist, das aus Aluminium oder ei
nem anderen, geeigneten Material besteht, verwendet werden.
Elektrodenmaterialien für die IDT, die Reflektoren, die
kurzgeschalteten Verdrahtungen und andere Elemente können
zusätzlich zu Al und einer Al-Legierung ein beliebiges,
elektrisch leitfähiges Material umfassen.
Darüber hinaus ist das Material zum Bilden des isolierenden
Films, der für die Frequenzeinstellung verwendet wird,
nicht auf SiO2 beschränkt. SiN, ZnO oder andere geeignete
Materialien können ebenfalls verwendet werden.
Claims (20)
1. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) durch Verwenden eines Flip-Chip-
Prozesses, wobei das Verfahren folgende Schritte um
faßt:
- A) Bilden eines piezoelektrischen Substrats (1; 23) zumindest eines Interdigitalwandlers (2) und ei ner Mehrzahl von Elektrodenanschlußflächen (5, 6; 5A, 6A; 25A), die mit dem Interdigitalwandler (2) elektrisch verbunden sind;
- B) Bilden von Höckern (11) auf den jeweiligen Elektrodenanschlußflächen (5, 6; 5A, 6A; 25A); und
- C) Vorsehen eines isolierenden Films (12; 31) in ei ner Region, die sich von einer Region, in der die Höcker gebildet sind, unterscheidet.
2. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß Anspruch 1, bei dem der Schritt
C) die folgenden Schritte umfaßt:
Bilden eines isolierenden Films auf einer gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats; und
Entfernen eines Abschnitts des isolierenden Films zu mindest auf den Höckern (11).
Bilden eines isolierenden Films auf einer gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats; und
Entfernen eines Abschnitts des isolierenden Films zu mindest auf den Höckern (11).
3. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß Anspruch 2, das ferner den Schritt
des Ätzens einer Oberfläche der Elektroden nach dem
Schritt C) umfaßt.
4. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei
dem der Schritt A) den Schritt des Bildens einer
Kurzschlußverdrahtung (7) zum Kurzschließen einer
Signalanschlußseite mit einer Masseanschlußseite des
zumindest einen Interdigitalwandlers (2) umfaßt, wobei
das Verfahren ferner einen Schritt des Schneidens der
Kurzschlußverdrahtung (7) zwischen dem Schritt B) und
dem Schritt C) umfaßt.
5. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, das
ferner zwischen dem Schritt A) und dem Schritt B)
folgende Schritte umfaßt:
Bilden eines leitfähigen Films auf der Rückoberfläche des piezoelektrischen Substrats, das der Seite gegen über liegt, auf der der Interdigitalwandler gebildet ist; und
Kurzschließen der Elektroden auf der Vorderoberfläche des piezoelektrischen Substrats mit dem leitfähigen Film auf der Rückoberfläche.
Bilden eines leitfähigen Films auf der Rückoberfläche des piezoelektrischen Substrats, das der Seite gegen über liegt, auf der der Interdigitalwandler gebildet ist; und
Kurzschließen der Elektroden auf der Vorderoberfläche des piezoelektrischen Substrats mit dem leitfähigen Film auf der Rückoberfläche.
6. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß Anspruch 5, bei dem in dem Schritt
A) eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern und eine
Mehrzahl von Elektrodenanschlußflächen, die elektrisch
mit dem Interdigitalwandler verbunden sind, auf dem
piezoelektrischen Substrat gebildet werden, um eine
Filterschaltung zu bilden, wobei eine leitfähige
Struktur, die die Filterschaltung im wesentlichen um
gibt, auf dem piezoelektrischen Substrat gebildet
wird.
7. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei
dem die Höcker (11) aus dem gleichen Material herge
stellt sind wie die Metallanschlußflächen, die die Hö
cker (11) aufnehmen.
8. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei
dem eine Dicke des isolierenden Films (12) der in dem
Schritt C) gebildet ist, ausgewählt wird, um eine
Frequenz des Oberflächenwellenbauelements (13) einzu
stellen.
9. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß Anspruch 1, bei dem der Schritt
C) folgende Schritte umfaßt:
Bilden eines isolierenden Films auf einer gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, und
Reduzieren einer Dicke des isolierenden Films um eine Frequenz des Oberflächenwellenbauelements einzustel len.
Bilden eines isolierenden Films auf einer gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, und
Reduzieren einer Dicke des isolierenden Films um eine Frequenz des Oberflächenwellenbauelements einzustel len.
10. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements gemäß Anspruch 8, das ferner vor dem Schritt
des Einstellens der Frequenz des Oberflächenwellenbau
elements einen Schritt des Messens der Frequenz des
Oberflächenwellenbauelements umfaßt.
11. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem
das piezoelektrische Substrat im wesentlichen recht
winklig plattenförmig ist und aus piezoelektrischer
Keramik hergestellt ist.
12. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem
der zumindest eine Interdigitalwandler ein Paar inter
digitaler Elektroden und Reflektoren umfaßt, die auf
beiden Seiten des Interdigitalwandlers angeordnet
sind.
13. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements gemäß Anspruch 12, bei dem eine Kurzschluß
verdrahtung die Elektrodenanschlußflächen mit den Re
flektoren verbindet.
14. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, das fer
ner einen Schritt des Bildens von Verdrahtungselektrö
den umfaßt, um die Elektrodenanschlußflächen mit zu
mindest einem IDT zu verbinden.
15. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, das
ferner einen Schritt des Entfernens eines Abschnitts
des isolierenden Films über entweder einen Naßätzpro
zeß oder einen Trockenätzprozeß umfaßt.
16. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, das fer
ner einen Schritt des Erwärmens des Photolackfilms um
faßt.
17. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, das
ferner einen zweiten, elektrisch leitfähigen Film auf
der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Sub
strats umfaßt.
18. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17, das
ferner einen Schritt des Bildens von Sammelschienen,
Eingang-Ausgang-Anschlußflächen und Verdrahtungselekt
roden umfaßt.
19. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements gemäß Anspruch 18, bei dem jede der Sammel
schienen, der Eingangs-Ausgangs-Anschlußflächen und
der Verdrahtungselektroden eine 2-Schicht-Struktur
aufweist.
20. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 19, bei
dem jede der Elektrodenanschlußflächen eine 2-Schicht-
Struktur aufweist.
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