JPH05314020A - メモリカード装置 - Google Patents
メモリカード装置Info
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- JPH05314020A JPH05314020A JP11563092A JP11563092A JPH05314020A JP H05314020 A JPH05314020 A JP H05314020A JP 11563092 A JP11563092 A JP 11563092A JP 11563092 A JP11563092 A JP 11563092A JP H05314020 A JPH05314020 A JP H05314020A
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
施した場合でも、属性領域の残り記録容量と実際のデー
タ領域の残り記録容量とを一致させるようにしたメモリ
カード装置を提供することを目的としている。 【構成】残り記録容量を含む属性情報が記録された半導
体メモリを有し、外部からの要求に応じて残り記録容量
を出力可能なメモリカード装置において、半導体メモリ
のデータ書き込みが要求された領域に書き込み不良が検
出された状態で、該書き込み不良領域に書き込むデータ
を他の空き領域に書き込む救済手段と、この救済手段に
よってデータの書き込まれた領域の容量と書き込み不良
領域の容量とに基づいて、属性情報の残り記録容量を減
少させる制御手段とを備えるようにしている。
Description
EEPROM(エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)を使
用したメモリカード装置の改良に関する。
磁気ディスクに代わるデータ記録媒体として注目を浴び
ているもので、データ保持のためのバックアップ電池が
不要であるとともに、チップ自体のコストを安くするこ
とができる等、SRAM(スタティック・ランダム・ア
クセス・メモリ)やD(ダイナミック)RAMの持たな
い特有な利点を有することから、特にメモリカード用と
して使用するための開発が盛んに行なわれている。
した被写体の光学像を固体撮像素子を用いて電気的な画
像信号に変換し、この画像信号をデジタル画像データに
変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ等に
使用して好適するもので、EEPROMをカード状のケ
ースに内蔵してなるメモリカードを、カメラ本体に着脱
自在となるように構成することによって、通常のカメラ
におけるフィルムと等価な取り扱いができるようにした
ものである。
れたEEPROMのメモリマップを示している。すなわ
ち、EEPROMのアドレス空間は、属性(アトリビュ
ート)領域とデータ領域とに二分されている。このう
ち、属性領域には、ホスト側である電子スチルカメラ
に、そのメモリカードの種類やデータ領域の全記録容量
等を知らせるための、各種属性情報が記録されている。
この属性領域の中には、データ領域の残り記録容量を示
すデータを格納する番地Aが設定されており、今、番地
Aには、データ領域の残り記録容量がaであることを示
すデータa´が記録されているものとする。
込み,読み出し及び消去等が行なわれた回数に応じてメ
モリセルが劣化し、SRAM等に比して短い使用回数
(数万回〜数百万回)で、データの書き込み不良が発生
し易くなるという不都合を有している。そこで、従来で
は、書き込み不良の発生したメモリセルに書き込むべき
データを、他の正常なメモリセルに書き込んで救済する
救済対策が考えられている(例えば特願平3−3171
69号参照)。この救済対策は、具体的に言えば、図5
に示すように、データ領域の番地Bに書き込み不良が発
生した場合、番地Bに書き込むべきデータbを他の正常
なメモリセルを有する番地Cに書き込むようにしたもの
である。
ータbの書き込みが要求されたことから、番地Aの内容
つまりデータ領域の残り記録容量を、a´から番地Bの
容量b´を差し引いたa´−b´に書き替えるように動
作される。しかしながら、実際には、番地Bに書き込み
不良が発生したことからデータbが番地Cに救済されて
いるので、番地Bの容量b´と番地Cの容量c´とを加
算した容量b´+c´が、データ領域の残り記録容量a
´から失なわれていることになり、属性領域に記録され
た残り記録容量a´−b´と、データ領域の実際の残り
記録容量a´−(b´+c´)とが異なってしまうとい
う問題が生じる。
メモリカードでは、書き込み不良の発生したメモリセル
に書き込むべきデータを、他の正常なメモリセルに書き
込む救済対策を施した場合、属性領域に記録される残り
記録容量と、データ領域の実際の残り記録容量とが異な
るものになってしまうという問題を有している。
されたもので、書き込み不良に対する救済対策を施した
場合でも、属性領域の残り記録容量と実際のデータ領域
の残り記録容量とを一致させるようにした極めて良好な
メモリカード装置を提供することを目的とする。
ード装置は、残り記録容量を含む属性情報が記録された
半導体メモリを有し、外部からの要求に応じて残り記録
容量を出力可能なものを対象としている。そして、半導
体メモリのデータ書き込みが要求された領域に書き込み
不良が検出された状態で、該書き込み不良領域に書き込
むデータを他の空き領域に書き込む救済手段と、この救
済手段によってデータの書き込まれた領域の容量と書き
込み不良領域の容量とに基づいて、属性情報の残り記録
容量を減少させる制御手段とを備えるようにしたもので
ある。
データの書き込まれた領域の容量と書き込み不良領域の
容量とに基づいて、属性情報の残り記録容量を減少させ
るようにしたので、書き込み不良に対する救済対策を施
した場合でも、属性情報の残り記録容量を実際の残り記
録容量に一致させることができる。
カードに適用した場合の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図1において、符号11はメモリカ
ード本体で、その一端部に設置されたコネクタ12を介
して、図示しない電子スチルカメラ本体に接続されるよ
うになされている。このコネクタ12には、電子スチル
カメラ本体側から、メモリカード本体11に書き込むべ
きデータや、その書き込み場所を示すアドレスデータ等
が供給される。
ータは、バスライン13を介して図示しないCPUを内
蔵したデータ入出力制御回路14に取り込まれる。この
データ入出力制御回路14は、データの高速書き込み及
び高速読み出しが可能な図示しないバッファメモリを内
蔵しており、取り込んだデータを一旦バッファメモリに
記録する。その後、データ入出力制御回路14は、バッ
ファメモリに記録したデータを、バスライン15を介し
て複数チップ(図示の場合は4チップ)のEEPROM
16の書き込みサイクルに対応したタイミングで読み出
し、EEPROM16に記録する。
EEPROM16に例えばページ単位でデータが書き込
まれる毎に、EEPROM16から書き込んだページ単
位のデータを読み出し、バッファメモリに記録されてい
るデータと一致しているか否かを判別する書き込みベリ
ファイを実行する。そして、データ入出力制御回路14
は、EEPROM16から読み出したデータと、バッフ
ァメモリに記録されたデータとが一致していない場合、
再度、バッファメモリからEEPROM16にデータを
転送して書き込みを行なわせ、この動作が所定回数繰り
返される間に、EEPROM16から読み出したデータ
とバッファメモリに記録されたデータとが完全に一致し
たとき、データの書き込みが完了される。
モリカード本体11の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ12を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路1
4に供給される。すると、データ入出力制御回路14
は、入力されたアドレスに基づいてEEPROM16か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリに記録する。
その後、データ入出力制御回路14は、バッファメモリ
に記録したデータを読み出しコネクタ12を介して外部
に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれる。
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体11との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリを介して行な
われるので、電子スチルカメラ本体側から見たメモリカ
ード本体11へのデータの書き込みスピード及び読み出
しスピードを向上させることができる。
は、図2に示すように、データ領域の番地Bに書き込み
不良が発生した場合、番地Bに書き込むべきデータbを
他の正常なメモリセルを有する番地Cに書き込むという
救済処理を実行する。この場合、データ入出力制御回路
14は、番地Bに書き込み不良が発生したことと、番地
Cをその救済領域に使用したこととに基づいて、属性領
域の番地Aに記録されているデータ領域の残り容量a´
から、番地Bの容量b´と番地Cの容量c´とを加算し
た値を減算し、その減算結果a´−(b´+c´)を実
際のデータ領域の残り記録容量として、属性領域の番地
Aに記録するように動作する。
れば、属性領域の残り記録容量を実際のデータ領域の残
り記録容量に一致させることができるため、ホスト側で
ある電子スチルカメラが属性領域の番地Aの内容を読み
取ることにより、データ領域の残り記録容量を正確に検
知することができ、従来のように、電子スチルカメラが
属性領域の番地Aの内容を読み取った結果では、まだ残
り記録容量があるにもかかわらず、実際にデータ領域に
データを記録することができないという不都合が生じる
ことを防止することができる。
る。すなわち、属性領域の番地Aに、データ領域の残り
記録容量ではなく、属性領域とデータ領域とを含む全記
憶領域中の残り記録容量を書き込む場合を示している。
このようにしても、属性領域の容量は予め固定されてい
るので、実質的には、属性領域の番地Aにデータ領域の
残り記録容量を書き込むことと等価である。図3の例で
は、属性領域の番地Aにd´が記録されている状態で、
番地Bに書き込み不良が発生して、番地Bに書き込むべ
きデータbを番地Cに書き込んだ状態を示しており、番
地Aの内容は、上述した説明から明らかなように、d´
−(b´+c´)となっている。なお、この発明は上記
実施例に限定されるものではなく、この外その要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
書き込み不良に対する救済対策を施した場合でも、属性
領域の残り記録容量と実際のデータ領域の残り記録容量
とを一致させるようにした極めて良好なメモリカード装
置を提供することができる。
示すブロック構成図。
図。
リマップを示す図。
ライン、14…データ入出力制御回路、15…バスライ
ン、16…EEPROM。
Claims (1)
- 【請求項1】 残り記録容量を含む属性情報が記録され
た半導体メモリを有し、外部からの要求に応じて前記残
り記録容量を出力可能なメモリカード装置において、前
記半導体メモリのデータ書き込みが要求された領域に書
き込み不良が検出された状態で、該書き込み不良領域に
書き込むデータを他の空き領域に書き込む救済手段と、
この救済手段によってデータの書き込まれた領域の容量
と前記書き込み不良領域の容量とに基づいて、前記属性
情報の残り記録容量を減少させる制御手段とを具備して
なることを特徴とするメモリカード装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11563092A JP3175974B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
KR1019930007737A KR0121800B1 (ko) | 1992-05-08 | 1993-05-06 | 메모리 카드장치 |
US08/057,805 US6161195A (en) | 1992-05-08 | 1993-05-07 | EEPROM memory card device having defect relieving means |
DE69325741T DE69325741T2 (de) | 1992-05-08 | 1993-05-10 | Speicherkartengerät |
EP93107569A EP0569040B1 (en) | 1992-05-08 | 1993-05-10 | Memory card device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11563092A JP3175974B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05314020A true JPH05314020A (ja) | 1993-11-26 |
JP3175974B2 JP3175974B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=14667407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11563092A Expired - Lifetime JP3175974B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | メモリカード装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3175974B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012088758A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Nec Corp | 記憶装置及び記憶装置の制御方法 |
US8458531B2 (en) | 2005-07-11 | 2013-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory card apparatus and method for updating memory capacity information |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP11563092A patent/JP3175974B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8458531B2 (en) | 2005-07-11 | 2013-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory card apparatus and method for updating memory capacity information |
JP2012088758A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Nec Corp | 記憶装置及び記憶装置の制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3175974B2 (ja) | 2001-06-11 |
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