JPH05313989A - メモリカード装置 - Google Patents
メモリカード装置Info
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- JPH05313989A JPH05313989A JP11601792A JP11601792A JPH05313989A JP H05313989 A JPH05313989 A JP H05313989A JP 11601792 A JP11601792 A JP 11601792A JP 11601792 A JP11601792 A JP 11601792A JP H05313989 A JPH05313989 A JP H05313989A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、消去データ単位と書き込みデータ
単位とが異なっていても、書き込みデータ単位で自由に
データを書き替えることが可能であるメモリカード装置
を提供することを目的としている。 【構成】消去データ単位が書き込みデータ単位よりも大
きく、データ書き替え時に、データ書き込み領域を消去
してからデータ書き込みを行なう半導体メモリを内蔵し
たメモリカード装置において、データ書き替えが要求さ
れた状態で、半導体メモリの記録領域中から消去データ
単位に相当する空き記録領域を検索し、書き込むべき第
１のデータと、書き替えられる第２のデータの記録領域
を含む消去データ単位の記録領域に存在する書き替えな
い第３のデータとを、空き記憶領域に書き込みデータ単
位で書き込むように構成している。
単位とが異なっていても、書き込みデータ単位で自由に
データを書き替えることが可能であるメモリカード装置
を提供することを目的としている。 【構成】消去データ単位が書き込みデータ単位よりも大
きく、データ書き替え時に、データ書き込み領域を消去
してからデータ書き込みを行なう半導体メモリを内蔵し
たメモリカード装置において、データ書き替えが要求さ
れた状態で、半導体メモリの記録領域中から消去データ
単位に相当する空き記録領域を検索し、書き込むべき第
１のデータと、書き替えられる第２のデータの記録領域
を含む消去データ単位の記録領域に存在する書き替えな
い第３のデータとを、空き記憶領域に書き込みデータ単
位で書き込むように構成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。
【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。
【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。
【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。
【０００６】ここで、図４は、ＳＲＡＭを用いたメモリ
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。
【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。
【０００８】そして、ランダムアクセスモードにおい
て、ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピード
が共に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み
出しスピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯ
Ｍは、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデー
タを一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダ
ムアクセスモードに比してデータの書き込みスピード及
び読み出しスピードは速くなっている。
て、ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピード
が共に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み
出しスピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯ
Ｍは、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデー
タを一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダ
ムアクセスモードに比してデータの書き込みスピード及
び読み出しスピードは速くなっている。
【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。そして、この
イレースモードには、ＥＥＰＲＯＭに記録された全ての
データを一括して消去する一括イレースと、複数の連続
するページでなるブロックを指定することにより、ブロ
ック単位でデータを消去するブロックイレースとがあ
る。
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。そして、この
イレースモードには、ＥＥＰＲＯＭに記録された全ての
データを一括して消去する一括イレースと、複数の連続
するページでなるブロックを指定することにより、ブロ
ック単位でデータを消去するブロックイレースとがあ
る。
【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。
【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。
【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。
【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。
【００１４】この場合、特に問題となることは、ＥＥＰ
ＲＯＭは、データの消去がブロック単位で行なわれ、デ
ータの書き込みがページ単位で行なわれる、つまり、消
去データ単位が書き込みデータ単位の数倍あるため、Ｅ
ＥＰＲＯＭに既に記録されているデータを新たなデータ
に書き替える場合に、書き込みデータ単位でデータを書
き替えることが困難になるということである。
ＲＯＭは、データの消去がブロック単位で行なわれ、デ
ータの書き込みがページ単位で行なわれる、つまり、消
去データ単位が書き込みデータ単位の数倍あるため、Ｅ
ＥＰＲＯＭに既に記録されているデータを新たなデータ
に書き替える場合に、書き込みデータ単位でデータを書
き替えることが困難になるということである。
【００１５】例えば１ページ分のデータを書き替える動
作は、従来では、図５に示すフローチャートのように行
なわれる。まず、開始されると（ステップＳ１）、ステ
ップＳ２でブロック単位の消去が行なわれ、次に、ステ
ップＳ３で１ページ分のデータ書き込みが行なわれる。
その後、ステップＳ４で、所定回のベリファイの後、正
しくデータが書き込まれたか否かが判別され、正しく書
き込まれていれば（ＹＥＳ）終了（ステップＳ５）さ
れ、正しく書き込まれていなければ（ＮＯ）、ステップ
Ｓ６でそのページを書き込み不良ページと判断して、デ
ータを他の空きページに書き込んで救済する不良救済処
理が行なわれる。
作は、従来では、図５に示すフローチャートのように行
なわれる。まず、開始されると（ステップＳ１）、ステ
ップＳ２でブロック単位の消去が行なわれ、次に、ステ
ップＳ３で１ページ分のデータ書き込みが行なわれる。
その後、ステップＳ４で、所定回のベリファイの後、正
しくデータが書き込まれたか否かが判別され、正しく書
き込まれていれば（ＹＥＳ）終了（ステップＳ５）さ
れ、正しく書き込まれていなければ（ＮＯ）、ステップ
Ｓ６でそのページを書き込み不良ページと判断して、デ
ータを他の空きページに書き込んで救済する不良救済処
理が行なわれる。
【００１６】しかしながら、上記のような従来のデータ
書き替え動作では、図６（ａ）に示すように、１ブロッ
クが２ページで構成され、３ブロックの各ページにそれ
ぞれデータＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆが記録されている状
態で、データＡをデータＺに書き替えようとした場合、
同図（ｂ）に示すようにデータＡの記録領域を含む１ブ
ロックが全て消去された後、データＡの記録領域にデー
タＺが書き込まれるので、同図（ｃ）に示すように無関
係のデータＢまでもが消去されてしまうという問題が生
じる。
書き替え動作では、図６（ａ）に示すように、１ブロッ
クが２ページで構成され、３ブロックの各ページにそれ
ぞれデータＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆが記録されている状
態で、データＡをデータＺに書き替えようとした場合、
同図（ｂ）に示すようにデータＡの記録領域を含む１ブ
ロックが全て消去された後、データＡの記録領域にデー
タＺが書き込まれるので、同図（ｃ）に示すように無関
係のデータＢまでもが消去されてしまうという問題が生
じる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵した従来のメモリカードでは、消去データ
単位と書き込みデータ単位とが異なるため、書き込みデ
ータ単位で自由にデータを書き替えることが困難になる
という問題を有している。
ＲＯＭを内蔵した従来のメモリカードでは、消去データ
単位と書き込みデータ単位とが異なるため、書き込みデ
ータ単位で自由にデータを書き替えることが困難になる
という問題を有している。
【００１８】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、消去データ単位と書き込みデータ単位と
が異なっていても、書き込みデータ単位で自由にデータ
を書き替えることが可能である極めて良好なメモリカー
ド装置を提供することを目的とする。
されたもので、消去データ単位と書き込みデータ単位と
が異なっていても、書き込みデータ単位で自由にデータ
を書き替えることが可能である極めて良好なメモリカー
ド装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、消去データ単位が書き込みデータ単位より
も大きく、データ書き替え時に、データ書き込み領域を
消去してからデータ書き込みを行なう半導体メモリを内
蔵したものを対象としている。そして、データ書き替え
が要求された状態で、半導体メモリの記録領域中から消
去データ単位に相当する空き記録領域を検索し、書き込
むべき第１のデータと、書き替えられる第２のデータの
記録領域を含む消去データ単位の記録領域に存在する書
き替えない第３のデータとを、空き記憶領域に書き込み
データ単位で書き込むように構成したものである。
ード装置は、消去データ単位が書き込みデータ単位より
も大きく、データ書き替え時に、データ書き込み領域を
消去してからデータ書き込みを行なう半導体メモリを内
蔵したものを対象としている。そして、データ書き替え
が要求された状態で、半導体メモリの記録領域中から消
去データ単位に相当する空き記録領域を検索し、書き込
むべき第１のデータと、書き替えられる第２のデータの
記録領域を含む消去データ単位の記録領域に存在する書
き替えない第３のデータとを、空き記憶領域に書き込み
データ単位で書き込むように構成したものである。
【００２０】
【作用】上記のような構成によれば、データ書き替えが
要求された状態で、半導体メモリの記録領域中から消去
データ単位に相当する空き記録領域を検索し、書き込む
べき第１のデータと、書き替えられる第２のデータの記
録領域を含む消去データ単位の記録領域に存在する書き
替えない第３のデータとを、該空き記憶領域に書き込み
データ単位で書き込むようにしたので、消去データ単位
と書き込みデータ単位とが異なっていても、書き替えな
い第３のデータが不要に消去されることなく、書き込み
データ単位で自由にデータを書き替えることができる。
要求された状態で、半導体メモリの記録領域中から消去
データ単位に相当する空き記録領域を検索し、書き込む
べき第１のデータと、書き替えられる第２のデータの記
録領域を含む消去データ単位の記録領域に存在する書き
替えない第３のデータとを、該空き記憶領域に書き込み
データ単位で書き込むようにしたので、消去データ単位
と書き込みデータ単位とが異なっていても、書き替えな
い第３のデータが不要に消去されることなく、書き込み
データ単位で自由にデータを書き替えることができる。
【００２１】
【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデータや、そ
の書き込み場所を示すアドレスデータ等が供給される。
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデータや、そ
の書き込み場所を示すアドレスデータ等が供給される。
【００２２】そして、このコネクタ１２に供給されたデ
ータは、バスライン１３を介してデータ入出力制御回路
１４に取り込まれる。このデータ入出力制御回路１４
は、バスライン１５を介してデータの高速書き込み及び
高速読み出しが可能なバッファメモリ１６に接続されて
おり、取り込んだデータを一旦バッファメモリ１６に記
録する。その後、データ入出力制御回路１４は、バッフ
ァメモリ１６に記録したデータを読み取り、バスライン
１７を介して複数（図示の場合は４つ）のＥＥＰＲＯＭ
１８の書き込みサイクルに対応したタイミングで出力
し、ＥＥＰＲＯＭ１８に記録する。
ータは、バスライン１３を介してデータ入出力制御回路
１４に取り込まれる。このデータ入出力制御回路１４
は、バスライン１５を介してデータの高速書き込み及び
高速読み出しが可能なバッファメモリ１６に接続されて
おり、取り込んだデータを一旦バッファメモリ１６に記
録する。その後、データ入出力制御回路１４は、バッフ
ァメモリ１６に記録したデータを読み取り、バスライン
１７を介して複数（図示の場合は４つ）のＥＥＰＲＯＭ
１８の書き込みサイクルに対応したタイミングで出力
し、ＥＥＰＲＯＭ１８に記録する。
【００２３】この場合、データ入出力制御回路１４は、
ＥＥＰＲＯＭ１８に例えばページ単位でデータが書き込
まれる毎に、ＥＥＰＲＯＭ１８から書き込んだページ単
位のデータを読み出し、バッファメモリ１６に記録され
ているデータと一致しているか否かを判別する書き込み
ベリファイを実行する。そして、データ入出力制御回路
１４は、ＥＥＰＲＯＭ１８から読み出したデータと、バ
ッファメモリ１６に記録されたデータとが一致していな
い場合、再度、バッファメモリ１６からＥＥＰＲＯＭ１
８にデータを転送して書き込みを行なわせ、この動作が
所定回数繰り返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１８から読み
出したデータとバッファメモリ１６に記録されたデータ
とが完全に一致したとき、データの書き込みが完了され
る。
ＥＥＰＲＯＭ１８に例えばページ単位でデータが書き込
まれる毎に、ＥＥＰＲＯＭ１８から書き込んだページ単
位のデータを読み出し、バッファメモリ１６に記録され
ているデータと一致しているか否かを判別する書き込み
ベリファイを実行する。そして、データ入出力制御回路
１４は、ＥＥＰＲＯＭ１８から読み出したデータと、バ
ッファメモリ１６に記録されたデータとが一致していな
い場合、再度、バッファメモリ１６からＥＥＰＲＯＭ１
８にデータを転送して書き込みを行なわせ、この動作が
所定回数繰り返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１８から読み
出したデータとバッファメモリ１６に記録されたデータ
とが完全に一致したとき、データの書き込みが完了され
る。
【００２４】次に、ＥＥＰＲＯＭ１８から、データをメ
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路１
４に供給される。すると、データ入出力制御回路１４
は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１８か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリ１６に記録す
る。その後、データ入出力制御回路１４は、バッファメ
モリ１６に記録したデータを読み出しコネクタ１２を介
して外部に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれ
る。
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路１
４に供給される。すると、データ入出力制御回路１４
は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１８か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリ１６に記録す
る。その後、データ入出力制御回路１４は、バッファメ
モリ１６に記録したデータを読み出しコネクタ１２を介
して外部に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれ
る。
【００２５】したがって、上記のような構成によれば、
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリ１６を介して
行なわれるので、電子スチルカメラ本体側から見たメモ
リカード本体１１へのデータの書き込みスピード及び読
み出しスピードを向上させることができる。また、ＥＥ
ＰＲＯＭ１８に特有の書き込みベリファイも、バッファ
メモリ１６を用いてメモリカード本体１１の内部で自動
的に処理されるので、メモリカード本体１１の取り扱い
としては、全くＳＲＡＭカードライクに使用することが
できる。
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリ１６を介して
行なわれるので、電子スチルカメラ本体側から見たメモ
リカード本体１１へのデータの書き込みスピード及び読
み出しスピードを向上させることができる。また、ＥＥ
ＰＲＯＭ１８に特有の書き込みベリファイも、バッファ
メモリ１６を用いてメモリカード本体１１の内部で自動
的に処理されるので、メモリカード本体１１の取り扱い
としては、全くＳＲＡＭカードライクに使用することが
できる。
【００２６】ここで、図２は、１ページ分のデータを書
き替える動作のフローチャートを示している。まず、開
始されると（ステップＳ７）、データ入出力制御回路１
４は、ステップＳ８で、ＥＥＰＲＯＭ１８内の消去され
た空きブロック（以下置換先ブロックという）を検索
し、ステップＳ９で、その置換先ブロックの１ページに
書き替えるべき新たなデータを書き込む。次に、データ
入出力制御回路１４は、ステップＳ１０で、所定回のベ
リファイの後、正しくデータが書き込まれたか否かを判
別し、正しく書き込まれていなければ（ＮＯ）、そのペ
ージを書き込み不良ページと判断して、ステップＳ８の
処理に戻されて他の置換先ブロックの検索を実行する。
き替える動作のフローチャートを示している。まず、開
始されると（ステップＳ７）、データ入出力制御回路１
４は、ステップＳ８で、ＥＥＰＲＯＭ１８内の消去され
た空きブロック（以下置換先ブロックという）を検索
し、ステップＳ９で、その置換先ブロックの１ページに
書き替えるべき新たなデータを書き込む。次に、データ
入出力制御回路１４は、ステップＳ１０で、所定回のベ
リファイの後、正しくデータが書き込まれたか否かを判
別し、正しく書き込まれていなければ（ＮＯ）、そのペ
ージを書き込み不良ページと判断して、ステップＳ８の
処理に戻されて他の置換先ブロックの検索を実行する。
【００２７】また、ステップＳ１０で正しく書き込まれ
た（ＹＥＳ）と判断された場合、データ入出力制御回路
１４は、ステップＳ１１で、データ書き替えが要求され
たページを含むブロック（以下置換元ブロックという）
内に、データ書き替えが要求されたページ以外にデータ
の記録されたページがあるか否かを判別し、ある場合
（ＹＥＳ）、ステップＳ１２で、そのページのデータを
読み出してステップＳ９の処理に戻され、読み出したデ
ータを検索した置換先ブロックの他のページに書き込
み、ない場合（ＮＯ）、終了（ステップＳ１３）され
る。
た（ＹＥＳ）と判断された場合、データ入出力制御回路
１４は、ステップＳ１１で、データ書き替えが要求され
たページを含むブロック（以下置換元ブロックという）
内に、データ書き替えが要求されたページ以外にデータ
の記録されたページがあるか否かを判別し、ある場合
（ＹＥＳ）、ステップＳ１２で、そのページのデータを
読み出してステップＳ９の処理に戻され、読み出したデ
ータを検索した置換先ブロックの他のページに書き込
み、ない場合（ＮＯ）、終了（ステップＳ１３）され
る。
【００２８】具体的に言えば、図３（ａ）に示すよう
に、１ブロックが２ページで構成され、３ブロックの各
ページにそれぞれデータＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆが記録
されている状態で、データＡをデータＺに書き替えよう
とした場合、データ入出力制御回路１４は、ＥＥＰＲＯ
Ｍ１８内の置換先ブロックを検索し、同図（ｂ）に示す
ように、その置換先ブロックの１ページに書き替えるべ
き新たなデータＺを書き込む。その後、データ入出力制
御回路１４は、データＺが正しく書き込まれたことを判
断した状態で、置換元ブロック内にデータ書き替えが要
求されたページ以外にデータの記録されたページがある
か否かを判別し、この場合データＢの記録されたページ
があるので、そのページからデータＢを読み出して、置
換先ブロックの他のページに書き込む。そして、データ
入出力制御回路１４は、電子スチルカメラ本体側から置
換元ブロックのアドレスつまりデータＡ，Ｂの記録され
ていたブロックのアドレスが指定された場合、置換先の
ブロックの対応するアドレスを指定するように、例えば
内部レジスタ等に記録を残し、ここに、データＡからデ
ータＺへの書き替えが完了される。
に、１ブロックが２ページで構成され、３ブロックの各
ページにそれぞれデータＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆが記録
されている状態で、データＡをデータＺに書き替えよう
とした場合、データ入出力制御回路１４は、ＥＥＰＲＯ
Ｍ１８内の置換先ブロックを検索し、同図（ｂ）に示す
ように、その置換先ブロックの１ページに書き替えるべ
き新たなデータＺを書き込む。その後、データ入出力制
御回路１４は、データＺが正しく書き込まれたことを判
断した状態で、置換元ブロック内にデータ書き替えが要
求されたページ以外にデータの記録されたページがある
か否かを判別し、この場合データＢの記録されたページ
があるので、そのページからデータＢを読み出して、置
換先ブロックの他のページに書き込む。そして、データ
入出力制御回路１４は、電子スチルカメラ本体側から置
換元ブロックのアドレスつまりデータＡ，Ｂの記録され
ていたブロックのアドレスが指定された場合、置換先の
ブロックの対応するアドレスを指定するように、例えば
内部レジスタ等に記録を残し、ここに、データＡからデ
ータＺへの書き替えが完了される。
【００２９】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、データ書き込み可能な置換先ブロックを検索し、
その１ページに新データＺを書き込んだ後、置換元ブロ
ックのデータＢを置換先ブロックの他のページに書き込
むとともに、外部から見た場合、置換元ブロックのアド
レスが置換先のブロックのアドレスに対応するようにし
たので、従来のように置換元ブロックのデータＢが不要
に消去されることなく、データＡを新データＺに書き替
えることができる。
れば、データ書き込み可能な置換先ブロックを検索し、
その１ページに新データＺを書き込んだ後、置換元ブロ
ックのデータＢを置換先ブロックの他のページに書き込
むとともに、外部から見た場合、置換元ブロックのアド
レスが置換先のブロックのアドレスに対応するようにし
たので、従来のように置換元ブロックのデータＢが不要
に消去されることなく、データＡを新データＺに書き替
えることができる。
【００３０】また、上記実施例では、置換元ブロックの
データＡ，Ｂを残したままにしたが、この置換元ブロッ
クは、ブロック単位の消去を行なうことにより、次のデ
ータの書き込みに供させることができる。さらに、置換
元ブロックをブロック単位で消去した後、置換先ブロッ
クのデータＺ，Ｂを置換元ブロックに移し変えるように
すれば、ＥＥＰＲＯＭ１８のメモリマップ上もデータＡ
をデータＺに書き替えた形態となり、置換元ブロックの
アドレスと置換先のブロックのアドレスとを対応させる
必要もなくなって便利である。また、予め所定量の空き
ブロックを置換先ブロックとしてＥＥＰＲＯＭ１８内に
設定しておくこともできる。なお、この発明は上記実施
例に限定されるものではなく、この外その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施することができる。
データＡ，Ｂを残したままにしたが、この置換元ブロッ
クは、ブロック単位の消去を行なうことにより、次のデ
ータの書き込みに供させることができる。さらに、置換
元ブロックをブロック単位で消去した後、置換先ブロッ
クのデータＺ，Ｂを置換元ブロックに移し変えるように
すれば、ＥＥＰＲＯＭ１８のメモリマップ上もデータＡ
をデータＺに書き替えた形態となり、置換元ブロックの
アドレスと置換先のブロックのアドレスとを対応させる
必要もなくなって便利である。また、予め所定量の空き
ブロックを置換先ブロックとしてＥＥＰＲＯＭ１８内に
設定しておくこともできる。なお、この発明は上記実施
例に限定されるものではなく、この外その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
消去データ単位と書き込みデータ単位とが異なっていて
も、書き込みデータ単位で自由にデータを書き替えるこ
とが可能である極めて良好なメモリカード装置を提供す
ることができる。
消去データ単位と書き込みデータ単位とが異なっていて
も、書き込みデータ単位で自由にデータを書き替えるこ
とが可能である極めて良好なメモリカード装置を提供す
ることができる。
【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。
示すブロック構成図。
【図２】同実施例の動作を説明するために示すフローチ
ャート。
ャート。
【図３】同実施例の動作を具体的に説明するために示す
図。
図。
【図４】ＳＲＡＭカードとＥＥＰＲＯＭカードとの長短
を比較して示す図。
を比較して示す図。
【図５】従来のデータ書き替え動作を説明するために示
すフローチャート。
すフローチャート。
【図６】従来のデータ書き替え動作の問題点を説明する
ために示す図。
ために示す図。
１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バス
ライン、１４…データ入出力制御回路、１５…バスライ
ン、１６…バッファメモリ、１７…バスライン、１８…
ＥＥＰＲＯＭ。
ライン、１４…データ入出力制御回路、１５…バスライ
ン、１６…バッファメモリ、１７…バスライン、１８…
ＥＥＰＲＯＭ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 16/06 (72)発明者 吉岡 心平 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 小西 和夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 佐藤 聡明 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 消去データ単位が書き込みデータ単位よ
りも大きく、データ書き替え時に、データ書き込み領域
を消去してからデータ書き込みを行なう半導体メモリを
内蔵したメモリカード装置において、前記データ書き替
えが要求された状態で、前記半導体メモリの記録領域中
から前記消去データ単位に相当する空き記録領域を検索
し、書き込むべき第１のデータと、書き替えられる第２
のデータの記録領域を含む前記消去データ単位の記録領
域に存在する書き替えない第３のデータとを、前記空き
記憶領域に書き込みデータ単位で書き込むように構成し
てなることを特徴とするメモリカード装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11601792A JPH05313989A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
| EP93105535A EP0563997A1 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Memory card apparatus |
| KR1019930005571A KR970001201B1 (ko) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | 메모리 카드 장치 |
| EP98123766A EP0907142B1 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Memory card apparatus |
| DE69334149T DE69334149T2 (de) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Speicherkarte |
| US08/704,354 US5745912A (en) | 1992-04-02 | 1996-08-28 | Memory card apparatus including a link table for managing the correspondency between the recorded contents in the memory card and that in the link table |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11601792A JPH05313989A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05313989A true JPH05313989A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14676744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11601792A Pending JPH05313989A (ja) | 1992-04-02 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05313989A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021191A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体メモリ装置、及び、フラッシュメモリへのデータ書き込み方法 |
| JP2012198953A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02292798A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-12-04 | Sundisk Corp | フラッシュＥＥｐｒｏｍシステム |
| JPH0314272A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JPH04137077A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH05216780A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Seiko Instr Inc | フラッシュｅｅｐｒｏｍメモリカードの書換え方法 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP11601792A patent/JPH05313989A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02292798A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-12-04 | Sundisk Corp | フラッシュＥＥｐｒｏｍシステム |
| JPH0314272A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JPH04137077A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH05216780A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Seiko Instr Inc | フラッシュｅｅｐｒｏｍメモリカードの書換え方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021191A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体メモリ装置、及び、フラッシュメモリへのデータ書き込み方法 |
| CN100347685C (zh) * | 2002-08-29 | 2007-11-07 | 松下电器产业株式会社 | 用于将数据写入快闪存储设备的半导体存储器的装置和方法 |
| KR100944054B1 (ko) * | 2002-08-29 | 2010-02-24 | 파나소닉 주식회사 | 반도체메모리장치 및 플래시메모리에의 데이터기입방법 |
| USRE42648E1 (en) | 2002-08-29 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor memory apparatus and method for writing data into the flash memory device |
| JP2012198953A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
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