JPH0546488A - メモリカード装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、書き込み不良がベリファイ不良に
よるものか否かを容易に判断することができ、ひいては
データ書き替えが特定の記憶領域に集中することを防止
して、ＥＥＰＲＯＭのベリファイ不良の発生を抑制する
ことができるメモリカード装置を提供することを目的と
している。 【構成】記憶領域が一定容量の複数のブロックに分割さ
れ、各ブロックにデータ領域と該データ領域に記録され
たデータの管理情報を記録するデータ管理領域とを有す
るＥＥＰＲＯＭ１６と、このＥＥＰＲＯＭ１６の各ブロ
ックのデータ領域にデータが記録される毎に、該データ
が記録されたデータ領域に対応するデータ管理領域に、
データ記録回数を書き込む制御手段１４とを備えてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。

【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。

【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。

【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。

【０００６】ここで、図３は、ＳＲＡＭを用いたメモリ
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。

【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。

【０００８】そして、ランダムアクセスモードおいて、
ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピードが共
に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み出し
スピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯＭ
は、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデータ
を一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダム
アクセスモードに比してデータの書き込みスピード及び
読み出しスピードは速くなっている。

【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。

【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。

【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。

【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。

【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。

【００１４】この場合、特に問題となることは、ＥＥＰ
ＲＯＭは、データの書き替え回数が一定数を越えるとメ
モリセルが急激に劣化しデータの書き込み不良が発生し
易くなることである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、プロ
グラムデータの記録用として開発され、プログラムのバ
ージョンアップのときにデータの書き替えを行なえるよ
うにすることを意図したものであるから、多数回のデー
タ書き替えに対応できるように設計されていないからで
ある。ところが、ＳＲＡＭの代用としてＥＥＰＲＯＭを
用いる場合、当然のことながら、頻繁にデータが書き替
えられるような使われ方をされるため、書き込み不良の
発生率が飛躍的に増大することは必至である。

【００１５】そして、この書き込み不良について、従来
では、前述した書き込みベリファイ処理を所定回数繰り
返しても正しく書き込まれなかったとき書き込み不良で
あると判断している。しかるに、従来では、ＥＥＰＲＯ
Ｍに書き込み不良が生じた場合、その書き込み不良が、
上述したようなデータの書き替え回数が多くなったこと
によるいわゆるベリファイ不良か、ＥＥＰＲＯＭ自体の
製造不良や機械的な破壊によるものかを判別することが
できないという問題が生じている。また、ＥＥＰＲＯＭ
の特定の記憶領域に集中して頻繁にデータ書き替えが行
なわれた場合、非常に短期間でベリファイ不良が発生し
てしまうという不都合もある。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵した従来のメモリカードでは、ＥＥＰＲＯ
Ｍに書き込み不良が発生した原因を判断することが困難
であるとともに、ＥＥＰＲＯＭの特定の記憶領域に集中
して頻繁にデータ書き替えが行なわれた場合、非常に短
期間でベリファイ不良が発生してしまうという問題を有
している。

【００１７】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、書き込み不良がベリファイ不良によるも
のか否かを容易に判断することができ、ひいてはデータ
書き替えが特定の記憶領域に集中することを防止して、
ＥＥＰＲＯＭのベリファイ不良の発生を抑制することが
できる極めて良好なメモリカード装置を提供することを
目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、記憶領域が一定容量の複数のブロックに分
割され、各ブロックにデータ領域と該データ領域に記録
されたデータの管理情報を記録するデータ管理領域とを
有するＥＥＰＲＯＭと、このＥＥＰＲＯＭの各ブロック
のデータ領域にデータが記録される毎に、該データが記
録されたデータ領域に対応するデータ管理領域に、デー
タ記録回数を書き込む制御手段とを備えるようにしたも
のである。

【００１９】

【作用】上記のような構成によれば、書き込み不良が発
生した場合、データ管理領域のデータ記録回数を検知す
ることにより、ベリファイ不良によるものか否かを容易
に判断することができ、ひいてはデータ書き替えが特定
のブロックに集中することを防止して、ＥＥＰＲＯＭの
ベリファイ不良の発生を抑制することができるようにな
る。

【００２０】

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデータや、そ
の書き込み場所を示すアドレスデータ等が供給される。

【００２１】そして、このコネクタ１２に供給されたデ
ータは、バスライン１３を介してデータ入出力制御回路
１４に取り込まれる。このデータ入出力制御回路１４
は、データの高速書き込み及び高速読み出しが可能な図
示しないバッファメモリを内蔵しており、取り込んだデ
ータを一旦バッファメモリに記録する。その後、データ
入出力制御回路１４は、バッファメモリに記録したデー
タを、バスライン１５を介して複数（図示の場合は４
つ）のＥＥＰＲＯＭ１６の書き込みサイクルに対応した
タイミングで読み出し、ＥＥＰＲＯＭ１６に記録する。

【００２２】この場合、データ入出力制御回路１４は、
ＥＥＰＲＯＭ１６にデータが書き込まれる毎に、ＥＥＰ
ＲＯＭ１６から書き込んだデータを読み出し、バッファ
メモリに記録されているデータと一致しているか否かを
判別する、書き込みベリファイを実行する。そして、デ
ータ入出力制御回路１４は、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み
出したデータと、バッファメモリに記録されたデータと
が一致していない場合、再度、バッファメモリからＥＥ
ＰＲＯＭ１６にデータを転送して書き込みを行なわせ、
この動作が所定回数繰り返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１
６から読み出したデータと、バッファメモリに記録され
たデータとが完全に一致したときデータの書き込みが完
了される。

【００２３】次に、ＥＥＰＲＯＭ１６から、データをメ
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路１
４に供給される。すると、データ入出力制御回路１４
は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１６か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリに記録する。
その後、データ入出力制御回路１４は、バッファメモリ
に記録したデータを読み出しコネクタ１２を介して外部
に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれる。

【００２４】したがって、上記のような構成によれば、
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリを介して行な
われるので、データの書き込みスピード及び読み出しス
ピードを向上させることができ、また、ＥＥＰＲＯＭ１
６に特有の書き込みベリファイも、バッファメモリを用
いて行なうようにしているので、メモリカード本体１１
の取り扱いとしては、全くＳＲＡＭカードライクに使用
することができる。

【００２５】ここで、上記ＥＥＰＲＯＭ１６の記憶領域
は、図２に示すように、データをイレースする際の最小
単位である一定容量の複数のブロック１〜Ｎ（１ブロッ
クは数Ｋバイト）に分割されている。そして、各ブロッ
ク１〜Ｎそれぞれは、データの書き込み及び読み出しを
行なう際の最小単位である一定容量の複数のページに分
割されている。このうち、ページ１〜Ｍはデータが記録
されるデータ領域を構成し、ページＸはデータ領域に記
録されたデータの管理情報が記録されるなるデータ管理
領域を構成している。

【００２６】そして、上記ＥＥＰＲＯＭ１６は、データ
入出力制御回路１４によって外部からアドレスを指定さ
れることによって、数百バイトでなるページ単位のデー
タ書き込み及び読み出しを繰り返すことにより、自由に
ブロック単位でのデータ書き込み及び読み出しを行なう
ことができる。

【００２７】ここで、各ブロック１〜Ｍのデータ管理領
域を構成するページＸには、データ入出力制御回路１４
の制御により、そのページＸの所属するブロック１〜Ｍ
に対するデータ記録回数が記録されるようになってい
る。このデータ記録回数は、ブロック１〜Ｍに対してイ
レースが実行されたときに、データ入出力制御回路１４
の制御により更新される。

【００２８】例えばブロック５に既に書き込まれている
データを、新たなデータに書き替える場合、外部からコ
ネクタ１２を介してブロック５を指定するアドレスデー
タが入力されると、データ入出力制御回路１４は、ＥＥ
ＰＲＯＭ１６からブロック５のページＸに記録されたデ
ータ管理情報を読み出して、バッファメモリに記録させ
る。

【００２９】そして、データ入出力制御回路１４は、ブ
ロック５の内容をイレースし、バッファメモリに記録さ
れたデータ管理情報のうちのデータ記録回数を＋１する
ように更新する。その後、データ入出力制御回路１４
は、外部からコネクタ１２を介して入力されるデータを
ＥＥＰＲＯＭ１６のブロック５のページ１〜Ｍに書き込
むとともに、更新が終了したデータ管理情報をバッファ
メモリからＥＥＰＲＯＭ１６に転送しブロック５のペー
ジＸに書き込み、ここに、ブロック５に対するデータ書
き替えが終了される。

【００３０】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、ＥＥＰＲＯＭ１６の記憶領域の各ブロック１〜Ｎ
のデータ管理領域を構成するページＸに、そのページＸ
が所属するブロック１〜Ｎのデータ領域に対するデータ
記録回数を書き込むようにしたので、いずれかのブロッ
ク１〜Ｎに書き込み不良が発生した場合でも、データ入
出力制御回路１４がその不良ブロックに所属するページ
Ｘに記録されたデータ書き替え回数を見て、所定回数よ
りも多い場合ベリファイ不良と判断し、所定回数よりも
少ない場合ＥＥＰＲＯＭ１６の製造不良や機械的な破壊
によると、容易に判断することができる。

【００３１】また、データ入出力制御回路１４は、イレ
ースされたブロックが複数個存在している状態で、いず
れかのブロックにデータを書き込むことが要求された場
合、複数のブロックのページＸに記録されたデータ記録
回数を読み取り、データ記録回数の一番少ないブロック
にデータを書き込むように、各ブロック１〜Ｎのデータ
書き替え回数が平均化するように制御できるので、デー
タ書き替えが特定のブロックに集中することを防止し
て、ＥＥＰＲＯＭ１６のベリファイ不良の発生を抑制す
ることができる。なお、この発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施することができる。

【００３２】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
書き込み不良がベリファイ不良によるものか否かを容易
に判断することができ、ひいてはデータ書き替えが特定
の記憶領域に集中することを防止して、ＥＥＰＲＯＭの
ベリファイ不良の発生を抑制することができる極めて良
好なメモリカード装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。

【図２】同実施例におけるＥＥＰＲＯＭの記憶領域の構
成を示す図。

【図３】ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとの長短を比較して示
す図。

【符号の説明】

１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バス
ライン、１４…データ入出力制御回路、１５…バスライ
ン、１６…ＥＥＰＲＯＭ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 16/06 Ｈ０４Ｎ 5/907 Ｂ 7916−5Ｃ (72)発明者 丸山 晃司 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メデイア技術研究所内 (72)発明者 小西 和夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メデイア技術研究所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記憶領域が一定容量の複数のブロックに
   分割され、各ブロックにデータ領域と該データ領域に記
   録されたデータの管理情報を記録するデータ管理領域と
   を有するＥＥＰＲＯＭと、このＥＥＰＲＯＭの各ブロッ
   クのデータ領域にデータが記録される毎に、該データが
   記録されたデータ領域に対応するデータ管理領域に、デ
   ータ記録回数を書き込む制御手段とを具備してなること
   を特徴とするメモリカード装置。