JPH03227010A

JPH03227010A - レジストの除去方法および除去装置

Info

Publication number: JPH03227010A
Application number: JP2318790A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Domae; 伸一堂前; Hideto Ozaki; 尾崎　秀人; Satoshi Nakagawa; 聡中川
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1990-01-31
Filing date: 1990-01-31
Publication date: 1991-10-08
Anticipated expiration: 2012-06-25
Also published as: JP2624347B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は半導体装置の製造工程における、レジストの除
去方法および除去装置に関するものである。

従来の技術従来より、ドライエツチング後のレジストの除去方法は
、酸素を含んだプラズマを用いたレジスト除去工程とそ
れに続く水洗工程から構成されている。

以下、従来のレジストの除去方法について説明する。第
７図（ａｌ〜（Ｃ１は従来のレジストの除去方法のフロ
ーチャートを示す半導体装置の工程断面図であり、１は
シリコンよりなる半導体基板、２は酸化シリコン膜、３
はドライエツチングによりパターン形成されたシリコン
及び銅を少量含むアルミニウム合金膜、４はポジティブ
フォトレジスト、５はアルミニウム合金膜３のエツチン
グ後に形成された弗素系ポリマー　６はレジスト変質膜
である。

まず、第７図（ａｌのように、レジスト４をマスクとし
てのアルミニウム合金膜３のドライエツチング後の半導
体装置は、アルミニウム合金膜３の腐食を防止するため
のフルオロカーボンプラズマ処理を受けているため、半
導体装置全体に弗素系ポリマー５が堆積している。この
半導体装置を酸素を含んだプラズマを用いたレジスト除
去装置でレジスト除去すると、第７図（ｂｌのように、
レジスト４が除去されるが、レジスト４の側壁に堆積し
ていた弗素系ポリマー５がレジスト４の除去中に倒れる
。このため倒れた弗素系ポリマー５に覆われた部分はレ
ジストの除去がされに＜＜、レジスト変質膜６が形成さ
れる。次にこの半導体装置を水洗すると倒れた弗素系ポ
リマー５は機械的に除去されるが、レジスト変質膜６は
除去されずに残留する。

発明が解決しようとする課題しかしながら上記従来のレジストの除去方法ではレジス
ト変質膜６が除去されずに残留するため、後工程や完成
後にレジスト変質膜６が剥がれて、歩留まりが低下した
り半導体装置の信頼性上の問題を引き起こすという課題
があった。本発明は上記従来の課題を解決するもので、
半導体装置の製造工程においてレジストを除去する際に
、レジスト変質膜も除去することによって、半導体装置
の高い歩留まりと優れた信頼性を提供する、レジストの
除去方法を実現することを目的とする。

また、本発明では、レジストの除去方法を簡便かつ効率
的に行うレジストの除去装置を実現することを目的とす
る。

課題を解決するための手段本発明は上記問題点を解決するために、半導体基板上に
フルオロカーボンプラズマ処理されたレジストを、酸素
を含むプラズマで途中までエツチングする第１の工程と
、前記半導体基板を水洗洗浄する第２の工程と、前記半
導体基板を、酸素を含むプラズマで再処理する第３の工
程とを有する。

作用本発明の構成によって、レジスト除去の処理を、途中の
段階で、−旦止めるので、同レジストの側壁に堆積して
いた弗素系ポリマーがレジストの除去中に倒れるのを防
止することができ、したがって、レジスト変質膜の形成
を防止できるため、半導体装置の高い歩留まりと優れた
信頼性のあるレジストの除去方法を実現することができ
る。

本発明のレジストの除去方法を実施するにあたって、レ
ジスト除去装置から水洗装置の間を、半導体装置を合計
１往復半もしないで済むため、簡便かつ効率的なレジス
トの除去装置を実現することができる。

本発明は、また、プラズマを用いてレジスト変質膜をス
パッタエッチすることにより、半導体装置の高い歩留ま
りと優れた信頼性を実現することができる。

実施例以下、本発明のレジストの除去方法の第１の実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。第１図（ａｌ〜＋
ｅｌは本発明の一実施例におけるレジストの除去方法の
フローチャートを示す半導体装置の工程断面図である。

