JP3175974B2 - メモリカード装置 - Google Patents
メモリカード装置Info
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- JP3175974B2 JP3175974B2 JP11563092A JP11563092A JP3175974B2 JP 3175974 B2 JP3175974 B2 JP 3175974B2 JP 11563092 A JP11563092 A JP 11563092A JP 11563092 A JP11563092 A JP 11563092A JP 3175974 B2 JP3175974 B2 JP 3175974B2
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- Japan
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置の改良に関する。
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、ＥＥＰＲＯＭは、現在、
磁気ディスクに代わるデータ記録媒体として注目を浴び
ているもので、データ保持のためのバックアップ電池が
不要であるとともに、チップ自体のコストを安くするこ
とができる等、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・ア
クセス・メモリ）やＤ（ダイナミック）ＲＡＭの持たな
い特有な利点を有することから、特にメモリカード用と
して使用するための開発が盛んに行なわれている。
磁気ディスクに代わるデータ記録媒体として注目を浴び
ているもので、データ保持のためのバックアップ電池が
不要であるとともに、チップ自体のコストを安くするこ
とができる等、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・ア
クセス・メモリ）やＤ（ダイナミック）ＲＡＭの持たな
い特有な利点を有することから、特にメモリカード用と
して使用するための開発が盛んに行なわれている。
【０００３】そして、このメモリカードは、例えば撮影
した被写体の光学像を固体撮像素子を用いて電気的な画
像信号に変換し、この画像信号をデジタル画像データに
変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ等に
使用して好適するもので、ＥＥＰＲＯＭをカード状のケ
ースに内蔵してなるメモリカードを、カメラ本体に着脱
自在となるように構成することによって、通常のカメラ
におけるフィルムと等価な取り扱いができるようにした
ものである。
した被写体の光学像を固体撮像素子を用いて電気的な画
像信号に変換し、この画像信号をデジタル画像データに
変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ等に
使用して好適するもので、ＥＥＰＲＯＭをカード状のケ
ースに内蔵してなるメモリカードを、カメラ本体に着脱
自在となるように構成することによって、通常のカメラ
におけるフィルムと等価な取り扱いができるようにした
ものである。
【０００４】図４は、このようなメモリカードに内蔵さ
れたＥＥＰＲＯＭのメモリマップを示している。すなわ
ち、ＥＥＰＲＯＭのアドレス空間は、属性（アトリビュ
ート）領域とデータ領域とに二分されている。このう
ち、属性領域には、ホスト側である電子スチルカメラ
に、そのメモリカードの種類やデータ領域の全記録容量
等を知らせるための、各種属性情報が記録されている。
この属性領域の中には、データ領域の残り記録容量を示
すデータを格納する番地Ａが設定されており、今、番地
Ａには、データ領域の残り記録容量がａであることを示
すデータａ´が記録されているものとする。
れたＥＥＰＲＯＭのメモリマップを示している。すなわ
ち、ＥＥＰＲＯＭのアドレス空間は、属性（アトリビュ
ート）領域とデータ領域とに二分されている。このう
ち、属性領域には、ホスト側である電子スチルカメラ
に、そのメモリカードの種類やデータ領域の全記録容量
等を知らせるための、各種属性情報が記録されている。
この属性領域の中には、データ領域の残り記録容量を示
すデータを格納する番地Ａが設定されており、今、番地
Ａには、データ領域の残り記録容量がａであることを示
すデータａ´が記録されているものとする。
【０００５】ところで、ＥＥＰＲＯＭは、データの書き
込み，読み出し及び消去等が行なわれた回数に応じてメ
モリセルが劣化し、ＳＲＡＭ等に比して短い使用回数
（数万回〜数百万回）で、データの書き込み不良が発生
し易くなるという不都合を有している。そこで、従来で
は、書き込み不良の発生したメモリセルに書き込むべき
データを、他の正常なメモリセルに書き込んで救済する
救済対策が考えられている（例えば特願平３−３１７１
６９号参照）。この救済対策は、具体的に言えば、図５
に示すように、データ領域の番地Ｂに書き込み不良が発
生した場合、番地Ｂに書き込むべきデータｂを他の正常
なメモリセルを有する番地Ｃに書き込むようにしたもの
である。
込み，読み出し及び消去等が行なわれた回数に応じてメ
モリセルが劣化し、ＳＲＡＭ等に比して短い使用回数
（数万回〜数百万回）で、データの書き込み不良が発生
し易くなるという不都合を有している。そこで、従来で
は、書き込み不良の発生したメモリセルに書き込むべき
データを、他の正常なメモリセルに書き込んで救済する
救済対策が考えられている（例えば特願平３−３１７１
６９号参照）。この救済対策は、具体的に言えば、図５
に示すように、データ領域の番地Ｂに書き込み不良が発
生した場合、番地Ｂに書き込むべきデータｂを他の正常
なメモリセルを有する番地Ｃに書き込むようにしたもの
である。
【０００６】この場合、メモリカードは、番地Ｂへのデ
ータｂの書き込みが要求されたことから、番地Ａの内容
つまりデータ領域の残り記録容量を、ａ´から番地Ｂの
容量ｂ´を差し引いたａ´−ｂ´に書き替えるように動
作される。しかしながら、実際には、番地Ｂに書き込み
不良が発生したことからデータｂが番地Ｃに救済されて
いるので、番地Ｂの容量ｂ´と番地Ｃの容量ｃ´とを加
算した容量ｂ´＋ｃ´が、データ領域の残り記録容量ａ
´から失なわれていることになり、属性領域に記録され
た残り記録容量ａ´−ｂ´と、データ領域の実際の残り
記録容量ａ´−（ｂ´＋ｃ´）とが異なってしまうとい
う問題が生じる。
ータｂの書き込みが要求されたことから、番地Ａの内容
つまりデータ領域の残り記録容量を、ａ´から番地Ｂの
容量ｂ´を差し引いたａ´−ｂ´に書き替えるように動
作される。しかしながら、実際には、番地Ｂに書き込み
不良が発生したことからデータｂが番地Ｃに救済されて
いるので、番地Ｂの容量ｂ´と番地Ｃの容量ｃ´とを加
算した容量ｂ´＋ｃ´が、データ領域の残り記録容量ａ
´から失なわれていることになり、属性領域に記録され
た残り記録容量ａ´−ｂ´と、データ領域の実際の残り
記録容量ａ´−（ｂ´＋ｃ´）とが異なってしまうとい
う問題が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
メモリカードでは、書き込み不良の発生したメモリセル
に書き込むべきデータを、他の正常なメモリセルに書き
込む救済対策を施した場合、属性領域に記録される残り
記録容量と、データ領域の実際の残り記録容量とが異な
るものになってしまうという問題を有している。
メモリカードでは、書き込み不良の発生したメモリセル
に書き込むべきデータを、他の正常なメモリセルに書き
込む救済対策を施した場合、属性領域に記録される残り
記録容量と、データ領域の実際の残り記録容量とが異な
るものになってしまうという問題を有している。
【０００８】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、書き込み不良に対する救済対策を施した
場合でも、属性領域の残り記録容量と実際のデータ領域
の残り記録容量とを一致させるようにした極めて良好な
メモリカード装置を提供することを目的とする。
されたもので、書き込み不良に対する救済対策を施した
場合でも、属性領域の残り記録容量と実際のデータ領域
の残り記録容量とを一致させるようにした極めて良好な
メモリカード装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、残り記録容量を含む属性情報が記録された
半導体メモリを有し、外部からの要求に応じて残り記録
容量を出力可能なものを対象としている。そして、半導
体メモリのデータ書き込みが要求された領域に書き込み
不良が検出された状態で、該書き込み不良領域に書き込
むデータを他の空き領域に書き込む救済手段と、この救
済手段によってデータの書き込まれた領域の容量と書き
込み不良領域の容量とに基づいて、属性情報の残り記録
容量を減少させる制御手段とを備えるようにしたもので
ある。
ード装置は、残り記録容量を含む属性情報が記録された
半導体メモリを有し、外部からの要求に応じて残り記録
容量を出力可能なものを対象としている。そして、半導
体メモリのデータ書き込みが要求された領域に書き込み
不良が検出された状態で、該書き込み不良領域に書き込
むデータを他の空き領域に書き込む救済手段と、この救
済手段によってデータの書き込まれた領域の容量と書き
込み不良領域の容量とに基づいて、属性情報の残り記録
容量を減少させる制御手段とを備えるようにしたもので
ある。
【００１０】
【作用】上記のような構成によれば、救済手段によって
データの書き込まれた領域の容量と書き込み不良領域の
容量とに基づいて、属性情報の残り記録容量を減少させ
るようにしたので、書き込み不良に対する救済対策を施
した場合でも、属性情報の残り記録容量を実際の残り記
録容量に一致させることができる。
データの書き込まれた領域の容量と書き込み不良領域の
容量とに基づいて、属性情報の残り記録容量を減少させ
るようにしたので、書き込み不良に対する救済対策を施
した場合でも、属性情報の残り記録容量を実際の残り記
録容量に一致させることができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラのメモリ
カードに適用した場合の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１において、符号１１はメモリカ
ード本体で、その一端部に設置されたコネクタ１２を介
して、図示しない電子スチルカメラ本体に接続されるよ
うになされている。このコネクタ１２には、電子スチル
カメラ本体側から、メモリカード本体１１に書き込むべ
きデータや、その書き込み場所を示すアドレスデータ等
が供給される。
カードに適用した場合の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１において、符号１１はメモリカ
ード本体で、その一端部に設置されたコネクタ１２を介
して、図示しない電子スチルカメラ本体に接続されるよ
うになされている。このコネクタ１２には、電子スチル
カメラ本体側から、メモリカード本体１１に書き込むべ
きデータや、その書き込み場所を示すアドレスデータ等
が供給される。
【００１２】そして、このコネクタ１２に供給されたデ
ータは、バスライン１３を介して図示しないＣＰＵを内
蔵したデータ入出力制御回路１４に取り込まれる。この
データ入出力制御回路１４は、データの高速書き込み及
び高速読み出しが可能な図示しないバッファメモリを内
蔵しており、取り込んだデータを一旦バッファメモリに
記録する。その後、データ入出力制御回路１４は、バッ
ファメモリに記録したデータを、バスライン１５を介し
て複数チップ（図示の場合は４チップ）のＥＥＰＲＯＭ
１６の書き込みサイクルに対応したタイミングで読み出
し、ＥＥＰＲＯＭ１６に記録する。
ータは、バスライン１３を介して図示しないＣＰＵを内
蔵したデータ入出力制御回路１４に取り込まれる。この
データ入出力制御回路１４は、データの高速書き込み及
び高速読み出しが可能な図示しないバッファメモリを内
蔵しており、取り込んだデータを一旦バッファメモリに
記録する。その後、データ入出力制御回路１４は、バッ
ファメモリに記録したデータを、バスライン１５を介し
て複数チップ（図示の場合は４チップ）のＥＥＰＲＯＭ
１６の書き込みサイクルに対応したタイミングで読み出
し、ＥＥＰＲＯＭ１６に記録する。
【００１３】この場合、データ入出力制御回路１４は、
ＥＥＰＲＯＭ１６に例えばページ単位でデータが書き込
まれる毎に、ＥＥＰＲＯＭ１６から書き込んだページ単
位のデータを読み出し、バッファメモリに記録されてい
るデータと一致しているか否かを判別する書き込みベリ
ファイを実行する。そして、データ入出力制御回路１４
は、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み出したデータと、バッフ
ァメモリに記録されたデータとが一致していない場合、
再度、バッファメモリからＥＥＰＲＯＭ１６にデータを
転送して書き込みを行なわせ、この動作が所定回数繰り
返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み出したデータ
とバッファメモリに記録されたデータとが完全に一致し
たとき、データの書き込みが完了される。
ＥＥＰＲＯＭ１６に例えばページ単位でデータが書き込
まれる毎に、ＥＥＰＲＯＭ１６から書き込んだページ単
位のデータを読み出し、バッファメモリに記録されてい
るデータと一致しているか否かを判別する書き込みベリ
ファイを実行する。そして、データ入出力制御回路１４
は、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み出したデータと、バッフ
ァメモリに記録されたデータとが一致していない場合、
再度、バッファメモリからＥＥＰＲＯＭ１６にデータを
転送して書き込みを行なわせ、この動作が所定回数繰り
返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み出したデータ
とバッファメモリに記録されたデータとが完全に一致し
たとき、データの書き込みが完了される。
【００１４】次に、ＥＥＰＲＯＭ１６から、データをメ
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路１
４に供給される。すると、データ入出力制御回路１４
は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１６か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリに記録する。
その後、データ入出力制御回路１４は、バッファメモリ
に記録したデータを読み出しコネクタ１２を介して外部
に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれる。
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路１
４に供給される。すると、データ入出力制御回路１４
は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１６か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリに記録する。
その後、データ入出力制御回路１４は、バッファメモリ
に記録したデータを読み出しコネクタ１２を介して外部
に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれる。
【００１５】したがって、上記のような構成によれば、
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリを介して行な
われるので、電子スチルカメラ本体側から見たメモリカ
ード本体１１へのデータの書き込みスピード及び読み出
しスピードを向上させることができる。
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリを介して行な
われるので、電子スチルカメラ本体側から見たメモリカ
ード本体１１へのデータの書き込みスピード及び読み出
しスピードを向上させることができる。
【００１６】ここで、上記データ入出力制御回路１４
は、図２に示すように、データ領域の番地Ｂに書き込み
不良が発生した場合、番地Ｂに書き込むべきデータｂを
他の正常なメモリセルを有する番地Ｃに書き込むという
救済処理を実行する。この場合、データ入出力制御回路
１４は、番地Ｂに書き込み不良が発生したことと、番地
Ｃをその救済領域に使用したこととに基づいて、属性領
域の番地Ａに記録されているデータ領域の残り容量ａ´
から、番地Ｂの容量ｂ´と番地Ｃの容量ｃ´とを加算し
た値を減算し、その減算結果ａ´−（ｂ´＋ｃ´）を実
際のデータ領域の残り記録容量として、属性領域の番地
Ａに記録するように動作する。
は、図２に示すように、データ領域の番地Ｂに書き込み
不良が発生した場合、番地Ｂに書き込むべきデータｂを
他の正常なメモリセルを有する番地Ｃに書き込むという
救済処理を実行する。この場合、データ入出力制御回路
１４は、番地Ｂに書き込み不良が発生したことと、番地
Ｃをその救済領域に使用したこととに基づいて、属性領
域の番地Ａに記録されているデータ領域の残り容量ａ´
から、番地Ｂの容量ｂ´と番地Ｃの容量ｃ´とを加算し
た値を減算し、その減算結果ａ´−（ｂ´＋ｃ´）を実
際のデータ領域の残り記録容量として、属性領域の番地
Ａに記録するように動作する。
【００１７】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、属性領域の残り記録容量を実際のデータ領域の残
り記録容量に一致させることができるため、ホスト側で
ある電子スチルカメラが属性領域の番地Ａの内容を読み
取ることにより、データ領域の残り記録容量を正確に検
知することができ、従来のように、電子スチルカメラが
属性領域の番地Ａの内容を読み取った結果では、まだ残
り記録容量があるにもかかわらず、実際にデータ領域に
データを記録することができないという不都合が生じる
ことを防止することができる。
れば、属性領域の残り記録容量を実際のデータ領域の残
り記録容量に一致させることができるため、ホスト側で
ある電子スチルカメラが属性領域の番地Ａの内容を読み
取ることにより、データ領域の残り記録容量を正確に検
知することができ、従来のように、電子スチルカメラが
属性領域の番地Ａの内容を読み取った結果では、まだ残
り記録容量があるにもかかわらず、実際にデータ領域に
データを記録することができないという不都合が生じる
ことを防止することができる。
【００１８】図３は、上記実施例の変形例を示してい
る。すなわち、属性領域の番地Ａに、データ領域の残り
記録容量ではなく、属性領域とデータ領域とを含む全記
憶領域中の残り記録容量を書き込む場合を示している。
このようにしても、属性領域の容量は予め固定されてい
るので、実質的には、属性領域の番地Ａにデータ領域の
残り記録容量を書き込むことと等価である。図３の例で
は、属性領域の番地Ａにｄ´が記録されている状態で、
番地Ｂに書き込み不良が発生して、番地Ｂに書き込むべ
きデータｂを番地Ｃに書き込んだ状態を示しており、番
地Ａの内容は、上述した説明から明らかなように、ｄ´
−（ｂ´＋ｃ´）となっている。なお、この発明は上記
実施例に限定されるものではなく、この外その要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
る。すなわち、属性領域の番地Ａに、データ領域の残り
記録容量ではなく、属性領域とデータ領域とを含む全記
憶領域中の残り記録容量を書き込む場合を示している。
このようにしても、属性領域の容量は予め固定されてい
るので、実質的には、属性領域の番地Ａにデータ領域の
残り記録容量を書き込むことと等価である。図３の例で
は、属性領域の番地Ａにｄ´が記録されている状態で、
番地Ｂに書き込み不良が発生して、番地Ｂに書き込むべ
きデータｂを番地Ｃに書き込んだ状態を示しており、番
地Ａの内容は、上述した説明から明らかなように、ｄ´
−（ｂ´＋ｃ´）となっている。なお、この発明は上記
実施例に限定されるものではなく、この外その要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
書き込み不良に対する救済対策を施した場合でも、属性
領域の残り記録容量と実際のデータ領域の残り記録容量
とを一致させるようにした極めて良好なメモリカード装
置を提供することができる。
書き込み不良に対する救済対策を施した場合でも、属性
領域の残り記録容量と実際のデータ領域の残り記録容量
とを一致させるようにした極めて良好なメモリカード装
置を提供することができる。
【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。
示すブロック構成図。
【図２】同実施例の動作を説明するために示す図。
【図３】同実施例の変形例の動作を説明するために示す
図。
図。
【図４】メモリカードに内蔵されたＥＥＰＲＯＭのメモ
リマップを示す図。
リマップを示す図。
【図５】従来の問題点を説明するために示す図。
１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バス
ライン、１４…データ入出力制御回路、１５…バスライ
ン、１６…ＥＥＰＲＯＭ。
ライン、１４…データ入出力制御回路、１５…バスライ
ン、１６…ＥＥＰＲＯＭ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 晃司 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 前川 智之 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 佐藤 聡明 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−71200（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−40588（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−247883（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G06F 12/16 G06F 12/02 G06K 17/00 G11C 5/00 G11C 29/00
Claims (1)
- 【請求項１】 残り記録容量を含む属性情報が記録され
た半導体メモリを有し、外部からの要求に応じて前記残
り記録容量を出力可能なメモリカード装置において、前
記半導体メモリのデータ書き込みが要求された領域に書
き込み不良が検出された状態で、該書き込み不良領域に
書き込むデータを他の空き領域に書き込む救済手段と、
この救済手段によってデータの書き込まれた領域の容量
と前記書き込み不良領域の容量とに基づいて、前記属性
情報の残り記録容量を減少させる制御手段とを具備して
なることを特徴とするメモリカード装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11563092A JP3175974B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
| KR1019930007737A KR0121800B1 (ko) | 1992-05-08 | 1993-05-06 | 메모리 카드장치 |
| US08/057,805 US6161195A (en) | 1992-05-08 | 1993-05-07 | EEPROM memory card device having defect relieving means |
| DE69325741T DE69325741T2 (de) | 1992-05-08 | 1993-05-10 | Speicherkartengerät |
| EP93107569A EP0569040B1 (en) | 1992-05-08 | 1993-05-10 | Memory card device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11563092A JP3175974B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314020A JPH05314020A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3175974B2 true JP3175974B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=14667407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11563092A Expired - Lifetime JP3175974B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175974B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100746289B1 (ko) | 2005-07-11 | 2007-08-03 | 삼성전자주식회사 | 메모리 용량 정보를 갱신하는 비휘발성 메모리 카드 장치및 방법 |
| JP5267534B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2013-08-21 | 日本電気株式会社 | 記憶装置及び記憶装置の制御方法 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP11563092A patent/JP3175974B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05314020A (ja) | 1993-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090406 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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