JP2001285013A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性表面波装置において、金属合金からなる
ＩＤＴ電極の腐食を防止し、ワイヤボンディングにおけ
る接合性を向上させること。 【解決手段】 圧電基板１の主面に、弾性表面波を発生
させるための励振電極２と、励振電極２に接続される複
数の引き出し電極３とを形成し、励振電極２と引き出し
電極３を絶縁性の保護膜５で覆ってなり、保護膜５は各
引き出し電極の一端部を露出させる状態で覆うととも
に、各引き出し電極の露出部と保護膜５の一部とを電極
パッド６で覆い、かつ電極パッド６を導電性接続体４を
介して外部回路に接続する弾性表面波装置とした。
ＩＤＴ電極の腐食を防止し、ワイヤボンディングにおけ
る接合性を向上させること。 【解決手段】 圧電基板１の主面に、弾性表面波を発生
させるための励振電極２と、励振電極２に接続される複
数の引き出し電極３とを形成し、励振電極２と引き出し
電極３を絶縁性の保護膜５で覆ってなり、保護膜５は各
引き出し電極の一端部を露出させる状態で覆うととも
に、各引き出し電極の露出部と保護膜５の一部とを電極
パッド６で覆い、かつ電極パッド６を導電性接続体４を
介して外部回路に接続する弾性表面波装置とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば携帯電話や
自動車電話の移動体無線機器等に内蔵される共振器や周
波数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
自動車電話の移動体無線機器等に内蔵される共振器や周
波数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave、以下ＳＡＷと略す）装置の素子部における模式的
な平面図を図５、図７、および図９に示し、それぞれの
電極パッド部Ｂを拡大した断面図を図６、図８、および
図１０に示す。また、それらの弾性表面波装置の模式的
な断面構造を図１１および図１２に示す。なお、同様な
部材には同一符号を付し説明を省略する。
ave、以下ＳＡＷと略す）装置の素子部における模式的
な平面図を図５、図７、および図９に示し、それぞれの
電極パッド部Ｂを拡大した断面図を図６、図８、および
図１０に示す。また、それらの弾性表面波装置の模式的
な断面構造を図１１および図１２に示す。なお、同様な
部材には同一符号を付し説明を省略する。
【０００３】図５に示すＳＡＷ装置Ｊ１において、５１
は圧電基板、５２は入出力電極のパッド、５３は接地電
極のパッド、５４は圧電基板５１上に形成された櫛歯状
のＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極と呼ばれる
励振電極、５５は電極パッド５２，５３を接続するワイ
ヤ、５６はＩＤＴ電極５４の保護膜である。同図の構成
では、電極パッド５２，５３およびＩＤＴ電極５４を一
般的にはＡｌ−Ｃｕ合金膜で形成し、電極パッド５２，
５３をＡｕから成るワイヤ５５により電気的に接続して
いる。そして、図６に示すように、電極パッド５２を構
成するＡｌ−Ｃｕ合金膜の表面は露出している。
は圧電基板、５２は入出力電極のパッド、５３は接地電
極のパッド、５４は圧電基板５１上に形成された櫛歯状
のＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極と呼ばれる
励振電極、５５は電極パッド５２，５３を接続するワイ
ヤ、５６はＩＤＴ電極５４の保護膜である。同図の構成
では、電極パッド５２，５３およびＩＤＴ電極５４を一
般的にはＡｌ−Ｃｕ合金膜で形成し、電極パッド５２，
５３をＡｕから成るワイヤ５５により電気的に接続して
いる。そして、図６に示すように、電極パッド５２を構
成するＡｌ−Ｃｕ合金膜の表面は露出している。
【０００４】そして、図１１に示すＳＡＷ装置Ｋ１のよ
うに、上記パッド電極５２はワイヤ５５を介してパッケ
ージ表面に形成された外部の駆動回路、共振回路、接地
回路等に接続される。さらに、蓋体５８をシーム溶接等
によりパッケージ５９上から封止して気密を保持してい
た。
うに、上記パッド電極５２はワイヤ５５を介してパッケ
ージ表面に形成された外部の駆動回路、共振回路、接地
回路等に接続される。さらに、蓋体５８をシーム溶接等
によりパッケージ５９上から封止して気密を保持してい
た。
【０００５】また、図７，図８に示すように、電極パッ
ド５２とワイヤ５５とがＡｌから成る接続層６０を介し
て接続されたＳＡＷ装置Ｊ２も知られているが、上記と
同様に電極パッド５２の一部が露出する。なお、この場
合も図１１に示すような断面構造となる。
ド５２とワイヤ５５とがＡｌから成る接続層６０を介し
て接続されたＳＡＷ装置Ｊ２も知られているが、上記と
同様に電極パッド５２の一部が露出する。なお、この場
合も図１１に示すような断面構造となる。
【０００６】図９，図１０に示すＳＡＷ装置Ｊ３のよう
に、上記ワイヤの代わりにＡｕから成るバンプ６２を用
いる構造も知られている。
に、上記ワイヤの代わりにＡｕから成るバンプ６２を用
いる構造も知られている。
【０００７】上記の場合、図１２に示す断面構造のＳＡ
Ｗ装置Ｋ２となり、フェースダウン構造でフリップチッ
プ実装され、パッケージ内に収容される。ここで、バン
プ６２は、Ａｕ等の金属のワイヤをボールボンディング
法により得られる。そして、バンプ６２を設けた圧電基
板を、バンプ６２とパッド６１とを位置合わせされて、
導電性接着剤の塗布やはんだのリフロー溶融法により接
続するか、超音波熱圧着法により接続してパッケージ基
体６３上に固定される。
Ｗ装置Ｋ２となり、フェースダウン構造でフリップチッ
プ実装され、パッケージ内に収容される。ここで、バン
プ６２は、Ａｕ等の金属のワイヤをボールボンディング
法により得られる。そして、バンプ６２を設けた圧電基
板を、バンプ６２とパッド６１とを位置合わせされて、
導電性接着剤の塗布やはんだのリフロー溶融法により接
続するか、超音波熱圧着法により接続してパッケージ基
体６３上に固定される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来例に
おいて、Ａｌ−Ｃｕ合金から成る電極パッドは、表面に
露出した構造となっている。このために、Ａｌ−Ｃｕ合
金を用いる場合、局部電池効果による腐食、ドライエッ
チング工程における残留Ｃｌと水処理による腐食が発生
しやすく、特にダイシング工程等の水を使用する工程で
Ａｌ−Ｃｕ電極パッドの腐食が発生しやすいという問題
があった。
おいて、Ａｌ−Ｃｕ合金から成る電極パッドは、表面に
露出した構造となっている。このために、Ａｌ−Ｃｕ合
金を用いる場合、局部電池効果による腐食、ドライエッ
チング工程における残留Ｃｌと水処理による腐食が発生
しやすく、特にダイシング工程等の水を使用する工程で
Ａｌ−Ｃｕ電極パッドの腐食が発生しやすいという問題
があった。
【０００９】また、Ａｕワイヤまたはバンプへの接続に
Ａｌ−Ｃｕ合金の電極パッドを用いる場合、Ｃｕの添加
により、構造的に弱い結晶粒界にＣｕＡｌ2相を析出さ
せ、硬化させて耐電力性（エレクトロマイグレーション
の防止）を向上させている。ところが、Ｃｕ添加により
析出硬化、固溶硬化により膜が硬化するためワイヤボン
ディングにおけるボンダビリティが低下するという問題
があった。このような問題を避けるためにパッド部にＡ
ｕを使用すると、コスト面・加工面で非常に不利とな
る。
Ａｌ−Ｃｕ合金の電極パッドを用いる場合、Ｃｕの添加
により、構造的に弱い結晶粒界にＣｕＡｌ2相を析出さ
せ、硬化させて耐電力性（エレクトロマイグレーション
の防止）を向上させている。ところが、Ｃｕ添加により
析出硬化、固溶硬化により膜が硬化するためワイヤボン
ディングにおけるボンダビリティが低下するという問題
があった。このような問題を避けるためにパッド部にＡ
ｕを使用すると、コスト面・加工面で非常に不利とな
る。
【００１０】本発明は上記従来技術における問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、耐候性が高く、
工程上電極の腐食が発生せず、電気接続が容易な弾性表
面波装置上の電極構造を提供することにある。
みてなされたものであり、その目的は、耐候性が高く、
工程上電極の腐食が発生せず、電気接続が容易な弾性表
面波装置上の電極構造を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、圧電基板上に、弾性表面波を発生させるための励振
電極と、該励振電極に接続される複数の引き出し電極と
を形成し、前記励振電極と前記引き出し電極を絶縁性の
保護膜で覆ってなり、保護膜は前記各引き出し電極の一
部を露出させる状態で覆うとともに、前記各引き出し電
極の露出部と前記保護膜の一部とを電極パッドで覆い、
かつ前記電極パッドを導電性の接続体を介して外部回路
に接続するようにしたことを特徴とする。
は、圧電基板上に、弾性表面波を発生させるための励振
電極と、該励振電極に接続される複数の引き出し電極と
を形成し、前記励振電極と前記引き出し電極を絶縁性の
保護膜で覆ってなり、保護膜は前記各引き出し電極の一
部を露出させる状態で覆うとともに、前記各引き出し電
極の露出部と前記保護膜の一部とを電極パッドで覆い、
かつ前記電極パッドを導電性の接続体を介して外部回路
に接続するようにしたことを特徴とする。
【００１２】特に、電極パッドがＡｌで、かつ導電性接
続体がＡｕであることを特徴とし、さらに、保護膜と引
き出し電極の膜厚より電極パッドの膜厚が大きく、か
つ、電極パッドの膜厚が０．４μｍ以上２．０μｍ以下
の範囲であると好適である。
続体がＡｕであることを特徴とし、さらに、保護膜と引
き出し電極の膜厚より電極パッドの膜厚が大きく、か
つ、電極パッドの膜厚が０．４μｍ以上２．０μｍ以下
の範囲であると好適である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる弾性表面波
装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１４】図１，図３に本発明のＳＡＷ装置の素子部
における平面図を示し、図２，図４に図１，図３におけ
るＡ−Ａ線におけるパッド部Ｂの拡大断面図を示す。な
お、図１〜４で、同一部材、個所には同一符号を付し説
明を省略する。
における平面図を示し、図２，図４に図１，図３におけ
るＡ−Ａ線におけるパッド部Ｂの拡大断面図を示す。な
お、図１〜４で、同一部材、個所には同一符号を付し説
明を省略する。
【００１５】図１，図２に示すように、ＳＡＷ装置Ｓ１
は、圧電基板１の主面に、弾性表面波を発生させるため
の励振電極であるＩＤＴ電極２と、ＩＤＴ電極２に接続
される複数の引き出し電極３とを形成し、ＩＤＴ電極２
と引き出し電極３を絶縁性の保護膜５で覆ってなり、保
護膜５は各引き出し電極の一端部を露出させる状態で覆
うとともに、各引き出し電極の露出部と保護膜５の一部
とをＡｌから成る電極パッド６で覆い、かつ電極パッド
６を導電性接続体であるＡｕワイヤ４を介して外部回路
に接続するようにしたものである。
は、圧電基板１の主面に、弾性表面波を発生させるため
の励振電極であるＩＤＴ電極２と、ＩＤＴ電極２に接続
される複数の引き出し電極３とを形成し、ＩＤＴ電極２
と引き出し電極３を絶縁性の保護膜５で覆ってなり、保
護膜５は各引き出し電極の一端部を露出させる状態で覆
うとともに、各引き出し電極の露出部と保護膜５の一部
とをＡｌから成る電極パッド６で覆い、かつ電極パッド
６を導電性接続体であるＡｕワイヤ４を介して外部回路
に接続するようにしたものである。
【００１６】ここで、ＳＡＷ装置Ｓ１は、互いに噛み合
うように形成された少なくとも一対の櫛歯状電極のＩＤ
Ｔ電極２を設けることにより作製する。ＩＤＴ電極２
は、所望の特性を得るために、複数対の櫛歯状電極を、
直列接続、並列接続等の方式で接続して構成してもよ
い。
うように形成された少なくとも一対の櫛歯状電極のＩＤ
Ｔ電極２を設けることにより作製する。ＩＤＴ電極２
は、所望の特性を得るために、複数対の櫛歯状電極を、
直列接続、並列接続等の方式で接続して構成してもよ
い。
【００１７】また、ＩＤＴ電極２はスパッタリング法、
蒸着法またはＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
次にフォトリソグラフィ法によりパターニングされ所定
の形状となる。ＩＤＴ電極２の保護膜５としては、ＣＶ
Ｄ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成されたＳｉ
Ｏ2膜、ＳｉＮ膜、Ｓｉ膜等が用いられる。Ａｌからな
る電極パッド６は、蒸着法またはスパッタリング法等の
薄膜形成法により形成する。電極パッド６の所定の形状
を得るには、リフトオフ法、フォトリソグラフィ法また
はメタルマスクを用いた薄膜形成法等が用いられる。
蒸着法またはＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
次にフォトリソグラフィ法によりパターニングされ所定
の形状となる。ＩＤＴ電極２の保護膜５としては、ＣＶ
Ｄ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成されたＳｉ
Ｏ2膜、ＳｉＮ膜、Ｓｉ膜等が用いられる。Ａｌからな
る電極パッド６は、蒸着法またはスパッタリング法等の
薄膜形成法により形成する。電極パッド６の所定の形状
を得るには、リフトオフ法、フォトリソグラフィ法また
はメタルマスクを用いた薄膜形成法等が用いられる。
【００１８】図３及び図４に示すＳＡＷ装置Ｓ２は、図
１，図２の変形例であり、フリップチップ実装に好適な
構造をなすものである。すなわち、電極パッド６上に、
ワイヤボンディング法等で導電性接続体であるＡｕバン
プ７を形成したものであり、これによってもＳＡＷ装置
Ｓ１と同様な効果を期待することができる。
１，図２の変形例であり、フリップチップ実装に好適な
構造をなすものである。すなわち、電極パッド６上に、
ワイヤボンディング法等で導電性接続体であるＡｕバン
プ７を形成したものであり、これによってもＳＡＷ装置
Ｓ１と同様な効果を期待することができる。
【００１９】ＳＡＷ装置Ｓ１，Ｓ２によれば、保護膜で
カバーした金属表面が露出していない構造を取り、電極
パッドとしてＡｌ膜を用いたことにより、従来のように
金属表面が露出した構造である場合と比較して、電極の
腐食が発生しにくく、ワイヤやバンプのボンディング性
を良好とすることができる。
カバーした金属表面が露出していない構造を取り、電極
パッドとしてＡｌ膜を用いたことにより、従来のように
金属表面が露出した構造である場合と比較して、電極の
腐食が発生しにくく、ワイヤやバンプのボンディング性
を良好とすることができる。
【００２０】図１３に電極パッド膜厚と接合強度を示す
ボールシェア強度の関係のグラフを示す。一般にワイヤ
ボンディング実装およびフリップチップ実装の場合、パ
ッド部の接続信頼性からパッド上に形成したボールまた
はバンプのボールシェア強度は、０．５Ｎ以上必要であ
る。
ボールシェア強度の関係のグラフを示す。一般にワイヤ
ボンディング実装およびフリップチップ実装の場合、パ
ッド部の接続信頼性からパッド上に形成したボールまた
はバンプのボールシェア強度は、０．５Ｎ以上必要であ
る。
【００２１】そこで、引き出し電極に電極パッドを接続
し、膜厚の異なるパッドＡｌ膜上にワイヤボンディング
法でＡｕボールを形成して、そのボールシェア強度を測
定した。
し、膜厚の異なるパッドＡｌ膜上にワイヤボンディング
法でＡｕボールを形成して、そのボールシェア強度を測
定した。
【００２２】その結果、Ａｌ膜厚０．４μｍ以上でボー
ルシェア強度５０ｇｆ以上が得られた。また、上限値
２．０μｍ以上では成膜時間が増大し、コストアップに
なることから、電極パッドの膜厚の好適な範囲は、０．
４μｍ以上２．０μｍ以下であり、保護膜５と引き出し
電極３の膜厚より厚くしている。
ルシェア強度５０ｇｆ以上が得られた。また、上限値
２．０μｍ以上では成膜時間が増大し、コストアップに
なることから、電極パッドの膜厚の好適な範囲は、０．
４μｍ以上２．０μｍ以下であり、保護膜５と引き出し
電極３の膜厚より厚くしている。
【００２３】このような電極パッド上に形成したＡｕボ
ールまたはバンプの具体的な接合面積は、３０μｍ×３
０μｍ以上で十分な強度が保たれることを確認した。
ールまたはバンプの具体的な接合面積は、３０μｍ×３
０μｍ以上で十分な強度が保たれることを確認した。
【００２４】本発明において、ＩＤＴ電極２は一般的に
はＡｌ−Ｃｕ系のＡｌ合金からなるが、Ｃｕ以外にＴ
ｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｂ等を含むＡｌ合金でも構わない。ま
た、それらの合金の積層電極された構造でも適応可能で
ある。
はＡｌ−Ｃｕ系のＡｌ合金からなるが、Ｃｕ以外にＴ
ｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｂ等を含むＡｌ合金でも構わない。ま
た、それらの合金の積層電極された構造でも適応可能で
ある。
【００２５】そして、ＩＤＴ電極３の対数は５０〜２０
０程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極
指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅
は１０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ電極３の厚みは０．２〜
０．４μｍ程度とすることが、共振器あるいはフィルタ
としての所期の特性を得るうえで好適である。
０程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極
指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅
は１０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ電極３の厚みは０．２〜
０．４μｍ程度とすることが、共振器あるいはフィルタ
としての所期の特性を得るうえで好適である。
【００２６】また、ＩＤＴ電極３のＳＡＷ伝搬路の両端
に、ＳＡＷを反射し効率よく共振させるための反射器を
設けてもよい。
に、ＳＡＷを反射し効率よく共振させるための反射器を
設けてもよい。
【００２７】ＳＡＷ装置Ｓ１、Ｓ２用の圧電基板として
は、３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３単結晶、６
４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ３単結晶、４５°Ｘ
カット−Ｚ伝搬のＬｉＢ４Ｏ７単結晶は電気機械結合係
数が大きく且つ群遅延時間温度係数が小さいため好まし
い。圧電基板の厚みは０．３〜０．５mm程度がよく、
０．３ｍｍ未満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超
では材料コストが大きくなる。
は、３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３単結晶、６
４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ３単結晶、４５°Ｘ
カット−Ｚ伝搬のＬｉＢ４Ｏ７単結晶は電気機械結合係
数が大きく且つ群遅延時間温度係数が小さいため好まし
い。圧電基板の厚みは０．３〜０．５mm程度がよく、
０．３ｍｍ未満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超
では材料コストが大きくなる。
【００２８】かくして、本発明によれば、ＳＡＷ装置の
ＩＤＴ電極の腐食を完全に阻止でき、ボンディング性が
良好で低コストで製造が可能となる。
ＩＤＴ電極の腐食を完全に阻止でき、ボンディング性が
良好で低コストで製造が可能となる。
【００２９】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
【００３０】
【実施例】以下に、本発明をより具体化した実施例につ
いて、図１，図２に基づき説明する。
いて、図１，図２に基づき説明する。
【００３１】まず、ＳＡＷ装置Ｓ１用の圧電基板として
３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３単結晶を用意し
た。なお、チップサイズは０．９ｍｍ×１．５ｍｍとし
た。
３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３単結晶を用意し
た。なお、チップサイズは０．９ｍｍ×１．５ｍｍとし
た。
【００３２】次に、ＤＣスパッタリング法により、Ａｌ
−Ｃｕ合金からなるＩＤＴ電極３を形成した後、フォト
リソグラフィ法で所定のＩＤＴ電極パターンを形成し
た。そして、Ｐ−ＣＶＤ法により保護膜６としてＳｉＯ
2膜をＩＤＴ電極２の全面を覆うように形成した。続い
て、保護膜５上にフォトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィ法で電極パッド６部の窓あけを実施した後、フ
ォトレジストをそのまま用い、蒸着法でＡｌを電極パッ
ド６として形成した。リフトオフ法により所定の電極パ
ッド６の形状が最終的に得られた。最後に、ワイヤボン
ディング法によりＡｕワイヤ４を電極パッド６上に形成
した。
−Ｃｕ合金からなるＩＤＴ電極３を形成した後、フォト
リソグラフィ法で所定のＩＤＴ電極パターンを形成し
た。そして、Ｐ−ＣＶＤ法により保護膜６としてＳｉＯ
2膜をＩＤＴ電極２の全面を覆うように形成した。続い
て、保護膜５上にフォトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィ法で電極パッド６部の窓あけを実施した後、フ
ォトレジストをそのまま用い、蒸着法でＡｌを電極パッ
ド６として形成した。リフトオフ法により所定の電極パ
ッド６の形状が最終的に得られた。最後に、ワイヤボン
ディング法によりＡｕワイヤ４を電極パッド６上に形成
した。
【００３３】このような工程で作製したＳＡＷ装置の電
極パッド６上に形成したＡｕワイヤ４のボールシェア強
度は、０．５Ｎ以上の良好な値が得られた。また、Ａｌ
で形成した電極パッド６のマイクロビッカース硬度は約
７０であり、同一膜厚のＡｌ−Ｃｕ合金の１５０の場合
と比較して約半分程度の硬度となり、Ａｕボールやバン
プとの接合し易くなった。また、Ａｌ−Ｃｕ合金膜のＩ
ＤＴ電極とＡｌ電極パッドの組み合わせを用いることに
より、膜の硬度が低くワイヤボンディングにおけるボン
ディング性は良好な状態となった。
極パッド６上に形成したＡｕワイヤ４のボールシェア強
度は、０．５Ｎ以上の良好な値が得られた。また、Ａｌ
で形成した電極パッド６のマイクロビッカース硬度は約
７０であり、同一膜厚のＡｌ−Ｃｕ合金の１５０の場合
と比較して約半分程度の硬度となり、Ａｕボールやバン
プとの接合し易くなった。また、Ａｌ−Ｃｕ合金膜のＩ
ＤＴ電極とＡｌ電極パッドの組み合わせを用いることに
より、膜の硬度が低くワイヤボンディングにおけるボン
ディング性は良好な状態となった。
【００３４】後工程のダイシング工程においてもＡｌ−
Ｃｕ合金膜の表面が露出していないため、電極の腐食現
象は、全く発生しなかった。
Ｃｕ合金膜の表面が露出していないため、電極の腐食現
象は、全く発生しなかった。
【００３５】以上のように、保護膜でカバーしてＡｌ−
Ｃｕ合金表膜の表面が露出していない構造を取り、電極
パッドとしてＡｌ膜を用いたことにより、従来のように
Ａｌ−Ｃｕ合金膜の表面が露出した構造である場合と比
較して、電極の腐食が発生しにくく、ワイヤボンディン
グにおける接合性が良好な弾性表面波装置を得ることが
できた。
Ｃｕ合金表膜の表面が露出していない構造を取り、電極
パッドとしてＡｌ膜を用いたことにより、従来のように
Ａｌ−Ｃｕ合金膜の表面が露出した構造である場合と比
較して、電極の腐食が発生しにくく、ワイヤボンディン
グにおける接合性が良好な弾性表面波装置を得ることが
できた。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明の弾性表面波装置
によれば、金属かならる励振電極の引き出し電極を保護
膜で覆い、その引き出し電極の上に電極パッドを積層す
ることにより、励振電極が表面に露出していない構造と
し、また、電極パッドの硬度を低くするように特にＡｌ
膜とするので、ワイヤボンディングにおける接合性を向
上させることができる上に、励振電極の腐食を極力防止
することができ、信頼性の非常に優れた弾性表面波装置
を提供できる。
によれば、金属かならる励振電極の引き出し電極を保護
膜で覆い、その引き出し電極の上に電極パッドを積層す
ることにより、励振電極が表面に露出していない構造と
し、また、電極パッドの硬度を低くするように特にＡｌ
膜とするので、ワイヤボンディングにおける接合性を向
上させることができる上に、励振電極の腐食を極力防止
することができ、信頼性の非常に優れた弾性表面波装置
を提供できる。
【図１】本発明に係る弾性表面波装置の一例を示す平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線におけるパッド部Ｂの拡大断面
図である。
図である。
【図３】本発明に係る弾性表面波装置の一例を示す平面
図である。
図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線におけるパッド部Ｂの拡大断面
図である。
図である。
【図５】従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図６】図５のＡ−Ａ線におけるパッド部Ｂの拡大断面
図である。
図である。
【図７】従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図８】図７のＡ−Ａ線におけるパッド部Ｂの拡大断面
図である。
図である。
【図９】従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図１０】図９のＡ−Ａ線におけるパッド部Ｂの拡大断
面図である。
面図である。
【図１１】従来の弾性表面波装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１２】従来の弾性表面波装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１３】電極パッド膜厚と接合強度の関係を示す線図
である。
である。
１ ：圧電基板 ２ ：ＩＤＴ電極 ３ ：引き出し電極 ４ ：Ａｕワイヤ（導電性接続体） ５ ：保護膜 ６ ：電極パッド ７ ：バンプ（導電性接続体） ５１：圧電基板 ５２：引き出し電極 ５３：ＧＮＤのパッド膜 ５４：ＩＤＴ電極 ５５：Ａｕワイヤ ５６：保護膜 ５７：パッケージ ５８：蓋体 ５９：パッケージのパッド膜 ６０：Ａｌパッド膜 ６１：圧電基板 ６２：バンプ ６３：パッド膜 ６４：基板の電極パッド ６５：ＩＤＴ電極 ６６：蓋体 ６７：基板 Ｓ１〜Ｓ７：ＳＡＷ装置 Ｊ１〜Ｊ２：ＳＡＷ装置
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板上に、弾性表面波を発生させ
るための励振電極と、該励振電極に接続される複数の引
き出し電極とを形成し、前記励振電極と前記引き出し電
極を絶縁性の保護膜で覆ってなる弾性表面波装置であっ
て、前記保護膜は前記各引き出し電極の一部を露出させ
る状態で覆うとともに、前記各引き出し電極の露出部と
前記保護膜の一部とを電極パッドで覆い、かつ前記電極
パッドを導電性接続体を介して外部回路に接続するよう
にしたことを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000096541A JP2001285013A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000096541A JP2001285013A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001285013A true JP2001285013A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18611294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000096541A Pending JP2001285013A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001285013A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100467180B1 (ko) * | 2001-10-17 | 2005-01-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 |
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-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000096541A patent/JP2001285013A/ja active Pending
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