１はシリコン基板、２は酸化シリコン膜、３はアルミニ
ウム合金膜、４はポジティブフォトレジスト、５は弗素
系ポリマーである。

まず、第１図ｆａｌのように、レジスト４をマスクとし
てのアルミニウム合金膜３のドライエツチング後の半導
体装置は、アルミニウム合金膜３の腐食を防止するため
のフルオロカーボンプラズマ処理を受けているため、半
導体装置全体に弗素系ポリマー５が堆積している。この
半導体装置を酸素プラズマを用いて、第１図ｔｂ＋のよ
うに、レジストの残膜が約０．２μｍとなる時点までレ
ジスト除去を行う。次にこの半導体装置を水洗すると、
第１図（Ｃｊのように、すでに除去されたレジスト４の
側壁に堆積していた弗素系ポリマー５は機械的に除去さ
れる。この後、再び酸素プラズマを用いて、第１図（ｄ
ｌのように、終点までレジスト除去を行い、その後水洗
を行えば、第１図ｔｅｌのように、アルミニウム合金膜
３の表面は残存物のない清浄なものになる。

以上のように、本実施例によれば、酸素を含むプラズマ
を用いてレジストの第１の除去工程と、それに続く第１
の水洗工程と、それに続く酸素を含むプラズマを用いた
レジストの第２の除去工程と、それに続く第２の水洗工
程を設けたことにより、レジスト４の側壁に堆積してい
た弗素系ポリマー５がレジスト４の除去中に倒れないた
め、レジスト変質膜が形成されないので、半導体装置の
高い歩留まりと信頼性を得ることができる。

なお第１のレジスト除去工程の終了時点でのレジストの
残膜が０．１μｍ以下である場合には、第１のレジスト
除去工程中に弗素系ポリマー５が倒れてレジスト変質膜
が形成される恐れがある。

また第１のレジスト除去工程の終了時点でのレジストの
残膜が０．５μｍ以上の場合には、第２のレジスト除去
工程中に弗素系ポリマー５が倒れてレジスト変質膜が形
成される恐れがある。

次に本発明のレジストの除去装置の第１の実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。第２図は本発明の一
実施例におけるレジストの除去装置の断面図である。７
は処理前のウェハカセット、８は搬送アーム、９はシリ
コン基板、１０はステンレスで構成される基板ホルダー
　１１は石英で構成される反応室壁、１２はマグネトロ
ン発振器、１３は導波管、１４は０２の導入口、１５は
排気口、１６はシリコン基板９を真空チャックする機構
を有する回転可能な基板ホルダー　１７は基板ホルダー
１６に回転を伝える回転軸、１８は洗浄水の飛散を防ぐ
シールド、１９は洗浄水のノズル、２０は処理後のウェ
ハカセット、２１は酸素を含むプラズマを用いた第１の
レジスト除去装置、２２は第１の水洗装置、２３は酸素
を含むプラズマを用いた第２のレジスト除去装置、２４
は第２の水洗装置である。

このように構成された本実施例のレジストの除去装置に
ついて、その動作を説明する。

まず、処理前のウェハカセット７に納められていたシリ
コン基板９を、搬送アーム８により第１のレジスト除去
装置２１に搬送し、酸素プラズマを用いてレジストの残
膜が約０．２μｍとなる時点までレジスト除去を行う。

次にシリコン基板９を、搬送アーム８により第１の水洗
装置２２に搬送し、水洗することによってレジストの側
壁に堆積していたポリマーを機械的に除去する。さらに
シリコン基板９を、搬送アーム８により第２のレジスト
除去装置２３に搬送し、終点までレジスト除去を行う。

最後にシリコン基板９を、搬送アーム８により、第２の
水洗装置２４に搬送し、水洗を行う。

本実施例によれば、第１のレジスト除去装置２１と、第
１の水洗装置２２と、第２のレジスト除去装置２３と、
第２の水洗装置２４と、シリコン基板９を第１のレジス
ト除去装置２１から第１の水洗装置２２へと自動搬送す
る搬送アーム８と、シリコン基板９を第１の水洗装置２
２から第２のレジスト除去装置２３へと自動搬送する搬
送アーム８と、シリコン基板９を第２のレジスト除去装
置２３から第２の水洗装置２４へと自動搬送する搬送ア
ーム８を一つの装置に設けたことにより、レジスト除去
装置と水洗装置の間を１往復半しないで良いため、レジ
スト除去を簡便かつ効率的に行うことができる。

