JP3277404B2 - 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 - Google Patents

基板洗浄方法及び基板洗浄装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造プロセ
スで用いられるフォトマスク基板やウェハを洗浄する基
板洗浄方法及び基板洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のデザイン・ルールの微細化
に伴い、各種パーティクル、金属不純物、有機物等に起
因する汚染が製品の歩留りや信頼性に与える影響が一層
大きくなっている。このような影響をなくすため、一層
確実に基板を洗浄することが必要となる。この洗浄に
は、プラズマ処理やＵＶ（紫外線）照射等によるドライ
洗浄と、洗浄液を用いるウェット洗浄とがある。
【０００３】ドライ洗浄は、半導体プロセス全体のドラ
イ化が進む中で提案されてきた技術であり、均一性に優
れ、汚染物質の再付着が少なく、他のドライ・プロセス
との連続化が可能で、乾燥が不要である等の利点を有し
ている。しかし、多量の汚染物の除去に適さず、パーテ
ィクル除去が行えず、またダメージや２次汚染のおそれ
があるため、ドライ洗浄を適用したとしても、この後に
ウェット洗浄や純水リンスを行う必要がある。
【０００４】これに対し、ウェット洗浄は装置コストが
低く、スループットに優れ、複数種類の汚染を同時に除
去可能であり、さらに方法によってはバッチ処理や裏面
同時洗浄も可能であるため、現状の半導体プロセスでは
こちらが主流となっている。特に、ウェハに比べて通常
５倍大きいデザイン・ルールが適用される縮小投影露光
用のフォトマスク基板の洗浄は、ほぼウェット洗浄によ
り行われている。
【０００５】最も単純なウェット洗浄方法は、洗浄槽の
中に基板を一定時間浸漬した後に取り出し、ブラシによ
る機械的洗浄を行うものである。しかし、この方法では
洗浄槽に混入した異物やブラシに付着した異物の基板へ
の再付着を防止することができない。また、後から洗浄
された基板ほど、再付着量が多くなるという問題も生ず
る。
【０００６】この再付着をある程度防止可能な技術とし
ては、いわゆるスピン洗浄が知られている。この方法で
は、回転台上に保持された基板に対して洗浄液が吹き付
けられるので、洗浄液は遠心力により絶えず飛散し、再
付着が生じにくい。また、途中で洗浄液に替えて純水を
吹き付ければ純水リンスを行うことができ、さらに純水
の供給を停止したまま回転を続ければ乾燥も同時に行う
ことができる。例えば、特開昭６３−１５７１０号公報
に記載される洗浄装置は、このスピン洗浄を行うための
ものである。この洗浄装置は、スピン洗浄後に紫外線照
射による光洗浄を行うための機構を備えているため、装
置構成は大規模となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェット洗浄に
は、洗浄効果、スループット、経済性等に関して未だ改
善の余地がある。
【０００８】上述のようなウェット洗浄の考え方は、洗
浄液をレジスト剥離液に置き換えれば、そのままレジス
ト・パターンの剥離（分解除去）にも適用できる。近年
では、例えばクロロメチルスチレン（ＣＭＳ）系レジス
ト材料のように従来のレジスト剥離液と洗浄装置の組合
せでは容易に剥離できないレジスト材料も用いられてい
る。このレジスト材料は、遠紫外線リソグラフィ、電子
線リソグラフィ、Ｘ線リソグラフィに用いられる材料で
あるが、ウェット剥離を行うためには硫酸過水と通称さ
れる硫酸（Ｈ２ＳＯ４）−過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）混
合液のような強酸化性のレジスト剥離液を用いる必要が
ある。このＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液は、ウェット洗
浄の分野ではＳＰＭの略称で知られ、有機汚染物質の除
去に用いられる洗浄液である。上記混合液をもってして
もＣＭＳ系レジスト材料の安定した剥離は実現されてお
らず、コスト、スループット共に劣るＯ２プラズマ・ア
ッシングに頼らざるを得ないのが現状である。
【０００９】そこで、本発明は、従来のウェット洗浄に
よる洗浄効果を高めると共に、難溶性のレジスト・パタ
ーンの剥離を行うことも可能とする基板洗浄方法及び基
板洗浄装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述のような目的を達成
するために提案される本発明は、複数種類の薬液が混合
されてなる混合洗浄液を基板に接触させることにより該
基板を洗浄する基板洗浄方法において、前記混合洗浄液
はそれぞれ独立した供給口より吐出された各薬液が前記
基板面に到達させるまでの間の落下途中で混合されるこ
とにより調製され、且つこの混合時に生成する混合熱に
より昇温されるとともに、前記複数種類の薬液の混合地
点から前記基板面までの距離を制御することにより、前
記基板上における前記混合洗浄液の温度分布を最適化す
るようにしたものである。
【００１１】また、本発明は、複数種類の薬液が混合さ
れてなる混合洗浄液を基板に接触させることにより該基
板を洗浄する基板洗浄装置において、前記複数種類の薬
液を吐出する独立した複数の供給口を有し、前記複数の
供給口は、前記複数種類の薬液が前記基板面に到達する
までの間の落下途中で混合されるように互いに近接して
開口されるとともに、前記複数の供給口の高さを制御す
ることにより、前記複数種類の薬液の混合地点から前記
基板面までの距離を制御する如く構成したものである。
【００１２】
【作用】本発明では、混合により発熱する溶液系を混合
洗浄液として利用するので、装置側にヒータ等の加熱手
段を設けなくても基板上の異物やレジスト・パターンの
分解除去反応を容易に促進することができる。ここで、
混合熱による混合洗浄液の液温は、薬液同士の混合の始
まった瞬間から急速に上昇し、一定値に達した後は下降
する一方なので、個々の薬液の混合タイミングが重要と
なる。本発明では、実験的に得られた知見にもとづき、
このタイミングを個々の薬液をそれぞれ独立した供給口
から吐出させた後とする。つまり、個々の薬液を予め混
合してしまうと混合洗浄液の液温が早い時期に低下し易
いが、本発明では吐出後に薬液同士が基板面に到達する
までの間の落下途中で混合されるので、効果的な加熱が
可能となる。
【００１３】ここで、上述のように調製された混合洗浄
液が基板面上に展開された時の液温は、（ａ）個々の薬
液の流量比、（ｂ）薬液の混合地点から前記基板面まで
の距離、（ｃ）基板の回転速度等の要素に依存する。
（ａ）の流量比については、混合熱がモル分率に依存す
る量であることから理解される。（ｂ）の距離は、混合
洗浄液が基板面に到達するまでの間にどの程度昇温され
るか、又は逆に冷却されるかを決定する。さらに（ｃ）
の回転速度は、基板上における混合洗浄液の滞在時間、
すなわち基板面への到達時から遠心力により面外へ排出
されるまでの時間を決定する。本発明では、基板洗浄の
高効率化と均一化を図るために、基板面上の液温をでき
るだけ高く維持し、かつ温度分布範囲をできるだけ狭く
するようにこれら３要素を最適化する。これら３要素の
最適化は、相互に関連して行うことが効果的である。
【００１４】ところで、洗浄液を用いた洗浄を行った後
には、一般に純水リンスが行われるが、本発明では混合
洗浄液による洗浄と純水による基板表面のリンスを１サ
イクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことで、洗
浄効率を改善することができる。これは、レジスト材料
のある程度分解もしくは剥離した部分は、薬液を用いな
くとも純水により流し去ることができるからである。こ
のことにより、混合洗浄液の使用量を低減させることが
でき、場合によっては洗浄にかかる総所要時間を短縮す
ることもできる。
【００１５】本発明は、特にＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合
液によるレジスト材料の分解除去に適用することができ
る。濃硫酸と過酸化水素水は、混合すると発熱して１０
０℃前後まで昇温することが知られている。この混合洗
浄液を用いることにより、ＣＭＳ系レジスト材料のよう
な難溶性のレジスト材料はもちろん、一般的なノボラッ
ク系レジスト材料やアクリル系レジスト材料、さらには
基板上に残存した有機汚染物質等を速やかに分解除去す
ることかできる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について、実
験結果に基づいて説明する。
【００１７】まず、本発明方法に用いる本発明に係るフ
ォトマスク基板用の洗浄装置の概略的な構成について、
図１を参照しながら説明する。
【００１８】この洗浄装置は、図１（ａ）に示されるよ
うに、カップ１内で回転チャック１２に支持されたフォ
トマスク基板１３の中央部にＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合
液８を落下供給し、モータ１１により回転チャック１２
を回転させることによりＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液８
を遠心力により展開させながらフォトマスク基板１３上
のレジスト・パターンを剥離するようになされたもので
ある。
【００１９】上記Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液８は、独
立したノズルから供給される濃硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過
酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）とが落下途中で混合されること
により調製される。濃硫酸はＨ２ＳＯ４貯蔵タンク５か
らフッ素樹脂製の配管６を通じて圧送され、ノズル７か
ら吐出される。一方の過酸化水素水は、Ｈ２Ｏ２貯蔵タ
ンク２から同じくフッ素樹脂製の配管３を通じて圧送さ
れ、ノズル４から吐出される。なお、本発明は濃硫酸と
過酸化水素水の混合熱を利用することを趣旨とするが、
上述のＨ２ＳＯ４貯蔵タンク５やＨ２Ｏ２貯蔵タンク２
に加熱機構を付加し、ある程度の予備加熱を行うように
しても良い。
【００２０】図１（ｂ）に、ノズル４，７の近傍を拡大
して示す。これら両ノズル４，７は互いに近接した至近
距離に開口される。ノズル先端からやや下がった位置
は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との混合ポイントＰとなり、
ここより下方へはＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液８がフォ
トマスク基板１３の表面に向けて落下する。
【００２１】フォトマスク基板１３上の、外周部上方に
は表面リンス配管９が開口しており、図１（ａ）中矢印
Ａ方向から供給された純水１０がその一端から噴出さ
れ、フォトマスク基板１３に斜め方向に吹き付けられ
る。この純水１０は、表面リンスの目的に用いられるの
みならず、必要に応じてＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液８
の供給中にも吹き付けられ、ｐＨやＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ
２混合液８の液温を調節する役割を果たす。
【００２２】フォトマスク基板１３の裏面側には、裏面
リンス配管１４が配設されている。この裏面リンス配管
１４の末端は、カップ１の側壁面に向けて開口するカッ
プ・リンス・ノズル１５とフォトマスク基板１３の裏面
に向けて開口する裏面リンス・ノズル１６とに分岐され
ており、裏面リンス配管１４から図１（ａ）中矢印Ｃ方
向に送入された純水１７をそれぞれの方向に噴出させ
る。裏面リンス・ノズルから噴出された純水１７はフォ
トマスク基板１３の裏面に回り込んだＨ２ＳＯ４−Ｈ２
Ｏ２混合液８の洗浄、フォトマスク基板１３の冷却、あ
るいは廃液のｐＨ調製等の役割を果たす。また、カップ
・リンス・ノズル１５から噴出された純水１７は、カッ
プ１の内壁面の洗浄や廃液のｐＨ調製等に寄与する。
【００２３】上記回転チャック１２の中心にはモータ１
１が接続されており、該回転チャック１２を図１（ａ）
中矢印Ｄ方向に回転できるようになされている。これに
より、Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液８、純水１０，１７
がフォトマスク基板１３の表面又は裏面に均一に展開さ
れるようになされている。
【００２４】また、カップ１内に生じた廃液はすべて、
カップ１の底面に開口された排出孔１８を通じて矢印Ｂ
方向に排出される。
【００２５】実施例１ 本実施例では、上述の洗浄装置を用いて実際にフォトマ
スク基板上のＣＭＳ系レジスト・パターンを剥離する場
合の予備実験として、流量比（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２）
とフォトマスク基板上のＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液の
温度分布の関係について調べた。
【００２６】実験に用いたフォトマスク基板１３は、１
２７ｍｍ角のガラス基板上にＣｒ遮光膜が被着されたマ
スク・ブランクス上に電子線レジスト材料（東ソー社
製；商品名ＣＭＳ−ＥＸ（Ｓ）を塗布して膜厚０．４μ
ｍのレジスト塗膜を形成したものである。このレジスト
塗膜は、常温では硫酸を用いても剥離することは困難で
あり、通常はＯ２プラズマ・アッシングによる剥離が推
奨されている。
【００２７】また、上記洗浄装置において、フォトマス
ク基板１３の表面を基準としたＨ２Ｏ２供給用のノズル
４の高さｈ１〔図１（ｂ）参照。〕は４６．５ｍｍ、Ｈ
２ＳＯ４供給用のノズル７の高さｈ２は４３．５ｍｍ、
混合ポイントＰの高さｈ３は４３．０ｍｍとした。
【００２８】このフォトマスク１３基板上を静止させた
ままで、その表面に種々の流量比によりＨ２ＳＯ４とＨ
２Ｏ２を混合したＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液８を供給
し、対角線上に並ぶ測定ポイント、すなわち中心（ポイ
ント１）、隅部（ポイント３）、およびこれら両ポイン
トの中間（ポイント２）における混合液の温度を、サー
ミスタを用いて測定した。
【００２９】結果を図２に示す。図中、横軸は流量比
（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２）、縦軸はＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ
２混合液の温度（℃）を表し、白丸（○）のプロットは
ポイント１、黒丸（●）のプロットはポイント２、白三
角（△）のプロットはポイント３における測定結果にそ
れぞれ対応している。これより、流量比約０．９〜１．
１の範囲ではポイント２とポイント３における温度がお
およそ８５〜９５℃の範囲でほぼ等しく、混合ポイント
Ｐの直下であるポイント１でも温度が約８０℃に達して
いることがわかる。
【００３０】実施例２ 本実施例では、実施例１よりも各ノズルの高さを５ｍｍ
下げて同様の実験を行った。すなわち、Ｈ２Ｏ２供給用
のノズル４の高さｈ１〔図１（ｂ）参照。〕は４１．５
ｍｍ、Ｈ２ＳＯ４供給用のノズル７の高さｈ２は３８．
５ｍｍ、混合ポイントＰの高さｈ３は３８．０ｍｍであ
る。
【００３１】結果を図３に示す。いずれの流量比におい
てもＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液の温度はノズル直下の
ポイント１において最も低く、フォトマスク基板１３の
外周側へ向かうほど高くなっていた。これは、Ｈ２ＳＯ
４とＨ２Ｏ２とが落下途中で十分に混合できず、基板面
に接触した後に両者の混合が進んでいることを示してい
る。
【００３２】ちなみに、上記のノズル高さの設定により
１：１の混合比によるＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液を５
分間流した場合、ポイント１付近のレジスト塗膜が除去
されずに残ってしまった。
【００３３】この結果から、ノズル高さには最適値が存
在することが示唆され、実施例２よりも実施例１の方が
優れていることが明らかである。
【００３４】比較例 本比較例では、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とを吐出直前に混
合するタイプのノズルを用い、同様の実験を行った。
【００３５】図５に、このノズルを示す。すなわち、Ｈ
２ＳＯ４を圧送するフッ素樹脂製の配管２０とＨ２Ｏ２
を圧送する同じくフッ素樹脂製の配管２１とが共通のノ
ズル２２に接続されており、この中で両者が混合され、
Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液２３として吐出されるよう
になされている。このノズルの高さは、実施例１におけ
る混合ポイントＰの高さｈ３と同じく４３．０ｍｍとし
た。
【００３６】フォトマスク基板１３上の各ポイントにお
けるＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液の温度の測定結果を、
図６に示す。これより、流量比約０．７〜１．０の範囲
ではノズル直下のポイント１において温度が極大となっ
ているが、中心からポイント２，ポイント３と離れるに
したがって温度が低下し、温度分布が広範囲にわたって
いる。これは、最初にノズル２２の内部もしくは落下途
中で温度がほぼ上昇し終わってしまい、その後は冷却さ
れる一方であることを示している。
【００３７】実施例４ 静止したフォトマスク基板を用いた前述の各実施例およ
び比較例から、独立したノズルの使用とその高さの制御
が有効であることが示されたので、本実施例では回転さ
せたフォトマスク基板上でＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液
による剥離と純水による表面リンスを組み合わせたサイ
クルに基づいてレジスト・パターンを剥離する実験を行
った。
【００３８】実験に用いたフォトマスク基板１３の寸法
と電子線レジスト材料の種類は実施例１と同じである
が、ここではテスト・パターンにもとづく電子線露光、
現像、ポストベーク、デスカムを経てレジスト・パター
ンを形成し、さらにこのレジスト・パターンをマスクと
してＣｒ遮光膜をエッチングした。
【００３９】ノズル高さの設定は、実施例１と同じとし
た。
【００４０】さらに、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２の流量は、
共に４５０ｍｌ／分とした。つまり、混合比は１：１で
ある。
【００４１】本実施例では、レジスト剥離を１サイクル
で行った。各ステップにおけるフォトマスク基板１３の
回転数と処理時間は、一例として以下のように設定し
た。
【００４２】剥離 ： １（ｒｐｍ）， ５（分）リンス ：１００（ｒｐｍ）， １（分）乾燥 ：９００（ｒｐｍ），４０（秒） これらのステップをすべて終了した後、フォトマスク基
板１３の表面を顕微鏡で観察したところ、レジスト・パ
ターンは完全に剥離されていた。したがって、本発明に
よりＣＭＳ系レジスト材料のウェット剥離も実用的なプ
ロセスとなり得ることが確認できた。
【００４３】なお、上述の剥離時間を５分より短縮した
場合には、部分的にレジスト・パターンが残存する傾向
がみられた。
【００４４】実施例５ 本実施例では、レジスト剥離を２サイクルで行った。
【００４５】ここで、レジスト剥離のシーケンスのフロ
ー・チャートを図４に示す。このシーケンスは、Ｈ２Ｓ
Ｏ４−Ｈ２Ｏ２混合液による剥離と純水による表面リン
スからなる１サイクルをｎ回（ただし、ｎは２以上の自
然数）繰り返すことを基本としているが、最後のｎ回め
だけは時間を延長する場合もあるので、このチャートで
はｎ回めのサイクルのみを独立に表示してある。また、
表面リンス時には同時にカップ・リンスも行われるの
で、フロー・チャート中にはその旨も表示してある。
【００４６】すなわち、ステップＳ１のＨ２ＳＯ４−Ｈ
２Ｏ２混合液による剥離とステップＳ２の純水による表
面リンスからなるサイクルを繰り返し、このサイクルが
ステップＳ３において（ｎ−１）回めと判定されればス
テップＳ４およびステップ５に進んでｎ回めの剥離と表
面リンスがそれぞれ行われる。最後にステップＳ６にお
いてスピン乾燥を行えば、レジスト剥離は終了である。
本実施例では、ｎ＝２である。
【００４７】各ステップにおけるフォトマスク基板１３
の回転数と処理時間は、一例として以下のように設定し
た。
【００４８】 剥離（１回め，２回め）： １（ｒｐｍ）， ２（分） リンス（１回め） ：１００（ｒｐｍ），２０（秒） （２回め） ：２００（ｒｐｍ）， １（分） 乾燥 ：９００（ｒｐｍ），４０（秒） ここで、剥離中のフォトマスク基板１３の回転数はかな
り低速に設定してあるが、これは高速回転を行うとＨ２
ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液が十分に昇温しないうちに遠心
力により排出されてしまうおそれが大きいからである。
【００４９】本実施例では、剥離のステップを２回に分
け、その間で短時間のリンスを行うことにより、剥離の
所要時間を実施例４よりも１分短縮し、４分とすること
ができた。Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液の流量は一定と
してあるので、所要時間の短縮は上記混合液の使用量の
節約につながる。
【００５０】実施例６ 本実施例では、レジスト剥離を３サイクルで行った。つ
まり、ｎ＝３である。レジスト剥離のシーケンスは、実
施例５と同様である。
【００５１】各ステップにおけるフォトマスク基板１３
の回転数と処理時間は、一例として以下のように設定し
た。
【００５２】 剥離（１回め，２回め） ： １（ｒｐｍ），７０（秒） （３回め） ： １（ｒｐｍ），７５（秒） リンス（１回め，２回め）：１００（ｒｐｍ），１０（秒） （３回め） ：２００（ｒｐｍ）， １（分） 乾燥 ：９００（ｒｐｍ），４０（秒） 本実施例では、剥離のステップを３回に分け、その間で
短時間のリンスを行うことにより、剥離の所要時間を実
施例５よりもさらに２５秒短縮し、３分３５秒とするこ
とができた。また、剥離、リンス、乾燥に要する総所要
時間も短縮された。
【００５３】以上、本発明方法を６例の実施例に基づい
て説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定され
るものではない。
【００５４】例えば、上述の実施例では使用する薬液の
種類が２種類である場合について説明したが、混合熱を
生成し得る系であれば、３種類以上の薬液を用いてもち
ろん構わない。
【００５５】レジスト材料としては、現状で最もウェッ
ト剥離が困難なＣＭＳ系レジスト材料を採り上げたが、
これより剥離の容易な一般のフォトレジスト材料等は、
もちろん良好に剥離することができる。
【００５６】本発明はレジスト剥離のみならず、金属不
純物や有機汚染物質等の洗浄除去にも適用できる。特に
有機汚染物質は、上述のＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液に
より除去することができる。
【００５７】洗浄の対象となる基板もフォトマスク基板
に限られず、通常の半導体ウェハや化合物半導体ウェハ
を用いることができる。
【００５８】基板上における混合洗浄液の温度をさらに
均一化するには、回転する基板の中心から若干ずれた地
点に向けて混合洗浄液を吐出すること、あるいはタンク
内で各薬液を予備加熱しておくこと等が有効である。
【００５９】この他、本発明方法を実施するために使用
される本発明に係る洗浄装置の細部の構成、剥離、リン
ス、乾燥等の条件等が適宜変更可能である。
【００６０】
【発明の効果】上述したように、本発明は、薬液の混合
熱を利用してスピン洗浄を行うので、洗浄効果が向上
し、これによりスループットが改善され、しかも再付着
が極めて起こりにくい。洗浄装置に加熱機構を配設した
り、他の機械洗浄や光洗浄等の設備と組み合わせる必要
がないため、装置コストを低く抑えることができ、また
プロセスも単純である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る洗浄装置を示す概略断面図であ
り、（ａ）は全体図、（ｂ）はノズル近傍の拡大図であ
る。
【図２】ノズル高さを最適化した場合のＨ２ＳＯ４／Ｈ
２Ｏ２流量比とフォトマスク基板上の各測定ポイントに
おけるＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液の温度との関係を示
すグラフである。
【図３】最適位置よりもノズル高さを下げた場合のＨ２
ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２流量比とフォトマスク基板上の各測定
ポイントにおけるＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液の温度と
の関係を示すグラフである。
【図４】Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液による剥離と純水
による表面リンスからなるサイクルを繰り返す場合のシ
ーケンスを示すフロー・チャートである。
【図５】比較のために、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とを予め
内部で混合してから吐出するタイプのノズルを示す概略
断面図である。
【図６】図５のノズルを用いた場合のＨ２ＳＯ４／Ｈ２
Ｏ２流量比とフォトマスク基板上の各測定ポイントにお
けるＨ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液の温度との関係を示す
グラフである。
【符号の説明】
１ カップ、 ２ Ｈ２Ｏ２貯蔵タンク、 ３ 配管、
４ ノズル（Ｈ２Ｏ２）、 ５ Ｈ２ＳＯ４貯蔵タン
ク、 ６ 配管、 ７ ノズル（Ｈ２ＳＯ４）、 ８
Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２混合液、 ９ 表面リンス配管、
１０ 純水（表面リンス用）、 １１ モータ、 １
２ 回転チャック、 １３ フォトマスク基板、 １４
裏面リンス配管、 １５ カップ・リンス・ノズル、
１６裏面リンス・ノズル、 １７ 純水（裏面リン
ス，カップ・リンス用）、 １８排出孔
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−246827（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−173840（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−105847（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−173841（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−31533（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/027

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数種類の薬液が混合されてなる混合洗
    浄液を基板に接触させることにより該基板を洗浄する基
    板洗浄方法において、 前記混合洗浄液はそれぞれ独立した供給口より吐出され
    た各薬液が前記基板面に到達させるまでの間の落下途中
    で混合されることにより調製され、且つこの混合時に生
    成する混合熱により昇温されるとともに、 前記複数種類の薬液の混合地点から前記基板面までの距
    離を制御することにより、前記基板上における前記混合
    洗浄液の温度分布を最適化する ことを特徴とする基板洗
    浄方法。
  2. 【請求項２】 複数種類の薬液が混合されてなる混合洗
    浄液を基板に接触させることにより該基板を洗浄する基
    板洗浄装置において、 前記複数種類の薬液を吐出する独立した複数の供給口を
    有し、 前記複数の供給口は、前記複数種類の薬液が前記基板面
    に到達するまでの間の落下途中で混合されるように互い
    に近接して開口されるとともに、 前記複数の供給口の高さを制御することにより、前記複
    数種類の薬液の混合地点から前記基板面までの距離を制
    御する如く構成されたことを特徴とする基板洗浄装置。
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