JP6461636B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6461636B2 JP6461636B2 JP2015029844A JP2015029844A JP6461636B2 JP 6461636 B2 JP6461636 B2 JP 6461636B2 JP 2015029844 A JP2015029844 A JP 2015029844A JP 2015029844 A JP2015029844 A JP 2015029844A JP 6461636 B2 JP6461636 B2 JP 6461636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- upstream
- substrate
- channels
- discharge ports
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 234
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 219
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 437
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 260
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 58
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 15
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 88
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 72
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 101100441413 Caenorhabditis elegans cup-15 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
前記処理液供給システムは、供給流路と、複数の上流流路と、複数の成分液流路と、複数の吐出口と、混合比変更ユニットと、を含む。前記供給流路は、第1液体を前記複数の上流流路に向けて案内する。前記複数の上流流路は、前記流体ボックス内で前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された第1液体を前記複数の吐出口に向けて案内する。前記複数の成分液流路は、前記流体ボックス内で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、第1液体と混合される第2液体を前記複数の上流流路のそれぞれに供給する。前記複数の吐出口は、前記複数の成分液流路よりも下流の位置で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路で混合された第1液体および第2液体を含む処理液を、前記基板の上面中央部を含む前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ吐出する。前記混合比変更ユニットは、前記複数の吐出口から吐出される処理液に含まれる第1液体および第2液体の混合比を前記上流流路ごとに独立して変更する。第1液体および第2液体の具体例は、硫酸および過酸化水素水の組み合わせと、硫酸および純水の組み合わせである。
この発明によれば、複数の下流流路の上流端がチャンバー内に配置されている。分岐上流流路は、チャンバー内で複数の下流流路に分岐している。したがって、分岐上流流路がチャンバーの外で分岐している場合と比較して、各下流流路の長さ(液体が流れる方向の長さ)を短縮できる。これにより、処理液から下流流路への伝熱による処理液の温度低下を抑制できる。
請求項8に記載の発明は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、混合されることにより発熱する第1液体および第2液体を含む処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する処理液供給システムと、を含む、基板処理装置である。
前記処理液供給システムは、供給流路と、複数の上流流路と、複数の成分液流路と、複数の吐出口と、混合比変更ユニットと、上流ヒータと、複数の下流ヒータと、を含む。前記供給流路は、第1液体を前記複数の上流流路に向けて案内する。前記複数の上流流路は、前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された第1液体を前記複数の吐出口に向けて案内する。前記複数の成分液流路は、前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、第1液体と混合される第2液体を前記複数の上流流路のそれぞれに供給する。前記複数の吐出口は、前記複数の成分液流路よりも下流の位置で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路で混合された第1液体および第2液体を含む処理液を、前記基板の上面中央部を含む前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ吐出する。前記混合比変更ユニットは、前記複数の吐出口から吐出される処理液に含まれる第1液体および第2液体の混合比を前記上流流路ごとに独立して変更する。前記上流ヒータは、前記供給流路に供給される第1液体を上流温度で加熱する。前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含む。前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の副吐出口に接続された複数の副上流流路と、を含む。前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路を流れる第1液体を前記上流温度よりも高温の下流温度で加熱する。
