JPH08233559A - 配線基板の検査装置 - Google Patents
配線基板の検査装置Info
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Abstract
ース信号配線には、信号供給手段17から、枠体14の
端子を介して高周波信号が印加される。基板部材12の
走査配線には、電圧の絶対値が高周波信号の電圧振幅よ
りも大きく、電圧極性が正である信号が印加される。信
号が印加された状態の基板部材12の赤外線画像を撮像
手段15で撮像する。画像処理手段16では、撮像手段
15から与えられた画像データから、赤外線の放射量に
応じてコントラストの変化する赤外線画像を形成し、前
記赤外線画像を配線パターンの等しいサイズの複数の領
域に分割する。制御手段18では、分割された各領域の
画像を、それぞれ隣接する複数の領域の画像と比較し
て、相違点を検出する。相違点が検出された場合、その
領域には欠陥があると判断する。
Description
に用いられるアクティブマトリクス基板のように、同一
の配線パターンが繰返して形成された配線基板の配線の
欠陥を検出するために好適に実施される、配線基板の検
査装置に関する。
るマトリクス形表示を行う液晶表示装置は、マトリクス
状に配列された複数の絵素の表示媒体である液晶層など
が、複数の絵素電極および当該絵素電極に対向する対向
電極がそれぞれ形成された一対の基板部材間に挟持され
た構成を有する。
ブマトリクス駆動方式が挙げられる。本駆動方式では、
前記絵素電極を各絵素毎に独立した電極で構成し、この
絵素電極にスイッチング素子をそれぞれ設け、スイッチ
ング素子を制御して、各絵素を独立して制御する。スイ
ッチング素子は、絵素電極と、各絵素電極に与えられる
信号を伝送する配線との間に接続され、絵素毎に個別的
に信号を供給/遮断する。アクティブマトリクス駆動方
式を用いた表示装置は、当該駆動方式と異なる表示装置
と比較して、コントラストの高い表示を行うことができ
る。スイッチング素子にはたとえば薄膜トランジスタ
(Thin Film Transistor;以下、「TFT」と称する)
などの三端子素子、または二端子素子などが用いられ
る。
た複数の絵素の状態を、表示面から出射される光の有無
に対応した、たとえば白色/黒色表示のどちらかにそれ
ぞれ切換えることによって、表示画面上に画像パターン
を形成する。各絵素は、前記電極に印加する電圧の大き
さなどを変化させて、電極間に挟持されている表示媒体
の状態を変化させ、表示媒体の光学的性質を変化させる
ことによって、たとえば液晶であれば、液晶分子の配列
状態を変化させて旋光性の有無を切換えることによっ
て、表示面上の白色/黒色表示を切換えている。このよ
うな、アクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶表示
装置は、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピ
ュータの端末装置の表示装置などに用いられている。
極およびスイッチング素子などが形成された一方基板部
材であるアクティブマトリクス基板と、対向電極やカラ
ーフィルタが形成された他方基板部材であるカラーフィ
ルタ基板とを有する。液晶表示装置は、前記2枚の基板
を間隔をあけて貼合わせ、間隙に液晶材料を注入して液
晶層を形成した後に、周辺回路部品を実装して完成す
る。
造工程、一対の基板を貼合わせる工程、基板間に液晶材
料を注入する工程、および周辺回路部品を実装する工程
などがある。液晶材料を注入する工程と周辺回路部品を
実装する実装工程との間において、液晶表示装置が良好
な表示を行うことができるかどうかを調べる表示検査を
行う検査工程がある。
程において、基板上の配線の断線や短絡などの欠陥が生
じることがある。当該欠陥は液晶表示装置の表示欠陥の
原因となる。液晶表示装置の表示欠陥などの不良を減少
させるためには、前述した液晶材料を注入する工程以前
に、アクティブマトリクス基板の欠陥を検出する必要が
ある。
基板の検査装置の簡略化した構成図である。検査される
基板1は載置台2の上に載置される。基板1の上部に
は、枠体3が載置される。枠体3の底面(基板1との当
接面)には信号供給手段7の複数の端子が設けられてお
り、これらの端子と基板1の周囲に配置されている複数
の配線の端子とが、枠体3を基板1に押付けることによ
って電気的に接続される。これによって基板1の各配線
には、信号供給手段7から検査用信号が印加される。載
置台2の上方には、基板1の表面から放射される赤外線
を検出して赤外線画像を形成するカメラ4が設けられ
る。カメラ4で撮像された画像は画像処理手段5によっ
て、たとえば赤外線の放射量に応じた白黒画面に画像処
理され、制御手段6に与えられる。
信号を印加しない状態で、基板1の配線パターンを撮像
する。図7(1)の参照符8に示す画像は前記配線に検
査用信号を印加しない状態で撮像したアクティブマトリ
クス基板の赤外線画像である。次いで、基板1の各配線
にそれぞれ検査用信号を印加して、この状態で基板1の
配線パターンを撮像する。印加する信号は、たとえば液
晶表示装置の駆動信号を用いる。図7(2)の参照符9
に示す画像は、配線に電圧を印加した状態で撮像したア
クティブマトリクス基板の赤外線画像である。画像8と
画像9とは同じ領域を撮像した画像である。画像8およ
び画像9の斜線部分は、白色部分と比較して放射される
赤外線が少なく、画像内でたとえば黒く写る、コントラ
ストの違う部分を示す。
イッチング素子の動作不良などの欠陥が生じていると、
欠陥が生じた箇所は電流集中が生じてジュール熱を発
し、放射する赤外線が強くなる領域となる。信号を印加
しない状態の画像8と信号を印加した状態の画像9を比
較すると、画像9には画像8には見られない赤外線を強
く発する部分10が生じていることが判る。したがっ
て、画像8と画像9とを比較して、画像のパターンの違
いを検出することによって、アクティブマトリクス基板
の欠陥を発見することができる。
表示装置の製造工程において、表示欠陥などを生じた不
良品の発生および流出を防止し、コストの削減を図るに
は、不良の原因の1つであるアクティブマトリクス基板
の欠陥を、液晶層形成前、たとえば当該基板の製造工程
内で検知することが望ましい。このためには当該基板の
製造工程内で、容易に検査を行うことができる検査装置
の開発が求められている。
査するために、少なくとも基板上の配線に検査用信号を
印加した状態の画像と、配線に検査用信号を印加しない
状態の画像の2枚の画像を撮像する必要がある。これに
よって検査時間が長くなるという問題がある。
画像と信号を印加しない状態の画像とのパターンを比較
して行う。短絡など程度の大きい欠陥箇所は、信号を印
加した状態で極度の電流集中が発生し、欠陥がない場合
に放射する赤外線よりも多く赤外線を放射する。したが
って、前記欠陥箇所は、信号を印加した状態の画像で
は、信号を印加しない状態の画像と比較して、周囲の部
分との階調の差が大きくなる。これによって、欠陥を検
出することは容易である。
が微小であるような、程度の小さな欠陥箇所は、赤外線
の増加が少ない。欠陥箇所は、信号を印加しない状態に
おいても、赤外線の放射量は小量の変化が生じている。
欠陥の程度が小さい場合、前記2つの画像の比較して
も、該当する領域の階調パターンに大きな違いが生じな
いので、検知することが難しい。したがって、基板内の
微小な欠陥について充分な感度が得られず、欠陥検出の
精度が低下するという問題がある。
欠陥検出の精度を上げることができる配線基板の検査装
置を提供することである。
ターンが繰返して形成された配線基板の検査装置におい
て、配線基板を載置する載置台と、前記配線基板の各配
線に検査用信号を与える信号供給手段と、前記載置台の
上方に設置され、載置された前記配線基板の赤外線画像
を撮像する撮像手段と、前記撮像手段の出力に応答し、
撮像された赤外線画像を予め定められた大きさの領域に
分割する画像処理手段と、前記画像処理手段の出力に応
答し、分割された任意の領域の赤外線画像を隣接する複
数の領域の赤外線画像と比較し、画像の相違点を検知す
る検知手段と、前記検知手段の出力に応答し、前記任意
の領域内の欠陥の有無を判定する判定手段とを含むこと
を特徴とする配線基板の検査装置である。また本発明
は、前記配線基板は、絶縁性基板上に互いに平行に間隔
をあけて配置される複数の走査配線と、走査配線と直交
して間隔をあけて配置される複数の信号配線と、走査配
線と信号配線とが交差することによって形成される矩形
の絵素領域にそれぞれ配置される絵素電極と、絵素電極
にそれぞれ配置され、各配線と絵素電極とを接続するス
イッチング素子とを備えることを特徴とする。また本発
明は、前記信号供給手段は、信号配線に、前記信号配線
の寄生容量と抵抗値とを乗算した時定数よりも長い周期
で、電圧の極性が反転する信号を与え、走査配線には、
電圧の絶対値が前記信号配線に与えられる信号の電圧振
幅よりも大きく、電圧の極性が常に正である信号を与え
ることを特徴とする。また本発明は、前記配線基板は、
走査配線と平行に配設されるコモン信号配線と、コモン
信号配線上に絶縁層を介して設けられ、絵素電極とそれ
ぞれ接続される補助容量電極とを含み、前記信号供給手
段は、信号配線に、前記信号配線の寄生容量と抵抗値と
を乗算した時定数よりも長い周期で、電圧の極性が反転
する信号を与え、走査配線には、電圧の絶対値が前記信
号配線に与えられる信号の電圧振幅よりも大きく、電圧
の極性が常に正である信号を与え、コモン信号配線に
は、電圧の絶対値が前記信号配線に与えられる信号の電
圧振幅よりも大きく、電圧の極性が常に負である信号を
与えることを特徴とする。
る配線基板は、同一の配線パターンが繰返し形成される
基板、たとえばアクティブマトリクス基板である。前記
配線基板は、絶縁性基板上に、互いに平行に間隔をあけ
て配置される複数の走査配線と、前記走査配線と直交し
て、間隔をあけて配設される複数の信号配線とを有し、
走査配線と信号配線とが交差する所定の領域に絵素電極
が配置される。絵素電極と走査配線および信号配線とは
スイッチング素子を介して接続されている。
各配線に信号供給手段から検査用信号を与えた状態で載
置台上方に設置された撮像手段によって、前記基板の赤
外線画像を撮像する。撮像された赤外線画像は、画像処
理手段によって、予め定められた大きさの領域に分割さ
れる。分割された領域のうち任意の領域の赤外線画像
を、隣接する複数の領域の赤外線画像と比較し、画像の
コントラストの差異など、画像の相違点を検知手段によ
って検知する。画像に相違点が生じていた場合、その任
意の領域には欠陥が存在すると判定する。
た、信号を印加しない状態の配線基板の赤外線画像を必
要としない。したがって撮像する赤外線画像はたとえば
1枚ですむので、撮像時間を短縮することができる。ま
た欠陥が生じている配線を含む領域の赤外線画像を、欠
陥のない配線を含む別の領域の赤外線画像と比較するこ
とになるので、微妙な電流集中などによって生じる輝点
などが検出しやすく、微小な欠陥が発見しやすい。
は、前記配線基板の信号配線に、前記信号配線の時定数
よりも長い周期で電圧の極性が反転する、たとえば高周
波の信号を与える。これによって、配線や絵素電極など
に充放電電流が多く流れ、欠陥部分に生じた電流集中に
よって放射される赤外線の放射量が増加する。また微小
な欠陥に応じて、赤外線画像のコントラストが大きく変
化する。また走査配線には、電圧の絶対値が信号配線に
与えられる信号の電圧振幅より大きく、電圧の極性が常
に正である信号が与えられる。このように走査配線と信
号配線に与えられる信号を選ぶと、配線の短絡や断線、
スイッチング素子の動作不良など、多くの欠陥を同時に
明確に検出することができる。
設されるコモン信号配線と、コモン信号配線上に絶縁層
を介して設けられ、絵素電極とそれぞれ接続される補助
容量電極とが設けられ、コモン信号配線と補助容量電極
間に補助容量が形成される。この場合、コモン信号配線
には、電圧の絶対値が信号配線に与えられる信号の電圧
振幅よりも大きく、電圧の極性が常に負である信号を与
える。これによって、コモン信号配線を含む配線基板の
欠陥を、明確に検出することができる。
査装置11の簡略化した構成図である。検査すべき基板
部材12は、載置台13上に載置され、その上に枠体1
4が載置される。枠体14の底面(基板部材12との当
接面)には、信号供給手段17に接続された複数の端子
が設けられ、この信号供給手段17から後述する検査用
信号が与えられている。枠体14の端子は、基板部材1
2の周囲に設けられる、後述する複数の配線の端子に押
付けられて接触する。前記配線には、信号供給手段17
から枠体14の端子を介して予め定められた検査用信号
が与えられる。
され、検査用信号が印加された状態の基板部材12の赤
外線画像を撮像する。撮像手段15は、たとえば基板部
材12表面から放射される赤外線を捕らえて赤外線画像
を形成する赤外線カメラで実現される。撮像手段15で
撮像された赤外線画像の画像データは、たとえばアナロ
グ/デジタル変換回路を介して画像処理手段16に与え
られる。
ら、基板部材12から放出された赤外線の放射量に応じ
て画像コントラストを決定し、たとえば256階調のグ
レースケール画像である赤外線画像21を形成する。た
とえば、基板部材12表面の任意の点から放出される赤
外線の放射量が増加するほど、画像の色が白に近付くよ
うな画像が形成される。次いで、前記画像21を図2
(1)に示すように、予め定められた大きさの領域22
に分割する。領域22の大きさは、基板部材12に形成
される配線の繰り返しパターンのピッチに基づいて、欠
陥がなければ各領域毎に同じパターンが形成されるよう
に決定される。1つの領域22の大きさは、たとえば1
絵素と同等の大きさに設定される。図2(2)は、たと
えば基板部材12中央部に位置する領域である、領域2
2aの赤外線画像である。斜線部分は白色部分とはコン
トラストの違う部分を示す。画像処理手段16で処理さ
れた画像は制御手段18に与えられる。
該領域に隣接する複数の領域の画像とを比較して、画像
パターンの違いを検出する。たとえば中央部の領域22
aであれば、周囲の8個の領域22b,22cと比較す
る。画像に相違点がある場合は、その領域に撮像された
配線に欠陥があると判定する。制御手段18は、検知手
段と判定手段を含んで構成される。
ッチング素子にTFTを用いたアクティブマトリクス基
板で実現される。この基板部材12は、絶縁性基板31
上に、それぞれ複数の走査配線32、ソース信号配線3
3、絵素電極34およびTFT35を含んで形成され
る。複数の走査配線32は、互いに間隔をあけて平行に
設けられ、TFT35のゲート電極35aと接続され
る。ソース信号配線33は、走査配線32と直交し、互
いに間隔をあけて平行に設けられ、TFT35のソース
電極35bと接続される。絵素電極34は、走査配線3
2とソース信号配線33とに囲まれた矩形の絵素領域に
設けられ、TFT35のドレイン電極35cと接続され
る。これによって絵素電極34は各配線32,33とT
FT35を介して接続されている。走査配線32上に
は、絵素電極34の一部分である補助容量電極が絶縁体
を介して重畳され、走査配線32と補助容量電極との間
に補助容量36が形成されている。
37に示すような矩形波のソース信号が印加されてい
る。ソース信号は、ソース信号の周期W0の半分である
期間W1で信号の電圧の極性が反転する信号である。前
記期間W1は、ソース信号配線33の時定数よりも大き
い値に選ばれる。時定数は、ソース信号配線33の抵抗
値と、ソース信号配線33の寄生容量とを乗算して求め
られる。ソース信号配線33の寄生容量は、たとえばソ
ース信号配線33と走査配線32とが交差している箇所
に生じる容量や、ソース信号配線33に接続されている
TFT35などが有する容量などの総和である。前記寄
生容量は基板部材12の構造から、あらかじめ計算で求
めることができる。
数よりも大きくすることによって、ソース信号をなまり
なく伝送することができる。たとえば、ソース信号配線
33の抵抗値が50kΩ、寄生容量が80pFであれ
ば、時定数は4.0μsecである。この場合、たとえ
ば期間W1の2倍であるソース信号の周期は60μse
cに選ばれる。また前記ソース信号の電圧振幅V1は、
液晶表示装置の駆動電圧に近い値に設定される。たとえ
ばソース信号であれば5Vとする。
す、電圧が一定の走査信号が印加される。走査信号は、
電圧の絶対値がソース信号の電圧振幅V1よりも大き
く、電圧の極性がたとえば正である信号、すなわちTF
T35をオン状態にする信号である。走査信号の電圧値
は、液晶表示装置の駆動電圧に近い値に設定される。た
とえば、走査信号として、電圧が15Vの定常信号が印
加される。
加し、ソース信号配線33に高周波信号を印加すると、
ソース信号配線33に充放電電流が流れる。走査配線3
2とソース信号配線33との間に短絡が生じている場合
は、予め印加した各信号の電圧値によって走査配線32
とソース信号配線33との間に電位差が生じているの
で、短絡した部分に電流が流れ、ジュール熱を生じる。
またTFT35はオン状態であるので、絵素電極34に
高周波信号が入力されている。したがって絵素電極34
と両配線32,33との間に短絡が生じている場合にも
同様に、短絡部分にジュール熱を生じる。したがって、
欠陥を有する配線を含む領域22の赤外線画像には、図
2(2)の参照符40で示すように、短絡部分が白く映
っている。
て、赤外線を強く発しているので、短絡を生じた部分を
含む領域の画像と隣接する周囲の複数の領域の画像と比
較する。たとえば、図2の角隅部の領域22cであれば
隣接する3領域、中央部の領域22aであれば周囲を取
囲む8領域の、3〜8領域の画像とを比較する。隣接す
る複数の領域は、すべて同一箇所に欠陥を持つことは殆
どありえないので、2つの画像において短絡部分のコン
トラストが異なり、画像パターンが変化する。したがっ
てこの画像パターンの違いを検出することによって、領
域内に生じた短絡を検知することができる。
いる場合、断線部分から信号伝達方向下流側の配線に
は、ソース信号が印加されない。したがって断線部分か
ら信号伝達方向下流側の配線は、充放電電流に起因する
赤外線を発しない。したがって断線したソース信号配線
33を含む画像は、隣接する複数の領域の画像と比較し
て、断線した配線部分のコントラストが異なり、画像パ
ターンが変化する。この画像パターンの違いを検出する
ことによって、断線箇所を検知することができる。走査
配線の断線を検知する際には、ソース信号と同様の信号
を走査配線に印加して、同じように画像を比較すればよ
い。
ース信号が印加される。TFT35内にも充放電電流が
流れており、ジュール熱を発している。TFT35に動
作不良が生じて、たとえばオン状態であるべきにも拘わ
らずオフ状態のままである場合には、当該TFT35を
含む赤外線画像は、正常に動作しているTFT35を含
む画像と比較して、TFT35部分のコントラストが異
なる。このコントラストの違いを検出することによって
TFT35の動作不良を検出することができる。
作不良などを生じた配線を含む領域の赤外線画像を、隣
接する他の複数の領域の赤外線画像と比較し、画像パタ
ーンやコントラストの相違点を検出することによって、
基板部材12の絵素に生じた欠陥を検知することができ
る。
示すアクティブマトリクス基板が挙げられる。図5の基
板部材12aは、図3の基板部材12に類似の構成を有
し、同一の構成には同一の符号を付して説明は省略す
る。本例では、絵素電極34の一部分である補助容量電
極が、走査配線32と平行して配設されるコモン信号配
線41上に絶縁体を介して重畳され、補助容量36が形
成される。この基板部材12aを、図1の検査装置で検
査する場合には、走査配線32、ソース信号配線33と
ともに、コモン信号配線41に検査用信号であるコモン
信号を印加すると、本実施例と同様に欠陥を検知するこ
とができる。コモン信号は、図4の実線39に示すよう
に、電圧の絶対値がソース信号の電圧振幅V1よりも大
きく、電圧の極性が負極性であるように選ばれる。たと
えば、コモン信号として、電圧が−10Vの定常信号が
印加される。
を生じている箇所の画像のコントラストと、別の領域の
欠陥を生じていない同一箇所の画像のコントラストとを
比較して欠陥を検知する。欠陥の程度が小さく電流集中
が微小である場合も、微小な抵抗値の変化などにも応じ
て、従来技術の検査装置を用いた場合と比較して、赤外
線の放射量が大きく変化する。これによって、画像には
周囲とコントラストの異なる部分が生じる。比較対象の
画像の同一位置には、このコントラストの異なる部分が
生じていないので、2つの画像を比較すると、この部分
が画像パターンの相違点として検出される。従来技術で
は、比較する画像が同一の領域を撮像した画像であるの
で、2つの画像のどちらにも、コントラストの異なる部
分が生じている。このため、周囲とのコントラストの差
が小さい場合は、2つの画像の相違点が検出しにくい。
したがって、従来技術と比較して、基板部材12面内の
微妙な電流集中の変化に対する感度が充分に得られる。
したがって、欠陥検出の精度を向上させることができ
る。
ち、少なくともいずれか1種類の配線に印加する信号を
高周波信号にすることによって、大きな充放電電流が流
れる。ジュール熱は電流値の2乗と抵抗値とに比例して
大きくなるので、電流が流れる部分から放射される赤外
線の放射量は従来技術と比較して多くなる。これによっ
て、撮像される赤外線画像のコントラスト差が大きく、
画像全体が明確になる。また、微小な抵抗値の変化など
にも応じて、コントラストが大きく変化するので、欠陥
をより顕著に検知することができる。
域とその周囲に隣接した8つの領域とを比較する場合
に、検査すべき領域に1つ欠陥があり、周囲の或る1つ
の領域に検査する領域と異なる欠陥が生じている場合が
考えられる。このとき、検査すべき領域と周囲の正常な
領域とを比較すると、相違点は1つであるけれども、検
査すべき領域と欠陥のある領域とを比較すると相違点は
2つ生じる。このとき相違点を2つ生じた画像の組合せ
が表れる確率は1/8であり、相違点を1つだけ生じる
画像の組合せが表れる確率は7/8である。画像の相違
点の有無から欠陥の有無を判定する場合は、このように
異なる画像の組合せが表れる確率をそれぞれ算出する
と、前記隣接する領域にも欠陥が生じていることを判別
することができる。またこの確率を判断する場合には、
判別する閾値を上げることによって、検査すべき領域が
周囲の画像と相違点を有し、かつ周囲の領域の画像内に
おいて相違点の数などが異なる画像の組合せが存在する
という結果を無視し、単に相違点が生じているという結
果だけを得ることもできる。
(Metal-Insulator-Matal)素子などの二端子素子を用い
たアクティブマトリクス基板の欠陥を検出する検査にお
いて好適に実施することができる。さらにまた、メモリ
素子など、同一の配線パターンが繰返される一般的な配
線基板の欠陥を検出する検査において、好適に実施する
ことができる。
の欠陥を検査する検査装置において、基板の各配線に検
査用信号を与えた状態で赤外線画像を撮像し、この赤外
線画像を複数の領域に分割して、各領域の画像を隣接す
る複数の領域の画像と比較することによって、画像の相
違点を検知し、欠陥の有無を判定する。これによって、
検査用信号を印加した状態の基板の赤外線画像だけを撮
像すればよいので、撮像時間を短縮することができる。
したがって、検査時間を大幅に短縮することができる。
クス基板で実現される。前記基板の信号配線には、信号
配線の時定数よりも長い周期で電圧の極性が反転する高
周波信号を与え、走査配線および補助容量を形成するた
めのコモン信号配線には、信号配線に与えられる信号よ
りも電圧の絶対値が大きい信号が与えられる。かつ信号
配線に与えられる信号の電圧極性は正である。コモン信
号配線に与えられる信号の電圧極性は負である。これに
よって配線および電極に充放電電流が多く流れ、微小な
欠陥などに応じて赤外線画像のコントラストが大きく変
化する。これによって、基板面内の微小な欠陥を検出す
ることができ、欠陥検出の精度を向上させることができ
る。
簡略化した構成図である。
12の赤外線画像を示す図である。
線に与えられる検査用信号を示す波形図である。
2aを示す部分平面図である。
成図である。
外線画像を示す図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 同一の配線パターンが繰返して形成され
た配線基板の検査装置において、 配線基板を載置する載置台と、 前記配線基板の各配線に検査用信号を与える信号供給手
段と、 前記載置台の上方に設置され、載置された前記配線基板
の赤外線画像を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段の出力に応答し、撮像された赤外線画像を
予め定められた大きさの領域に分割する画像処理手段
と、 前記画像処理手段の出力に応答し、分割された任意の領
域の赤外線画像を隣接する複数の領域の赤外線画像と比
較し、画像の相違点を検知する検知手段と、 前記検知手段の出力に応答し、前記任意の領域内の欠陥
の有無を判定する判定手段とを含むことを特徴とする配
線基板の検査装置。 - 【請求項2】 前記配線基板は、 絶縁性基板上に互いに平行に間隔をあけて配置される複
数の走査配線と、 走査配線と直交して間隔をあけて配置される複数の信号
配線と、 走査配線と信号配線とが交差することによって形成され
る矩形の絵素領域にそれぞれ配置される絵素電極と、 絵素電極にそれぞれ配置され、各配線と絵素電極とを接
続するスイッチング素子とを備えることを特徴とする請
求項1記載の配線基板の検査装置。 - 【請求項3】 前記信号供給手段は、信号配線に、前記
信号配線の寄生容量と抵抗値とを乗算した時定数よりも
長い周期で、電圧の極性が反転する信号を与え、 走査配線には、電圧の絶対値が前記信号配線に与えられ
る信号の電圧振幅よりも大きく、電圧の極性が常に正で
ある信号を与えることを特徴とする請求項2記載の配線
基板の検査装置。 - 【請求項4】 前記配線基板は、走査配線と平行に配設
されるコモン信号配線と、 コモン信号配線上に絶縁層を介して設けられ、絵素電極
とそれぞれ接続される補助容量電極とを含み、 前記信号供給手段は、信号配線に、前記信号配線の寄生
容量と抵抗値とを乗算した時定数よりも長い周期で、電
圧の極性が反転する信号を与え、 走査配線には、電圧の絶対値が前記信号配線に与えられ
る信号の電圧振幅よりも大きく、電圧の極性が常に正で
ある信号を与え、 コモン信号配線には、電圧の絶対値が前記信号配線に与
えられる信号の電圧振幅よりも大きく、電圧の極性が常
に負である信号を与えることを特徴とする請求項2記載
の配線基板の検査装置。
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