以下、本発明のレジストの除去方法の第２の実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。第３［Ｈａｌ〜（
ｄｌは本発明の一実施例におけるレジストの除去方法の
フローチャートを示す半導体装置の工程断面図である。

１はシリコン基板、２は酸化シリコン膜、３はアルミニ
ウム合金膜、４はポジティブフォトレジスト、５は弗素
系ポリマー６はレジスト変質膜であり、これらは従来例
の場合と同様である。

本実施例のレジストの除去方法について説明する。

まず、第３図ｆａｌのように、アルミニウム合金膜３の
ドライエツチング後の半導体装置は、アルミニウム合金
膜３の腐食を防止するためのフルオロカーボンプラズマ
処理を受けているため、半導体装置全体に弗素系ポリマ
ー５が堆積している。この半導体装置を酸素を含んだプ
ラズマを用いたレジスト除去装置でレジスト除去すると
、第３図（ｂｌのように、レジスト４が除去されるが、
レジスト４の側壁に堆積していた弗素系ポリマー５がレ
ジスト４の除去中に倒れる。このため倒れた弗素系ポリ
マー５に覆われた部分はレジストの除去がされに＜＜、
レジスト変質膜６が形成される。次に、この半導体装置
を水洗すると倒れた弗素系ポリマーは機械的に除去され
るが、第３図（Ｃ１のように、レジスト変質膜６は除去
されずに残留する。

そこでさらにこの半導体装置を酸素を含んだプラズマを
用いたスパッタエッチ装置に入れ、レジスト変質膜６を
スパッタエッチすると、第３図ｆｄ）のように、レジス
ト変質膜６は除去される。最後ニこの半導体装置を再び
水洗することによってレジストの除去工程を終える。

本実施例によれば、第１の水洗工程の後にスパッタエッ
チ工程を設けることにより、レジスト変質膜６を除去す
ることができるので、半導体装置の高い歩留まりとすぐ
れた信頼性を得ることができる。

本発明のレジストの除去装置の第２の実施例について、
図面を参照しながら説明する。第４図は本発明の一実施
例におけるレジストの除去装置の断面図である。２５は
下部電極、２６はプロ・ソキングコンデンサ、２７は周
波数１３．５６　ＭＨｚ（７）高周波電源、２８はアー
ス電位の反応室壁、２９は酸素を含んだプラズマを用い
たスパッタエッチ装置である。なお７は処理前のウニバ
カセント、８は搬送アーム、９はシリコン基板、１０は
基板ホルダー　１１は反応室壁、２はマグネトロン発振
器、１３は導波管、１４は０２の導入口、１５は排気口
、１６は基板ホルダー　１７は回転軸、１８はシールド
、１９はノズル、２０は処理後のウェハカセット、２１
はレジスト除去装置、２２は第１の水洗装置、２４は第
２の水洗装置であり、これらは第２図の本発明のレジス
トの除去装置の一実施例の場合と同様である。

まず、処理前のウェハカセット７に納められていたシリ
コン基板９を、搬送アーム８によりレジスト除去装置２
１に搬送し、酸素プラズマを用いて終点までレジスト除
去を行う。次に、シリコン基板９を、搬送アーム８によ
り第１の水洗装置２２に搬送し、水洗することによって
レジストの側壁に堆積していたポリマーを機械的に除去
する。さらにシリコン基板９を、搬送アーム８によりス
パッタエッチ装置２９に搬送し、スノくソタエ・ソチす
ることによりレジスト変質膜を除去する。最後にシリコ
ン基板９を、搬送アーム８により第２の水洗装置２４に
搬送し、水洗を行う。

本実施例によれば、レジスト除去装置２１と、第１の水
洗装置２２と、スバツタエ・ソチ装置２９と、第２の水
洗装置２４と、シリコン基板９をレジスト除去装置２１
から第１の水洗装置２２へと自動搬送する搬送アーム８
と、シリコン基板９を第１の水洗装置２２からスパッタ
エッチ装置２９へと自動搬送する搬送アーム８と、シリ
コン基板９をスパッタエッチ装置２９から第２の水洗装
置２４へと自動搬送する搬送アーム８を１つの装置に設
けたことにより、レジストの除去を実施するにあたって
、シリコン基板９をレジスト除去装置２１から第１の水
洗装置２２へ、つぎに第１の水洗装置２２からスパッタ
エッチ装置２９へ、さらにスパッタエッチ装置２９から
第２の水洗装置２４へと持ち運ばなくても良いため、レ
ジストの除去を簡便かつ効率的に行うことができる。

