JP3246704B2 - 配線基板の検査装置 - Google Patents
配線基板の検査装置Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば液晶表示装置
に用いられるアクティブマトリクス基板のように、同一
の配線パターンが繰返して形成された配線基板の配線の
欠陥を検出するために好適に実施される、配線基板の検
査装置に関する。
に用いられるアクティブマトリクス基板のように、同一
の配線パターンが繰返して形成された配線基板の配線の
欠陥を検出するために好適に実施される、配線基板の検
査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】任意の文字、図形を表示することができ
るマトリクス形表示を行う液晶表示装置は、マトリクス
状に配列された複数の絵素の表示媒体である液晶層など
が、複数の絵素電極および当該絵素電極に対向する対向
電極がそれぞれ形成された一対の基板部材間に挟持され
た構成を有する。
るマトリクス形表示を行う液晶表示装置は、マトリクス
状に配列された複数の絵素の表示媒体である液晶層など
が、複数の絵素電極および当該絵素電極に対向する対向
電極がそれぞれ形成された一対の基板部材間に挟持され
た構成を有する。
【０００３】前記表示装置の駆動方式として、アクティ
ブマトリクス駆動方式が挙げられる。本駆動方式では、
前記絵素電極を各絵素毎に独立した電極で構成し、この
絵素電極にスイッチング素子をそれぞれ設け、スイッチ
ング素子を制御して、各絵素を独立して制御する。スイ
ッチング素子は、絵素電極と、各絵素電極に与えられる
信号を伝送する配線との間に接続され、絵素毎に個別的
に信号を供給／遮断する。アクティブマトリクス駆動方
式を用いた表示装置は、当該駆動方式と異なる表示装置
と比較して、コントラストの高い表示を行うことができ
る。スイッチング素子にはたとえば薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor；以下、「ＴＦＴ」と称する）
などの三端子素子、または二端子素子などが用いられ
る。
ブマトリクス駆動方式が挙げられる。本駆動方式では、
前記絵素電極を各絵素毎に独立した電極で構成し、この
絵素電極にスイッチング素子をそれぞれ設け、スイッチ
ング素子を制御して、各絵素を独立して制御する。スイ
ッチング素子は、絵素電極と、各絵素電極に与えられる
信号を伝送する配線との間に接続され、絵素毎に個別的
に信号を供給／遮断する。アクティブマトリクス駆動方
式を用いた表示装置は、当該駆動方式と異なる表示装置
と比較して、コントラストの高い表示を行うことができ
る。スイッチング素子にはたとえば薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor；以下、「ＴＦＴ」と称する）
などの三端子素子、または二端子素子などが用いられ
る。
【０００４】液晶表示装置は、マトリクス状に配列され
た複数の絵素の状態を、表示面から出射される光の有無
に対応した、たとえば白色／黒色表示のどちらかにそれ
ぞれ切換えることによって、表示画面上に画像パターン
を形成する。各絵素は、前記電極に印加する電圧の大き
さなどを変化させて、電極間に挟持されている表示媒体
の状態を変化させ、表示媒体の光学的性質を変化させる
ことによって、たとえば液晶であれば、液晶分子の配列
状態を変化させて旋光性の有無を切換えることによっ
て、表示面上の白色／黒色表示を切換えている。このよ
うな、アクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶表示
装置は、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピ
ュータの端末装置の表示装置などに用いられている。
た複数の絵素の状態を、表示面から出射される光の有無
に対応した、たとえば白色／黒色表示のどちらかにそれ
ぞれ切換えることによって、表示画面上に画像パターン
を形成する。各絵素は、前記電極に印加する電圧の大き
さなどを変化させて、電極間に挟持されている表示媒体
の状態を変化させ、表示媒体の光学的性質を変化させる
ことによって、たとえば液晶であれば、液晶分子の配列
状態を変化させて旋光性の有無を切換えることによっ
て、表示面上の白色／黒色表示を切換えている。このよ
うな、アクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶表示
装置は、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピ
ュータの端末装置の表示装置などに用いられている。
【０００５】前記液晶表示装置は、複数の配線、絵素電
極およびスイッチング素子などが形成された一方基板部
材であるアクティブマトリクス基板と、対向電極やカラ
ーフィルタが形成された他方基板部材であるカラーフィ
ルタ基板とを有する。液晶表示装置は、前記２枚の基板
を間隔をあけて貼合わせ、間隙に液晶材料を注入して液
晶層を形成した後に、周辺回路部品を実装して完成す
る。
極およびスイッチング素子などが形成された一方基板部
材であるアクティブマトリクス基板と、対向電極やカラ
ーフィルタが形成された他方基板部材であるカラーフィ
ルタ基板とを有する。液晶表示装置は、前記２枚の基板
を間隔をあけて貼合わせ、間隙に液晶材料を注入して液
晶層を形成した後に、周辺回路部品を実装して完成す
る。
【０００６】液晶表示装置の製造工程には、各基板の製
造工程、一対の基板を貼合わせる工程、基板間に液晶材
料を注入する工程、および周辺回路部品を実装する工程
などがある。液晶材料を注入する工程と周辺回路部品を
実装する実装工程との間において、液晶表示装置が良好
な表示を行うことができるかどうかを調べる表示検査を
行う検査工程がある。
造工程、一対の基板を貼合わせる工程、基板間に液晶材
料を注入する工程、および周辺回路部品を実装する工程
などがある。液晶材料を注入する工程と周辺回路部品を
実装する実装工程との間において、液晶表示装置が良好
な表示を行うことができるかどうかを調べる表示検査を
行う検査工程がある。
【０００７】アクティブマトリクス基板は、その製造工
程において、基板上の配線の断線や短絡などの欠陥が生
じることがある。当該欠陥は液晶表示装置の表示欠陥の
原因となる。液晶表示装置の表示欠陥などの不良を減少
させるためには、前述した液晶材料を注入する工程以前
に、アクティブマトリクス基板の欠陥を検出する必要が
ある。
程において、基板上の配線の断線や短絡などの欠陥が生
じることがある。当該欠陥は液晶表示装置の表示欠陥の
原因となる。液晶表示装置の表示欠陥などの不良を減少
させるためには、前述した液晶材料を注入する工程以前
に、アクティブマトリクス基板の欠陥を検出する必要が
ある。
【０００８】図６は、従来技術のアクティブマトリクス
基板の検査装置の簡略化した構成図である。検査される
基板１は載置台２の上に載置される。基板１の上部に
は、枠体３が載置される。枠体３の底面（基板１との当
接面）には信号供給手段７の複数の端子が設けられてお
り、これらの端子と基板１の周囲に配置されている複数
の配線の端子とが、枠体３を基板１に押付けることによ
って電気的に接続される。これによって基板１の各配線
には、信号供給手段７から検査用信号が印加される。載
置台２の上方には、基板１の表面から放射される赤外線
を検出して赤外線画像を形成するカメラ４が設けられ
る。カメラ４で撮像された画像は画像処理手段５によっ
て、たとえば赤外線の放射量に応じた白黒画面に画像処
理され、制御手段６に与えられる。
基板の検査装置の簡略化した構成図である。検査される
基板１は載置台２の上に載置される。基板１の上部に
は、枠体３が載置される。枠体３の底面（基板１との当
接面）には信号供給手段７の複数の端子が設けられてお
り、これらの端子と基板１の周囲に配置されている複数
の配線の端子とが、枠体３を基板１に押付けることによ
って電気的に接続される。これによって基板１の各配線
には、信号供給手段７から検査用信号が印加される。載
置台２の上方には、基板１の表面から放射される赤外線
を検出して赤外線画像を形成するカメラ４が設けられ
る。カメラ４で撮像された画像は画像処理手段５によっ
て、たとえば赤外線の放射量に応じた白黒画面に画像処
理され、制御手段６に与えられる。
【０００９】カメラ４は、まず基板１の各配線に検査用
信号を印加しない状態で、基板１の配線パターンを撮像
する。図７（１）の参照符８に示す画像は前記配線に検
査用信号を印加しない状態で撮像したアクティブマトリ
クス基板の赤外線画像である。次いで、基板１の各配線
にそれぞれ検査用信号を印加して、この状態で基板１の
配線パターンを撮像する。印加する信号は、たとえば液
晶表示装置の駆動信号を用いる。図７（２）の参照符９
に示す画像は、配線に電圧を印加した状態で撮像したア
クティブマトリクス基板の赤外線画像である。画像８と
画像９とは同じ領域を撮像した画像である。画像８およ
び画像９の斜線部分は、白色部分と比較して放射される
赤外線が少なく、画像内でたとえば黒く写る、コントラ
ストの違う部分を示す。
信号を印加しない状態で、基板１の配線パターンを撮像
する。図７（１）の参照符８に示す画像は前記配線に検
査用信号を印加しない状態で撮像したアクティブマトリ
クス基板の赤外線画像である。次いで、基板１の各配線
にそれぞれ検査用信号を印加して、この状態で基板１の
配線パターンを撮像する。印加する信号は、たとえば液
晶表示装置の駆動信号を用いる。図７（２）の参照符９
に示す画像は、配線に電圧を印加した状態で撮像したア
クティブマトリクス基板の赤外線画像である。画像８と
画像９とは同じ領域を撮像した画像である。画像８およ
び画像９の斜線部分は、白色部分と比較して放射される
赤外線が少なく、画像内でたとえば黒く写る、コントラ
ストの違う部分を示す。
【００１０】このとき、基板１に配線の断線や短絡、ス
イッチング素子の動作不良などの欠陥が生じていると、
欠陥が生じた箇所は電流集中が生じてジュール熱を発
し、放射する赤外線が強くなる領域となる。信号を印加
しない状態の画像８と信号を印加した状態の画像９を比
較すると、画像９には画像８には見られない赤外線を強
く発する部分１０が生じていることが判る。したがっ
て、画像８と画像９とを比較して、画像のパターンの違
いを検出することによって、アクティブマトリクス基板
の欠陥を発見することができる。
イッチング素子の動作不良などの欠陥が生じていると、
欠陥が生じた箇所は電流集中が生じてジュール熱を発
し、放射する赤外線が強くなる領域となる。信号を印加
しない状態の画像８と信号を印加した状態の画像９を比
較すると、画像９には画像８には見られない赤外線を強
く発する部分１０が生じていることが判る。したがっ
て、画像８と画像９とを比較して、画像のパターンの違
いを検出することによって、アクティブマトリクス基板
の欠陥を発見することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、液晶
表示装置の製造工程において、表示欠陥などを生じた不
良品の発生および流出を防止し、コストの削減を図るに
は、不良の原因の１つであるアクティブマトリクス基板
の欠陥を、液晶層形成前、たとえば当該基板の製造工程
内で検知することが望ましい。このためには当該基板の
製造工程内で、容易に検査を行うことができる検査装置
の開発が求められている。
表示装置の製造工程において、表示欠陥などを生じた不
良品の発生および流出を防止し、コストの削減を図るに
は、不良の原因の１つであるアクティブマトリクス基板
の欠陥を、液晶層形成前、たとえば当該基板の製造工程
内で検知することが望ましい。このためには当該基板の
製造工程内で、容易に検査を行うことができる検査装置
の開発が求められている。
【００１２】従来技術の検査装置では、１枚の基板を検
査するために、少なくとも基板上の配線に検査用信号を
印加した状態の画像と、配線に検査用信号を印加しない
状態の画像の２枚の画像を撮像する必要がある。これに
よって検査時間が長くなるという問題がある。
査するために、少なくとも基板上の配線に検査用信号を
印加した状態の画像と、配線に検査用信号を印加しない
状態の画像の２枚の画像を撮像する必要がある。これに
よって検査時間が長くなるという問題がある。
【００１３】また欠陥の検出は、信号を印加した状態の
画像と信号を印加しない状態の画像とのパターンを比較
して行う。短絡など程度の大きい欠陥箇所は、信号を印
加した状態で極度の電流集中が発生し、欠陥がない場合
に放射する赤外線よりも多く赤外線を放射する。したが
って、前記欠陥箇所は、信号を印加した状態の画像で
は、信号を印加しない状態の画像と比較して、周囲の部
分との階調の差が大きくなる。これによって、欠陥を検
出することは容易である。
画像と信号を印加しない状態の画像とのパターンを比較
して行う。短絡など程度の大きい欠陥箇所は、信号を印
加した状態で極度の電流集中が発生し、欠陥がない場合
に放射する赤外線よりも多く赤外線を放射する。したが
って、前記欠陥箇所は、信号を印加した状態の画像で
は、信号を印加しない状態の画像と比較して、周囲の部
分との階調の差が大きくなる。これによって、欠陥を検
出することは容易である。
【００１４】また信号を印加した状態で生じる電流集中
が微小であるような、程度の小さな欠陥箇所は、赤外線
の増加が少ない。欠陥箇所は、信号を印加しない状態に
おいても、赤外線の放射量は小量の変化が生じている。
欠陥の程度が小さい場合、前記２つの画像の比較して
も、該当する領域の階調パターンに大きな違いが生じな
いので、検知することが難しい。したがって、基板内の
微小な欠陥について充分な感度が得られず、欠陥検出の
精度が低下するという問題がある。
が微小であるような、程度の小さな欠陥箇所は、赤外線
の増加が少ない。欠陥箇所は、信号を印加しない状態に
おいても、赤外線の放射量は小量の変化が生じている。
欠陥の程度が小さい場合、前記２つの画像の比較して
も、該当する領域の階調パターンに大きな違いが生じな
いので、検知することが難しい。したがって、基板内の
微小な欠陥について充分な感度が得られず、欠陥検出の
精度が低下するという問題がある。
【００１５】本発明の目的は、検査時間を短縮し、かつ
欠陥検出の精度を上げることができる配線基板の検査装
置を提供することである。
欠陥検出の精度を上げることができる配線基板の検査装
置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板上
に互いに平行に間隔をあけて配置される複数の走査配線
と、走査配線と直交して間隔をあけて配置される複数の
信号配線と、走査配線と信号配線とが交差することによ
って形成される矩形の絵素領域にそれぞれ配置される絵
素電極と、絵素電極にそれぞれ配置され、各配線と絵素
電極とを接続するスイッチング素子とを備えて同一の配
線パターンが繰返して形成された配線基板の検査装置で
あって、配線基板を載置する載置台と、前記配線基板の
各配線に検査用信号を与え、前記複数種類の配線のうち
少なくとも１種類の配線に印加される検査用信号が高周
波信号である信号供給手段と、前記載置台の上方に設置
され、載置された前記配線基板の赤外線画像を撮像する
撮像手段と、前記撮像手段の出力に応答し、撮像された
配線基板の赤外線画像を、予め定められた大きさの複数
の領域の赤外線画像に分割し欠陥がなければ各領域毎に
同じパターンが形成されるように領域の大きさが設定さ
れている画像処理手段と、前記画像処理手段の出力に応
答し、複数の領域の赤外線画像のうちの検査すべき任意
の領域の赤外線画像を、該複数の領域の赤外線画像のう
ちの該検査すべき領域に隣接する複数の領域の赤外線画
像とそれぞれ比較し、検査すべき領域の赤外線画像と各
隣接領域の赤外線画像との相違点を検知する検知手段
と、前記検知手段の出力に応答し、前記検査すべき領域
内の欠陥の有無を判定し、検査すべき領域の赤外線画像
と隣接領域の赤外線画像とに相違点が生じている場合、
該検査すべき領域に欠陥があると判定する判定手段とを
含む配線基板の検査装置において、前記信号供給手段
は、信号配線には、前記信号配線の寄生容量と抵抗値と
を乗算した時定数よりも長い周期で電圧の極性が反転す
る信号を与え、走査配線には、電圧の絶対値が前記信号
配線に与えられる信号の電圧振幅よりも大きく、かつ電
圧の極性が常に正である信号を与えることを特徴とする
配線基板の検査装置である。また本発明は、絶縁性基板
上に互いに平行に間隔をあけて配置される複数の走査配
線と、走査配線と直交して間隔をあけて配置される複数
の信号配線と、走査配線と信号配線とが交差することに
よって形成される矩形の絵素領域にそれぞれ配置される
絵素電極と、絵素電極にそれぞれ配置され、各配線と絵
素電極とを接続するスイッチング素子とを備えて同一の
配線パターンが繰返して形成された配線基板の検査装置
であって、配線基板を載置する載置台と、前記配線基板
の各配線に検査用信号を与え、前記複数種類の配線のう
ち少なくとも１種類の配線に印加される検査用信号が高
周波信号である信号供給手段と、前記載置台の上方に設
置され、載置された前記配線基板の赤外線画像を撮像す
る撮像手段と、前記撮像手段の出力に応答し、撮像され
た配線基板の赤外線画像を、予め定められた大きさの複
数の領域の赤外線画像に分割し欠陥がなければ各領域毎
に同じパターンが形成されるように領域の大きさが設定
されている画像処理手段と、前記画像処理手段の出力に
応答し、複数の領域の赤外線画像のうちの検査すべき任
意の領域の赤外線画像を、該複数の領域の赤外線画像の
うちの該検査すべき領域に隣接する複数の領域の赤外線
画像とそれぞれ比較し、検査すべき領域の赤外線画像と
各隣接領域の赤外線画像との相違点を検知する検知手段
と、前記検知手段の出力に応答し、前記検査すべき領域
内の欠陥の有無を判定し、検査すべき領域の赤外線画像
と隣接領域の赤外線画像とに相違点が生じている場合、
該検査すべき領域に欠陥があると判定する判定手段とを
含む配線基板の検査装置において、前記配線基板は、走
査配線と平行に配設されるコモン信号配線と、コモン信
号配線上に絶縁層を介して設けられ、かつ絵素電極とそ
れぞれ接続される補助容量電極とをさらに含み、前記信
号供給手段は、信号配線には、前記信号配線の寄生容量
と抵抗値とを乗算した時定数よりも長い周期で電圧の極
性が反転する信号を与え、走査配線には、電圧の絶対値
が前記信号配線に与えられる信号の電圧振幅よりも大き
く、かつ電圧の極性が常に正である信号を与え、コモン
信号配線には、電圧の絶対値が前記信号配線に与えられ
る信号の電圧振幅よりも大きく、かつ電圧の極性が常に
負である信号を与えることを特徴とする配線基板の検査
装置である。
に互いに平行に間隔をあけて配置される複数の走査配線
と、走査配線と直交して間隔をあけて配置される複数の
信号配線と、走査配線と信号配線とが交差することによ
って形成される矩形の絵素領域にそれぞれ配置される絵
素電極と、絵素電極にそれぞれ配置され、各配線と絵素
電極とを接続するスイッチング素子とを備えて同一の配
線パターンが繰返して形成された配線基板の検査装置で
あって、配線基板を載置する載置台と、前記配線基板の
各配線に検査用信号を与え、前記複数種類の配線のうち
少なくとも１種類の配線に印加される検査用信号が高周
波信号である信号供給手段と、前記載置台の上方に設置
され、載置された前記配線基板の赤外線画像を撮像する
撮像手段と、前記撮像手段の出力に応答し、撮像された
配線基板の赤外線画像を、予め定められた大きさの複数
の領域の赤外線画像に分割し欠陥がなければ各領域毎に
同じパターンが形成されるように領域の大きさが設定さ
れている画像処理手段と、前記画像処理手段の出力に応
答し、複数の領域の赤外線画像のうちの検査すべき任意
の領域の赤外線画像を、該複数の領域の赤外線画像のう
ちの該検査すべき領域に隣接する複数の領域の赤外線画
像とそれぞれ比較し、検査すべき領域の赤外線画像と各
隣接領域の赤外線画像との相違点を検知する検知手段
と、前記検知手段の出力に応答し、前記検査すべき領域
内の欠陥の有無を判定し、検査すべき領域の赤外線画像
と隣接領域の赤外線画像とに相違点が生じている場合、
該検査すべき領域に欠陥があると判定する判定手段とを
含む配線基板の検査装置において、前記信号供給手段
は、信号配線には、前記信号配線の寄生容量と抵抗値と
を乗算した時定数よりも長い周期で電圧の極性が反転す
る信号を与え、走査配線には、電圧の絶対値が前記信号
配線に与えられる信号の電圧振幅よりも大きく、かつ電
圧の極性が常に正である信号を与えることを特徴とする
配線基板の検査装置である。また本発明は、絶縁性基板
上に互いに平行に間隔をあけて配置される複数の走査配
線と、走査配線と直交して間隔をあけて配置される複数
の信号配線と、走査配線と信号配線とが交差することに
よって形成される矩形の絵素領域にそれぞれ配置される
絵素電極と、絵素電極にそれぞれ配置され、各配線と絵
素電極とを接続するスイッチング素子とを備えて同一の
配線パターンが繰返して形成された配線基板の検査装置
であって、配線基板を載置する載置台と、前記配線基板
の各配線に検査用信号を与え、前記複数種類の配線のう
ち少なくとも１種類の配線に印加される検査用信号が高
周波信号である信号供給手段と、前記載置台の上方に設
置され、載置された前記配線基板の赤外線画像を撮像す
る撮像手段と、前記撮像手段の出力に応答し、撮像され
た配線基板の赤外線画像を、予め定められた大きさの複
数の領域の赤外線画像に分割し欠陥がなければ各領域毎
に同じパターンが形成されるように領域の大きさが設定
されている画像処理手段と、前記画像処理手段の出力に
応答し、複数の領域の赤外線画像のうちの検査すべき任
意の領域の赤外線画像を、該複数の領域の赤外線画像の
うちの該検査すべき領域に隣接する複数の領域の赤外線
画像とそれぞれ比較し、検査すべき領域の赤外線画像と
各隣接領域の赤外線画像との相違点を検知する検知手段
と、前記検知手段の出力に応答し、前記検査すべき領域
内の欠陥の有無を判定し、検査すべき領域の赤外線画像
と隣接領域の赤外線画像とに相違点が生じている場合、
該検査すべき領域に欠陥があると判定する判定手段とを
含む配線基板の検査装置において、前記配線基板は、走
査配線と平行に配設されるコモン信号配線と、コモン信
号配線上に絶縁層を介して設けられ、かつ絵素電極とそ
れぞれ接続される補助容量電極とをさらに含み、前記信
号供給手段は、信号配線には、前記信号配線の寄生容量
と抵抗値とを乗算した時定数よりも長い周期で電圧の極
性が反転する信号を与え、走査配線には、電圧の絶対値
が前記信号配線に与えられる信号の電圧振幅よりも大き
く、かつ電圧の極性が常に正である信号を与え、コモン
信号配線には、電圧の絶対値が前記信号配線に与えられ
る信号の電圧振幅よりも大きく、かつ電圧の極性が常に
負である信号を与えることを特徴とする配線基板の検査
装置である。
【００１７】
【作用】本発明に従えば、本発明の検査装置で検査され
る配線基板は、同一の配線パターンが繰返し形成される
基板、たとえばアクティブマトリクス基板である。前記
配線基板は、絶縁性基板上に、互いに平行に間隔をあけ
て配置される複数の走査配線と、前記走査配線と直交し
て、間隔をあけて配設される複数の信号配線とを有し、
走査配線と信号配線とが交差する所定の領域に絵素電極
が配置される。絵素電極と走査配線および信号配線とは
スイッチング素子を介して接続されている。
る配線基板は、同一の配線パターンが繰返し形成される
基板、たとえばアクティブマトリクス基板である。前記
配線基板は、絶縁性基板上に、互いに平行に間隔をあけ
て配置される複数の走査配線と、前記走査配線と直交し
て、間隔をあけて配設される複数の信号配線とを有し、
走査配線と信号配線とが交差する所定の領域に絵素電極
が配置される。絵素電極と走査配線および信号配線とは
スイッチング素子を介して接続されている。
【００１８】この配線基板を載置台の上に載置し、前記
各配線に信号供給手段から検査用信号を与えた状態で載
置台上方に設置された撮像手段によって、前記基板の赤
外線画像を撮像する。撮像された赤外線画像は、画像処
理手段によって、予め定められた大きさの複数の領域に
分割される。領域の大きさは、欠陥が無ければ各領域毎
に同じパターンが形成されるように、決定されている。
分割された領域のうちの検査すべき任意の領域の赤外線
画像を、該検査すべき領域に隣接する複数の領域の赤外
線画像と比較し、赤外線画像のコントラストの差異な
ど、赤外線画像の相違点を検知手段によって検知する。
赤外線画像に相違点が生じていた場合、その任意の領域
には欠陥が存在すると判定する。
各配線に信号供給手段から検査用信号を与えた状態で載
置台上方に設置された撮像手段によって、前記基板の赤
外線画像を撮像する。撮像された赤外線画像は、画像処
理手段によって、予め定められた大きさの複数の領域に
分割される。領域の大きさは、欠陥が無ければ各領域毎
に同じパターンが形成されるように、決定されている。
分割された領域のうちの検査すべき任意の領域の赤外線
画像を、該検査すべき領域に隣接する複数の領域の赤外
線画像と比較し、赤外線画像のコントラストの差異な
ど、赤外線画像の相違点を検知手段によって検知する。
赤外線画像に相違点が生じていた場合、その任意の領域
には欠陥が存在すると判定する。
【００１９】これによって本発明の検査装置は、従来技
術で必要とされていた、信号を印加しない状態の配線基
板の赤外線画像を必要としない。したがって撮像する赤
外線画像はたとえば１枚ですむので、撮像時間を短縮す
ることができる。また欠陥が生じている配線を含む領域
の赤外線画像を、欠陥のない配線を含む別の領域の赤外
線画像と比較することになるので、微妙な電流集中など
によって生じる輝点などが検出しやすく、微小な欠陥が
発見しやすい。また前記検査装置においては、配線基板
の複数種類の配線のうちの少なくとも１種類の配線に、
検査用の信号として、高周波信号が印加される。これに
よって、大きな充放電電流が流れるので、欠陥をより顕
著に検知することができる。
術で必要とされていた、信号を印加しない状態の配線基
板の赤外線画像を必要としない。したがって撮像する赤
外線画像はたとえば１枚ですむので、撮像時間を短縮す
ることができる。また欠陥が生じている配線を含む領域
の赤外線画像を、欠陥のない配線を含む別の領域の赤外
線画像と比較することになるので、微妙な電流集中など
によって生じる輝点などが検出しやすく、微小な欠陥が
発見しやすい。また前記検査装置においては、配線基板
の複数種類の配線のうちの少なくとも１種類の配線に、
検査用の信号として、高周波信号が印加される。これに
よって、大きな充放電電流が流れるので、欠陥をより顕
著に検知することができる。
【００２０】また本発明に従えば、前記信号供給手段
は、前記配線基板の信号配線に、前記信号配線の時定数
よりも長い周期で電圧の極性が反転する、たとえば高周
波の信号を与える。これによって、配線や絵素電極など
に充放電電流が多く流れ、欠陥部分に生じた電流集中に
よって放射される赤外線の放射量が増加する。また微小
な欠陥に応じて、赤外線画像のコントラストが大きく変
化する。また走査配線には、電圧の絶対値が信号配線に
与えられる信号の電圧振幅より大きく、電圧の極性が常
に正である信号が与えられる。このように走査配線と信
号配線に与えられる信号を選ぶと、配線の短絡や断線、
スイッチング素子の動作不良など、多くの欠陥を同時に
明確に検出することができる。
は、前記配線基板の信号配線に、前記信号配線の時定数
よりも長い周期で電圧の極性が反転する、たとえば高周
波の信号を与える。これによって、配線や絵素電極など
に充放電電流が多く流れ、欠陥部分に生じた電流集中に
よって放射される赤外線の放射量が増加する。また微小
な欠陥に応じて、赤外線画像のコントラストが大きく変
化する。また走査配線には、電圧の絶対値が信号配線に
与えられる信号の電圧振幅より大きく、電圧の極性が常
に正である信号が与えられる。このように走査配線と信
号配線に与えられる信号を選ぶと、配線の短絡や断線、
スイッチング素子の動作不良など、多くの欠陥を同時に
明確に検出することができる。
【００２１】また前記配線基板は、走査配線と平行に配
設されるコモン信号配線と、コモン信号配線上に絶縁層
を介して設けられ、絵素電極とそれぞれ接続される補助
容量電極とが設けられ、コモン信号配線と補助容量電極
間に補助容量が形成される。この場合、コモン信号配線
には、電圧の絶対値が信号配線に与えられる信号の電圧
振幅よりも大きく、電圧の極性が常に負である信号を与
える。これによって、コモン信号配線を含む配線基板の
欠陥を、明確に検出することができる。
設されるコモン信号配線と、コモン信号配線上に絶縁層
を介して設けられ、絵素電極とそれぞれ接続される補助
容量電極とが設けられ、コモン信号配線と補助容量電極
間に補助容量が形成される。この場合、コモン信号配線
には、電圧の絶対値が信号配線に与えられる信号の電圧
振幅よりも大きく、電圧の極性が常に負である信号を与
える。これによって、コモン信号配線を含む配線基板の
欠陥を、明確に検出することができる。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の一実施例である配線基板の検
査装置１１の簡略化した構成図である。検査すべき基板
部材１２は、載置台１３上に載置され、その上に枠体１
４が載置される。枠体１４の底面（基板部材１２との当
接面）には、信号供給手段１７に接続された複数の端子
が設けられ、この信号供給手段１７から後述する検査用
信号が与えられている。枠体１４の端子は、基板部材１
２の周囲に設けられる、後述する複数の配線の端子に押
付けられて接触する。前記配線には、信号供給手段１７
から枠体１４の端子を介して予め定められた検査用信号
が与えられる。
査装置１１の簡略化した構成図である。検査すべき基板
部材１２は、載置台１３上に載置され、その上に枠体１
４が載置される。枠体１４の底面（基板部材１２との当
接面）には、信号供給手段１７に接続された複数の端子
が設けられ、この信号供給手段１７から後述する検査用
信号が与えられている。枠体１４の端子は、基板部材１
２の周囲に設けられる、後述する複数の配線の端子に押
付けられて接触する。前記配線には、信号供給手段１７
から枠体１４の端子を介して予め定められた検査用信号
が与えられる。
【００２３】載置台１３上方には、撮像手段１５が設置
され、検査用信号が印加された状態の基板部材１２の赤
外線画像を撮像する。撮像手段１５は、たとえば基板部
材１２表面から放射される赤外線を捕らえて赤外線画像
を形成する赤外線カメラで実現される。撮像手段１５で
撮像された赤外線画像の画像データは、たとえばアナロ
グ／デジタル変換回路を介して画像処理手段１６に与え
られる。
され、検査用信号が印加された状態の基板部材１２の赤
外線画像を撮像する。撮像手段１５は、たとえば基板部
材１２表面から放射される赤外線を捕らえて赤外線画像
を形成する赤外線カメラで実現される。撮像手段１５で
撮像された赤外線画像の画像データは、たとえばアナロ
グ／デジタル変換回路を介して画像処理手段１６に与え
られる。
【００２４】画像処理手段１６では、前記画像データか
ら、基板部材１２から放出された赤外線の放射量に応じ
て画像コントラストを決定し、たとえば２５６階調のグ
レースケール画像である赤外線画像２１を形成する。た
とえば、基板部材１２表面の任意の点から放出される赤
外線の放射量が増加するほど、画像の色が白に近付くよ
うな画像が形成される。次いで、前記画像２１を図２
（１）に示すように、予め定められた大きさの領域２２
に分割する。領域２２の大きさは、基板部材１２に形成
される配線の繰り返しパターンのピッチに基づいて、欠
陥がなければ各領域毎に同じパターンが形成されるよう
に決定される。１つの領域２２の大きさは、たとえば１
絵素と同等の大きさに設定される。図２（２）は、たと
えば基板部材１２中央部に位置する領域である、領域２
２ａの赤外線画像である。斜線部分は白色部分とはコン
トラストの違う部分を示す。画像処理手段１６で処理さ
れた画像は制御手段１８に与えられる。
ら、基板部材１２から放出された赤外線の放射量に応じ
て画像コントラストを決定し、たとえば２５６階調のグ
レースケール画像である赤外線画像２１を形成する。た
とえば、基板部材１２表面の任意の点から放出される赤
外線の放射量が増加するほど、画像の色が白に近付くよ
うな画像が形成される。次いで、前記画像２１を図２
（１）に示すように、予め定められた大きさの領域２２
に分割する。領域２２の大きさは、基板部材１２に形成
される配線の繰り返しパターンのピッチに基づいて、欠
陥がなければ各領域毎に同じパターンが形成されるよう
に決定される。１つの領域２２の大きさは、たとえば１
絵素と同等の大きさに設定される。図２（２）は、たと
えば基板部材１２中央部に位置する領域である、領域２
２ａの赤外線画像である。斜線部分は白色部分とはコン
トラストの違う部分を示す。画像処理手段１６で処理さ
れた画像は制御手段１８に与えられる。
【００２５】制御手段１８では、任意の領域の画像と当
該領域に隣接する複数の領域の画像とを比較して、画像
パターンの違いを検出する。たとえば中央部の領域２２
ａであれば、周囲の８個の領域２２ｂ，２２ｃと比較す
る。画像に相違点がある場合は、その領域に撮像された
配線に欠陥があると判定する。制御手段１８は、検知手
段と判定手段を含んで構成される。
該領域に隣接する複数の領域の画像とを比較して、画像
パターンの違いを検出する。たとえば中央部の領域２２
ａであれば、周囲の８個の領域２２ｂ，２２ｃと比較す
る。画像に相違点がある場合は、その領域に撮像された
配線に欠陥があると判定する。制御手段１８は、検知手
段と判定手段を含んで構成される。
【００２６】基板部材１２は、たとえば図３に示すスイ
ッチング素子にＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基
板で実現される。この基板部材１２は、絶縁性基板３１
上に、それぞれ複数の走査配線３２、ソース信号配線３
３、絵素電極３４およびＴＦＴ３５を含んで形成され
る。複数の走査配線３２は、互いに間隔をあけて平行に
設けられ、ＴＦＴ３５のゲート電極３５ａと接続され
る。ソース信号配線３３は、走査配線３２と直交し、互
いに間隔をあけて平行に設けられ、ＴＦＴ３５のソース
電極３５ｂと接続される。絵素電極３４は、走査配線３
２とソース信号配線３３とに囲まれた矩形の絵素領域に
設けられ、ＴＦＴ３５のドレイン電極３５ｃと接続され
る。これによって絵素電極３４は各配線３２，３３とＴ
ＦＴ３５を介して接続されている。走査配線３２上に
は、絵素電極３４の一部分である補助容量電極が絶縁体
を介して重畳され、走査配線３２と補助容量電極との間
に補助容量３６が形成されている。
ッチング素子にＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基
板で実現される。この基板部材１２は、絶縁性基板３１
上に、それぞれ複数の走査配線３２、ソース信号配線３
３、絵素電極３４およびＴＦＴ３５を含んで形成され
る。複数の走査配線３２は、互いに間隔をあけて平行に
設けられ、ＴＦＴ３５のゲート電極３５ａと接続され
る。ソース信号配線３３は、走査配線３２と直交し、互
いに間隔をあけて平行に設けられ、ＴＦＴ３５のソース
電極３５ｂと接続される。絵素電極３４は、走査配線３
２とソース信号配線３３とに囲まれた矩形の絵素領域に
設けられ、ＴＦＴ３５のドレイン電極３５ｃと接続され
る。これによって絵素電極３４は各配線３２，３３とＴ
ＦＴ３５を介して接続されている。走査配線３２上に
は、絵素電極３４の一部分である補助容量電極が絶縁体
を介して重畳され、走査配線３２と補助容量電極との間
に補助容量３６が形成されている。
【００２７】前記ソース信号配線３３には、図４の実線
３７に示すような矩形波のソース信号が印加されてい
る。ソース信号は、ソース信号の周期Ｗ０の半分である
期間Ｗ１で信号の電圧の極性が反転する信号である。前
記期間Ｗ１は、ソース信号配線３３の時定数よりも大き
い値に選ばれる。時定数は、ソース信号配線３３の抵抗
値と、ソース信号配線３３の寄生容量とを乗算して求め
られる。ソース信号配線３３の寄生容量は、たとえばソ
ース信号配線３３と走査配線３２とが交差している箇所
に生じる容量や、ソース信号配線３３に接続されている
ＴＦＴ３５などが有する容量などの総和である。前記寄
生容量は基板部材１２の構造から、あらかじめ計算で求
めることができる。
３７に示すような矩形波のソース信号が印加されてい
る。ソース信号は、ソース信号の周期Ｗ０の半分である
期間Ｗ１で信号の電圧の極性が反転する信号である。前
記期間Ｗ１は、ソース信号配線３３の時定数よりも大き
い値に選ばれる。時定数は、ソース信号配線３３の抵抗
値と、ソース信号配線３３の寄生容量とを乗算して求め
られる。ソース信号配線３３の寄生容量は、たとえばソ
ース信号配線３３と走査配線３２とが交差している箇所
に生じる容量や、ソース信号配線３３に接続されている
ＴＦＴ３５などが有する容量などの総和である。前記寄
生容量は基板部材１２の構造から、あらかじめ計算で求
めることができる。
【００２８】前記期間Ｗ１をソース信号配線３３の時定
数よりも大きくすることによって、ソース信号をなまり
なく伝送することができる。たとえば、ソース信号配線
３３の抵抗値が５０ｋΩ、寄生容量が８０ｐＦであれ
ば、時定数は４．０μｓｅｃである。この場合、たとえ
ば期間Ｗ１の２倍であるソース信号の周期は６０μｓｅ
ｃに選ばれる。また前記ソース信号の電圧振幅Ｖ１は、
液晶表示装置の駆動電圧に近い値に設定される。たとえ
ばソース信号であれば５Ｖとする。
数よりも大きくすることによって、ソース信号をなまり
なく伝送することができる。たとえば、ソース信号配線
３３の抵抗値が５０ｋΩ、寄生容量が８０ｐＦであれ
ば、時定数は４．０μｓｅｃである。この場合、たとえ
ば期間Ｗ１の２倍であるソース信号の周期は６０μｓｅ
ｃに選ばれる。また前記ソース信号の電圧振幅Ｖ１は、
液晶表示装置の駆動電圧に近い値に設定される。たとえ
ばソース信号であれば５Ｖとする。
【００２９】また走査配線３２には図４の実線３８に示
す、電圧が一定の走査信号が印加される。走査信号は、
電圧の絶対値がソース信号の電圧振幅Ｖ１よりも大き
く、電圧の極性がたとえば正である信号、すなわちＴＦ
Ｔ３５をオン状態にする信号である。走査信号の電圧値
は、液晶表示装置の駆動電圧に近い値に設定される。た
とえば、走査信号として、電圧が１５Ｖの定常信号が印
加される。
す、電圧が一定の走査信号が印加される。走査信号は、
電圧の絶対値がソース信号の電圧振幅Ｖ１よりも大き
く、電圧の極性がたとえば正である信号、すなわちＴＦ
Ｔ３５をオン状態にする信号である。走査信号の電圧値
は、液晶表示装置の駆動電圧に近い値に設定される。た
とえば、走査信号として、電圧が１５Ｖの定常信号が印
加される。
【００３０】このように、走査配線３２に定常信号を印
加し、ソース信号配線３３に高周波信号を印加すると、
ソース信号配線３３に充放電電流が流れる。走査配線３
２とソース信号配線３３との間に短絡が生じている場合
は、予め印加した各信号の電圧値によって走査配線３２
とソース信号配線３３との間に電位差が生じているの
で、短絡した部分に電流が流れ、ジュール熱を生じる。
またＴＦＴ３５はオン状態であるので、絵素電極３４に
高周波信号が入力されている。したがって絵素電極３４
と両配線３２，３３との間に短絡が生じている場合にも
同様に、短絡部分にジュール熱を生じる。したがって、
欠陥を有する配線を含む領域２２の赤外線画像には、図
２（２）の参照符４０で示すように、短絡部分が白く映
っている。
加し、ソース信号配線３３に高周波信号を印加すると、
ソース信号配線３３に充放電電流が流れる。走査配線３
２とソース信号配線３３との間に短絡が生じている場合
は、予め印加した各信号の電圧値によって走査配線３２
とソース信号配線３３との間に電位差が生じているの
で、短絡した部分に電流が流れ、ジュール熱を生じる。
またＴＦＴ３５はオン状態であるので、絵素電極３４に
高周波信号が入力されている。したがって絵素電極３４
と両配線３２，３３との間に短絡が生じている場合にも
同様に、短絡部分にジュール熱を生じる。したがって、
欠陥を有する配線を含む領域２２の赤外線画像には、図
２（２）の参照符４０で示すように、短絡部分が白く映
っている。
【００３１】短絡部分は発熱し、正常な部分と比較し
て、赤外線を強く発しているので、短絡を生じた部分を
含む領域の画像と隣接する周囲の複数の領域の画像と比
較する。たとえば、図２の角隅部の領域２２ｃであれば
隣接する３領域、中央部の領域２２ａであれば周囲を取
囲む８領域の、３〜８領域の画像とを比較する。隣接す
る複数の領域は、すべて同一箇所に欠陥を持つことは殆
どありえないので、２つの画像において短絡部分のコン
トラストが異なり、画像パターンが変化する。したがっ
てこの画像パターンの違いを検出することによって、領
域内に生じた短絡を検知することができる。
て、赤外線を強く発しているので、短絡を生じた部分を
含む領域の画像と隣接する周囲の複数の領域の画像と比
較する。たとえば、図２の角隅部の領域２２ｃであれば
隣接する３領域、中央部の領域２２ａであれば周囲を取
囲む８領域の、３〜８領域の画像とを比較する。隣接す
る複数の領域は、すべて同一箇所に欠陥を持つことは殆
どありえないので、２つの画像において短絡部分のコン
トラストが異なり、画像パターンが変化する。したがっ
てこの画像パターンの違いを検出することによって、領
域内に生じた短絡を検知することができる。
【００３２】また、ソース信号配線３３に断線が生じて
いる場合、断線部分から信号伝達方向下流側の配線に
は、ソース信号が印加されない。したがって断線部分か
ら信号伝達方向下流側の配線は、充放電電流に起因する
赤外線を発しない。したがって断線したソース信号配線
３３を含む画像は、隣接する複数の領域の画像と比較し
て、断線した配線部分のコントラストが異なり、画像パ
ターンが変化する。この画像パターンの違いを検出する
ことによって、断線箇所を検知することができる。走査
配線の断線を検知する際には、ソース信号と同様の信号
を走査配線に印加して、同じように画像を比較すればよ
い。
いる場合、断線部分から信号伝達方向下流側の配線に
は、ソース信号が印加されない。したがって断線部分か
ら信号伝達方向下流側の配線は、充放電電流に起因する
赤外線を発しない。したがって断線したソース信号配線
３３を含む画像は、隣接する複数の領域の画像と比較し
て、断線した配線部分のコントラストが異なり、画像パ
ターンが変化する。この画像パターンの違いを検出する
ことによって、断線箇所を検知することができる。走査
配線の断線を検知する際には、ソース信号と同様の信号
を走査配線に印加して、同じように画像を比較すればよ
い。
【００３３】さらにまた、オン状態のＴＦＴ３５にもソ
ース信号が印加される。ＴＦＴ３５内にも充放電電流が
流れており、ジュール熱を発している。ＴＦＴ３５に動
作不良が生じて、たとえばオン状態であるべきにも拘わ
らずオフ状態のままである場合には、当該ＴＦＴ３５を
含む赤外線画像は、正常に動作しているＴＦＴ３５を含
む画像と比較して、ＴＦＴ３５部分のコントラストが異
なる。このコントラストの違いを検出することによって
ＴＦＴ３５の動作不良を検出することができる。
ース信号が印加される。ＴＦＴ３５内にも充放電電流が
流れており、ジュール熱を発している。ＴＦＴ３５に動
作不良が生じて、たとえばオン状態であるべきにも拘わ
らずオフ状態のままである場合には、当該ＴＦＴ３５を
含む赤外線画像は、正常に動作しているＴＦＴ３５を含
む画像と比較して、ＴＦＴ３５部分のコントラストが異
なる。このコントラストの違いを検出することによって
ＴＦＴ３５の動作不良を検出することができる。
【００３４】以上のように短絡や断線、ＴＦＴ３５の動
作不良などを生じた配線を含む領域の赤外線画像を、隣
接する他の複数の領域の赤外線画像と比較し、画像パタ
ーンやコントラストの相違点を検出することによって、
基板部材１２の絵素に生じた欠陥を検知することができ
る。
作不良などを生じた配線を含む領域の赤外線画像を、隣
接する他の複数の領域の赤外線画像と比較し、画像パタ
ーンやコントラストの相違点を検出することによって、
基板部材１２の絵素に生じた欠陥を検知することができ
る。
【００３５】また基板部材１２の他の例として、図５に
示すアクティブマトリクス基板が挙げられる。図５の基
板部材１２ａは、図３の基板部材１２に類似の構成を有
し、同一の構成には同一の符号を付して説明は省略す
る。本例では、絵素電極３４の一部分である補助容量電
極が、走査配線３２と平行して配設されるコモン信号配
線４１上に絶縁体を介して重畳され、補助容量３６が形
成される。この基板部材１２ａを、図１の検査装置で検
査する場合には、走査配線３２、ソース信号配線３３と
ともに、コモン信号配線４１に検査用信号であるコモン
信号を印加すると、本実施例と同様に欠陥を検知するこ
とができる。コモン信号は、図４の実線３９に示すよう
に、電圧の絶対値がソース信号の電圧振幅Ｖ１よりも大
きく、電圧の極性が負極性であるように選ばれる。たと
えば、コモン信号として、電圧が−１０Ｖの定常信号が
印加される。
示すアクティブマトリクス基板が挙げられる。図５の基
板部材１２ａは、図３の基板部材１２に類似の構成を有
し、同一の構成には同一の符号を付して説明は省略す
る。本例では、絵素電極３４の一部分である補助容量電
極が、走査配線３２と平行して配設されるコモン信号配
線４１上に絶縁体を介して重畳され、補助容量３６が形
成される。この基板部材１２ａを、図１の検査装置で検
査する場合には、走査配線３２、ソース信号配線３３と
ともに、コモン信号配線４１に検査用信号であるコモン
信号を印加すると、本実施例と同様に欠陥を検知するこ
とができる。コモン信号は、図４の実線３９に示すよう
に、電圧の絶対値がソース信号の電圧振幅Ｖ１よりも大
きく、電圧の極性が負極性であるように選ばれる。たと
えば、コモン信号として、電圧が−１０Ｖの定常信号が
印加される。
【００３６】このように本実施例では、或る領域の欠陥
を生じている箇所の画像のコントラストと、別の領域の
欠陥を生じていない同一箇所の画像のコントラストとを
比較して欠陥を検知する。欠陥の程度が小さく電流集中
が微小である場合も、微小な抵抗値の変化などにも応じ
て、従来技術の検査装置を用いた場合と比較して、赤外
線の放射量が大きく変化する。これによって、画像には
周囲とコントラストの異なる部分が生じる。比較対象の
画像の同一位置には、このコントラストの異なる部分が
生じていないので、２つの画像を比較すると、この部分
が画像パターンの相違点として検出される。従来技術で
は、比較する画像が同一の領域を撮像した画像であるの
で、２つの画像のどちらにも、コントラストの異なる部
分が生じている。このため、周囲とのコントラストの差
が小さい場合は、２つの画像の相違点が検出しにくい。
したがって、従来技術と比較して、基板部材１２面内の
微妙な電流集中の変化に対する感度が充分に得られる。
したがって、欠陥検出の精度を向上させることができ
る。
を生じている箇所の画像のコントラストと、別の領域の
欠陥を生じていない同一箇所の画像のコントラストとを
比較して欠陥を検知する。欠陥の程度が小さく電流集中
が微小である場合も、微小な抵抗値の変化などにも応じ
て、従来技術の検査装置を用いた場合と比較して、赤外
線の放射量が大きく変化する。これによって、画像には
周囲とコントラストの異なる部分が生じる。比較対象の
画像の同一位置には、このコントラストの異なる部分が
生じていないので、２つの画像を比較すると、この部分
が画像パターンの相違点として検出される。従来技術で
は、比較する画像が同一の領域を撮像した画像であるの
で、２つの画像のどちらにも、コントラストの異なる部
分が生じている。このため、周囲とのコントラストの差
が小さい場合は、２つの画像の相違点が検出しにくい。
したがって、従来技術と比較して、基板部材１２面内の
微妙な電流集中の変化に対する感度が充分に得られる。
したがって、欠陥検出の精度を向上させることができ
る。
【００３７】また本実施例では、複数種類の配線のう
ち、少なくともいずれか１種類の配線に印加する信号を
高周波信号にすることによって、大きな充放電電流が流
れる。ジュール熱は電流値の２乗と抵抗値とに比例して
大きくなるので、電流が流れる部分から放射される赤外
線の放射量は従来技術と比較して多くなる。これによっ
て、撮像される赤外線画像のコントラスト差が大きく、
画像全体が明確になる。また、微小な抵抗値の変化など
にも応じて、コントラストが大きく変化するので、欠陥
をより顕著に検知することができる。
ち、少なくともいずれか１種類の配線に印加する信号を
高周波信号にすることによって、大きな充放電電流が流
れる。ジュール熱は電流値の２乗と抵抗値とに比例して
大きくなるので、電流が流れる部分から放射される赤外
線の放射量は従来技術と比較して多くなる。これによっ
て、撮像される赤外線画像のコントラスト差が大きく、
画像全体が明確になる。また、微小な抵抗値の変化など
にも応じて、コントラストが大きく変化するので、欠陥
をより顕著に検知することができる。
【００３８】また本実施例では、たとえば検査すべき領
域とその周囲に隣接した８つの領域とを比較する場合
に、検査すべき領域に１つ欠陥があり、周囲の或る１つ
の領域に検査する領域と異なる欠陥が生じている場合が
考えられる。このとき、検査すべき領域と周囲の正常な
領域とを比較すると、相違点は１つであるけれども、検
査すべき領域と欠陥のある領域とを比較すると相違点は
２つ生じる。このとき相違点を２つ生じた画像の組合せ
が表れる確率は１／８であり、相違点を１つだけ生じる
画像の組合せが表れる確率は７／８である。画像の相違
点の有無から欠陥の有無を判定する場合は、このように
異なる画像の組合せが表れる確率をそれぞれ算出する
と、前記隣接する領域にも欠陥が生じていることを判別
することができる。またこの確率を判断する場合には、
判別する閾値を上げることによって、検査すべき領域が
周囲の画像と相違点を有し、かつ周囲の領域の画像内に
おいて相違点の数などが異なる画像の組合せが存在する
という結果を無視し、単に相違点が生じているという結
果だけを得ることもできる。
域とその周囲に隣接した８つの領域とを比較する場合
に、検査すべき領域に１つ欠陥があり、周囲の或る１つ
の領域に検査する領域と異なる欠陥が生じている場合が
考えられる。このとき、検査すべき領域と周囲の正常な
領域とを比較すると、相違点は１つであるけれども、検
査すべき領域と欠陥のある領域とを比較すると相違点は
２つ生じる。このとき相違点を２つ生じた画像の組合せ
が表れる確率は１／８であり、相違点を１つだけ生じる
画像の組合せが表れる確率は７／８である。画像の相違
点の有無から欠陥の有無を判定する場合は、このように
異なる画像の組合せが表れる確率をそれぞれ算出する
と、前記隣接する領域にも欠陥が生じていることを判別
することができる。またこの確率を判断する場合には、
判別する閾値を上げることによって、検査すべき領域が
周囲の画像と相違点を有し、かつ周囲の領域の画像内に
おいて相違点の数などが異なる画像の組合せが存在する
という結果を無視し、単に相違点が生じているという結
果だけを得ることもできる。
【００３９】本発明はまた、スイッチング素子にＭＩＭ
(Metal-Insulator-Matal）素子などの二端子素子を用い
たアクティブマトリクス基板の欠陥を検出する検査にお
いて好適に実施することができる。さらにまた、メモリ
素子など、同一の配線パターンが繰返される一般的な配
線基板の欠陥を検出する検査において、好適に実施する
ことができる。
(Metal-Insulator-Matal）素子などの二端子素子を用い
たアクティブマトリクス基板の欠陥を検出する検査にお
いて好適に実施することができる。さらにまた、メモリ
素子など、同一の配線パターンが繰返される一般的な配
線基板の欠陥を検出する検査において、好適に実施する
ことができる。
【００４０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、配線基板
の欠陥を検査する検査装置において、基板の各配線に検
査用信号を与えた状態で赤外線画像を撮像し、この赤外
線画像を欠陥がなければ同じパターンが形成されている
ような複数の領域に分割して、各領域の画像を隣接する
複数の領域の画像と比較することによって、画像の相違
点を検知し、欠陥の有無を判定する。これによって、検
査用信号を印加した状態の基板の赤外線画像だけを撮像
すればよいので、撮像時間を短縮することができる。し
たがって、検査時間を大幅に短縮することができる。ま
た前記検査装置において、配線基板の赤外線画像の撮影
時に、複数種類の配線のうちの少なくとも１種類の配線
に高周波信号が印加されているので、欠陥検出の精度が
向上している。
の欠陥を検査する検査装置において、基板の各配線に検
査用信号を与えた状態で赤外線画像を撮像し、この赤外
線画像を欠陥がなければ同じパターンが形成されている
ような複数の領域に分割して、各領域の画像を隣接する
複数の領域の画像と比較することによって、画像の相違
点を検知し、欠陥の有無を判定する。これによって、検
査用信号を印加した状態の基板の赤外線画像だけを撮像
すればよいので、撮像時間を短縮することができる。し
たがって、検査時間を大幅に短縮することができる。ま
た前記検査装置において、配線基板の赤外線画像の撮影
時に、複数種類の配線のうちの少なくとも１種類の配線
に高周波信号が印加されているので、欠陥検出の精度が
向上している。
【００４１】また配線基板はたとえばアクティブマトリ
クス基板で実現される。前記基板の信号配線には、信号
配線の時定数よりも長い周期で電圧の極性が反転する高
周波信号を与え、走査配線および補助容量を形成するた
めのコモン信号配線には、信号配線に与えられる信号よ
りも電圧の絶対値が大きい信号が与えられる。かつ信号
配線に与えられる信号の電圧極性は正である。コモン信
号配線に与えられる信号の電圧極性は負である。これに
よって配線および電極に充放電電流が多く流れ、微小な
欠陥などに応じて赤外線画像のコントラストが大きく変
化する。これによって、基板面内の微小な欠陥を検出す
ることができ、欠陥検出の精度を向上させることができ
る。
クス基板で実現される。前記基板の信号配線には、信号
配線の時定数よりも長い周期で電圧の極性が反転する高
周波信号を与え、走査配線および補助容量を形成するた
めのコモン信号配線には、信号配線に与えられる信号よ
りも電圧の絶対値が大きい信号が与えられる。かつ信号
配線に与えられる信号の電圧極性は正である。コモン信
号配線に与えられる信号の電圧極性は負である。これに
よって配線および電極に充放電電流が多く流れ、微小な
欠陥などに応じて赤外線画像のコントラストが大きく変
化する。これによって、基板面内の微小な欠陥を検出す
ることができ、欠陥検出の精度を向上させることができ
る。
【図１】本発明の一実施例である配線基板の検査装置の
簡略化した構成図である。
簡略化した構成図である。
【図２】図１の画像処理手段１６で処理された基板部材
１２の赤外線画像を示す図である。
１２の赤外線画像を示す図である。
【図３】図１の基板部材１２の部分平面図である。
【図４】図１の信号供給手段１７から基板部材１２の配
線に与えられる検査用信号を示す波形図である。
線に与えられる検査用信号を示す波形図である。
【図５】図１の基板部材１２の他の例である基板部材１
２ａを示す部分平面図である。
２ａを示す部分平面図である。
【図６】従来技術の配線基板の検査装置の簡略化した構
成図である。
成図である。
【図７】図６の画像処理手段５で処理された基板１の赤
外線画像を示す図である。
外線画像を示す図である。
１１ 検査装置 １２，１２ａ 基板部材 １３ 載置台 １４ 枠体 １５ 撮像手段 １６ 画像処理手段 １７ 信号供給手段 １８ 制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102 G01N 21/84 - 21/958 H01L 21/64 - 21/66 G01R 31/02 - 31/06 G01R 31/26 - 31/27 G02F 1/13 101 G02F 1/1343
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に互いに平行に間隔をあけ
て配置される複数の走査配線と、走査配線と直交して間
隔をあけて配置される複数の信号配線と、走査配線と信
号配線とが交差することによって形成される矩形の絵素
領域にそれぞれ配置される絵素電極と、絵素電極にそれ
ぞれ配置され、各配線と絵素電極とを接続するスイッチ
ング素子とを備えて同一の配線パターンが繰返して形成
された配線基板の検査装置であって、 配線基板を載置する載置台と、 前記配線基板の各配線に検査用信号を与え、前記複数種
類の配線のうち少なくとも１種類の配線に印加される検
査用信号が高周波信号である信号供給手段と、 前記載置台の上方に設置され、載置された前記配線基板
の赤外線画像を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段の出力に応答し、撮像された配線基板の赤
外線画像を、予め定められた大きさの複数の領域の赤外
線画像に分割し欠陥がなければ各領域毎に同じパターン
が形成されるように領域の大きさが設定されている画像
処理手段と、 前記画像処理手段の出力に応答し、複数の領域の赤外線
画像のうちの検査すべき任意の領域の赤外線画像を、該
複数の領域の赤外線画像のうちの該検査すべき領域に隣
接する複数の領域の赤外線画像とそれぞれ比較し、検査
すべき領域の赤外線画像と各隣接領域の赤外線画像との
相違点を検知する検知手段と、 前記検知手段の出力に応答し、前記検査すべき領域内の
欠陥の有無を判定し、検査すべき領域の赤外線画像と隣
接領域の赤外線画像とに相違点が生じている場合、該検
査すべき領域に欠陥があると判定する判定手段とを含む
配線基板の検査装置において、 前記信号供給手段は、 信号配線には、前記信号配線の寄生容量と抵抗値とを乗
算した時定数よりも長い周期で電圧の極性が反転する信
号を与え、 走査配線には、電圧の絶対値が前記信号配線に与えられ
る信号の電圧振幅よりも大きく、かつ電圧の極性が常に
正である信号を与えることを特徴とする配線基板の検査
装置。 - 【請求項２】 絶縁性基板上に互いに平行に間隔をあけ
て配置される複数の走査配線と、走査配線と直交して間
隔をあけて配置される複数の信号配線と、走査配線と信
号配線とが交差することによって形成される矩形の絵素
領域にそれぞれ配置される絵素電極と、絵素電極にそれ
ぞれ配置され、各配線と絵素電極とを接続するスイッチ
ング素子とを備えて同一の配線パターンが繰返して形成
された配線基板の検査装置であって、 配線基板を載置する載置台と、 前記配線基板の各配線に検査用信号を与え、前記複数種
類の配線のうち少なくとも１種類の配線に印加される検
査用信号が高周波信号である信号供給手段と、 前記載置台の上方に設置され、載置された前記配線基板
の赤外線画像を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段の出力に応答し、撮像された配線基板の赤
外線画像を、予め定められた大きさの複数の領域の赤外
線画像に分割し欠陥がなければ各領域毎に同じパターン
が形成されるように領域の大きさが設定されている画像
処理手段と、 前記画像処理手段の出力に応答し、複数の領域の赤外線
画像のうちの検査すべき任意の領域の赤外線画像を、該
複数の領域の赤外線画像のうちの該検査すべき領域に隣
接する複数の領域の赤外線画像とそれぞれ比較し、検査
すべき領域の赤外線画像と各隣接領域の赤外線画像との
相違点を検知する検知手段と、 前記検知手段の出力に応答し、前記検査すべき領域内の
欠陥の有無を判定し、検査すべき領域の赤外線画像と隣
接領域の赤外線画像とに相違点が生じている場合、該検
査すべき領域に欠陥があると判定する判定手段とを含む
配線基板の検査装置において、 前記配線基板は、走査配線と平行に配設されるコモン信
号配線と、コモン信号配線上に絶縁層を介して設けら
れ、かつ絵素電極とそれぞれ接続される補助容量電極と
をさらに含み、 前記信号供給手段は、 信号配線には、前記信号配線の寄生容量と抵抗値とを乗
算した時定数よりも長い周期で電圧の極性が反転する信
号を与え、 走査配線には、電圧の絶対値が前記信号配線に与えられ
る信号の電圧振幅よりも大きく、かつ電圧の極性が常に
正である信号を与え、 コモン信号配線には、電圧の絶対値が前記信号配線に与
えられる信号の電圧振幅よりも大きく、かつ電圧の極性
が常に負である信号を与えることを特徴とする配線基板
の検査装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03876395A JP3246704B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 配線基板の検査装置 |
| US08/606,344 US5740272A (en) | 1995-02-27 | 1996-02-23 | Inspection apparatus of wiring board |
| TW085102226A TW295628B (ja) | 1995-02-27 | 1996-02-27 | |
| KR1019960004775A KR100214186B1 (ko) | 1995-02-27 | 1996-02-27 | 배선 기판의 검사 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03876395A JP3246704B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 配線基板の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08233559A JPH08233559A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3246704B2 true JP3246704B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=12534332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03876395A Expired - Lifetime JP3246704B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 配線基板の検査装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5740272A (ja) |
| JP (1) | JP3246704B2 (ja) |
| KR (1) | KR100214186B1 (ja) |
| TW (1) | TW295628B (ja) |
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| FR2760528B1 (fr) * | 1997-03-05 | 1999-05-21 | Framatome Sa | Procede et dispositif d'examen photothermique d'un materiau |
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-
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