JP3468755B2 - 液晶駆動基板の検査装置 - Google Patents

液晶駆動基板の検査装置

Info

Publication number
JP3468755B2
JP3468755B2 JP2001059876A JP2001059876A JP3468755B2 JP 3468755 B2 JP3468755 B2 JP 3468755B2 JP 2001059876 A JP2001059876 A JP 2001059876A JP 2001059876 A JP2001059876 A JP 2001059876A JP 3468755 B2 JP3468755 B2 JP 3468755B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
voltage
defect
liquid crystal
defective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001059876A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002258234A (ja
Inventor
幸弘 岩崎
豊 長澤
芳和 好本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2001059876A priority Critical patent/JP3468755B2/ja
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US10/258,972 priority patent/US6798231B2/en
Priority to PCT/JP2002/002014 priority patent/WO2002071135A1/ja
Priority to KR10-2002-7014628A priority patent/KR100517860B1/ko
Priority to CNB028015282A priority patent/CN1313865C/zh
Priority to TW091104003A priority patent/TW562946B/zh
Publication of JP2002258234A publication Critical patent/JP2002258234A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3468755B2 publication Critical patent/JP3468755B2/ja
Priority to US10/952,375 priority patent/US7212024B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルに
おいて平面上に封止された液晶を電界駆動する液晶駆動
基板の検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、液晶表示パネルは、液晶
に電界を加える液晶駆動基板に液晶が封止されたガラス
板（液晶板）を対向配置したものである。この液晶表示
パネルは、液晶駆動基板の画素電極に加えるデータ電圧
を制御して液晶に加える電界を調節し、この電界調節に
よって液晶の光透過率をコントロールして画像を表示す
るものである。
【０００３】このような液晶表示パネル用の液晶駆動基
板は、ガラス基板上に行列状に配置された複数の画素電
極を設け、これら複数の画素電極にデータ線を介してデ
ータ電圧を供給すると共に、該データ線と画素電極との
間にＴＦＴ等のスイッチング素子を設けると共に該ＴＦ
Ｔ素子をゲート線を介して供給されるゲート電圧によっ
て制御するように構成されている。すなわち、画素電極
へのデータ電圧の書き込みは、データ線を介してＴＦＴ
に供給されるデータ電圧及びゲート線を介してＴＦＴに
供給されるゲート電圧によって制御されるようになって
いる。このように構成された液晶駆動基板を液晶板に近
接対向配置することにより、実質的に画素電極に印加・
保持された電圧（画素電圧）による電界が液晶に作用し
て液晶板の表面に画像が表示される。
【０００４】例えば、このような液晶駆動基板の作動を
検査する検査装置として、特開平５−２５６７９４号公
報に記載された電気光学素子板（モジュレータと称す
る）を用いるものがある。この検査装置は、検査対象で
ある液晶駆動基板にモジュレータを対向配置し、液晶駆
動基板の各画素電極に所定のデータ電圧を印加した場合
に、画素電極への電圧印加状態に応じて異なるモジュレ
ータの画像（電圧イメージ）をＣＣＤカメラ等の撮像手
段によって撮像し、この電圧イメージと予め確認されて
いるモジュレータの電気光学特性とに基づいて各画素電
極の電圧（画素電圧）を算出することにより、各画素電
極に正常にデータ電圧が印加されているか否か、すなわ
ちデータ電圧が正常に印加されない欠陥画素電極がどの
ように分布するかに応じて液晶駆動基板の良否を判定す
るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなモジュレー
タを用いた従来の検査装置では、電圧イメージから画素
電圧を算出すると、該画素電圧を所定のしきい値と比較
することにより２値化し、正常画素と欠陥画素とを判別
している。この場合、従来の検査装置のしきい値は、唯
一１つのしきい値を設定して欠陥画素の判定を行ってい
るので、以下のような問題点があった。
【０００６】図１４は、この問題点を説明するための画
素電圧としきい値との関係を示す特性図である。この図
において、横軸は画素（ピクセル）つまり画素の並び方
向の位置を示し、縦軸は当該並び方向の各画素の画素電
圧を示している。ここで、各画素の画素電圧は、画素に
データ電圧を書き込む機構に何らか不具合があった場合
に、その不具合の種別に応じた画素電圧あるいは画素電
圧の変化パターンとなる。
【０００７】例えば、欠陥画素の種別（欠陥種別）とし
ては、オープン線欠陥、点欠陥、ショート線欠陥
等がある。オープン線欠陥は、上記データ線あるいはゲ
ート線が何れかの箇所で断線して発生するものであり、
連続する複数の画素電極にデータ電圧が正常に書き込ま
れない欠陥である。このようなオープン線欠陥の画素電
極の画素電圧（オープン線欠陥部）は、図示するよう
に、正常画素の画素電圧に対してかなり低い値が複数画
素に亘って連続するものとなる。
【０００８】点欠陥は、単独の画素電極にデータ電圧が
正常に書き込まれない状態のものであり、ある画素電極
の絶縁不良あるいは当該画素電極に設けられたＴＦＴの
動作不良等に起因して発生するものである。このような
点欠陥の画素電極の画素電圧（点欠陥部）は、図示する
ように、正常画素の画素電圧に対して１つの画素の範囲
で低い値となり、上述したオープン線欠陥部よりも多少
高い値となるのが一般的である。
【０００９】また、ショート線欠陥は、上記データ線あ
るいはゲート線が何れかの箇所で短絡して発生するもの
であり、連続する複数の画素電極にデータ電圧が正常に
書き込まれない欠陥である。このようなショート線欠陥
の画素電極の画素電圧（ショート線欠陥部）は、図示す
るように、正常画素の画素電圧に対して極端な差の無い
値が複数画素に亘って連続するものとなる。
【００１０】このように、モジュレータの電圧イメージ
から得られる画素電圧は、欠陥種別に応じて様々な値と
なるものであり、欠陥種別毎にどの程度の値となるか
は、液晶駆動基板の検査を通して統計的に求められる。
また、正常画素については、種々の原因によって画素電
圧に一定範囲のばらつきがあり、その画素電圧は、図示
するようにショート線欠陥部と近しい電圧値（正常点）
となる場合がある。
【００１１】従来の検査装置では、このような画素電圧
に対して、１つのしきい値を設定して欠陥画素と正常画
素との判別を行っていた。このしきい値は、検査基準を
どの程度に設定するか等に基づいて液晶駆動基板の実際
の製造工程毎に決定されるものである。図示するよう
に、例えばしきい値１を設定した場合は、正常点を欠陥
画素と判定することになる。また、これを避けるため
に、しきい値２を設定した場合には、ショート線欠陥部
を検出することができないということになる。したがっ
て、従来のように１つのしきい値を設定して欠陥画素と
正常画素とを判別した場合には、各欠陥種別を正確に分
類することができないと共に、欠陥画素の判定そのもの
も精度の悪いものとなる。
【００１２】一方、この種の検査装置では、スループッ
トの向上が極めて重要な性能要素である。これまでに検
査アルゴリズムの工夫等によって１つの液晶駆動基板の
検査に要する時間つまりスループットの短縮が図られて
きた。したがって、上記問題点を解決するに当たり、こ
の点を留意する必要がある。上記問題点を解決すること
により検査装置の検査精度の向上を達成することができ
るが、同時にスループットの低下が生じないようにする
必要がある。
【００１３】本発明は、上述する問題点に鑑みてなされ
たもので、以下の点を目的とするものである。 （１）液晶駆動基板の検査精度の向上を図る。 （２）より正確に欠陥種別を判定する。 （３）スループットを低下させることなく、液晶駆動基
板の検査精度の向上を図る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、画素電極が行列状に配置された液晶駆
動基板に電気光学素子板を対面配置し、画素電極に所定
電圧を書き込んで得られる電気光学素子板の電圧イメー
ジ及び前記電気光学素子板の電気光学特性に基づいて各
画素電極の実際の電圧を画素電圧として算出し、該画素
電圧に基づいて異常な電圧の欠陥画素と正常な電圧の正
常画素とを判別する液晶駆動基板の検査装置において、
画素電圧を欠陥画素の欠陥種別毎に設定したしきい値と
比較して前記欠陥種別毎に欠陥候補の画素電極を分類
し、該欠陥種別毎の欠陥候補の画素電極を欠陥種別毎に
設けられた判定条件に基づいて最終的に各欠陥種別の欠
陥画素と判定する画像処理装置を具備する手段を採用す
る。
【００１５】また、第２の手段として、画素電極が行列
状に配置された液晶駆動基板に該液晶駆動基板よりもサ
イズの小さな電気光学素子板を対面配置し、画素電極に
所定電圧を書き込んだ状態において液晶駆動基板の各小
区分が電気光学素子板と面対向するように相対位置を各
小区分毎に順次移動させて液晶駆動基板の全領域に亘る
電気光学素子板の電圧イメージを取得し、該電圧イメー
ジ及び前記電気光学素子板の電気光学特性に基づいて各
画素電極の実際の電圧を画素電圧として算出し、該画素
電圧に基づいて異常な電圧の欠陥画素と正常な電圧の正
常画素とを判別する液晶駆動基板の検査装置において、
画素電圧を欠陥画素の欠陥種別毎に設定したしきい値と
比較して前記欠陥種別毎に欠陥候補の画素電極を分類処
理し、該欠陥種別毎の欠陥候補の画素電極を欠陥種別毎
に設けられた判定条件に基づいて最終的に各欠陥種別の
欠陥画素と判定処理すると共に、前記分類処理を前記各
小区分間の移動の間に処理する画像処理装置を具備する
手段を採用する。
【００１６】第３の手段として、画素電極が行列状に配
置された液晶駆動基板が複数形成されたガラス基板に電
気光学素子板を対面配置し、各画素電極に所定電圧を書
き込んだ状態において各液晶駆動基板が電気光学素子板
に対面するように相対位置を液晶駆動基板毎に順次移動
させて全ての液晶駆動基板についての電気光学素子板の
電圧イメージを取得し、該電圧イメージ及び前記電気光
学素子板の電気光学特性に基づいて各画素電極の実際の
電圧を画素電圧として算出し、該画素電圧に基づいて異
常な電圧の欠陥画素と正常な電圧の正常画素とを判別す
る液晶駆動基板の検査装置において、画素電圧を欠陥画
素の欠陥種別毎に設定したしきい値と比較して前記欠陥
種別毎に欠陥候補の画素電極を分類処理し、該欠陥種別
毎の欠陥候補の画素電極を欠陥種別毎に設けられた判定
条件に基づいて最終的に各欠陥種別の欠陥画素と判定処
理すると共に、該判定処理を各液晶駆動基板間の移動の
間に処理する画像処理装置を具備する手段を採用する。
【００１７】第４の手段として、画素電極が行列状に配
置された液晶駆動基板が複数形成されたガラス基板に該
液晶駆動基板よりもサイズの小さな電気光学素子板を対
面配置し、画素電極に所定電圧を書き込んだ状態におい
て各液晶駆動基板が電気光学素子板に対面するように液
晶駆動基板毎に相対位置を順次移動させ、かつ、液晶駆
動基板の各小区分が電気光学素子板と対面するように相
対位置を各小区分毎に順次移動させて全ての液晶駆動基