この発明によれば、請求項1に記載の基板処理装置と同様の効果を奏することができる。さらに、この発明によれば、上流ヒータの加熱温度である上流温度よりも高温の処理液が、複数の副上流流路から複数の副吐出口に供給され、これらの吐出口から吐出される。つまり、上流温度の処理液が主吐出口から吐出される一方で、上流温度よりも高温の処理液が、複数の副吐出口から吐出される。このように、基板の上面に供給される処理液の温度が回転軸線から離れるにしたがって段階的に増加するので、同じ温度の処理液を各吐出口に吐出させる場合と比較して、基板上の処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。
請求項9に記載の発明は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、混合されることにより発熱する第1液体および第2液体を含む処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する処理液供給システムと、を含む、基板処理装置である。
前記処理液供給システムは、タンクと、供給流路と、複数の上流流路と、複数の成分液流路と、複数の吐出口と、混合比変更ユニットと、複数の下流ヒータと、複数のリターン流路と、を含む。前記タンクは、前記供給流路に供給される第1液体を貯留する。前記供給流路は、前記タンクから供給された第1液体を前記複数の上流流路に向けて案内する。前記複数の上流流路は、前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された第1液体を前記複数の吐出口に向けて案内する。前記複数の成分液流路は、前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、第1液体と混合される第2液体を前記複数の上流流路のそれぞれに供給する。前記複数の吐出口は、前記複数の成分液流路よりも下流の位置で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路で混合された第1液体および第2液体を含む処理液を、前記基板の上面中央部を含む前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ吐出する。前記混合比変更ユニットは、前記複数の吐出口から吐出される処理液に含まれる第1液体および第2液体の混合比を前記上流流路ごとに独立して変更する。前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含む。前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の副吐出口に接続された複数の副上流流路と、を含む。前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路を流れる第1液体を下流温度で加熱する。前記複数のリターン流路は、前記複数の成分液流路よりも上流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の下流ヒータによって加熱された第1液体を前記タンクに向けて案内する。この発明によれば、請求項1に記載の基板処理装置と同様の効果を奏することができる。
請求項10に記載の発明は、前記処理液供給システムは、前記タンクから前記供給流路に供給される第1液体を上流温度で加熱する上流ヒータをさらに含む、請求項9に記載の基板処理装置である。
図1および図2は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の処理液供給システムを示す模式図である。図1は、吐出状態の処理液供給システムを示しており、図2は、吐出停止状態の処理液供給システムを示している。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する処理ユニット2と、処理ユニット2に基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)と、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。制御装置3は、演算部と記憶部とを含むコンピュータである。
図3に示すように、処理ユニット2は、箱型のチャンバー7と、チャンバー7内で基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック11と、基板Wから排出された処理液を受け止める筒状のカップ15と含む。
図4に示すように、複数のアーム部28は、第1ノズル26A〜第4ノズル26Dの順番で、長手方向D1に直交する水平な配列方向D2に並んでいる。複数のアーム部28は、同じ高さに配置されている。配列方向D2に隣接する2つのアーム部28の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。図4は、複数のアーム部28が等間隔で配置されている例を示している。
ノズル移動ユニット24は、カップ15のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線A2まわりにホルダ25を回動させることにより、平面視で基板Wを通る円弧状の経路に沿って複数のノズル26を移動させる。これにより、処理位置と待機位置との間で複数のノズル26が水平に移動する。処理ユニット2は、複数のノズル26の待機位置の下方に配置された有底筒状の待機ポット35を含む。待機ポット35は、平面視でカップ15のまわりに配置されている。
以下の説明では、第1ノズル26Aに対応する構成の先頭および末尾に、それぞれ「第1」および「A」を付ける場合がある。たとえば、第1ノズル26Aに対応する上流流路48を、「第1上流流路48A」という場合がある。第2ノズル26B〜第4ノズル26Dに対応する構成についても同様である。
図5に示すように、ノズル本体27は、処理液を案内する樹脂チューブ30と、樹脂チューブ30を取り囲む断面筒状の芯金31と、芯金31の外面を覆う断面筒状の樹脂コーティング32とを含む。第1ノズル26A以外の各ノズル26は、さらに、ノズル本体27の先端部29に取り付けられたノズルヘッド33を含む。
処理液供給システムは、第1薬液としての硫酸を貯留する第1薬液タンク41を含む。処理液供給システムは、さらに、第1薬液タンク41から送られた硫酸を案内する第1薬液流路42と、第1薬液流路42内を流れる硫酸を室温(たとえば20〜30℃)よりも高い上流温度で加熱することにより第1薬液タンク41内の硫酸の温度を調整する第1上流ヒータ43と、第1薬液タンク41内の硫酸を第1薬液流路42に送る第1ポンプ44と、第1薬液流路42内の硫酸を第1薬液タンク41に戻す第1循環流路40とを含む。
