JP3302289B2 - プラズマディスプレイパネルの電極及びその形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの電極及びその形成方法Info
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラープラズマデ
ィスプレイパネル(Color Plasma Display Pannel；以
下、カラーＰＤＰという)のガラス基板に高密着力を有
する電極を形成するようにしたＰＤＰの電極及びその形
成方法に関するものである。
ィスプレイパネル(Color Plasma Display Pannel；以
下、カラーＰＤＰという)のガラス基板に高密着力を有
する電極を形成するようにしたＰＤＰの電極及びその形
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＰＤＰは下記の通りである。
【０００３】図１は、一般的なＰＤＰの断面構造を示す
図面である。
図面である。
【０００４】まず、一般的なＰＤＰは、図１に示すよう
に、前面ガラス基板１の同一面上に一対の上部電極４を
形成し、前記上部電極４上に誘電層２を印刷技法で形成
し、前記上部電極４上に形成された誘電層２上に保護層
３を蒸着方式で形成した上部構造と、背面ガラス基板１
１上に下部電極１２を形成し、前記下部電極１２間に隣
接するセルとのクロストーク(crosstalk)現象を防止す
るために隔壁６を形成し、前記隔壁６と下部電極１２の
まわりに蛍光体８、９、１０を形成した下部構造とで構
成され、前記上部構造と下部構造との間の空間に不活性
ガスを封入して放電領域５を有するように構成される。
に、前面ガラス基板１の同一面上に一対の上部電極４を
形成し、前記上部電極４上に誘電層２を印刷技法で形成
し、前記上部電極４上に形成された誘電層２上に保護層
３を蒸着方式で形成した上部構造と、背面ガラス基板１
１上に下部電極１２を形成し、前記下部電極１２間に隣
接するセルとのクロストーク(crosstalk)現象を防止す
るために隔壁６を形成し、前記隔壁６と下部電極１２の
まわりに蛍光体８、９、１０を形成した下部構造とで構
成され、前記上部構造と下部構造との間の空間に不活性
ガスを封入して放電領域５を有するように構成される。
【０００５】以下、上記のように構成された一般的なＰ
ＤＰの動作について説明する。
ＤＰの動作について説明する。
【０００６】図１に示すように、一対の上部電極４の相
互間に駆動電圧を印加するようになると、誘電層２と保
護層３の表面の放電領域５から面放電が生じて紫外線７
が発生する。前記発生した紫外線７により蛍光体８、
９、１０を励起させ、前記発光された蛍光体８、９、１
０によりカラー表示が成される。即ち、放電セル(cell)
の内部に存する空間電荷(space charge)が、印加された
駆動電圧により、陰極（−）に加速しながら、前記放電
セル内に４００〜５００Ｔｏｒｒ程度の圧力に埋められ
た不活性混合ガス、つまりヘリウム（Ｈｅ）を主成分と
してキセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）ガス等を添加し
たペニング(penning)混合ガスと衝突することで、前記
不活性ガスが励起されながら１４７ｎｍの紫外線７が発
生する。前記紫外線７が下部電極１２と隔壁６の周囲を
囲んでいる蛍光体８、９、１０と衝突して可視光線領域
に発光される。
互間に駆動電圧を印加するようになると、誘電層２と保
護層３の表面の放電領域５から面放電が生じて紫外線７
が発生する。前記発生した紫外線７により蛍光体８、
９、１０を励起させ、前記発光された蛍光体８、９、１
０によりカラー表示が成される。即ち、放電セル(cell)
の内部に存する空間電荷(space charge)が、印加された
駆動電圧により、陰極（−）に加速しながら、前記放電
セル内に４００〜５００Ｔｏｒｒ程度の圧力に埋められ
た不活性混合ガス、つまりヘリウム（Ｈｅ）を主成分と
してキセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）ガス等を添加し
たペニング(penning)混合ガスと衝突することで、前記
不活性ガスが励起されながら１４７ｎｍの紫外線７が発
生する。前記紫外線７が下部電極１２と隔壁６の周囲を
囲んでいる蛍光体８、９、１０と衝突して可視光線領域
に発光される。
【０００７】以下、添付図面に基づき従来の技術のＰＤ
Ｐの電極及びその形成方法について説明する。
Ｐの電極及びその形成方法について説明する。
【０００８】図２は、従来の技術によるＰＤＰの上部と
下部基板を示す断面図である。
下部基板を示す断面図である。
【０００９】まず、従来の技術によるＰＤＰの電極の含
まれた上部基板は、図２（ａ）に示すように、背面ガラ
ス基板（誘電体）１１上に電極用としてニッケル（Ｎ
ｉ）又はアルミニウム（Ａｌ）３０のような金属電導体
を印刷技法で蒸着して形成し、下部基板は、図２（ｂ）
に示すように、前面ガラス基板（誘電体）１の内部に電
極用として銅（Ｃｕ）３５を形成する。
まれた上部基板は、図２（ａ）に示すように、背面ガラ
ス基板（誘電体）１１上に電極用としてニッケル（Ｎ
ｉ）又はアルミニウム（Ａｌ）３０のような金属電導体
を印刷技法で蒸着して形成し、下部基板は、図２（ｂ）
に示すように、前面ガラス基板（誘電体）１の内部に電
極用として銅（Ｃｕ）３５を形成する。
【００１０】この際、前記銅３５及びニッケル又はアル
ミニウム３０は、前記ガラスとの界面結合力が非常に弱
いため、これを向上させる目的として、ガラスと銅３５
及びニッケルやアルミニウム３０の間にクロム（Ｃｒ）
４０を形成して、結合を保持するようにする。
ミニウム３０は、前記ガラスとの界面結合力が非常に弱
いため、これを向上させる目的として、ガラスと銅３５
及びニッケルやアルミニウム３０の間にクロム（Ｃｒ）
４０を形成して、結合を保持するようにする。
【００１１】上記に対する工程を説明すれば、図２
（ｂ）に示すように、ＰＤＰの前面ガラス基板１上に界
面結合力を高めるためにクロム（Ｃｒ）薄膜４０をスパ
ッタリング(sputtering)技法で形成した後、その上に電
極用銅３５を形成する。再度その上に界面結合力を高め
るためにクロム（Ｃｒ）薄膜４０を同じ技法で形成した
後、再びガラスを熱処理技法で覆うことにより、工程を
終結する。
（ｂ）に示すように、ＰＤＰの前面ガラス基板１上に界
面結合力を高めるためにクロム（Ｃｒ）薄膜４０をスパ
ッタリング(sputtering)技法で形成した後、その上に電
極用銅３５を形成する。再度その上に界面結合力を高め
るためにクロム（Ｃｒ）薄膜４０を同じ技法で形成した
後、再びガラスを熱処理技法で覆うことにより、工程を
終結する。
【００１２】そして、前記ガラス基板の代わりに、誘電
体の場合も同様である。このような工程により、図２
（ａ）に示す背面ガラス基板１１上の電極も同一に成さ
れる。
体の場合も同様である。このような工程により、図２
（ａ）に示す背面ガラス基板１１上の電極も同一に成さ
れる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
技術のＰＤＰの電極及びその形成方法は、次のような問
題点があった。
技術のＰＤＰの電極及びその形成方法は、次のような問
題点があった。
【００１４】界面結合力を高めるためのクロムは、純粋
金属であるため、ガラスと結合力が弱くて、そのガラス
を高温で処理する場合に膨張率が大きく異なるため、ガ
ラスとクロムの接触面で界面クラック(crack)や気泡が
発生される。そのため、ＰＤＰの放電が不完全になり、
ＰＤＰの寿命が短くなる問題点があった。
金属であるため、ガラスと結合力が弱くて、そのガラス
を高温で処理する場合に膨張率が大きく異なるため、ガ
ラスとクロムの接触面で界面クラック(crack)や気泡が
発生される。そのため、ＰＤＰの放電が不完全になり、
ＰＤＰの寿命が短くなる問題点があった。
【００１５】また、銅とクロム、つまり電極と界面接着
剤の結合状態が二重金属を示すため、スパッタリングの
ターゲットを交換しなければならない等、形成工程が複
雑であるという問題点があった。
剤の結合状態が二重金属を示すため、スパッタリングの
ターゲットを交換しなければならない等、形成工程が複
雑であるという問題点があった。
【００１６】本発明は、上記問題点を解決するために成
されたもので、ガラス基板に高密着力を有する電極を形
成してＰＤＰの放電状態と寿命を向上させるＰＤＰの電
極及びその形成方法を提供することにその目的がある。
されたもので、ガラス基板に高密着力を有する電極を形
成してＰＤＰの放電状態と寿命を向上させるＰＤＰの電
極及びその形成方法を提供することにその目的がある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、誘電体上に金属電極が形成されたＰＤＰ
において、前記誘電体又はガラス基板と金属電極間に形
成される金属セラミック薄膜を含んで成されるＰＤＰの
電極と、誘電体と金属電極を形成するＰＤＰの電極形成
方法において、前記誘電体上の所定の領域に金属セラミ
ック薄膜を形成する工程と、前記金属セラミック薄膜上
にこのセラミック薄膜と同じ金属の元素を有する電極を
形成する工程とを含んで成されるＰＤＰの電極形成方法
とを提供する特徴がある。
めの本発明は、誘電体上に金属電極が形成されたＰＤＰ
において、前記誘電体又はガラス基板と金属電極間に形
成される金属セラミック薄膜を含んで成されるＰＤＰの
電極と、誘電体と金属電極を形成するＰＤＰの電極形成
方法において、前記誘電体上の所定の領域に金属セラミ
ック薄膜を形成する工程と、前記金属セラミック薄膜上
にこのセラミック薄膜と同じ金属の元素を有する電極を
形成する工程とを含んで成されるＰＤＰの電極形成方法
とを提供する特徴がある。
【００１８】本発明のプラズマディスプレイパネルの電
極は、誘電体又はガラス基板上に金属電極が形成された
プラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体又は
ガラス基板と金属電極間に形成される金属セラミック薄
膜を含んで成されており、そのことにより上記目的が達
成される。
極は、誘電体又はガラス基板上に金属電極が形成された
プラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体又は
ガラス基板と金属電極間に形成される金属セラミック薄
膜を含んで成されており、そのことにより上記目的が達
成される。
【００１９】好ましくは、前記金属セラミック薄膜は、
前記金属電極と同じ金属の元素を含む化合物で形成され
る。
前記金属電極と同じ金属の元素を含む化合物で形成され
る。
【００２０】さらに好ましくは、前記金属セラミック薄
膜は、金属電極と酸化反応により形成された金属酸化物
セラミック薄膜、又は金属電極と窒化反応により形成さ
れた金属窒化物セラミック薄膜であるこ。
膜は、金属電極と酸化反応により形成された金属酸化物
セラミック薄膜、又は金属電極と窒化反応により形成さ
れた金属窒化物セラミック薄膜であるこ。
【００２１】ある実施形態では、前記金属電極は、銅
（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）である。
（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）である。
【００２２】本発明のプラズマディスプレイパネルの電
極は、第１誘電体内に第１金属電極が形成され、第２誘
電体上に第２金属電極が形成されたプラズマディスプレ
イパネルにおいて、前記第２誘電体と第２金属電極間に
第２金属と同じ元素のセラミック薄膜が形成された上部
基板と、前記第１誘電体内の第１金属電極の両面に第１
金属と同じ元素のセラミック薄膜が形成された下部基板
とを含んで成され、そのことにより上記目的が達成され
る。
極は、第１誘電体内に第１金属電極が形成され、第２誘
電体上に第２金属電極が形成されたプラズマディスプレ
イパネルにおいて、前記第２誘電体と第２金属電極間に
第２金属と同じ元素のセラミック薄膜が形成された上部
基板と、前記第１誘電体内の第１金属電極の両面に第１
金属と同じ元素のセラミック薄膜が形成された下部基板
とを含んで成され、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００２３】好ましくは、前記第１金属セラミック薄膜
及び第２金属セラミック薄膜は、それぞれ第１、第２金
属電極と同じ金属で酸化又は窒化反応させて形成する。
及び第２金属セラミック薄膜は、それぞれ第１、第２金
属電極と同じ金属で酸化又は窒化反応させて形成する。
【００２４】さらに好ましくは、前記第１、第２金属電
極は、それぞれ銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）で
ある。
極は、それぞれ銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）で
ある。
【００２５】本発明のプラズマディスプレイパネルの電
極形成方法は、誘電体と金属電極を形成するプラズマデ
ィスプレイパネルの電極形成方法において、該誘電体上
の所定の領域に金属セラミック薄膜を形成する工程と、
該金属セラミック薄膜上にこのセラミック薄膜と同じ金
属の元素を有する電極を形成する工程とを含んでおり、
そのことにより上記目的が達成される。
極形成方法は、誘電体と金属電極を形成するプラズマデ
ィスプレイパネルの電極形成方法において、該誘電体上
の所定の領域に金属セラミック薄膜を形成する工程と、
該金属セラミック薄膜上にこのセラミック薄膜と同じ金
属の元素を有する電極を形成する工程とを含んでおり、
そのことにより上記目的が達成される。
【００２６】好ましくは、前記電極と金属セラミック薄
膜は、同じ元素の金属ターゲットにてスパッタリングし
て形成される。
膜は、同じ元素の金属ターゲットにてスパッタリングし
て形成される。
【００２７】さらに好ましくは、前記金属セラミック薄
膜は、金属電極と一定の割合で混合されたアルゴンと窒
素又は酸素の反応性スパッタリング技法で形成された金
属窒化セラミック薄膜又は金属酸化セラミック薄膜であ
る。
膜は、金属電極と一定の割合で混合されたアルゴンと窒
素又は酸素の反応性スパッタリング技法で形成された金
属窒化セラミック薄膜又は金属酸化セラミック薄膜であ
る。
【００２８】ある実施形態では、前記電極は、銅（Ｃ
ｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）である。
ｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）である。
【００２９】他の実施形態では、前記金属セラミック薄
膜は、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）にアルゴン
（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）又はアルゴン（Ａｒ）と酸素
（Ｏ2）を選択的に反応させて形成する。
膜は、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）にアルゴン
（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）又はアルゴン（Ａｒ）と酸素
（Ｏ2）を選択的に反応させて形成する。
【００３０】さらに他の実施形態では、誘電体、金属セ
ラミック薄膜、金属電極が順次に形成された工程は、上
部基板を製造する工程である。
ラミック薄膜、金属電極が順次に形成された工程は、上
部基板を製造する工程である。
【００３１】本発明のプラズマディスプレイパネルの電
極形成方法は、誘電体と金属電極を形成するプラズマデ
ィスプレイパネルの電極形成方法において、該誘電体上
の所定の領域に金属セラミック薄膜を形成する工程と、
該金属セラミック薄膜上にこのセラミック薄膜と同じ金
属の元素を有する電極を形成する工程と、前記電極上に
同じ金属の元素を有するセラミック薄膜を形成し、再び
前記誘電体を電極を含んだ薄膜に覆う工程とを含んで成
され、そのことにより上記目的が達成される。
極形成方法は、誘電体と金属電極を形成するプラズマデ
ィスプレイパネルの電極形成方法において、該誘電体上
の所定の領域に金属セラミック薄膜を形成する工程と、
該金属セラミック薄膜上にこのセラミック薄膜と同じ金
属の元素を有する電極を形成する工程と、前記電極上に
同じ金属の元素を有するセラミック薄膜を形成し、再び
前記誘電体を電極を含んだ薄膜に覆う工程とを含んで成
され、そのことにより上記目的が達成される。
【００３２】好ましくは、前記電極と金属セラミック薄
膜は、同じ元素の金属ターゲットにてスパッタリングし
て形成される。
膜は、同じ元素の金属ターゲットにてスパッタリングし
て形成される。
【００３３】さらに好ましくは、前記金属セラミック薄
膜は、金属電極と一定の割合で混合されたアルゴンと窒
素又は酸素の反応性スパッタリング技法で形成された金
属窒化セラミック薄膜又は金属酸化セラミック薄膜であ
る。
膜は、金属電極と一定の割合で混合されたアルゴンと窒
素又は酸素の反応性スパッタリング技法で形成された金
属窒化セラミック薄膜又は金属酸化セラミック薄膜であ
る。
【００３４】ある実施形態では、前記電極は、銅（Ｃ
ｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）である。
ｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）である。
【００３５】他の実施形態では、前記金属セラミック薄
膜は、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）にアルゴン
（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）又はアルゴン（Ａｒ）と酸素
（Ｏ2）を選択的に反応させて形成する。
膜は、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）にアルゴン
（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）又はアルゴン（Ａｒ）と酸素
（Ｏ2）を選択的に反応させて形成する。
【００３６】さらに他の実施形態では、誘電体、金属セ
ラミック薄膜、金属電極、金属セラミック薄膜、誘電体
の順に形成された工程は、下部基板を製造する工程であ
る。
ラミック薄膜、金属電極、金属セラミック薄膜、誘電体
の順に形成された工程は、下部基板を製造する工程であ
る。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき本発明の
ＰＤＰの電極及びその形成方法について詳細に説明す
る。
ＰＤＰの電極及びその形成方法について詳細に説明す
る。
【００３８】図３は、本発明によるＰＤＰの上部と下部
基板に形成された電極断面を示す断面図である。
基板に形成された電極断面を示す断面図である。
【００３９】本発明による概念は、誘電体又はガラス基
板上に金属電極が形成されたＰＤＰにおいて、この誘電
体又はガラス基板と金属電極間に界面接着力を高めるた
めに同一な元素の金属セラミック薄膜を形成するもので
ある。
板上に金属電極が形成されたＰＤＰにおいて、この誘電
体又はガラス基板と金属電極間に界面接着力を高めるた
めに同一な元素の金属セラミック薄膜を形成するもので
ある。
【００４０】前記概念に基づいて実際に適用したＰＤＰ
電極は、図３に示すように、背面ガラス基板（誘電体）
１１と下部電極１２間又は前面ガラス基板１と上部電極
４間に界面接着剤の金属セラミック薄膜が形成された構
成である。
電極は、図３に示すように、背面ガラス基板（誘電体）
１１と下部電極１２間又は前面ガラス基板１と上部電極
４間に界面接着剤の金属セラミック薄膜が形成された構
成である。
【００４１】即ち、上部基板は、図３（ａ）のように、
前記背面ガラス基板１１上に電極用としてニッケル（Ｎ
ｉ）金属やアルミニウム（Ａｌ）金属３０のような金属
導電体を印刷技法で蒸着するのに先立って、まず、界面
接着用として上記のような金属の元素を有する金属セラ
ミック薄膜、つまり窒化アルミニウムセラミック薄膜
（ＡｌXＮ）又は酸化アルミニウムセラミック薄膜（Ａ
ｌXＯ）５０を、反応性スパッタリング(reactive sputt
ering)技法で形成する。そして、下部基板は、図３
（ｂ）に示すように、前面ガラス基板（誘電体）１の内
部に電極用として銅（Ｃｕ）３５を形成する。この際、
前記電極用銅（Ｃｕ）３５を形成する前に、ガラスと接
触する部分に界面結合力の優れる金属セラミック薄膜、
つまり銅と同一な金属の元素を有する窒化セラミック薄
膜（ＣｕXＮ）又は銅金属の元素を有する酸化物セラミ
ック薄膜（ＣｕXＯ）６０を反応性スパッタリング技法
で数千Å程度形成させる。また、その上に前記銅３５電
極を形成した後、再び界面結合力の優れる金属セラミッ
ク薄膜６０を形成する。
前記背面ガラス基板１１上に電極用としてニッケル（Ｎ
ｉ）金属やアルミニウム（Ａｌ）金属３０のような金属
導電体を印刷技法で蒸着するのに先立って、まず、界面
接着用として上記のような金属の元素を有する金属セラ
ミック薄膜、つまり窒化アルミニウムセラミック薄膜
（ＡｌXＮ）又は酸化アルミニウムセラミック薄膜（Ａ
ｌXＯ）５０を、反応性スパッタリング(reactive sputt
ering)技法で形成する。そして、下部基板は、図３
（ｂ）に示すように、前面ガラス基板（誘電体）１の内
部に電極用として銅（Ｃｕ）３５を形成する。この際、
前記電極用銅（Ｃｕ）３５を形成する前に、ガラスと接
触する部分に界面結合力の優れる金属セラミック薄膜、
つまり銅と同一な金属の元素を有する窒化セラミック薄
膜（ＣｕXＮ）又は銅金属の元素を有する酸化物セラミ
ック薄膜（ＣｕXＯ）６０を反応性スパッタリング技法
で数千Å程度形成させる。また、その上に前記銅３５電
極を形成した後、再び界面結合力の優れる金属セラミッ
ク薄膜６０を形成する。
【００４２】前記前面ガラス基板（誘電体）１の形成工
程をより詳細に説明すれば、まず、電極用として金属を
形成させる場合、例えば、銅（Ｃｕ）金属３５をガラス
基板１上に形成させるのに先立って、界面結合力を高め
るために、同じ銅金属の窒化物セラミック薄膜（ＣｕX
Ｎ）６０をその上に反応性スパッタリング技法であらか
じめ形成させる。又は、銅金属の酸化物セラミック薄膜
（ＣｕXＯ）６０を前記ガラス基板上にあらかじめ同様
な技法で形成させてもよい。従って、前記反応性スパッ
タリング工程において、ターゲット(target)として１つ
の金属だけで形成工程を実施する。即ち、ガラス基板の
所定の領域に銅（Ｃｕ）金属をターゲットとしてスパッ
タリングを実施した後に、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ）を適当な割合で注入したり酸素（Ｏ）を適当に注
入したりして反応性スパッタリングすると、銅金属の窒
化物セラミック薄膜又は銅金属の酸化物セラミック薄膜
６０が形成される。この後、その上にアルゴン（Ａｒ）
だけを注入するか、又は銅ターゲット自体だけで反応性
スパッタリングすると、銅（Ｃｕ）金属層３５が形成さ
れる。
程をより詳細に説明すれば、まず、電極用として金属を
形成させる場合、例えば、銅（Ｃｕ）金属３５をガラス
基板１上に形成させるのに先立って、界面結合力を高め
るために、同じ銅金属の窒化物セラミック薄膜（ＣｕX
Ｎ）６０をその上に反応性スパッタリング技法であらか
じめ形成させる。又は、銅金属の酸化物セラミック薄膜
（ＣｕXＯ）６０を前記ガラス基板上にあらかじめ同様
な技法で形成させてもよい。従って、前記反応性スパッ
タリング工程において、ターゲット(target)として１つ
の金属だけで形成工程を実施する。即ち、ガラス基板の
所定の領域に銅（Ｃｕ）金属をターゲットとしてスパッ
タリングを実施した後に、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ）を適当な割合で注入したり酸素（Ｏ）を適当に注
入したりして反応性スパッタリングすると、銅金属の窒
化物セラミック薄膜又は銅金属の酸化物セラミック薄膜
６０が形成される。この後、その上にアルゴン（Ａｒ）
だけを注入するか、又は銅ターゲット自体だけで反応性
スパッタリングすると、銅（Ｃｕ）金属層３５が形成さ
れる。
【００４３】次いで、一定の時間の後、再度アルゴンと
窒素を同時に注入するか、又は酸素（Ｏ）を適当に注入
して反応性スパッタリングすると、前記銅金属層上に銅
金属の窒化物セラミック薄膜又は銅金属の酸化物セラミ
ック薄膜６０が形成されて、ＰＤＰの電極を形成するこ
とができる。
窒素を同時に注入するか、又は酸素（Ｏ）を適当に注入
して反応性スパッタリングすると、前記銅金属層上に銅
金属の窒化物セラミック薄膜又は銅金属の酸化物セラミ
ック薄膜６０が形成されて、ＰＤＰの電極を形成するこ
とができる。
【００４４】この際、前記反応性スパッタリングを実施
するための条件は、下記の通りである。
するための条件は、下記の通りである。
【００４５】動作圧力：１０ｍＴｏｒｒ 放電電圧：４５０Ｖ 放電電流：１００ｍＡ 反応ガスの割合（Ｎ2/Ａｒ）：１５％以上 蒸着時間：１０〜２０分 基板バイアス電圧：−１００Ｖ以下 このような工程で形成させると、ガラス基板に結合され
る密着力は、図４、図５および図６に示すように、温度
とセラミック薄膜の厚さとバイアス電圧等の状態ですこ
ぶる優秀であることが分かる。そして、このような形成
工程は、前記背面ガラス基板１１でも同様に適用され
る。上記の工程で構成された本発明のＰＤＰの動作は、
一般的なＰＤＰの動作の説明と同様である。
る密着力は、図４、図５および図６に示すように、温度
とセラミック薄膜の厚さとバイアス電圧等の状態ですこ
ぶる優秀であることが分かる。そして、このような形成
工程は、前記背面ガラス基板１１でも同様に適用され
る。上記の工程で構成された本発明のＰＤＰの動作は、
一般的なＰＤＰの動作の説明と同様である。
【００４６】
【発明の効果】上述したような本発明のＰＤＰの電極及
びその形成方法は、次の効果を奏する。
びその形成方法は、次の効果を奏する。
【００４７】ＰＤＰの電極が金属セラミック薄膜/金属/
金属セラミック薄膜の構造であるため、その金属の界面
結合力が著しく上昇し、熱処理時にも界面剥離、クラッ
ク、界面気泡等が形成されない。よって、放電特性が向
上され、ＰＤＰの寿命が向上される効果がある。
金属セラミック薄膜の構造であるため、その金属の界面
結合力が著しく上昇し、熱処理時にも界面剥離、クラッ
ク、界面気泡等が形成されない。よって、放電特性が向
上され、ＰＤＰの寿命が向上される効果がある。
【００４８】また、界面接着用に電極用金属と同じ金属
をスパッタリング時にそのままに使用するか、又は反応
気体の雰囲気だけを変えるため、金属セラミック薄膜の
形成工程が単純化され、ＰＤＰの製造工程が大幅に減少
される効果がある。
をスパッタリング時にそのままに使用するか、又は反応
気体の雰囲気だけを変えるため、金属セラミック薄膜の
形成工程が単純化され、ＰＤＰの製造工程が大幅に減少
される効果がある。
【図１】一般的なＰＤＰの断面構造図。
【図２】（ａ）は従来の技術のＰＤＰの上部基板に形成
された電極断面を示す断面図、（ｂ）は従来の技術のＰ
ＤＰの下部基板に形成された電極断面を示す断面図。
された電極断面を示す断面図、（ｂ）は従来の技術のＰ
ＤＰの下部基板に形成された電極断面を示す断面図。
【図３】（ａ）は本発明のＰＤＰの上部基板に形成され
た電極断面を示す断面図、（ｂ）は本発明のＰＤＰの下
部基板に形成された電極断面を示す断面図。
た電極断面を示す断面図、（ｂ）は本発明のＰＤＰの下
部基板に形成された電極断面を示す断面図。
【図４】本発明の界面結合力と温度を示すグラフ。
【図５】本発明の界面結合力とセラミック薄膜の厚さを
示すグラフ。
示すグラフ。
【図６】本発明の界面結合力とバイアス電圧を示すグラ
フ。
フ。
１ 前面ガラス基板 ４ 上部電極 １１ 背面ガラス基板 １２ 下部電極 ３０ ニッケル又はアルミニウム ３５ 銅 ４０ クロム ５０ 窒化アルミニウムセラミック薄膜又は酸化アルミ
ニウムセラミック薄膜 ６０ 銅金属の窒化物セラミック薄膜又は銅金属の酸化
物セラミック薄膜
ニウムセラミック薄膜 ６０ 銅金属の窒化物セラミック薄膜又は銅金属の酸化
物セラミック薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 起仁 大韓民國 慶▲尚▼北▲道▼ ▲亀▼尾 市 原▲平▼洞 大同 エイピーティ ー． 1704 (72)発明者 高 在賢 大韓民國 京畿▲道▼ 軍浦市 禁政洞 868−３ (72)発明者 柳 在和 大韓民國 慶▲尚▼北▲道▼ ▲亀▼尾 市 形谷２洞 181 ▲都▼市住宅 13 −404 (56)参考文献 特開 平７−85797（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−232240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−134564（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−70751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−73555（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−263229（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−345734（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 11/02 H01J 9/02
Claims (10)
- 【請求項１】 誘電体又はガラス基板上に金属電極が形
成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、 前記誘電体又はガラス基板の上面に、反応性スパッタリ
ングによって、前記金属電極と同じ金属元素を含む金属
酸化物セラミック薄膜または金属窒化物セラミック薄膜
の第１金属セラミック薄膜が形成され、 前記第１金属セラミック薄膜上に前記金属電極が形成さ
れ、 前記金属電極の上面に、反応性スパッタリングによっ
て、前記金属電極と同じ金属元素を含む金属酸化物セラ
ミック薄膜または金属窒化物セラミック薄膜の第２金属
セラミック薄膜が形成されていることを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの電極。 - 【請求項２】 前記金属電極は、銅（Ｃｕ）又はアルミ
ニウム（Ａｌ）であることを特徴とする請求項１に記載
のプラズマディスプレイパネルの電極。 - 【請求項３】 第１誘電体内に第１金属電極が設けられ
た下部基板と、第２誘電体上に第２金属電極が形成され
た上部基板とを有するプラズマディスプレイパネルにお
いて、 前記第２誘電体の上面に前記第２金属電極と同じ金属元
素を含む第２金属セラミック薄膜が形成され、前記第２
金属セラミック薄膜上に前記第２金属電極が形成され、 前記第１誘電体内の第１金属電極の下面と上面とに、反
応性スパッタリングによって、前記第１金属電極と同じ
金属元素を含む金属酸化物セラミック薄膜または金属窒
化物セラミック薄膜の第１金属セラミック薄膜が形成さ
れていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル
の電極。 - 【請求項４】 前記第２金属セラミック薄膜は、反応性
スパッタリングによって、該第２金属電極と同じ金属の
酸化反応により形成された金属酸化物セラミック薄膜又
は該第２金属電極の窒化反応により形成された金属窒化
物セラミック薄膜であることを特徴とする請求項３に記
載のプラズマディスプレイパネルの電極。 - 【請求項５】 前記第１、第２金属電極は、それぞれ銅
（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）であることを特徴と
する請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの電
極。 - 【請求項６】 誘電体又はガラス基板上に金属電極を形
成するプラズマディスプレイパネルの電極形成方法にお
いて、 前記誘電体又はガラス基板の所定の領域に前記金属電極
と同じ金属をターゲットにしてスパッタリングした後、
一定の比率で混合されたアルゴンと窒素又はアルゴンと
酸素の反応性スパッタリングで金属窒化物セラミック薄
膜又は金属酸化物セラミック薄膜の第１金属セラミック
薄膜を形成する段階と、 前記第１金属セラミック薄膜上にアルゴンを注入してス
パッタリングするか、または、前記金属ターゲットのみ
で反応性スパッタリングして前記金属電極を形成する段
階と、 前記金属電極上に一定の比率で混合されたアルゴンと窒
素又はアルゴンと酸素の反応性スパッタリングで金属窒
化物セラミック薄膜又は金属酸化物セラミック薄膜の第
２金属セラミック薄膜を形成する段階と、 前記第２金属セラミック薄膜を覆うように誘電体層を塗
布する段階と、を含んで成されることを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの電極形成方法。 - 【請求項７】 前記金属電極は、銅（Ｃｕ）又はアルミ
ニウム（Ａｌ）であることを特徴とする請求項６に記載
のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。 - 【請求項８】 前記第１及び第２金属セラミック薄膜
は、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）にアルゴン
（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）又はアルゴン（Ａｒ）と酸素
（Ｏ2）を選択的に反応させて形成することを特徴とす
る請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの電極
形成方法。 - 【請求項９】 誘電体、金属セラミック薄膜、金属電極
が順次に形成された工程は、上部基板を製造する工程で
あることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディス
プレイパネルの電極形成方法。 - 【請求項１０】 誘電体、金属セラミック薄膜、金属電
極、金属セラミック薄膜、誘電体の順に形成された工程
は、下部基板を製造する工程であることを特徴とする請
求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996-12931 | 1996-04-25 | ||
| KR1019960012931A KR100186540B1 (ko) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 피디피의 전극 및 그 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012151A JPH1012151A (ja) | 1998-01-16 |
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Family
ID=19456718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05807597A Expired - Fee Related JP3302289B2 (ja) | 1996-04-25 | 1997-03-12 | プラズマディスプレイパネルの電極及びその形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0803891B1 (ja) |
| JP (1) | JP3302289B2 (ja) |
| KR (1) | KR100186540B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69725046T2 (ja) |
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| CN100362613C (zh) * | 2004-08-24 | 2008-01-16 | 东南大学 | 一种等离子体显示板汇流电极的制作方法 |
| JP2006134745A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルの電極形成方法 |
| KR100692831B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2007-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 패드부 구조 및 제조방법 |
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| CN101529566B (zh) | 2006-12-28 | 2011-11-16 | 株式会社爱发科 | 布线膜的形成方法、晶体管及电子装置 |
| CN102097472A (zh) * | 2006-12-28 | 2011-06-15 | 株式会社爱发科 | 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置 |
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| JP2012077321A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜基板の製造方法、成膜基板、および成膜装置 |
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| NL7317435A (nl) * | 1973-12-20 | 1975-06-24 | Philips Nv | Gasontladingspaneel. |
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