板の全領域に亘る電気光学素子板の電圧イメージを取得
し、該電圧イメージ及び前記電気光学素子板の電気光学
特性に基づいて各画素電極の実際の電圧を画素電圧とし
て算出し、該画素電圧に基づいて異常な電圧の欠陥画素
と正常な電圧の正常画素とを判別する液晶駆動基板の検
査装置において、画素電圧を欠陥画素の欠陥種別毎に設
定したしきい値と比較して前記欠陥種別毎に欠陥候補の
画素電極を分類処理し、該欠陥種別毎の欠陥候補の画素
電極を欠陥種別毎に設けられた判定条件に基づいて最終
的に各欠陥種別の欠陥画素と判定処理すると共に、前記
分類を前記各小区分毎の移動の間に処理すると共に、前
記判定処理を各液晶駆動基板間の移動の間に処理する画
像処理装置を具備する手段を採用する。
【００１８】第５の手段として、 上記第１〜第４いず
れかの手段において、欠陥画素の欠陥種別毎に設定した
しきい値のうち、正常画素の画素電圧から離れたものか
ら画素電圧と順次比較し、あるしきい値との比較におい
て欠陥候補と判断された時点で、次のしきい値との比較
を省略するように画像処理装置を構成するという手段を
採用する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係わる液晶駆動基板の検査装置の一実施形態について説
明する。
【００２０】まず、図１に示すように、本実施形態で検
査対象とする液晶駆動基板Ａは、１枚のガラス基板Ｂ上
に複数（例えば、Ａ1〜Ａ4の４個）形成された状態のも
のであり、後工程において個々に分割されるものであ
る。このような分割前の液晶駆動基板Ａを検査する場
合、以下に説明するようにガラス基板ＢをＸ−Ｙテーブ
ル等の移動手段上に載置し、該移動手段を作動させるこ
とによって個々の液晶駆動基板Ａをモジュレータに対向
配置させる。
【００２１】図２は、このような液晶駆動基板Ａの構成
例を示す平面図である。この液晶駆動基板Ａは、ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）を使用したアクティブマトリック
ス方式のものである。この図において、ガラス基板ａ1
の表面には、一定間隔を隔てて行列（マトリクス）状に
多数の画素電極ａ2とＴＦＴａ3が形成されている。すな
わち、画素電極ａ2とＴＦＴａ3とは、当該液晶駆動基板
Ａによって表示される画像の水平方向と垂直方向とに一
定間隔を隔ててマトリクス状に配置される。
【００２２】これら画素電極ａ2とＴＦＴａ3の間には、
互いに平行な複数本のゲート配線ａ4が布線されると共
に、これらのゲート配線ａ4と直交するようにデータ配
線ａ5が布線されている。各ＴＦＴａ3は、ソース端子が
データ配線ａ5に接続され、ドレイン端子が画素電極ａ2
に接続され、ゲート端子がゲート配線ａ4に接続されて
いる。各ＴＦＴａ3は、ゲート配線ａ4から各ゲート端子
に所定電圧が印加されて導通状態となり、この時各デー
タ配線ａ5を介してソース端子に印加されたデータ電圧
を各画素電極ａ2に供給する。
【００２３】また、液晶駆動基板Ａでは、各ＴＦＴａ3
を静電気等から保護するために、ゲート配線ａ4はショ
ートバーａ6にそれぞれ接続され、データ配線ａ5はショ
ートバーａ7にそれぞれ接続されている。なお、後工程
において、各ゲート配線ａ4及びデータ配線ａ5は各ショ
ートバーａ6，ａ7から分離され、液晶表示パネルの駆動
回路に接続される。
【００２４】図３は、本実施形態における検査装置の構
成図である。この図において、符号１は電気光学素子板
（モジュレータ）であって、内部に液晶が封入された液
晶シート１ａと薄膜透明電極１ｂと誘電体反射膜１ｃと
から構成されている。このモジュレータ１は、例えば方
形状（４０ｍｍ×４０ｍｍ）の液晶シート１ａの片面に
薄膜透明電極１ｂを貼り合わせ、かつもう一方の面に誘
電体反射膜１ｃを蒸着または貼り合わせて構成されてい
る。
【００２５】このモジュレータ１は、その面が水平かつ
誘電体反射膜１ｃが下向きとなるように図示しない検査
装置本体に固定され、その下方には微小ギャップ△ｄ
（１０μｍ〜数１０μｍ）を隔てて上述した液晶駆動基
板Ａが対向配置されるようになっている。本実施形態の
場合、上記液晶駆動基板Ａのサイズは、上記モジュレー
タ１のサイズよりも大きなものとなっている。
【００２６】符号２はＸ−Ｙステージであり、駆動装置
１１によってＸ−Ｙ平面つまり水平面内で２次元的に移
動するものである。このＸ−Ｙステージ２上には、図示
しないＺステージを介してガラス基板Ｂが載置され、当
該ガラス基板Ｂを水平面内で移動させるようになってい
る。なお、Ｚステージは、ガラス基板Ｂつまり液晶駆動
基板Ａとモジュレータ１との距離を調節するために設け
られるものである。
【００２７】本実施形態の場合、上述したように液晶駆
動基板Ａのサイズがモジュレータ１のサイズよりも大き
いので、液晶駆動基板Ａ上のすべての画素電極ａ2をモ
ジュレータ１と対向させることができない。そこで、液
晶駆動基板Ａをモジュレータ１のサイズに該当する小区
分（サイト）に分割し、該サイトがモジュレータ１に対
して順次対向するようにＸ−Ｙステージ２を順次移動さ
せるようにしている。
【００２８】符号３はビームスプリッタ、４は光源であ
る。ビームスプリッタ３は、モジュレータ１の上方に対
向状態に備えられ、その側方に備えられた光源４から照
射された光を反射してモジュレータ１の全面に照射す
る。また、このビームスプリッタ３は、モジュレータ１
からの反射光を上方に透過させる作用を持つものであ
る。ここで、光源４は、例えばＬＥＤ（Light-Emitting
Diode）等の高輝度の光を放射するものが適用され、図
示しない制御装置によってストロボ状にその発光が制御
されるものである。
【００２９】符号５はフィルタ（光学フィルタ）であ
り、上記ビームスプリッタ３の上方に備えられ、該ビー
ムスプリッタ３を透過したモジュレータ１の反射光から
特定波長範囲の光のみをレンズ６に透過するものであ
る。レンズ６は凸レンズであり、フィルタ５を透過した
光を集光させてＣＣＤカメラ７に導くものである。
【００３０】ＣＣＤカメラ７は、レンズ６から入射され
た光に基づいて上記モジュレータ１の表面の画像を撮像
するものである。このＣＣＤカメラ７は、例えば撮像時
のフレーム周波数が３０Ｈｚ（周期：３３．３ｍｓ）、
空間分解能が２．８ＣＣＤ／１００μｍ、画素数が１０
２４ｋの性能を有し、モジュレータ１の電圧イメージを
デジタル映像信号として画像処理装置８に出力する。な
お、上記液晶駆動基板Ａの画素電極ａ2のピッチは、例
えば１００μｍ程度であり、上記ＣＣＤカメラ７の分解
能は、この画素電極ａ2のピッチに対して十分な性能を
有している。
【００３１】画像処理装置８は、ＣＣＤカメラ７から入
力されたデジタル映像信号に所定の画像処理を施すこと
によって、上記電圧イメージ画像から液晶駆動基板Ａの
欠陥部分（正常にデータ電圧が書き込まれていない、ま
たは書き込まれたデータ電圧が正常に保持されない画素
電極ａ2）を検出し、その結果をモニタ９に出力する。
例えば、画像処理装置８は、欠陥画素と正常画素とを色
分けしてモニタ９に表示させたり、欠陥部分の個数を数
値表示させるための映像信号をモニタに出力する。な
お、この画像処理装置８における処理については、以下
に詳述する。
【００３２】符号１０は電源装置であって、モジュレー
タ１の薄膜透明電極１ｂにバイアス電圧ＥBを印加する
と共に、液晶駆動基板Ａにデータ電圧ＥDを印加するた
めのものである。バイアス電圧ＥBは、上記ＣＣＤカメ
ラ７のフレーム周波数３０Ｈｚ（周期：３３．３ｍｓ）
の１／２つまり周波数１５Ｈｚ（周期：６６．６ｍｓ）
で±２３０Ｖp-pの両極性方形波である。
【００３３】一方、データ電圧ＥDは、上記ＴＦＴのソ
ース端子に加えられて該ＴＦＴが導通状態となったとき
に画素電極ａ2に印加されるものであり、上記バイアス
電圧ＥBに同期して所定電圧Ｅaから±△ｅだけ方形波状
に変化するものである。なお、図示しないが、液晶駆動
基板ＡにはＴＦＴの導通／遮断状態を制御するゲート電
圧も電源装置１０から供給されるようになっている。
【００３４】この電源装置１０、上記光源４、駆動装置
１１、画像処理装置８は、各々に制御装置１２によって
制御されるようになっている。制御装置１２は、制御プ
ログラム及び図示しない操作手段（キーボード等）から
入力された操作情報に基づいて上記各装置を制御するも
のである。
【００３５】次に、このように構成された液晶駆動基板
の検査装置の動作について詳しく説明する。 なお、以
下の説明では、上述したサイトの数（サイト数）が９つ
の場合について説明する。
【００３６】初めに、図４のフローチャートに沿って、
制御装置１２によって実行される全体的な検査処理につ
いて説明する。この検査処理によって１枚のガラス基板
Ｂ上に形成された４つの液晶駆動基板Ａ（すなわちＡ1
〜Ａ4）の検査が終了する。
【００３７】まず、制御装置１２は、ガラス基板ＢがＸ
−Ｙステージ２上に載置されて検査の開始が操作手段か
ら指示されると、制御変数ｉ，ｊ及び制御定数ｍ，ｎを
初期設定する（ステップＳ1）。本実施形態の場合、ガ
ラス基板Ｂ上には４つの液晶駆動基板Ａ1〜Ａ4が形成さ
れているのでパネル数は「４」であり、１つの液晶駆動
基板Ａを９つのサイトに分割して検査するのでサイト数
は「９」である。
【００３８】したがって、この初期設定処理では、検査
中のサイト番号を示す制御変数ｉが１に、検査中のパネ
ル番号を示す制御変数ｊが１に、サイト数を示す制御定
数ｍが９に、パネル数を示す制御定数ｎが４にそれぞれ
設定される。この結果、パネル番号が「１」の液晶駆動
基板Ａ（例えば液晶駆動基板Ａ1）が検査対象として設
定され、かつ、液晶駆動基板Ａ1のうちサイト番号が
「１」のサイトが電圧イメージの取得対象に設定され
る。
【００３９】ここで、パネル番号とガラス基板Ｂ上の液
晶駆動基板Ａの位置関係、及び各サイトのサイト番号と
その液晶駆動基板Ａ上の位置関係は、検査用基礎データ
として予め制御装置１２に記憶保存されている。すなわ
ち、制御装置１２は、上記パネル番号とサイト番号とが
指定されると、この検査用基礎データに基づいて駆動装
置１１を制御し、液晶駆動基板Ａ1のサイト番号「１」
に該当する部分がモジュレータ１の対向位置に移動する
ように、Ｘ−Ｙステージ２を駆動させる（ステップＳ
2）。
【００４０】なお、この状態は検査開始の初期段階であ
り、何れのサイトの電圧イメージも取得していないの
で、制御装置１２は、ステップＳ3のサイト処理を実行
することなく、引き続いて電圧イメージの取得処理を実
行する（ステップＳ4）。
【００４１】すなわち、制御装置１２は、制御変数ｉが
（ｍ＋１）つまり１０に等しいか否かを判断する。い
ま、検査開始の初期段階であり、上記ステップＳ1にお
いて「ｉ＝１」に設定されているので、ここでの判断は
「Ｎｏ」となり、ステップＳ5において電圧イメージの
取得処理が実行される。
【００４２】この電圧イメージの取得処理において、制
御装置１２は、電源装置１０を作動させることにより、
モジュレータ１にバイアス電圧ＥBを印加し、かつ、液
晶駆動基板Ａ1の各画素電極ａ2に所定のデータ電圧ＥD
を書き込ませた状態で、光源４をストロボ状に発光させ
て、液晶駆動基板Ａ1のサイト番号「１」に該当する部
分に対するモジュレータ１の電圧イメージを複数フレー
ムに亘ってＣＣＤカメラ７に撮影させる。
【００４３】この複数フレームの電圧イメージは、ＣＣ
Ｄカメラ７からデジタル映像信号として画像処理装置８
に伝送される。画像処理装置８は、この複数フレームの
電圧イメージを加算して画素電圧の算出に供する被検画
像を生成し、該被検画像をＣＣＤカメラ７の各ピクセル
毎に記憶する。
【００４４】このようにして電圧イメージが画像処理装
置８に取得されると、制御変数ｉがインクリメントされ
た後（ステップＳ6）、上記ステップＳ2の処理が繰り返
される。すなわち、制御装置１２は、制御変数ｉがイン
クリメントされて「２」に設定されることにより、駆動
装置１１を制御して液晶駆動基板Ａ1のサイト番号
「２」に該当する部分がモジュレータ１の対向位置に移
動するように、Ｘ−Ｙステージ２を駆動させる。
【００４５】そして、この液晶駆動基板Ａ1がサイト番
号「１」に該当する部分からサイト番号「２」に該当す
る部分に移動する間に、上記ステップＳ5において取得
されたサイト番号「１」に該当する部分のサイト処理を
画像処理装置８に実行させる（ステップＳ3）。このサ
イト処理は、上記被検画像から各種別の欠陥画素を抽出
する処理であり、詳細については後述する。
【００４６】そして、サイト番号「１」に該当する部分