処理液供給システムは、供給流路47から供給された液体を複数の吐出口34に向けて案内する複数の上流流路48と、複数の上流流路48内を流れる液体の流量を検出する複数の流量計49と、複数の上流流路48内を流れる液体の流量を変更する複数の第1流量調整バルブ50と、複数の上流流路48をそれぞれ開閉する複数の吐出バルブ51とを含む。図示はしないが、第1流量調整バルブ50は、流路を開閉するバルブ本体と、バルブ本体の開度を変更するアクチュエータとを含む。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。
図1および図2では、分岐上流流路が2つの下流流路52に分岐している例を示している。図5では、分岐上流流路が3つの下流流路52に分岐している例を示している。第2上流流路48Bから分岐した3つの下流流路52は、それぞれ、同じノズルヘッド33に設けられた3つの吐出口34(内側吐出口、中間吐出口、および外側吐出口)に接続されている。第3上流流路48Cおよび第4上流流路48Dについても、第2上流流路48Bと同様である。第1上流流路48Aは、第1ノズル26Aに設けられた第1吐出口34Aに接続されている。
第1薬液タンク41内の硫酸は、第1上流ヒータ43によって加熱された後、第1薬液流路42から供給流路47に流れ、供給流路47から複数の上流流路48に流れる。第2薬液タンク61内の過酸化水素水は、第2薬液流路62から複数の成分液流路71に流れ、複数の成分液流路71から複数の上流流路48に流れる。
第1上流流路48A内の薬液は、第1ノズル26Aに設けられた1つの第1吐出口34Aに供給される。第2上流流路48B内の薬液は、複数の下流流路52を介して、第2ノズル26Bに設けられた複数の第2吐出口34Bに供給される。第3上流流路48Cおよび第4上流流路48Dについても、第2上流流路48Bと同様である。これにより、全ての吐出口34から薬液が吐出される。
吐出停止中は、上流流路48への過酸化水素水の供給が停止される。第1薬液タンク41内の硫酸は、第1ポンプ44によって第1薬液流路42に送られる。第1ポンプ44によって送られた硫酸の一部は、第1上流ヒータ43によって加熱された後、第1循環流路40を介して第1薬液タンク41に戻る。第1ポンプ44によって送られた残りの硫酸は、第1薬液流路42から供給流路47に流れ、供給流路47から第1上流流路48A以外の複数の上流流路48に流れる。
前述のように、吐出停止中であっても、硫酸を下流ヒータ53に流し続け、下流ヒータ53に硫酸を加熱させる。これにより、下流ヒータ53の温度が安定した状態を維持できる。さらに、下流ヒータ53によって加熱された硫酸を第1薬液タンク41に戻すので、硫酸の消費量を低減できる。しかも、クーラー56によって冷却した硫酸を第1薬液タンク41に戻すので、第1薬液タンク41内の硫酸の温度の変動を抑えることができる。
処理ユニット2によって基板Wが処理されるときには、複数のノズル26がスピンチャック11の上方から退避しており、スプラッシュガード17が下位置に位置している状態で、搬送ロボットのハンド(図示せず)によって、基板Wがチャンバー7内に搬入される。これにより、表面が上に向けられた状態で基板Wが複数のチャックピン13の上に置かれる。その後、搬送ロボットのハンドがチャンバー7の内部から退避し、チャンバー7の搬入搬出口8aがシャッター9で閉じられる。
図8に示す測定値A〜測定値Cにおける基板Wの処理条件は、薬液を吐出するノズルを除き、同一である。
測定値Aは、複数のノズル26を静止させながら、複数の吐出口34(10個の吐出口34)に薬液を吐出させて、基板Wをエッチングしたときのエッチング量の分布を示している。
測定値Cでは、基板Wの中央部から離れるにしたがってエッチング量が減少しており、エッチング量の分布が山形の曲線を示している。つまり、エッチング量は、薬液の着液位置で最も大きく、着液位置から離れるにしたがって減少している。これに対して、測定値Aおよび測定値Bでは、測定値Cと比較して、基板Wの中央部以外の位置でのエッチング量が増加しており、エッチングの均一性が大幅に改善されている。
供給流路47を流れる処理液は、上流流路48または下流流路52から吐出口34に供給され、回転軸線A1まわりに回転する基板Wの上面に向けて吐出される。複数の吐出口34は、回転軸線A1からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されている。したがって、1つの吐出口34だけに処理液を吐出させる場合と比較して、基板W上の処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。
また本実施形態では、第1吐出口34Aと第2吐出口34Bとが平面視で径方向Drに並んでいる。複数の吐出口34が平面視で径方向Drに並ぶように、同じ長さの複数のノズル26を長手方向D1に直交する水平方向に並べると、複数のノズル26全体の幅が増加する(図9参照)。複数の吐出口34が平面視で径方向Drに並ぶように、長さが異なる複数のノズル26を鉛直方向に並べると、複数のノズル26全体の高さが増加する(図10参照)。
たとえば、前記実施形態では、ノズル26の数が、4本である場合について説明したが、ノズル26の数は、2または3本であってもよいし、5本以上であってもよい。
前記実施形態では、下流ヒータ53が第1上流流路48Aに設けられておらず、第1上流流路48A以外の全ての上流流路48に下流ヒータ53が設けられている場合について説明したが、第1上流流路48Aを含む全ての上流流路48に下流ヒータ53が設けられていてもよい。これとは反対に、全ての上流流路48に下流ヒータ53が設けられていなくてもよい。リターン流路54についても同様である。
前記実施形態では、分岐上流流路(第1上流流路48A以外の上流流路48)が、チャンバー7内で複数の下流流路52に分岐している場合について説明したが、分岐上流流路は、チャンバー7の外で分岐していてもよい。
前記実施形態では、複数のノズル26を静止させながら、複数のノズル26に薬液を吐出させる場合について説明したが、複数のノズル26をノズル回動軸線A2まわりに回動させながら、複数のノズル26に薬液を吐出させてもよい。
