JP5990016B2 - 断面加工観察装置 - Google Patents
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Description
本発明に係る断面加工観察装置は、試料を載置する試料台と、試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、集束イオンビームの照射により試料から放出される荷電粒子を検出する荷電粒子検出器と、集束イオンビームによるスライス加工と加工で形成された断面から放出される荷電粒子による観察像取得とからなるプロセスを繰り返し実行させる制御部と、を有し、制御部は、観察像を複数のエリアに分割し、複数のエリアのうち一つのエリアの画像と、プロセスで取得した他の断面の観察像の前記一つのエリアに対応するエリアの画像との間で変化が生じた場合、プロセスを終了させる。
本実施形態の断面加工観察装置は、図1に示すように、FIB鏡筒2と、試料室3を備えている。試料室3内に収容された試料7にFIB鏡筒2からイオンビーム9を照射する。
次にプロセスの終点検出について説明する。制御部11は、像形成部14で形成された観察像について次の処理を施し、終点を検出した場合、プロセスを終了させる。
本実施形態の断面加工観察装置は、上記の断面加工観察装置に加えて、図7に示すように試料7に電子ビーム8を照射するEB鏡筒1を備える。
2…FIB鏡筒
3…試料室
4…二次電子検出器
5…反射電子検出器
6…試料台
7…試料
7a…表面
7b、7c…断面
8…電子ビーム
9、9a、9b…イオンビーム
10…入力部
11…制御部
12…EB制御部
13…FIB制御部
14…像形成部
16…試料台制御部
17…表示部
31…加工溝
32、33、34…スライス領域
42、45…デバイスパターン
43…分割ライン
44…欠陥
51、52、55、56…SIM像
52k…エリア
D1…幅
Claims (4)
- 試料を載置する試料台と、
前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、
前記集束イオンビームの照射により前記試料から放出される荷電粒子を検出する荷電粒子検出器と、
前記集束イオンビームによるスライス加工と、前記加工で形成された断面に前記集束イオンビームを走査照射し、前記断面から放出される前記荷電粒子による観察像取得と、からなるプロセスを繰り返し実行させる制御部と、を有し、
前記制御部は、前記観察像を複数のエリアに分割し、前記複数のエリアのうち一のエリアの画像と、前記プロセスで取得した他の断面の観察像の前記一つのエリアに対応するエリアの画像との間で変化が生じた場合、前記プロセスを終了させる断面加工観察装置。 - 前記制御部は、前記観察像を複数のエリアに分割し、前記複数のエリアのうち二以上のエリアの画像と、前記プロセスで取得した他の断面の観察像の前記二以上のエリアに対応するエリアの画像との間で変化が生じた場合、前記プロセスを終了させない請求項1に記載の断面加工観察装置。
- 前記制御部は、スライス加工と前記断面の観察像取得とを前記集束イオンビームで行うために、前記試料台を傾斜させる請求項1または2に記載の断面加工観察装置。
- 試料を載置する試料台と、
前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、
前記試料の断面に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記電子ビームの照射により前記試料から放出される二次電子または反射電子を検出する荷電粒子検出器と、
前記集束イオンビームによるスライス加工と、前記加工で形成された断面に前記電子ビームを走査照射し、前記断面から放出される前記二次電子または反射電子による観察像取得と、からなるプロセスを繰り返し実行させる制御部と、を有し、
前記制御部は、前記観察像を複数のエリアに分割し、前記複数のエリアのうち一のエリアの画像と、前記プロセスで取得した他の断面の観察像の前記一つのエリアに対応するエリアの画像との間で変化が生じた場合、前記プロセスを終了させる断面加工観察装置。
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