本発明のレジストの除去方法の第３の実施例について、
図面を参照しながら説明する。第５図（ａｌ〜（ｄｉは
本発明の一実施例におけるレジストの除去方法のフロー
チャートを示す半導体装置の工程断面図である。１はシ
リコン基板、２は酸化シリコン膜、３はアルミニウム合
金膜、４はポジティブフォトレジスト、５は弗素系ポリ
マー　６はレジスト変質膜であり、これらは従来例の場
合と同様である。

本実施例のレジストの除去方法について説明する。

マス、第５図（ａｌのように、アルミニウム合金膜３の
ドライエツチング後の半導体装置は、アルミニウム合金
膜３の腐食を防止するためにフルオロカーボンプラズマ
処理を受けているため、半導体装置全体に弗素系ポリマ
ー５が堆積している。この半導体装置を酸素を含んだプ
ラズマを用いたレジスト除去装置でレジスト除去すると
、第５図（ｂｌのように、レジスト４が除去されるが、
レジスト４の側壁に堆積していた弗素系ポリマー５がレ
ジスト４の除去中に倒れる。このため倒れた弗素系ポリ
マー５に覆われた部分はレジストの除去がされにり＜、
レジスト変質膜６が形成される。次にこの半導体装置を
水洗すると倒れた弗素系ポリマーは機械的に除去される
が、第５図（Ｃ）のように、レジスト変質膜６は除去さ
れずに残留する。

そこで、さらにこの半導体装置を発煙硝酸洗浄装置に入
れ、レジスト変質膜６を３０秒間ウニ・ソトエッチする
と、第５図（ｄｉのように、レジスト変質膜６は除去さ
れる。最後に、この半導体装置を再び水洗することによ
って半導体装置の表面に残留した発煙硝酸をレジストの
除去工程を終える。

本実施例によれば、第１の水洗工程の後に発煙硝酸洗浄
工程を設けることにより、レジスト変質膜６を除去する
ことができるので、半導体装置の高い歩留まりとすぐれ
た信頼性を得ることができる。

なお発煙硝酸洗浄の時間が１０秒未満である場合にはレ
ジスト変質膜６が完全に除去されない恐れがある。また
発煙硝酸洗浄の時間が３００秒をこえる場合にはアルミ
ニウム合金膜３が発煙硝酸により腐食する可能性がある
。

本発明のレジストの除去装置の第３の実施例について、
図面を参照しながら説明する。第６図は本発明の一実施
例におけるレジストの除去装置の断面図である。３０は
発煙硝酸洗浄装置である。

なお７は処理前のウェハカセット、８は搬送アーム、９
はシリコン基板、１０は基板ホルダー　１１は反応室壁
、１２はマグネトロン発振器、１３は導波管、１４は０
２の導入口、１５は排気口、１６は基板ホルダー　１７
は回転軸、１８はシールド、１９はノズル、２０は処理
後のウェハカセット、２１はレジスト除去装置、２２は
第１の水洗装置、２４は第２の水洗装置であり、これら
は第２図の本発明の請求項３のレジストの除去装置の一
実施例の場合と同様である。

まず、処理前のウェハカセット７に納められていたシリ
コン基板９を、搬送アームによりレジスト除去装置２１
に搬送し、酸素プラズマを用いて終点までレジスト除去
を行う。次にシリコン基板９を、搬送アームにより第１
の水洗装置２２に搬送し、水洗することによってレジス
トの側壁に堆積していたポリマーを機械的に除去する。

さらにシリコン基板９を、搬送アーム８により発煙硝酸
洗浄装置３０に搬送し、発煙硝酸を用いて３０秒間ウェ
ットエッチすることによりレジスト変質膜を除去する。

その後基板ホルダーの回転速度を上げてシリコン基板９
の表面に残留した発煙硝酸を飛ばした後、ノズル１９よ
り純水を噴出させてシリコン基板９の洗浄を行う。最後
にシリコン基板９を、搬送アームにより第２の水洗装置
２４に搬送し、再度水洗を行う。このように発煙硝酸洗
浄装置３０の後段に第２の水洗装置２４を設けることに
より、残留発煙硝酸によるアルミニウム合金膜の腐食を
防止する。

