JP3185754B2 - 露光原版の作製方法 - Google Patents
露光原版の作製方法Info
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レイアウト設計
されたマスクパターンデータを用い、そのマスクパター
ンデータにより、たとえば電子線により描画されるマス
クパターンを露光原版上に形成する露光原版の作製方法
に関する。
されたマスクパターンデータを用い、そのマスクパター
ンデータにより、たとえば電子線により描画されるマス
クパターンを露光原版上に形成する露光原版の作製方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路製造におけるフォトリソグラフ
ィ技術では、フォトマスク（露光原版）が用いられてい
る。このフォトマスクは、ガラス基板上にクロムなどの
金属遮光体によるマスクパターンが形成されたものであ
る。そのマスクパターンは、電子線露光装置を用い、電
子線を用いたリソグラフィ技術で形成される。そして、
集積回路の設計データから得られるレイアウト設計デー
タによるパターンデータにより、その電子線（ＥＢ）露
光装置では描画を行っている。そのパターンデータは、
たとえば集積回路上ではゲート電極となる部分やソース
・ドレインとなる部分など、矩形パターンの組み合わせ
で構成されている。
ィ技術では、フォトマスク（露光原版）が用いられてい
る。このフォトマスクは、ガラス基板上にクロムなどの
金属遮光体によるマスクパターンが形成されたものであ
る。そのマスクパターンは、電子線露光装置を用い、電
子線を用いたリソグラフィ技術で形成される。そして、
集積回路の設計データから得られるレイアウト設計デー
タによるパターンデータにより、その電子線（ＥＢ）露
光装置では描画を行っている。そのパターンデータは、
たとえば集積回路上ではゲート電極となる部分やソース
・ドレインとなる部分など、矩形パターンの組み合わせ
で構成されている。
【０００３】ここで、レイアウト設計では、トランジス
タなどの基本素子を構成するレイアウトデータがあらか
じめ用意されており、それらを組み合わせて配置するよ
うにしている。そして、複数のレイアウトデータを配置
してそれらの間を接続したデータを、電子線露光装置の
描画用データとしている。ところが、それら用意してあ
るレイアウトデータには、半導体装置製造の古いプロセ
ス用のものと新しいプロセス用のものとがある。そし
て、古いプロセス用のレイアウトデータは、新しいプロ
セスに用いるフォトマスク上にはそのまま用いることが
できず、パターン寸法を縮小（シュリンク）するなどの
処理が必要なる。
タなどの基本素子を構成するレイアウトデータがあらか
じめ用意されており、それらを組み合わせて配置するよ
うにしている。そして、複数のレイアウトデータを配置
してそれらの間を接続したデータを、電子線露光装置の
描画用データとしている。ところが、それら用意してあ
るレイアウトデータには、半導体装置製造の古いプロセ
ス用のものと新しいプロセス用のものとがある。そし
て、古いプロセス用のレイアウトデータは、新しいプロ
セスに用いるフォトマスク上にはそのまま用いることが
できず、パターン寸法を縮小（シュリンク）するなどの
処理が必要なる。
【０００４】ゲート電極の形成では、次のようにしてい
る。まず、ゲート電極材料の導電膜を形成し、この上に
フォトリソグラフィ技術によりゲート電極の形状のレジ
ストパターンを形成する。次いで、このレジストパター
ンをマスクとして導電膜を選択的にエッチングし、ゲー
ト電極を形成するようにしている。そして、そのレジス
トパターン形成のためのフォトリソグラフィで用いるの
が、フォトマスクであるが、フォトマスク上のマスクパ
ターンのゲート長に対応する寸法Ｌ１と、レジストパタ
ーンのゲート長に対応する寸法Ｌ２と、形成されたゲー
ト電極のゲート長Ｌ３とは一致しない。多くの場合、Ｌ
１＞Ｌ２＞Ｌ３となる。
る。まず、ゲート電極材料の導電膜を形成し、この上に
フォトリソグラフィ技術によりゲート電極の形状のレジ
ストパターンを形成する。次いで、このレジストパター
ンをマスクとして導電膜を選択的にエッチングし、ゲー
ト電極を形成するようにしている。そして、そのレジス
トパターン形成のためのフォトリソグラフィで用いるの
が、フォトマスクであるが、フォトマスク上のマスクパ
ターンのゲート長に対応する寸法Ｌ１と、レジストパタ
ーンのゲート長に対応する寸法Ｌ２と、形成されたゲー
ト電極のゲート長Ｌ３とは一致しない。多くの場合、Ｌ
１＞Ｌ２＞Ｌ３となる。
【０００５】したがって、レイアウトデータ上では、寸
法を大きめにしておくなどの対処をしている。しかしな
がら、半導体装置の製造プロセスの進歩により、前述し
たＬ１とＬ３との差が小さくなってきているため、古い
プロセス用のレイアウトデータと新しいプロセス用のレ
イアウトデータとを混在して用いる場合、どちらかのデ
ータの寸法を変更して用いる必要がある。すなわち、結
果として、古いプロセス用のレイアウトデータは縮小さ
れた状態で用いるようにしている。このために、たとえ
ば、新しいプロセス用のレイアウトデータを拡大し、そ
のデータを古いプロセス用のレイアウトデータにマージ
して配置する。そして、電子線描画装置において、その
マージしたデータを単一に縮小し、結果として古いプロ
セス用のデータが縮小された状態となるようにしてい
る。
法を大きめにしておくなどの対処をしている。しかしな
がら、半導体装置の製造プロセスの進歩により、前述し
たＬ１とＬ３との差が小さくなってきているため、古い
プロセス用のレイアウトデータと新しいプロセス用のレ
イアウトデータとを混在して用いる場合、どちらかのデ
ータの寸法を変更して用いる必要がある。すなわち、結
果として、古いプロセス用のレイアウトデータは縮小さ
れた状態で用いるようにしている。このために、たとえ
ば、新しいプロセス用のレイアウトデータを拡大し、そ
のデータを古いプロセス用のレイアウトデータにマージ
して配置する。そして、電子線描画装置において、その
マージしたデータを単一に縮小し、結果として古いプロ
セス用のデータが縮小された状態となるようにしてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レイアウト
設計データは、設計したデータをそのまま電子線描画に
用いるわけではなく、シミュレーションなどによる検証
を行い、設計データに間違えがないことなどを確認する
ようにしている。たとえば、配線間隙やゲート幅が所定
の規格になっているかどうかのチェック（ＤＲＣ：Ｄｅ
ｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）や、配置や配線が回
路と整合しているかのチェック（ＬＶＳ：Ｌａｙｏｕｔ
ｖｓ Ｓｃｈｉｍａｔｉｃ）を行うようにしている。
設計データは、設計したデータをそのまま電子線描画に
用いるわけではなく、シミュレーションなどによる検証
を行い、設計データに間違えがないことなどを確認する
ようにしている。たとえば、配線間隙やゲート幅が所定
の規格になっているかどうかのチェック（ＤＲＣ：Ｄｅ
ｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）や、配置や配線が回
路と整合しているかのチェック（ＬＶＳ：Ｌａｙｏｕｔ
ｖｓ Ｓｃｈｉｍａｔｉｃ）を行うようにしている。
【０００７】しかし、前述したように、いったん拡大処
理したデータをマージして用いる場合、データが処理さ
れる計算機において、オフグリッドの丸めが行われる。
これは、グリッド上にデータがのっていないと、電子線
露光装置では用いることができないからである。しか
し、その丸めによって、スリットなどが多数発生するこ
とになってしまう。ここで、オフグリッドの丸めについ
て、簡単に説明する。電子線露光装置に用いるパターン
データは、その各頂点やそのパターン原点が、計算機で
設定している座標系のグリッド上にのった状態で構成さ
れている。
理したデータをマージして用いる場合、データが処理さ
れる計算機において、オフグリッドの丸めが行われる。
これは、グリッド上にデータがのっていないと、電子線
露光装置では用いることができないからである。しか
し、その丸めによって、スリットなどが多数発生するこ
とになってしまう。ここで、オフグリッドの丸めについ
て、簡単に説明する。電子線露光装置に用いるパターン
データは、その各頂点やそのパターン原点が、計算機で
設定している座標系のグリッド上にのった状態で構成さ
れている。
【０００８】たとえば、図８（ａ）に示すように、パタ
ーン８０１とパターン８０２とで構成されてるパターン
データ８００では、そのセルセンター８０３およびセル
センター８０４とともに、各頂点がグリッド８１０上に
配置した状態となっている。ここで、パターンデータ８
００を１．６倍に拡大すると、図８（ｂ）に示すよう
に、拡大されたパターン８０１，パターン８０２の頂点
およびそのセルセンター８０３，８０４が、グリッド８
１０上にのっていない状態となる。この状態では、電子
線露光装置用に用いることができない。したがって、計
算機では、図８（ｃ）に示すように、セルセンター８０
３，８０４をグリッド上にのせ、この状態で、パターン
８０１，パターン８０２の各頂点を直近のグリッド８１
０上に移動させる。
ーン８０１とパターン８０２とで構成されてるパターン
データ８００では、そのセルセンター８０３およびセル
センター８０４とともに、各頂点がグリッド８１０上に
配置した状態となっている。ここで、パターンデータ８
００を１．６倍に拡大すると、図８（ｂ）に示すよう
に、拡大されたパターン８０１，パターン８０２の頂点
およびそのセルセンター８０３，８０４が、グリッド８
１０上にのっていない状態となる。この状態では、電子
線露光装置用に用いることができない。したがって、計
算機では、図８（ｃ）に示すように、セルセンター８０
３，８０４をグリッド上にのせ、この状態で、パターン
８０１，パターン８０２の各頂点を直近のグリッド８１
０上に移動させる。
【０００９】以上のことにより、パターン８０１，パタ
ーン８０２は、どちらもセルセンター８０３，８０４が
グリッド上にのった状態で、各頂点もグリッド８１０上
にのった状態となり、電子線露光装置に用いることがで
きるようになる。しかしながら、図８（ｃ）に示すよう
に、パターン８０１とパターン８０２の間に、もとのデ
ータにはないスリット（隙間）８２０が発生してしま
う。これでは、接続していなくてはならない箇所が接続
していないことになる。また、パターン８０１がゲート
電極であるとすると、そのゲート幅が太くなってしま
う。
ーン８０２は、どちらもセルセンター８０３，８０４が
グリッド上にのった状態で、各頂点もグリッド８１０上
にのった状態となり、電子線露光装置に用いることがで
きるようになる。しかしながら、図８（ｃ）に示すよう
に、パターン８０１とパターン８０２の間に、もとのデ
ータにはないスリット（隙間）８２０が発生してしま
う。これでは、接続していなくてはならない箇所が接続
していないことになる。また、パターン８０１がゲート
電極であるとすると、そのゲート幅が太くなってしま
う。
【００１０】これらは、ＤＲＣ検証などにおいてエラー
として認識される。しかし、このエラーは、自動では修
正できないので、検証結果に問題がなくなるまでそれら
の修正を人手で行う必要がある。この修正は、たとえ
ば、図８（ｄ）に示すように、パターン８０１を延ばし
かつその幅を小さくするようにしている。この結果、図
８（ｄ）に示すように、パターン８０１とパターン８０
２との間には隙間がなくなる。そして、どのパターンも
グリッド上にのった状態となっている。ただし、この修
正は、人手で行うものであり、計算機による自動的な処
理はできない。
として認識される。しかし、このエラーは、自動では修
正できないので、検証結果に問題がなくなるまでそれら
の修正を人手で行う必要がある。この修正は、たとえ
ば、図８（ｄ）に示すように、パターン８０１を延ばし
かつその幅を小さくするようにしている。この結果、図
８（ｄ）に示すように、パターン８０１とパターン８０
２との間には隙間がなくなる。そして、どのパターンも
グリッド上にのった状態となっている。ただし、この修
正は、人手で行うものであり、計算機による自動的な処
理はできない。
【００１１】このため、電子線露光装置に用いることが
できる状態にシュリンクすることで発生したエラーの修
正には、膨大な時間が必要となってしまうという問題が
あった。この発明は、以上のような問題点を解消するた
めになされたものであり、マスクパターンデータにする
ための拡大縮小率が異なるレイアウトデータを混在して
配置する場合でも、より迅速にマスクパターンデータが
作成できるようにすることを目的とする。
できる状態にシュリンクすることで発生したエラーの修
正には、膨大な時間が必要となってしまうという問題が
あった。この発明は、以上のような問題点を解消するた
めになされたものであり、マスクパターンデータにする
ための拡大縮小率が異なるレイアウトデータを混在して
配置する場合でも、より迅速にマスクパターンデータが
作成できるようにすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、複数のセル
の階層構造でデータが形成された第１のデータと、露光
原版上での倍率比が前記第１のデータに対して所定のｘ
倍にして用いられる複数のセルの階層構造でデータが形
成された第２のデータとからなるレイアウト設計された
マスクパターンデータを用い、そのマスクパターンデー
タにより描画されるマスクパターンを露光原版上に形成
する露光原版の作製方法において、まずはじめに、第１
のデータのサイズを１／ｘ倍して第３のデータを作成す
る。つぎに、この第３のデータからの第１の接続データ
と、第２のデータからの第２の接続データとを用い、第
３のデータと第２のデータとを合成して合成データを作
成する。次に、合成データにおける各セルの組み合わせ
が、レイアウト設計のもととなる回路と整合しているか
どうかの検証を行い、この検証によるエラーの箇所を修
正する。次に、修正を行った合成データのなかで、第３
のデータおよび第１の接続データをｘ倍して第１の描画
用データを作成する。また、修正を行った合成データの
なかで、第２のデータおよび第２の接続データにより第
２の描画用データを作成する。次に、第１の描画用デー
タを描画露光することにより露光原版上に第１のマスク
パターンを形成する。そして、第２の描画用データを第
１の描画用データに対してｘ倍した状態で描画露光する
ことにより、露光原版上に第１のマスクパターンに加え
て第２のマスクパターンを形成することで、露光原版上
にマスクパターンを形成するようにした。すなわち、露
光用に用いられるデータの状態では、第１の描画用デー
タのサイズに対して第２の描画用データのサイズが１／
ｘ倍の状態となっている。また、はじめに、第２のデー
タのサイズをｘ倍して第３のデータを作成する。次に、
第１のデータからの第１の接続データと第３のデータか
らの第２の接続データと用い、第１のデータと第３のデ
ータとを合成して合成データを作成する。次に、合成デ
ータにおける各セルの組み合わせが、レイアウト設計の
もととなる回路と整合しているかどうかの検証を行い、
この検証によるエラーの箇所を修正する。次に、修正を
行った合成データのなかで、第１のデータおよび第１の
接続データにより第１の描画用データを作成する。ま
た、修正を行った合成データのなかで、第３のデータお
よび第２の接続データを１／ｘ倍して第２の描画用デー
タを作成する。次に、第１の描画用データを描画露光す
ることにより露光原版上に第１のマスクパターンを形成
する。そして、第２の描画用データを第１の描画用デー
タに対してｘ倍した状態で描画露光することにより、露
光原版上に第１のマスクパターンに加えて第２のマスク
パターンを形成することで、露光原版上にマスクパター
ンを形成するようにした。すなわち、露光用に用いられ
るデータの状態では、第１の描画用データのサイズに対
して第２の描画用データのサイズが１／ｘ倍の状態とな
っている。また、はじめに、第１のデータのサイズを１
／ｘ倍して第３のデータを作成する。次に、この第３の
データからの第１の接続データと、第２のデータからの
第２の接続データとを用い、第３のデータと第２のデー
タとを合成して合成データを作成する。次に、合成デー
タにおける各セルの組み合わせが、レイアウト設計のも
ととなる回路と整合しているかどうかの検証を行い、こ
の検証によるエラーの箇所を修正する。次に、修正を行
った合成データのなかで、第３のデータおよび第１の接
続データをｘ倍して第１の描画用データを作成する。ま
た、修正を行った合成データのなかで、第２のデータお
よび第２の接続データにより第２の描画用データを作成
する。次に、第２の描画用データを第１の描画用データ
に対してｘ倍した状態で描画露光することにより露光原
版上に第２のマスクパターンを形成する。そして、第１
の描画用データを描画露光することにより露光原版上に
第１のマスクパターンを形成することにより、露光原版
上に第２のマスクパターンに加えて第１のマスクパター
ンを形成することで、露光原版上にマスクパターンを形
成するようにした。すなわち、露光用に用いられるデー
タの状態では、第１の描画用データのサイズに対して第
２の描画用データのサイズが１／ｘ倍の状態となってい
る。そして、はじめに、第２のデータのサイズをｘ倍し
て第３のデータを作成する。次に、第１のデータからの
第１の接続データと第３のデータからの第２の接続デー
タと用い、第１のデータと第３のデータとを合成して合
成データを作成する。次に、合成データにおける各セル
の組み合わせが、レイアウト設計のもととなる回路と整
合しているかどうかの検証を行い、この検証によるエラ
ーの箇所を修正する。次に、修正を行った合成データの
なかで、第１のデータおよび第１の接続データにより第
１の描画用データを作成する。また、修正を行った合成
データのなかで、第３のデータおよび第２の接続データ
を１／ｘ倍して第２の描画用データを作成する。次に、
第２の描画用データを第１の描画用データに対してｘ倍
した状態で描画露光することにより露光原版上に第２の
マスクパターンを形成する。そして、第１の描画用デー
タを描画露光することにより露光原版上に第１のマスク
パターンを形成することにより、露光原版上に第２のマ
スクパターンに加えて第１のマスクパターンを形成する
ことで、露光原版上にマスクパターンを形成するように
した。すなわち、露光用に用いられるデータの状態で
は、第１の描画用データのサイズに対して第２の描画用
データのサイズが１／ｘ倍の状態となっている。
の階層構造でデータが形成された第１のデータと、露光
原版上での倍率比が前記第１のデータに対して所定のｘ
倍にして用いられる複数のセルの階層構造でデータが形
成された第２のデータとからなるレイアウト設計された
マスクパターンデータを用い、そのマスクパターンデー
タにより描画されるマスクパターンを露光原版上に形成
する露光原版の作製方法において、まずはじめに、第１
のデータのサイズを１／ｘ倍して第３のデータを作成す
る。つぎに、この第３のデータからの第１の接続データ
と、第２のデータからの第２の接続データとを用い、第
３のデータと第２のデータとを合成して合成データを作
成する。次に、合成データにおける各セルの組み合わせ
が、レイアウト設計のもととなる回路と整合しているか
どうかの検証を行い、この検証によるエラーの箇所を修
正する。次に、修正を行った合成データのなかで、第３
のデータおよび第１の接続データをｘ倍して第１の描画
用データを作成する。また、修正を行った合成データの
なかで、第２のデータおよび第２の接続データにより第
２の描画用データを作成する。次に、第１の描画用デー
タを描画露光することにより露光原版上に第１のマスク
パターンを形成する。そして、第２の描画用データを第
１の描画用データに対してｘ倍した状態で描画露光する
ことにより、露光原版上に第１のマスクパターンに加え
て第２のマスクパターンを形成することで、露光原版上
にマスクパターンを形成するようにした。すなわち、露
光用に用いられるデータの状態では、第１の描画用デー
タのサイズに対して第２の描画用データのサイズが１／
ｘ倍の状態となっている。また、はじめに、第２のデー
タのサイズをｘ倍して第３のデータを作成する。次に、
第１のデータからの第１の接続データと第３のデータか
らの第２の接続データと用い、第１のデータと第３のデ
ータとを合成して合成データを作成する。次に、合成デ
ータにおける各セルの組み合わせが、レイアウト設計の
もととなる回路と整合しているかどうかの検証を行い、
この検証によるエラーの箇所を修正する。次に、修正を
行った合成データのなかで、第１のデータおよび第１の
接続データにより第１の描画用データを作成する。ま
た、修正を行った合成データのなかで、第３のデータお
よび第２の接続データを１／ｘ倍して第２の描画用デー
タを作成する。次に、第１の描画用データを描画露光す
ることにより露光原版上に第１のマスクパターンを形成
する。そして、第２の描画用データを第１の描画用デー
タに対してｘ倍した状態で描画露光することにより、露
光原版上に第１のマスクパターンに加えて第２のマスク
パターンを形成することで、露光原版上にマスクパター
ンを形成するようにした。すなわち、露光用に用いられ
るデータの状態では、第１の描画用データのサイズに対
して第２の描画用データのサイズが１／ｘ倍の状態とな
っている。また、はじめに、第１のデータのサイズを１
／ｘ倍して第３のデータを作成する。次に、この第３の
データからの第１の接続データと、第２のデータからの
第２の接続データとを用い、第３のデータと第２のデー
タとを合成して合成データを作成する。次に、合成デー
タにおける各セルの組み合わせが、レイアウト設計のも
ととなる回路と整合しているかどうかの検証を行い、こ
の検証によるエラーの箇所を修正する。次に、修正を行
った合成データのなかで、第３のデータおよび第１の接
続データをｘ倍して第１の描画用データを作成する。ま
た、修正を行った合成データのなかで、第２のデータお
よび第２の接続データにより第２の描画用データを作成
する。次に、第２の描画用データを第１の描画用データ
に対してｘ倍した状態で描画露光することにより露光原
版上に第２のマスクパターンを形成する。そして、第１
の描画用データを描画露光することにより露光原版上に
第１のマスクパターンを形成することにより、露光原版
上に第２のマスクパターンに加えて第１のマスクパター
ンを形成することで、露光原版上にマスクパターンを形
成するようにした。すなわち、露光用に用いられるデー
タの状態では、第１の描画用データのサイズに対して第
２の描画用データのサイズが１／ｘ倍の状態となってい
る。そして、はじめに、第２のデータのサイズをｘ倍し
て第３のデータを作成する。次に、第１のデータからの
第１の接続データと第３のデータからの第２の接続デー
タと用い、第１のデータと第３のデータとを合成して合
成データを作成する。次に、合成データにおける各セル
の組み合わせが、レイアウト設計のもととなる回路と整
合しているかどうかの検証を行い、この検証によるエラ
ーの箇所を修正する。次に、修正を行った合成データの
なかで、第１のデータおよび第１の接続データにより第
１の描画用データを作成する。また、修正を行った合成
データのなかで、第３のデータおよび第２の接続データ
を１／ｘ倍して第２の描画用データを作成する。次に、
第２の描画用データを第１の描画用データに対してｘ倍
した状態で描画露光することにより露光原版上に第２の
マスクパターンを形成する。そして、第１の描画用デー
タを描画露光することにより露光原版上に第１のマスク
パターンを形成することにより、露光原版上に第２のマ
スクパターンに加えて第１のマスクパターンを形成する
ことで、露光原版上にマスクパターンを形成するように
した。すなわち、露光用に用いられるデータの状態で
は、第１の描画用データのサイズに対して第２の描画用
データのサイズが１／ｘ倍の状態となっている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を
参照して説明する。図１は、この発明の実施の形態にお
ける露光原版の作製方法を説明するためのフローチャー
トである。この実施の形態では、フォトマスクを例にと
り説明する。また、以下では、古いプロセス用のレイア
ウトデータ（セル）と新しいプロセス用のデータとを混
載して１つのレイアウトデータとする場合について説明
する。また、古いプロセス用のレイアウトデータは、そ
のサイズを０．８倍することで、新しいプロセス用のデ
ータと混載できるものとする。また、以降では、古いプ
ロセス用のレイアウトデータを旧セルと呼び、新しいプ
ロセス用のレイアウトデータを新セルと呼ぶ。
参照して説明する。図１は、この発明の実施の形態にお
ける露光原版の作製方法を説明するためのフローチャー
トである。この実施の形態では、フォトマスクを例にと
り説明する。また、以下では、古いプロセス用のレイア
ウトデータ（セル）と新しいプロセス用のデータとを混
載して１つのレイアウトデータとする場合について説明
する。また、古いプロセス用のレイアウトデータは、そ
のサイズを０．８倍することで、新しいプロセス用のデ
ータと混載できるものとする。また、以降では、古いプ
ロセス用のレイアウトデータを旧セルと呼び、新しいプ
ロセス用のレイアウトデータを新セルと呼ぶ。
【００１４】まず、ステップ１０１で、旧セルおよび新
セルをそれぞれフォトマスクの露光領域の所定の箇所に
配置する。次に、ステップ１０２で、新セルのサイズを
１．２５倍に拡大し、旧セルとその拡大した新セルを、
１つのレイアウトデータにマージし、各セル間を配線
し、これを検証用データとする。次に、ステップ１０３
で、ステップ１０２で作成した検証用データにより検証
（ＤＲＣ，ＬＶＳ）を行う。
セルをそれぞれフォトマスクの露光領域の所定の箇所に
配置する。次に、ステップ１０２で、新セルのサイズを
１．２５倍に拡大し、旧セルとその拡大した新セルを、
１つのレイアウトデータにマージし、各セル間を配線
し、これを検証用データとする。次に、ステップ１０３
で、ステップ１０２で作成した検証用データにより検証
（ＤＲＣ，ＬＶＳ）を行う。
【００１５】ここで、ステップ１０４で、その検証の結
果にエラーがあるかどうかを判定し、エラーがある場合
は、次のステップ１０５でエラー箇所の修正を行う。こ
のエラー箇所の修正を行った後、また、ステップ１０３
に戻り、エラー箇所を修正した検証用データの検証を行
う。すなわち、ステップ１０３の検証で、エラーがなく
なるまで修正を行い、エラーがなくなったら（ステップ
１０４）今度はステップ１０６進み、検証が終わった検
証用データを作成したフォトマスクの検査用データとし
て保管する。
果にエラーがあるかどうかを判定し、エラーがある場合
は、次のステップ１０５でエラー箇所の修正を行う。こ
のエラー箇所の修正を行った後、また、ステップ１０３
に戻り、エラー箇所を修正した検証用データの検証を行
う。すなわち、ステップ１０３の検証で、エラーがなく
なるまで修正を行い、エラーがなくなったら（ステップ
１０４）今度はステップ１０６進み、検証が終わった検
証用データを作成したフォトマスクの検査用データとし
て保管する。
【００１６】次に、ステップ１０７で、修正したデータ
のなかで、新セルと追加した配線のサイズを０．８倍す
る。すなわち、新セルとその配線のサイズをもとの大き
さに戻す。次に、ステップ１０８で、配線データととも
にもとのサイズに戻された新セルを用い、新セルＥＢ露
光データ（第１の描画用データ）を作成する。次に、ス
テップ１０９で、元々のサイズのままで配線を付加した
旧セルを用い、旧セルＥＢ露光データ（第２の描画用デ
ータ）を作成する。次に、ステップ１１０で、ＥＢ露光
装置によりフォトマスク作製用ガラス基板上の新セルを
配置する領域に、新セルＥＢ露光データをそのままＥＢ
露光する。次に、ステップ１１１で、ＥＢ露光装置によ
りフォトマスク作製用基板上の旧セルを配置する領域
に、旧セルＥＢ露光データを０．８倍にシュリンクして
ＥＢ露光する。
のなかで、新セルと追加した配線のサイズを０．８倍す
る。すなわち、新セルとその配線のサイズをもとの大き
さに戻す。次に、ステップ１０８で、配線データととも
にもとのサイズに戻された新セルを用い、新セルＥＢ露
光データ（第１の描画用データ）を作成する。次に、ス
テップ１０９で、元々のサイズのままで配線を付加した
旧セルを用い、旧セルＥＢ露光データ（第２の描画用デ
ータ）を作成する。次に、ステップ１１０で、ＥＢ露光
装置によりフォトマスク作製用ガラス基板上の新セルを
配置する領域に、新セルＥＢ露光データをそのままＥＢ
露光する。次に、ステップ１１１で、ＥＢ露光装置によ
りフォトマスク作製用基板上の旧セルを配置する領域
に、旧セルＥＢ露光データを０．８倍にシュリンクして
ＥＢ露光する。
【００１７】なお、フォトマスク作成用基板は、たとえ
ば、６インチ角で０．６２５ｍｍの板厚の石英製の基板
を用い、その主表面に酸化クロム−クロム−酸化クロム
からなる三層の遮光体膜をスパッタ法などにより形成
し、その上に、電子線露光用レジストが塗布形成されて
いるものである。次に、ステップ１１２で、ＥＢ露光を
したフォトマスク作成用基板を現像処理やエッチング処
理し、フォトマスクを作製する。
ば、６インチ角で０．６２５ｍｍの板厚の石英製の基板
を用い、その主表面に酸化クロム−クロム−酸化クロム
からなる三層の遮光体膜をスパッタ法などにより形成
し、その上に、電子線露光用レジストが塗布形成されて
いるものである。次に、ステップ１１２で、ＥＢ露光を
したフォトマスク作成用基板を現像処理やエッチング処
理し、フォトマスクを作製する。
【００１８】次に、ステップ１１３で、作製したフォト
マスクの検査を行う。この検査は、フォトマスクに形成
されたマスクパターンの光学像を取り込むことで生成し
たマスクパターンのイメージデータと、ステップ１０６
で保管した検査用データとを比較照合することで行う。
次に、ステップ１１４でステップ１１３の検査で欠陥が
あるかどうかを判定する。ここで、欠陥がある場合、次
のステップ１１５で、その欠陥が修正可能かどうかを判
定する。このステップ１１５で、欠陥が修正不可能と判
定された場合、ステップ１１０に戻り、新たにフォトマ
スクを作製する。一方、ステップ１１５で、欠陥が修正
可能と判定された場合、ステップ１１６に進み、その欠
陥を修正する。
マスクの検査を行う。この検査は、フォトマスクに形成
されたマスクパターンの光学像を取り込むことで生成し
たマスクパターンのイメージデータと、ステップ１０６
で保管した検査用データとを比較照合することで行う。
次に、ステップ１１４でステップ１１３の検査で欠陥が
あるかどうかを判定する。ここで、欠陥がある場合、次
のステップ１１５で、その欠陥が修正可能かどうかを判
定する。このステップ１１５で、欠陥が修正不可能と判
定された場合、ステップ１１０に戻り、新たにフォトマ
スクを作製する。一方、ステップ１１５で、欠陥が修正
可能と判定された場合、ステップ１１６に進み、その欠
陥を修正する。
【００１９】ところで、欠陥とは、たとえば、異物（ゴ
ミ）付着なども含むものとする。そして、異物付着など
の場合は、欠陥の修正が可能と判断され、この修正は、
フォトマスクの洗浄をすることになる。欠陥を修正した
ら、また、ステップ１１３に戻り、検査を行う。一方、
ステップ１１４で、欠陥がないと判定された場合、フォ
トマスクの完成とする。
ミ）付着なども含むものとする。そして、異物付着など
の場合は、欠陥の修正が可能と判断され、この修正は、
フォトマスクの洗浄をすることになる。欠陥を修正した
ら、また、ステップ１１３に戻り、検査を行う。一方、
ステップ１１４で、欠陥がないと判定された場合、フォ
トマスクの完成とする。
【００２０】次に、図１のステップ１０２の検証用デー
タの作成について、より詳細に説明する。図２に新セル
の一例（ａ）と旧セルの一例（ｂ）を示す。まず、新セ
ルとしては、次に示す基本セルが集合してトランジスタ
と抵抗とが構成されている。すなわち、図２（ａ）に示
すように、基本セルである、ゲート電極セル２０１，ソ
ースセル２０２，ドレインセル２０３，抵抗セル２０
４，配線セル２０５，コンタクトセル２０６，２０７か
ら新セルが構成されている。そして、この新セルのほぼ
中央部にセルセンター２００が設定されているものとす
る。また、境界２００ａがこの新セルの外側の境界とし
て設定されている。
タの作成について、より詳細に説明する。図２に新セル
の一例（ａ）と旧セルの一例（ｂ）を示す。まず、新セ
ルとしては、次に示す基本セルが集合してトランジスタ
と抵抗とが構成されている。すなわち、図２（ａ）に示
すように、基本セルである、ゲート電極セル２０１，ソ
ースセル２０２，ドレインセル２０３，抵抗セル２０
４，配線セル２０５，コンタクトセル２０６，２０７か
ら新セルが構成されている。そして、この新セルのほぼ
中央部にセルセンター２００が設定されているものとす
る。また、境界２００ａがこの新セルの外側の境界とし
て設定されている。
【００２１】また、旧セルとしては、図２（ｂ）に示す
ように、図示していない信号入力に接続している配線セ
ル２１１，図示していない信号出力へ接続している配線
セル２１２，電源に接続するコンタクトセル２１３，接
地に接続するコンタクトセル２１４を備えたものとす
る。そして、この旧セルのほぼ中央部に、セルセンター
２１０が設定されているものとする。なお、図示してい
ないが、旧セルのデータはそれらだけではなく、外側に
他のデータが多数配置されているものである。また、境
界２１０ａがこの旧セルの内側の境界として設定されて
いる。したがって、境界２１０ａの内側は、旧セルのデ
ータはない。ここで、前述したように、新セルデータは
その大きさのまま用いられてＥＢ露光装置で露光され
る。一方、旧セルデータは、ＥＢ露光装置で０．８倍さ
れて露光される。したがって、たとえば、境界２００ａ
を１．２５倍すると境界２１０ａに重なるように、それ
ぞれの境界２００ａ，２１０ａが設定されている。
ように、図示していない信号入力に接続している配線セ
ル２１１，図示していない信号出力へ接続している配線
セル２１２，電源に接続するコンタクトセル２１３，接
地に接続するコンタクトセル２１４を備えたものとす
る。そして、この旧セルのほぼ中央部に、セルセンター
２１０が設定されているものとする。なお、図示してい
ないが、旧セルのデータはそれらだけではなく、外側に
他のデータが多数配置されているものである。また、境
界２１０ａがこの旧セルの内側の境界として設定されて
いる。したがって、境界２１０ａの内側は、旧セルのデ
ータはない。ここで、前述したように、新セルデータは
その大きさのまま用いられてＥＢ露光装置で露光され
る。一方、旧セルデータは、ＥＢ露光装置で０．８倍さ
れて露光される。したがって、たとえば、境界２００ａ
を１．２５倍すると境界２１０ａに重なるように、それ
ぞれの境界２００ａ，２１０ａが設定されている。
【００２２】そして、検証用データの作成では、まず、
新セルにおいて、境界２００ａの外側にマージ境界２０
０ｂを設定する。このマージ境界２００ｂは、境界２０
０ａよりたとえば２μｍ外側に設定する。また、旧セル
において、境界２１０ａの内側にマージ境界２１０ｂを
設定する。このマージ境界２１０ｂは、境界２１０ａよ
り２×１．２５（μｍ）内側に設定する。そして、新セ
ルのデータを１．２５倍し、これと旧セルのデータとを
合わせる。このとき、図２に示したそれぞれのセルセン
ター２００，２１０が、所定の原点に位置するようにす
る。ここで、１．２５倍した新セルのデータは、図８に
示したように、グリッド上にのっていない状態となる。
しかし、ここでは、グリッド上にのっていないそのまま
としておく。
新セルにおいて、境界２００ａの外側にマージ境界２０
０ｂを設定する。このマージ境界２００ｂは、境界２０
０ａよりたとえば２μｍ外側に設定する。また、旧セル
において、境界２１０ａの内側にマージ境界２１０ｂを
設定する。このマージ境界２１０ｂは、境界２１０ａよ
り２×１．２５（μｍ）内側に設定する。そして、新セ
ルのデータを１．２５倍し、これと旧セルのデータとを
合わせる。このとき、図２に示したそれぞれのセルセン
ター２００，２１０が、所定の原点に位置するようにす
る。ここで、１．２５倍した新セルのデータは、図８に
示したように、グリッド上にのっていない状態となる。
しかし、ここでは、グリッド上にのっていないそのまま
としておく。
【００２３】図３は、１．２５倍した新セルと１倍のま
まの旧セルとを合わせた状態を示している。そして、図
２に示したそれぞれのセルセンター２００，２１０が、
原点３００に配置されている。なお、破線で示したセル
は、１．２５倍されていない状態の新セルを示してい
る。また、１．２５倍した新セルの境界と旧セルの境界
２１０ａとは重なって、新旧セル境界３００ａとなって
いる。そして、この新旧セル境界３００ａは、旧セルの
境界２１０ａ（図２）そのものであり、この内側には、
マージ境界２１０ｂがある。一方、新旧セル境界３００
ａの外側には、マージ境界３００ｂが存在することにな
る。このマージ境界３００ｂは、図２に示したマージ境
界２００ｂを１．２５倍したものである。
まの旧セルとを合わせた状態を示している。そして、図
２に示したそれぞれのセルセンター２００，２１０が、
原点３００に配置されている。なお、破線で示したセル
は、１．２５倍されていない状態の新セルを示してい
る。また、１．２５倍した新セルの境界と旧セルの境界
２１０ａとは重なって、新旧セル境界３００ａとなって
いる。そして、この新旧セル境界３００ａは、旧セルの
境界２１０ａ（図２）そのものであり、この内側には、
マージ境界２１０ｂがある。一方、新旧セル境界３００
ａの外側には、マージ境界３００ｂが存在することにな
る。このマージ境界３００ｂは、図２に示したマージ境
界２００ｂを１．２５倍したものである。
【００２４】そして、図４に示すように、新セルから新
セル配線４０１〜４０４を配置する。また、旧セルから
旧セル配線４１１〜４１４を配置する。ここで、新セル
の配線は、もとのグリッド間隔０．０２μｍを１．２５
倍したグリッド上、すなわち０．０２５μｍグリッド上
に配置する。これは、０．８倍してＥＢ露光データを作
成する際に、オフグリッドによる丸めを防ぐために行
う。ここで、新セル配線４０１と旧セル配線４１１，新
セル配線４０２と旧セル配線４１２，新セル配線４０３
と旧セル配線４１３，新セル配線４０４と旧セル配線４
１４が、それぞれ１つの配線となるように設計する。そ
して、新セル配線４０１〜４０４は、外側へマージ境界
３００ｂまでのびた状態とする。一方、旧セル配線４１
１〜４１４は、その内側へマージ境界２１０ｂまでのび
た状態とする。したがって、新セル配線４０１〜４０４
と旧セル配線４１１〜４１４は、新旧セル境界３００ａ
を境に、それぞれ５μｍ重なった状態となっている。
セル配線４０１〜４０４を配置する。また、旧セルから
旧セル配線４１１〜４１４を配置する。ここで、新セル
の配線は、もとのグリッド間隔０．０２μｍを１．２５
倍したグリッド上、すなわち０．０２５μｍグリッド上
に配置する。これは、０．８倍してＥＢ露光データを作
成する際に、オフグリッドによる丸めを防ぐために行
う。ここで、新セル配線４０１と旧セル配線４１１，新
セル配線４０２と旧セル配線４１２，新セル配線４０３
と旧セル配線４１３，新セル配線４０４と旧セル配線４
１４が、それぞれ１つの配線となるように設計する。そ
して、新セル配線４０１〜４０４は、外側へマージ境界
３００ｂまでのびた状態とする。一方、旧セル配線４１
１〜４１４は、その内側へマージ境界２１０ｂまでのび
た状態とする。したがって、新セル配線４０１〜４０４
と旧セル配線４１１〜４１４は、新旧セル境界３００ａ
を境に、それぞれ５μｍ重なった状態となっている。
【００２５】以上のことにより、ステップ１０２（図
１）の検証用データが作製されたことになる。そして、
前述したように、新セルは１．２５倍して用いるように
しているが、この検証用データは、ＥＢ露光装置に用い
るわけではないので、データがグリッド上にのっていな
いオフグリッドの状態のままでもよい。そして、図８で
説明したように、この実施の形態では、オフグリッドの
状態を解消しないでそのまま用いているので、スリット
などが発生することがない。
１）の検証用データが作製されたことになる。そして、
前述したように、新セルは１．２５倍して用いるように
しているが、この検証用データは、ＥＢ露光装置に用い
るわけではないので、データがグリッド上にのっていな
いオフグリッドの状態のままでもよい。そして、図８で
説明したように、この実施の形態では、オフグリッドの
状態を解消しないでそのまま用いているので、スリット
などが発生することがない。
【００２６】ここで、検査用データの作成について説明
する。ＥＢ露光データを作成する際、層合成という処理
を行って、データの拡大処理、ＥＢ露光用のデータの変
換という作業がプログラム上で実行されるようになって
いる。この層合成の式には、細らせ，太らせという処理
が含まれている。この、細らせたり太らせたりする処理
は、配線や不純物注入層および拡散層などの特定パター
ンに対して行われる。そして、露光時縮小率が異なるデ
ータの場合は、このフォトマスクを用いてウェハー上に
形成されるパターンが、同様のプロセス基準になるよう
に、細らせ量，太らせ量を露光時縮小率の倍率の比にな
るように考慮しなければならない。さらに、異なる露光
時縮小率のデータであってもＥＢ露光装置の性能上、最
小グリッドが定められており、これらをこの最小グリッ
ドに統一するため、細らせ量，太らせ量は、完全に露光
時縮小率の倍率の比にはならない。
する。ＥＢ露光データを作成する際、層合成という処理
を行って、データの拡大処理、ＥＢ露光用のデータの変
換という作業がプログラム上で実行されるようになって
いる。この層合成の式には、細らせ，太らせという処理
が含まれている。この、細らせたり太らせたりする処理
は、配線や不純物注入層および拡散層などの特定パター
ンに対して行われる。そして、露光時縮小率が異なるデ
ータの場合は、このフォトマスクを用いてウェハー上に
形成されるパターンが、同様のプロセス基準になるよう
に、細らせ量，太らせ量を露光時縮小率の倍率の比にな
るように考慮しなければならない。さらに、異なる露光
時縮小率のデータであってもＥＢ露光装置の性能上、最
小グリッドが定められており、これらをこの最小グリッ
ドに統一するため、細らせ量，太らせ量は、完全に露光
時縮小率の倍率の比にはならない。
【００２７】従って、検査用データ作成における層合成
で細らせ，太らせ処理を行う工程では、新セルと旧セル
でそれぞれＥＢ露光データを作成する場合に，細らせ、
太らせ量が異なるため、前述で作成したＥＢ露光を行う
レイアウトの検証用データからでは直接検査データは作
成できない。但し、それ以外の細らせ，太らせ処理を行
わない工程に関しては，前述で作成したＥＢ露光を行う
レイアウトの検証用データを単純に０．８倍処理するこ
とで検査データが作成できる。そこで、層合成で細らせ
太らせ処理を行う工程の検査用データの作成について以
下に説明する。
で細らせ，太らせ処理を行う工程では、新セルと旧セル
でそれぞれＥＢ露光データを作成する場合に，細らせ、
太らせ量が異なるため、前述で作成したＥＢ露光を行う
レイアウトの検証用データからでは直接検査データは作
成できない。但し、それ以外の細らせ，太らせ処理を行
わない工程に関しては，前述で作成したＥＢ露光を行う
レイアウトの検証用データを単純に０．８倍処理するこ
とで検査データが作成できる。そこで、層合成で細らせ
太らせ処理を行う工程の検査用データの作成について以
下に説明する。
【００２８】前述したように、ＥＢ露光を行うレイアウ
トの検証用データを作成した後、図５に示すように、新
セルを元の大きさに戻す。すなわち、セルセンターでも
ある原点３００を中心に、検証後のＥＢ露光を行うレイ
アウトの検証用のデータの新セルの部分を０．８倍す
る。そして、その０．８倍した新セルのレイアウトデー
タに対して、層合成を行う処理をする。この新セルに
は、前述の新セルを拡大して旧セルに接続したときの配
線４０１，４０２，４０３，４０４が含まれている。次
に、旧セルのレイアウトデータに対して層合成を行う処
理をする。この旧セルも、新セルを拡大して旧セルに接
続したときの配線４１１，４１２，４１３，４１４が含
まれている。
トの検証用データを作成した後、図５に示すように、新
セルを元の大きさに戻す。すなわち、セルセンターでも
ある原点３００を中心に、検証後のＥＢ露光を行うレイ
アウトの検証用のデータの新セルの部分を０．８倍す
る。そして、その０．８倍した新セルのレイアウトデー
タに対して、層合成を行う処理をする。この新セルに
は、前述の新セルを拡大して旧セルに接続したときの配
線４０１，４０２，４０３，４０４が含まれている。次
に、旧セルのレイアウトデータに対して層合成を行う処
理をする。この旧セルも、新セルを拡大して旧セルに接
続したときの配線４１１，４１２，４１３，４１４が含
まれている。
【００２９】上述のように、層合成の処理を新セルと旧
セルとで別々に行った後、旧セルを単純に０．８倍処理
をする。最後にその０．８倍処理をした旧セルと、層合
成を行う処理をした新セルをお互いの原点を中心にマー
ジする。こうしてできたデータについて、このデータの
中の新セルと旧セルについては、既に個別にＤＲＣおよ
びＬＶＳ検証を行ってエラー収束がされ、接続部分もＤ
ＲＣを行ってエラー収束がされている。従って、唯一行
われていない層合成後の全体のＬＶＳ検証であるが、接
続部分の配線が、層合成前と後で変わらなければ、行わ
なくても問題ない。接続部分の配線が変わるようであれ
ば、新セルと旧セルの層合成式の中で、太らせ，細らせ
量の実寸値の大きい値で検証用データを処理するよう
に，ルールファイルの層合成の式を修正してＬＶＳ検証
を行う必要がある。以上の作業を行うことにより、全工
程についての検査用データが作成されたことになる。
セルとで別々に行った後、旧セルを単純に０．８倍処理
をする。最後にその０．８倍処理をした旧セルと、層合
成を行う処理をした新セルをお互いの原点を中心にマー
ジする。こうしてできたデータについて、このデータの
中の新セルと旧セルについては、既に個別にＤＲＣおよ
びＬＶＳ検証を行ってエラー収束がされ、接続部分もＤ
ＲＣを行ってエラー収束がされている。従って、唯一行
われていない層合成後の全体のＬＶＳ検証であるが、接
続部分の配線が、層合成前と後で変わらなければ、行わ
なくても問題ない。接続部分の配線が変わるようであれ
ば、新セルと旧セルの層合成式の中で、太らせ，細らせ
量の実寸値の大きい値で検証用データを処理するよう
に，ルールファイルの層合成の式を修正してＬＶＳ検証
を行う必要がある。以上の作業を行うことにより、全工
程についての検査用データが作成されたことになる。
【００３０】次に、検証用データの検証後における、Ｅ
Ｂ露光装置に用いるためのデータの作成について説明す
る。はじめに、新セルを用いたＥＢ露光装置に用いるた
めのデータの作成に関して説明する。図５に示すよう
に、新セルをもとの大きさに戻す。すなわち、セルセン
ターでもある原点３００を中心に、検証後の検証用デー
タの新セルと新セル配線の部分を０．８倍する（図１ス
テップ１０７）。そして、その０．８倍した、すなわち
もとの新セルにおけるマージ境界２００ｂを境に、その
外側のデータにマスクをかける。すなわち、斜線をかけ
たマージ境界２００ｂの外側のデータは、ＥＢ露光装置
における電子線露光をしないものとする。加えて、旧セ
ル配線４１１〜４１４は消去する。この結果、新セルと
新セル配線４０１〜４０４のみが電子線露光の対象とな
った新セルＥＢ露光データが作成される（図１ステップ
１０８）。
Ｂ露光装置に用いるためのデータの作成について説明す
る。はじめに、新セルを用いたＥＢ露光装置に用いるた
めのデータの作成に関して説明する。図５に示すよう
に、新セルをもとの大きさに戻す。すなわち、セルセン
ターでもある原点３００を中心に、検証後の検証用デー
タの新セルと新セル配線の部分を０．８倍する（図１ス
テップ１０７）。そして、その０．８倍した、すなわち
もとの新セルにおけるマージ境界２００ｂを境に、その
外側のデータにマスクをかける。すなわち、斜線をかけ
たマージ境界２００ｂの外側のデータは、ＥＢ露光装置
における電子線露光をしないものとする。加えて、旧セ
ル配線４１１〜４１４は消去する。この結果、新セルと
新セル配線４０１〜４０４のみが電子線露光の対象とな
った新セルＥＢ露光データが作成される（図１ステップ
１０８）。
【００３１】次に、旧セルを用いたＥＢ露光装置に用い
るためのデータの作成に関して説明する。図６に示すよ
うに、マージ境界２１０ｂを境に、その内側のデータに
マスクをかける。すなわち、斜線をかけたマージ境界２
１０ｂ内側のデータは、ＥＢ露光装置における電子線露
光をしないものとする。加えて、新セル配線４０１〜４
０４は消去する。この結果、旧セルと旧セル配線４１１
〜４１４のみが電子線露光の対象となった旧セルＥＢ露
光データが作成される（図１ステップ１０９）。
るためのデータの作成に関して説明する。図６に示すよ
うに、マージ境界２１０ｂを境に、その内側のデータに
マスクをかける。すなわち、斜線をかけたマージ境界２
１０ｂ内側のデータは、ＥＢ露光装置における電子線露
光をしないものとする。加えて、新セル配線４０１〜４
０４は消去する。この結果、旧セルと旧セル配線４１１
〜４１４のみが電子線露光の対象となった旧セルＥＢ露
光データが作成される（図１ステップ１０９）。
【００３２】そして、新セルＥＢ露光データは、その原
点をマスク原点に位置させてその倍率のまま電子線露光
を行う（図１ステップ１１０）。これに対して、旧セル
ＥＢ露光データは、その原点をマスク原点に位置させ、
加えて、０．８倍して電子線露光を行う（図１ステップ
１１０）。この結果、図７に実線で示すように、旧セル
の部分が０．８倍された状態で旧セルと新セルとがそれ
ぞれに配置されたマスクパターンが、それぞれのフォト
マスク上に形成されることになる（図１ステップ１１
３）。ところで、ゲート電極セル２０１，ソースセル２
０２，ドレインセル２０３，抵抗セル２０４，配線セル
２０５，コンタクトセル２０６，２０７、および、配線
セル２１１，配線セル２１２，コンタクトセル２１３，
コンタクトセル２１４すべてが、同一のフォトマスク上
に形成されるものではない。形成される集積回路の中
で、同一の層に形成されるパターンを形成するためのマ
スクパターンが、同一のフォトマスク上に同時に配置さ
れるものである。
点をマスク原点に位置させてその倍率のまま電子線露光
を行う（図１ステップ１１０）。これに対して、旧セル
ＥＢ露光データは、その原点をマスク原点に位置させ、
加えて、０．８倍して電子線露光を行う（図１ステップ
１１０）。この結果、図７に実線で示すように、旧セル
の部分が０．８倍された状態で旧セルと新セルとがそれ
ぞれに配置されたマスクパターンが、それぞれのフォト
マスク上に形成されることになる（図１ステップ１１
３）。ところで、ゲート電極セル２０１，ソースセル２
０２，ドレインセル２０３，抵抗セル２０４，配線セル
２０５，コンタクトセル２０６，２０７、および、配線
セル２１１，配線セル２１２，コンタクトセル２１３，
コンタクトセル２１４すべてが、同一のフォトマスク上
に形成されるものではない。形成される集積回路の中
で、同一の層に形成されるパターンを形成するためのマ
スクパターンが、同一のフォトマスク上に同時に配置さ
れるものである。
【００３３】なお、上述では、新セルデータのサイズを
所定の倍率に拡大して旧セルデータにマージして検証用
データを作成するようにしたが、これに限るものではな
い。旧セルデータのデータボリュームが新セルデータの
データボリュームより小さいときは、旧セルデーターの
サイズを所定の倍率に縮小し、これに新セルデータをマ
ージするようにしてもよい。また、上述では、新セル領
域を先にＥＢ露光するようにしたが、これに限るもので
はなく、旧セル領域を先にＥＢ露光するようにしてもよ
い。また、上述では、フォトマスクの作製に適用した場
合について説明したが、これに限るものではなく、たと
えば、Ｘ線マスクの作製においても適用できるものであ
る。
所定の倍率に拡大して旧セルデータにマージして検証用
データを作成するようにしたが、これに限るものではな
い。旧セルデータのデータボリュームが新セルデータの
データボリュームより小さいときは、旧セルデーターの
サイズを所定の倍率に縮小し、これに新セルデータをマ
ージするようにしてもよい。また、上述では、新セル領
域を先にＥＢ露光するようにしたが、これに限るもので
はなく、旧セル領域を先にＥＢ露光するようにしてもよ
い。また、上述では、フォトマスクの作製に適用した場
合について説明したが、これに限るものではなく、たと
えば、Ｘ線マスクの作製においても適用できるものであ
る。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、複
数のセルの階層構造でデータが形成された第１のデータ
と、露光原版上での倍率比が前記第１のデータに対して
所定のｘ倍にして用いられる複数のセルの階層構造でデ
ータが形成された第２のデータとからなるレイアウト設
計されたマスクパターンデータを用い、そのマスクパタ
ーンデータにより描画されるマスクパターンを露光原版
上に形成する露光原版の作製方法において、まずはじめ
に、第１のデータのサイズを１／ｘ倍して第３のデータ
を作成する。つぎに、この第３のデータからの第１の接
続データと、第２のデータからの第２の接続データとを
用い、第３のデータと第２のデータとを合成して合成デ
ータを作成する。次に、合成データにおける各セルの組
み合わせが、レイアウト設計のもととなる回路と整合し
ているかどうかの検証を行い、この検証によるエラーの
箇所を修正する。次に、修正を行った合成データのなか
で、第３のデータおよび第１の接続データをｘ倍して第
１の描画用データを作成する。また、修正を行った合成
データのなかで、第２のデータおよび第２の接続データ
により第２の描画用データを作成する。次に、第１の描
画用データを描画露光することにより露光原版上に第１
のマスクパターンを形成する。そして、第２の描画用デ
ータを第１の描画用データに対してｘ倍した状態で描画
露光することにより、露光原版上に第１のマスクパター
ンに加えて第２のマスクパターンを形成することで、露
光原版上にマスクパターンを形成するようにした。ま
た、はじめに、第２のデータのサイズをｘ倍して第３の
データを作成する。次に、第１のデータからの第１の接
続データと第３のデータからの第２の接続データと用
い、第１のデータと第３のデータとを合成して合成デー
タを作成する。次に、合成データにおける各セルの組み
合わせが、レイアウト設計のもととなる回路と整合して
いるかどうかの検証を行い、この検証によるエラーの箇
所を修正する。次に、修正を行った合成データのなか
で、第１のデータおよび第１の接続データにより第１の
描画用データを作成する。また、修正を行った合成デー
タのなかで、第３のデータおよび第２の接続データを１
／ｘ倍して第２の描画用データを作成する。次に、第１
の描画用データを描画露光することにより露光原版上に
第１のマスクパターンを形成する。そして、第２の描画
用データを第１の描画用データに対してｘ倍した状態で
描画露光することにより、露光原版上に第１のマスクパ
ターンに加えて第２のマスクパターンを形成すること
で、露光原版上にマスクパターンを形成するようにし
た。
数のセルの階層構造でデータが形成された第１のデータ
と、露光原版上での倍率比が前記第１のデータに対して
所定のｘ倍にして用いられる複数のセルの階層構造でデ
ータが形成された第２のデータとからなるレイアウト設
計されたマスクパターンデータを用い、そのマスクパタ
ーンデータにより描画されるマスクパターンを露光原版
上に形成する露光原版の作製方法において、まずはじめ
に、第１のデータのサイズを１／ｘ倍して第３のデータ
を作成する。つぎに、この第３のデータからの第１の接
続データと、第２のデータからの第２の接続データとを
用い、第３のデータと第２のデータとを合成して合成デ
ータを作成する。次に、合成データにおける各セルの組
み合わせが、レイアウト設計のもととなる回路と整合し
ているかどうかの検証を行い、この検証によるエラーの
箇所を修正する。次に、修正を行った合成データのなか
で、第３のデータおよび第１の接続データをｘ倍して第
１の描画用データを作成する。また、修正を行った合成
データのなかで、第２のデータおよび第２の接続データ
により第２の描画用データを作成する。次に、第１の描
画用データを描画露光することにより露光原版上に第１
のマスクパターンを形成する。そして、第２の描画用デ
ータを第１の描画用データに対してｘ倍した状態で描画
露光することにより、露光原版上に第１のマスクパター
ンに加えて第２のマスクパターンを形成することで、露
光原版上にマスクパターンを形成するようにした。ま
た、はじめに、第２のデータのサイズをｘ倍して第３の
データを作成する。次に、第１のデータからの第１の接
続データと第３のデータからの第２の接続データと用
い、第１のデータと第３のデータとを合成して合成デー
タを作成する。次に、合成データにおける各セルの組み
合わせが、レイアウト設計のもととなる回路と整合して
いるかどうかの検証を行い、この検証によるエラーの箇
所を修正する。次に、修正を行った合成データのなか
で、第１のデータおよび第１の接続データにより第１の
描画用データを作成する。また、修正を行った合成デー
タのなかで、第３のデータおよび第２の接続データを１
／ｘ倍して第２の描画用データを作成する。次に、第１
の描画用データを描画露光することにより露光原版上に
第１のマスクパターンを形成する。そして、第２の描画
用データを第１の描画用データに対してｘ倍した状態で
描画露光することにより、露光原版上に第１のマスクパ
ターンに加えて第２のマスクパターンを形成すること
で、露光原版上にマスクパターンを形成するようにし
た。
【００３５】また、はじめに、第１のデータのサイズを
１／ｘ倍して第３のデータを作成する。次に、この第３
のデータからの第１の接続データと、第２のデータから
の第２の接続データとを用い、第３のデータと第２のデ
ータとを合成して合成データを作成する。次に、合成デ
ータにおける各セルの組み合わせが、レイアウト設計の
もととなる回路と整合しているかどうかの検証を行い、
この検証によるエラーの箇所を修正する。次に、修正を
行った合成データのなかで、第３のデータおよび第１の
接続データをｘ倍して第１の描画用データを作成する。
また、修正を行った合成データのなかで、第２のデータ
および第２の接続データにより第２の描画用データを作
成する。次に、第２の描画用データを第１の描画用デー
タに対してｘ倍した状態で描画露光することにより露光
原版上に第２のマスクパターンを形成する。そして、第
１の描画用データを描画露光することにより露光原版上
に第１のマスクパターンを形成することにより、露光原
版上に第２のマスクパターンに加えて第１のマスクパタ
ーンを形成することで、露光原版上にマスクパターンを
形成するようにした。そして、はじめに、第２のデータ
のサイズをｘ倍して第３のデータを作成する。次に、第
１のデータからの第２の接続データと第３のデータから
の第２の接続データと用い、第１のデータと第３のデー
タとを合成して合成データを作成する。次に、合成デー
タにおける各セルの組み合わせが、レイアウト設計のも
ととなる回路と整合しているかどうかの検証を行い、こ
の検証によるエラーの箇所を修正する。次に、修正を行
った合成データのなかで、第１のデータおよび第１の接
続データにより第１の描画用データを作成する。また、
修正を行った合成データのなかで、第３のデータおよび
第２の接続データを１／ｘ倍して第２の描画用データを
作成する。次に、第２の描画用データを第１の描画用デ
ータに対してｘ倍した状態で描画露光することにより露
光原版上に第２のマスクパターンを形成する。そして、
第１の描画用データを描画露光することにより露光原版
上に第１のマスクパターンを形成することにより、露光
原版上に第２のマスクパターンに加えて第１のマスクパ
ターンを形成することで、露光原版上にマスクパターン
を形成するようにした。すなわち、露光原版作成のため
の描画露光用に用いられるデータの状態では、第１の描
画用データのサイズに対して第２の描画用データのサイ
ズが１／ｘ倍の状態となっていて、これが描画露光され
るときにそのサイズはｘ倍される。つまり、この発明に
よれば、第２の描画用データのサイズは、第２のデータ
のサイズと同じ状態となっている。 したがって、電子線
露光装置に用いることができる状態にシュリンクするこ
とがなく、第２のデータにオフグリッドなどの問題が発
生していなければ、第２の描画用データにおいても、オ
フグリッドなどの問題は発生しない。この結果、マスク
パターンデータにするための拡大縮小率が異なるレイア
ウトデータを混在して配置する場合でも、より迅速にマ
スクパターンデータが作成できるようになる。また、第
１と第２の描画用データで描かれるパターンのいずれか
一方、または、両方をシュリンクする必要がある場合、
第１と第２の描画用データを計算機上でシュリンクする
のではなくて、描画露光するときに所定の倍率で露光す
ることで、オフグリッドの位置修正による丸めやスリッ
トの発生がなくなり、パターンの変形がない理想的な露
光原版を作成することができる。また、露光原版上で、
第１の接続データ領域と第２の接続データ領域との間に
双方補配線データが重なり合う領域を設けたので、異な
る倍率で別々に露光しても、スリットが発生することが
なく、また、配線パターンがとぎれることがない。
１／ｘ倍して第３のデータを作成する。次に、この第３
のデータからの第１の接続データと、第２のデータから
の第２の接続データとを用い、第３のデータと第２のデ
ータとを合成して合成データを作成する。次に、合成デ
ータにおける各セルの組み合わせが、レイアウト設計の
もととなる回路と整合しているかどうかの検証を行い、
この検証によるエラーの箇所を修正する。次に、修正を
行った合成データのなかで、第３のデータおよび第１の
接続データをｘ倍して第１の描画用データを作成する。
また、修正を行った合成データのなかで、第２のデータ
および第２の接続データにより第２の描画用データを作
成する。次に、第２の描画用データを第１の描画用デー
タに対してｘ倍した状態で描画露光することにより露光
原版上に第２のマスクパターンを形成する。そして、第
１の描画用データを描画露光することにより露光原版上
に第１のマスクパターンを形成することにより、露光原
版上に第２のマスクパターンに加えて第１のマスクパタ
ーンを形成することで、露光原版上にマスクパターンを
形成するようにした。そして、はじめに、第２のデータ
のサイズをｘ倍して第３のデータを作成する。次に、第
１のデータからの第２の接続データと第３のデータから
の第２の接続データと用い、第１のデータと第３のデー
タとを合成して合成データを作成する。次に、合成デー
タにおける各セルの組み合わせが、レイアウト設計のも
ととなる回路と整合しているかどうかの検証を行い、こ
の検証によるエラーの箇所を修正する。次に、修正を行
った合成データのなかで、第１のデータおよび第１の接
続データにより第１の描画用データを作成する。また、
修正を行った合成データのなかで、第３のデータおよび
第２の接続データを１／ｘ倍して第２の描画用データを
作成する。次に、第２の描画用データを第１の描画用デ
ータに対してｘ倍した状態で描画露光することにより露
光原版上に第２のマスクパターンを形成する。そして、
第１の描画用データを描画露光することにより露光原版
上に第１のマスクパターンを形成することにより、露光
原版上に第２のマスクパターンに加えて第１のマスクパ
ターンを形成することで、露光原版上にマスクパターン
を形成するようにした。すなわち、露光原版作成のため
の描画露光用に用いられるデータの状態では、第１の描
画用データのサイズに対して第２の描画用データのサイ
ズが１／ｘ倍の状態となっていて、これが描画露光され
るときにそのサイズはｘ倍される。つまり、この発明に
よれば、第２の描画用データのサイズは、第２のデータ
のサイズと同じ状態となっている。 したがって、電子線
露光装置に用いることができる状態にシュリンクするこ
とがなく、第２のデータにオフグリッドなどの問題が発
生していなければ、第２の描画用データにおいても、オ
フグリッドなどの問題は発生しない。この結果、マスク
パターンデータにするための拡大縮小率が異なるレイア
ウトデータを混在して配置する場合でも、より迅速にマ
スクパターンデータが作成できるようになる。また、第
１と第２の描画用データで描かれるパターンのいずれか
一方、または、両方をシュリンクする必要がある場合、
第１と第２の描画用データを計算機上でシュリンクする
のではなくて、描画露光するときに所定の倍率で露光す
ることで、オフグリッドの位置修正による丸めやスリッ
トの発生がなくなり、パターンの変形がない理想的な露
光原版を作成することができる。また、露光原版上で、
第１の接続データ領域と第２の接続データ領域との間に
双方補配線データが重なり合う領域を設けたので、異な
る倍率で別々に露光しても、スリットが発生することが
なく、また、配線パターンがとぎれることがない。
【図１】 この発明の実施の形態におけるパターンデー
タの作製方法を説明するためのフローチャートである。
タの作製方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】 セルの１例を示す平面図である。
【図３】 １．２５倍した新セルと旧セルとを合わせた
状態を示す説明図である。
状態を示す説明図である。
【図４】 新セルと旧セルとの間を配線した状態を示す
説明図である。
説明図である。
【図５】 ＥＢ露光装置に用いるためのデータの作成に
ついて説明する説明図である。
ついて説明する説明図である。
【図６】 ＥＢ露光装置に用いるためのデータの作成に
ついて説明する説明図である。
ついて説明する説明図である。
【図７】 旧セルの部分が０．８倍された状態で旧セル
と新セルとがそれぞれに配置された状態を示す平面図で
ある。
と新セルとがそれぞれに配置された状態を示す平面図で
ある。
【図８】 オフグリッドの丸めについて説明する説明図
である。
である。
２００…セルセンター、２００ａ…境界、２００ｂ…マ
ージ境界、２０１…ゲート電極セル、２０２…ソースセ
ル、２０３…ドレインセル、２０４…抵抗セル、２０５
…配線セル、２０６，２０７…コンタクトセル、２０７
…コンタクトセル、２１０…セルセンター、２１０ａ…
境界、２１０ｂ…マージ境界、２１１…配線セル、２１
２…配線セル、２１３，２１４…コンタクトセル。
ージ境界、２０１…ゲート電極セル、２０２…ソースセ
ル、２０３…ドレインセル、２０４…抵抗セル、２０５
…配線セル、２０６，２０７…コンタクトセル、２０７
…コンタクトセル、２１０…セルセンター、２１０ａ…
境界、２１０ｂ…マージ境界、２１１…配線セル、２１
２…配線セル、２１３，２１４…コンタクトセル。
Claims (9)
- 【請求項１】 複数のセルの階層構造でデータが形成さ
れた第１のデータと、露光原版上での倍率比が前記第１
のデータに対して所定のｘ倍にして用いられる複数のセ
ルの階層構造でデータが形成された第２のデータとから
なるレイアウト設計されたマスクパターンデータを用
い、そのマスクパターンデータにより描画露光されるマ
スクパターンを露光原版上に形成する露光原版の作製方
法において、 前記第１のデータのサイズを１／ｘ倍して第３のデータ
を作成する第１の工程と、 この第３のデータからの第１の接続データと、前記第２
のデータからの第２の接続データとを用い、前記第３の
データと前記第２のデータとを合成して合成データを作
成する第２の工程と、 前記合成データにおける各セルの組み合わせが、前記レ
イアウト設計のもととなる回路と整合しているかどうか
の検証を行い、この検証によるエラーの箇所を修正する
第３の工程と、 前記第２の工程による修正を行った前記合成データのな
かで、前記第３のデータおよび前記第１の接続データを
ｘ倍して第１の描画用データを作成する第４の工程と、 前記第２の工程による修正を行った前記合成データのな
かで、前記第２のデータおよび前記第２の接続データに
より第２の描画用データを作成する第５の工程と、 前記第１の描画用データを描画露光することにより前記
露光原版上に第１のマスクパターンを形成する第６の工
程と、 前記第２の描画用データを前記第１の描画用データに対
してｘ倍した状態で描画露光することにより、前記露光
原版上に前記第１のマスクパターンに加えて第２のマス
クパターンを形成することで、前記露光原版上に前記マ
スクパターンを形成する第７の工程とを備えたことを特
徴とする露光原版の作製方法。 - 【請求項２】 複数のセルの階層構造でデータが形成さ
れた第１のデータと、露光原版上での倍率比が前記第１
のデータに対して所定のｘ倍にして用いられる複数のセ
ルの階層構造でデータが形成された第２のデータとから
なるレイアウト設計されたマスクパターンデータを用
い、そのマスクパターンデータにより描画されるマスク
パターンを露光原版上に形成する露光原版の作製方法に
おいて、 前記第２のデータのサイズをｘ倍して第３のデータを作
成する第１の工程と、 前記第１のデータからの第１の接続データと前記第３の
データからの第２の接続データと用い、前記第１のデー
タと前記第３のデータとを合成して合成データを作成す
る第２の工程と、 前記合成データにおける各セルの組み合わせが、前記レ
イアウト設計のもととなる回路と整合しているかどうか
の検証を行い、この検証によるエラーの箇所を修正する
第３の工程と、 前記第２の工程による修正を行った前記合成データのな
かで、前記第１のデータおよび前記第１の接続データに
より第１の描画用データを作成する第４の工程と、 前記第２の工程による修正を行った前記合成データのな
かで、前記第３のデータおよび前記第２の接続データを
１／ｘ倍して第２の描画用データを作成する第５の工程
と、 前記第１の描画用データを描画露光することにより前記
露光原版上に第１のマスクパターンを形成する第６の工
程と、 前記第２の描画用データを前記第１の描画用データに対
してｘ倍した状態で描画露光することにより、前記露光
原版上に前記第１のマスクパターンに加えて第２のマス
クパターンを形成することで、前記露光原版上に前記マ
スクパターンを形成する第７の工程とを備えたことを特
徴とする露光原版の作製方法。 - 【請求項３】 複数のセルの階層構造でデータが形成さ
れた第１のデータと、露光原版上での倍率比が前記第１
のデータに対して所定のｘ倍にして用いられる複数のセ
ルの階層構造でデータが形成された第２のデータとから
なるレイアウト設計されたマスクパターンデータを用
い、そのマスクパターンデータにより描画されるマスク
パターンを露光原版上に形成する露光原版の作製方法に
おいて、 前記第１のデータのサイズを１／ｘ倍して第３のデータ
を作成する第１の工程と、 この第３のデータからの第１の接続データと、前記第２
のデータからの第２の接続データとを用い、前記第３の
データと前記第２のデータとを合成して合成データを作
成する第２の工程と、 前記合成データにおける各セルの組み合わせが、前記レ
イアウト設計のもととなる回路と整合しているかどうか
の検証を行い、この検証によるエラーの箇所を修正する
第３の工程と、 前記第２の工程による修正を行った前記合成データのな
かで、前記第３のデータおよび前記第１の接続データを
ｘ倍して第１の描画用データを作成する第４の工程と、 前記第２の工程による修正を行った前記合成データのな
かで、前記第２のデータおよび前記第２の接続データに
より第２の描画用データを作成する第５の工程と、 前記第２の描画用データを前記第１の描画用データに対
してｘ倍した状態で描画露光することにより前記露光原
版上に第２のマスクパターンを形成する第６の工程と、 前記第１の描画用データを描画露光することにより前記
露光原版上に第１のマスクパターンを形成することによ
り、前記露光原版上に前記第２のマスクパターンに加え
て第１のマスクパターンを形成することで、前記露光原
版上に前記マスクパターンを形成する第７の工程とを備
えたことを特徴とする露光原版の作製方法。 - 【請求項４】 複数のセルの階層構造でデータが形成さ
れた第１のデータと、露光原版上での倍率比が前記第１
のデータに対して所定のｘ倍にして用いられる複数のセ
ルの階層構造でデータが形成された第２のデータとから
なるレイアウト設計されたマスクパターンデータを用
い、そのマスクパターンデータにより描画されるマスク
パターンを露光原版上に形成する露光原版の作製方法に
おいて、 前記第２のデータのサイズをｘ倍して第３のデータを作
成する第１の工程と、 前記第１のデータからの第１の接続データと前記第３の
データからの第２の接続データと用い、前記第１のデー
タと前記第３のデータとを合成して合成データを作成す
る第２の工程と、 前記合成データにおける各セルの組み合わせが、前記レ
イアウト設計のもととなる回路と整合しているかどうか
の検証を行い、この検証によるエラーの箇所を修正する
第３の工程と、 前記第２の工程による修正を行った前記合成データのな
かで、前記第１のデータおよび前記第１の接続データに
より第１の描画用データを作成する第４の工程と、 前記第２の工程による修正を行った前記合成データのな
かで、前記第３のデータおよび前記第２の接続データを
１／ｘ倍して第２の描画用データを作成する第５の工程
と、 前記第２の描画用データを前記第１の描画用データに対
してｘ倍した状態で描画露光することにより前記露光原
版上に第２のマスクパターンを形成する第６の工程と、 前記第１の描画用データを描画露光することにより前記
露光原版上に第１のマスクパターンを形成することによ
り、前記露光原版上に前記第２のマスクパターンに加え
て第１のマスクパターンを形成することで、前記露光原
版上に前記マスクパターンを形成する第７の工程とを備
えたことを特徴とする露光原版の作製方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４いずれか１項記載の露光原
版の作製方法において、 前記第１の接続データと前記第２の接続データとは重な
る領域を備えて作成することを特徴とする露光原版の作
製方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５いずれか１項記載の露光原
版の作製方法において、 前記修正を行った合成データを前記露光原版の検査に用
いることを特徴とする露光原版の作製方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の露光原版の作製方法にお
いて、前記合成データを描画露光時倍率に縮小して層合成した
データ、または、前記 合成データを層合成して描画露光
時倍率に縮小したデータを前記露光原版の検査に用いる
ことを特徴とする露光原版の作製方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の露光原版の作製方法にお
いて、前記露光原版の検査に用いる合成データは、 第１と第２の描画用データをそれぞれ元の倍率に戻し、
その元の倍率の戻したデータの中で所定のパターンを太
くしたり細くさせて層合成を行し、その層合成したデー
タを描画露光時縮小に倍率に縮小し、その縮小したそれ
ぞれのデータを合成することで作成する ことを特徴とす
る露光原版の作製方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８いずれか１項記載の露光原
版の作製方法において、前記マスクパターンの描画露光は、電子線を用いた電子
線露光により行われることを特徴とする露光原版の作製
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14895398A JP3185754B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 露光原版の作製方法 |
| DE19924076A DE19924076A1 (de) | 1998-05-29 | 1999-05-26 | Maskenherstellungsverfahren |
| US09/321,019 US6033812A (en) | 1998-05-29 | 1999-05-27 | Mask manufacturing method for forming an electron beam drawing pattern |
| KR1019990019137A KR100295869B1 (ko) | 1998-05-29 | 1999-05-27 | 마스크 제조방법 |
| CNB991078896A CN1135602C (zh) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | 掩模的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14895398A JP3185754B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 露光原版の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11338122A JPH11338122A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3185754B2 true JP3185754B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=15464357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14895398A Expired - Fee Related JP3185754B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 露光原版の作製方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6033812A (ja) |
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| KR (1) | KR100295869B1 (ja) |
| CN (1) | CN1135602C (ja) |
| DE (1) | DE19924076A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6507944B1 (en) * | 1999-07-30 | 2003-01-14 | Fujitsu Limited | Data processing method and apparatus, reticle mask, exposing method and apparatus, and recording medium |
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