KR100317924B1 - 탄성 표면파 장치 - Google Patents
탄성 표면파 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100317924B1 KR100317924B1 KR1019990005212A KR19990005212A KR100317924B1 KR 100317924 B1 KR100317924 B1 KR 100317924B1 KR 1019990005212 A KR1019990005212 A KR 1019990005212A KR 19990005212 A KR19990005212 A KR 19990005212A KR 100317924 B1 KR100317924 B1 KR 100317924B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- idt
- interdigital
- less
- Prior art date
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 178
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 22
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 11
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
Claims (21)
- 오일러각(0, θ, 90°)의 각 θ가 약 122° 이상, 약 131° 미만의 값을 가지는 수정기판; 및상기 수정기판 상에서 Ta와 W 중의 적어도 하나를 함유하고 있는 전극 재료로 구성되는 인터디지탈 트랜스듀서를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 오일러각(0, θ, 90°)의 각 θ가 약 125°이상, 약 128° 미만의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서가 교차폭이 약 40λ(여기에서, λ는 탄성 표면파 장치에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다) 이하인 전극지를 가지고 있음을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서를 구성하는 전극 재료는 Ta이고;상기 각 θ가 하기 식: θ = 125.44 + 108.27×d×h/λ±1.2(여기에서, h는 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 막두께를 나타내고, d는 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 전극지의 금속화비(metallization ratio)를 나타내며, λ는 탄성 표면파 장치에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다)을 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서를 구성하는 전극 재료는 W이고;상기 각 θ가 하기 식: θ = 125.70 + 49.87×d×h/λ±1.2(여기에서, h는 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 막두께를 나타내고, d는 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 전극지의 금속화비를 나타내며, λ는 탄성 표면파 장치에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다)을 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 양측에 탄성 표면파 전파 방향을 따라서 배치된 반사기를 더 포함하여, 이 구성으로 탄성 표면파 공진자가 구성되고;상기 인터디지탈 트랜스듀서의 전극지쌍의 수 NIDT가 200 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 6항에 있어서, 상기 NIDT가 100 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 6항에 있어서, 상기 NIDT가 20 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 양측에 탄성 표면파 전파 방향을 따라서 반사기가 배치되고; 상기 반사기는 탄성 표면파 전파 방향에 실질적으로 수직하는 방향으로 연장하고 있는 복수개의 전극지를 포함하고 있으며; 상기 전극지가 양 말단에서 단락되어 있고, 이러한 구성에 의해 탄성 표면파 공진자가 구성되고;상기 각 반사기의 전극지쌍의 수 NREF가 20 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 오일러각(0, θ, 90°)의 각 θ가 약 122° 이상, 약 131° 미만의 값을 가지는 수정기판;상기 수정기판 상에서 Ta와 W 중의 적어도 하나를 함유하고 있는 전극 재료로 구성된 인터디지탈 트랜스듀서; 및상기 인터디지탈 트랜스듀서의 양측에 탄성 표면파 전파 방향을 따라서 배치된 반사기를 포함하고 있는 탄성 표면파 필터로서,상기 인터디지탈 트랜스듀서의 전극지쌍의 수 NIDT가 200 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
- 제 10항에 있어서, 상기 NIDT가 100 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
- 제 10항에 있어서, 상기 NIDT가 20 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
- 제 10항에 있어서, 상기 반사기는 탄성 표면파 전파 방향에 실질적으로 수직하는 방향으로 연장하고 있는 복수개의 전극지를 포함하고 있고, 상기 전극지가 양 말단에서 단락되어 있으며;상기 각 반사기의 전극지쌍의 수 NREF가 20 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
- 오일러각(0, θ, 90°)의 각 θ가 약 122° 이상, 약 131° 미만의 값을 가지는 수정기판;상기 수정기판 상에서, Ta와 W 중의 적어도 하나를 함유하고 있는 전극 재료로 구성되고, 소정의 갭으로 서로 간격을 두고 떨어져 배치되어 있는 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서; 및상기 수정기판 상에서 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서가 형성된 영역의 양측에 탄성 표면파 전파 방향을 따라서 배치되어 있는 반사기를 포함하고 있는 종결합형 탄성 표면파 필터로서,상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서는 전극지의 수 NIDT가하기 식: NIDT MAX(x)=338{x-(0.22+0.55n)}2+25(여기에서, x=G/λ, G는 탄성 표면파 전파 방향으로 제 1 인터디지탈 트랜스듀서와 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 사이의 갭 G의 치수를 나타내고; n은 -0.055+0.55n≤x≤0.495+0.55n에 따라 정해진 정수이며; λ는 탄성 표면파 필터에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다)에 따라 정해진 NIDT MAX(x) 이하의 값을 가짐을 특징으로 하는 종결합형 탄성 표면파 필터.
- 제 14항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나는 교차폭이 약 40λ(여기에서, λ는 탄성 표면파 필터에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다) 이하인 전극지를 가지고 있음을 특징으로 하는 종결합형 탄성 표면파 필터.
- 제 14항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나를 구성하는 전극 재료는 Ta이고;상기 각 θ가 하기 식: θ = 125.44 + 108.27×d×h/λ±1.2(여기에서, h는 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나의 막두께를 나타내고,d는 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나의 전극지의 금속화비를 나타내며, λ는 탄성 표면파 필터에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다)을 만족하는 것을 특징으로 하는 종결합형 탄성 표면파 필터.
- 제 14항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나를 구성하는 전극 재료는 W이고;상기 각 θ가 하기 식: θ = 125.70 + 49.87×d×h/λ±1.2(여기에서, h는 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나의 막두께를 나타내고, d는 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나의 전극지의 금속화비를 나타내며, λ는 탄성 표면파 필터에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다)을 만족하는 것을 특징으로 하는 종결합형 탄성 표면파 필터.
- 오일러각(0, θ, 90°)의 각 θ가 약 121° 이상, 약 131° 미만의 값을 가지는 수정기판;상기 수정기판 상에서, Ta와 W 중의 적어도 하나를 함유하고 있는 전극 재료로 구성되고, 소정의 갭으로 서로 간격을 두고 떨어져 배치되어 있는 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서; 및상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서가 형성된 영역의 양측에 탄성 표면파 전파 방향을 따라서 배치되어 있고, 전극지의 수 NREF를 20 이하로 가지고 있는 반사기를 포함함을 특징으로 하는 종결합형 탄성 표면파 필터.
- 제 18항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나가 교차폭이 약 40λ(여기에서, λ는 탄성 표면파 필터에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다) 이하인 전극지를 가지고 있음을 특징으로 하는 종결합형 탄성 표면파 필터.
- 제 18항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나를 구성하는 전극 재료는 Ta이고;상기 각 θ가 하기 식: θ = 125.44 + 108.27×d×h/λ±1.2(여기에서, h는 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나의 막두께를 나타내고, d는 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나의 전극지의 금속화비를 나타내며, λ는 탄성 표면파 필터에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다)을 만족하는 것을 특징으로 하는 종결합형 탄성 표면파 필터.
- 제 18항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나를 구성하는 전극 재료는 W이고;상기 각 θ가 하기 식: θ = 125.70 + 49.87×d×h/λ±1.2(여기에서, h는 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나의 막두께를 나타내고, d는 상기 제 1 및 제 2 인터디지탈 트랜스듀서 중의 적어도 하나의 전극지의 금속화비를 나타내며, λ는 탄성 표면파 필터에서 발생된 탄성 표면파의 파장을 나타낸다)을 만족하는 것을 특징으로 하는 종결합형 탄성 표면파 필터.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3312198 | 1998-02-16 | ||
JP10-33121 | 1998-02-16 | ||
JP00419799A JP3301399B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-01-11 | 弾性表面波装置 |
JP11-4197 | 1999-01-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990072682A KR19990072682A (ko) | 1999-09-27 |
KR100317924B1 true KR100317924B1 (ko) | 2001-12-22 |
Family
ID=26337928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990005212A KR100317924B1 (ko) | 1998-02-16 | 1999-02-13 | 탄성 표면파 장치 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6154105A (ko) |
EP (1) | EP0936733B1 (ko) |
JP (1) | JP3301399B2 (ko) |
KR (1) | KR100317924B1 (ko) |
CN (1) | CN1136654C (ko) |
DE (1) | DE69926672T2 (ko) |
SG (1) | SG73613A1 (ko) |
TW (1) | TW441175B (ko) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3587354B2 (ja) * | 1999-03-08 | 2004-11-10 | 株式会社村田製作所 | 横結合共振子型表面波フィルタ及び縦結合共振子型表面波フィルタ |
JP3353742B2 (ja) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、表面波装置、通信機装置 |
TW465179B (en) * | 1999-05-27 | 2001-11-21 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
JP3435638B2 (ja) | 2000-10-27 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP3897229B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2007-03-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波フィルタ |
JP2002330052A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置及びそれを用いた弾性表面波デバイス |
JP2003133889A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Murata Mfg Co Ltd | 縦結合型弾性表面波共振子フィルタ |
JP2003258601A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機器 |
US7148610B2 (en) * | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device |
JP3885785B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2007-02-28 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置、その製造方法、および電子機器 |
JP4148220B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2008-09-10 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイス、複合デバイス、発振回路およびモジュール |
JP2006295311A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 |
JP4645957B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 |
CN101584115B (zh) | 2006-12-27 | 2012-09-05 | 株式会社村田制作所 | 声表面波装置 |
JP4582150B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2010-11-17 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 |
JP4591800B2 (ja) | 2008-02-20 | 2010-12-01 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスおよび弾性表面波発振器 |
JP4645923B2 (ja) | 2009-02-27 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 |
US8952596B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-02-10 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
JP2011223473A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Seiko Epson Corp | 振動片、振動子および圧電デバイス |
JP5678486B2 (ja) | 2010-06-17 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 |
JP5934464B2 (ja) | 2010-08-26 | 2016-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012049817A (ja) | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012049818A (ja) | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器 |
JP2012060420A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
DE102010046794B4 (de) * | 2010-09-28 | 2015-07-16 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Filter mit verringerten Nichtlinearitäten |
JP5652606B2 (ja) | 2010-12-03 | 2015-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
JP5648908B2 (ja) | 2010-12-07 | 2015-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、並びに発振器、および電子機器 |
US11121700B2 (en) * | 2018-11-20 | 2021-09-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter and multiplexer |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1451326A (en) * | 1973-02-16 | 1976-09-29 | Nat Res Dev | Acoustic wave devices |
JPS55105425A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-13 | Fujitsu Ltd | Elastic surface wave device |
DE3428876A1 (de) * | 1984-08-04 | 1986-02-13 | Rotzler GmbH + Co Spezialfabrik für Seilwinden und Hebezeuge, 7853 Steinen | Durchlaufwinde |
JPS61195013A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Yasuhiko Nakagawa | 零温度係数をもつ弾性表面波材料 |
JP2645674B2 (ja) * | 1990-10-15 | 1997-08-25 | 国際電気株式会社 | 弾性表面波共振子 |
US5392013A (en) * | 1992-07-17 | 1995-02-21 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter capable of widening a bandwidth |
JP3255502B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2002-02-12 | 東洋通信機株式会社 | 高安定弾性表面波素子 |
JPH07283682A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波共振子フィルタ |
JP3173300B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2001-06-04 | 株式会社村田製作所 | ラブ波デバイス |
JPH08274577A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Toko Inc | 表面弾性波多重モードフィルタとそのインピーダンス調整方法 |
WO1996032777A1 (fr) * | 1995-04-11 | 1996-10-17 | Japan Energy Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface |
DE69608997T2 (de) * | 1995-04-12 | 2000-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resonateur-Kettenfilter mit akustischen Oberflächenwellen |
JP3243976B2 (ja) * | 1995-08-14 | 2002-01-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
RU2099857C1 (ru) * | 1996-01-10 | 1997-12-20 | Наталья Федоровна Науменко | Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах |
JP3196678B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2001-08-06 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
JP3339350B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2002-10-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
-
1999
- 1999-01-11 JP JP00419799A patent/JP3301399B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-09 TW TW088101952A patent/TW441175B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-02-12 US US09/249,036 patent/US6154105A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-13 KR KR1019990005212A patent/KR100317924B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-02-14 CN CNB991034384A patent/CN1136654C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-15 SG SG1999000618A patent/SG73613A1/en unknown
- 1999-02-16 EP EP99400361A patent/EP0936733B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-16 DE DE69926672T patent/DE69926672T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6154105A (en) | 2000-11-28 |
CN1237036A (zh) | 1999-12-01 |
CN1136654C (zh) | 2004-01-28 |
EP0936733A2 (fr) | 1999-08-18 |
DE69926672T2 (de) | 2006-06-14 |
EP0936733B1 (en) | 2005-08-17 |
SG73613A1 (en) | 2000-06-20 |
JP3301399B2 (ja) | 2002-07-15 |
EP0936733A3 (en) | 2001-01-17 |
DE69926672D1 (de) | 2005-09-22 |
JPH11298290A (ja) | 1999-10-29 |
KR19990072682A (ko) | 1999-09-27 |
TW441175B (en) | 2001-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100317924B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 | |
US6570470B2 (en) | Surface acoustic wave ladder filter utilizing parallel resonators with different resonant frequencies | |
US5831493A (en) | Surface acoustic wave ladder filter utilizing a generated spurious component of the parallel arm | |
EP0795958B1 (en) | Resonator-type surface-acoustic-wave filter with improved upper stopband attenuation and reduced insertion loss | |
US6946930B2 (en) | Surface acoustic wave device and electronic device using the same | |
EP0897218A2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
US20060220494A1 (en) | Elastic boundary wave device, resonator, and ladder-type filter | |
KR100376906B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 및 통신 장치 | |
USRE37102E1 (en) | Saw filter with specified electrode dimensions | |
US7009468B2 (en) | Surface acoustic wave device and electronic device using the same | |
US6369667B1 (en) | Surface acoustic wave device and communication device utilizing shear horizontal waves | |
JP2019068309A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
KR100592363B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 | |
KR100352393B1 (ko) | 탄성표면파 장치 | |
US20060131992A1 (en) | One-port surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter | |
EP0763889B1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
US6879225B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
GB2337887A (en) | Surface acoustic wave filter | |
US6335584B1 (en) | Edge reflection type surface acoustic wave device | |
KR100510563B1 (ko) | G㎐ 대역용으로 바람직한 탄성표면파 소자 | |
Chvets et al. | Design of SAW filters on langasite | |
US5196753A (en) | Surface acoustic wave devices having long-term frequency stability | |
US20230117944A1 (en) | Bonded substrate and its manufacturing method | |
WO2023248636A1 (ja) | 弾性波装置 | |
JPH02202710A (ja) | 表面弾性波共振子フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121119 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131119 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141120 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151127 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161129 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171124 Year of fee payment: 17 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181126 Year of fee payment: 18 |
|
EXPY | Expiration of term |