本実施例によれば、レジスト除去装置２１と、第１の水
洗装置２２と、発煙硝酸洗浄装置３０と、第２の水洗装
置２４と、シリコン基板９をしシスト除去装置２１から
第１の水洗装置２２へと自動搬送する搬送アーム８と、
シリコン基板９を第１の水洗装置２２から発煙硝酸洗浄
装置３０へと自動搬送する搬送アーム８と、シリコン基
板９を発煙硝酸洗浄装置３０から第２の水洗装置２４へ
と自動搬送する搬送アーム８を１つの装置に設けたこと
により、レジストの除去を実施するにあたって、シリコ
ン基板９をレジスト除去装置２１から第１の水洗装置２
２へ、つぎに第１の水洗装置２２から発煙硝酸洗浄装置
３０へ、さらに発煙硝酸洗浄装置３０から第２の水洗装
置２４へと持ち運ばなくても良いため、レジストの除去
を簡便かつ効率的に行うことができる。

発明の効果本発明のレジストの除去方法によれば、酸素を含むプラ
ズマを用いたレジストの第１の除去工程と、それに続く
第１の水洗工程と、それに続く酸素を含むプラズマを用
いたレジストの第２の除去工程と、それに続く第２の水
洗工程を設けることにより、レジストの側壁に堆積して
いた弗素系ポリマーがレジストの除去中に倒れるのを防
止することができるので、レジスト変質膜の形成を防止
できるため、半導体装置の高い歩留まりと優れた信頼性
を提供する、レジストの除去方法を実現できるものであ
る。

また、本発明の除去装置によれば、酸素を含むプラズマ
を用いた第１のレジスト除去装置と、第１の水洗装置と
、酸素を含むプラズマを用いた第２のレジスト除去装置
と、第２の水洗装置と、半導体基板を第１のレジスト除
去装置から第１の水洗装置へと自動搬送する第１の搬送
装置と、半導体基板を第１の水洗装置から第２のレジス
ト除去装置へと自動搬送する第２の搬送装置と、半導体
基板を第２のレジスト除去装置から第２の水洗装置へと
自動搬送する第３の搬送装置を設けることにより、レジ
ストの除去を実施するにあたって、レジスト除去装置か
ら水洗装置の間を、半導体装置を合計１往復半もしない
で済むため、レジストの除去方法を簡便かつ効率的に行
うレジストの除去装置を実現できるものである。

本発明のレジストの除去方法は、酸素を含むプラズマを
用いたレジストの除去工程と、それに続く第１の水洗工
程と、それに続くプラズマを用いたレジスト変質膜のス
パッタエッチ工程と、それに続く第２の水洗工程を設け
ることにより、レジスト変質膜をスパッタエッチするこ
とができるので、レジスト変質膜を除去できるため、半
導体装置の高い歩留まりと優れた信頼性を提供する、レ
ジストの除去方法を実現できるものである。

本発明のレジストの除去装置は、酸素を含むプラズマを
用いたレジスト除去装置と、第１の水洗装置と、プラズ
マを用いたレジスト変質膜のスパッタエッチ装置と、第
２の水洗装置と、半導体基板をレジスト除去装置から第
１の水洗装置へと自動搬送する第１の搬送装置と、半導
体基板を第１の水洗装置からスパッタエッチ装置へと自
動搬送する第２の搬送装置と、半導体基板をスパッタエ
ッチ装置から第２の水洗装置へと自動搬送する第３の搬
送装置を設けることにより、請求項４に記載したレジス
トの除去方法を実施するにあたって、レジスト除去装置
から水洗装置へ、つぎに水洗装置からスパッタ装置へ、
さらにスパッタ装置から水洗装置へと半導体装置を持ち
運ばなくても済むため、レジストの除去方法を簡便かつ
効率的に行うレジストの除去装置を実現できるものであ
る。

本発明のレジストの除去方法は、酸素を含むプラズマを
用いたレジストの除去工程と、それに続く第１の水洗工
程と、それに続く酸を用いた洗浄工程と、それに続く第
２の水洗工程を設けることにより、レジスト変質膜をス
パッタエッチすることができるので、レジスト変質膜を
除去できるため、半導体装置の高い歩留まりと優れた信
頼性を提供する、レジストの除去方法を実現できるもの
である。

本発明のレジストの除去装置は、酸素を含むプラズマを
用いたレジスト除去装置と、第１の水洗装置と、酸を用
いた洗浄装置と、第２の水洗装置と、半導体基板をレジ
スト除去装置から第１の水洗装置へと自動搬送する第１
の搬送装置と、半導体基板を第１の水洗装置から酸を用
いた洗浄装置へと自動搬送する第２の搬送装置と、半導
体基板を酸を用いた洗浄装置から第２の水洗装置へと自
動搬送する第３の搬送装置を設けることにより、請求項
６に記載したレジストの除去方法を実施するにあたって
、レジスト除去装置から水洗装置へ、つぎに水洗装置か
ら酸を用いた洗浄装置へ、さらに酸を用いた洗浄装置か
ら水洗装置へと半導体装置を持ち運ばなくても済むため
、請求項６に記載したレジストの除去方法を簡便かつ効
率的に行うレジストの除去装置を実現できるものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌ〜ｔｅｌは本発明の一実施例におけるレジ
ストの除去方法のフローチャートを示す半導体装置の工
程順断面図、第２図は本発明の一実施例におけるレジス
トの除去装置の断面図、第３図（ａｌ〜（ｄｉは本発明
の他の実施例におけるレジストの除去方法のフローチャ
ートを示す半導体装置の工程順断面図、第４図は本発明
の他の実施例におけるレジストの除去装置の断面図、第
５図Ｔａｌ〜（ｄｌは本発明の別の実施例におけるレジ
ストの除去方法のフローチャートを示す半導体装置の工
程順断面図、第６図は本発明の別の実施例におけるレジ
ストの除去装置の断面図、第７図（ａｌ〜ｆｃ）は従来
のレジストの除去方法のフローチャートを示す半導体装
置の工程順断面図である。１・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化シリ
コン膜、３・・・・・・アルミニウム合金膜、４・・・
・・・ポジティブフォトレジスト、５・・・・・・弗素
系ポリマー　６・・・・・・レジスト変質膜、７・・・
・・・処理前のウエノ１カセット、８・・・・・・搬送
アーム、９・・・・・・シリコン基板、１０・・・・・
・基板ホルダー　１１・・・・・・反応室壁、１２・・
・・・・マグネトロン発振器、１３・・・・・・導波管
、１４・・・・・・０゜の導入口、１５・・・・・・排
気口、１６・・・・・・回転可能な基板ホルダー　１７
・・・・・・基板ホルダー１６に回転を伝える回転軸、
１８・・・・・・ンールド、１９・・・・・・ノズル、
２０・・・・・・処理後のウェハカセット、２１・・・
・・・第１のレジスト除去装置、２２・・・・・・第１
の水洗装置、２３・・・・・・第２のレジスト除去装置
、２４・・・・・・第２の水洗装置、２５・・・・・・
下部電極、２６・・・・・・ブロッキングコンデンサ、
２７・・・・・・高周波電源、２８・・・・・・反応室
壁、２９・・・・・・スパッタエッチ装置、３０・・・
・・・発煙硝酸洗浄装置。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体基板上にフルオロカーボンプラズマ処理さ
れたレジストを形成し、ついで、酸素を含むプラズマを
用いて前記レジストが少なくとも一部残存するようにエ
ッチングする第１の工程と、前記半導体基板を水洗洗浄
する第２の工程と、前記半導体基板を、酸素を含むプラ
ズマで処理する第３の工程とを有することを特徴とする
レジストの除去方法。
（２）酸素を含むプラズマ処理がスパッタエッチングで
なることを特徴とする請求項１記載のレジストの除去方
法。
（３）半導体基板上にフルオロカーボンプラズマ処理さ
れたレジストを形成し、ついで、酸素を含むプラズマを
用いて前記レジストが少なくとも一部残存するようにエ
ッチングする第１の工程と、前記半導体基板を水洗洗浄
する第２の工程と、前記半導体基板を、発煙硝酸を用い
て１０〜３００秒の処理を行う第３の工程を有すること
を特徴とするレジストの除去方法。
（４）半導体基板を処理するための第１の酸素プラズマ
処理装置と、第１の水洗装置と、第２の酸素プラズマ処
理装置と、第２の水洗装置とをこの順序で前記半導体装
置を通過処理するように並べて設けたレジスト除去装置
。
（５）半導体基板を処理するための第１の酸素プラズマ
処理装置と、第１の水洗装置と、発煙硝酸処理装置と、
第２の水洗装置とを、この順序に前記半導体装置を通過
処理するように並べて設けたレジスト除去装置。