RU2099857C1 - Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах - Google Patents
Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2099857C1 RU2099857C1 RU9696100012A RU96100012A RU2099857C1 RU 2099857 C1 RU2099857 C1 RU 2099857C1 RU 9696100012 A RU9696100012 A RU 9696100012A RU 96100012 A RU96100012 A RU 96100012A RU 2099857 C1 RU2099857 C1 RU 2099857C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- axis
- electrodes
- angle
- acoustical
- sound duct
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02606—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of langanite substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/0259—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of langasite substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в диапазоне высоких частот для частотной и временной обработки сигналов в радиотелефонах, мобильных системах связи, телевидении и т.д. Технической задачей, решаемой в изобретении, является уменьшение вносимых потерь и улучшение термостабильности. При подаче электрического сигнала на передающий электроакустический преобразователь (ЭАП) 2 в пьезоэлектрическом звукопроводе 1, выполненном из силикогаллата лантана, возбуждается поверхностная акустическая волна, распространяющаяся в направлении, составляющем угол с нормалью к электродам ЭАП 2. Ориентация рабочей поверхности и нормали к электродам ЭАП относительно кристаллофизических осей X, Y, Z выбраны из условия снижения вносимых потерь, обусловленных преобразованием ПАВ, дифракцией и отклонением потока энергии при одновременном улучшении температурной стабильности. 4 ил.
Description
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для частотной и временной обработки высокочастотных сигналов в радиотелефонах, мобильных системах связи, телевидении и т.д.
Известно устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены входной и выходной электроакустические преобразователи (ЭАП). С целью повышения стабильности в качестве материала звукопровода используется кварц термостабильного ST-среза [1] ориентация которого относительно кристаллофизических осей X, Y, Z в соответствии с международными стандартами описывается углами Эйлера Φ = 0°, θ = 132,75°, ψ = 0°. Для этого среза температурный коэффициент частоты (ТКЧ) составляет 0 (1/oC).
Недостатком известного устройства на ПАВ являются большие вносимые потери aвн, обусловленные потерями на преобразование ПАВ aп из-за малости коэффициента электромеханической связи (КЭМС) k = 0,116 % и потерями на распространение aр на высоких частотах (более 3,1 дБ/мкс на частоте 1 ГГц). Это ведет к существенному росту вносимых потерь в устройстве (до 15-20 дБ) и делает невозможным его использование, например, в качестве фильтров для мобильных систем связи. Фильтры для подобных систем должны иметь вносимые потери не более 3-4 дБ на промежуточных частотах 70-250 МГц или на радиочастотах 800-1800 МГц.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является устройство на ПАВ, содержащее пьезоэлектрический звукопровод из монокристалла силикогаллата лантана, на рабочей поверхности которого размещены передающий и приемный ЭАП ПАВ, содержащие системы электродов, например встречно-штыревые и при необходимости отражательные электроды [2] Использование монокристалла силикогаллата лантана в качестве материала звукопровода обеспечивает по сравнению с кварцем снижение потерь на распространение до 1 дБ/мкс на частоте 1 ГГц [3] С целью уменьшения вносимых потерь на преобразование ап углы Эйлера, определяющие ориентацию рабочей поверхности звукопровода и нормали к электродам ЭАП относительно кристаллофизических осей материала звукопровода, выбраны из условия Φ = 90°, θ = 10°, ψ = 0°.
Недостатком известного технического решения [2] является низкая температурная стабильность (ТКЧ 12•10-6 (1/oC)), а также высокие потери aп на преобразование ПАВ, на отклонение потока энергии aо и на дифракцию aд, определяемые соответственно коэффициентом электромеханической связи k , углом отклонения потока энергии φ и параметром анизотропии g. Для известного решения k = 0,26%, φ = - 5,7°, γ = -2,859.
Технической задачей изобретения является уменьшение вносимых потерь и улучшение термостабильности.
Недостатком известного технического решения [2] является низкая температурная стабильность (ТКЧ 12•10-6 (1/oC)), а также высокие потери aп на преобразование ПАВ, на отклонение потока энергии aо и на дифракцию aд, определяемые соответственно коэффициентом электромеханической связи k
Технической задачей изобретения является уменьшение вносимых потерь и улучшение термостабильности.
Решение поставленной задачи достигается тем, что в высокочастотном устройстве на ПАВ, содержащем пьезоэлектрический звукопровод из монокристаллического силикогаллата лантана, рабочая поверхность пьезоэлектрического звукопровода выполнена перпендикулярно оси Z', электроды электроакустического преобразователя размещены перпендикулярно оси X', а продольная ось электродов совпадает с осью Y', при этом оси X', Y', Z' в системе углов Эйлера (Φ, θ, ψ) ориентированы относительно кристаллофизических осей X, Y, Z силикогаллата лантана таким образом, что угол Φ изменяется от -15 до +10o, угол q выбран в пределах от 120 до 165o, а угол j составляет от 20 до 45o.
На фиг. 1 и 2 представлено высокочастотное устройство на ПАВ. На фиг. 3 приведены зависимости скорости v ПАВ, угла отклонения потока энергии f, коэффициента электромеханической связи k и ТКЧ от угла Эйлера ψ при некоторых значениях угла q для предлагаемого устройства в случае, когда угол Φ = 0°. На фиг. 4 показаны зависимости характеристик ПАВ от угла ψ при θ = 145° и нескольких различных значениях угла Φ.
Устройство на ПАВ содержит пьезоэлектрический звукопровод 1 из монокристаллического силикогаллата лантана, передающий 2, приемный 3 электроакустические преобразователи соответственно в виде систем возбуждающих 4, детектирующих 5 и (при необходимости) отражающих 6 электродов. Нормаль Z' к рабочей поверхности звукопровода, нормаль X' к электродам 4, 5, 6 ЭАП и продольная ось этих электродов Y' ориентированы относительно кристаллофизических осей X, Y, Z монокристалла таким образом, что углы Эйлера составляют v -15 +10o, q 120-165o, j 20-45o. Здесь углы Эйлера имеют следующую физическую суть:
v угол между кристаллофизической осью X и вспомогательной осью X" поворота исходной кристаллофизической плоскости XY до совмещения ее с плоскостью рабочей поверхности звукопровода 1;
q угол между кристаллофизической осью Z и осью Z', совпадающей с нормалью к рабочей поверхности звукопровода 1;
j угол между вспомогательной осью X" и осью X', совпадающей с нормалью к электродам ЭАП 2, 3.
v угол между кристаллофизической осью X и вспомогательной осью X" поворота исходной кристаллофизической плоскости XY до совмещения ее с плоскостью рабочей поверхности звукопровода 1;
q угол между кристаллофизической осью Z и осью Z', совпадающей с нормалью к рабочей поверхности звукопровода 1;
j угол между вспомогательной осью X" и осью X', совпадающей с нормалью к электродам ЭАП 2, 3.
Устройство на ПАВ работает следующим образом. При подаче электрического сигнала от генератора с внутренней проводимостью Gr на передающий ЭАП 2 в пьезоэлектрическом звукопроводе 1 возбуждается ПАВ, поток энергии которой распространяется в направлении X''', составляющем угол f с нормалью X' к электродам 3 ЭАП 2. Распространяющаяся ПАВ достигает электродов 5 приемного ЭАП 3 и преобразуется в электрический сигнал, выделяющийся на проводимости нагрузки Gн. Вносимые потери aвн устройства на ПАВ (без учета потерь на двунаправленность излучения) складываются из нескольких составляющих:
потерь на преобразование aп aп1 + aп2 ПАВ передающим и приемным ЭАП, определяемых коэффициентом электромеханической связи k
потерь aр на распространение ПАВ в звукопроводе;
потерь aд на дифракционное расхождение распространяющего пучка ПАВ;
потерь aо из-за отклонения потока энергии на угол φ от нормали X' к электродам 4, 5, совпадающей с направлением распространения фазового фронта ПАВ.
потерь на преобразование aп aп1 + aп2 ПАВ передающим и приемным ЭАП, определяемых коэффициентом электромеханической связи k
потерь aр на распространение ПАВ в звукопроводе;
потерь aд на дифракционное расхождение распространяющего пучка ПАВ;
потерь aо из-за отклонения потока энергии на угол φ от нормали X' к электродам 4, 5, совпадающей с направлением распространения фазового фронта ПАВ.
Таким образом, вносимые потери устройства на ПАВ
aп aп1 + aп2 + aр + aд + aо, дБ. (1)
В свою очередь каждая из компонент вносимых потерь связана с электрофизическими параметрами материала звукопровода 1 и геометрическими характеристиками ЭАП 2 и 3 следующими соотношениями.
aп aп1 + aп2 + aр + aд + aо, дБ. (1)
В свою очередь каждая из компонент вносимых потерь связана с электрофизическими параметрами материала звукопровода 1 и геометрическими характеристиками ЭАП 2 и 3 следующими соотношениями.
Потери aпi на преобразование обратно пропорциональны коэффициенту электромеханической связи k Для встречно-штыревого преобразователя (ВШП), содержащего N пар возбуждающих электродов, в режиме согласования с катушкой индуктивности на средней частоте [1]
aпi -10 lg[2b/(1+b)2] дБ, (2)
где b Gн/Gа; Gн проводимость нагрузки, Сим; Ga проводимость излучения ВШП, Сим. Например, для неаподизованного ВШП на средней частоте f0 проводимость излучения ф/м емкость пары электродов на единицу длины при диэлектрической проницаемости материала звукопровода ε , W апертура ВШП, м; N число пар электродов ВШП, которое определяется из заданной полосы пропускания устройства на ПАВ следующим образом: N = 0,632(Δf-3/fo)-1, где (Δf-3/fo) относительная полоса пропускания по уровню -3 дБ.
aпi -10 lg[2b/(1+b)2] дБ, (2)
где b Gн/Gа; Gн проводимость нагрузки, Сим; Ga проводимость излучения ВШП, Сим. Например, для неаподизованного ВШП на средней частоте f0 проводимость излучения ф/м емкость пары электродов на единицу длины при диэлектрической проницаемости материала звукопровода ε
Потери на распространение линейно зависят от расстояния между передающим и приемным ЭАП и составляет [1]
aр bf2 + cf, дБ/мкс, (3)
где b и c константы, зависящие от материала звукопровода 1; f рабочая частота, ГГц.
aр bf2 + cf, дБ/мкс, (3)
где b и c константы, зависящие от материала звукопровода 1; f рабочая частота, ГГц.
Потери вследствие отклонения потока энергии пропорциональны углу φ:
ao= - 20lg(1 - Btgφ), дБ, (4)
где B геометрический параметр, равный отношению расстояния l между центрами преобразователей 2, 3 к их апертуре W.
ao= - 20lg(1 - Btgφ), дБ, (4)
где B геометрический параметр, равный отношению расстояния l между центрами преобразователей 2, 3 к их апертуре W.
Потери из-за дифракционного расхождения пучка ПАВ в зоне Френеля определяются по формуле [4]
где
Ci(t) и Si(t) интегралы Френеля, γ параметр анизотропии материала звукопровода в направлении распространения ПАВ, l длина волны.
где
Ci(t) и Si(t) интегралы Френеля, γ параметр анизотропии материала звукопровода в направлении распространения ПАВ, l длина волны.
Дифракционные потери зависят от знака и величины g и минимальны при значении g = -1, соответствующем срезам с самофокусированием ПАВ.
Таким образом, снижение потерь в устройстве может быть достигнуто за счет выбора ориентации (среза) пьезоэлектрического звукопровода с большим коэффициентом электромеханической связи k для ПАВ, малым углом отклонения потока энергии φ и параметром анизотропии, близким к -1. При типичных значениях апертуры преобразователей ПАВ W = (20 - 30)λ и расстояния между излучающим и приемным преобразователями l = (200 - 300)λ дифракционные потери связаны с искажением формы акустического луча и не превышают 1,6 дБ [1] Поэтому вносимые потери устройства будут, в основном, определяться потерями на преобразование и на отклонение потока энергии.
Оценим преимущества предлагаемого устройства по сравнению с известным техническим решением [2]
Для устройства-прототипа с ориентацией (90o, 10o, 0o) известны следующие значения электрофизических параметров, характеризующие температурную стабильность и вносимые потери [2] ТКЧ 12•10-6 (1/oC), k = 0,26 % , φ = -5,7°.
Как видно из фиг. 3 и 4, в предложенном устройстве со звукопроводом из силикогаллата лантана для любых углов Эйлера, выбранных в пределах значения ТКЧ не превышают по модулю 10•10-6 (1/oC), а для ориентации с углами Эйлера около 0o, 144o, 22,75o значение ТКЧ близко к нулю.
Для устройства-прототипа с ориентацией (90o, 10o, 0o) известны следующие значения электрофизических параметров, характеризующие температурную стабильность и вносимые потери [2] ТКЧ 12•10-6 (1/oC), k
Как видно из фиг. 3 и 4, в предложенном устройстве со звукопроводом из силикогаллата лантана для любых углов Эйлера, выбранных в пределах значения ТКЧ не превышают по модулю 10•10-6 (1/oC), а для ориентации с углами Эйлера около 0o, 144o, 22,75o значение ТКЧ близко к нулю.
В результате в предлагаемом устройстве обеспечивается улучшение температурной стабильности по сравнению с известным техническим решением.
Из фиг. 3, 4 также видно, что для предлагаемого устройства угол отклонения потока энергии φ не превышает 5o, а коэффициент электромеханической связи больше 0,2% и достигает максимального значения для силикогаллата лантана k = 0,45% . Следовательно, для подавляющего числа возможных ориентаций, принадлежащих к семейству в предлагаемом устройстве, коэффициент электромеханической связи k больше, а угол φ отклонения потока энергии меньше, чем у устройства-прототипа. Поэтому соответствующие потери на преобразование и отклонение потока энергии меньше, чем у прототипа. В тех же ориентациях для предложенного устройства 30°≅ ψ ≅ 45°, где k несколько меньше, чем у прототипа (0,2% < k < 0,26%), некоторое увеличение потерь на преобразование компенсируется снижением по сравнению с прототипом потерь на отклонение потока энергии.
Таким образом, для любого фиксированного значения одного из углов Эйлера в пределах семейства ориентаций предложенного устройства всегда имеются значения двух других углов Эйлера, обеспечивающие улучшение температурной стабильности и уменьшение вносимых потерь по сравнению с прототипом.
Таким образом, в предложенном устройстве обеспечивается решение поставленной технической задачи.
Пример 1. Рассмотрим два примера фильтр для бесшнуровых радиотелефонов общеевропейского стандарта DECT на промежуточную частоту f0 110,6 МГц с полосой пропускания Δf-3 = 0,965 МГц или (Δf-3/fo) = 0,88%. В качестве звукопровода выбран срез силикогаллата лантана, определяемый углами Эйлера (0o, 146o, 22,5o) со следующими параметрами ПАВ: k = 0,42%, φ = 0,9°, ТКЧ 2•10-6 (1/oC). При числе электродов в каждом из двух преобразователей, близком к оптимальному Nопт 72, обеспечивающем минимально возможные потери на преобразование при согласовании с 50-омным трактом, апертуре преобразователей W 3,5 мм и расстоянии между их центрами l 10 мм, для предлагаемого технического решения потери на преобразование без учета двунаправленности излучения ВШП близки к нулю, в то время как потери на отклонение потока энергии составят 0,4 дБ.
Для устройства-прототипа с аналогичными геометрическими параметрами соответствующие значения потерь будут 0,6 дБ и 2,9 дБ. Таким образом, суммарный выигрыш по вносимым потерям составит 3,1 дБ. При этом температурная стабильность предлагаемого устройства существенно лучше, чем у прототипа.
Пример 2. Рассмотрим высокочастотный фильтр, предназначенный для селекции несущих радиочастот в бесшнуровых радиотелефонах общеевропейского стандарта DECT. Рабочая частота фильтра f0 1,89 ГГц, полоса пропускания Δf-3 20 МГц или (Δf-3/fo) ≈ 1% При N 65, типичной апертуре W = 0,14 мм (100λ) и расстоянии между центрами l 1 мм для предлагаемого технического решения с ориентацией звукопровода, определяемой углами Эйлера (0o, 144o, 22,75o) и имеющей параметры ПАВ: k ≈ 0,37 φ ≈ 0°, ТКЧ ≈ 0 (1/oC), потери на отклонение потока энергии равны нулю, а потери на преобразование без учета двунаправленности излучения ВШП составят 1,2 дБ.
Для прототипа с аналогичными геометрическими параметрами соответствующие значения потерь будут 2,6 дБ и 10,8 дБ. Суммарный выигрыш по вносимым потерям составит 12,2 дБ. Кроме того, в отличие от прототипа предлагаемое устройство термостабильно.
Следует отметить, что реализация указанных фильтров с малыми вносимыми потерями с использованием термостабильного ST-среза кварца невозможна.
Литература.
1. Поверхностные акустические волны. /Под ред. А.Олинера: Пер. с англ. М. Мир, 1981, 390 с.
2. Науменко Н. Ф. Оптимальные срезы лангасита для устройств на ПАВ. //Материалы конференции "Акустоэлектронные устройства обработки информации на поверхностных акустических волнах". Черкассы. 1990, с. 18, 19.
3. Mansfeld G.D. Measurements of acoustic wave attenuation in La3Ga5SiO14 using Hbar technique. // IEEE Frequency Control Symposium. 1994, p.35-39.
4. Penunuri D. Numerical Technique for SAW Diffraction Simulation. //IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 1978, v. MTT-26, p.288-294.
Claims (1)
- Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоэлектрический звукопровод из кристалла силикогаллата лантана, на рабочей поверхности которого размещены передающий и приемный электроакустические преобразователи в виде возбуждающих и отражающих электродов, отличающееся тем, что рабочая поверхность пьезоэлектрического звукопровода выполнена перпендикулярно оси Z', электроды электроакустического преобразователя размещены перпендикулярно оси X', а продольная ось электродов электроакустического преобразователя совпадает с осью Y', при этом оси X', Y', Z', связанные с кристаллофизическими осями кристалла X, Y, Z, ориентированы так, что угол Φ между кристаллофизической осью X и вспомогательной осью X'' поворота исходной кристаллофизической плоскости XY до совмещения ее с плоскостью рабочей поверхности звукопровода выбран в пределах от -15 до 10o, угол q между кристаллофизической осью Z и осью Z', совпадающей с нормалью к рабочей поверхности звукопровода, выбран в пределах 120 165o, а угол j между вспомогательной осью X'' и осью X', совпадающей с нормалью к электродам электроакустического преобразователя, выбран в пределах 20 - 45o.
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU9696100012A RU2099857C1 (ru) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах |
JP09525182A JP2000503189A (ja) | 1996-01-10 | 1996-12-20 | 高周波sawデバイス |
AU22396/97A AU2239697A (en) | 1996-01-10 | 1996-12-20 | High frequency saw device |
EP96946123A EP0873590B1 (en) | 1996-01-10 | 1996-12-20 | High frequency saw device |
EP00106913A EP1022852A3 (en) | 1996-01-10 | 1996-12-20 | High frequency saw device |
DE69628332T DE69628332T2 (de) | 1996-01-10 | 1996-12-20 | Hochfrequenz-saw-vorrichtung |
PCT/US1996/017906 WO1997025776A1 (en) | 1996-01-10 | 1996-12-20 | High frequency saw device |
KR1019980705199A KR100339719B1 (ko) | 1996-01-10 | 1996-12-20 | 고주파표면탄성파(saw)장치,그형성방법및이에사용되는랑거사이트기판 |
US08/870,524 US5917265A (en) | 1996-01-10 | 1997-06-06 | Optimal cut for saw devices on langasite |
US09/314,047 US6072264A (en) | 1996-01-10 | 1999-05-18 | Optimal cut for surface wave propagation on langasite substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU9696100012A RU2099857C1 (ru) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2099857C1 true RU2099857C1 (ru) | 1997-12-20 |
RU96100012A RU96100012A (ru) | 1998-01-20 |
Family
ID=20175357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU9696100012A RU2099857C1 (ru) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6072264A (ru) |
EP (2) | EP1022852A3 (ru) |
JP (1) | JP2000503189A (ru) |
KR (1) | KR100339719B1 (ru) |
AU (1) | AU2239697A (ru) |
DE (1) | DE69628332T2 (ru) |
RU (1) | RU2099857C1 (ru) |
WO (1) | WO1997025776A1 (ru) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3278167B2 (ja) * | 1996-06-21 | 2002-04-30 | ティーディーケイ株式会社 | 弾性表面波装置 |
EP0869609B8 (en) * | 1996-10-18 | 2004-01-02 | TDK Corporation | Surface acoustic wave device |
JPH10256870A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波デバイス |
EP0866551A3 (en) * | 1997-03-21 | 2000-05-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Surface acoustic wave element |
JPH11136083A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
US6043940A (en) * | 1997-11-14 | 2000-03-28 | Kyocera Corporation | Optical system for optical recording |
US6084333A (en) * | 1997-12-16 | 2000-07-04 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device |
JP3301399B2 (ja) * | 1998-02-16 | 2002-07-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP3269466B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2002-03-25 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置 |
JP2000068778A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置及び表面波デバイス、ならびに表面波共振子の製造方法 |
WO2000016478A1 (fr) | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface |
FR2785473B1 (fr) * | 1998-10-30 | 2001-01-26 | Thomson Csf | Filtre faibles pertes a ondes acoustiques de surface sur substrat de quartz de coupe optimisee |
JP3724544B2 (ja) * | 1999-03-11 | 2005-12-07 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置及び表面波デバイス |
JP3404461B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2003-05-06 | ティーディーケイ株式会社 | 弾性表面波装置及びその基板 |
JP3391309B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
JP2008022227A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
EP2980550B1 (en) | 2014-07-28 | 2017-01-25 | Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) | Differential temperature surface sensor |
CN111406297B (zh) * | 2018-01-10 | 2021-10-22 | 埃赛克斯古河电磁线日本有限公司 | 绝缘电线 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US35204A (en) * | 1862-05-06 | Improvement in methods of constructing carriages | ||
GB1591624A (en) * | 1977-01-24 | 1981-06-24 | Secr Defence | Acoustic wave devices |
EP0166880B1 (en) * | 1984-06-05 | 1990-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device |
JPH036913A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-14 | Hitachi Ltd | 弾性表面波フィルタ及びそれを用いた移動無線装置 |
JP3344441B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2002-11-11 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
JP3282645B2 (ja) * | 1994-06-16 | 2002-05-20 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
DE19532602C1 (de) * | 1995-09-04 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Kristallelement aus Langasit |
US5917265A (en) * | 1996-01-10 | 1999-06-29 | Sawtek Inc. | Optimal cut for saw devices on langasite |
EP0810725A3 (en) * | 1996-05-29 | 1999-10-27 | Santech Company, Limited | Wafer and surface acoustic wave device |
RU2099859C1 (ru) * | 1996-06-03 | 1997-12-20 | Московское представительство Консорциума "Экохимия-экотоксиметрия" | Пьезоэлемент |
JP3278167B2 (ja) * | 1996-06-21 | 2002-04-30 | ティーディーケイ株式会社 | 弾性表面波装置 |
JPH10126209A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Mitsubishi Materials Corp | 表面弾性波デバイス |
JPH1127089A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Mitsubishi Materials Corp | 表面弾性波素子 |
JPH10256870A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波デバイス |
EP0866551A3 (en) * | 1997-03-21 | 2000-05-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Surface acoustic wave element |
JP3201972B2 (ja) * | 1997-04-07 | 2001-08-27 | ティーディーケイ株式会社 | 弾性表面波装置 |
JPH1155064A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Santech Co Ltd | ウェハおよび圧電素子 |
GB2328815B (en) * | 1997-08-27 | 1999-10-20 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device having a langasite single crystal substrate |
CN1138342C (zh) * | 1997-09-02 | 2004-02-11 | Tdk株式会社 | 声表面波装置 |
US5905325A (en) * | 1998-01-06 | 1999-05-18 | Sawtek Inc. | Optimal cut for saw devices on langanite |
-
1996
- 1996-01-10 RU RU9696100012A patent/RU2099857C1/ru active
- 1996-12-20 JP JP09525182A patent/JP2000503189A/ja active Pending
- 1996-12-20 DE DE69628332T patent/DE69628332T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-20 AU AU22396/97A patent/AU2239697A/en not_active Abandoned
- 1996-12-20 EP EP00106913A patent/EP1022852A3/en not_active Ceased
- 1996-12-20 WO PCT/US1996/017906 patent/WO1997025776A1/en active IP Right Grant
- 1996-12-20 EP EP96946123A patent/EP0873590B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-20 KR KR1019980705199A patent/KR100339719B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-05-18 US US09/314,047 patent/US6072264A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JEEE Fregneecy Control Sumpos& - 1994, p.35 - 39. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69628332D1 (de) | 2003-06-26 |
EP0873590B1 (en) | 2003-05-21 |
JP2000503189A (ja) | 2000-03-14 |
DE69628332T2 (de) | 2004-03-25 |
KR100339719B1 (ko) | 2002-09-26 |
WO1997025776A1 (en) | 1997-07-17 |
EP1022852A2 (en) | 2000-07-26 |
EP1022852A3 (en) | 2000-08-09 |
AU2239697A (en) | 1997-08-01 |
EP0873590A1 (en) | 1998-10-28 |
KR20000004902A (ko) | 2000-01-25 |
US6072264A (en) | 2000-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2099857C1 (ru) | Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах | |
US5717367A (en) | Surface acoustic wave (SAW) filter with improved spacing between input and output interdigital transducers | |
US5473295A (en) | Saw notch filter for improving stop-band attenuation of a duplex filter | |
US5592040A (en) | Acoustic wave resonator filter | |
EP1244212B1 (en) | Surface acoustic wave apparatus and communications unit | |
EP1251638B1 (en) | Surface acoustic wave filter apparatus and communications apparatus | |
US6346864B1 (en) | Saw resonator filter and duplexer utilizing SH waves, substrate edge reflection, and sub-interdigital transducer portions | |
KR20010030219A (ko) | 탄성 표면파 장치 및 통신 장치 | |
JP2000261288A (ja) | 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置 | |
KR100588450B1 (ko) | 탄성표면파소자및이를이용한휴대전화기 | |
US6297712B1 (en) | Multi-mode edge reflection saw filter device with ground electrodes between stages, duplexer, and communication device | |
US6870302B2 (en) | Interdigital transducer, surface acoustic wave filter, and radio communication apparatus | |
EP0982856B1 (en) | Surface acoustic wave resonator and transversal type surface acoustic wave filter | |
US4155057A (en) | Surface acoustic wave ring filter | |
KR100656672B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 및 통신 기기 | |
Hashimoto et al. | Design considerations on surface acoustic wave resonators with significant internal reflection in interdigital transducers | |
KR20000057229A (ko) | 이중 반사 격자를 갖는 음향파 공진기 및 필터 | |
Gopani et al. | SAW waveguide-coupled resonator notch filter | |
Yamamoto et al. | SAW composite longitudinal mode resonator (CLMR) filters and their application to new synthesized resonator filters | |
Komatsu et al. | Design of narrow bandwidth ladder-type filters with sharp transition bands using mutually connected resonator elements | |
JPS6041304A (ja) | 表面弾性波発振器 | |
JPS60140918A (ja) | 弾性表面波共振子 | |
US6310524B1 (en) | Edge reflection type longitudinally coupled saw resonator filter | |
JPH0630433B2 (ja) | 弾性表面波フィルタを用いた分波器 | |
JPS6150524B2 (ru) |