JPH0950014A - 液晶駆動基盤の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 機械的な加工精度によってモジュレータと液
晶駆動基板の位置関係を一定に保つことは、コストが掛
かる。 【解決手段】 透明電極１１と画素電極２とによって液
晶シート１０が挟まれるように、モジュレータＢと液晶
駆動基板Ａ’とを対面配置し、透明電極１１と各画素電
極２との間に所定のパターンの電圧を印加すると共にモ
ジュレータＢの各部の光の反射状態を測定し、これによ
って各画素電極２の位置を検出する。そして、この各画
素電極２の位置とモジュレータＢの各部の光の反射状態
とに基づいて液晶駆動基板Ａ’の欠陥画素を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルを
構成する主要な部品である液晶駆動基板の検査方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、液晶表示パネルは、透明
電極を貼り合わせたガラス基板と液晶駆動基板とをスペ
ーサを介して対面配置し、このガラス基板と液晶駆動基
板との間隙に液晶を封止して構成される。この液晶駆動
基板は、液晶の駆動方法によって種々の構成のものが知
られている。

【０００３】図８はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を使用
したアクティブマトリックス方式の液晶駆動基板の構成
例を示す平面図である。同図において、ガラス基板１の
表面には互いに平行な複数本の行配線６，６，…が所定
ピッチを隔てて布線されると共にこれらの行配線と直交
する列配線４，４，…が所定ピッチを隔てて布線されて
いる。そして、ガラス基板１上において各行配線および
各列配線が交差する各交差点毎に、各々１個の画素電極
２およびスイッチング用のＴＦＴ３が各々配置されてい
る。ここで、各ＴＦＴ３は、ソース端子が列配線４に接
続され、ドレイン端子が画素電極２に接続され、ゲート
端子は列配線６に接続されている。行方向に並んだ一連
のＴＦＴ３，３，…は、当該行配線６から各々のゲート
端子に所定の電圧が印加されることによって導通状態と
なり、これにより各列配線４に対する各印加電圧が各Ｔ
ＦＴ３を介して各画素電極２に印加される。ここで、液
晶駆動基板Ａは、製造工程の途中のものであり、各ＴＦ
Ｔ３を静電気等から保護するために、行配線４は全てシ
ョーティングバー５に接続され、列配線６は全てショー
ティングバー７に接続されている。しかし、この液晶駆
動基板Ａが液晶表示パネルとして完成する時点では、シ
ョーティングバー５、７は除去され、各々の行配線４お
よび列配線６は分離される。

【０００４】ところで、本出願人は、このように構成さ
れた液晶駆動基板Ａの検査装置として、電界によって光
の反射率が変化する電気光学特性を有する電気光学素子
（モジュレータ）を用いたものを特開平５−２５６７９
４号公報に開示した。

【０００５】図９は、この検査装置の主要部の構成を示
す図であり、この図において、符号Ｂはモジュレータで
ある。モジュレータＢは、内部に液晶が封入された液晶
シート１０の片面に薄膜透明電極１１を貼り合わせ、ま
た他面にモジュレータＢに照射された光を反射する半導
体反射膜１２を蒸着または貼り合わせて構成されてい
る。このモジュレータＢは、検査装置に固定されてお
り、液晶駆動基板Ａは、このように構成されたモジュレ
ータＢに微小間隔（１０μｍ〜２０μｍ）をおいて、か
つ、位置精度良く面対向配置される。そして、モジュレ
ータＢの薄膜透明電極１１および液晶駆動基板Ａのショ
ーティングバー５、７には、電圧印加装置Ｃによって液
晶駆動基板Ａの動作を検査するために必要な所定の電圧
がそれぞれ印加される。そして、モジュレータＢの表面
には、ハロゲンランプＤによって均一に光が照射され
る。ＣＣＤカメラＥは、モジュレータＢの表面からの反
射光によってモジュレータＢの表面を一枚の画像として
捉える。

【０００６】次に、液晶駆動基板Ａは、微小間隔をおい
てモジュレータＢに対向して配置されているので、モジ
ュレータＢの液晶シート１０内に封入された液晶は、薄
膜透明電極１１と液晶駆動基板Ａの各画素電極２との間
に発生する電界の影響を受ける。この電界の影響によっ
て、液晶シート１０内に封入された液晶は、その分子配
向を変化させ、ハロゲンランプＤによって照射される光
に対する反射率を変化させる。しかし、列配線４または
行配線６の断線、列配線４と行配線６の短絡等の不良に
よって正常に電圧が印加されない画素電極２に対向する
部分のモジュレータＢの光の反射率は、正常に電圧が印
加された画素電極２に対向する部分の光の反射率とは異
なった値となる。

【０００７】したがって、ＣＣＤカメラＥによって捉え
られるモジュレータＢの反射光による画像は、液晶駆動
基板Ａの画素電極２に印加された電圧を反映させた輝度
分布を有する画像となる。ここで、ＣＣＤカメラＥとモ
ジュレータＢの位置関係は常に一定になっているため、
画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥから入力される画像
を各画素電極２について指定されている所定のアドレス
に対応させて所定の処理を施すことができる。つまり、
画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥから入力される画像
情報が何番目のアドレスの画素電極２に対応する情報で
あるのを常に認識して所定の処理を行うことができる。
これによって、画像処理装置Ｆは、各画素電極２毎に動
作状態を検出して液晶駆動基板Ａの良否を判定し、この
結果をモニタＧに表示する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した液
晶駆動基板は、基板の外形を高精度に加工する等によっ
て、液晶駆動基板が検査装置に装着された際、モジュレ
ータと液晶駆動基板の相対的な位置が常に一定となるよ
うに構成されている。このようにすることによって、画
像処理装置は、入力されるモジュレータの表面の画像上
の位置とその位置に対向する画素電極の位置（画素電極
を駆動する上で各画素毎に対応づけられているアドレ
ス）とを対応づけて記憶することができる。つまり、モ
ジュレータの表面の特定の位置に欠陥画素が存在した場
合、画像処理装置は、この欠陥画素が液晶駆動基板上の
どのアドレスの画素電極であるかを対応付けることがで
きる。しかし、このように機械的な加工精度によってモ
ジュレータと液晶駆動基板の位置関係を一定に保つこと
は、コストが掛かるという問題があった。また、加工精
度の限界とその偏差のために、モジュレータと液晶駆動
基板の相対的な位置関係にズレが生じる場合があるとい
う問題があった。

【０００９】本発明は上述する問題点に鑑みてなされた
もので、被検査物である液晶駆動基板の機械的な加工精
度に頼ることなく、欠陥画素とそのアドレスとを正確に
対応付けることが可能な液晶駆動基板の検査方法を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶駆動
基板の検査方法は、上述する問題点を解決するために、
液晶に電界を与えるための複数の画素電極と、これらの
各画素電極に駆動電圧を印加するための回路とが形成さ
れてなる液晶駆動基板を、表面に透明電極が形成され、
かつ、電界強度に依存して光の反射率が変化する液晶シ
ートを有するモジュレータを使用して検査する液晶駆動
基板の検査方法において、 ａ．前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
ートが挟まれるように、前記モジュレータと、検査しよ
うとする前記液晶駆動基板とを対面配置し、 ｂ．前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
各画素電極との間に所定のパターンの電圧を印加すると
共に、この電圧印加時における前記モジュレータの各部
の光の反射状態を測定し、 ｃ．前記各画素電極に印加される電圧のパターンと前記
モジュレータの各部の光の反射状態とに基づいて前記各
画素電極の位置を求め、 ｄ．前記モジュレータの各部の光の反射状態と前記各画
素電極の位置とに基づいて、前記液晶駆動基板の欠陥箇
所を検出する、 ことを特徴とする。

【００１１】請求項２記載の液晶駆動基板の検査方法
は、請求項１記載の検査方法において、上記ｂの電圧印
加における各々の画素電極に印加される所定の電圧が、
第１の電圧と第２の電圧とが交互に並ぶように電圧を印
加する、ことを特徴とする。

【００１２】

【作用】請求項１記載の液晶駆動基板の検査方法によれ
ば、モジュレータの透明電極と液晶駆動基板の各画素電
極との間に所定のパターンの電圧を印加し、この時のモ
ジュレータの各部の光の反射状態を測定することによっ
て、各画素電極の位置が検出される。すなわち、モジュ
レータの各部の反射光に基づく電気的な処理によって各
画素電極の位置が検出されるので、液晶駆動基板の形状
加工精度等に依存してモジュレータと液晶駆動基板との
位置関係を高精度に抑えることなく、欠陥画素を検出す
ることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
よる液晶駆動基板の検査方法の一実施例について説明す
る。なお、本実施例で用いる被検査用の液晶駆動基板に
ついて、既に示した図７と構成の同一部分には同一符号
を付してその説明を省略する。また、検査時におけるモ
ジュレータと液晶駆動基板との位置関係は、既に説明し
た図８と同様でありその説明を省略する。

【００１４】図２は、本実施例において用いる液晶駆動
基板Ａ’を示す図である。図において、符号４ａ、４ｂ
は列配線、６ａ、６ｂは行配線、５ａ、５ｂ、７ａ、７
ｂはショーティングバーである。水平方向の左端から一
列おきの列に位置するＴＦＴ３の各々のソース端子は、
各々列配線４を介してショーティングバー５ａに接続さ
れ、他の列に位置するＴＦＴ３の各々のソース端子は、
列配線４ｂを介してショーティングバー５ｂに接続され
ている。また、垂直方向の上端から一行おきの行に位置
するＴＦＴ３の各々のゲート端子は、行配線６ａを介し
てショーティングバー７ａに接続され、他の行に位置す
るＴＦＴ３の各々のゲート端子は、行配線６ｂを介して
ショーティングバー７ｂに接続されている。

【００１５】このように構成された被検査用の液晶駆動
基板Ａ’について、本実施例の検査方法を示すフローチ
ャートを図１に示す。以下、このフローチャートに沿っ
て具体的な検査方法を詳しく説明する。 〔ステップＳ1〕液晶駆動基板の搭載 液晶駆動基板Ａ’は、装着手段（図示略）によってモジ
ュレータＢに対して１０μｍ〜２０μｍの微小距離を隔
てて対面配置させる。そして、ハロゲンランプＤによっ
て、均一な強度の光をモジュレータＢの表面全体に照射
する。ＣＣＤカメラＥは、モジュレータＢの表面を所定
の位置から順次走査する。そして、各部から得られる反
射光をその強度に対応した電圧に変換することによっ
て、モジュレータＢの表面の各部の輝度を表す画像デー
タを形成し、画像処理装置Ｆに出力する。

【００１６】〔ステップＳ2〕画素マップの生成 このスッテプＳ2では、画像処理装置Ｆがモジュレータ
Ｂの表面上の位置とそれに対向する画素電極２の位置
（アドレス）とを正確に対応付けるために、以下に説明
する処理を行う。

【００１７】電圧印加装置Ｃは、モジュレータＢの薄膜
透明電極１１に後述するバイアス電圧を印加する。そし
て、ショーティングバー５ａには電圧Ｅ2を印加し、シ
ョーティングバー５ｂには電圧Ｅ1を印加し、また、シ
ョーティングバー７ａ、７ｂに正の電圧を印加する。こ
の状態において、各ＴＦＴ３は「ＯＮ」して、、ショー
ティングバー５ａに接続された列の画素電極２には電圧
Ｅ2が印加され、ショーティングバー５ｂに接続された
列の画素電極２には電圧Ｅ1が印加される。すなわち、
垂直方向の各列の画素電極２には、一列おきに交互に電
圧Ｅ2と電圧Ｅ1が印加される。

【００１８】次に、電圧印加装置Ｃは、ショーティング
バー７ａ、７ｂに負の電圧を印加し、全てのＴＦＴ３は
「ＯＦＦ」状態とされる。この状態において、各画素電
極２とモジュレータＢの薄膜透明電極１１とは、モジュ
レータＢを構成する液晶シート１０と半導体反射膜１２
および空気を挟んでコンデンサを構成することになる。
したがって、各々の画素電極２に印加された電圧Ｅ2、
Ｅ1は、このようにＴＦＴ３を「ＯＦＦ」させた状態に
おいて保持される。

【００１９】次に、電圧印加装置Ｃは、先程とは逆に、
ショーティングバー５ａに電圧Ｅ1を印加し、ショーテ
ィングバー５ｂに電圧Ｅ2を印加する。ここで、電圧印
加装置Ｃは、ショーティングバー７ｂに印加する電圧を
負電圧から正電圧に切り換える。これにより、ゲート端
子がショーティングバー７ｂに接続された水平方向の各
行のＴＦＴ３は、再び「ＯＮ」となり、画素電極２に
は、先程とは逆の電圧Ｅ1あるいは電圧Ｅ2が印加され
る。これによって、例えば図３に示すように、水平方向
及び垂直方向に互いに隣合う画素電極２に印加される電
圧は、電圧Ｅ2と電圧Ｅ1がチェッカーフラッグ状に交互
に並ぶような電圧印加パターンとなる。

【００２０】次に、このような電圧印加パターンにおい
て、ＣＣＤカメラＥは、モジュレータＢの表面の各部を
順次走査することによって反射光の強度を検出する。こ
の場合、ＣＣＤカメラＥのＣＣＤ撮像素子の分解能は被
検査基板である液晶駆動基板Ａ’上の画素電極２のピッ
チよりも高解像度に設定されており、ＣＣＤカメラＥ
は、各画素電極２毎にこの反射光の強度を検出し、この
反射光の強度に応じた検出電圧を出力する。この検出電
圧は、画像処理装置Ｆに入力されて内部のメモリに記憶
されるが、その際に、画像処理装置Ｆは、反射光を検出
しようとする各々の画素電極２について、その画素電極
２を中心として水平３画素×垂直３画素のフィルタサイ
ズによって空間平滑化処理を施して得られる検出電圧を
記憶する。

【００２１】例えば、画像処理装置Ｆは、図３に示す画
素Ｈ24の反射光の強度を検出する場合、画素Ｈ24を中心
とする合計９（３×３）つの画素（画素Ｈ13、Ｈ14、Ｈ
15、Ｈ23、Ｈ24、Ｈ25、Ｈ33、Ｈ34、Ｈ35）によって畳
み込み演算を行い、その結果空間平滑化処理された検出
電圧を記憶する。この畳み込み演算を各画素について例
えば３回行うことによって、各画素の反射光に含まれる
ノイズが除去され、安定した電圧値として記憶される。

【００２２】次に、図４（ａ）は、画像処理装置Ｆが記
憶した検出電圧を画素Ｈ11〜Ｈ16について示した図であ
る。この図において、電圧Ｅ3よりも高い電圧として示
されている部分は、電圧Ｅ2が印加された画素（Ｈ11、
Ｈ13、Ｈ15）の反射光の強度を検出して得られた電圧を
示しており、また、電圧Ｅ3よりも低い電圧として示さ
れている部分は、電圧Ｅ1が印加された画素（Ｈ12、Ｈ1
4、Ｈ16）の反射光の強度を検出して得られた電圧を示
している。ここで、電圧Ｅ3は、モジュレータＢの薄膜
透明電極１１に印加されたバイアス電圧に対応する電圧
である。このように、ＣＣＤカメラＥが出力する検出電
圧は、電圧Ｅ3を中心に各画素に印加された電圧Ｅ1、Ｅ
2を反映した繰り返し波形となる。各画素について検出
された検出電圧は、画像処理装置Ｆによって以下に説明
する画像処理が施され、最終的に各画祖の位置を示す画
素マップデータが算出される。

【００２３】この検出電圧は、電圧値Ｅ3を基準に絶対
値化され、図４（ｂ）に示すような絶対値データＸ1と
される。そして、この絶対値データＸ1に水平３画素×
垂直３画素のフィルタサイズの畳み込み演算が３回施さ
れ、図４（ｃ）に示す平滑化データＸ2が算出される。
そして、この平滑化データＸ2は、絶対値データＸ1から
減算され、所定のしきい値と比較することによって２値
化される。この結果、図５（ａ）に示すような各画素の
位置を範囲を持って示すデータＸ3が算出される。さら
に、この各データＸ3は、中心を求める処理が施され、
その結果、図５（ｂ）に示すような各画素の中心位置を
概略示すデータＸ4が算出される。

【００２４】次に、このデータＸ4を基に、最小２乗法
等の手法を用いて水平方向のラインＬが算出される。そ
して、このラインＬと上記検出電圧との各交点ａ0、ａ
1、‥が算出され、隣合う交点の中心点ｂ0、ｂ1、‥が
各画素の中心座標をして算出される。上述した一連の処
理を各画素Ｈ11、Ｈ12、‥について求めた検出電圧に施
すことにより、全ての画素Ｈ11、Ｈ12、‥の中心座標が
算出される。この中心座標を示すデータは、画素マップ
・データＲとして画像処理装置Ｆの内部メモリに記憶さ
れる。

【００２５】〔ステップＳ3〕Ｅ／Ｏゲインキャリブレ
ーション このステップＳ3において、画像処理装置Ｆは、モジュ
レータＢの電気光学利得（Ｅ／Ｏゲイン）を各画素電極
２について算出する。図６は、モジュレータＢの電気光
学特性を示す図である。この図において、モジュレータ
Ｂの薄膜透明電極１１に印加する電圧Ｅを増大させた場
合、ＣＣＤカメラＥが検出するモジュレータＢの反射光
量Ｏは、曲線Ｐに沿って変化する。例えば、電圧Ｅを電
圧値Ｅ0をバイアス電圧とし、電圧Ｅ1から電圧Ｅ2まで
変化させたとき、ＣＣＤカメラＥが検出する反射光量Ｏ
は、略直線的に反射光量Ｏ1から反射光量Ｏ2まで変化す
る。この薄膜透明電極１１に印加する電圧Ｅの変化量｜
Ｅ2−Ｅ1｜に対する反射光量Ｏの変化量｜Ｏ2−Ｏ1｜の
比｜Ｅ2−Ｅ1｜／｜Ｏ2−Ｏ1｜がＥ／Ｏゲインである。
このＥ／Ｏゲインは、先に説明したモジュレータ欠陥部
と正常部とで異なった値となる。

【００２６】実際にＥ／Ｏゲインを求める場合、電圧印
加装置Ｃは、液晶駆動基板Ａ’の各画素電極２を接地状
態とし、モジュレータＢの薄膜透明電極１１に電圧Ｅ1
を印加する。同時に、この電圧Ｅ1は、画像処理装置Ｆ
の内部メモリに記憶される。そして、画像処理装置Ｆ
は、ＣＣＤカメラＥが出力する反射光量Ｏ1を対応した
電圧ＥO1を各画素電極２毎に内部のメモリに記憶する。
ここで、画像処理装置Ｆは、画素マップ・データＲが示
す各画素電極２のアドレスに対応させて電圧ＥO1を内部
メモリに記憶する。

【００２７】次に、電圧印加装置Ｃは、薄膜透明電極１
１に電圧Ｅ2を印加し、画像処理装置Ｆは、このときの
反射光量Ｏ2に対応する電圧ＥO2、および電圧Ｅ2を内部
メモリに記憶する。画像処理装置Ｆは、このようにして
記憶した電圧Ｅ1、Ｅ2および反射光量Ｏ1、Ｏ2にそれぞ
れ対応した電圧ＥO1、ＥO2に基づいてＥ／Ｏゲインを求
め、これをＥ／Ｏゲイン・データＸとして内部メモリに
記憶する。このＥ／Ｏゲイン・データＸは、以下に説明
するステップＳ4のイメージ電圧の取得において、各画
素電極２毎に求められた反射光量からイメージ電圧を算
出するときに使われる。

【００２８】〔ステップＳ4〕基板電圧印加 次に、電圧印加装置Ｃは、モジュレータＢの薄膜透明電
極１１にバイアス電圧Ｅ0を印加し、ショーティングバ
ー５ａ、５ｂ、７ａ、７ｂには、以下に示すようなパタ
ーンの電圧を順次印加する。 （ａ）ショーティングバー７ａ、７ｂに正電圧（各ＴＦ
Ｔ３のゲート端子電圧）を印加し、ショーティングバー
５ａ、５ｂに電圧Ｅx（各ＴＦＴ３のソース端子電圧）
を印加する。 （ｂ）ショーティングバー７ａ、７ｂを接地し、ショー
ティングバー５ａ、５ｂに電圧Ｅxを印加する。 （ｃ）ショーティングバー７ａ、７ｂに正電圧を印加
し、ショーティングバー５ａ、５ｂを接地する。

【００２９】〔ステップＳ5〕イメージ電圧の取得 上記電圧印加パターン毎に、モジュレータＢの反射光量
に対応したＣＣＤカメラＥの出力電圧が画像処理回路Ｆ
に取り込まれる。例えば、上記（ａ）の電圧印加パター
ンにおいて、画素電極２に電圧Ｅxが印加されたとき、
この画素電極２に対向するモジュレータＢの反射光量
は、反射光量Ｏxとなる。しかし、列配線４ａが点ｘに
おいて断線している画素電極２においては、左側の一列
の画素電極２には電圧得Ｅxが印加されないため、この
部分に対向するモジュレータＢの反射光量は、反射光量
Ｏxになり得ず、他の部分に比較して低い反射光量とな
る。

【００３０】また、上記（ｂ）の電圧印加パターンにお
いて、列配線４ａの点ｘと点ｙとが短絡している場合、
左上端の画素電極２のみに電圧Ｅxが印加され、この部
分のモジュレータＢの反射光量は、反射光量Ｏxとな
る。この場合、他の画素電極２は、反射光量Ｏxになり
得ず、低い反射光量となる。さらに、上記（ｃ）の電圧
印加パターンにおいて、点ｙと点ｚとが短絡している場
合、上記と同様に左上端の画素電極２のみに電圧Ｅxが
印加され、この部分のモジュレータＢの反射光量は、反
射光量Ｏxとなる。

【００３１】このように、モジュレータＢの反射光量
は、画素電極２への電圧の印加状態を反映した反射光量
となる。画像処理装置Ｆは、この反射光量に応じて変化
するＣＣＤカメラＥの出力電圧を、先に記憶されたＥ／
Ｏゲイン・データＸを用いてイメージ電圧Ｅyに変換
し、これを内部メモリに記憶する。

【００３２】ここで、各画素電極２について３ポイント
のイメージ電圧Ｅyが算出され、それらは所定の重み係
数によって加重平均され、その結果が該当する画素電極
２のイメージ電圧Ｅyとして記憶される。図７は、１つ
の画素電極２を拡大して示した図である。この図におい
て、画素マップ・データＲによって示される画素の中心
座標のイメージ電圧Ｅy0と、垂直方向にそれぞれ上下に
距離ｒだけ離れた座標のイメージ電圧Ｅy1，Ｅy2が求め
られ、以下に示す計算式によってこの画素のイメージ電
圧Ｅyが算出される。 Ｅy＝（Ｋ1・Ｅy1＋Ｋ2・Ｅy2＋Ｋ3・Ｅy0）／（Ｋ1＋Ｋ2＋Ｋ3） ‥‥（１） ただし、Ｋ1、Ｋ2、Ｋ3は重み係数である。また、液晶
駆動基板Ａ’の端に位置する画素のイメージ電圧Ｅy
は、他の画素のイメージ電圧Ｅyに対して低く検出され
る傾向がある。このことを考慮して、一番端に位置する
画素において、距離ｒは、他の画素の場合に対して多少
の補正が加えられる。

【００３３】〔ステップＳ6〕２値化 各々の画素電極２について算出されたイメージ電圧Ｅy
は、ステップＳ4において各々の画素電極２に印加され
た電圧と比較され、その差が所定のしきい値Ｓに対して
大きいか否かによって２値化される。例えば、｜Ｅx−
Ｅy｜＜Ｓである場合、その画素電極２は、正常画素で
あるとして”０”に対応させ、｜Ｅx−Ｅy｜≧Ｓである
場合、欠陥画素であるととして”１”に対応させる。こ
のようにして、画像処理装置Ｆは、画素電極２毎に欠陥
画素と正常画素とを対応させた欠陥画素データＴを作成
する。

【００３４】〔ステップＳ7〕欠陥判定 ここでは、液晶駆動基板Ａ’の良否を判定し、その結果
をモニタＧに表示して検査を終了する。または、欠陥画
素数と同時に液晶駆動基板Ａ’の欠陥画素の分布を画像
としてモニタＧに表示し、操作員が欠陥画素数とその分
布状態から液晶駆動基板Ａ’の良否を判定することも可
能である。

【００３５】なお、本発明による液晶駆動基板の検査方
法は、上記実施例に限定されるものではなく、以下のよ
うな検査方法も本発明の範囲に属する。 （１）上記実施例では、水平方向の各列および垂直方向
の各行の画素電極の列配線及び行配線が、一列あるいは
一行おきに別系統のショーティングバーに接続された液
晶駆動基板の検査方法を説明した。しかし、ショーティ
ングバーと列配線及び行配線との接続関係は、上記実施
例に示すような構成のみではない。例えば、水平方向及
び垂直方向について各々２列おきに別系統のショーティ
ングバーに接続されているような液晶駆動基板の場合に
おいては、別の電圧印加パターンを用いることによっ
て、画素の中心座標を検出して液晶駆動基板に生じる欠
陥画素を判定することが可能である。

【００３６】（２）上記実施例では、水平方向に行配線
が共通で、垂直方向に列配線が共通な液晶駆動基板の検
査方法について説明した。しかし、水平方向に列配線が
共通で、垂直方向に行配線が共通な液晶駆動基板の場合
においても、同様な方法で液晶駆動基板の検査を行うこ
とが可能である。

【００３７】（３）上記実施例では、１つの画素につい
て、垂直方向に３点をピックアップして当該画素のイメ
ージ電圧を取得した。しかし、画素の形状に応じて水平
方向に３点をピックアップして当該画素のイメージ電圧
を取得することによって、上記検査を行うことが可能で
ある。

【００３８】

【発明の効果】本発明による液晶駆動基板の検査方法
は、以下のような効果を奏する。 （１）モジュレータの透明電極と液晶駆動基板の各画素
電極との間に所定のパターンの電圧を印加し、この電圧
印加時における前記モジュレータの各部の光の反射状態
を測定することによって各画素電極の位置を検出するの
で、正確に欠陥画素の位置を検出することが可能であ
る。また、これにより、信頼性の高い検査が実現される
ため、生産される液晶駆動基板の信頼性が向上する。 （２）また、これによって、液晶検査装置に被検査物で
ある液晶駆動基板を装着する場合、液晶駆動基板を高精
度に位置決めをする必要がなくなる。これにより、検査
装置における液晶駆動基板の装着機構の機械精度をある
程度緩めることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶駆動基板の検査方法の一例を
示すフローチャートである。

【図２】本発明の液晶駆動基板の検査方法において用い
る液晶駆動基板の一例を示す正面図である。

【図３】本発明の液晶駆動基板の検査方法において、液
晶駆動基板への電圧印加パターンの一例を示す図であ
る。

【図４】本発明の液晶駆動基板の検査方法における画素
マップの生成方法を説明する第１の図である。

【図５】本発明の液晶駆動基板の検査方法における画素
マップの生成方法を説明する第２の図である。

【図６】本発明および従来のモジュレータの電気光学特
性の一例を示す図である。

【図７】本発明の液晶駆動基板の検査方法におけるイメ
ージ電圧の取得方法を説明する図である。

【図８】ＴＦＴタイプのアクティブマトリックス方式の
液晶駆動基板の一構成例を示す正面図である。

【図９】本発明および従来の液晶駆動基板の検査装置の
主要部の一構成例を示すものである。

【符号の説明】

Ａ’ 液晶駆動基板 １ ガラス基板 ２ 画素電極 ３ ＴＦＴ ４ａ、４ｂ 列配線 ５ａ、５ｂ、７ａ、７ｂ ショーティングバー ６ａ、６ｂ 行配線 Ｂ モジュレータ １０ 液晶シート １１ 薄膜透明電極 １２ 半導体反射膜 Ｃ 電圧印加装置 Ｄ ハロゲンランプ Ｅ ＣＣＤカメラ Ｆ 画像処理装置 Ｇ モニタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 睦 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 坂本 勧 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 梶 克広 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 ロン チュー 東京都港区浜松町２−１−16 ＳＶＡＸ浜 松町第２ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内 (72)発明者 マイク ミラー 東京都港区浜松町２−１−16 ＳＶＡＸ浜 松町第２ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶に電界を与えるための複数の画素電
   極と、これらの各画素電極に駆動電圧を印加するための
   回路とが形成されてなる液晶駆動基板を、表面に透明電
   極が形成され、かつ、電界強度に依存して光の反射率が
   変化する液晶シートを有するモジュレータを使用して検
   査する液晶駆動基板の検査方法において、 ａ．前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
   ートが挟まれるように、前記モジュレータと、検査しよ
   うとする前記液晶駆動基板とを対面配置し、 ｂ．前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
   各画素電極との間に所定のパターンの電圧を印加すると
   共に、この電圧印加時における前記モジュレータの各部
   の光の反射状態を測定し、 ｃ．前記各画素電極に印加される電圧のパターンと前記
   モジュレータの各部の光の反射状態とに基づいて前記各
   画素電極の位置を求め、 ｄ．前記モジュレータの各部の光の反射状態と前記各画
   素電極の位置とに基づいて、前記液晶駆動基板の欠陥箇
   所を検出する、 ことを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
2. 【請求項２】 上記ｂの電圧印加において、各々の画素
   電極に印加される所定の電圧が、第１の電圧と第２の電
   圧とが交互に並ぶように電圧を印加する、 ことを特徴とする請求項１記載の液晶駆動基板の検査方
   法。