前記実施形態では、供給流路47に薬液を供給する薬液流路42が設けられている場合について説明したが、供給流路47に液体を供給する複数の処理液流路が設けられていてもよい。
図11は、処理前後における薄膜の厚みと基板Wに供給される処理液の温度とのイメージを示すグラフである。図11の一点鎖線は、処理前の膜厚を示しており、図11の二点鎖線は、処理後の膜厚を示している。図11の実線は、基板Wに供給される処理液の温度を示している。図11の横軸は、基板Wの半径を示している。処理前の膜厚は、基板処理装置1以外の装置(たとえば、ホストコンピュータ)から基板処理装置1に入力されてもよいし、基板処理装置1に設けられた測定機によって測定されてもよい。
3 :制御装置
5 :流体ボックス
7 :チャンバー
11 :スピンチャック(基板保持ユニット)
24 :ノズル移動ユニット
25 :ホルダ
26A〜26D :第1〜第4ノズル
27 :ノズル本体
28 :アーム部
28a :先端
29 :先端部
33 :ノズルヘッド
34A :第1吐出口(最内吐出口、主吐出口)
34B :第2吐出口(副吐出口)
34C :第3吐出口(副吐出口)
34D :第4吐出口(副吐出口)
41 :第1薬液タンク
42 :第1薬液流路
43 :第1上流ヒータ
45 :第1薬液供給バルブ
47 :供給流路
48A :第1上流流路(最内上流流路、主上流流路)
48B :第2上流流路(分岐上流流路、副上流流路)
48C :第3上流流路(分岐上流流路、副上流流路)
48D :第4上流流路(分岐上流流路、副上流流路)
50 :第1流量調整バルブ(混合比変更ユニット)
51 :吐出バルブ
52 :下流流路
53 :下流ヒータ
54 :リターン流路
55 :リターンバルブ
61 :第2薬液タンク
62 :第2薬液流路
71A〜71D :第1〜第4成分液流路
73 :第2流量調整バルブ(混合比変更ユニット)
A1 :回転軸線
D1 :長手方向
D2 :配列方向
Dr :径方向
W :基板
Claims (10)
- 基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバーと水平方向に並んだ流体ボックスと、
供給流路と、複数の上流流路と、複数の成分液流路と、複数の吐出口と、混合比変更ユニットと、を含み、混合されることにより発熱する第1液体および第2液体を含む処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する処理液供給システムとを含み、
前記供給流路は、第1液体を前記複数の上流流路に向けて案内し、
前記複数の上流流路は、前記流体ボックス内で前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された第1液体を前記複数の吐出口に向けて案内し、
前記複数の成分液流路は、前記流体ボックス内で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、第1液体と混合される第2液体を前記複数の上流流路のそれぞれに供給し、
前記複数の吐出口は、前記複数の成分液流路よりも下流の位置で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路で混合された第1液体および第2液体を含む処理液を、前記基板の上面中央部を含む前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ吐出し、
前記混合比変更ユニットは、前記複数の吐出口から吐出される処理液に含まれる第1液体および第2液体の混合比を前記上流流路ごとに独立して変更する、基板処理装置。 - 前記複数の上流流路の下流端は、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、
前記混合比変更ユニットは、前記複数の上流流路での第1液体および第2液体の混合比が、前記回転軸線から離れるにしたがって、処理液の温度が最大となる最大混合比に近づくように、前記混合比を前記上流流路ごとに独立して変更する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記混合比変更ユニットは、前記複数の上流流路での処理液の温度が、前記回転軸線から離れるにしたがって増加するように、前記混合比を前記上流流路ごとに独立して変更する、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記混合比変更ユニットは、
前記複数の成分液流路よりも上流の位置で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、第2液体と混合される第1液体の流量を前記上流流路ごとに独立して調整する複数の第1流量調整バルブと、
前記複数の成分液流路にそれぞれ接続されており、第1液体と混合される第2液体の流量を前記成分液流路ごとに独立して調整する複数の第2流量調整バルブと、の少なくとも一つを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給システムは、複数の下流流路をさらに含み、
前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含み、
前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の下流流路を介して前記複数の副吐出口に接続された複数の副上流流路と、を含み、
前記複数の副上流流路は、いずれも、前記複数の下流流路に分岐した分岐上流流路であり、前記下流流路ごとに前記副吐出口が設けられている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記分岐上流流路は、前記チャンバー内で前記複数の下流流路に分岐している、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給システムは、第1ノズルと、第2ノズルと、をさらに含み、
前記複数の吐出口は、前記第1ノズルに設けられた第1吐出口と、前記第2ノズルに設けられた第2吐出口と、を含み、前記回転軸線に直交する径方向に平面視で並んでおり、
前記第1ノズルは、水平な長手方向に延びる第1アーム部と、前記第1アーム部の先端から下方に延びる第1先端部と、を含み、
前記第2ノズルは、前記長手方向に延びる第2アーム部と、前記第2アーム部の先端から下方に延びる第2先端部と、を含み、
