JP2002110048A - Ｆｐｄ用保護膜及びこれを用いたｆｐｄ - Google Patents
Ｆｐｄ用保護膜及びこれを用いたｆｐｄInfo
- Publication number
- JP2002110048A JP2002110048A JP2000302404A JP2000302404A JP2002110048A JP 2002110048 A JP2002110048 A JP 2002110048A JP 2000302404 A JP2000302404 A JP 2000302404A JP 2000302404 A JP2000302404 A JP 2000302404A JP 2002110048 A JP2002110048 A JP 2002110048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- fpd
- main body
- fluoride layer
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】保護膜の基板（誘電体層）との密着性及び整合
性の低下を防止し、かつ保護膜の電気絶縁性の低下を防
止する。また膜本体中のＭｇＯ等が大気中のＣＯ2ガス
やＨ2Ｏガスと反応することをフッ化物層が阻止するこ
とにより、ＭｇＯ等のＦＰＤに有害なＭｇＣＯ3やＭｇ
（ＯＨ）2等への変質を防止する。 【解決手段】基板１３の表面に密接に立設された複数の
柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体１４が形成さ
れ、この柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物
層１５が形成される。フッ化物層１５はＭＯXＦY（Ｍは
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，アルカリ土類複合金属又は希
土類金属，或いはアルカリ土類金属及び希土類金属の複
合金属であり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４である。）であ
り、このフッ化物層１５はガス状フッ素化剤とＭｇＯ等
との反応によって得られる。フッ素化剤はフッ素ガス、
フッ化水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4がある。
性の低下を防止し、かつ保護膜の電気絶縁性の低下を防
止する。また膜本体中のＭｇＯ等が大気中のＣＯ2ガス
やＨ2Ｏガスと反応することをフッ化物層が阻止するこ
とにより、ＭｇＯ等のＦＰＤに有害なＭｇＣＯ3やＭｇ
（ＯＨ）2等への変質を防止する。 【解決手段】基板１３の表面に密接に立設された複数の
柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体１４が形成さ
れ、この柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物
層１５が形成される。フッ化物層１５はＭＯXＦY（Ｍは
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，アルカリ土類複合金属又は希
土類金属，或いはアルカリ土類金属及び希土類金属の複
合金属であり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４である。）であ
り、このフッ化物層１５はガス状フッ素化剤とＭｇＯ等
との反応によって得られる。フッ素化剤はフッ素ガス、
フッ化水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ（Plasma D
isplay Panel：プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬ
Ｃ（Plasma Addressed Liquid Crystal display）等の
ＦＰＤ（Flat Panel Display）用保護膜及びこれを用い
たＦＰＤに関するものである。
isplay Panel：プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬ
Ｃ（Plasma Addressed Liquid Crystal display）等の
ＦＰＤ（Flat Panel Display）用保護膜及びこれを用い
たＦＰＤに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰの保護膜は直接、放電空間に接し
ているため、放電特性に最も重要な役割を担うキーマテ
リアルであり、従来より２次電子放出能が高く、耐スパ
ッタ性，光透過性及び絶縁性に優れたＭｇＯ膜が使用さ
れている。しかし、このＭｇＯ膜は工程途中で大気中に
曝されると、容易にＣＯ2やＨ2Ｏと反応して変質するこ
とから、ＭｇＯ本来の特性を得るためには、パネル封着
後、真空加熱下での長時間の脱ガス排気処理が必要であ
ることが知られている［例えば、佐藤編；最新プラズマ
ディスプレイ製造技術（（株）プレスジャーナル）：p.
118-123及びp.291-295（1997）］。これによれば、Ｈ2
Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純物ガスがＰＤ
Ｐの放電特性やパネル内の構成材料に悪影響を与え、特
にＣＯ2による汚染はパネル特性を回復不能なまでに悪
化させるとしている。
ているため、放電特性に最も重要な役割を担うキーマテ
リアルであり、従来より２次電子放出能が高く、耐スパ
ッタ性，光透過性及び絶縁性に優れたＭｇＯ膜が使用さ
れている。しかし、このＭｇＯ膜は工程途中で大気中に
曝されると、容易にＣＯ2やＨ2Ｏと反応して変質するこ
とから、ＭｇＯ本来の特性を得るためには、パネル封着
後、真空加熱下での長時間の脱ガス排気処理が必要であ
ることが知られている［例えば、佐藤編；最新プラズマ
ディスプレイ製造技術（（株）プレスジャーナル）：p.
118-123及びp.291-295（1997）］。これによれば、Ｈ2
Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純物ガスがＰＤ
Ｐの放電特性やパネル内の構成材料に悪影響を与え、特
にＣＯ2による汚染はパネル特性を回復不能なまでに悪
化させるとしている。
【０００３】このため、ＭｇＯの変質を防止するため、
ＭｇＯ表面を他の透湿性の少ない材料でコーティングす
ることが提案されている（特開平１０−１４９７６７
号、W.T.Lee et al;"LaF3 coated MgO protecting laye
r in AC-Plasma Display Panels",IDW'99,p.72-75.） 上記特開平１０−１４９７６７号公報には、保護膜を形
成した後に、この保護膜上に透湿性の低い一時保護膜を
形成し、その後一時保護膜を除去するＰＤＰの製造方法
が提案されている。この方法によりＰＤＰの製造途中で
は、保護膜の表面が一時保護膜により保護されているの
で、保護膜の表面に変質層が形成されない。この結果、
放電特性の良好な保護膜を得ることができるとともに、
保護膜の変質層の熱分解処理が不要になる。またW.T.Le
eらの上記文献では、ＭｇＯ保護膜上に透湿性の低いＬ
ａＦ3をコーティングすることで、ＭｇＯ保護膜の変質
を抑えるとともに、より高い２次電子放出特性及びより
低い放電特性を実現できることが提案されている。
ＭｇＯ表面を他の透湿性の少ない材料でコーティングす
ることが提案されている（特開平１０−１４９７６７
号、W.T.Lee et al;"LaF3 coated MgO protecting laye
r in AC-Plasma Display Panels",IDW'99,p.72-75.） 上記特開平１０−１４９７６７号公報には、保護膜を形
成した後に、この保護膜上に透湿性の低い一時保護膜を
形成し、その後一時保護膜を除去するＰＤＰの製造方法
が提案されている。この方法によりＰＤＰの製造途中で
は、保護膜の表面が一時保護膜により保護されているの
で、保護膜の表面に変質層が形成されない。この結果、
放電特性の良好な保護膜を得ることができるとともに、
保護膜の変質層の熱分解処理が不要になる。またW.T.Le
eらの上記文献では、ＭｇＯ保護膜上に透湿性の低いＬ
ａＦ3をコーティングすることで、ＭｇＯ保護膜の変質
を抑えるとともに、より高い２次電子放出特性及びより
低い放電特性を実現できることが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の特
開平１０−１４９７６７号公報及びW.T.Leeらの文献に
記載されたＰＤＰの製造方法では、一時保護膜を形成す
る際に一時保護膜と保護膜とを整合させることが難し
く、一時保護膜にクラックが発生したり、或いは一時保
護膜が剥離する場合があり、一時保護膜による保護膜の
変質防止効果が不十分であった。これを改善するため
に、一時保護膜を保護膜に厚く積層させる方法が考えら
れるが、この方法では一時保護膜の除去時に多量の不純
物（一時保護膜の分解物）が生成される問題点があっ
た。更に上記W.T.Leeらの文献では、ＭｇＯ上に５〜９
０ｎｍのＬａＦ3を積層させており、このような２層構
造では、上層膜のＬａＦ3がスパッタにより除去される
と、放電電圧が急激に変化するため、十分な寿命が得ら
れない問題点があった。
開平１０−１４９７６７号公報及びW.T.Leeらの文献に
記載されたＰＤＰの製造方法では、一時保護膜を形成す
る際に一時保護膜と保護膜とを整合させることが難し
く、一時保護膜にクラックが発生したり、或いは一時保
護膜が剥離する場合があり、一時保護膜による保護膜の
変質防止効果が不十分であった。これを改善するため
に、一時保護膜を保護膜に厚く積層させる方法が考えら
れるが、この方法では一時保護膜の除去時に多量の不純
物（一時保護膜の分解物）が生成される問題点があっ
た。更に上記W.T.Leeらの文献では、ＭｇＯ上に５〜９
０ｎｍのＬａＦ3を積層させており、このような２層構
造では、上層膜のＬａＦ3がスパッタにより除去される
と、放電電圧が急激に変化するため、十分な寿命が得ら
れない問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、基板（誘電体層）との密
着性及び整合性の低下を防止でき、かつ電気絶縁性の低
下を防止できる、ＦＰＤ用保護膜を提供することにあ
る。本発明の別の目的は、ＦＰＤ製造過程における膜本
体中のＭｇＯ等が大気中のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスと反応
するのをフッ化物層が阻止或いは抑制することにより、
ＭｇＯ等がＦＰＤに有害なＭｇＣＯ3やＭｇ（ＯＨ）2等
に変質するのを防止或いは抑制できる、即ち膜本体の耐
環境性を向上できる、ＦＰＤ用保護膜を提供することに
ある。本発明の更に別の目的は、製造工数を大幅に低減
できる、保護膜を用いたＦＰＤを提供することにある。
着性及び整合性の低下を防止でき、かつ電気絶縁性の低
下を防止できる、ＦＰＤ用保護膜を提供することにあ
る。本発明の別の目的は、ＦＰＤ製造過程における膜本
体中のＭｇＯ等が大気中のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスと反応
するのをフッ化物層が阻止或いは抑制することにより、
ＭｇＯ等がＦＰＤに有害なＭｇＣＯ3やＭｇ（ＯＨ）2等
に変質するのを防止或いは抑制できる、即ち膜本体の耐
環境性を向上できる、ＦＰＤ用保護膜を提供することに
ある。本発明の更に別の目的は、製造工数を大幅に低減
できる、保護膜を用いたＦＰＤを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１及び図２に示すように、基板１３の表面にＭｇＯ，
ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若し
くは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類
酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成された膜本体
１４と、この膜本体１４の表面に形成されたフッ化物層
１５とを備え、膜本体１４が基板１３の表面に密接に立
設された複数の柱状結晶子１４ａの集合体であり、フッ
化物層１５が複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面
にそれぞれ形成されたＦＰＤ用保護膜である。この請求
項１に記載されたＦＰＤ用保護膜では、膜本体１４を構
成する複数の柱状結晶子１４ａがそれぞれフッ化物層１
５により被覆されるため、ＦＰＤ１０（図２参照）の製
造過程においてこの膜本体１４及びフッ化物層１５から
なる保護膜２２が大気中に長時間曝されても、膜本体１
４中のＭｇＯ等が大気中のＣＯ 2ガスやＨ2Ｏガスと殆ど
反応しない。この結果、膜本体１４ａ中のＭｇＯ等がＦ
ＰＤ１０の機能を損なうおそれのあるＭｇＣＯ3やＭｇ
（ＯＨ）2等に変質することは殆どない。
図１及び図２に示すように、基板１３の表面にＭｇＯ，
ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若し
くは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類
酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成された膜本体
１４と、この膜本体１４の表面に形成されたフッ化物層
１５とを備え、膜本体１４が基板１３の表面に密接に立
設された複数の柱状結晶子１４ａの集合体であり、フッ
化物層１５が複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面
にそれぞれ形成されたＦＰＤ用保護膜である。この請求
項１に記載されたＦＰＤ用保護膜では、膜本体１４を構
成する複数の柱状結晶子１４ａがそれぞれフッ化物層１
５により被覆されるため、ＦＰＤ１０（図２参照）の製
造過程においてこの膜本体１４及びフッ化物層１５から
なる保護膜２２が大気中に長時間曝されても、膜本体１
４中のＭｇＯ等が大気中のＣＯ 2ガスやＨ2Ｏガスと殆ど
反応しない。この結果、膜本体１４ａ中のＭｇＯ等がＦ
ＰＤ１０の機能を損なうおそれのあるＭｇＣＯ3やＭｇ
（ＯＨ）2等に変質することは殆どない。
【０００７】また基板１３には保護膜１４のうち基板１
３と熱膨張係数が略同一の膜本体１４ａが接着されるの
で、熱サイクルにより保護膜１４が基板１３から剥離せ
ず、保護膜１４の基板１３に対する密着性及び整合性が
極めて良好となる。またフッ化物層１４ｂはＭＯXＦ
Y（ＭはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，アルカリ土類複合金
属，希土類金属，或いはアルカリ土類金属及び希土類金
属の複合金属であり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４であ
る。）であることが好ましい。またフッ化物層１４ｂを
ガス状フッ素化剤とＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，
アルカリ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はア
ルカリ土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいず
れかとの反応によって得ることが好ましい。またガス状
フッ素化剤としてフッ素ガス、フッ化水素ガス、Ｂ
Ｆ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4のいずれか、特にフッ素ガス又
はフッ化水素ガスを用いることが好ましい。更に柱状結
晶子１４ａの径ｘとフッ化物層１５の厚さｙとの比ｙ／
ｘは０．００１以上０．２以下であることが好ましい。
ここで、この明細書において「柱状結晶子の径」とは、
図３に示すように柱状結晶子１４ａの断面が円形である
場合にはその直径ｘを、図４に示すように柱状結晶子１
４ａの断面が三角形である場合には頂点から対辺までの
長さｘをいうものとする。また「柱状」とは断面が前述
の円形や略三角形に限らず、四角形、五角形、六角形等
の角形のものや楕円も含まれるものとする。
３と熱膨張係数が略同一の膜本体１４ａが接着されるの
で、熱サイクルにより保護膜１４が基板１３から剥離せ
ず、保護膜１４の基板１３に対する密着性及び整合性が
極めて良好となる。またフッ化物層１４ｂはＭＯXＦ
Y（ＭはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，アルカリ土類複合金
属，希土類金属，或いはアルカリ土類金属及び希土類金
属の複合金属であり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４であ
る。）であることが好ましい。またフッ化物層１４ｂを
ガス状フッ素化剤とＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，
アルカリ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はア
ルカリ土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいず
れかとの反応によって得ることが好ましい。またガス状
フッ素化剤としてフッ素ガス、フッ化水素ガス、Ｂ
Ｆ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4のいずれか、特にフッ素ガス又
はフッ化水素ガスを用いることが好ましい。更に柱状結
晶子１４ａの径ｘとフッ化物層１５の厚さｙとの比ｙ／
ｘは０．００１以上０．２以下であることが好ましい。
ここで、この明細書において「柱状結晶子の径」とは、
図３に示すように柱状結晶子１４ａの断面が円形である
場合にはその直径ｘを、図４に示すように柱状結晶子１
４ａの断面が三角形である場合には頂点から対辺までの
長さｘをいうものとする。また「柱状」とは断面が前述
の円形や略三角形に限らず、四角形、五角形、六角形等
の角形のものや楕円も含まれるものとする。
【０００８】請求項６に係る発明は、請求項１ないし５
いずれか記載の保護膜を用いたことを特徴とするＦＰＤ
である。この請求項６に記載されたＦＰＤでは、ＦＰＤ
の製造工数を大幅に低減できるので、安価にＦＰＤを製
造できる。
いずれか記載の保護膜を用いたことを特徴とするＦＰＤ
である。この請求項６に記載されたＦＰＤでは、ＦＰＤ
の製造工数を大幅に低減できるので、安価にＦＰＤを製
造できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて説明する。本発明のＦＰＤとしてはＰＤ
Ｐ、ＰＡＬＣ等が挙げられる。この実施の形態ではＰＤ
Ｐについて説明する。図１及び図２に示すように、ＡＣ
型のＰＤＰ１０は背面ガラス基板１１上に所定の間隔を
あけて形成された隔壁１２を介して前面ガラス基板１３
を被せることにより構成される。前面ガラス基板１３の
両面のうち背面ガラス基板１１に対向する面には表示電
極１６及び透明誘電体層１７を介して膜本体１４が形成
され、この膜本体１４の表面にはフッ化物層１５が形成
される。図の拡大図に示すように、膜本体１４は前面ガ
ラス基板１３の表面に密接に立設された複数の柱状結晶
子１４ａの集合体であり、フッ化物層１５はそれら複数
の柱状結晶子１４の周側面及び頂面にそれぞれ形成され
る。背面ガラス基板１１と前面ガラス基板１３と隔壁１
２とにより多数の放電セル１８が区画形成され、背面ガ
ラス基板１１上には放電セル１８内に位置しかつ上記表
示電極１６に対向するようにアドレス電極１９が形成さ
れる。また放電セル１８内には隔壁１２の側面から背面
ガラス基板１１の上面にかけて蛍光体層２１が形成され
る。更に放電セル１８内には放電ガス（図示せず）が注
入される。
図面に基づいて説明する。本発明のＦＰＤとしてはＰＤ
Ｐ、ＰＡＬＣ等が挙げられる。この実施の形態ではＰＤ
Ｐについて説明する。図１及び図２に示すように、ＡＣ
型のＰＤＰ１０は背面ガラス基板１１上に所定の間隔を
あけて形成された隔壁１２を介して前面ガラス基板１３
を被せることにより構成される。前面ガラス基板１３の
両面のうち背面ガラス基板１１に対向する面には表示電
極１６及び透明誘電体層１７を介して膜本体１４が形成
され、この膜本体１４の表面にはフッ化物層１５が形成
される。図の拡大図に示すように、膜本体１４は前面ガ
ラス基板１３の表面に密接に立設された複数の柱状結晶
子１４ａの集合体であり、フッ化物層１５はそれら複数
の柱状結晶子１４の周側面及び頂面にそれぞれ形成され
る。背面ガラス基板１１と前面ガラス基板１３と隔壁１
２とにより多数の放電セル１８が区画形成され、背面ガ
ラス基板１１上には放電セル１８内に位置しかつ上記表
示電極１６に対向するようにアドレス電極１９が形成さ
れる。また放電セル１８内には隔壁１２の側面から背面
ガラス基板１１の上面にかけて蛍光体層２１が形成され
る。更に放電セル１８内には放電ガス（図示せず）が注
入される。
【００１０】上記フッ化物層１５はＭＯXＦY（ＭはＭ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，アルカリ土類複合金属又は希土
類金属，或いはアルカリ土類金属及び希土類金属の複合
金属であり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４である。）であ
り、例えばＭＦ2層，ＭＯ0.5Ｆ層，ＭＯ0.25Ｆ1.5層，
ＭＦ4層，ＭＯＦ2層，ＭＦ3層，ＭＯＦ層，ＭＦ2.66層
又はＭＯＦ0.66層等である。またフッ化物層１５は膜本
体１４を形成するＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ア
ルカリ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアル
カリ土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれ
かと、ガス状フッ素化剤との反応によって得ることがで
き、ガス状フッ素化剤としては反応性の高さや汎用性の
観点からフッ素ガス、フッ化水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5
又はＳＦ4のいずれか、特にフッ素ガス又はフッ化水素
ガスを用いることが好ましい。
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，アルカリ土類複合金属又は希土
類金属，或いはアルカリ土類金属及び希土類金属の複合
金属であり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４である。）であ
り、例えばＭＦ2層，ＭＯ0.5Ｆ層，ＭＯ0.25Ｆ1.5層，
ＭＦ4層，ＭＯＦ2層，ＭＦ3層，ＭＯＦ層，ＭＦ2.66層
又はＭＯＦ0.66層等である。またフッ化物層１５は膜本
体１４を形成するＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ア
ルカリ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアル
カリ土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれ
かと、ガス状フッ素化剤との反応によって得ることがで
き、ガス状フッ素化剤としては反応性の高さや汎用性の
観点からフッ素ガス、フッ化水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5
又はＳＦ4のいずれか、特にフッ素ガス又はフッ化水素
ガスを用いることが好ましい。
【００１１】また、図３及び図４に示すように、柱状結
晶子１４ａの径ｘとフッ化物層１５の厚さｙとの比ｙ／
ｘは、ＭｇＯ等のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスとの反応阻止向
上とＭｇＯ等とガス状フッ素化剤との反応時間とのバラ
ンスにより決定され、０．００１以上０．２以下である
ことが好ましく、この比の更に好ましい値は０．００５
以上０．１以下である。柱状結晶子１４ａの径ｘとフッ
化物層１５の厚さｙとの比ｙ／ｘを０．００１以上０．
２以下としたのは、この比が０．００１未満であると複
数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体１４をフッ
化物層１５が十分に保護できないおそれがあり、０．２
を越えるとＭｇＯ等とガス状フッ素化剤との反応時間が
長くなって作業性が悪くなるからである。
晶子１４ａの径ｘとフッ化物層１５の厚さｙとの比ｙ／
ｘは、ＭｇＯ等のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスとの反応阻止向
上とＭｇＯ等とガス状フッ素化剤との反応時間とのバラ
ンスにより決定され、０．００１以上０．２以下である
ことが好ましく、この比の更に好ましい値は０．００５
以上０．１以下である。柱状結晶子１４ａの径ｘとフッ
化物層１５の厚さｙとの比ｙ／ｘを０．００１以上０．
２以下としたのは、この比が０．００１未満であると複
数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体１４をフッ
化物層１５が十分に保護できないおそれがあり、０．２
を越えるとＭｇＯ等とガス状フッ素化剤との反応時間が
長くなって作業性が悪くなるからである。
【００１２】真空プロセスを用いて膜本体１４を成膜す
る場合、例えば電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法等によりガラス基板１３の表面
に膜本体１４を成膜すると、複数の柱状結晶子１４ａが
その基板１３の表面に密接に立設され、複数の柱状結晶
子１４ａの集合体である膜本体１４が形成されることが
知られている（例えば、H.Seehase;"Plasma display pa
nel MgO thin film properties and their modificatio
n by low energy ion bombardment",Display,[1],pp.21
-34(1985);上美谷雅之、「カラープラズマディスプレイ
用カソード材料」、OplusE、[2]、pp.90-96(1996))。こ
のことから上述した構成のＰＤＰの保護膜は真空プロセ
スを用いることが必要であり、以下に蒸着法、及びスパ
ッタリング法を用いたＦＰＤ用保護膜の製造方法の一例
を説明する。
る場合、例えば電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法等によりガラス基板１３の表面
に膜本体１４を成膜すると、複数の柱状結晶子１４ａが
その基板１３の表面に密接に立設され、複数の柱状結晶
子１４ａの集合体である膜本体１４が形成されることが
知られている（例えば、H.Seehase;"Plasma display pa
nel MgO thin film properties and their modificatio
n by low energy ion bombardment",Display,[1],pp.21
-34(1985);上美谷雅之、「カラープラズマディスプレイ
用カソード材料」、OplusE、[2]、pp.90-96(1996))。こ
のことから上述した構成のＰＤＰの保護膜は真空プロセ
スを用いることが必要であり、以下に蒸着法、及びスパ
ッタリング法を用いたＦＰＤ用保護膜の製造方法の一例
を説明する。
【００１３】［１］蒸着法による膜本体の形成 先ず図１に示すように、前面ガラス基板１３の表面に表
示電極１６となるＡｇやＡｕ等の電極用ペーストをスク
リーン印刷法により所定の間隔をあけて塗布し乾燥・焼
成した後に、上記前面ガラス基板１３の表面に透明誘電
体層１７となる透明ガラスペーストをスクリーン印刷法
により前面ガラス基板１３の表面全体に塗布し乾燥す
る。上記前面ガラス基板１３を大気中で１００〜２００
℃に１０〜６０分間保持して乾燥した後に、大気中で５
００〜６００℃に１０〜６０分間保持して焼成する。
示電極１６となるＡｇやＡｕ等の電極用ペーストをスク
リーン印刷法により所定の間隔をあけて塗布し乾燥・焼
成した後に、上記前面ガラス基板１３の表面に透明誘電
体層１７となる透明ガラスペーストをスクリーン印刷法
により前面ガラス基板１３の表面全体に塗布し乾燥す
る。上記前面ガラス基板１３を大気中で１００〜２００
℃に１０〜６０分間保持して乾燥した後に、大気中で５
００〜６００℃に１０〜６０分間保持して焼成する。
【００１４】次に純度が９９．５％以上のＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しくは
希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸化
物の複合酸化物のいずれかの焼結体ペレットを電子ビー
ム蒸着法等の蒸着法により上記ガラス基板１３の透明誘
電体層１７表面を覆うように蒸着して密接に立設された
複数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体１４を形
成する。この膜本体１４の成膜条件は、加速電圧が５〜
３０ｋＶ、蒸着圧力が０．１×１０-2〜１０×１０-2Ｐ
ａ、蒸着距離が１００〜１０００ｍｍの範囲内にあるこ
とが好ましい。
Ｏ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しくは
希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸化
物の複合酸化物のいずれかの焼結体ペレットを電子ビー
ム蒸着法等の蒸着法により上記ガラス基板１３の透明誘
電体層１７表面を覆うように蒸着して密接に立設された
複数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体１４を形
成する。この膜本体１４の成膜条件は、加速電圧が５〜
３０ｋＶ、蒸着圧力が０．１×１０-2〜１０×１０-2Ｐ
ａ、蒸着距離が１００〜１０００ｍｍの範囲内にあるこ
とが好ましい。
【００１５】更にこの前面ガラス基板１３をガス状フッ
素化剤雰囲気中（温度１０〜１００℃）に０．１〜１２
０分間保持して膜本体１４を構成する複数の柱状結晶子
１４ａの周側面及び頂面を改質し、それら複数の柱状結
晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１５を形成す
る。上記ガス状フッ素化剤としてはフッ素ガス、フッ化
水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4のいずれか、特に
フッ素ガス又はフッ化水素ガスを用いることが好まし
く、このガス状フッ素化剤の圧力は好ましくは１〜７６
０Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１０〜３００Ｔｏｒｒの範
囲内に設定される。ガス状フッ素化剤の圧力を１〜７６
０Ｔｏｒｒの範囲内に限定したのは反応進行度、即ちフ
ッ化物層の厚さの制御を容易にするためである。
素化剤雰囲気中（温度１０〜１００℃）に０．１〜１２
０分間保持して膜本体１４を構成する複数の柱状結晶子
１４ａの周側面及び頂面を改質し、それら複数の柱状結
晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１５を形成す
る。上記ガス状フッ素化剤としてはフッ素ガス、フッ化
水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4のいずれか、特に
フッ素ガス又はフッ化水素ガスを用いることが好まし
く、このガス状フッ素化剤の圧力は好ましくは１〜７６
０Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１０〜３００Ｔｏｒｒの範
囲内に設定される。ガス状フッ素化剤の圧力を１〜７６
０Ｔｏｒｒの範囲内に限定したのは反応進行度、即ちフ
ッ化物層の厚さの制御を容易にするためである。
【００１６】 ［２］スパッタリング法による膜本体の形成 先ず上記［１］と同様に電極付ガラス基板を作製した
後、純度が９９．５％以上の５インチサイズのＭｇＯ，
ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若し
くは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類
酸化物の複合酸化物のいずれかのターゲットを用いて、
スパッタリング法によりガラス基板に透明誘電体層表面
を覆うように密接に立設された複数の柱状結晶子１４ａ
の集合体である膜本体１４を形成する。この膜本体の成
膜条件は、高周波出力が１ｋＷ、スパッタ圧力が０．５
０〜３．０Ｐａ、アルゴンガスに対する酸素濃度が５〜
５０％、基板温度が２０〜３００℃の範囲内であること
が好ましい。そして次に上記［１］と同様にガス状フッ
素化剤雰囲気中に保持して膜本体１４を構成する複数の
柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面を改質し、それら複
数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１
５を形成する。
後、純度が９９．５％以上の５インチサイズのＭｇＯ，
ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若し
くは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類
酸化物の複合酸化物のいずれかのターゲットを用いて、
スパッタリング法によりガラス基板に透明誘電体層表面
を覆うように密接に立設された複数の柱状結晶子１４ａ
の集合体である膜本体１４を形成する。この膜本体の成
膜条件は、高周波出力が１ｋＷ、スパッタ圧力が０．５
０〜３．０Ｐａ、アルゴンガスに対する酸素濃度が５〜
５０％、基板温度が２０〜３００℃の範囲内であること
が好ましい。そして次に上記［１］と同様にガス状フッ
素化剤雰囲気中に保持して膜本体１４を構成する複数の
柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面を改質し、それら複
数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１
５を形成する。
【００１７】上述した［１］及び［２］のように製造さ
れたＰＤＰの保護膜では、膜本体１４を構成する複数の
柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にそれぞれフッ化物
層１５が形成され、その複数の柱状結晶子１４ａの集合
体である膜本体１４がフッ化物層１５により被覆され
る。このため、ＰＤＰ１０の製造過程において、膜本体
１４及びフッ化物層１５からなる保護膜２２が大気中に
長時間曝されても、膜本体１４中のＭｇＯ等が大気中の
ＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスと殆ど反応しない。この結果、膜
本体１４中のＭｇＯ等がＰＤＰ１０の機能を損なうおそ
れのあるＭｇＣＯ 3やＭｇ（ＯＨ）2等に変質することは
殆どないので、膜本体１４の耐環境性を向上できる。
れたＰＤＰの保護膜では、膜本体１４を構成する複数の
柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にそれぞれフッ化物
層１５が形成され、その複数の柱状結晶子１４ａの集合
体である膜本体１４がフッ化物層１５により被覆され
る。このため、ＰＤＰ１０の製造過程において、膜本体
１４及びフッ化物層１５からなる保護膜２２が大気中に
長時間曝されても、膜本体１４中のＭｇＯ等が大気中の
ＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスと殆ど反応しない。この結果、膜
本体１４中のＭｇＯ等がＰＤＰ１０の機能を損なうおそ
れのあるＭｇＣＯ 3やＭｇ（ＯＨ）2等に変質することは
殆どないので、膜本体１４の耐環境性を向上できる。
【００１８】また、膜本体１４中のＭｇＯ等がＭｇＣＯ
3やＭｇ（ＯＨ）2等に殆ど変質しないため、後工程で上
記ＭｇＣＯ3やＭｇ（ＯＨ）2等を除去する脱ガス処理工
程時間を短縮又は脱ガス処理工程を省くことができ、Ｐ
ＤＰ１０の製造コストを低減できる。更に透明誘電体層
１７には保護膜２２のうち誘電体層１７と熱膨張係数が
略同一の膜本体１４が接着されるので、熱サイクルによ
り保護膜２２が透明誘電体層１７から剥離せず、保護膜
２２の誘電体層１７に対する密着性及び整合性が極めて
良好となる。
3やＭｇ（ＯＨ）2等に殆ど変質しないため、後工程で上
記ＭｇＣＯ3やＭｇ（ＯＨ）2等を除去する脱ガス処理工
程時間を短縮又は脱ガス処理工程を省くことができ、Ｐ
ＤＰ１０の製造コストを低減できる。更に透明誘電体層
１７には保護膜２２のうち誘電体層１７と熱膨張係数が
略同一の膜本体１４が接着されるので、熱サイクルによ
り保護膜２２が透明誘電体層１７から剥離せず、保護膜
２２の誘電体層１７に対する密着性及び整合性が極めて
良好となる。
【００１９】なお、上記［１］及び［２］の保護膜２２
の形成過程において、下記の［ａ］又は［ｂ］のような
処理を施すことが好ましい。 ［ａ］ガラス基板１３の表面に膜本体１４を真空中で形
成し、この膜本体１４を大気に暴露させずに真空中又は
不活性ガス雰囲気中でガス状フッ素化剤にて膜本体１４
を構成する複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面を
改質し、それら複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂
面にフッ化物層１５を形成して複数の柱状結晶子１４ａ
からなる膜本体１４をフッ化物層１５で保護する。上記
不活性ガス雰囲気とは、アルゴンガス又はＮ2ガスの雰
囲気であることが好ましく、純度が４Ｎ（９９．９９
％）以上であり、露点がマイナス６５℃以下であり、更
にＣＯ 2及びＣＯの濃度が５．０体積ｐｐｍ以下である
ことが好ましい。このような処理を施すことにより、基
板１３の表面に膜本体１４を形成した後であって、膜本
体１４を構成する複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び
頂面にフッ化物層１５を形成する前に、膜本体１４を大
気に暴露しないため、膜本体１４の表面にＦＰＤに有害
なＭｇＯ等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ
（ＯＨ）2等）の生成を防止或いは抑制することができ
る。
の形成過程において、下記の［ａ］又は［ｂ］のような
処理を施すことが好ましい。 ［ａ］ガラス基板１３の表面に膜本体１４を真空中で形
成し、この膜本体１４を大気に暴露させずに真空中又は
不活性ガス雰囲気中でガス状フッ素化剤にて膜本体１４
を構成する複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面を
改質し、それら複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂
面にフッ化物層１５を形成して複数の柱状結晶子１４ａ
からなる膜本体１４をフッ化物層１５で保護する。上記
不活性ガス雰囲気とは、アルゴンガス又はＮ2ガスの雰
囲気であることが好ましく、純度が４Ｎ（９９．９９
％）以上であり、露点がマイナス６５℃以下であり、更
にＣＯ 2及びＣＯの濃度が５．０体積ｐｐｍ以下である
ことが好ましい。このような処理を施すことにより、基
板１３の表面に膜本体１４を形成した後であって、膜本
体１４を構成する複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び
頂面にフッ化物層１５を形成する前に、膜本体１４を大
気に暴露しないため、膜本体１４の表面にＦＰＤに有害
なＭｇＯ等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ
（ＯＨ）2等）の生成を防止或いは抑制することができ
る。
【００２０】［ｂ］基板１３の表面に膜本体１４を真空
中で形成し、この膜本体１４を大気に暴露した後に膜本
体１４を大気中で焼成して膜本体１４を構成する複数の
柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面を活性化させ、更に
ガス状フッ素化剤にて表面処理することによりそれら複
数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１
５を形成する。上記膜本体１４の大気中での焼成温度は
２５０〜５５０℃、好ましくは３５０〜４５０℃であ
り、焼成時間は０．１〜２４時間、好ましくは０．２〜
１時間である。上記範囲の温度及び時間で焼成すること
により膜本体１４を構成する複数の柱状結晶子１４ａの
周側面及び頂面が活性化される。また上記大気とは、大
気圧Ｐtが０．１ａｔｍ≦Ｐt≦５．０ａｔｍ（好ましく
は１．０ａｔｍ）であり、大気中のＮ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏ及
びＣＯZの含有割合ＶN2，ＶO2，ＶH2O及びＶCOZが以下
のものをいう。 ６５体積％≦ＶN2 ≦ ５．０体積％（好ましくは７
８．１体積％） １０体積％≦ＶO2 ≦３０ 体積％（好ましくは２
１．０体積％） ０体積％≦ＶH2O≦ ５ 体積％（好ましくは ２．
５体積％以下） ０体積％≦ＶCOZ≦ ０．１体積％（好ましくは ０．
０３体積％以下） 但し、ｚは１又は２である。またこの大気には他の不純
物ガス（Hydrocarbon等）を０．１体積％以下含むこと
もある。
中で形成し、この膜本体１４を大気に暴露した後に膜本
体１４を大気中で焼成して膜本体１４を構成する複数の
柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面を活性化させ、更に
ガス状フッ素化剤にて表面処理することによりそれら複
数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１
５を形成する。上記膜本体１４の大気中での焼成温度は
２５０〜５５０℃、好ましくは３５０〜４５０℃であ
り、焼成時間は０．１〜２４時間、好ましくは０．２〜
１時間である。上記範囲の温度及び時間で焼成すること
により膜本体１４を構成する複数の柱状結晶子１４ａの
周側面及び頂面が活性化される。また上記大気とは、大
気圧Ｐtが０．１ａｔｍ≦Ｐt≦５．０ａｔｍ（好ましく
は１．０ａｔｍ）であり、大気中のＮ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏ及
びＣＯZの含有割合ＶN2，ＶO2，ＶH2O及びＶCOZが以下
のものをいう。 ６５体積％≦ＶN2 ≦ ５．０体積％（好ましくは７
８．１体積％） １０体積％≦ＶO2 ≦３０ 体積％（好ましくは２
１．０体積％） ０体積％≦ＶH2O≦ ５ 体積％（好ましくは ２．
５体積％以下） ０体積％≦ＶCOZ≦ ０．１体積％（好ましくは ０．
０３体積％以下） 但し、ｚは１又は２である。またこの大気には他の不純
物ガス（Hydrocarbon等）を０．１体積％以下含むこと
もある。
【００２１】このような処理を施すことにより、基板１
３の表面に膜本体１４を形成した後にこの膜本体１４を
大気に暴露して、膜本体１４を構成する複数の柱状結晶
子１４ａの周側面及び頂面にＦＰＤに有害なＭｇＯ等の
炭酸塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）
が生成されても、膜本体１４を大気中で焼成することに
より膜本体１４を構成する複数の柱状結晶子１４ａの周
側面及び頂面が活性化され、膜本体１４の表面のＭｇＯ
等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2
等）がＣＯ2及びＨ2Ｏとして除去される。この状態で膜
本体１４を構成する複数の柱状結晶子１４ａの周側面及
び頂面にフッ化物層１５を形成することにより、複数の
柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体１４がフッ化物
層１５により保護され、ＭｇＯ等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3
等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）の生成を防止或い
は抑制することができる。
３の表面に膜本体１４を形成した後にこの膜本体１４を
大気に暴露して、膜本体１４を構成する複数の柱状結晶
子１４ａの周側面及び頂面にＦＰＤに有害なＭｇＯ等の
炭酸塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）
が生成されても、膜本体１４を大気中で焼成することに
より膜本体１４を構成する複数の柱状結晶子１４ａの周
側面及び頂面が活性化され、膜本体１４の表面のＭｇＯ
等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2
等）がＣＯ2及びＨ2Ｏとして除去される。この状態で膜
本体１４を構成する複数の柱状結晶子１４ａの周側面及
び頂面にフッ化物層１５を形成することにより、複数の
柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体１４がフッ化物
層１５により保護され、ＭｇＯ等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3
等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）の生成を防止或い
は抑制することができる。
【００２２】なお、上記［ａ］及び［ｂ］において、表
面に膜本体１４及びフッ化物層１５が形成された基板１
３のパネル組立て前，組立て中又は組立て後に大気中で
焼成することにより膜本体１４の活性化を行うことが好
ましい。この大気中における焼成の焼成温度及び大気は
上記［ｂ］の場合と同一である。このような焼成によ
り、膜本体１４が活性化されるので、膜本体１４に僅か
にＭｇＯ等の水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）が生成され
た場合でも、Ｈ2Ｏとして除去でき、その後の大気中の
水分による膜本体１４の再汚染速度を低下させることが
できる。なお、上記実施の形態では、ＦＰＤとしてＰＤ
Ｐを挙げたが、前面ガラス基板の表面に保護膜として膜
本体を形成するものであればＰＡＬＣ等でもよい。
面に膜本体１４及びフッ化物層１５が形成された基板１
３のパネル組立て前，組立て中又は組立て後に大気中で
焼成することにより膜本体１４の活性化を行うことが好
ましい。この大気中における焼成の焼成温度及び大気は
上記［ｂ］の場合と同一である。このような焼成によ
り、膜本体１４が活性化されるので、膜本体１４に僅か
にＭｇＯ等の水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）が生成され
た場合でも、Ｈ2Ｏとして除去でき、その後の大気中の
水分による膜本体１４の再汚染速度を低下させることが
できる。なお、上記実施の形態では、ＦＰＤとしてＰＤ
Ｐを挙げたが、前面ガラス基板の表面に保護膜として膜
本体を形成するものであればＰＡＬＣ等でもよい。
【００２３】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞先ず図１に示すように、厚さ３ｍｍの前面
ガラス基板１３の表面にＡｇの表示電極１６（膜厚５μ
ｍ）をスクリーン印刷法により形成した後に、ガラスか
らなる透明誘電体層１７（膜厚２０μｍ）をスクリーン
印刷法により形成した。次いでこのガラス基板１３を大
気中で１５０℃に３０分間保持して乾燥した後に、大気
中で５５０℃に３０分間保持して焼成した。次に純度が
９９．９９％のＭｇＯ焼結体ペレットを電子ビーム蒸着
法により上記ガラス基板１３の透明誘電体層１７表面を
覆うように蒸着して複数の柱状結晶子１４ａの集合体で
ある膜本体１４を形成した。この膜本体１４の成膜条件
は、加速電圧が１０ｋＶ、蒸着圧力が１×１０-2Ｐａ、
蒸着距離が４００ｍｍであった。更にこのガラス基板１
３を圧力が１０ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温度８０
℃）に１分間保持して膜本体１４を構成する複数の柱状
結晶子１４ａの周側面及び頂面を改質し、それら複数の
柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１５を
形成した。このガラス基板１３を実施例１とした。
説明する。 ＜実施例１＞先ず図１に示すように、厚さ３ｍｍの前面
ガラス基板１３の表面にＡｇの表示電極１６（膜厚５μ
ｍ）をスクリーン印刷法により形成した後に、ガラスか
らなる透明誘電体層１７（膜厚２０μｍ）をスクリーン
印刷法により形成した。次いでこのガラス基板１３を大
気中で１５０℃に３０分間保持して乾燥した後に、大気
中で５５０℃に３０分間保持して焼成した。次に純度が
９９．９９％のＭｇＯ焼結体ペレットを電子ビーム蒸着
法により上記ガラス基板１３の透明誘電体層１７表面を
覆うように蒸着して複数の柱状結晶子１４ａの集合体で
ある膜本体１４を形成した。この膜本体１４の成膜条件
は、加速電圧が１０ｋＶ、蒸着圧力が１×１０-2Ｐａ、
蒸着距離が４００ｍｍであった。更にこのガラス基板１
３を圧力が１０ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温度８０
℃）に１分間保持して膜本体１４を構成する複数の柱状
結晶子１４ａの周側面及び頂面を改質し、それら複数の
柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１５を
形成した。このガラス基板１３を実施例１とした。
【００２４】＜実施例２＞実施例１と同様にガラス基板
の表面に複数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体
を電子ビーム蒸着法により形成した後に、このガラス基
板を圧力が５０ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温度８０
℃）に１０分間保持して膜本体の表面を改質し、膜本体
の表面にフッ化物層を形成した。このガラス基板を実施
例２とした。 ＜実施例３＞実施例１と同様にガラス基板の表面に膜本
体を電子ビーム蒸着法により形成した後に、このガラス
基板を圧力が１０ＴｏｒｒのＦ2ガス雰囲気中（温度２
５℃）に１分間保持して膜本体の表面を改質し、膜本体
の表面にフッ化物層を形成した。このガラス基板を実施
例３とした。
の表面に複数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体
を電子ビーム蒸着法により形成した後に、このガラス基
板を圧力が５０ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温度８０
℃）に１０分間保持して膜本体の表面を改質し、膜本体
の表面にフッ化物層を形成した。このガラス基板を実施
例２とした。 ＜実施例３＞実施例１と同様にガラス基板の表面に膜本
体を電子ビーム蒸着法により形成した後に、このガラス
基板を圧力が１０ＴｏｒｒのＦ2ガス雰囲気中（温度２
５℃）に１分間保持して膜本体の表面を改質し、膜本体
の表面にフッ化物層を形成した。このガラス基板を実施
例３とした。
【００２５】＜実施例４＞実施例１と同様に透明誘電体
層１７を形成したガラス基板を得た。そして純度が９
９．９％の（Ｍｇ，Ｃａ）Ｏ焼結体ペレットを電子ビー
ム蒸着法により上記ガラス基板１３の透明誘電体層１７
表面を覆うように蒸着して複数の柱状結晶子１４ａの集
合体である膜本体１４を形成した。この膜本体１４の成
膜条件は、加速電圧が１２ｋＶ、蒸着圧力が１×１０-2
Ｐａ、蒸着距離が４００ｍｍであった。更にこのガラス
基板１３を圧力が５０ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温
度８０℃）に１０分間保持して膜本体１４を構成する複
数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面を改質し、それ
ら複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物
層１５を形成した。このガラス基板を実施例４とした。
層１７を形成したガラス基板を得た。そして純度が９
９．９％の（Ｍｇ，Ｃａ）Ｏ焼結体ペレットを電子ビー
ム蒸着法により上記ガラス基板１３の透明誘電体層１７
表面を覆うように蒸着して複数の柱状結晶子１４ａの集
合体である膜本体１４を形成した。この膜本体１４の成
膜条件は、加速電圧が１２ｋＶ、蒸着圧力が１×１０-2
Ｐａ、蒸着距離が４００ｍｍであった。更にこのガラス
基板１３を圧力が５０ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温
度８０℃）に１０分間保持して膜本体１４を構成する複
数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面を改質し、それ
ら複数の柱状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物
層１５を形成した。このガラス基板を実施例４とした。
【００２６】＜実施例５＞実施例１と同様に透明誘電体
層１７を形成したガラス基板を得た。そして純度が９
９．８％のＣａＯ焼結体ペレットを電子ビーム蒸着法に
より上記ガラス基板１３の透明誘電体層１７表面を覆う
ように蒸着して複数の柱状結晶子１４ａの集合体である
膜本体１４を形成した。この膜本体１４の成膜条件は、
加速電圧が１２ｋＶ、蒸着圧力が１×１０-2Ｐａ、蒸着
距離が４００ｍｍであった。更にこのガラス基板１３を
圧力が５０ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温度８０℃）
に１０分間保持して膜本体１４を構成する複数の柱状結
晶子１４ａの周側面及び頂面を改質し、それら複数の柱
状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１５を形
成した。このガラス基板を実施例５とした。
層１７を形成したガラス基板を得た。そして純度が９
９．８％のＣａＯ焼結体ペレットを電子ビーム蒸着法に
より上記ガラス基板１３の透明誘電体層１７表面を覆う
ように蒸着して複数の柱状結晶子１４ａの集合体である
膜本体１４を形成した。この膜本体１４の成膜条件は、
加速電圧が１２ｋＶ、蒸着圧力が１×１０-2Ｐａ、蒸着
距離が４００ｍｍであった。更にこのガラス基板１３を
圧力が５０ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温度８０℃）
に１０分間保持して膜本体１４を構成する複数の柱状結
晶子１４ａの周側面及び頂面を改質し、それら複数の柱
状結晶子１４ａの周側面及び頂面にフッ化物層１５を形
成した。このガラス基板を実施例５とした。
【００２７】＜比較例１＞実施例１と同様にガラス基板
の表面に、実施例１と同一のＭｇＯ焼結体ペレットを用
いて複数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体を電
子ビーム蒸着法により形成したが、この膜本体の表面は
改質しなかった。このガラス基板を比較例１とした。 ＜比較例２＞実施例４と同様にガラス基板の表面に、実
施例４と同一の（Ｍｇ，Ｃａ）Ｏ焼結体ペレットを用い
て複数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体を電子
ビーム蒸着法により形成したが、この膜本体の表面は改
質しなかった。このガラス基板を比較例２とした。 ＜比較例３＞実施例５と同様にガラス基板の表面に、実
施例５と同一のＣａＯ焼結体ペレットを用いて複数の柱
状結晶子１４ａの集合体である膜本体を電子ビーム蒸着
法により形成したが、この膜本体の表面は改質しなかっ
た。このガラス基板を比較例３とした。
の表面に、実施例１と同一のＭｇＯ焼結体ペレットを用
いて複数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体を電
子ビーム蒸着法により形成したが、この膜本体の表面は
改質しなかった。このガラス基板を比較例１とした。 ＜比較例２＞実施例４と同様にガラス基板の表面に、実
施例４と同一の（Ｍｇ，Ｃａ）Ｏ焼結体ペレットを用い
て複数の柱状結晶子１４ａの集合体である膜本体を電子
ビーム蒸着法により形成したが、この膜本体の表面は改
質しなかった。このガラス基板を比較例２とした。 ＜比較例３＞実施例５と同様にガラス基板の表面に、実
施例５と同一のＣａＯ焼結体ペレットを用いて複数の柱
状結晶子１４ａの集合体である膜本体を電子ビーム蒸着
法により形成したが、この膜本体の表面は改質しなかっ
た。このガラス基板を比較例３とした。
【００２８】＜比較試験１及び評価＞実施例１〜５のガ
ラス基板上の膜本体を構成する柱状結晶子の径ｘを走査
電子顕微鏡で観察して測定し、柱状結晶子の周側面及び
頂面に形成されたフッ化物層の厚さｙをＸ線光電子分光
法により深さ方向の元素分析を行ってフッ素原子量より
算出した。これに基づいて柱状結晶子の径ｘとフッ化物
層の厚さｙとの比ｙ／ｘを求めた。また、実施例１〜５
及び比較例１〜３のガラス基板上の膜本体の脱ガス量を
調査した。脱ガス量は昇温離脱ガス分析装置により、離
脱ガスのピーク面積を相対値（ａ．ｕ．：任意単位）で
表して評価した。従って、上記離脱ガスのピーク面積の
相対値が小さいほど、膜本体が耐環境性に優れているこ
とになる。更に膜本体の放電開始電圧（Ｖｆ）は実施例
１〜５及び比較例１〜３のガラス基板をチャンバ内に設
置し、このチャンバ内を排気後、５００ＴｏｒｒのＮｅ
−４％Ｘｅ混合ガスで満たし、２０ｋＨｚの電圧を印加
して測定した。これらの測定結果を表１に示した。◎
ラス基板上の膜本体を構成する柱状結晶子の径ｘを走査
電子顕微鏡で観察して測定し、柱状結晶子の周側面及び
頂面に形成されたフッ化物層の厚さｙをＸ線光電子分光
法により深さ方向の元素分析を行ってフッ素原子量より
算出した。これに基づいて柱状結晶子の径ｘとフッ化物
層の厚さｙとの比ｙ／ｘを求めた。また、実施例１〜５
及び比較例１〜３のガラス基板上の膜本体の脱ガス量を
調査した。脱ガス量は昇温離脱ガス分析装置により、離
脱ガスのピーク面積を相対値（ａ．ｕ．：任意単位）で
表して評価した。従って、上記離脱ガスのピーク面積の
相対値が小さいほど、膜本体が耐環境性に優れているこ
とになる。更に膜本体の放電開始電圧（Ｖｆ）は実施例
１〜５及び比較例１〜３のガラス基板をチャンバ内に設
置し、このチャンバ内を排気後、５００ＴｏｒｒのＮｅ
−４％Ｘｅ混合ガスで満たし、２０ｋＨｚの電圧を印加
して測定した。これらの測定結果を表１に示した。◎
【表１】
【００２９】表１から明らかなように、比較例１〜３で
は離脱ガスのピーク面積の相対値が１．０〜１．６ａ．
ｕと比較的高いのに対して、実施例１〜５ではそれぞれ
対応する比較例よりも小さい値を示し、０．１〜０．２
ａ．ｕとなった。これは膜本体を構成する柱状結晶子の
周側面及び頂面にフッ化物層を形成したためと考えられ
る。また放電開始電圧は比較例１では１８０であったの
に対し、比較例１に対応する実施例１では１７４Ｖと若
干低くなり、比較例２では１７５Ｖであったのに対し、
比較例２に対応する実施例４では１６２Ｖと低くなっ
た。また、比較例３では１７０Ｖであったのに対し、比
較例３に対応する実施例５では１６２Ｖと低くなった。
これにより二次電子放出能が大きくなり、ＰＤＰの性能
が向上したことが判った。
は離脱ガスのピーク面積の相対値が１．０〜１．６ａ．
ｕと比較的高いのに対して、実施例１〜５ではそれぞれ
対応する比較例よりも小さい値を示し、０．１〜０．２
ａ．ｕとなった。これは膜本体を構成する柱状結晶子の
周側面及び頂面にフッ化物層を形成したためと考えられ
る。また放電開始電圧は比較例１では１８０であったの
に対し、比較例１に対応する実施例１では１７４Ｖと若
干低くなり、比較例２では１７５Ｖであったのに対し、
比較例２に対応する実施例４では１６２Ｖと低くなっ
た。また、比較例３では１７０Ｖであったのに対し、比
較例３に対応する実施例５では１６２Ｖと低くなった。
これにより二次電子放出能が大きくなり、ＰＤＰの性能
が向上したことが判った。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
板の表面に密接に立設された複数の柱状結晶子の集合体
である膜本体を形成し、この膜本体を構成する柱状結晶
子の周側面及び頂面にそれぞれフッ化物層を形成したの
で、ＦＰＤの製造過程において保護膜が大気中に長時間
曝されても、膜本体中のＭｇＯ等が大気中のＣＯ2ガス
やＨ2Ｏガスと殆ど反応しない。この結果、膜本体中の
ＭｇＯ等がＦＰＤの機能を損なうおそれのあるＭｇＣＯ
3やＭｇ（ＯＨ）2等に変質することは殆どないので、膜
本体の耐環境性を向上できる。また基板には保護膜のう
ち基板と熱膨張係数が略同一の膜本体が接着されるの
で、熱サイクルにより保護膜が基板から剥離せず、保護
膜の基板に対する密着性及び整合性が極めて良好とな
る。
板の表面に密接に立設された複数の柱状結晶子の集合体
である膜本体を形成し、この膜本体を構成する柱状結晶
子の周側面及び頂面にそれぞれフッ化物層を形成したの
で、ＦＰＤの製造過程において保護膜が大気中に長時間
曝されても、膜本体中のＭｇＯ等が大気中のＣＯ2ガス
やＨ2Ｏガスと殆ど反応しない。この結果、膜本体中の
ＭｇＯ等がＦＰＤの機能を損なうおそれのあるＭｇＣＯ
3やＭｇ（ＯＨ）2等に変質することは殆どないので、膜
本体の耐環境性を向上できる。また基板には保護膜のう
ち基板と熱膨張係数が略同一の膜本体が接着されるの
で、熱サイクルにより保護膜が基板から剥離せず、保護
膜の基板に対する密着性及び整合性が極めて良好とな
る。
【００３１】またフッ化物層がＭＯXＦY（ＭはＭｇ等で
あり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４である。）であったり、
フッ化物層をガス状フッ素化剤とＭｇＯ等との反応にて
得たり、ガス状フッ素化剤としてフッ素ガス、フッ化水
素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4等を用いたり、或い
は柱状結晶子の径とフッ化物層の厚さとの比を０．００
１以上０．２以下にすれば、上記効果を更に顕著に奏す
ることができる。
あり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４である。）であったり、
フッ化物層をガス状フッ素化剤とＭｇＯ等との反応にて
得たり、ガス状フッ素化剤としてフッ素ガス、フッ化水
素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4等を用いたり、或い
は柱状結晶子の径とフッ化物層の厚さとの比を０．００
１以上０．２以下にすれば、上記効果を更に顕著に奏す
ることができる。
【００３２】また基板の表面に膜本体を形成し、この膜
本体をガス状フッ素化剤にて表面処理することにより膜
本体の表面にフッ化物層を形成すれば、膜本体中のＭｇ
Ｏ等がＦＰＤの機能にとって有害なＭｇＣＯ3やＭｇ
（ＯＨ）2等に殆ど変質しないため、後工程で上記Ｍｇ
ＣＯ3やＭｇ（ＯＨ）2等を除去する脱ガス処理工程時間
を短縮又は脱ガス処理工程を省くことができ、ＦＰＤの
製造コストを低減できる。更に上記保護膜を用いてＦＰ
Ｄを製造すれば、ＦＰＤの製造工数を大幅に低減できる
ので、安価にＦＰＤを製造できる。
本体をガス状フッ素化剤にて表面処理することにより膜
本体の表面にフッ化物層を形成すれば、膜本体中のＭｇ
Ｏ等がＦＰＤの機能にとって有害なＭｇＣＯ3やＭｇ
（ＯＨ）2等に殆ど変質しないため、後工程で上記Ｍｇ
ＣＯ3やＭｇ（ＯＨ）2等を除去する脱ガス処理工程時間
を短縮又は脱ガス処理工程を省くことができ、ＦＰＤの
製造コストを低減できる。更に上記保護膜を用いてＦＰ
Ｄを製造すれば、ＦＰＤの製造工数を大幅に低減できる
ので、安価にＦＰＤを製造できる。
【図１】本発明の保護膜が形成された前面基板の断面
図。
図。
【図２】その前面基板が組込まれたＰＤＰの要部断面
図。
図。
【図３】その保護膜を構成する断面円形の柱状結晶子を
示す図１のＡ−Ａ線断面図。
示す図１のＡ−Ａ線断面図。
【図４】断面が三角形の柱状結晶子の横断面を示す図３
に対応する断面図。
に対応する断面図。
１０ ＰＤＰ（ＦＰＤ） １３ 前面ガラス基板（基板） １４ 膜本体 １４ａ 柱状結晶子 １５ フッ化物層 ２２ 保護膜
Claims (6)
- 【請求項１】 基板(13)の表面にＭｇＯ，ＣａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しくは希土類酸
化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸化物の複合
酸化物のいずれかにより形成された膜本体(14)と、前記
膜本体(14)の表面に形成されたフッ化物層(15)とを備
え、 前記膜本体(14)が前記基板(13)の表面に密接に立設され
た複数の柱状結晶子(14a)の集合体であり、 前記フッ化物層(15)が前記複数の柱状結晶子(14a)の周
側面及び頂面にそれぞれ形成されたＦＰＤ用保護膜。 - 【請求項２】 フッ化物層(15)がＭＯXＦY（ＭはＭｇ，
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，アルカリ土類複合金属又は希土類金
属，或いはアルカリ土類金属及び希土類金属の複合金属
であり、０≦Ｘ＜２，０＜Ｙ≦４である。）である請求
項１記載のＦＰＤ用保護膜。 - 【請求項３】 フッ化物層(15)がガス状フッ素化剤とＭ
ｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化
物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び
希土類酸化物の複合酸化物のいずれかとの反応によって
得られた請求項１記載のＦＰＤ用保護膜。 - 【請求項４】 ガス状フッ素化剤がフッ素ガス、フッ化
水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4のいずれかである
請求項３記載のＦＰＤ用保護膜。 - 【請求項５】 柱状結晶子(14a)の径(x)とフッ化物層(1
5)の厚さ(y)との比(y/x)が０．００１以上０．２以下で
ある請求項１ないし４いずれか記載のＦＰＤ用保護膜。 - 【請求項６】 請求項１ないし５いずれか記載の保護膜
(22)を用いたことを特徴とするＦＰＤ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302404A JP2002110048A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | Ｆｐｄ用保護膜及びこれを用いたｆｐｄ |
| TW090117269A TW592840B (en) | 2000-07-12 | 2001-07-11 | Protective film for FPD, vapor deposited material for production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film |
| US09/901,908 US6828588B2 (en) | 2000-07-12 | 2001-07-11 | Protective film for FPD, vapor deposition material for protective film and its production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film |
| KR1020010041733A KR20020006479A (ko) | 2000-07-12 | 2001-07-11 | 에프피디용 보호막, 보호막용 증착재 및 그 제조방법,에프피디, 그리고 에프피디용 보호막의 제조장치 |
| US10/642,618 US6965125B2 (en) | 2000-07-12 | 2003-08-19 | Protective film for FPD, vapor deposition material for protective film and its production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302404A JP2002110048A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | Ｆｐｄ用保護膜及びこれを用いたｆｐｄ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110048A true JP2002110048A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18783761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000302404A Pending JP2002110048A (ja) | 2000-07-12 | 2000-10-02 | Ｆｐｄ用保護膜及びこれを用いたｆｐｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002110048A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510005B1 (ko) * | 2003-07-23 | 2005-08-26 | (주)에스이 플라즈마 | 유전체 보호층의 흡습 차단방법 |
| EP2287881A3 (en) * | 2009-08-19 | 2011-05-18 | Samsung SDI Co., Ltd. | Plasma display panel |
| CN102127736A (zh) * | 2010-01-13 | 2011-07-20 | 宇部材料工业株式会社 | 金属氧化物多晶体 |
| JP2012209159A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR101304082B1 (ko) | 2005-10-21 | 2013-09-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 내식성 다층 부재 |
-
2000
- 2000-10-02 JP JP2000302404A patent/JP2002110048A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510005B1 (ko) * | 2003-07-23 | 2005-08-26 | (주)에스이 플라즈마 | 유전체 보호층의 흡습 차단방법 |
| KR101304082B1 (ko) | 2005-10-21 | 2013-09-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 내식성 다층 부재 |
| EP2287881A3 (en) * | 2009-08-19 | 2011-05-18 | Samsung SDI Co., Ltd. | Plasma display panel |
| US8058805B2 (en) | 2009-08-19 | 2011-11-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel |
| CN102127736A (zh) * | 2010-01-13 | 2011-07-20 | 宇部材料工业株式会社 | 金属氧化物多晶体 |
| JP2012209159A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6821616B1 (en) | Protective thin film for FPDS, method for producing said thin film and FPDS using said thin film | |
| KR100516715B1 (ko) | 고품위의디스플레이에적합한플라즈마디스플레이패널및그제조방법 | |
| JP3339554B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| US4198585A (en) | Gas discharge panel | |
| JP3941289B2 (ja) | Ｐｄｐ又はｐａｌｃ用保護膜及びその製造方法並びにこれを用いたｐｄｐ又はｐａｌｃ | |
| EP1237175A2 (en) | Plasma display panel | |
| JP3991504B2 (ja) | Ｐｄｐ又はｐａｌｃ用保護膜の製造方法及びそのｐｄｐ又はｐａｌｃ用保護膜並びにこれを用いたｐｄｐ又はｐａｌｃ | |
| JP3677571B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP2002110048A (ja) | Ｆｐｄ用保護膜及びこれを用いたｆｐｄ | |
| JP2003022755A (ja) | プラズマディスプレイパネル用基板、その製造方法、その保護膜成膜装置、およびプラズマディスプレイパネル | |
| JP3563994B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネル | |
| JP2003173738A (ja) | プラズマディスプレイパネル用保護膜 | |
| JP4192642B2 (ja) | Ｆｐｄ用保護膜の製造方法 | |
| KR100943194B1 (ko) | 마그네슘 산화물 입자가 표면에 부착된 플라즈마디스플레이 패널용 보호막, 이의 제조 방법 및 상기보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| JPH10162743A (ja) | プラズマディスプレイパネル及び保護膜の形成方法 | |
| JP4249330B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 | |
| JP4519610B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液 | |
| JPH11135023A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP2006139999A (ja) | プラズマディスプレイパネル用保護膜およびその形成方法並びにプラズマディスプレイパネル | |
| KR100251159B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 | |
| JP2003007214A (ja) | プラズマディスプレイ | |
| JP2002033054A (ja) | 電子放出性薄膜およびこれを用いたプラズマディスプレイパネルならびにこれらの製造方法 | |
| KR100412087B1 (ko) | 이중 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| RU2140113C1 (ru) | Способ формирования защитного покрытия в газоразрядном приборе | |
| JP2004039586A (ja) | 誘電体膜と誘電体膜の形成方法およびプラズマディスプレイパネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20080402 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080513 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20080916 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |