JPH07262786A - メモリカード装置 - Google Patents
メモリカード装置Info
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- JPH07262786A JPH07262786A JP4842894A JP4842894A JPH07262786A JP H07262786 A JPH07262786 A JP H07262786A JP 4842894 A JP4842894 A JP 4842894A JP 4842894 A JP4842894 A JP 4842894A JP H07262786 A JPH07262786 A JP H07262786A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、初期化が要求された状態で、ＥＥ
ＰＲＯＭ内のデータ記録済み領域に対してのみ消去処理
を施し、未記録領域に対しては消去処理を施さないよう
にして、メモリセルの劣化を不用意に速めることを防止
することができるメモリカード装置を提供することを目
的としている。 【構成】ＥＥＰＲＯＭに対して外部から初期化が要求さ
れた状態で、情報データ記憶領域の全てのブロックに情
報データが記録されているとき、情報データ記憶領域を
一括消去し、情報データ記憶領域に情報データが記録さ
れていない未記録ブロックがあるとき、該未記録ブロッ
クに対しては消去処理を施さず、情報データが記録され
ているブロックのみを部分消去するように構成してい
る。
ＰＲＯＭ内のデータ記録済み領域に対してのみ消去処理
を施し、未記録領域に対しては消去処理を施さないよう
にして、メモリセルの劣化を不用意に速めることを防止
することができるメモリカード装置を提供することを目
的としている。 【構成】ＥＥＰＲＯＭに対して外部から初期化が要求さ
れた状態で、情報データ記憶領域の全てのブロックに情
報データが記録されているとき、情報データ記憶領域を
一括消去し、情報データ記憶領域に情報データが記録さ
れていない未記録ブロックがあるとき、該未記録ブロッ
クに対しては消去処理を施さず、情報データが記録され
ているブロックのみを部分消去するように構成してい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置の改良に関する。
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体メモリをカード状
のケースに収容したメモリカードは、当初、半導体メモ
リとしてＲＯＭを用いたＲＯＭカードが主流となってお
り、例えばゲーム機器、電子手帳及び電子楽器等に専用
に使用されていた。近年では、ノート型パーソナル・コ
ンピュータ等の登場に伴なって、フロッピー・ディスク
の代替としてＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アク
セス・メモリ）を用いたＳＲＡＭカードや、拡張メモリ
としてＤ（ダイナミック）ＲＡＭを用いたＤＲＡＭカー
ド等が開発されている。
のケースに収容したメモリカードは、当初、半導体メモ
リとしてＲＯＭを用いたＲＯＭカードが主流となってお
り、例えばゲーム機器、電子手帳及び電子楽器等に専用
に使用されていた。近年では、ノート型パーソナル・コ
ンピュータ等の登場に伴なって、フロッピー・ディスク
の代替としてＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アク
セス・メモリ）を用いたＳＲＡＭカードや、拡張メモリ
としてＤ（ダイナミック）ＲＡＭを用いたＤＲＡＭカー
ド等が開発されている。
【０００３】また、撮影した被写体の光学像を固体撮像
素子を用いて電気的な画像信号に変換し、この画像信号
をデジタル画像データに変換して半導体メモリに記録す
る電子スチルカメラにあっても、メモリカードをカメラ
本体に着脱自在となるように構成することによって、通
常のカメラにおけるフィルムと等価な取り扱いができる
ようになされる。電子スチルカメラでは、デジタル画像
データの記録、保存、再生及び消去を行なえることが必
要であることから、ＳＲＡＭカードが使用されている。
素子を用いて電気的な画像信号に変換し、この画像信号
をデジタル画像データに変換して半導体メモリに記録す
る電子スチルカメラにあっても、メモリカードをカメラ
本体に着脱自在となるように構成することによって、通
常のカメラにおけるフィルムと等価な取り扱いができる
ようになされる。電子スチルカメラでは、デジタル画像
データの記録、保存、再生及び消去を行なえることが必
要であることから、ＳＲＡＭカードが使用されている。
【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。
【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、データ保持のためのバックアップ電池が不要
であるとともに、チップ自体のコストも安く大容量化し
やすい等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有すること
から、電子スチルカメラのメモリカード用として使用す
るには最適なものと考えられている。
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、データ保持のためのバックアップ電池が不要
であるとともに、チップ自体のコストも安く大容量化し
やすい等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有すること
から、電子スチルカメラのメモリカード用として使用す
るには最適なものと考えられている。
【０００６】ここで、図５は、電子スチルカメラ用のメ
モリカードに収容された半導体メモリの全記憶領域を示
している。半導体メモリの全記憶領域は、電子スチルカ
メラ側から供給されるデジタル画像データが書き込まれ
る画像データ記憶領域と、この画像データ記憶領域に書
き込まれたデジタル画像データを管理するための管理デ
ータが書き込まれる管理データ記憶領域とに分割されて
いる。
モリカードに収容された半導体メモリの全記憶領域を示
している。半導体メモリの全記憶領域は、電子スチルカ
メラ側から供給されるデジタル画像データが書き込まれ
る画像データ記憶領域と、この画像データ記憶領域に書
き込まれたデジタル画像データを管理するための管理デ
ータが書き込まれる管理データ記憶領域とに分割されて
いる。
【０００７】そして、電子スチルカメラ側からメモリカ
ードに対して初期化を行なうことが要求された場合、半
導体メモリとしてＳＲＡＭが使用されている場合には、
管理データ記憶領域のみを初期化に対応するように書き
替えている。この理由は、ＳＲＡＭは既にデータの書き
込まれている領域に新たにデータを書き込む場合、記録
済みデータの上から新データを直接書き込むだけでデー
タの書き替えができるので、画像データ記憶領域に対し
ては何ら処置を施さなくてよいからである。
ードに対して初期化を行なうことが要求された場合、半
導体メモリとしてＳＲＡＭが使用されている場合には、
管理データ記憶領域のみを初期化に対応するように書き
替えている。この理由は、ＳＲＡＭは既にデータの書き
込まれている領域に新たにデータを書き込む場合、記録
済みデータの上から新データを直接書き込むだけでデー
タの書き替えができるので、画像データ記憶領域に対し
ては何ら処置を施さなくてよいからである。
【０００８】これに対し、ＥＥＰＲＯＭは、既にデータ
の書き込まれている領域に新たにデータを書き込む場
合、先に書き込まれているデータを一旦消去しないと新
たなデータを書き込むことができないため、データの書
き替えを行なうに際しては必ず消去処理が実行されるよ
うになっている。このため、半導体メモリとしてＥＥＰ
ＲＯＭが使用されているメモリカードに対して初期化が
要求された場合には、管理データ記憶領域を初期化に対
応するように書き替えるだけでなく、画像データ記憶領
域を全て消去することも必要となる。
の書き込まれている領域に新たにデータを書き込む場
合、先に書き込まれているデータを一旦消去しないと新
たなデータを書き込むことができないため、データの書
き替えを行なうに際しては必ず消去処理が実行されるよ
うになっている。このため、半導体メモリとしてＥＥＰ
ＲＯＭが使用されているメモリカードに対して初期化が
要求された場合には、管理データ記憶領域を初期化に対
応するように書き替えるだけでなく、画像データ記憶領
域を全て消去することも必要となる。
【０００９】このＥＥＰＲＯＭの消去処理には、１チッ
プのＥＥＰＲＯＭに記録された全てのデータを一括して
消去する一括消去と、１チップのＥＥＰＲＯＭのデータ
記憶領域を一定の記憶容量を有する複数の基準領域（ブ
ロック）に分割し、所望のブロックを指定することによ
りブロック単位でデータを消去するブロック消去との２
種類がある。
プのＥＥＰＲＯＭに記録された全てのデータを一括して
消去する一括消去と、１チップのＥＥＰＲＯＭのデータ
記憶領域を一定の記憶容量を有する複数の基準領域（ブ
ロック）に分割し、所望のブロックを指定することによ
りブロック単位でデータを消去するブロック消去との２
種類がある。
【００１０】ここで、図６に示すように、１枚のメモリ
カード内にｋ個のＥＥＰＲＯＭチップ１１1 ，１１2 ，
１１3 ，１１4 ，……，１１k-1 ，１１k が収容されて
いるとする。すると、このメモリカード全体の画像デー
タ記憶領域は、図７に示すように、各ＥＥＰＲＯＭチッ
プ１１1 〜１１k の記憶領域を順次連続させたように構
成される。なお、各ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 〜１１k
の記憶領域は、それぞれｎ個のブロックに分割されてお
り、各ブロックに対し、ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 から
ＥＥＰＲＯＭチップ１１k にかけて順次連続したブロッ
ク番号１，２，３，……，ｋｎが付されている。
カード内にｋ個のＥＥＰＲＯＭチップ１１1 ，１１2 ，
１１3 ，１１4 ，……，１１k-1 ，１１k が収容されて
いるとする。すると、このメモリカード全体の画像デー
タ記憶領域は、図７に示すように、各ＥＥＰＲＯＭチッ
プ１１1 〜１１k の記憶領域を順次連続させたように構
成される。なお、各ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 〜１１k
の記憶領域は、それぞれｎ個のブロックに分割されてお
り、各ブロックに対し、ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 から
ＥＥＰＲＯＭチップ１１k にかけて順次連続したブロッ
ク番号１，２，３，……，ｋｎが付されている。
【００１１】図８は、このようなＥＥＰＲＯＭチップ１
１1 〜１１k を内蔵したメモリカードに対して、初期化
を要求したときの電子スチルカメラ側の動作を示してい
る。すなわち、開始（ステップＳ１）されると、電子ス
チルカメラは、ステップＳ２で、管理データ記憶領域を
初期化に対応した状態となるように書き替えて、終了
（ステップＳ３）される。
１1 〜１１k を内蔵したメモリカードに対して、初期化
を要求したときの電子スチルカメラ側の動作を示してい
る。すなわち、開始（ステップＳ１）されると、電子ス
チルカメラは、ステップＳ２で、管理データ記憶領域を
初期化に対応した状態となるように書き替えて、終了
（ステップＳ３）される。
【００１２】図９は、初期化が要求されたときのメモリ
カード側の動作を示している。すなわち、メモリカード
内には、ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 〜１１k の他に図示
しないマイクロコンピュータも収容されており、電子ス
チルカメラとＥＥＰＲＯＭチップ１１1 〜１１k との間
のデータ転送を制御している。まず、開始（ステップＳ
４）されると、マイクロコンピュータは、ステップＳ５
で、管理データ記憶領域が初期化に対応した状態に書き
替えられたか否かを判別し、書き替えられたと判断され
た場合（ＹＥＳ）、ステップＳ６で、各ＥＥＰＲＯＭチ
ップ１１1 〜１１k をそれぞれ一括消去して、終了（ス
テップＳ７）される。
カード側の動作を示している。すなわち、メモリカード
内には、ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 〜１１k の他に図示
しないマイクロコンピュータも収容されており、電子ス
チルカメラとＥＥＰＲＯＭチップ１１1 〜１１k との間
のデータ転送を制御している。まず、開始（ステップＳ
４）されると、マイクロコンピュータは、ステップＳ５
で、管理データ記憶領域が初期化に対応した状態に書き
替えられたか否かを判別し、書き替えられたと判断され
た場合（ＹＥＳ）、ステップＳ６で、各ＥＥＰＲＯＭチ
ップ１１1 〜１１k をそれぞれ一括消去して、終了（ス
テップＳ７）される。
【００１３】しかしながら、メモリカードに対する上記
のような初期化処理では、１つのＥＥＰＲＯＭチップの
中にデータ記録済み領域と未記録領域とがある場合、例
えば図１０に示すように、ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 の
中でブロック１〜３がデータ記録済みとなっており、他
のブロック４〜ｎが未記録状態となっているような場合
でも、ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 全体に対して一括消去
が行なわれる。すなわち、まだデータが記録されていな
い、つまり既に消去された状態となっているブロック４
〜ｎに対しても、消去処理が施されることになる。
のような初期化処理では、１つのＥＥＰＲＯＭチップの
中にデータ記録済み領域と未記録領域とがある場合、例
えば図１０に示すように、ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 の
中でブロック１〜３がデータ記録済みとなっており、他
のブロック４〜ｎが未記録状態となっているような場合
でも、ＥＥＰＲＯＭチップ１１1 全体に対して一括消去
が行なわれる。すなわち、まだデータが記録されていな
い、つまり既に消去された状態となっているブロック４
〜ｎに対しても、消去処理が施されることになる。
【００１４】ところで、ＥＥＰＲＯＭは、データの書き
込み，読み出し及び消去等が行なわれた回数に応じてメ
モリセルが劣化し、ＳＲＡＭ等に比して短い使用回数
（１万回〜１０万回）で、データの書き込み不良が発生
し易くなるという不都合を有している。このため、上述
した初期化処理のように、既に消去された状態となって
いるブロックに対しても消去処理が施されるということ
は、取りも直さず、メモリセルの劣化を不用意に速める
ことになるという問題を発生させている。
込み，読み出し及び消去等が行なわれた回数に応じてメ
モリセルが劣化し、ＳＲＡＭ等に比して短い使用回数
（１万回〜１０万回）で、データの書き込み不良が発生
し易くなるという不都合を有している。このため、上述
した初期化処理のように、既に消去された状態となって
いるブロックに対しても消去処理が施されるということ
は、取りも直さず、メモリセルの劣化を不用意に速める
ことになるという問題を発生させている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
メモリカードでは、初期化が要求された状態でＥＥＰＲ
ＯＭチップが一括消去されるので、ＥＥＰＲＯＭチップ
内の未記録領域まで消去処理が施されるため、メモリセ
ルの劣化を不用意に速める要因になるという問題を有し
ている。
メモリカードでは、初期化が要求された状態でＥＥＰＲ
ＯＭチップが一括消去されるので、ＥＥＰＲＯＭチップ
内の未記録領域まで消去処理が施されるため、メモリセ
ルの劣化を不用意に速める要因になるという問題を有し
ている。
【００１６】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、初期化が要求された状態で、ＥＥＰＲＯ
Ｍ内のデータ記録済み領域に対してのみ消去処理を施
し、未記録領域に対しては消去処理を施さないようにし
て、メモリセルの劣化を不用意に速めることを防止する
ことができる極めて良好なメモリカード装置を提供する
ことを目的とする。
されたもので、初期化が要求された状態で、ＥＥＰＲＯ
Ｍ内のデータ記録済み領域に対してのみ消去処理を施
し、未記録領域に対しては消去処理を施さないようにし
て、メモリセルの劣化を不用意に速めることを防止する
ことができる極めて良好なメモリカード装置を提供する
ことを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、それぞれが一定容量でなる複数の基準領域
に分割され、外部から供給される情報データが書き込ま
れる情報データ記憶領域と、この情報データ記憶領域に
書き込まれた情報データを管理するための管理データが
書き込まれる管理データ記憶領域とを有し、情報データ
記憶領域を基準領域毎に消去する部分消去と、情報デー
タ記憶領域を一括して消去する一括消去とが可能なＥＥ
ＰＲＯＭを備えたものを対象としている。
ード装置は、それぞれが一定容量でなる複数の基準領域
に分割され、外部から供給される情報データが書き込ま
れる情報データ記憶領域と、この情報データ記憶領域に
書き込まれた情報データを管理するための管理データが
書き込まれる管理データ記憶領域とを有し、情報データ
記憶領域を基準領域毎に消去する部分消去と、情報デー
タ記憶領域を一括して消去する一括消去とが可能なＥＥ
ＰＲＯＭを備えたものを対象としている。
【００１８】そして、管理データ記憶領域に情報データ
記憶領域の各基準領域毎の情報データの記録の有無を示
す記録管理データを記録する記録管理データ記憶領域を
設定し、ＥＥＰＲＯＭに対して外部から初期化が要求さ
れた状態で、記録管理データ記憶領域の内容に基づい
て、情報データ記憶領域の全ての基準領域に情報データ
が記録されているとき、情報データ記憶領域を一括消去
し、情報データ記憶領域に情報データが記録されていな
い未記録基準領域があるとき、該未記録基準領域に対し
ては消去処理を施さず、情報データが記録されている基
準領域のみを部分消去するように構成したものである。
記憶領域の各基準領域毎の情報データの記録の有無を示
す記録管理データを記録する記録管理データ記憶領域を
設定し、ＥＥＰＲＯＭに対して外部から初期化が要求さ
れた状態で、記録管理データ記憶領域の内容に基づい
て、情報データ記憶領域の全ての基準領域に情報データ
が記録されているとき、情報データ記憶領域を一括消去
し、情報データ記憶領域に情報データが記録されていな
い未記録基準領域があるとき、該未記録基準領域に対し
ては消去処理を施さず、情報データが記録されている基
準領域のみを部分消去するように構成したものである。
【００１９】
【作用】上記のような構成によれば、外部から初期化が
要求された状態で、情報データ記憶領域の全ての基準領
域に情報データが記録されているとき、情報データ記憶
領域を一括消去し、情報データ記憶領域に情報データが
記録されていない未記録基準領域があるとき、該未記録
基準領域に対しては消去処理を施さず、情報データが記
録されている基準領域のみを部分消去するようにしたの
で、メモリセルの劣化を不用意に速めることを防止する
ことができるようになる。
要求された状態で、情報データ記憶領域の全ての基準領
域に情報データが記録されているとき、情報データ記憶
領域を一括消去し、情報データ記憶領域に情報データが
記録されていない未記録基準領域があるとき、該未記録
基準領域に対しては消去処理を施さず、情報データが記
録されている基準領域のみを部分消去するようにしたの
で、メモリセルの劣化を不用意に速めることを防止する
ことができるようになる。
【００２０】
【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラのメモリ
カードに適用した場合の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１は、この実施例で説明するメモ
リカードに収容されたＥＥＰＲＯＭの全記憶領域を示し
ている。ＥＥＰＲＯＭの全記憶領域は、前述したよう
に、電子スチルカメラ側から供給されるデジタル画像デ
ータが書き込まれる画像データ記憶領域と、この画像デ
ータ記憶領域に書き込まれたデジタル画像データを管理
するための管理データが書き込まれる管理データ記憶領
域とに分割されている。
カードに適用した場合の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１は、この実施例で説明するメモ
リカードに収容されたＥＥＰＲＯＭの全記憶領域を示し
ている。ＥＥＰＲＯＭの全記憶領域は、前述したよう
に、電子スチルカメラ側から供給されるデジタル画像デ
ータが書き込まれる画像データ記憶領域と、この画像デ
ータ記憶領域に書き込まれたデジタル画像データを管理
するための管理データが書き込まれる管理データ記憶領
域とに分割されている。
【００２１】このうち、管理データ記憶領域には、画像
データ記憶領域の各ブロック１〜ｋｎ毎に、それぞれデ
ジタル画像データが記録されているかまたは未記録状態
かを示す記録管理データが記録される、記録管理データ
記憶領域が設けられている。この記録管理データ記憶領
域は、図２に示すように、各ブロック１〜ｋｎに対して
それぞれデータ記録の有無を示す記録管理データが記憶
される領域を有している。
データ記憶領域の各ブロック１〜ｋｎ毎に、それぞれデ
ジタル画像データが記録されているかまたは未記録状態
かを示す記録管理データが記録される、記録管理データ
記憶領域が設けられている。この記録管理データ記憶領
域は、図２に示すように、各ブロック１〜ｋｎに対して
それぞれデータ記録の有無を示す記録管理データが記憶
される領域を有している。
【００２２】この場合、記録管理データとしては、例え
ばデータ記録済みのとき“１”で、未記録状態のとき
“０”となるもので、ブロック１にデジタル画像データ
が記録されていれば、記録管理データ記憶領域のブロッ
ク１の記録の有無を示す領域に“１”が書き込まれ、ブ
ロック２にデジタル画像データが記録されていなけれ
ば、記録管理データ記憶領域のブロック２の記録の有無
を示す領域に“０”が書き込まれることになる。なお、
データ記録済みのブロックが消去されたり、未記録のブ
ロックにデータが書き込まれたりした場合には、その都
度、メモリカード内のマイクロコンピュータによって、
記録管理データ記憶領域の内容が書き替えられることに
なる。
ばデータ記録済みのとき“１”で、未記録状態のとき
“０”となるもので、ブロック１にデジタル画像データ
が記録されていれば、記録管理データ記憶領域のブロッ
ク１の記録の有無を示す領域に“１”が書き込まれ、ブ
ロック２にデジタル画像データが記録されていなけれ
ば、記録管理データ記憶領域のブロック２の記録の有無
を示す領域に“０”が書き込まれることになる。なお、
データ記録済みのブロックが消去されたり、未記録のブ
ロックにデータが書き込まれたりした場合には、その都
度、メモリカード内のマイクロコンピュータによって、
記録管理データ記憶領域の内容が書き替えられることに
なる。
【００２３】ここで、例えば図３（ａ）に示すように、
メモリカード内のＥＥＰＲＯＭチップ１１1 の中で、ブ
ロック１〜３がデータ記録済みとなっており、他のブロ
ック４〜ｎが未記録状態となっているとする。このよう
な状態で、メモリカードに対して電子スチルカメラ側か
ら初期化が要求されると、カード内のマイクロコンピュ
ータは、記録管理データ記憶領域の内容をみて、ＥＥＰ
ＲＯＭチップ１１1 についてはブロック１〜３がデータ
記録済みで他のブロック４〜ｎが未記録状態であること
を検知する。
メモリカード内のＥＥＰＲＯＭチップ１１1 の中で、ブ
ロック１〜３がデータ記録済みとなっており、他のブロ
ック４〜ｎが未記録状態となっているとする。このよう
な状態で、メモリカードに対して電子スチルカメラ側か
ら初期化が要求されると、カード内のマイクロコンピュ
ータは、記録管理データ記憶領域の内容をみて、ＥＥＰ
ＲＯＭチップ１１1 についてはブロック１〜３がデータ
記録済みで他のブロック４〜ｎが未記録状態であること
を検知する。
【００２４】すると、マイクロコンピュータは、ＥＥＰ
ＲＯＭチップ１１1 に対しては一括消去を行なわず、図
３（ｂ）に示すように、データ記録済みのブロック１〜
３に対してのみブロック消去を行ない、他の未記録ブロ
ック４〜ｎに対しては消去動作を行なわないように動作
する。また、他のＥＥＰＲＯＭチップ１１2 〜１１kに
対しても、マイクロコンピュータは、記録管理データ記
憶領域の内容をみて、未記録ブロックが存在する場合に
は、そのＥＥＰＲＯＭチップ１１2 〜１１k の記録済み
ブロックのみをブロック消去するように動作する。
ＲＯＭチップ１１1 に対しては一括消去を行なわず、図
３（ｂ）に示すように、データ記録済みのブロック１〜
３に対してのみブロック消去を行ない、他の未記録ブロ
ック４〜ｎに対しては消去動作を行なわないように動作
する。また、他のＥＥＰＲＯＭチップ１１2 〜１１kに
対しても、マイクロコンピュータは、記録管理データ記
憶領域の内容をみて、未記録ブロックが存在する場合に
は、そのＥＥＰＲＯＭチップ１１2 〜１１k の記録済み
ブロックのみをブロック消去するように動作する。
【００２５】そして、マイクロコンピュータは、記録管
理データ記憶領域の内容をみて、未記録ブロックが存在
しない、つまり全てのブロックが記録済みであるＥＥＰ
ＲＯＭチップに対してのみ一括消去を行なうように動作
する。
理データ記憶領域の内容をみて、未記録ブロックが存在
しない、つまり全てのブロックが記録済みであるＥＥＰ
ＲＯＭチップに対してのみ一括消去を行なうように動作
する。
【００２６】図４は、以上に述べた初期化の動作をまと
めたフローチャートを示している。まず、開始（ステッ
プＳ８）されると、マイクロコンピュータは、ステップ
Ｓ９で、管理データ記憶領域が初期化に対応した状態に
書き替えられたか否かを判別し、書き替えられたと判断
された場合（ＹＥＳ）、ステップＳ１０で、記録管理デ
ータ記憶領域の内容をみてＥＥＰＲＯＭチップ毎に各ブ
ロックの記録の有無を検知する。
めたフローチャートを示している。まず、開始（ステッ
プＳ８）されると、マイクロコンピュータは、ステップ
Ｓ９で、管理データ記憶領域が初期化に対応した状態に
書き替えられたか否かを判別し、書き替えられたと判断
された場合（ＹＥＳ）、ステップＳ１０で、記録管理デ
ータ記憶領域の内容をみてＥＥＰＲＯＭチップ毎に各ブ
ロックの記録の有無を検知する。
【００２７】そして、マイクロコンピュータは、ステッ
プＳ１１で、ある１つのＥＥＰＲＯＭチップに対してそ
のチップ内の全てのブロックが記録済みか否かを判別
し、全てのブロックが記録済みであると判断された場合
（ＹＥＳ）、ステップＳ１２で、そのＥＥＰＲＯＭチッ
プを一括消去する。また、ステップＳ１１で全てのブロ
ックが記録済みでないと判断された場合（ＮＯ）、マイ
クロコンピュータは、ステップＳ１３で、そのＥＥＰＲ
ＯＭチップ内の記録済みブロックのみをブロック消去す
る。
プＳ１１で、ある１つのＥＥＰＲＯＭチップに対してそ
のチップ内の全てのブロックが記録済みか否かを判別
し、全てのブロックが記録済みであると判断された場合
（ＹＥＳ）、ステップＳ１２で、そのＥＥＰＲＯＭチッ
プを一括消去する。また、ステップＳ１１で全てのブロ
ックが記録済みでないと判断された場合（ＮＯ）、マイ
クロコンピュータは、ステップＳ１３で、そのＥＥＰＲ
ＯＭチップ内の記録済みブロックのみをブロック消去す
る。
【００２８】次に、ステップＳ１２またはステップＳ１
３の後、マイクロコンピュータは、ステップＳ１４で、
メモリカード内の全てのＥＥＰＲＯＭチップに記録され
たデジタル画像データが消去されたか否かを判別し、消
去されていないと判断された場合（ＮＯ）、ステップＳ
１１の処理に戻され、消去されていると判断された場合
（ＹＥＳ）、終了（ステップＳ１５）される。
３の後、マイクロコンピュータは、ステップＳ１４で、
メモリカード内の全てのＥＥＰＲＯＭチップに記録され
たデジタル画像データが消去されたか否かを判別し、消
去されていないと判断された場合（ＮＯ）、ステップＳ
１１の処理に戻され、消去されていると判断された場合
（ＹＥＳ）、終了（ステップＳ１５）される。
【００２９】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、管理データ記憶領域に、内蔵されている全てのＥ
ＥＰＲＯＭチップの各ブロック毎に、それぞれデジタル
画像データが記録されているか未記録状態かを示す記録
管理データが記録される記録管理データ記憶領域を設
け、外部から初期化が要求された状態で、記録管理デー
タ記憶領域の内容に基づいて、１つのＥＥＰＲＯＭチッ
プの全てのブロックにデジタル画像データが記録されて
いるとき、そのＥＥＰＲＯＭチップを一括消去し、デジ
タル画像データが記録されていない未記録ブロックがあ
るとき、該未記録ブロックに対しては消去処理を施さ
ず、デジタル画像データが記録されているブロックのみ
をブロック消去するようにしたので、メモリセルの劣化
を不用意に速めることを防止することができるようにな
る。
れば、管理データ記憶領域に、内蔵されている全てのＥ
ＥＰＲＯＭチップの各ブロック毎に、それぞれデジタル
画像データが記録されているか未記録状態かを示す記録
管理データが記録される記録管理データ記憶領域を設
け、外部から初期化が要求された状態で、記録管理デー
タ記憶領域の内容に基づいて、１つのＥＥＰＲＯＭチッ
プの全てのブロックにデジタル画像データが記録されて
いるとき、そのＥＥＰＲＯＭチップを一括消去し、デジ
タル画像データが記録されていない未記録ブロックがあ
るとき、該未記録ブロックに対しては消去処理を施さ
ず、デジタル画像データが記録されているブロックのみ
をブロック消去するようにしたので、メモリセルの劣化
を不用意に速めることを防止することができるようにな
る。
【００３０】ここで、上記実施例では、この発明を電子
スチルカメラ用のメモリカードに適用した場合について
説明したが、これに限らず、この発明は種々のホスト機
器に装着されるＥＥＰＲＯＭを内蔵したメモリカードに
広く適用し得ることは言うまでもないことである。な
お、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施す
ることができる。
スチルカメラ用のメモリカードに適用した場合について
説明したが、これに限らず、この発明は種々のホスト機
器に装着されるＥＥＰＲＯＭを内蔵したメモリカードに
広く適用し得ることは言うまでもないことである。な
お、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施す
ることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
初期化が要求された状態で、ＥＥＰＲＯＭ内のデータ記
録済み領域に対してのみ消去処理を施し、未記録領域に
対しては消去処理を施さないようにして、メモリセルの
劣化を不用意に速めることを防止することができる極め
て良好なメモリカード装置を提供することができる。
初期化が要求された状態で、ＥＥＰＲＯＭ内のデータ記
録済み領域に対してのみ消去処理を施し、未記録領域に
対しては消去処理を施さないようにして、メモリセルの
劣化を不用意に速めることを防止することができる極め
て良好なメモリカード装置を提供することができる。
【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すもので、カード内に収容されたＥＥＰＲＯＭの全記
憶領域を示す図。
示すもので、カード内に収容されたＥＥＰＲＯＭの全記
憶領域を示す図。
【図２】同実施例における記録管理データ記憶領域の詳
細を示す図。
細を示す図。
【図３】同実施例におけるブロック消去の具体例を示す
図。
図。
【図４】同実施例の動作を説明するために示すフローチ
ャート。
ャート。
【図５】メモリカードに収容された半導体メモリの全記
憶領域を示す図。
憶領域を示す図。
【図６】メモリカード内にｋ個のＥＥＰＲＯＭチップが
収容された状態を示す図。
収容された状態を示す図。
【図７】同ｋ個のＥＥＰＲＯＭチップによる画像データ
記憶領域を示す図。
記憶領域を示す図。
【図８】メモリカードに初期化を要求したときの電子ス
チルカメラ側の動作を示すフローチャート。
チルカメラ側の動作を示すフローチャート。
【図９】初期化が要求されたときのメモリカード側の動
作を示すフローチャート。
作を示すフローチャート。
【図１０】ＥＥＰＲＯＭチップの中にデータ記録済み領
域と未記録領域とがある状態を示す図。
域と未記録領域とがある状態を示す図。
１１1 〜１１k …ＥＥＰＲＯＭチップ。
Claims (1)
- 【請求項１】 それぞれが一定容量でなる複数の基準領
域に分割され、外部から供給される情報データが書き込
まれる情報データ記憶領域と、この情報データ記憶領域
に書き込まれた情報データを管理するための管理データ
が書き込まれる管理データ記憶領域とを有し、前記情報
データ記憶領域を前記基準領域毎に消去する部分消去
と、前記情報データ記憶領域を一括して消去する一括消
去とが可能なＥＥＰＲＯＭを備えたメモリカード装置に
おいて、前記管理データ記憶領域に前記情報データ記憶
領域の各基準領域毎の前記情報データの記録の有無を示
す記録管理データを記録する記録管理データ記憶領域を
設定し、前記ＥＥＰＲＯＭに対して外部から初期化が要
求された状態で、前記記録管理データ記憶領域の内容に
基づいて、前記情報データ記憶領域の全ての基準領域に
前記情報データが記録されているとき、前記情報データ
記憶領域を一括消去し、前記情報データ記憶領域に前記
情報データが記録されていない未記録基準領域があると
き、該未記録基準領域に対しては消去処理を施さず、前
記情報データが記録されている前記基準領域のみを部分
消去するように構成してなることを特徴とするメモリカ
ード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4842894A JPH07262786A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | メモリカード装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4842894A JPH07262786A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | メモリカード装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07262786A true JPH07262786A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12803078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4842894A Pending JPH07262786A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | メモリカード装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07262786A (ja) |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP4842894A patent/JPH07262786A/ja active Pending
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