前記第1アーム部および前記第2アーム部は、前記長手方向に直交する水平な配列方向に並んでおり、
前記第1アーム部の先端と前記第2アーム部の先端は、前記第1アーム部の先端が前記回転軸線側に位置するように、平面視で前記長手方向に離れている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、
供給流路と、複数の上流流路と、複数の成分液流路と、複数の吐出口と、混合比変更ユニットと、上流ヒータと、複数の下流ヒータと、を含み、混合されることにより発熱する第1液体および第2液体を含む処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する処理液供給システムとを含み、
前記供給流路は、第1液体を前記複数の上流流路に向けて案内し、
前記複数の上流流路は、前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された第1液体を前記複数の吐出口に向けて案内し、
前記複数の成分液流路は、前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、第1液体と混合される第2液体を前記複数の上流流路のそれぞれに供給し、
前記複数の吐出口は、前記複数の成分液流路よりも下流の位置で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路で混合された第1液体および第2液体を含む処理液を、前記基板の上面中央部を含む前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ吐出し、
前記混合比変更ユニットは、前記複数の吐出口から吐出される処理液に含まれる第1液体および第2液体の混合比を前記上流流路ごとに独立して変更し、
前記上流ヒータは、前記供給流路に供給される第1液体を上流温度で加熱し、
前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含み、
前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の副吐出口に接続された複数の副上流流路と、を含み、
前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路を流れる第1液体を前記上流温度よりも高温の下流温度で加熱する、基板処理装置。 - 基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、
タンクと、供給流路と、複数の上流流路と、複数の成分液流路と、複数の吐出口と、混合比変更ユニットと、複数の下流ヒータと、複数のリターン流路と、を含み、混合されることにより発熱する第1液体および第2液体を含む処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する処理液供給システムとを含み、
前記タンクは、前記供給流路に供給される第1液体を貯留し、
前記供給流路は、前記タンクから供給された第1液体を前記複数の上流流路に向けて案内し、
前記複数の上流流路は、前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された第1液体を前記複数の吐出口に向けて案内し、
前記複数の成分液流路は、前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、第1液体と混合される第2液体を前記複数の上流流路のそれぞれに供給し、
前記複数の吐出口は、前記複数の成分液流路よりも下流の位置で前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路で混合された第1液体および第2液体を含む処理液を、前記基板の上面中央部を含む前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ吐出し、
前記混合比変更ユニットは、前記複数の吐出口から吐出される処理液に含まれる第1液体および第2液体の混合比を前記上流流路ごとに独立して変更し、
前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含み、
前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の副吐出口に接続された複数の副上流流路と、を含み、
前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路を流れる第1液体を下流温度で加熱し、
前記複数のリターン流路は、前記複数の成分液流路よりも上流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の下流ヒータによって加熱された第1液体を前記タンクに向けて案内する、基板処理装置。 - 前記処理液供給システムは、前記タンクから前記供給流路に供給される第1液体を上流温度で加熱する上流ヒータをさらに含む、請求項9に記載の基板処理装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015029844A JP6461636B2 (ja) | 2015-02-18 | 2015-02-18 | 基板処理装置 |
US15/044,452 US10403517B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-02-16 | Substrate processing apparatus |
KR1020160018493A KR101901009B1 (ko) | 2015-02-18 | 2016-02-17 | 기판 처리 장치 |
TW105104591A TWI642088B (zh) | 2015-02-18 | 2016-02-17 | 基板處理裝置 |
CN201610091276.4A CN105895561B (zh) | 2015-02-18 | 2016-02-18 | 基板处理装置 |
KR1020180024298A KR101936538B1 (ko) | 2015-02-18 | 2018-02-28 | 기판 처리 장치 |
KR1020180168557A KR102035946B1 (ko) | 2015-02-18 | 2018-12-24 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015029844A JP6461636B2 (ja) | 2015-02-18 | 2015-02-18 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016152355A JP2016152355A (ja) | 2016-08-22 |
JP6461636B2 true JP6461636B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=56695580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015029844A Active JP6461636B2 (ja) | 2015-02-18 | 2015-02-18 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6461636B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3277404B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2002-04-22 | ソニー株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JPH11165114A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 枚葉式基板処理装置 |
JP2001129495A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-05-15 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理方法及びその装置 |
JP4494840B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
JP5202865B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2013-06-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5371862B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-12-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および処理液温度測定方法 |
JP5460633B2 (ja) * | 2010-05-17 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録した記録媒体 |
JP2012074601A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5661598B2 (ja) * | 2011-11-22 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5832397B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2015-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2015
- 2015-02-18 JP JP2015029844A patent/JP6461636B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016152355A (ja) | 2016-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102502045B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101838373B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102035946B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP6418555B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6865626B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6861553B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6489475B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6361071B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6478692B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6504540B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6489479B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6461641B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6432941B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6509583B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6461636B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6485904B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170829 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6461636 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |