JP2003121989A - ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法Info
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Abstract
マスク用の材料の無駄を省くことができるハーフトーン
型位相シフトマスクの修正方法等を提供する。 【解決手段】 透明基板上に半透光膜パターンおよび遮
光膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスク
において、半透光膜パターン上に欠陥として残った遮光
膜残さを、レジスト塗布後にマスクを用いることなく遮
光膜パターンの形成に用いた描画データ等を用いて描画
し、現像してレジストパターンを形成して少なくとも前
記遮光膜パターンを保護した後、エッチング除去するこ
とを特徴とする。
Description
パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるハ
ーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法等に関す
る。
としては、透明基板上にＭｏＳｉＮやＭｏＳｉＯＮ等か
らなる半透光膜を有し、前記半透光膜は、転写領域内で
所定のパターンを形成しており、その非転写領域におい
てはクロム等からなる遮光膜で被われているものがあ
る。この種のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法としては、次のような方法がある。透明基板１上に半
透光膜２を形成した後、遮光膜３を形成し、次いでポジ
型電子線レジスト４を形成する（図４（ａ））。次に所
望のパターンを電子線描画し、現像してレジストパター
ン４ａを形成する（同図（ｂ））。次にレジストパター
ン４ａをマスクにして遮光膜３をドライエッチングして
遮光膜パターン３ａを形成する（同図（ｃ））。次に、
レジストパターン４ａ及び遮光膜パターン３ａをマスク
にして半透光膜２をドライエッチングして半透光膜パタ
ーン２ａを形成する（同図（ｄ））。次にレジストパタ
ーン４ａを剥離する（同図（ｅ））。その後、フォトレ
ジスト５を塗布してベークする（同図（ｆ））。次に、
所望のパターンを露光し、非転写領域の遮光膜を被うレ
ジストパターン５ａを形成する（同図（ｇ））。次に、
レジストパターン５ａをマスクにして露出した遮光膜を
例えばウエットエッチングにより除去する（同図
（ｈ））。最後に、レジストパターン５ａの剥離及び洗
浄を施し、ハーフトーン型位相シフトマスクを得る（同
図（ｉ））。この種のハーフトーン型位相シフトマスク
におけるハーフトーン膜上のクロム残りの修正方法とし
ては、例えば特開平１０−２７４８３９号公報に記載の
技術がある。この技術では、図５に示すように、ハーフ
トーン型位相シフトマスク１０の半透光領域（半透光膜
パターン領域）１１におけるＭｏＳｉＯＮからなる半透
光膜パターン１２上に、遮光領域１３にＣｒ遮光膜パタ
ーン１４を形成する工程で生じたＣｒ膜残さ１５が存在
する場合に、マスク１０全面にレジスト１６を塗布す
る。そして、遮光領域１３に対応する位置にＣｒ遮光膜
パターン２１を形成した修正用マスク２０を用いて露光
し、レジスト１６を現像して、レジストパターン１６で
Ｃｒ遮光膜パターン１４を保護する。その後、Ｃｒ膜残
さ１５をエッチング除去するものである。
来技術には以下のような欠点がある。 （１）修正用にマスクを新たに作製しなければならな
い。このため手間、材料費がかかる。 （２）半透光領域１１（メインチップの大きさ）は品種
によって異なるため、作製したマスクはいつも使える訳
ではない。 （３）修正用マスクを精度よく半透光領域１１に重ね合
わせて露光することが難しく、未露光部または余剰露光
部が発生してしまうことがある。 （４）実施例ではウエットエッチングを採用している
が、一度残ってしまったＣｒ残さはウェットエッチング
ではエッチングされないことが多いことが本発明者の経
験上判明している。この原因は不明であるが、Ｃｒ遮光
膜の物性等に対しＣｒ残さの物性等が変化したためであ
ると考えられる。 （５）ＭｏＳｉＯＮ半透光膜はＭｏＳｉＮ半透光膜に比
べて塩素系ガスによるドライエッチングに対して耐性が
弱い。
半導体装置における集積度の向上、或いは、微細化に伴
うパターン密度の増加やドライエッチング工程の採用に
よりパターン欠陥の発生率が増加したことから、スポッ
ト露光による修正では修正回数が増加して手間の面で問
題となるために、一回の修正作業において複数箇所の欠
陥を修正することができる修正方法として本発明は発明
されたものである。本発明は上述した問題点を解決する
ために、以下の構成を有する。
ンおよび遮光膜パターンを有するハーフトーン型位相シ
フトマスクにおいて、半透光膜パターン上に欠陥として
残った遮光膜残さを、レジスト塗布後にマスクを用いる
ことなく露光し現像してレジストパターンを形成して少
なくとも前記遮光膜パターンを保護した後、エッチング
除去することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマ
スクの修正方法。
フトーン型位相シフトマスクの転写領域を除く非転写領
域に形成されたものであることを特徴とする構成１に記
載のハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法。
して残った遮光膜残さが、ウエットエッチングにより生
じた残さであり、遮光膜残さをエッチング除去する方法
がドライエッチングによるものであることを特徴とする
構成１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスク
の修正方法。
陥として残った遮光膜残さを、レジスト塗布後にマスク
を用いることなく遮光膜パターンの形成に用いた描画デ
ータ又はその描画データに基づく描画データを用いて描
画し、現像してレジストパターンを形成して少なくとも
遮光膜パターンを保護した後、エッチング除去すること
によって、新たに修正用のマスクを作製する手間および
マスク用の材料（マスクブランクス）を省くことがで
き、さらに既存の描画データを用いることから、簡単に
精度がよい描画を行うことができる。なお、本発明の描
画は、レーザ描画及び電子線描画を含むものであるが、
描画の簡便性から、レーザ描画で行うことが好ましい。
また、描画データとしては、遮光パターンの形成に用い
た描画データを用いることが最も簡単であるが、欠陥が
少ない場合や欠陥が部分的に発生している場合等は、遮
光パターンの形成に用いた描画データに基づき、欠的部
分を被う領域を抽出して描画を行うことにより、描画時
間の短縮化を図ることができる。
パターンが形成されている半透光膜領域全てを露光し現
像して半透光膜領域以外の領域にレジストパターンを形
成して遮光膜パターンを保護した後、エッチング処理を
行なうことで、半透光膜パターン上に欠陥として残った
遮光膜残さをエッチング除去できるとともに、更に欠陥
検査装置で検出できなかった半透光膜パターン上の微小
なＣｒ残さ欠陥までも同時にエッチング除去できる。構
成２において、半透光膜領域とは、半透光膜パターンが
形成される領域又はその近傍領域を含めた領域を指す。
図５に示す通常のケースの場合、すなわち半透光膜領域
１１には半透光膜パターンのみが形成され、半透光膜領
域を除くマスクの周辺領域に遮光領域１３が形成される
場合は、構成２に係る発明で言う半透光膜領域は、パタ
ーン転写領域（デバイス領域）である半透光膜領域１１
全体を指す。このように、遮光膜を形成する領域は通常
パターン転写領域を除く領域（非転写領域）すなわちマ
スクの周辺領域であるが、パターン転写領域にも遮光膜
パターンが形成される場合にはこの遮光膜パターンの部
分又はその近傍領域を含めた領域も遮光膜を形成する領
域に含まれ、この場合構成２に係る発明で言う半透光膜
領域は、遮光膜パターンを形成する領域を除く領域又は
その近傍領域を含めた領域を除く領域を指す。構成２に
おいては、マスク製造工程で使用した遮光膜を残すため
の描画データをそのまま用いて遮光膜を残す部分のレジ
ストを残すための露光を再度行なうことで、半透光膜領
域全てを露光できるので簡単かつ低コストで修正を行う
ことができる。
ことで、ドライエッチングによる半透光膜へのダメージ
（すなわち位相差、透過率の変化）を最小限にとどめる
ことができ、マスクの歩留向上が期待できる。
ング除去する方法として、ドライエッチングを採用する
ことで、ウエットエッチングでは除去出来ないＣｒ残さ
を確実に除去できる。
相シフトマスクの製造工程の説明図、図２は同じく修正
工程の説明図である。以下これらの図を参照しながら本
実施例を説明する。透明基板１は表面を鏡面研度した石
英ガラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５イン
チ）に所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１
上にモリフデン、シリコン、酸素、窒素からなる半透光
膜２を膜厚１００ｎｍでスパッタリング法により形成
し、続けてクロムからなる遮光膜３を膜厚１００ｎｍで
形成した。次いで、ポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ７０
００：日本ゼオン社製）４をスピンコート法により膜厚
５００ｎｍで塗布した（図１（ａ））。次に、所望のパ
ターンを電子線描画装置（ＭＥＢＥＳ：ＥＴＥＣ社製）
にて電子線描画し、現像してレジストパターン４ａを形
成した（同図（ｂ））。次に、レジストパターン４ａを
マスクにして遮光膜３を塩素と酸素からなるドライエッ
チングにてエッチングし、第一の遮光膜パターン３ａを
形成した（同図（ｃ））。次に、レジストパターン４ａ
および第一の遮光膜パターン３ａをマスクにして半透光
膜２をＣＦ4／Ｏ2の混合ガスを用い、圧力０．４Ｔｏｒ
ｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエッチングし半
透光膜パターン２ａを形成した（同図（ｄ））。最後に
レジストパターン４ａを剥離して第一段楷までパターニ
ングされたマスクが完成した（同図（ｅ））。その後、
フォトレジスト（ＡＺ１３５０：クラリアント社製）５
をスピンコート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベー
クした（同図（ｆ））。次に、所望のパターンをレーザ
描画装置（ＡＬＴＡ３０００：ＥＴＥＣ社製）露光（描
画）し、現像してレジストパターン５ａを形成した（同
図（ｇ））。次に、レジストパターン５ａをマスクにし
第一の遮光膜パターン３ａを硝酸第２セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いてエッチン
グして第二の遮光膜パターン３ｂを形成した（同図
（ｈ））。最後にレジストパターン５ａを剥離して所定
の洗浄を施しハーフトーン型位相シフトマスクを得た
（同図（ｉ））。
行なった。その結果、半透光膜パターン２ａ上に本来不
必要なＣｒ残さ欠陥３ｃが発見されたため、そのままで
はハーフトーン型マスクとして使用できないことが明ら
かであった（図２（ａ））。ちなみにこの時点での位相
差は１８１．５°、透過率は６．１％であった。そこ
で、ポジ型フォトレジスト（例えばＡＺ１３５０：クラ
リアント社製）４を塗布した（同図（ｂ））。次に、半
透光膜を露出させる領域に再度露光を行ない、現像して
レジストパターン４ａを形成した（同図（ｃ））。次
に、塩素と酸素からなるドライエッチング法を用いてエ
ッチングすることでＣｒ残さ３ｃを除去した（同図
（ｄ））。最後にレジストパターン４ａを剥離して、正
常なハーフトーン型マスクを得た（同図（１ｅ））。そ
の後、位相差および透過率を測定したところ、位相差は
１８１．３°、透過率は６．２％であり、修正前とほと
んど変化は無くドライエッチング修正によって半透光膜
にほとんどダメージを与えていないことがわかった。
相シフトマスクの修正工程の説明図である。以下この図
を参照しながら本実施例を説明する。マスク作製までの
工程は実施例１と同様であるので説明を省略する。マス
ク作製後に、所定の洗浄を施した後に欠陥検査を行なっ
た。その結果、半透光膜パターン２ａ上に本来不必要な
Ｃｒ残さ欠陥３ｃが発見されたため、そのままではハー
フトーン型マスクとして使用できないことが明らかであ
った（図３（ａ））。そこで、ポジ型フォトレジスト
（例えばＡＺ１３５０：クラリアント社製）４を塗布し
た（同図（ｂ））。次に、上記のＣｒ残さ欠陥を露出さ
せる領域に同様にＡＬＴＡ３０００により露光を行な
い、現像してレジストパターン４ａを形成した（同図
（ｃ））。この露光では半透光膜を露出させる領域に露
光する描画データから、欠陥部分の座標からその欠陥を
被うように露光預域を抽出したため、描画に要した時間
は正規の時間よりも２０分の１程度の短時間で終了し
た。次に、塩素と酸素からなるドライエッチング法を用
いてエッチングすることでＣｒ残さ３ｃを除去した（同
図（ｄ））。最後にレジストパターン４ａを剥離して、
正常なハーフトーン型マスクを得た（同図（ｅ））。
したが、本発明は上記実施例に限定されない。
によれば、新たに修正用のマスクを作製する手間および
マスク用の材料の無駄を省くことができる。また、修正
用マスクを用いる場合に比べ、比較的単純な工程を付加
するのみで欠陥を修正することができ、しかも高品質の
ハーフトーン型位相シフトマスクを短時間で効率良く高
歩留りで得ることができる。
位相シフトマスクの製造工程の説明図である。
位相シフトマスクの修正工程の説明図である。
位相シフトマスクの修正工程の説明図である。
説明図である。
方法の説明図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に半透光膜パターンおよび前
記半透光膜上の所望の箇所に遮光膜パターンを有するハ
ーフトーン型位相シフトマスクにおいて、半透光膜パタ
ーン上に欠陥として残った遮光膜残さを、前記マスク全
面にレジスト塗布後に前記遮光膜パターンの形成に用い
た描画データ又はそのデータに基づく描画データを用い
て描画し、現像してレジストパターンを形成して少なく
とも前記遮光膜パターンを保護した後、エッチング除去
することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク
の修正方法。 - 【請求項２】 前記遮光膜パターンは、ハーフトーン型
位相シフトマスクの転写領域を除く非転写領域に形成さ
れたものであることを特徴とする請求項１に記載のハー
フトーン型位相シフトマスクの修正方法。 - 【請求項３】 半透光膜パターン上に欠陥として残った
遮光膜残さが、ウエットエッチングにより生じた残さで
あり、遮光膜残さをエッチング除去する方法がドライエ
ッチングによるものであることを特徴とする請求項１又
は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクの修正方
法。
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