のサイト処理が終了し、またサイト番号「２」に該当す
る部分への液晶駆動基板Ａ1の移動が終了すると、制御
変数ｉが「１０」に等しいか否かが判断され（ステップ
Ｓ4）、サイト番号「２」に該当する部分の電圧イメー
ジが取得され（ステップＳ5）、またステップＳ6におい
て制御変数ｉがインクリメントされてステップＳ2の処
理が繰り返される。
【００４７】すなわち、ステップＳ2〜Ｓ6のループ処理
が繰り返されることによって、液晶駆動基板Ａ1がサイ
ト番号「１」からサイト番号「９」に該当する部分の電
圧イメージが取得され（ステップＳ5）、かつ、これら
サイト番号「１」からサイト番号「９」に該当する部分
のサイト処理が実行させる。そして、ステップＳ6にお
いて制御変数ｉが「１０」に設定されてサイト番号
「９」に該当する部分のサイト処理が終了すると（ステ
ップＳ3）、ステップＳ4の判断は「Ｙｅｓ」となり、液
晶駆動基板Ａ1の全サイトの電圧イメージの取得処理と
サイト処理とが終了する。
【００４８】このようにして液晶駆動基板Ａ1に係わる
全サイトのサイト処理が終了すると、制御変数ｉが初期
値である「１」に設定されると共に、制御変数ｊがイン
クリメントされて、「２」に設定される（ステップＳ
7）。この結果、制御装置１２は、Ｚステージを駆動さ
せることによりガラス基板Ｂをモジュレータ１からある
程度離間させた状態とし、上記検査用基礎データに基づ
いてＸ−Ｙステージ２を作動させて液晶駆動基板Ａ2を
モジュレータ１の対向位置に移動させる（ステップＳ
8）。
【００４９】そして、この液晶駆動基板Ａ1から液晶駆
動基板Ａ2への移動の間に、パネル処理が実行される
（ステップＳ9）。このパネル処理が終了すると、ステ
ップＳ10において制御変数ｊが（ｎ＋１）つまり「５」
であるか否かが判断される。ここでは、上記ステップＳ
7において（ｊ＝２）に設定されているので、当該判断
は「Ｎｏ」となり、上述したステップＳ2〜Ｓ6のループ
処理が液晶駆動基板Ａ2についても繰り返される。な
お、このパネル処理は、サイト処理に結果の基づいて液
晶駆動基板Ａ1の欠陥画素を欠陥類型毎に判定する処理
であり、その詳細については後述する。
【００５０】すなわち、制御装置１２は、ステップＳ10
の判断が「Ｙｅｓ」となるまで、つまりＡ1→Ａ2→Ａ3
→Ａ4の順でガラス基板Ｂ上の全ての液晶駆動基板Ａ1〜
Ａ4についてパネル処理（ステップＳ9）が終了するま
で、ステップＳ2〜Ｓ10によるループ処理を繰り返すこ
とにより、全ての液晶駆動基板Ａ1〜Ａ4について欠陥判
定が終了すると、その結果を当該ガラス基板Ｂの検査結
果としてモニタ９に出力する（ステップＳ11）。
【００５１】例えば、モニタ９には、検査結果として欠
陥種別毎に欠陥画素の個数や分布が表示される。当該検
査を監督する作業員は、このモニタ９に表示された検査
結果に基づいて、当該ガラス基板Ｂを不良品あるいは合
格品に認定する。
【００５２】次に、上述したサイト処理（ステップＳ
3）の詳細について、図５に示すフローチャートに沿っ
て説明する。なお、このサイト処理は、画像処理装置８
によって実行される処理である。
【００５３】このサイト処理では、まず始めに、ＣＣＤ
カメラ７によって撮影された各サイトの電圧イメージが
液晶駆動基板Ａの各画素電極ａ2の画素電圧に変換され
る（ステップＳ31）。具体的には、上記電圧イメージの
取得処理（ステップＳ5）によって、１サイト毎に撮影
された複数フレームの電圧イメージは加算されることに
よって被検画像とされ、該被検画像の輝度を示す画像デ
ータがＣＣＤカメラ７の各ＣＣＤピクセル毎に画像処理
装置８に記憶されている。この被検画像の画像データに
所定の算術処理を施すことにより、以下のように各画素
電極ａ2の画素電圧が算出される。
【００５４】すなわち、画素電極ａ2のサイズは、ＣＣ
Ｄカメラ７のＣＣＤピクセルのサイズよりも大きいの
で、１つの画素電極ａ2は複数のＣＣＤピクセルに対向
することになる。例えば、図６の場合では、画素電極ａ
2には、ＣＣＤピクセルＣ5，Ｃ8が全対向し、ＣＣＤピ
クセルＣ1〜Ｃ4，Ｃ6，Ｃ7，Ｃ9〜Ｃ12が一部分対向す
る状態になっている。このような状態において、画素電
極ａ2の中心座標（ｘa，ｙa）、各ＣＣＤピクセルＣ1〜
Ｃ12の中心座標（ｘ1，ｙ1），（ｘ2，ｙ2）……（ｘ1
2，ｙ12）、及び各ＣＣＤピクセルＣ1〜Ｃ12の画像デー
タｖ1〜ｖ12に基づいて下式（１）のように２次元的な
加重平均が算出され、この加重平均値Ｖ（ｘa，ｙa）が
中心座標（ｘa，ｙa）の画素電極ａ2の画素電圧とされ
る。
【００５５】 Ｖ（ｘa，ｙa）＝（ｋ1・v1＋ｋ2・v2＋ｋ3・v3 ＋ｋ4・v4＋ｋ5・v5＋ｋ6・v6 ＋ｋ7・v7＋ｋ8・v8＋ｋ9・v9 ＋ｋ10・v10＋ｋ11・v11 ＋ｋ12・v12）/１２ （１）
【００５６】ただし、上記ｋ1〜ｋ12は、対向面積に比
例する値（全対向の場合に１．０）を取る係数であり、
この場合、ｋ1＝０．２５，ｋ2＝０．５，ｋ3＝０．２
５，ｋ4＝０．５，ｋ5＝１．０，ｋ6＝０．５，ｋ7＝
０．５，ｋ8＝１．０，ｋ9＝０．５，ｋ10＝０．２５，
ｋ11＝０．５，ｋ12＝０．２５である。
【００５７】このような画素電極ａ2の画素電圧を算出
する処理は、画像処理装置８内に設けられた画像処理回
路によってハードウエア的に高速実行されるものであ
り、各サイトに含まれる全ての画素電極ａ2について算
出される。ＣＣＤピクセルのサイズ、画素電極ａ2のサ
イズ、画素電極ａ2の中心座標、各ＣＣＤピクセルの中
心座標等は基礎データとして画像処理装置８に予め記憶
されており、このような基礎データと各ＣＣＤピクセル
の画像データとを画像処理回路に入力することにより、
各画素電極ａ2の画素電圧が順次算出される。
【００５８】このようにして１サイト分の各画素電極ａ
2の画素電圧が算出されると、該各画素電圧は、各液晶
駆動基板Ａ毎に設けられた検査情報用データベースの該
当領域に検査情報として登録される（ステップＳ32）。
この画素電圧の登録処理において、各画素電極ａ2の画
素電圧は、２バイト精度の電圧データとして検査情報用
データベースに登録される。そして、画像処理装置８
は、この検査情報用データベースに登録された検査情報
に基づいて以下の処理を各サイト毎に行う。
【００５９】ここで、以下の処理では、欠陥種別毎に欠
陥候補となる画素電極ａ2を判定している。本実施形態
において、この欠陥種別とは以下のものである。 点欠陥（クラスタ欠陥） 単独の画素電極ａ2の画素電圧が異常な値となる欠陥で
ある。なお、点欠陥が少数連続的に集合したものをクラ
スタ欠陥という。
【００６０】ゲート・オープン線欠陥 ゲート線ａ4が何らかの原因で断線することに起因する
欠陥であり、連続する複数の画素電極ａ2の画素電圧が
連続的に異常な値となるものである。上記図２に示す液
晶駆動基板Ａの場合には、ゲート線ａ4が水平方向つま
り画素電極ａ2の配列方向のうち、行方向に布線されて
いるので、行方向に連続する画素電極ａ2の画素電圧が
異常となる。
【００６１】ゲート・ショート線欠陥 ゲート線ａ4が何らかの原因で短絡することに起因する
欠陥であり、連続する複数の画素電極ａ2の画素電圧が
連続的に異常な値となるものである。上記図２に示す液
晶駆動基板Ａの場合には、上記ゲート・オープン線欠陥
の場合と同様に、行方向に連続する画素電極ａ2の画素
電圧が異常となる。
【００６２】データ・オープン線欠陥 データ線ａ5が何らかの原因で断線することに起因する
欠陥であり、連続する複数の画素電極ａ2の画素電圧が
連続的に異常な値となるものである。上記図２に示す液
晶駆動基板Ａの場合には、データ線ａ5が垂直方向つま
り画素電極ａ2の配列方向のうち列方向に布線されてい
るので、列方向に連続する画素電極ａ2の画素電圧が異
常となる。
【００６３】データ・ショート線欠陥 データ線ａ5が何らかの原因で短絡することに起因する
欠陥であり、連続する複数の画素電極ａ2の画素電圧が
連続的に異常な値となるものである。上記図２に示す液
晶駆動基板Ａの場合には、上記データ・オープン線欠陥
と同様に、列方向に連続する画素電極ａ2の画素電圧が
異常となる。
【００６４】ムラ欠陥 複数の画素電極ａ2の画素電圧が比較的狭領域内で点在
状に異常値となるものであり、正常画素の画素電圧と大
きく異ならない場合が多い。
【００６５】図７は、このような欠陥種別毎に欠陥画素
の画素電圧を示したものである。この図に示すように、
ゲート・オープン線欠陥とデータ・オープン線欠陥
の画素電圧は、正常画素の画素電圧Ｅnに対して比較的
大きく相異する値となる。ゲート・ショート線欠陥と
データ・ショート線欠陥の画素電圧は、正常画素の画
素電圧Ｅnに比較的近い値となる。
【００６６】点欠陥（クラスタ欠陥）の画素電圧は、
ゲート・オープン線欠陥の画素電圧とゲート・ショー
ト線欠陥の画素電圧の間に位置する値となる。また、
図示しないが、ムラ欠陥の画素電圧は、正常画素の画
素電圧Ｅnに最も近い値となることが一般的であり、例
外的に点欠陥（クラスタ欠陥）の画素電圧に近い値を
取る場合がある。
【００６７】画像処理装置８には、このような欠陥種別
毎の画素電圧の特徴に基づいて、各欠陥種別毎に欠陥候
補を判定するためのしきい値が記憶されている。画像処
理装置８は、このしきい値と各画素電極ａ2の画素電圧
とを比較することにより、以下のように各欠陥種別毎に
欠陥候補を判定する。
【００６８】このしきい値は、上記欠陥種別毎の画素電
圧の特徴に基づいて、例えば図７に示すように設定され
る。すなわち、ムラ欠陥候補に該当する画素電極ａ2を
判定するためのしきい値Ｅmが正常画素の画素電圧Ｅnに
最も近い値（大きい値）に設定され、以下大きい順に、
ゲート・ショート線欠陥候補用のしきい値Ｅgs、データ
・ショート線欠陥候補用のしきい値Ｅds、点欠陥候補用
のしきい値Ｅt、データ・オープン線欠陥候補用のしき
い値Ｅdo、ゲート・オープン線欠陥候補用のしきい値Ｅ
goが設定される。
【００６９】このような背景に基づいて、画像処理装置
８は、まず各画素電極ａ2の画素電圧を基準しきい値Ｅr
と比較することにより、欠陥候補の判定処理を行う（ス
テップＳ33）。この処理は、何れかの欠陥種別に該当す
るか判らないものの、欠陥候補に認定しても良いと思わ
れる画素電極ａ2を割り出すためのものである。この基
準しきい値Ｅrは、欠陥種別を判定するための上記各欠
陥候補用しきい値の何れよりも正常画素の画素電圧Ｅn
に近い値または最も画素電圧Ｅnに近い電圧Ｅmと同じ電
圧値に設定される。そして、画像処理装置８は、当該欠
陥候補の判定処理の結果つまり欠陥候補データを上記検
査情報用データベースの該当領域に登録する。
【００７０】続いて、ステップＳ34において、上記欠陥
候補を欠陥種別毎に分類する処理が行われる。画像処理
装置８は、各画素電極ａ2毎にの画素電圧を上記各欠陥
候補用しきい値Ｅm，Ｅds，Ｅgs，Ｅt，Ｅdo，Ｅgoと順
次比較することにより、その欠陥種別を判定する。この
際、画像処理装置８は、値の小さなしきい値、つまり正
常画素の画素電圧Ｅnから最も離れたしきい値から順に
画素電圧を比較して欠陥種別を判定する。
【００７１】すなわち、画像処理装置８は、１つのサイ
トを構成する全ての画素電極ａ2を所定の順番で指定
し、該指定した画素電極ａ2の画素電圧について、まず
初めにゲート・オープン線欠陥候補用のしきい値Ｅgoと
比較することにより、当該画素電極ａ2がゲート・オー
プン線欠陥候補に該当する画素電極ａ2であるか否かを
判定する。
【００７２】続いて、上記しきい値Ｅgoの次に正常画素
の画素電圧Ｅnから離れているデータ・オープン線欠陥
候補用のしきい値Ｅdoと当該画素電極ａ2の画素電圧を
比較することにより、当該画素電極ａ2がデータ・オー
プン線欠陥候補に該当する画素電極ａ2か否かを判定
し、さらに上記しきい値Ｅdoの次に正常画素の画素電圧
Ｅnから離れている点欠陥候補用のしきい値Ｅtと比較す
ることにより、当該画素電極ａ2が点欠陥候補に該当す
る画素電極ａ2か否かを判定する。
【００７３】また、上記しきい値Ｅtの次に正常画素の
画素電圧Ｅnから離れている点欠陥候補用のしきい値Ｅg
sと当該画素電極ａ2の画素電圧を比較することにより、
当該画素電極ａ2がゲート・ショート線欠陥候補に該当
する画素電極ａ2か否かを判定し、上記しきい値Ｅgsの
次に正常画素の画素電圧Ｅnから離れている点欠陥候補
用のしきい値Ｅdsと当該画素電極ａ2の画素電圧を比較
することにより、当該画素電極ａ2がデータ・ショート
線欠陥候補に該当する画素電極ａ2か否かを判定する。
【００７４】そして、画像処理装置８は、最後に上記し
きい値Ｅdsの次に正常画素の画素電圧Ｅnから離れてい
る点欠陥候補用のしきい値Ｅmと当該画素電極ａ2の画素
電圧比較することにより、当該画素電極ａ2がムラ欠陥
候補に該当するか否かを判定する。画像処理装置８は、
このような各欠陥候補用しきい値Ｅm，Ｅds，Ｅgs，Ｅ
t，Ｅdo，Ｅgoとの比較処理を１つのサイトを構成する
全ての画素電極ａ2について順次行い、当該サイトの欠
陥候補の欠陥種別分類処理を終了する。
【００７５】図８は、上記一連の欠陥候補の欠陥種別の
分類処理（ステップＳ34〜Ｓ39）の処理結果の一例を示
す表である。この図において、最も下の行に示されるよ
うに、画素電圧Ｖ（ｘa，ｙa）がゲート・オープン線欠
陥候補用のしきい値Ｅgoより小さな値の場合、当該画素
電圧Ｖ（ｘa，ｙa）の画素電極ａ2は、点欠陥、ゲート
・ショート線欠陥、ゲート・オープン線欠陥、データ・
ショート線欠陥、データ・オープン線欠陥及びムラ欠陥
の全てにおいて欠陥候補であること（すなわち×印）が
判明する。
【００７６】次に、下から２番目の行では、ゲート・オ
ープン線欠陥候補用のしきい値Ｅgoより大きな値の場
合、かつ、データ・オープン線欠陥候補用のしきい値Ｅ
doより小さな値の場合、当該画素電圧Ｖ（ｘa，ｙa）の
画素電極ａ2は、ゲート・オープン線欠陥の欠陥候補で
はないこと（すなわち○印）、また点欠陥、ゲート・シ
ョート線欠陥、データ・ショート線欠陥、データ・オー
プン線欠陥及びムラ欠陥の欠陥候補であること（すなわ
ち×印）が判明する。
【００７７】下から３番目の行では、データ・オープン
線欠陥候補用のしきい値Ｅdoより大きな値の場合、か
つ、点欠陥候補用のしきい値Ｅtより小さな値の場合、
当該画素電圧Ｖ（ｘa，ｙa）の画素電極ａ2は、ゲート
・オープン線欠陥、データ・オープン線欠陥の欠陥候補
ではないこと（すなわち○印）、また点欠陥、ゲート・
ショート線欠陥、データ・ショート線欠陥及びムラ欠陥
の欠陥候補であること（すなわち×印）が判明する。
【００７８】下から４番目の行では、データ・オープン
線欠陥候補用のしきい値Ｅdoより大きな値の場合、か
つ、点欠陥候補用のしきい値Ｅtより小さな値の場合、
当該画素電圧Ｖ（ｘa，ｙa）の画素電極ａ2は、点欠
陥、ゲート・オープン線欠陥、データ・オープン線欠陥
の欠陥候補ではないこと（すなわち○印）、またゲート
・ショート線欠陥、データ・ショート線欠陥及びムラ欠
陥の欠陥候補であること（すなわち×印）が判明する。
【００７９】下から５番目の行では、点欠陥候補用のし
きい値Ｅtより大きな値の場合、かつ、ゲート・ショー
ト線欠陥候補用のしきい値Ｅgsより小さな値の場合、当
該画素電圧Ｖ（ｘa，ｙa）の画素電極ａ2は、点欠陥、
ゲート・オープン線欠陥、ゲート・ショート線欠陥、デ
ータ・オープン線欠陥の欠陥候補ではないこと（すなわ
ち○印）、またデータ・ショート線欠陥及びムラ欠陥の
欠陥候補であること（すなわち×印）が判明する。
【００８０】さらに、上から２番目の行では、ゲート・
ショート線欠陥候補用のしきい値Ｅgsより大きな値の場
合、かつ、ムラ欠陥候補用のしきい値Ｅmより小さな値
の場合、当該画素電圧Ｖ（ｘa，ｙa）の画素電極ａ2
は、点欠陥、ゲート・オープン線欠陥、ゲート・ショー
ト線欠陥、データ・オープン線欠陥及びデータ・ショー
ト線欠陥の欠陥候補ではないこと（すなわち○印）、ま
たムラ欠陥の欠陥候補であること（すなわち×印）が判
明する。
【００８１】ここで、上記各欠陥種別の分類処理（ステ
ップＳ34）の処理順序は、処理速度の向上を意図するも
のである。すなわち、正常画素の画素電圧Ｅnから最も
離れたしきい値から順に画素電圧を比較することによ
り、何れかの欠陥種別の欠陥候補と判定された時点で、
当該欠陥種別のしきい値よりも大きな値のしきい値と比
較することには意味がないので、これ以降の比較処理を
省略することができる。
【００８２】例えば、図８の最も下の行の場合には、ゲ
ート・オープン線欠陥候補用のしきい値Ｅgoとの比較に
おいて、ゲート・オープン線欠陥候補であることが判明
している。したがって、このしきい値Ｅgoよりも正常画
素の画素電圧Ｅnに近いしきい値Ｅdo，Ｅt，Ｅgs，Ｅd
s，Ｅmとの比較結果が各種欠陥候補に該当することは明
白であり、これ以降の比較処理を省略することにより処
理効率の向上を図り、データ処理時間を短縮することが
できる。
【００８３】画像処理装置８は、このようにして１つの
サイトの全ての画素電極ａ2について、基準しきい値Ｅr
によって欠陥候補と認定された画素電極ａ2を各欠陥種
別用のしきい値Ｅm，Ｅds，Ｅgs，Ｅt，Ｅdo，Ｅgoに基
づいて分類し、この分類結果を検査情報として検査情報
用データベースに登録する（ステップＳ35）。
【００８４】この欠陥候補の欠陥種別分類結果は、例え
ば各画素電極ａ2毎に１ビットのデータとして検査情報
用データベースに登録されるようになっている。図９に
示すように、２次元配列する各画素電極ａ11，ａ12，ａ
13……（添字は配列の順番を示す）について、欠陥種別
毎に設けられた１ビットのデータ領域に、当該欠陥種別
の欠陥候補に該当する場合は「１」、欠陥候補に該当し
ない場合には「０」を書き込むことによって、各画素電
極ａ2が上記６種類の各欠陥種別の各々において欠陥候
補に該当するか否かが上記ステップＳ33の処理結果であ
る欠陥候補か否かと共に登録される。
【００８５】なお、上記ステップＳ34の説明では、正常
画素の画素電圧Ｅnに対して低い側のしきい値Ｅm，Ｅd
s，Ｅgs，Ｅt，Ｅdo，Ｅgoに係わる処理についてのみ説
明したが、実際には正常画素の画素電圧Ｅnに対して高
い電圧側についても、各欠陥種別毎にしきい値を設定し
て欠陥種別の分類判定を行い、その結果を検査情報用デ
ータベースに登録している。
【００８６】次に、上述したパネル処理（ステップＳ
9）の詳細について、図１０に示すフローチャートに沿
って説明する。この処理も、上記サイト処理と同様に画
像処理装置８によって実行されるものである。
【００８７】まず最初に、上記ステップＳ34の処理結果
であるゲート・オープン線欠陥候補の判定結果に基づい
て、ゲート・オープン線欠陥の判定処理が行われる（ス
テップＳ91）。この処理は、３つの処理、つまりゲート
・オープン線欠陥候補の判定結果に基づいてゲート・オ
ープン線欠陥に該当する画素電極ａ2を抽出する処理
（欠陥要素抽出処理）と、該欠陥要素抽出処理によって
抽出された画素電極ａ2を連結する処理（欠陥要素連結
処理）と、該欠陥要素連結処理の結果に基づいて最終的
にゲート・オープン線欠陥であるか否かを判定して登録
する欠陥判定登録処理とからなるものである。
【００８８】欠陥要素抽出処理では、上記ゲート・オー
プン線欠陥候補用のしきい値Ｅgoと画素電圧とを、図２
に示したように水平方向（行方向）と垂直方向（列方
向）とに複数行かつ複数列に配置された画素電極ａ2の
行毎に及び列毎に比較することにより、ゲート・オープ
ン線欠陥候補に該当する画素電極ａ2が抽出される。そ
して、この抽出結果と共に、複数連続した部分の始点
となる欠陥画素、複数連続した部分の終点となる欠陥
画素、欠陥画素の個数、等が検査情報用データベース
に登録される。
【００８９】図１１は、上記抽出結果を画素電極ａ2の
配列位置に対応させて模式的に示したものである。この
図において、○印はゲート・オープン線欠陥候補に該当
しない画素電極ａ2を、×印はゲート・オープン線欠陥
候補に該当する画素電極ａ2を示している。この図の場
合、右から２列目に５個線状に連続した欠陥がある。ま
た、合計で１０個の画素電極ａ2が欠陥画素と判定され
ている。したがって、例えば右から２列目で最も上側に
位置する画素電極ａ2が始点欠陥画素として、上記５個
の欠陥画素のうち、最も下側の行に位置する画素電極ａ
2が終点欠陥画素として、また欠陥画素の個数として
「５」が検査情報用データベースに登録される。
【００９０】ここで、例えば、ある行の複数箇所におい
て欠陥画素が連続するような場合にも、各箇所につい
て、各々の始点欠陥画素と終点欠陥画素とが検査情報用
データベースに登録される。
【００９１】また、欠陥要素連結処理では、上記抽出結
果に基づいて、各々の行及び列について、欠陥画素が
最端部の画素電極ａ2から始まり、かつ４個以上が連続
する箇所（欠陥画素群）と、欠陥画素が最端部の画素
電極ａ2に終了し、かつかつ４個以上が行方向あるいは
列方向に連続する欠陥画素群と、欠陥画素が最端部で
開始及び終了していないが、所定の個数Ｋ1以上連続す
る欠陥画素群とが連結され、この連結結果が検査情報用
データベースに登録される。
【００９２】すなわち、これらの欠陥画素群に挟まれた
画素電極ａ2を欠陥画素とし、上記欠陥画素群と共に一
連の線欠陥部を形成するものと認定する。なお、上記欠
陥画素群の個数Ｋ1については、制御装置１２に備え
られた操作手段を介して任意に指定することができるよ
うになっている。
【００９３】さらに、欠陥判定登録処理では、上記欠陥
要素連結処理の結果と以下に示すゲート・オープン線欠
陥用の判定条件に基づいて、最終的にゲート・オープン
線欠陥に該当する画素電極ａ2が判定され、検査情報用
データベースに登録される。
【００９４】〔判定条件〕 （１）欠陥画素の並び方向が行方向であり、かつ、上記
連結によって形成される線欠陥画素の両端が最端部の画
素電極ａ2であるものをゲート・オープン線欠陥と最終
判定する。 （２）欠陥画素の並び方向が行方向であり、かつ、線欠
陥画素の片端のみが最端部の画素電極ａ2であるものに
ついて、もう一方の片端（欠陥端部）における正常画素
と欠陥画素の画素電圧の電圧勾配が所定の電圧勾配より
も大きいものをゲート・オープン線欠陥と最終判定す
る。
【００９５】図２に示したような液晶駆動基板Ａでは、
ゲート線ａ4が行方向に配線されている。すなわち、何
らかの原因によってゲート線ａ4がオープン（断線）し
た場合には、行方向に配列したＴＦＴａ3の動作に不具
合が生じ、これらＴＦＴａ3に接続された行方向に連続
する画素電極ａ2の画素電圧に異常が発生することにな
る。したがって、ゲート・オープン線欠陥は、欠陥画素
が行方向に連続する形態として発生する。なお、ゲート
線ａ4が列方向に配線されている液晶駆動基板の場合に
は、当然に欠陥画素が列方向に連続する線欠陥形態とな
る。
【００９６】この場合、図１２に示すように、指定距離
（画素数）ｎgに基づいて、電圧勾配を算出するための
欠陥側の画素電極ａrを上記欠陥端部ｐrから距離ｎg／
２の位置にある欠陥画素とし、また電圧勾配を算出する
ための正常側の画素電極ａsを欠陥端部ｐrから距離ｎg
／２の位置にある正常画素とする。このように指定され
距離ｎg離れた画素電極ａr，ａsの各画素電圧の電圧差
△Ｖを上記電圧勾配として算出する。
【００９７】そして、このようにして求められた電圧差
△Ｖを指定基準電圧Ｅsと比較し、△Ｖ＞Ｅsの場合に、
当該線欠陥部をゲート・オープン線欠陥と最終判定す
る。この最終判定結果は、検査情報用データベースに登
録され、当該ゲート・オープン線欠陥の判定処理が終了
する。上記指定距離ｎgと指定基準電圧Ｅsとは、制御装
置１２に備えられた操作手段から任意に設定されるよう
になっている。
【００９８】なお、上記図１１に示された列方向に５つ
連続する線欠陥部は、上記判定条件（１），（２）を満
足するものではない。すなわち、この線欠陥部は、行方
向に連続するものではないので、ゲート・オープン線欠
陥とは判定されないことになる。
【００９９】このようにしてゲート・オープン線欠陥の
判定処理（ステップＳ91）が終了すると、ステップＳ92
においてゲート・ショート線欠陥の判定処理が行われ
る。この処理は、検査情報用データベースに登録された
ゲート・ショート線欠陥候補の判定結果に基づいてゲー
ト・ショート線欠陥に該当する画素電極ａ2を抽出する
欠陥要素抽出処理と、該欠陥要素抽出処理によって抽出
された画素電極ａ2を連結する欠陥要素連結処理と、該
欠陥要素連結処理の結果に基づいて最終的にゲート・シ
ョート線欠陥であるか否かを判定して登録する欠陥判定
登録処理とからなるものである。
【０１００】欠陥要素抽出処理では、上記ゲート・ショ
ート線欠陥候補用のしきい値Ｅgsと画素電圧とを画素電
極ａ2の各行毎に及び各列毎に比較することにより、ゲ
ート・ショート線欠陥候補に該当する画素電極ａ2が抽
出される。そして、この抽出結果と共に、複数連続し
た部分の始点となる欠陥画素、複数連続した部分の終
点となる欠陥画素、欠陥画素の個数、等が検査情報用
データベースに登録される。
【０１０１】また、欠陥要素連結処理では、上記抽出結
果に基づいて、各々の行及び列について、欠陥画素が
最端部の画素電極ａ2から始まり、かつ４個以上が連続
する箇所（欠陥画素群）と、欠陥画素が最端部の画素
電極ａ2に終了し、かつかつ４個以上が行方向あるいは
列方向に連続する欠陥画素群と、欠陥画素が最端部で
開始及び終了していないが、所定の個数Ｋ2以上連続す
る欠陥画素群とが連結され、この連結結果が検査情報用
データベースに登録される。
【０１０２】すなわち、これらの欠陥画素群に挟まれた
画素電極ａ2を欠陥画素とし、上記欠陥画素群と共に一
連の線欠陥部を形成するものと認定する。なお、上記欠
陥画素群の個数Ｋ2については、制御装置１２に備え
られた操作手段を介して任意に指定することができるよ
うになっている。
【０１０３】さらに、欠陥判定登録処理では、上記欠陥
要素連結処理の結果に基づいて最終的にゲート・ショー
ト線欠陥に該当する画素電極ａ2が判定されて検査情報
用データベースに登録されるが、この処理については、
上記ゲート・オープン線欠陥の判定処理（ステップＳ9
1）の場合と同様であり、ここでの説明を省略する。
【０１０４】続いて、ステップＳ93においてデータ・オ
ープン線欠陥の判定処理が行われる。この処理は、デー
タ・オープン線欠陥候補の判定結果（ステップＳ34）に
基づいてデータ・オープン線欠陥に該当する画素電極ａ
2を抽出する処理（欠陥要素抽出処理）と、該欠陥要素
抽出処理によって抽出された画素電極ａ2を連結する処
理（欠陥要素連結処理）と、該欠陥要素連結処理の結果
に基づいて最終的にデータ・オープン線欠陥であるか否
かを判定して登録する欠陥判定登録処理とからなるもの
である。
【０１０５】欠陥要素抽出処理では、データ・オープン
線欠陥候補用のしきい値Ｅdoと画素電圧とを画素電極ａ
2の行毎に及び列毎に比較することにより、データ・オ
ープン線欠陥候補に該当する画素電極ａ2が抽出され
る。そして、この抽出結果と共に、複数連続した部分
の始点となる欠陥画素、複数連続した部分の終点とな
る欠陥画素、欠陥画素の個数、等が検査情報用データ
ベースに登録される。
【０１０６】また、欠陥要素連結処理では、上記抽出結
果に基づいて、各々の行及び列について、欠陥画素が
最端部の画素電極ａ2から始まり、かつ４個以上が連続
する箇所（欠陥画素群）と、欠陥画素が最端部の画素
電極ａ2に終了し、かつ４個以上が行方向あるいは列方
向に連続する欠陥画素群と、欠陥画素が最端部で開始
及び終了していないが、所定の個数Ｋ3以上連続する欠
陥画素群とが連結され、この連結結果が検査情報用デー
タベースに登録される。
【０１０７】すなわち、これらの欠陥画素群に挟まれた
画素電極ａ2を欠陥画素とし、上記欠陥画素群と共に一
連の線欠陥部を形成するものと認定する。なお、上記欠
陥画素群の個数Ｋ3についても、上記個数Ｋ1，Ｋ2と
同様に制御装置１２の操作手段を介して任意に指定され
る。
【０１０８】さらに、欠陥判定処理では、上記欠陥要素
連結処理の結果と以下に示すデータ・オープン線欠陥の
判定条件とに基づいて、最終的にデータ・オープン線欠
陥に該当する画素電極ａ2が判定され、検査情報用デー
タベースに登録される。
【０１０９】〔判定条件〕 （１）欠陥画素の並び方向が列方向であり、かつ、上記
連結によって形成される線欠陥画素の両端が最端部の画
素電極ａ2であるものをデータ・オープン線欠陥と最終
判定する。 （２）欠陥画素の並び方向が列方向であり、かつ、線欠
陥画素の片端のみが最端部の画素電極ａ2であるものに
ついて、もう一方の片端（欠陥端部）における正常画素
と欠陥画素の画素電圧の電圧勾配が所定の電圧勾配より
も大きいものをゲート・オープン線欠陥と最終判定す
る。なお、電圧勾配の算出方法については、上記ゲート
・オープン線欠陥の判定処理（ステップＳ91）と同様で
あり、ここでの説明を省略する。
【０１１０】上述したように図２の液晶駆動基板Ａで
は、データ線ａ5が列方向に配線されている。すなわ
ち、何らかの原因によってデータ線ａ5がオープン（断
線）した場合には、列方向に配列したＴＦＴａ3の動作
に不具合が生じ、これらＴＦＴａ3に接続された列方向
に連続する画素電極ａ2の画素電圧に異常が発生するこ
とになる。
【０１１１】したがって、データ・オープン線欠陥は、
欠陥画素が列方向に連続する形態として発生する。な
お、データ線ａ5が行方向に配線されている液晶駆動基
板の場合には、当然に欠陥画素が行方向に連続する線欠
陥形態となる。上記図１１に示した列方向に５つ連続す
る線欠陥部は、上記判定条件（１），（２）を満足する
ものであり、データ・オープン線欠陥として判定され
る。
【０１１２】さらに、ステップＳ94では、データ・ショ
ート線欠陥の判定処理が実行される。この処理は、デー
タ・ショート線欠陥候補の判定結果（ステップＳ34）に
基づいてデータ・ショート線欠陥に該当する画素電極ａ
2を抽出する処理（欠陥要素抽出処理）と、該欠陥要素
抽出処理によって抽出された画素電極ａ2を連結する処
理（欠陥要素連結処理）と、該欠陥要素連結処理の結果
に基づいて最終的にデータ・ショート線欠陥であるか否
かを判定して登録する欠陥判定登録処理とからなるもの
である。
【０１１３】欠陥要素抽出処理では、上記データ・ショ
ート線欠陥候補用のしきい値Ｅdoと画素電圧とを画素電
極ａ2の行毎に及び列毎に比較することにより、データ
・ショート線欠陥候補に該当する画素電極ａ2が抽出さ
れる。そして、この抽出結果と共に、複数連続した部
分の始点となる欠陥画素、複数連続した部分の終点と
なる欠陥画素、欠陥画素の個数、等が検査情報用デー
タベースに登録される。
【０１１４】また、欠陥要素連結処理では、上記抽出結
果に基づいて、各々の行及び列について、欠陥画素が
最端部の画素電極ａ2から始まり、かつ４個以上が連続
する箇所（欠陥画素群）と、欠陥画素が最端部の画素
電極ａ2に終了し、かつ４個以上が行方向あるいは列方
向に連続する欠陥画素群と、欠陥画素が最端部で開始
及び終了していないが、所定の個数Ｋ4以上連続する欠
陥画素群とが連結され、この連結結果が検査情報用デー
タベースに登録される。
【０１１５】すなわち、これらの欠陥画素群に挟まれた
画素電極ａ2を欠陥画素とし、上記欠陥画素群と共に一
連の線欠陥部を形成するものと認定する。なお、上記欠
陥画素群の個数Ｋ4については、上記個数Ｋ1〜Ｋ3と
同様に、制御装置１２の操作手段を介して任意に指定さ
れる。
【０１１６】さらに、欠陥判定登録処理では、上記欠陥
要素連結処理の結果と以下に示すデータ・ショート線欠
陥用の判定条件に基づいて、最終的にデータ・ショート
線欠陥に該当する画素電極ａ2が判定され、検査情報用
データベースに登録される。
【０１１７】〔判定条件〕 （１）欠陥画素の並び方向が列方向であり、かつ、上記
連結によって形成される線欠陥画素の両端が最端部の画
素電極ａ2であるものをデータ・ショート線欠陥と最終
判定する。 （２）欠陥画素の並び方向が列方向であり、かつ、線欠
陥画素の片端のみが最端部の画素電極ａ2であるものに
ついて、もう一方の片端（欠陥端部）における正常画素
と欠陥画素の画素電圧の電圧勾配が所定の電圧勾配より
も大きいものをゲート・ショート線欠陥と最終判定す
る。
【０１１８】なお、電圧勾配の算出方法については、上
記ゲート・ショート線欠陥の判定処理（ステップＳ91）
と同様であり、ここでの説明を省略する。
【０１１９】続いて、当該パネル処理では、ステップＳ
95において点欠陥・クラスタ欠陥の判定処理が行われ
る。この処理は、欠陥要素の抽出処理、グループ化
処理、判定登録処理とからなるものである。
【０１２０】欠陥要素の抽出処理では、上記ステップＳ
34において点欠陥候補・クラスタ欠陥候補に分類された
画素電極ａ2に基づいて、点欠陥・クラスタ欠陥の判定
対象が抽出される。すなわち、上述した各種線欠陥に係
わる欠陥種別の欠陥判定処理ステップＳ91〜Ｓ94におい
て線欠陥と判定されなかった画素電極ａ2が点欠陥・ク
ラスタ欠陥の判定対象が抽出される。
【０１２１】これらの線欠陥判定処理では、欠陥要素連
結処理によって、本来欠陥候補でなかった画素電極ａ2
が線欠陥の一部を構成する欠陥画素と判定されている。
したがって、この点欠陥・クラスタ欠陥に係わる欠陥要
素の抽出処理では、ステップＳ34において点欠陥候補・
クラスタ欠陥候補に分類された画素電極ａ2から上記欠
陥判定処理ステップＳ91〜Ｓ94において線欠陥を構成す
る欠陥画素と判定されたものが点欠陥・クラスタ欠陥に
係わる欠陥要素から除外される。
【０１２２】グループ化処理では、このような欠陥要素
の抽出処理の処理結果が欠陥画素の連続個数に基づいて
グループ化される。すなわち、列方向と行方向と斜め方
向に連続する欠陥画素が、その個数に応じて１〜Ｌにグ
ループ分けされる。例えば、１点のみ孤立する欠陥画素
は１点欠陥に、列方向、行方向あるいは斜め方向に合計
２つ連続する欠陥画素は２点欠陥に、列方向、行方向あ
るいは斜め方向に合計３つ連続する欠陥画素は３点欠陥
に、……、さらに列方向、行方向あるいは斜め方向に合
計Ｌ個連続する欠陥画素はＬ点欠陥にそれぞれグループ
分けされる。
【０１２３】判定登録処理では、このようにグループ分
けされた孤立欠陥及び連続的な欠陥が連続個数に基づい
て点欠陥とクラスタ欠陥とに分類され、この分類結果が
検査情報用データベースに登録される。
【０１２４】図１３は、このように判定された点欠陥と
クラスタ欠陥の一例を示すものである。この図では、欠
陥パターンＰ1は１点欠陥、欠陥パターンＰ2は合計２個
の欠陥画素が連続する２点欠陥、欠陥パターンＰ3は合
計３個の欠陥画素が列方向、行方向あるいは斜め方向に
連続する３点欠陥、欠陥パターンＰ4は合計４個の欠陥
画素が列方向、行方向あるいは斜め方向に連続する４点
欠陥、欠陥パターンＰ5は合計５個の欠陥画素が列方
向、行方向あるいは斜め方向に連続する５点欠陥、欠陥
パターンＰ6は合計６個の欠陥画素が列方向、行方向あ
るいは斜め方向に連続する６点欠陥を示している。
【０１２５】本実施形態では、これらの欠陥パターンＰ
1〜Ｐ6のうち、欠陥パターンＰ1〜Ｐ3つまり１〜３点欠
陥を点欠陥に分類判定し、欠陥パターンＰ4〜Ｐ6つまり
４〜６点欠陥をクラスタ欠陥に分類判定する。すなわ
ち、当該点欠陥・クラスタ欠陥の判定処理（ステップＳ
95）では、欠陥画素が１〜３の範囲で連続することが点
欠陥の判定条件であり、また欠陥画素が４以上の範囲で
連続することクラスタ欠陥の判定条件である。
【０１２６】このようにして点欠陥・クラスタ欠陥の判
定処理が終了すると、１枚の液晶駆動基板Ａに対するパ
ネル処理が完了する。このようなパネル処理は、上記各
液晶駆動基板Ａ1〜Ａ4について全く同様に行われ、当該
液晶駆動基板Ａ1〜Ａ4から構成されたガラス基板Ｂの検
査結果としてモニタ９に表示される。なお、本実施形態
では、ムラ欠陥の判定処理を行っていない。したがっ
て、ムラ欠陥に係わる欠陥情報は、検査結果には含まれ
ていない。
【０１２７】本実施形態によれば、以下のような効果を
奏する。 （１）各欠陥種別毎に設けられた欠陥候補用しきい値を
用いて各種欠陥種別の欠陥候補を分類判定し、この分類
判定結果に基づいて各欠陥種別の欠陥画素を最終的に判
定している。したがって、従来のように単一の欠陥候補
用しきい値を用いて欠陥候補を判定する場合に比較し
て、各画素電極ａ2の画素電圧に対する欠陥判定精度を
向上させることが可能であると共に、欠陥種別の判定精
度をも向上させることができる。
【０１２８】（２）また、サイト処理をモジュレータ１
に対する液晶駆動基板Ａのサイト間移動の間に処理する
ことにより欠陥候補用しきい値を欠陥種別毎に設けるこ
とによるまたパネル処理をガラス基板Ｂ上の液晶駆動基
板Ａ間の移動の間に行うことにより、データ処理量の増
大による検査時間の増大を抑制して、液晶駆動基板Ａの
検査に係わるスループットの低下を抑えることができ
る。
【０１２９】（３）画素電圧を正常画素の画素電圧Ｅn
から最も離れた欠陥候補用しきい値から順に比較して欠
陥種別を判定するので、欠陥種別の分類処理を効率的に
行うことができる。したがって、データ処理量の増大に
よる検査時間の増大を抑制することが可能である。
【０１３０】なお、上記実施形態では、ガラス基板Ｂ上
に４つ形成された形態の液晶駆動基板Ａ1〜Ａ4の検査に
ついて説明したが、本願発明は、これに限定されるもの
ではない。１つの液晶駆動基板がガラス基板上に形成さ
れたものを検査する場合についても適用することができ
る。また、比較的小さな液晶駆動基板であり、全ての画
素電極がモジュレータ１と一度に面対向するような場合
についても、適用することができる。
【０１３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる液
晶駆動基板の検査装置及び方法によれば、以下のような
効果を奏する。 （１）欠陥種別毎にしきい値を設定して欠陥候補を分類
するので、より正確に欠陥種別毎に欠陥画素の判定を行
うことができる。したがって、液晶駆動基板の検査精度
を従来の単一しきい値を用いる場合に比較して向上させ
ることが可能であると共に、欠陥種別の判定精度をも向
上させることができる。 （２）また、欠陥種別の分類処理を液晶駆動基板の小区
分間の移動の間に行うことにより、欠陥種別毎にしきい
値を設けることによるデータ処理量の増加に起因する検
査時間の増大を抑制することができる。したがって、ス
ループットを低下させることなく、液晶駆動基板の検査
精度を向上させることができる。 （３）さらに、欠陥画素の欠陥種別毎に設定したしきい
値のうち、正常画素の画素電圧から離れたものから画素
電圧と順次比較し、あるしきい値との比較において欠陥
候補と判断された時点で次のしきい値との比較を省略す
ることにより、欠陥候補の判定処理におけるデータ処理
量を低減することができる。したがって、これによって
も、欠陥種別毎にしきい値を設けることによるデータ処
理量の増加に起因する検査時間の増大を抑制することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態で検査対象とされる液晶
駆動基板の外観形態を示す平面図である。
【図２】 本発明の一実施形態で検査対象とされる液晶
駆動基板の構成を示す平面図である。
【図３】 本発明の一実施形態における液晶駆動基板の
検査装置の機能構成を示すブロック図である。
【図４】 本発明の一実施形態における液晶駆動基板の
全体的な検査手順を示すフローチャートである。
【図５】 本発明の一実施形態における液晶駆動基板の
全体的な検査手順において、サイト処理の詳細を示すフ
ローチャートである。
【図６】 本発明の一実施形態において、サイト処理に
おける画素電極の画素電圧の算出方法を説明するための
模式図である。
【図７】 本発明の一実施形態における欠陥種別毎の画
素電圧及び欠陥種別毎の欠陥候補用しきい値を示す説明
図である。
【図８】 本発明の一実施形態において、サイト処理に
おける欠陥種別の分類処理理結果の一例を示す表であ
る。
【図９】 本発明の一実施形態において、サイト処理に
おける欠陥種別の分類結果の検査情報用データベースへ
の登録状態を示す表である。
【図１０】 本発明の一実施形態におけるパネル処理の
詳細を示すフローチャートである。
【図１１】 本発明の一実施形態において、パネル処理
における欠陥画素の抽出結果の一例を２次元配列状に示
す模式図である。
【図１２】 本発明の一実施形態において、パネル処理
における欠陥画素の電圧勾配の算出方法を説明するため
の説明図である。
【図１３】 本発明の一実施形態において、線欠陥及び
クラスタ欠陥として判定された欠陥画素の一例を示す模
式図である。
【図１４】 従来技術における欠陥画素の判定方法を説
明するための説明図である。
【符号の説明】
Ａ，Ａ1〜Ａ4……液晶駆動基板 ａ1……ガラス基板 ａ2……画素電極 ａ3……ＴＦＴ ａ4……ゲート配線 ａ5……データ配線 ａ6，ａ7……ショートバー Ｂ……ガラス基板 １……モジュレータ １ａ……液晶シート １ｂ……薄膜透明電極（透明電極） １ｃ……誘電体反射膜 ２……Ｘ−Ｙステージ ３……ビームスプリッタ ４……光源 ５……フィルタ ６……レンズ ７……ＣＣＤカメラ ８……画像処理装置 ９……モニタ １０……電源装置 １１……駆動装置 １２……制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 好本 芳和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平11−174397（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−107946（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−21803（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−221778（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−303068（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−273590（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−264462（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−273139（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−27428（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/13 101 G01R 31/02 G02F 1/1343 G09F 9/00 352

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 画素電極が行列状に配置された液晶駆動
    基板に電気光学素子板を対面配置し、画素電極に所定電
    圧を書き込んで得られる電気光学素子板の電圧イメージ
    及び前記電気光学素子板の電気光学特性に基づいて各画
    素電極の実際の電圧を画素電圧として算出し、該画素電
    圧に基づいて異常な電圧の欠陥画素と正常な電圧の正常
    画素とを判別する液晶駆動基板の検査装置において、 前記画素電圧を欠陥画素の欠陥種別毎に設定したしきい
    値と比較して前記欠陥種別毎に欠陥候補の画素電極を分
    類し、該欠陥種別毎の欠陥候補の画素電極を欠陥種別毎
    に設けられた判定条件に基づいて最終的に各欠陥種別の
    欠陥画素と判定する画像処理装置を具備することを特徴
    とする液晶駆動基板の検査装置。
  2. 【請求項２】 画素電極が行列状に配置された液晶駆動
    基板に該液晶駆動基板よりもサイズの小さな電気光学素
    子板を対面配置し、画素電極に所定電圧を書き込んだ状
    態において液晶駆動基板の各小区分が電気光学素子板と
    面対向するように相対位置を各小区分毎に順次移動させ
    て液晶駆動基板の全領域に亘る電気光学素子板の電圧イ
    メージを取得し、該電圧イメージ及び前記電気光学素子
    板の電気光学特性に基づいて各画素電極の実際の電圧を
    画素電圧として算出し、該画素電圧に基づいて異常な電
    圧の欠陥画素と正常な電圧の正常画素とを判別する液晶
    駆動基板の検査装置において、 前記画素電圧を欠陥画素の欠陥種別毎に設定したしきい
    値と比較して前記欠陥種別毎に欠陥候補の画素電極を分
    類処理し、該欠陥種別毎の欠陥候補の画素電極を欠陥種
    別毎に設けられた判定条件に基づいて最終的に各欠陥種
    別の欠陥画素と判定処理すると共に、前記分類処理を前
    記各小区分間の移動の間に処理する画像処理装置を具備
    することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
  3. 【請求項３】 画素電極が行列状に配置された液晶駆動
    基板が複数形成されたガラス基板に電気光学素子板を対
    面配置し、各画素電極に所定電圧を書き込んだ状態にお
    いて各液晶駆動基板が電気光学素子板に対面するように
    相対位置を液晶駆動基板毎に順次移動させて全ての液晶
    駆動基板についての電気光学素子板の電圧イメージを取
    得し、該電圧イメージ及び前記電気光学素子板の電気光
    学特性に基づいて各画素電極の実際の電圧を画素電圧と
    して算出し、該画素電圧に基づいて異常な電圧の欠陥画
    素と正常な電圧の正常画素とを判別する液晶駆動基板の
    検査装置において、 前記画素電圧を欠陥画素の欠陥種別毎に設定したしきい
    値と比較して前記欠陥種別毎に欠陥候補の画素電極を分
    類処理し、該欠陥種別毎の欠陥候補の画素電極を欠陥種
    別毎に設けられた判定条件に基づいて最終的に各欠陥種
    別の欠陥画素と判定処理すると共に、該判定処理を各液
    晶駆動基板間の移動の間に処理する画像処理装置を具備
    することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
  4. 【請求項４】 画素電極が行列状に配置された液晶駆動
    基板が複数形成されたガラス基板に該液晶駆動基板より
    もサイズの小さな電気光学素子板を対面配置し、画素電
    極に所定電圧を書き込んだ状態において各液晶駆動基板
    が電気光学素子板に対面するように液晶駆動基板毎に相
    対位置を順次移動させ、かつ、液晶駆動基板の各小区分
    が電気光学素子板と対面するように相対位置を各小区分
    毎に順次移動させて全ての液晶駆動基板の全領域に亘る
    電気光学素子板の電圧イメージを取得し、該電圧イメー
    ジ及び前記電気光学素子板の電気光学特性に基づいて各
    画素電極の実際の電圧を画素電圧として算出し、該画素
    電圧に基づいて異常な電圧の欠陥画素と正常な電圧の正
    常画素とを判別する液晶駆動基板の検査装置において、 前記画素電圧を欠陥画素の欠陥種別毎に設定したしきい
    値と比較して前記欠陥種別毎に欠陥候補の画素電極を分
    類処理し、該欠陥種別毎の欠陥候補の画素電極を欠陥種
    別毎に設けられた判定条件に基づいて最終的に各欠陥種
    別の欠陥画素と判定処理すると共に、前記分類を前記各
    小区分毎の移動の間に処理すると共に、前記判定処理を
    各液晶駆動基板間の移動の間に処理する画像処理装置を
    具備することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
  5. 【請求項５】 画像処理装置は、欠陥画素の欠陥種別毎
    に設定したしきい値のうち、正常画素の画素電圧から離
    れたものから画素電圧と順次比較し、あるしきい値との
    比較において欠陥候補と判断された時点で、次のしきい
    値との比較を省略することを特徴とする請求項１〜４い
    ずれかに記載の液晶駆動基板の検査装置。
JP2001059876A 2001-03-05 2001-03-05 液晶駆動基板の検査装置 Expired - Fee Related JP3468755B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001059876A JP3468755B2 (ja) 2001-03-05 2001-03-05 液晶駆動基板の検査装置
PCT/JP2002/002014 WO2002071135A1 (fr) 2001-03-05 2002-03-05 Dispositif d'inspection de substrat de commande a cristaux liquides
KR10-2002-7014628A KR100517860B1 (ko) 2001-03-05 2002-03-05 액정구동기판의 검사장치
CNB028015282A CN1313865C (zh) 2001-03-05 2002-03-05 液晶驱动基板的检查方法和装置
US10/258,972 US6798231B2 (en) 2001-03-05 2002-03-05 Inspection device for liquid crystal driving substrate
TW091104003A TW562946B (en) 2001-03-05 2002-03-05 Apparatus for inspecting liquid crystal driving substrate
US10/952,375 US7212024B2 (en) 2001-03-05 2004-09-28 Inspection apparatus for liquid crystal drive substrates

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001059876A JP3468755B2 (ja) 2001-03-05 2001-03-05 液晶駆動基板の検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002258234A JP2002258234A (ja) 2002-09-11
JP3468755B2 true JP3468755B2 (ja) 2003-11-17

Family

ID=18919374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001059876A Expired - Fee Related JP3468755B2 (ja) 2001-03-05 2001-03-05 液晶駆動基板の検査装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6798231B2 (ja)
JP (1) JP3468755B2 (ja)
KR (1) KR100517860B1 (ja)
CN (1) CN1313865C (ja)
TW (1) TW562946B (ja)
WO (1) WO2002071135A1 (ja)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3824927B2 (ja) * 2001-06-22 2006-09-20 株式会社リコー 読取装置、画像形成装置、通信装置および異常画素データ取得方法
US7635387B2 (en) 2001-11-01 2009-12-22 Cardiac Dimensions, Inc. Adjustable height focal tissue deflector
US6824562B2 (en) * 2002-05-08 2004-11-30 Cardiac Dimensions, Inc. Body lumen device anchor, device and assembly
US6976995B2 (en) 2002-01-30 2005-12-20 Cardiac Dimensions, Inc. Fixed length anchor and pull mitral valve device and method
US7179282B2 (en) 2001-12-05 2007-02-20 Cardiac Dimensions, Inc. Device and method for modifying the shape of a body organ
DE10253717B4 (de) 2002-11-18 2011-05-19 Applied Materials Gmbh Vorrichtung zum Kontaktieren für den Test mindestens eines Testobjekts, Testsystem und Verfahren zum Testen von Testobjekten
US7316708B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Cardiac Dimensions, Inc. Medical device delivery system
US20040220654A1 (en) 2003-05-02 2004-11-04 Cardiac Dimensions, Inc. Device and method for modifying the shape of a body organ
US7053645B2 (en) * 2003-06-06 2006-05-30 Yieldboost Tech, Inc. System and method for detecting defects in a thin-film-transistor array
US20040249608A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Yieldboost Tech, Inc. System and method for detecting defects in a thin-film-transistor array
US7200812B2 (en) * 2003-07-14 2007-04-03 Intel Corporation Method, apparatus and system for enabling users to selectively greek documents
JP3940718B2 (ja) 2003-10-30 2007-07-04 株式会社東芝 試験装置、良否判定基準設定装置、試験方法及び試験プログラム
KR100987890B1 (ko) * 2003-11-13 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 검사장치 및 그 검사방법
US9526616B2 (en) 2003-12-19 2016-12-27 Cardiac Dimensions Pty. Ltd. Mitral valve annuloplasty device with twisted anchor
KR100831109B1 (ko) * 2004-04-08 2008-05-20 포톤 다이나믹스, 인코포레이티드 변조기 제작을 위한 폴리머 분산 액정 포뮬레이션
JP4176041B2 (ja) * 2004-04-14 2008-11-05 オリンパス株式会社 分類装置及び分類方法
JP4480001B2 (ja) * 2004-05-28 2010-06-16 Ｈｏｙａ株式会社 ムラ欠陥検査マスク、ムラ欠陥検査装置及び方法、並びにフォトマスクの製造方法
JP4480002B2 (ja) * 2004-05-28 2010-06-16 Ｈｏｙａ株式会社 ムラ欠陥検査方法及び装置、並びにフォトマスクの製造方法
US7825982B2 (en) * 2004-06-17 2010-11-02 Aptina Imaging Corporation Operation stabilized pixel bias circuit
JP2006058083A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Pioneer Electronic Corp 表示パネル検査装置及び検査方法
KR20060073741A (ko) * 2004-12-24 2006-06-29 삼성전자주식회사 응답속도 측정장치와 이를 이용한 응답속도 측정방법
WO2006079000A1 (en) 2005-01-20 2006-07-27 Cardiac Dimensions, Inc. Tissue shaping device
KR100606384B1 (ko) * 2005-07-15 2006-08-01 호서대학교 산학협력단 액정화면의 광 반사율을 측정하는 장치
KR100691434B1 (ko) * 2005-08-30 2007-03-09 (주)알티에스 액정표시장치의 휘도보정장치
US20150097592A1 (en) * 2005-11-15 2015-04-09 Photon Dynamics, Inc. Direct testing for peripheral circuits in flat panel devices
KR101391448B1 (ko) * 2007-02-15 2014-05-07 주식회사 동진쎄미켐 평판 표시 장치의 검사시스템 및 검사방법
TWI418778B (zh) * 2006-02-15 2013-12-11 Dongjin Semichem Co Ltd 用以測試平面顯示裝置之系統及其方法
CN100389451C (zh) * 2006-05-25 2008-05-21 友达光电股份有限公司 一种像素结构及其检修方法与制造方法
US7602199B2 (en) 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
US7786742B2 (en) 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US11285005B2 (en) 2006-07-17 2022-03-29 Cardiac Dimensions Pty. Ltd. Mitral valve annuloplasty device with twisted anchor
KR101182324B1 (ko) * 2006-07-28 2012-09-20 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치의 화질제어 방법
US7327158B1 (en) * 2006-07-31 2008-02-05 Photon Dynamics, Inc. Array testing method using electric bias stress for TFT array
TWI345093B (en) * 2006-11-10 2011-07-11 Chimei Innolux Corp Method of manufacturing liquid crystal display
US7777507B2 (en) * 2007-03-26 2010-08-17 Intel Corporation Integrated circuit testing with laser stimulation and emission analysis
JP5692691B2 (ja) * 2008-05-09 2015-04-01 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 表示装置の検査方法と検査装置及び表示装置用基板と表示装置
EP2373957B1 (en) * 2009-01-06 2020-04-01 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Methods for determining a liquid level in a container using imaging
JP2011021999A (ja) * 2009-07-15 2011-02-03 Kyodo Design & Planning Corp 基板検査装置
JP5408540B2 (ja) * 2009-10-28 2014-02-05 株式会社島津製作所 Ｔｆｔアレイの検査方法及びｔｆｔアレイ検査装置
EP2510513B1 (en) * 2009-12-09 2020-10-14 Luminator Holding, L.P. System and method for monitoring a signage system of a transit vehicle
CA2791321C (en) 2010-02-25 2018-05-22 Luminator Holding Lp System and method for wireless control of signs
JP5479253B2 (ja) * 2010-07-16 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US8866899B2 (en) * 2011-06-07 2014-10-21 Photon Dynamics Inc. Systems and methods for defect detection using a whole raw image
JP5323906B2 (ja) * 2011-09-12 2013-10-23 シャープ株式会社 配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置
CN103033129B (zh) * 2011-10-07 2015-10-21 财团法人工业技术研究院 光学设备及光学定址方法
KR20130104563A (ko) * 2012-03-14 2013-09-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9001097B2 (en) * 2012-06-08 2015-04-07 Apple Inc. Systems and methods for reducing or eliminating mura artifact using image feedback
KR20140101612A (ko) * 2013-02-12 2014-08-20 삼성디스플레이 주식회사 결정화 검사장치 및 결정화 검사방법
KR102250763B1 (ko) * 2013-10-09 2021-05-12 오르보테크 엘티디. 플랫 패널 장치의 주변 회로에 대한 직접적인 테스팅
KR20150064464A (ko) * 2013-12-03 2015-06-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 변조기를 포함하는 기판 검사 장치 및 액정 변조기의 제조 방법
KR20160061548A (ko) * 2014-11-21 2016-06-01 삼성디스플레이 주식회사 어레이 테스트 모듈레이터 및 이를 포함하는 박막트랜지스터 기판 검사 장치
CN104570422B (zh) * 2014-12-31 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板的品质的监控方法
CN105096855B (zh) * 2015-07-22 2018-11-06 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板公共电压调整装置及液晶面板公共电压调整方法
JP2017152827A (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 ソニー株式会社 機器管理装置と機器管理方法およびプログラム
US20180247576A1 (en) * 2016-08-31 2018-08-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Automatic recognition method and apparatus for compatibility between system and display panel
KR102657989B1 (ko) * 2016-11-30 2024-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10390953B2 (en) 2017-03-08 2019-08-27 Cardiac Dimensions Pty. Ltd. Methods and devices for reducing paravalvular leakage
CN107633810B (zh) 2017-10-27 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 像素电路补偿方法及装置、显示面板和显示装置
CN108563047B (zh) * 2018-03-15 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 线路检测装置及线路检测方法
US11474144B2 (en) 2018-12-21 2022-10-18 Industrial Technology Research Institute Method for inspecting light-emitting diodes and inspection apparatus
TWI759866B (zh) * 2020-06-19 2022-04-01 財團法人工業技術研究院 發光二極體的檢測裝置及其檢測方法
EP4099033A1 (en) * 2021-06-02 2022-12-07 ALCAN Systems GmbH Layer arrangement and method for testing a number of tunable radio frequency transmission elements

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983911A (en) * 1990-02-15 1991-01-08 Photon Dynamics, Inc. Voltage imaging system using electro-optics
JP3329805B2 (ja) * 1990-08-29 2002-09-30 株式会社日立製作所 自動外観検査装置及び外観検査方法
US5285150A (en) * 1990-11-26 1994-02-08 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for testing LCD panel array
US5235272A (en) * 1991-06-17 1993-08-10 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for automatically inspecting and repairing an active matrix LCD panel
US5432461A (en) * 1991-06-28 1995-07-11 Photon Dynamics, Inc. Method of testing active matrix liquid crystal display substrates
JP3273973B2 (ja) * 1991-09-10 2002-04-15 フォトン・ダイナミクス・インコーポレーテッド アクティブマトリックス液晶ディスプレイ基板の検査装置およびその検査方法並びに検査装置用電気光学素子
US5504438A (en) * 1991-09-10 1996-04-02 Photon Dynamics, Inc. Testing method for imaging defects in a liquid crystal display substrate
US5465052A (en) * 1991-09-10 1995-11-07 Photon Dynamics, Inc. Method of testing liquid crystal display substrates
US5459409A (en) * 1991-09-10 1995-10-17 Photon Dynamics, Inc. Testing device for liquid crystal display base plate
US5543729A (en) * 1991-09-10 1996-08-06 Photon Dynamics, Inc. Testing apparatus and connector for liquid crystal display substrates
US5444385A (en) * 1991-09-10 1995-08-22 Photon Dynamics, Inc. Testing apparatus for liquid crystal display substrates
US5391985A (en) * 1992-03-06 1995-02-21 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for measuring high speed logic states using voltage imaging with burst clocking
JP3228631B2 (ja) 1993-12-24 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 テスタ
JP3476913B2 (ja) * 1994-07-08 2003-12-10 オリンパス株式会社 欠陥種別判定装置及びプロセス管理システム
JP3246704B2 (ja) 1995-02-27 2002-01-15 シャープ株式会社 配線基板の検査装置
JPH08304852A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Nec Corp 液晶ディスプレイ基板の検査方法および装置
JPH0933874A (ja) * 1995-07-14 1997-02-07 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
US6177955B1 (en) * 1997-10-09 2001-01-23 Westar Corporation Visual display inspection system
JPH11174397A (ja) * 1997-12-09 1999-07-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 液晶駆動基板の検査装置及びその検査方法
KR100253662B1 (ko) * 1998-02-16 2000-04-15 구본준, 론 위라하디락사 모듈레이터와 모듈레이터를 구비하는 전광센서
KR100671211B1 (ko) * 2000-01-12 2007-01-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6798231B2 (en) 2004-09-28
US20050068057A1 (en) 2005-03-31
WO2002071135A1 (fr) 2002-09-12
US20030113007A1 (en) 2003-06-19
CN1313865C (zh) 2007-05-02
US7212024B2 (en) 2007-05-01
KR100517860B1 (ko) 2005-09-29
JP2002258234A (ja) 2002-09-11
CN1462373A (zh) 2003-12-17
KR20030023622A (ko) 2003-03-19
TW562946B (en) 2003-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3468755B2 (ja) 液晶駆動基板の検査装置
JP5039183B2 (ja) 検査システム
US10962567B2 (en) Systems and methods for electrical inspection of flat panel displays using cell contact probing pads
CN208954988U (zh) 显示装置及显示装置母板
KR20070099398A (ko) 기판검사장치와 이를 이용한 기판검사방법
CN107680523A (zh) 阵列基板十字线缺陷的检测方法
CN1514231A (zh) 集成视觉成像和电子检测检查***
CN113451534B (zh) 显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法
US20220230602A1 (en) Direct-lit led backlight display and light emission control method therefor
US9341852B2 (en) Cell substrate inspection system and method
CN108873404A (zh) 测量显示面板亮度的方法
JP4104728B2 (ja) 液晶駆動基板の検査装置及びその検査方法
CN106601162B (zh) 显示面板及包含其的显示装置
KR101426487B1 (ko) 표시패널의 검사 장치 및 그 방법
KR102121887B1 (ko) 유기발광 다이오드(oled) 패널 테스트용 가변 프로브 유닛
JP2014153177A (ja) 検査装置および検査方法
JP2710582B2 (ja) カラー液晶表示装置
JP3311628B2 (ja) 薄型表示機器の欠陥箇所位置決め装置
CN109856877A (zh) 缺陷检测装置及缺陷检测方法
KR20170135525A (ko) 표시소자의 검사장치
JPH11174397A (ja) 液晶駆動基板の検査装置及びその検査方法
JP3098915B2 (ja) 液晶表示装置の修正方法および修正装置
CN112419948B (zh) 显示基板及其控制方法、显示装置
WO2023116106A1 (zh) 显示基板及其测试方法和显示装置
JP3186360B2 (ja) アクティブマトリクス液晶パネルの検査方法及び検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030819

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 3468755

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees